JP7122140B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。
特許文献１には、回転する基板に対して処理液を供給し、基板の洗浄又はエッチング等の処理を行う装置が記載されている。このような装置では、タンクに貯留された処理液がポンプ等の送液機構を用いて基板に供給される。
特開２００６－２６９７４３号公報
タンクに貯留されている処理液は、定期的に新たな処理液に交換される（液交換が行われる）。ここで、例えば液交換タイミングとなった場合であっても、プロセスジョブが実施されている場合には、該プロセスジョブが終了するまでは液交換処理が実施されない。すなわち、通常、プロセスジョブが完了した後に液交換処理が実施される。液交換処理が実施されている間はプロセスジョブが実施不可となるため、プロセスジョブの完了後に液交換処理が実施されることにより、装置のダウンタイム（装置がプロセスジョブを実施することができない時間）が長くなってしまう。
そこで、本開示は、装置のダウンタイムを短縮することを目的とする。
本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、処理液により基板を処理する基板処理部と、処理液を貯留する貯留部と、貯留部内の処理液を基板処理部に供給する処理液供給部と、貯留部内の処理液を排出する排出部と、貯留部に処理液を補充する補充部と、制御部と、を備え、制御部は、処理液が基板処理部に供給されるように処理液供給部を制御すると共に、処理液によって基板が処理されるように基板処理部を制御してプロセスジョブを実施することと、プロセスジョブの実施中において所定の液交換実施条件が成立すると、貯留部内の処理液が排出されるように排出部を制御すると共に、貯留部内に新たな処理液が補充されるように補充部を制御し、液交換処理をプロセスジョブと並行して実施することと、を実行するように構成されている。
本開示の他の観点に係る基板処理方法は、処理液によって基板を処理するプロセスジョブを実施する第１工程と、プロセスジョブにおいて所定の液交換実施条件が成立した場合に、処理液を貯留する貯留部内の処理液を排出すると共に貯留部内に新たな処理液を補充する液交換処理を、プロセスジョブと並行して実施する第２工程と、を含む。
本開示によれば、装置のダウンタイムを短縮することができる。
図１は、基板処理システムを模式的に示す平面図である。 図２は、基板処理システムが含む基板処理装置の概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図４は、制御部の機能ブロックを示す図である。 図５は、プロセスジョブのタイムチャートの一例を示す図である。 図６は、液交換処理手順を説明するためのフローチャートである。 図７は、他の実施形態に係る液交換処理を説明するための図である。
以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、後述する制御装置４の制御部１８の制御に応じて、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
［基板処理装置の構成］
続いて、図２～図５を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。図２に示すように、基板処理装置１０は、処理液によりウェハＷを処理する（液処理を行う）複数の処理ユニット１６（基板処理部）と、処理ユニット１６に処理液を供給する供給機構７０と、これらを制御する制御装置４（図１及び図４参照。詳細は後述）と、を有している。
（供給機構）
供給機構７０は、第１供給機構７１と、第２供給機構７２とを有する。第１供給機構７１は、第１処理液を貯留するタンク１０２（第１貯留部）と、処理液供給部１０３と、排出部１１０と、補充部１１２と、を有している。第１処理液は、ウェハＷの液処理に用いられる処理液であり、例えばＤＨＦ（Diluted Hydrofluoric acid）である。処理液供給部１０３は、制御装置４の制御部１８の制御に応じてタンク１０２内の第１処理液を複数の処理ユニット１６に供給する。処理液供給部１０３は、タンク１０２から出てタンク１０２に戻る循環ライン１０４と、循環ライン１０４から各処理ユニット１６に向かって延びる分岐ライン１０５と、循環ライン１０４に設けられたポンプ１０６及びフィルタ１０８とを有する。分岐ライン１０５は、循環ライン１０４を流れる第１処理液を対応する処理ユニット１６に供給する。各分岐ライン１０５には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構及びフィルタ等を設けることができる。ポンプ１０６は、タンク１０２から出て循環ライン１０４を通りタンク１０２に戻る循環流を形成する。フィルタ１０８は、ポンプ１０６の下流側に設けられ、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。循環ライン１０４には、必要に応じて補機類（例えばヒータ等）がさらに設けられてもよい。
