KR102221743B1 - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 액처리 장치에 있어서, 농도 센서의 고장 등을 방지하고, 농도 센서로부터 석출되거나 한 먼지가 기판에 부착되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 기판(8)을 처리하기 위한 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(39)와, 처리액 저류부(38)의 내부의 처리액을 순환시키는 처리액 순환부(40)와, 처리액 순환부(40)로부터 분기되어 처리액을 배출시키는 처리액 배출부(41)와, 처리액 배출부(41)에 설치되며, 처리액 중의 농도를 계측하는 농도 센서(61)와, 처리액 공급부를 제어하는 제어부(7)를 가지며, 제어부는, 처리액 순환부에 의해 처리액을 순환시키고, 순환시킨 처리액을 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 또는 미리 정해진 시간으로 연속적으로 처리액 배출부로부터 배출시키며, 처리액 공급부로부터 새로운 처리액을 공급하고, 배출시킨 처리액에 대해 미리 정해진 타이밍에서 처리액 중의 농도를 농도 센서에 의해 계측시키는 것으로 한다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM HAVING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM STORED THEREIN}
본 발명은 기판을 처리하는 처리액 중의 농도(예컨대, 실리콘 농도)를 계측하는 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등의 제조에는, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판에 대해 에칭액(처리액)으로 에칭 처리하는 기판 액처리 장치가 이용되고 있다.
종래의 기판 액처리 장치는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저류하는 처리액 저류부와, 처리액 저류부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리액 저류부에서 저류한 처리액을 순환시켜 처리액의 가열 등을 행하는 처리액 순환부를 갖고 있다.
그리고, 기판 액처리 장치는, 처리액 저류부에 저류된 처리액에 복수 매의 기판을 침지시켜 기판을 처리액으로 액처리한다. 또한, 기판 액처리 장치는, 처리액 공급부로부터 공급된 처리액을 처리액 순환부에서 순환시켜 미리 정해진 온도로 가열한다.
이 기판 액처리 장치에서는, 처리액으로 기판을 반복해서 처리하면, 기판의 처리에 의해 처리액에 함유되는 불순물 등의 농도가 증가해 버려, 기판을 양호하게 처리할 수 없게 된다. 예컨대, 기판을 인산 수용액(에칭액)으로 에칭 처리하는 경우에는, 처리액의 능력(에칭 레이트)이 처리액 중의 실리콘 농도에 의존하기 때문에 처리액 중의 실리콘 농도를 일정 범위 내로 유지할 필요가 있으나, 기판의 처리를 반복함으로써 에칭액 중의 실리콘 농도가 증가해서, 처리액의 능력이 저하되어 기판을 양호하게 에칭 처리할 수 없게 된다(예컨대, 특허문헌 1 참조.).
그 때문에, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 처리액 중의 실리콘 농도를 계측하기 위한 농도 센서를 처리액 저류부나 처리액 순환부에 설치하고 있다.
일본 특허 공개 제2001-23952호 공보
그러나, 상기 종래의 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서를 처리액 저류부나 처리액 순환부에 설치하고 있기 때문에, 항상 농도 센서에 처리액이 접액(接液)된 상태로 되어 있다.
그 때문에, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 처리액에 의해 농도 센서가 침식되거나, 처리액에 함유된 불순물이 농도 센서에 부착되어, 농도 센서가 고장이나 오작동할 우려가 있다.
또한, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서로부터 석출되거나 한 먼지가 처리액에 혼입되고, 그 처리액으로 기판을 처리함으로써 기판에 파티클이 부착되어, 기판을 양호하게 액처리할 수 없게 될 우려가 있다.
