TW202121523A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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小佐井一樹
篠原和義
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種可防止在對基板處理部實行過洗淨處理之後液體處理的效能劣化的技術。為了達成上述目的，本發明一實施態樣之基板處理裝置，具備：基板處理部、排液部，以及控制部。基板處理部，從處理液體供給部將處理液供給到所載置的基板以實行液體處理。排液部，具有與貯存處理液的貯存部連接的回收管路，而將液體處理所使用的處理液排出。控制部，實行液體處理的處理配方，與對基板處理部以及排液部進行洗淨的洗淨配方。另外，控制部，在實行了從洗淨液體供給部供給洗淨液以對基板處理部以及排液部進行洗淨的洗淨動作之後，實行從處理液體供給部供給處理液以將附著於基板處理部以及排液部的洗淨液置換成處理液的復原動作，以作為洗淨配方。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明之實施態樣係關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。
以往，在枚葉式的基板處理部中用BHF(buffered hydrofluoric acid，緩衝氫氟酸)對半導體晶圓(以下亦稱為晶圓)等基板實行液體處理的技術，已為人所習知(參照專利文獻1)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2014－41994號公報
［發明所欲解決的問題］
本發明提供一種可防止在對基板處理部實行過洗淨處理之後液體處理的效能劣化的技術。 ［解決問題的手段］
本發明一實施態樣之基板處理裝置，具備：基板處理部、排液部，以及控制部。基板處理部，從處理液體供給部將處理液供給到所載置的基板以實行液體處理。排液部，具有與貯存該處理液的貯存部連接的回收管路，而將該液體處理所使用的該處理液排出。控制部，實行該液體處理的處理配方，與對該基板處理部與該排液部進行洗淨的洗淨配方。另外，該控制部，在實行了從洗淨液體供給部供給洗淨液以對該基板處理部與該排液部進行洗淨的洗淨動作之後，實行從該處理液體供給部供給該處理液以將附著於該基板處理部與該排液部的該洗淨液置換成該處理液的復原動作，以作為該洗淨配方。 ［發明的功效］
若根據本發明，便可防止在對基板處理部實行過洗淨處理之後液體處理的效能劣化。
以下，參照所附圖式，詳細說明本發明所揭示之基板處理裝置以及基板處理方法的實施態樣。另外，本發明並未因為以下所示之各實施態樣而受到限定。另外，吾人須留意，圖式係示意圖，各要件的尺寸關係、各要件的比例等，有時會與實際尺寸不同。再者，在各圖式彼此之間，有時也會包含相互尺寸關係或比例不同的部分。
以往，在枚葉式的基板處理部中用BHF(buffered hydrofluoric acid，緩衝氫氟酸)對半導體晶圓(以下亦稱為晶圓)等基板實行液體處理的技術，已為人所習知。另外，BHF，係HF(氫氟酸)與NH4 F(氟化銨)的混合液。
在該BHF的液體處理中，在液體處理時飛濺並附著於基板處理部的BHF會結晶化，故有時會發生該結晶形成微粒並附著於晶圓此等問題。因此，會用DIW(deionized water，去離子水)等洗淨液對結晶化的BHF定期地進行洗淨處理，以防止BHF所形成的微粒附著於晶圓。
另外，BHF為價格較為昂貴的藥劑，故有時會將在液體處理中使用過一次的BHF從排液部回收到貯存部，並將使用過的BHF再度使用於液體處理。
然而，洗淨液(DIW)會附著並殘留於經過洗淨處理後的基板處理部或排液部，故當將BHF與該DIW一起回收到貯存部時，BHF的濃度可能會降低。然後，當BHF的濃度降低時，BHF的液體處理效能可能會劣化。
因此，吾人期望有一種能夠克服上述的問題點而防止在對基板處理部實行過洗淨處理之後液體處理的效能劣化的技術。
＜基板處理系統的概要＞ 首先，一邊參照圖1，一邊針對實施態樣之基板處理系統1的概略構造進行說明。圖1，係表示實施態樣之基板處理系統1的概略構造的圖式。另外，基板處理系統1，係基板處理裝置的一例。以下，為了令位置關係明確，會限定出彼此正交的X軸、Y軸以及Z軸，並以Z軸正方向為垂直向上的方向。
如圖1所示的，基板處理系統1，具備搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3設置成互相鄰接。