排出部１１０及び補充部１１２は、タンク１０２内の第１処理液の液交換を行うための構成である。排出部１１０は、制御部１８の制御に応じてタンク１０２内の第１処理液を排出（廃棄）する。排出部１１０は、例えば、タンク１０２につながったドレイン配管への第１処理液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブ（不図示）を含んで構成されている。補充部１１２は、制御部１８の制御に応じてタンク１０２に新たな第１処理液を補充する。補充部１１２は、例えば補充用処理液タンク（不図示）と、補充用処理液タンクから第１処理液を圧送するポンプ（不図示）と、タンク１０２につながった供給用配管への第１処理液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブ（不図示）とを含んで構成されている。
第２供給機構７２は、第２処理液を貯留するタンク２０２（第２貯留部）と、処理液供給部２０３と、排出部２１０と、補充部２１２と、を有している。第２処理液は、ウェハＷの液処理に用いられる処理液であり、例えばＳＣ１（Standard Clean 1）である。処理液供給部２０３は、制御部１８の制御に応じてタンク２０２内の第２処理液を複数の処理ユニット１６に供給する。処理液供給部２０３は、タンク２０２から出てタンク２０２に戻る循環ライン２０４と、循環ライン２０４から各処理ユニット１６に向かってのびる分岐ライン２０５と、循環ライン２０４に設けられたポンプ２０６及びフィルタ２０８とを有する。分岐ライン２０５は、循環ライン２０４を流れる第２処理液を対応する処理ユニット１６に供給する。各分岐ライン２０５には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構及びフィルタ等を設けることができる。ポンプ２０６は、タンク２０２から出て循環ライン２０４を通りタンク２０２に戻る循環流を形成する。フィルタ２０８は、ポンプ２０６の下流側に設けられ、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。循環ライン２０４には、必要に応じて補機類（例えばヒータ等）がさらに設けられてもよい。
排出部２１０及び補充部２１２は、タンク２０２内の第２処理液の液交換を行うための構成である。排出部２１０は、制御部１８の制御に応じてタンク２０２内の第２処理液を排出する。排出部２１０は、例えば、タンク２０２につながったドレイン配管への第２処理液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブ（不図示）を含んで構成されている。補充部２１２は、制御部１８の制御に応じてタンク２０２に新たな第２処理液を補充する。補充部２１２は、例えば補充用処理液タンク（不図示）と、補充用処理液タンクから第２処理液を圧送するポンプ（不図示）と、タンク２０２につながった供給用配管への第２処理液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブ（不図示）とを含んで構成されている。
なお、第１処理液としてＤＨＦを用い第２処理液としてＳＣ１を用いるとして説明したがこれに限定されず、処理液は、ＳＣ２、ＳＰＭ、ＢＨＦ又はＴＭＡＨ等を用いることができる。
（処理ユニット）
図３に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理液吐出部４０と、回収カップ５０と、供給路開閉機構６０とを有する。
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理液吐出部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを有する。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、制御部１８の制御に応じて支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