그래서, 본 발명에서는, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저류하는 처리액 저류부와, 상기 처리액 저류부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액 저류부의 내부의 상기 처리액을 순환시키는 처리액 순환부와, 상기 처리액 순환부로부터 분기되어 상기 처리액을 배출시키는 처리액 배출부와, 상기 처리액 배출부에 설치되며, 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 농도 센서와, 상기 처리액 공급부를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 처리액 순환부에 의해 상기 처리액을 순환시키고, 순환시킨 상기 처리액을 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 또는 미리 정해진 시간으로 연속적으로 상기 처리액 배출부로부터 배출시키며, 상기 처리액 공급부로부터 새로운 상기 처리액을 공급하고, 배출시킨 상기 처리액에 대해 미리 정해진 타이밍에서 상기 처리액 중의 농도를 상기 농도 센서에 의해 계측시키는 것으로 하였다.
또한, 상기 농도 센서는, 상기 처리액 배출부에 분기 형성된 바이패스 유로에 설치되는 것으로 하였다.
또한, 상기 농도 센서에 의해 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 상기 미리 정해진 타이밍은, 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고 있을 때에 행해지는 것으로 하였다.
또한, 상기 농도 센서에 의해 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 상기 미리 정해진 타이밍은, 상기 처리액 배출부로부터 상기 처리액을 배출시키는 상기 미리 정해진 타이밍보다 빈도를 적게 하는 것으로 하였다.
또한, 상기 기판으로서 실리콘 웨이퍼를 이용하고, 상기 농도 센서는, 상기 처리액 중의 실리콘의 농도를 계측하는 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 기판 액처리 방법에 있어서, 처리액 저류부에 저류된 기판을 처리하기 위한 처리액을 처리액 순환부에 의해 순환시키고, 순환하는 상기 처리액을 상기 처리액 순환부의 도중에서 분기된 처리액 배출부로부터 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 또는 미리 정해진 시간으로 연속적으로 배출시키며, 처리액 공급부로부터 새로운 상기 처리액을 공급하고, 배출하는 상기 처리액에 대해 미리 정해진 타이밍에서 상기 처리액 중의 농도를 상기 처리액 배출부에 설치된 농도 센서에 의해 계측하는 것으로 하였다.
또한, 상기 처리액 배출부로부터 배출시키는 상기 처리액을, 상기 처리액 배출부의 도중에 분기 형성된 바이패스 유로에 흘리고, 상기 바이패스 유로에 설치된 상기 농도 센서에 의해 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 것으로 하였다.
또한, 상기 농도 센서에 의해 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 상기 미리 정해진 타이밍은, 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고 있을 때에 행해지는 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저류하는 처리액 저류부와, 상기 처리액 저류부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액 저류부의 내부의 상기 처리액을 순환시키는 처리액 순환부와, 상기 처리액 순환부로부터 분기되어 상기 처리액을 배출시키는 처리액 배출부와, 상기 처리액 배출부에 설치되며, 상기 처리액 중의 농도를 계측하는 농도 센서를 갖는 기판 액처리 장치를 이용하여, 상기 기판의 액처리를 실행시키는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 처리액 순환부에 의해 상기 처리액을 순환시키고, 순환시킨 상기 처리액을 미리 정해진 타이밍에서 단속적 또는 미리 정해진 시간으로 연속적으로 상기 처리액 배출부로부터 배출시키며, 상기 처리액 공급부로부터 새로운 상기 처리액을 공급하고, 배출시킨 상기 처리액에 대해 미리 정해진 타이밍에서 상기 처리액 중의 농도를 상기 농도 센서에 의해 계측시키는 것으로 하였다.
본 발명에서는, 농도 센서의 고장이나 오작동 등의 발생을 방지할 수 있고, 기판을 양호하게 액처리할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 장치를 도시한 평면 설명도이다.
도 2는 에칭 처리 장치를 도시한 설명도이다.
도 3은 처리액 배출부를 도시한 설명도이다
도 4는 기판 액처리 방법을 도시한 설명도이다.
도 5는 기판 액처리 방법을 도시한 설명도이다.
이하에, 본 발명에 따른 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는, 캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 제어부(7)를 갖는다.
캐리어 반입 반출부(2)는, 복수 매(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입 반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입 반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입 반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다.
이 로트 형성부(3)에는, 복수 매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에서 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트 배치부(4)에서 로트를 형성한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착(轉着)되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성된 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수 매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다.