搬入搬出站2，具備載體載置部11與搬運部12。將複數枚基板(在實施態樣中為半導體晶圓W，以下稱為晶圓W)以水平狀態收納的複數個載體C，載置於載體載置部11。
搬運部12，與載體載置部11鄰接設置，在其內部具備基板搬運裝置13與傳遞部14。基板搬運裝置13，具備保持晶圓W的晶圓保持機構。另外，基板搬運裝置13，可進行朝水平方向與垂直方向之移動，及以垂直軸為中心的旋轉，且用晶圓保持機構在載體C與傳遞部14之間搬運晶圓W。
處理站3，與搬運部12鄰接設置。處理站3，具備搬運部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，在搬運部15的兩側並排設置。
搬運部15，在其內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17，具備保持晶圓W的晶圓保持機構。另外，基板搬運裝置17，可進行朝水平方向與垂直方向之移動，及以垂直軸為中心的旋轉，且用晶圓保持機構在傳遞部14與處理單元16之間搬運晶圓W。
處理單元16，對基板搬運裝置17所搬運過來的晶圓W實行既定的基板處理。
另外，基板處理系統1，具備控制裝置4。控制裝置4，例如為電腦，具備控制部18與記憶部19。於記憶部19，儲存了控制基板處理系統1中所實行的各種處理的程式。控制部18，藉由讀取並執行記憶部19所記憶的程式，以控制基板處理系統1的動作。
另外，該等程式，記錄於電腦可讀取的記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝到控制裝置4的記憶部19。關於電腦可讀取的記錄媒體，例如為硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在以上述方式構成的基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2的基板搬運裝置13，從載置於載體載置部11的載體C將晶圓W取出，並將所取出的晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14的晶圓W，被處理站3的基板搬運裝置17從傳遞部14取出，並搬入處理單元16。
搬入處理單元16的晶圓W，由處理單元16進行處理，之後，被基板搬運裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。然後，載置於傳遞部14的處理完成的晶圓W，被基板搬運裝置13送回載體載置部11的載體C。
＜處理單元的構造＞ 接著，針對處理單元16的構造，一邊參照圖2一邊進行說明。圖2，係表示處理單元16的具體構造例的示意圖。如圖2所示的，處理單元16，具備：處理室20、基板處理部30、液體供給部40，以及排液部50。
處理室20，收納基板處理部30、液體供給部40以及排液部50的至少一部分。於處理室20的頂板部，設置了FFU(Fan Filter Unit，風扇過濾單元)21。FFU21，在處理室20內形成降流。
FFU21，透過閥門22與降流氣體供給源23連接。FFU21，將降流氣體供給源23所供給的降流氣體(例如乾燥空氣)噴吐到處理室20內。
基板處理部30，具備旋轉保持部31、支柱部32，以及驅動部33，對所載置的晶圓W實施液體處理。旋轉保持部31，大致設置在處理室20的中央。於旋轉保持部31的頂面，設置了從側面保持晶圓W的保持構件31a。晶圓W，被該保持構件31a以稍微離開旋轉保持部31的頂面的狀態保持水平。
支柱部32，係在垂直方向上延伸的構件，其基端部以可被驅動部33旋轉的方式受到支持，且在前端部以水平的方式支持旋轉保持部31。驅動部33，令支柱部32繞垂直軸旋轉。
該基板處理部30，用驅動部33令支柱部32旋轉，以令支柱部32所支持的旋轉保持部31旋轉，藉此，令旋轉保持部31所保持的晶圓W旋轉。
液體供給部40，包含第1液體供給部40a與第2液體供給部40b。第1液體供給部40a，對基板處理部30所保持的晶圓W供給各種處理液。該第1液體供給部40a，具備：噴嘴41a～41c、水平地支持噴嘴41a～41c的臂部42a，以及令臂部42a旋轉與升降的旋轉升降機構43a。
噴嘴41a～41c，係處理液體供給部的一例。從噴嘴41a，將具有第1氫氟酸濃度的第1BHF噴吐到晶圓W的表面。從噴嘴41b，將具有第2氫氟酸濃度的第2BHF噴吐到晶圓W的表面。
從噴嘴41c，將具有第3氫氟酸濃度的第3BHF噴吐到晶圓W的表面。第1～第3BHF，係處理液的一例。關於包含該等噴嘴41a～41c在內的基板處理系統1的配管構造，容後詳述之。