処理液吐出部４０は、供給機構７０から供給される処理液をウェハＷに対して供給する。処理液吐出部４０は、供給路開閉機構６０を介して供給機構７０に接続されている。処理液吐出部４０は、ウェハＷに対して処理液を吐出するノズル４１と、該ノズル４１を支持するアーム４２と、ノズル４１及びアーム４２それぞれの内部に延びる供給管４３と、を有する。アーム４２は、制御部１８の制御に応じて、例えば鉛直軸まわりに旋回可能に、且つ、鉛直軸に沿って昇降可能に設けられている。供給管４３は、供給路開閉機構６０の第２バルブ６４（後述）に接続されると共にノズル４１の吐出口にまで延びている。
供給路開閉機構６０は、各循環ライン１０４，２０４から分岐する分岐ライン１０５，２０５と処理液吐出部４０の供給管４３との間に設けられた供給管９０に設けられており、制御部１８の制御に応じて、供給管９０を流れる処理液を切り替える機構である。供給路開閉機構６０によって供給管９０を流れる処理液が切り替えられることにより、第１処理液又は第２処理液のいずれか一方が処理液吐出部４０に供給される。
供給路開閉機構６０は、供給管９０における分岐ライン１０５，２０５側を上流側、供給管４３側を下流側とした場合に、上流側から順に第１バルブ６１と、第２バルブ６４とを有する。第１バルブ６１は、第１系統弁６１ａと、第２系統弁６１ｂとを有する。第１系統弁６１ａは、第１処理液の循環ライン１０４から分岐する分岐ライン１０５に接続される。第２系統弁６１ｂは、第２処理液の循環ライン２０４から分岐する分岐ライン２０５に接続される。供給路開閉機構６０では、制御部１８の制御に応じて、第１系統弁６１ａ及び第２系統弁６１ｂのいずれか一方が供給管９０に接続される。第２バルブ６４は、処理液吐出部４０の供給管４３に接続されている。第２バルブ６４は、制御部１８の制御により開閉されることによって、供給管４３に対して供給管９０を開閉する。
（制御部）
制御部１８は、図４に示すように、機能モジュールとして、供給制御部８１と、基板処理制御部８２と、判定部８３と、排出制御部８４と、補充制御部８５とを含む。
供給制御部８１は、第１処理液が複数の処理ユニット１６に供給されるように処理液供給部１０３を制御すると共に、第２処理液が複数の処理ユニット１６に供給されるように処理液供給部２０３を制御する。具体的には、供給制御部８１は、タンク１０２の第１処理液が循環ライン１０４を介して、各処理ユニット１６に対応する分岐ライン１０５に流れるようにポンプ１０６等を制御する。また、供給制御部８１は、タンク２０２の第１処理液が循環ライン１０４を介して、各処理ユニット１６に対応する分岐ライン１０５に流れるようにポンプ２０６等を制御する。
基板処理制御部８２は、第１処理液によってウェハＷが処理されるように処理ユニット１６を制御すると共に、第２処理液によってウェハＷが処理されるように処理ユニット１６を制御することによって、プロセスジョブを実施する。プロセスジョブとは、共通の処理が施されるべき１枚又は複数のウェハＷに対して行われる処理である。基板処理制御部８２は、基板処理に係るレシピ情報（不図示）に基づいて、ウェハＷの基板処理に用いる一つの処理液（処理液吐出部４０に供給される処理液）を選択する。基板処理制御部８２は、選択した処理液が処理液吐出部４０に供給されるように、供給路開閉機構６０を制御する。第１処理液を選択する場合には、基板処理制御部８２は、処理液吐出部４０につながる供給管９０に第１処理液が流れるように、供給路開閉機構６０の第１系統弁６１ａを開く。第２処理液を選択する場合には、基板処理制御部８２は、処理液吐出部４０につながる供給管９０に第２処理液が流れるように、供給路開閉機構６０の第２系統弁６１ｂを開く。さらに、基板処理制御部８２は、供給管９０を流れる処理液が処理液吐出部４０の供給管４３に流れるように、供給路開閉機構６０の第２バルブ６４を開く。これにより、処理液が供給管９０から供給管４３に流れ、ノズル４１からウェハＷに向かって吐出される。
基板処理制御部８２は、保持部３１にウェハＷが保持された状態（ノズル４１からウェハＷに処理液が吐出される状態）において、保持部３１を保持する支柱部３２が回転するように駆動部３３を制御する。また、基板処理制御部８２は、アーム４２が例えば鉛直軸まわりに旋回し、且つ、鉛直軸に沿って昇降するように、アーム４２の駆動機構（不図示）を制御する。