건조 처리 장치(23)에는, 처리조(27)에 기판 승강 기구(28)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급된 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 가지며, 각 처리조(30, 31)에는 기판 승강 기구(32, 33)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 세정용의 처리조(30)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 가지며, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는, 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대해 설명하면, 기판 승강 기구(36, 37)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
이 에칭 처리 장치(26)에서는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다.
에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 농도의 인산 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)으로 이루어지는 처리액을 저류하고, 기판(8)을 처리하기 위한 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부(39)와, 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액을 순환시키기 위한 처리액 순환부(40)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(41)를 갖는다.
처리액 저류부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외부조(42)를 형성하고, 처리조(34)와 외부조(42)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)에서는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액처리하는 처리액을 저류한다. 외부조(42)에서는, 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류하고, 처리액 순환부(40)에 의해 처리조(34)에 처리액을 공급한다.
처리액 공급부(39)는, 처리액 저류부(38)에 처리액과는 상이한 농도(처리액보다 낮은 농도)의 약제(인산)의 수용액(85 중량%의 인산 수용액)을 공급하기 위한 수용액 공급부(43)와, 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급하기 위한 물 공급부(44)로 구성되어 있다.
수용액 공급부(43)는, 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 공급하기 위한 수용액 공급원(45)을 처리액 저류부(38)의 외부조(42)에 유량 조정기(46)를 통해 접속한다. 유량 조정기(46)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
물 공급부(44)는, 미리 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(47)을 처리액 저류부(38)의 외부조(42)에 유량 조정기(48)를 통해 접속한다. 유량 조정기(48)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(40)는, 처리액 저류부(38)의 외부조(42)의 바닥부와 처리조(34)의 바닥부 사이에 순환 유로(49)를 형성한다. 순환 유로(49)에는, 펌프(50), 히터(51), 필터(52)가 순서대로 설치되어 있다. 펌프(50) 및 히터(51)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 그리고, 처리액 순환부(40)는, 펌프(50)를 구동시킴으로써 외부조(42)로부터 처리조(34)에 처리액을 순환시킨다. 그때에, 히터(51)에 의해 처리액을 미리 정해진 온도(165℃)로 가열한다.
처리액 배출부(41)는, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 제1 처리액 배출부(53)와, 처리액 순환부(40)로부터 처리액을 배출하는 제2 처리액 배출부(54)로 구성되어 있다.
제1 처리액 배출부(53)는, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)의 바닥부에 외부의 배액관(排液管)과 연통되는 배출 유로(55)를 접속하고, 배출 유로(55)에는 개폐 밸브(56)가 설치되어 있다. 개폐 밸브(56)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
제2 처리액 배출부(54)는, 처리액 순환부(40)의 순환 유로(49)의 중도부[히터(51)와 필터(52) 사이]에 외부의 배액관과 연통되는 배출 유로(57)를 접속하고, 배출 유로(57)에는 개폐 밸브(58)가 설치되어 있다. 또한, 배출 유로(57)의 중도부[개폐 밸브(58)의 하류측]에 외부의 배액관과 연통되는 바이패스 유로(59)를 접속하고, 바이패스 유로(59)에 개폐 밸브(60)와 처리액 중의 실리콘 농도를 계측하기 위한 농도 센서(61)를 순서대로 설치하고 있다. 개폐 밸브(58, 60)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 농도 센서(61)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 처리액 중의 실리콘 농도가 계측된다.
이와 같이, 기판 액처리 장치(1)에서는, 농도 센서(61)를 처리액 순환부(40)로부터 분기된 제2 처리액 배출부(54)에 설치하고 있기 때문에, 처리액 순환부(40)로부터 처리액을 배출할 때만 농도 센서(61)에 처리액이 접액되도록 하고 있다. 이에 의해, 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액에 의해 농도 센서(61)가 침식되거나 처리액에 함유된 불순물이 농도 센서(61)에 부착됨으로써 농도 센서(61)가 고장이나 오작동해 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 액처리 장치(1)에서는, 농도 센서(61)로부터 석출되거나 한 먼지가 처리액에 혼입됨으로써 기판(8)에 파티클이 부착되어 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 없게 되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 농도 센서(61)는, 도 2 및 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 배출 유로(57)로부터 분기된 바이패스 유로(59)에 설치한 경우에 한정되지 않고, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 순환 유로(49)로부터 분기된 바이패스 유로(62)에 설치해도 좋고, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 배출 유로(57)에 설치해도 좋다. 농도 센서(61)를 배출 유로(57)에 설치한 경우에는, 처리액 저류부(38)에서 저류되는 처리액의 일부[처리액 순환부(40)로부터 배출되는 처리액]만이 농도 센서(61)에 접액되게 되고, 농도 센서(61)를 바이패스 유로(59, 62)에 설치한 경우에는, 또한 처리액 순환부(40)로부터 배출되는 처리액의 일부[바이패스 유로(59, 62)로부터 배출되는 처리액]만이 농도 센서(61)에 접액되게 된다. 그 때문에, 농도 센서(61)를 바이패스 유로(59, 62)에 설치함으로써, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 할 수 있다.
에칭 처리 장치(26)는, 수용액 공급부(43)에 의해 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 처리액 저류부(38)에 공급하고, 처리액 순환부(40)에 의해 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)가 되도록 가열하여 처리액을 생성하며, 처리액을 처리액 저류부(38)에 저류한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 가열에 의해 증발되는 물의 양에 상응하는 양의 순수를 물 공급부(44)에 의해 처리액 저류부(38)에 공급한다. 이에 의해, 에칭 처리 장치(26)는, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)에 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액을 저류하고, 그 처리액에 기판 승강 기구(36)에 의해 기판(8)을 침지시킴으로써, 기판(8)을 에칭 처리한다.
또한, 에칭 처리 장치(26)는, 처리액 배출부(41)에 의해 처리액 저류부(38)의 처리액의 일부(또는 전부)를 배출하고, 처리액 공급부(39)에 의해 신규로 처리액(수용액 또는/및 순수)을 공급하여, 처리액 저류부(38)에 저류하는 처리액을 적절히 갱신(교환)한다.
제어부(7)는, 기판 액처리 장치(1)의 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어한다.
이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(63)를 구비한다. 기억 매체(63)에는, 기판 액처리 장치(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(63)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 한편, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(63)에 기억되어 있던 것이며, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(63)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(63)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
기판 액처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 제어부(7)에 의해 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다.
이 기판 액처리 장치(1)에 의해 기판(8)을 에칭 처리하는 경우, 기억 매체(63)에 기억된 기판 액처리 프로그램에 따라 제어부(7)에 의해 에칭 처리 장치(26) 등을 이하에 설명하는 바와 같이 제어한다(도 4 참조.).
먼저, 기판 액처리 장치(1)는, 기판(8)의 에칭 처리를 개시하기 전에 처리액 저류부(38)에 저류하는 처리액을 교환한다(처리액 교환 공정).
이 처리액 교환 공정에 있어서, 제어부(7)는, 처리액 공급부(39)에 의해 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급시키고, 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키면서 가열시켜, 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액을 생성시킨다. 그 후, 제어부(7)는, 기판 승강 기구(36)에 의해 더미 실리콘 웨이퍼를 처리액에 미리 정해진 시간 침지시켜, 처리액 중의 실리콘 농도가 미리 정해진 농도가 되도록 한다. 이 처리액 교환 공정에 있어서, 제어부(7)는, 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키고, 미리 정해진 타이밍에서 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 처리액 순환부(40)로부터 제2 처리액 배출부(54)를 통해 배액(排液)시킨다. 그리고, 제어부(7)는, 미리 정해진 타이밍(예컨대, 처리액 교환 공정의 종료 직전)에서 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 처리액 중의 실리콘 농도를 계측시킨다. 제어부(7)는, 농도 센서(61)에 의해 계측한 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 아닌 경우에는 경보하여 처리를 중단한다. 한편, 처리액 교환 공정에서는, 처리액을 처리액 순환부(40)에 의해 항상 순환시켜도 좋고, 또한, 단속적으로 순환시켜도 좋으며, 또한, 예컨대, 더미 실리콘 웨이퍼를 처리액에 미리 정해진 시간 침지시키고, 실리콘 웨이퍼를 침지시킨 직후에는 잠시 순환을 정지시키며, 미리 정해진 타이밍에서 순환시켜도 좋다.