判定部８３は、プロセスジョブの実施中において、所定の液交換実施条件が成立しているか否かを判定する。ここでの液交換とは、タンク１０２に貯留された第１処理液（又はタンク２０２に貯留された第２処理液）の液交換をいう。判定部８３は、タンク１０２（又はタンク２０２）に貯留された処理液の劣化状態に係る第１条件を満たし、且つ、プロセスジョブの実施状況に係る第２条件を満たす処理液について、上述した液交換実施条件が成立していると判定する。処理液の劣化状態に係る第１条件とは、タンク１０２（又はタンク２０２）に貯留された処理液について想定される劣化度合いに関する条件であり、例えば、前回液交換を行ってからの時間経過、予め設定された指定時刻の経過、又は処理ユニット１６における処理枚数の経過等の条件である。第１条件を満たすとは、処理液が液交換を行うべき状態になっている（処理液が劣化している）ことを意味している。
プロセスジョブの実施状況に係る第２条件とは、プロセスジョブの実施状況を考慮して液交換を行える状態であるか否かを示す条件である。判定部８３は、例えば、プロセスジョブにおける使用が終了している処理液（プロセスジョブにおいて以降の使用がないため液交換を行っても問題ない処理液）について、第２条件を満たしていると判定する。
図５は、プロセスジョブのタイムチャートの一例を示している。図５において、Ｓｐｉｎ１～Ｓｐｉｎ１０は１０個の処理ユニット１６を示しており、Ｗａｆｅｒ１～Ｗａｆｅｒ１０は１０個のウェハＷを示しており、Ｃｈｅｍｉ１は第１処理液を用いた基板処理を示しており、Ｃｈｅｍｉ２は第２処理液を用いた基板処理を示しており、ＤＩＷはリンス処理を示しており、ＳｐｉｎＤｒｙはスピンドライ処理を示している。なお、スピンドライ処理は、ウェハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換した後に行ってもよい。図５は、１０枚のウェハＷ（Ｗａｆｅｒ１～Ｗａｆｅｒ１０）に対して行われるプロセスジョブのタイムチャートを示している。Ｗａｆｅｒ１～Ｗａｆｅｒ１０は、それぞれＳｐｉｎ１～Ｓｐｉｎ１０において基板処理が行われる。各処理ユニット１６における処理は同様であり、第１処理液を用いた基板処理、リンス処理、第２処理液を用いた基板処理、リンス処理、スピンドライ処理の順番に処理が行われる。図５に示す例では、時刻ｔ１において、Ｗａｆｅｒ１に対する第１処理液を用いた基板処理が開始される。その後、順次、Ｗａｆｅｒ２～Ｗａｆｅｒ１０に対する第１処理液を用いた基板処理が行われる。そして、時刻ｔ２において、Ｗａｆｅｒ１０に対する第1処理液を用いた基板処理が終了している。図５に示すプロセスジョブでは、Ｗａｆｅｒ１０は、最後に第１処理液を用いた基板処理が行われるウェハＷである。このため、判定部８３は、例えばレシピ情報（不図示）を参照することにより、時刻ｔ２以降においては、第１処理液についてプロセスジョブにおける使用が終了している処理液であり第２条件を満たすと判定する。
また、判定部８３は、上述したように複数のウェハＷを処理単位としてプロセスジョブを実施する場合において、プロセスジョブの実施中に、複数のウェハＷのうち処理液によって最後に処理されるウェハＷの処理中に該処理を適切に行うことができないトラブルが発生した場合、当該処理液について第２条件を満たしていると判定してもよい。すなわち、上述した図５の例であれば、例えばＷａｆｅｒ１０（最後に処理されるウェハＷ）に対する第１処理液を用いた基板処理が行われている場合にトラブルが発生した場合には、Ｗａｆｅｒ１０に対する第１処理液を用いた基板処理が完了していなくても、第１処理液について第２条件を満たすと判定してもよい。なお、トラブルとは、プロセスジョブにおいてウェハＷに対する処理が適切に行えない全てのトラブルを含むものであり、例えば、配管詰まりなどによりノズル４１から適切に処理液が吐出されない場合、又は、モジュールを構成する機器の一部が適切に動かなかった場合等である。このようなトラブルが発生した場合には、アラームが発出され、トラブルに係るウェハＷについてはリンス処理が乾燥させられる。
排出制御部８４は、判定部８３によって液交換実施条件が成立していると判定された場合において、タンク１０２（又はタンク２０２）内の第１処理液（又は第２処理液）が排出されるように、排出部１１０（又は排出部２１０）を制御する。すなわち、排出制御部８４は、第１処理液の液交換実施条件が成立している場合において、タンク１０２内の第１処理液がドレイン配管に排出されるように、排出部１１０のバルブ（不図示）等を制御する。また、排出制御部８４は、第２処理液の液交換実施条件が成立している場合において、タンク２０２内の第２処理液がドレイン配管に排出されるように、排出部２１０のバルブ（不図示）等を制御する。