여기서는, 미리 실리콘 웨이퍼의 침지 시간과 실리콘 농도의 관계를 조사하여, 더미 실리콘 웨이퍼를 처리액에 미리 정해진 시간 침지시킴으로써 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 되도록 하고 있으나, 농도 센서(61)에 미리 정해진 타이밍에서 실리콘 농도를 계측시켜, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 될 때까지 더미 실리콘 웨이퍼를 처리액에 침지시키도록 제어해도 좋다. 한편, 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 계측시키는 타이밍은, 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 배출시키는 타이밍보다 빈도를 적게 하는 편이, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 할 수 있다.
농도 센서(61)에 의해 계측한 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 된 후에, 기판 액처리 장치(1)는, 기판(8)의 에칭 처리를 행한다(기판 액처리 공정).
이 기판 액처리 공정에서는, 기판(8)을 처리조(34)에 반입하는 기판 반입 공정과, 처리조(34)에서 기판(8)을 처리하는 기판 처리 공정과, 처리조(34)로부터 기판(8)을 반출하는 기판 반출 공정을 행한다.
기판 반입 공정에서는, 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로부터 상승시킨 후에, 동시에 처리하는 1로트분의 기판(8)을 로트 반송 기구(19)로부터 기판 승강 기구(36)에 반송시키고, 그 후, 기판(8)을 유지한 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로 강하시킨다. 이에 의해, 처리조(34)에 저류된 처리액에 기판(8)이 침지된다.
기판 처리 공정에서는, 처리조(34)의 내부에서 기판 승강 기구(36)를 강하시킨 상태인 채로 미리 정해진 시간 유지시킨다. 이에 의해, 기판(8)이 처리액에 미리 정해진 시간 침지되어, 기판(8)이 에칭 처리된다.
기판 반출 공정에서는, 기판(8)을 유지한 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로부터 상승시킨 후에, 동시에 처리한 1로트분의 기판(8)을 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)에 반송시킨다.
이 기판 액처리 공정에 있어서, 기판(8)이 처리액으로 에칭 처리되면, 처리액에 함유되는 실리콘의 농도가 서서히 증가한다. 처리액의 능력(에칭 레이트)이 처리액 중의 실리콘 농도에 의존하기 때문에 처리액 중의 실리콘 농도를 일정 농도 범위 내로 유지할 필요가 있다. 그 때문에, 제어부(7)는, 기판(8)의 에칭 처리 중에 펌프(50)를 구동시켜 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키고, 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액의 일부를 처리액 순환부(40)로부터 제2 처리액 배출부(54)를 통해 배출시키며, 처리액 공급부(39)로부터 새로운 처리액을 공급시킨다. 그리고, 제어부(7)는, 미리 정해진 타이밍(예컨대, 기판 액처리 공정의 개시 직후나 종료 직전)에서 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 처리액 중의 실리콘 농도를 계측시킨다. 제어부(7)는, 농도 센서(61)에 의해 계측한 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 아닌 경우에는 경보하여 처리를 중단한다. 한편, 기판 액처리 공정에서는, 처리액을 처리액 순환부(40)에 의해 단속적으로 순환시켜도 좋고, 또한, 항상 순환시켜도 좋다.