補充制御部８５は、排出制御部８４による処理液の排出処理が行われた後において、タンク１０２（又はタンク２０２）に新たな第１処理液（又は第２処理液）が補充されるように補充部１１２（又は補充部２１２）を制御する。すなわち、補充制御部８５は、タンク１０２に新たな第１処理液が補充されるように、補充部１１２のポンプ及びバルブ（不図示）等を制御する。また、補充制御部８５は、タンク２０２に新たな第２処理液が補充されるように、補充部２１２のポンプ及びバルブ（不図示）等を制御する。このように、制御部１８は、所定の液交換実施条件が成立する場合において、液交換処理をプロセスジョブと並行して実施する。
［液交換処理方法］
続いて、プロセスジョブと並行して実施される液交換処理の一例について、図６を参照して説明する。図６の処理が行われる前提として、各処理ユニット１６においてはプロセスジョブが実施されているとする。図６の処理は、複数種類の処理液がある場合、それぞれについて個別に行われるものである。ここでは、第１処理液の液交換処理について説明する。
まず、制御部１８は、判定対象の第１処理液について、第１条件を満たしているか否かを判定する（ステップＳ１）。第１条件は、例えば、前回液交換を行ってからの時間経過、予め設定された指定時刻の経過、又は処理ユニット１６における処理枚数の経過等の条件とされる。ステップＳ１において第１条件を満たしていないと判定された場合には、所定の時間経過後に再度ステップＳ１の処理（判定）が行われる。
一方、ステップＳ１において第１条件を満たしていると判定された場合には、制御部１８は、第１処理液について、第２条件を満たしているか否かを判定する（ステップＳ２）。第２条件は、例えば、プロセスジョブにおける使用が終了しているか等の条件とされる。なお、制御部１８は、複数のウェハＷを処理単位としてプロセスジョブを実施する場合において、プロセスジョブの実施中に、複数のウェハＷのうち第１処理液によって最後に処理されるウェハＷの処理中に該処理を適切に行うことができないトラブルが発生した場合、第１処理液について第２条件を満たしていると判定してもよい。ステップＳ２において第２条件を満たしていないと判定された場合には、所定の時間経過後に再度ステップＳ２の処理（判定）が行われる。
一方、ステップＳ２において第２条件を満たしていると判定された場合には、制御部１８は、所定の液交換実施条件が成立していると判定し、第１処理液について液交換処理を実施する。具体的には、制御部１８は、排出部１１０を制御することによりタンク１０２内の第１処理液をドレイン配管に排出すると共に、補充部１１２を制御することによりタンク１０２に第１処理液を補充する。
［作用］
上述したように、本実施形態に係る基板処理装置１０は、処理液によりウェハＷを処理する処理ユニット１６と、処理液を貯留するタンク１０２，２０２と、タンク１０２，２０２内の処理液を処理ユニット１６に供給する処理液供給部１０３，２０３と、タンク１０２，２０２内の処理液を排出する排出部１１０，２１０と、タンク１０２，２０２に処理液を補充する補充部１１２，２１２と、制御部１８と、を備え、制御部１８は、処理液が処理ユニット１６に供給されるように処理液供給部１０３，２０３を制御すると共に、処理液によってウェハＷが処理されるように処理ユニット１６を制御してプロセスジョブを実施することと、プロセスジョブの実施中において所定の液交換実施条件が成立すると、タンク１０２，２０２内の処理液が排出されるように排出部１１０，２１０を制御すると共に、タンク１０２，２０２内に新たな処理液が補充されるように補充部１１２，２１２を制御し、液交換処理をプロセスジョブと並行して実施することと、を実行するように構成されている。
一般的に、液交換が必要となった場合には、プロセスジョブが終了した後に液交換処理が実施される。液交換処理が実施されている間はプロセスジョブが実施不可となるため、液交換処理の影響によって装置のダウンタイム（装置がプロセスジョブを実施することができない時間）が長くなってしまう。この点、本実施形態に係る基板処理装置１０では、所定の液交換実施条件が成立した場合には、プロセスジョブと並行して液交換処理が実施される。このことにより、プロセスジョブが終了した後に液交換処理が実施される場合と比較して、装置のダウンタイムを短縮することができる。
また、基板処理装置１０では、制御部１８が、タンク１０２，２０２に貯留された処理液の劣化状態に係る第１条件を満たし、且つ、プロセスジョブの実施状況に係る第２条件を満たす処理液について、上述した液交換実施条件が成立していると判定する。処理液は、例えば貯留されてから所定時間が経過した場合など、劣化した場合に交換が必要となる。このため、処理液の劣化状態に係る条件（第１条件）を満たすことが液交換実施条件とされることにより、液交換を行うべき適切なタイミングで液交換処理を実施することができる。また、プロセスジョブの実施状況に係る条件（第２条件）を満たすことが液交換実施条件とされることにより、プロセスジョブの状況を考慮しながら、プロセスジョブ（処理液による基板処理）に影響を与えずに液交換処理を実施することができる。すなわち、上述した第１条件及び第２条件が液交換実施条件とされることにより、プロセスジョブを適切に行いながら装置のダウンタイムを短縮することができる。