여기서는, 미리 기판(8)의 에칭 시간과 에칭 처리 중의 처리액의 배출량과 신규 처리액의 공급량과 실리콘 농도의 관계를 조사하여, 기판(8)의 에칭 처리 중에 미리 정해진 양의 처리액을 배출시키고, 미리 정해진 양의 처리액을 새롭게 공급함으로써 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 되도록 하고 있으나, 농도 센서(61)에 미리 정해진 타이밍에서 실리콘 농도를 계측시켜, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 이상이 된 경우에 기판 액처리 공정을 종료하도록 제어해도 좋다. 한편, 여기서도 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 계측시키는 타이밍은, 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 배출시키는 타이밍보다 빈도를 적게 하는 편이, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 할 수 있다.
기판 액처리 장치(1)는, 기판 반입 공정과 기판 처리 공정과 기판 반출 공정을 미리 정해진 횟수 반복해서 행한 후에, 처리액의 실리콘 농도가 미리 정해진 범위 내가 되도록 조정한다(조정 공정).
이 조정 공정에 있어서, 제어부(7)는, 처리액 공급부(39)에 의해 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급시키고, 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키면서 가열시켜, 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액을 생성시키고, 처리액 중의 실리콘 농도가 미리 정해진 농도가 되도록 조정한다. 이 조정 공정에 있어서, 제어부(7)는, 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키고, 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 처리액 순환부(40)로부터 제2 처리액 배출부(54)를 통해 배액시키며, 처리액 공급부(39)로부터 새로운 처리액을 공급시킨다. 그리고, 제어부(7)는, 미리 정해진 타이밍(예컨대, 조정 공정의 종료 직전)에서 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 처리액 중의 실리콘 농도를 계측시킨다. 제어부(7)는, 농도 센서(61)에 의해 계측한 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 아닌 경우에는 경보하여, 처리조(34)에의 기판(8)의 반입을 중단한다. 한편, 조정 공정에서는, 처리액을 처리액 순환부(40)에 의해 항상 순환시켜도 좋고, 또한, 단속적으로 순환시켜도 좋으며, 또한, 잠시 순환을 정지시키고, 미리 정해진 타이밍에서 순환시켜도 좋다.
여기서는, 처리액의 배출량과 신규 처리액의 공급량과 실리콘 농도의 관계를 조사하여, 미리 정해진 양의 처리액을 배출하고, 미리 정해진 양의 처리액을 새롭게 공급함으로써 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 되도록 하고 있으나, 농도 센서(61)로 하여금 미리 정해진 타이밍에서 실리콘 농도를 계측하게 하여, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 될 때까지 처리액을 배출시키고, 신규 처리액을 공급하도록 제어해도 좋다. 한편, 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 계측시키는 타이밍은, 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 배출시키는 타이밍보다 빈도를 적게 하는 편이, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)에 저류된 기판(8)을 처리하기 위한 처리액을 처리액 순환부(40)에 의해 순환시키고, 순환하는 처리액을 처리액 순환부(40)의 도중에서 분기된 제2 처리액 배출부(54)로부터 배출하며, 배출하는 처리액 중의 실리콘 농도를 제2 처리액 배출부(54)에 설치한 농도 센서(61)에 의해 계측한다.
이에 의해, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 농도 센서(61)가 처리액에 접액되는 시간을 짧게 할 수 있어, 농도 센서(61)의 고장이나 오작동 등의 발생을 방지할 수 있고, 농도 센서(61)로부터 석출되거나 한 먼지가 기판(8)에 파티클이 되어 부착되는 것을 방지할 수 있어, 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 있다.
한편, 그 외의 실시형태로서, 도 4에 도시한 실시형태에서는, 기판 액처리 공정 및 조정 공정에 있어서, 처리액 중의 실리콘 농도를 일정 농도 범위 내로 유지하기 위해서, 제어부(7)는, 기판(8)의 에칭 처리 중에 펌프(50)를 구동시켜 처리액 순환부(40)에 의해 처리액을 순환시키고, 미리 정해진 타이밍에서 단속적으로 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액의 일부를 처리액 순환부(40)로부터 제2 처리액 배출부(54)를 통해 배출시키며, 처리액 공급부(39)로부터 새로운 처리액을 공급하고 있으나, 이것에 한정되는 일은 없으며, 도 5에 도시된 바와 같이 미리 정해진 타이밍에서 미리 정해진 시간으로 연속적으로 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액의 일부를 처리액 순환부(40)로부터 제2 처리액 배출부(54)를 통해 배출시키고, 처리액 공급부(39)로부터 새로운 처리액을 공급하도록 해도 좋다.
또한, 기판 액처리 공정에 있어서, 기판 액처리 공정의 개시로부터 예컨대 공정의 도중까지 연속적으로 처리액을 배출하고, 처리액을 공급하도록 하며, 그 후에는 처리액의 배출도 공급도 행하지 않도록 해도 좋고, 또한, 기판 액처리 공정의 개시로부터 예컨대 처리의 도중까지 처리액의 배출도 공급도 행하지 않도록 하고, 도중부터 종료까지 연속적으로 처리액을 배출하고, 처리액을 공급하도록 해도 좋다.
또한, 그 외의 실시형태로서, 개폐 밸브(60)를 개방시켜 농도 센서(61)에 의해 계측시키는 타이밍은, 개폐 밸브(58)를 개방시켜 처리액을 배출시키고 있는 동안의 미리 정해진 타이밍(예컨대, 기판 액처리 공정의 개시 직후나 종료 직전)으로 함으로써, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 할 수 있다.
또한, 그 외의 실시형태로서, 예컨대, 배출하는 처리액 중의 실리콘 농도를 제2 처리액 배출부(54)에 설치한 농도 센서(61)에 의해 복수 회 계측한 값을 기초로, 기판 액처리 공정에 있어서, 복수의 계측값으로부터 실리콘 농도의 상승률을 구하고, 기판(8)을 처리하는 동안에 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과할 것으로 상정된다고 판단한 경우에는, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과하지 않도록 처리액을 배출하는 배출량 및 신규 처리액을 공급하는 공급량을 보정해도 좋다.
또한, 그 외의 실시형태로서, 농도 센서(61)에 처리액이 접액되는 시간(빈도)을 보다 한층 짧게(적게) 하기 위해서, 제2 처리액 배출부(54)에 설치한 농도 센서(61)에 처리액을 통과시키지 않는 동안에는, 처리액이 잔류하지 않도록, 예컨대, 농도 센서(61)에 불활성 가스 또는 순수를 공급하여, 처리액을 제거하도록 해도 좋다.
1: 기판 액처리 장치 7: 제어부
8: 기판 38: 처리액 저류부
39: 처리액 공급부 40: 처리액 순환부
41: 처리액 배출부 61: 농도 센서

Claims (18)

  1. 인산 수용액을 가열한 에칭액으로 기판을 에칭 처리하는 처리조와,
    상기 처리조에 인산 수용액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리조의 내부의 에칭액을 순환시키는 처리액 순환부와,
    상기 에칭액을 배출시키는 처리액 배출부와,
    상기 에칭액 중의 실리콘 농도를 계측하는 농도 센서와,
    상기 농도 센서가 접속되며, 상기 처리액 공급부와 처리액 순환부와 처리액 배출부를 제어하는 제어부
    를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 처리액 순환부에 의해 에칭액을 순환시키고, 미리 정해진 타이밍에서 상기 농도 센서로 실리콘 농도를 계측시키며, 상기 처리액 배출부로부터 에칭액을 배출시키고, 상기 처리액 공급부로부터 인산 수용액을 상기 처리조에 공급시키며, 그 이후, 더미 실리콘 웨이퍼를 상기 에칭액에 침지시키고 상기 처리액 순환부에서 상기 에칭액의 순환을 정지시켜 실리콘 농도를 미리 정해진 농도로 하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 농도 센서로 계측한 상기 에칭액의 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 될 때까지 상기 처리액 공급부로부터 인산 수용액을 공급시키고 상기 처리액 배출부로부터 상기 에칭액을 배출시키는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 처리액 배출부로부터의 에칭액의 배출량과 상기 처리액 공급부로부터의 인산 수용액의 공급량과 실리콘 농도의 관계를 미리 구해 두고, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 되도록 미리 정해진 양의 에칭액을 배출시키고 미리 정해진 양의 인산 수용액을 공급시키는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 농도 센서로 실리콘 농도를 복수 회 계측하여 실리콘 농도의 상승률을 구하고, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과한다고 판단한 경우에, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과하지 않도록 상기 에칭액의 배출량과 상기 인산 수용액의 공급량을 보정하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 아닌 경우에, 상기 처리조에의 상기 기판의 반입을 중단시키는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 처리액 공급부로부터 상기 에칭액보다 낮은 농도의 인산 수용액을 공급시키고, 히터로 가열하여 상기 에칭액으로 하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 처리액 순환부는, 펌프와 히터와 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 펌프는, 구동시킴으로써 처리액을 순환 유로를 따라 순환시키기 위해서 이용되는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 히터는 상기 처리액 순환부의 에칭액을 가열함으로써, 에칭액을 미리 정해진 온도로 유지하고, 상기 필터는 에칭액 중의 불순물을 여과하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 장치.