また、基板処理装置１０では、制御部１８が、プロセスジョブにおける使用が終了している処理液について、第２条件を満たしていると判定する。これにより、プロセスジョブにおいてそれ以降に使用されることがなく液交換処理を行ってもプロセスジョブに影響しない処理液について、適切なタイミングで液交換処理を実施することができる。
また、基板処理装置１０では、制御部１８が、複数のウェハＷを処理単位としてプロセスジョブを実施し、プロセスジョブの実施中において、複数のウェハＷのうち処理液によって最後に処理されるウェハＷの処理中に該処理を適切に行うことができないトラブルが発生した場合、該処理液について第２条件を満たしていると判定する。通常、プロセスジョブの実施中において何らかのトラブルが発生した場合には、当該トラブルが解決された後（プロセスジョブが中止され復旧した後）に、液交換処理が実施されている。この点、本実施形態に係る基板処理装置１０では、処理液によって最後に処理されるウェハＷの処理中にトラブルが発生した場合には第２条件が満たされたと判定し、第１条件が満たされたことを条件に、プロセスジョブの実施中であっても液交換処理が実施される。最後のウェハＷの処理に用いられていた処理液はトラブルの有無に関わらず、仮に第１条件が満たされている場合には交換されるべき処理液である。このため、最後のウェハＷの処理中にトラブルが発生した場合には第２条件が満たされたと判定し、復旧を待たずに液交換処理を実施することにより（詳細には、第１条件が満たされたことを条件に、液交換処理を実施することにより）、ダウンタイムを短縮することができる。
［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、基板処理装置１０において、処理ユニット１６は、第１処理液と、該第１処理液とは異なる第２処理液とを処理液としてウェハＷを処理し、貯留部は、第１処理液を貯留するタンク１０２と、第２処理液を貯留するタンク２０２と、を有し、制御部１８は、第１処理液についての液交換実施条件の成立予定時間と、第２処理液についての液交換実施条件の成立予定時間との差異が所定時間内である場合に、タンク１０２における第１処理液の液交換処理と、タンク２０２における第２処理液の液交換処理とが並行して実施されるように、排出部１１０，２１０及び補充部１１２，２１２を制御してもよい。
図７は、上述した他の実施形態に係る液交換処理を説明するための図である。２種類の処理液（第１処理液及び第２処理液）が用いられる場合には、少なくともいずれか一方の液交換処理が行われている時間帯についてはプロセスジョブを実施することができずアイドル時間となる。このため、図７（ａ）に示すように、最初に第１処理液の液交換処理が開始され、その後、例えば第１処理液の液交換処理が完了する少し前に第２処理液の液交換処理が開始されるような場合には、第１処理液の液交換処理の開始から第２処理液の液交換処理の終了まで、継続してアイドル時間となり、プロセスジョブを実施することができない時間であるダウンタイムが長くなってしまう。この点、上述した他の実施形態に係る液交換処理では、図７（ｂ）に示すように、第１処理液の液交換処理と第２処理液の液交換処理とが並行して実施されている。この場合、制御部１８は、第１処理液についての液交換実施条件の成立予定時間と、第２処理液についての液交換実施条件の成立予定時間との差異が所定時間内であるか否かを判定し、所定時間内である場合に、第１処理液の液交換処理と、第２処理液の液交換処理とが並行して実施されるように、排出部１１０，２１０及び補充部１１２，２１２を制御する。このように、第１処理液の液交換実施条件の成立予定時間と第２処理液の液交換実施条件の成立予定時間との差異が所定時間内である場合に、双方の液交換処理を並行して実施する（後に予定されていた液交換処理を前倒しで実施する）ことにより、プロセスジョブを行うことができない時間（ダウンタイム）を短縮することができる。なお、双方の液交換処理を並行して実施するとは、双方の液交換処理の実施時間を完全に一致させて行うものでなくてもよく、いずれか一方の液交換処理の開始時間を早めて（前倒しして）、双方の液交換処理の実施時間の少なくとも一部が一致するものであればよい。