  11. 기판을 처리조에서 에칭 처리하는 에칭액을 처리액 순환부에 의해 순환하고, 미리 정해진 타이밍에서 농도 센서로 실리콘 농도를 계측하며, 처리액 배출부로부터 에칭액을 배출하고, 처리액 공급부로부터 인산 수용액을 상기 처리조에 공급하며, 상기 인산 수용액을 가열하고, 그 이후, 더미 실리콘 웨이퍼를 상기 에칭액에 침지시키고 상기 처리액 순환부에서 에칭액의 순환을 정지시켜 실리콘 농도를 미리 정해진 농도로 하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 농도 센서로 계측한 상기 에칭액의 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 될 때까지 상기 처리액 공급부로부터 인산 수용액을 공급하고 상기 처리액 배출부로부터 상기 에칭액을 배출하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 처리액 배출부로부터의 에칭액의 배출량과 상기 처리액 공급부로부터의 인산 수용액의 공급량과 실리콘 농도의 관계를 미리 구해 두고, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위가 되도록 미리 정해진 양의 에칭액을 배출하고 미리 정해진 양의 인산 수용액을 공급하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 농도 센서로 실리콘 농도를 복수 회 계측하여 실리콘 농도의 상승률을 구하고, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과한다고 판단한 경우에, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위를 초과하지 않도록 상기 에칭액의 배출량과 상기 인산 수용액의 공급량을 보정하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  15. 삭제
  16. 제11항에 있어서, 실리콘 농도가 미리 정해진 농도 범위 내가 아닌 경우에, 상기 처리조에의 상기 기판의 반입을 중단하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 처리액 공급부로부터 상기 에칭액보다 낮은 농도의 인산 수용액을 공급시키고, 히터로 가열하여 상기 에칭액으로 하는 것을 특징으로 하는 인산 수용액을 이용한 에칭 처리 제어 방법.
  18. 인산 수용액을 가열한 에칭액으로 기판을 에칭 처리하는 처리조와,
    상기 처리조에 인산 수용액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리조의 내부의 에칭액을 순환시키는 처리액 순환부와,
    상기 에칭액을 배출시키는 처리액 배출부와,
    상기 에칭액 중의 실리콘 농도를 계측하는 농도 센서
    를 갖는 에칭 처리 장치를 이용하여, 상기 기판을 인산 수용액으로 에칭 처리시키는 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 처리액 순환부에 의해 에칭액을 순환하고, 미리 정해진 타이밍에서 상기 농도 센서로 실리콘 농도를 계측하며, 상기 처리액 배출부로부터 에칭액을 배출하고, 상기 처리액 공급부로부터 인산 수용액을 상기 처리조에 공급하며, 그 이후, 더미 실리콘 웨이퍼를 상기 에칭액에 침지시키고 상기 처리액 순환부에서 상기 에칭액의 순환을 정지하여 실리콘 농도를 미리 정해진 농도로 하는 것을 특징으로 하는 기판을 인산 수용액으로 에칭 처리시키는 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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