なお、制御部１８は、第１処理液及び第２処理液の少なくともいずれか一方の液交換処理時間（液交換処理に要する時間）を考慮して、双方の液交換処理を並行して実施するか（前倒し処理を行うか）否かを決定してもよい。また、制御部１８は、第１処理液及び第２処理液の少なくともいずれか一方の液交換処理時間を考慮して、前倒しで行う液交換処理の開始時間を決定してもよい。
１０…基板処理装置、１６…処理ユニット（基板処理部）、１８…制御部、１０２，２０２…タンク（貯留部）、１０３，２０３…処理液供給部、１１０，２１０…排出部、１１２，２１２…補充部、Ｗ…ウェハ。

Claims (7)

  1. 第１処理液、及び、該第１処理液とは異なる種類の第２処理液により基板を処理する複数の基板処理部と、
    前記第１処理液を貯留する第１貯留部、及び、前記第２処理液を貯留する第２貯留部を有する貯留部と、
    前記第１貯留部から供給される前記第１処理液と、前記第２貯留部から供給される前記第２処理液とを、バルブで切り替えて個別に前記基板処理部に供給する処理液供給部と、
    前記第１貯留部内の前記第１処理液、及び、前記第２貯留部内の前記第２処理液を排出する排出部と、
    前記第１貯留部に前記第１処理液を補充し、前記第２貯留部に前記第２処理液を補充する補充部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記第１処理液及び前記第２処理液が前記複数の基板処理部それぞれに供給されて基板処理が完了するまでの制御が実施されるように前記処理液供給部を制御すると共に、前記複数の基板処理部をそれぞれ制御して複数の基板に共通の処理を行うプロセスジョブを実施することと、
    前記プロセスジョブの処理中において、前記第１処理液及び前記第２処理液のうちの一方の処理液の供給が停止され、且つ、所定の液交換実施条件が成立すると、前記一方の処理液を貯留する貯留部内の前記一方の処理液が排出されるように前記排出部を制御すると共に、前記一方の処理液を貯留する貯留部内に新たな前記一方の処理液が補充されるように前記補充部を制御し、液交換処理を前記プロセスジョブと並行して実施することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記貯留部に貯留された前記処理液の劣化状態に係る第１条件を満たし、且つ、前記プロセスジョブの実施状況に係る第２条件を満たす前記処理液について、前記所定の液交換実施条件が成立していると判定する、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記プロセスジョブにおける使用が終了している前記処理液について、前記第２条件を満たしていると判定する、請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、
    複数の基板を処理単位として前記プロセスジョブを実施し、
    前記プロセスジョブの実施中において、前記複数の基板のうち前記処理液によって最後に処理される基板の処理中に該処理を適切に行うことができないトラブルが発生した場合、該処理液について前記第２条件を満たしていると判定する、請求項２又は３記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、
    前記第１処理液についての前記液交換実施条件の成立予定時間と、前記第２処理液についての前記液交換実施条件の成立予定時間との差異が所定時間内である場合に、前記第１貯留部における前記第１処理液の前記液交換処理と、前記第２貯留部における前記第２処理液の前記液交換処理とが並行して実施されるように、前記排出部及び前記補充部を制御する、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
  6. 第１処理液、及び、該第１処理液とは異なる種類の第２処理液によって複数の基板に共通の処理を行うプロセスジョブを実施する第１工程と、
    前記プロセスジョブにおいて、前記第１処理液及び前記第２処理液のうちの一方の処理液の供給が停止され、且つ、所定の液交換実施条件が成立した場合に、前記一方の処理液を貯留する貯留部内の前記一方の処理液を排出すると共に前記一方の処理液を貯留する貯留部内に新たな前記一方の処理液を補充する液交換処理を、前記プロセスジョブと並行して実施する第２工程と、を含む基板処理方法。
  7. 請求項６記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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