第2液體供給部40b，對基板處理部30所保持的晶圓W供給DIW。該第2液體供給部40b，具備：噴嘴41d、水平地支持噴嘴41d的臂部42b，以及令臂部42b旋轉與升降的旋轉升降機構43b。
從噴嘴41d，將透過圖中未顯示的DIW供給管路所供給的DIW，噴吐到晶圓W的表面。DIW，係洗淨液的一例；噴嘴41d，係洗淨液體供給部的一例。
於旋轉保持部31的周緣部，設置了與旋轉保持部31一起一體地旋轉的第1、第2旋轉杯34、35。如圖2所示的，第2旋轉杯35，配置在比第1旋轉杯34更內側之處。
該等第1旋轉杯34或第2旋轉杯35，整體形成環狀。第1、第2旋轉杯34、35，與旋轉保持部31一起旋轉，將從旋轉的晶圓W所飛濺的處理液引導至排液部50。
排液部50，從接近旋轉保持部31所保持、旋轉的晶圓W的旋轉中心的內側開始，依序具備：第1杯部50a、第2杯部50b、第3杯部50c，以及液霧阻擋部50e。另外，排液部50，更具備：底部53、內壁部54d、排液管路59a～59c，以及回收管路64a～64c(參照圖3)。
內壁部54d，配置在第1杯部50a的內周側，係以晶圓W的旋轉中心為中心的圓筒狀構件。第1～第3杯部50a～50c、液霧阻擋部50e以及內壁部54d，設置在排液部50的底部53之上。
第1杯部50a，具備第1周壁部54a與第1液體承接部55a。第1周壁部54a，從底部53直立設置，同時形成筒狀(例如圓筒狀)。在第1周壁部54a與內壁部54d之間形成了空間，該空間，為用以回收並排出處理液等的第1排液溝58a。第1液體承接部55a，設置在第1周壁部54a的頂面54a1的上方。
另外，第1杯部50a，以「具備第1升降機構56，第1液體承接部55a可藉由該第1升降機構56而升降」的方式構成。詳細而言，第1升降機構56，具備第1支持構件56a與第1升降驅動部56b。
第1支持構件56a，係複數支(例如3支，在圖2中僅揭示1支)的長方狀的構件。第1支持構件56a，以可移動的方式插通於形成在第1周壁部54a內的插通孔。另外，關於第1支持構件56a，例如可使用圓柱狀的桿棒，惟並非僅限於此。
第1支持構件56a，以上端從第1周壁部54a的頂面54a1露出的方式就定位，同時與第1液體承接部55a的底面連接而從下方支持第1液體承接部55a。另一方面，第1支持構件56a的下端，與第1升降驅動部56b連接。
第1升降驅動部56b，令第1支持構件56a例如在Z軸方向上升降，藉此，第1支持構件56a，令第1液體承接部55a相對於第1周壁部54a升降。另外，關於第1升降驅動部56b，可使用汽缸。另外，第1升降驅動部56b，由控制裝置4控制之。
第1升降驅動部56b所驅動的第1液體承接部55a，在「承接從旋轉的晶圓W所飛濺的處理液的處理位置」與「從處理位置往下方側退避的退避位置」之間移動。
詳細而言，當第1液體承接部55a位於處理位置時，在第1液體承接部55a的上端的內側形成了開口，而形成了從開口通到第1排液溝58a的流通路徑。
另一方面，如圖2所示的，內壁部54d，具備以向旋轉保持部31的周緣部傾斜的方式延伸設置的延伸設置部54d1。第1液體承接部55a，位於退避位置時，與內壁部54d的延伸設置部54d1抵接，上端內側的開口被關閉，通到第1排液溝58a的流通路徑被閉塞住。
第2杯部50b，與第1杯部50a為相同的構造。具體而言，第2杯部50b，具備第2周壁部54b、第2液體承接部55b，以及第2升降機構57，並在第1杯部50a的第1周壁部54a側相鄰地配置。
第2周壁部54b，在底部53於第1周壁部54a的外周側直立設置，並形成筒狀。然後，在第2周壁部54b與第1周壁部54a之間所形成的空間，為用以回收並排出處理液等的第2排液溝58b。
第2液體承接部55b，位於第1液體承接部55a的外周側，同時設置在第2周壁部54b的頂面54b1的上方。
第2升降機構57，具備第2支持構件57a與第2升降驅動部57b。第2支持構件57a，為複數支(例如3支，在圖2中僅揭示1支)的長方狀的構件，以可移動的方式插通於形成在第2周壁部54b內的插通孔。另外，關於第2支持構件57a，例如可使用圓柱狀的桿棒，惟不限於此。
第2支持構件57a，以上端從第2周壁部54b的頂面54b1露出的方式就定位，同時與第2液體承接部55b的底面連接，以從下方支持第2液體承接部55b。另外，第2周壁部54b的頂面54b1，位於相對於第1周壁部54a的頂面54a1在垂直方向上的下方之處。
第2支持構件57a的下端，與第2升降驅動部57b連接。第2升降驅動部57b，令第2支持構件57a例如在Z軸方向上升降。藉此，第2支持構件57a，令第2液體承接部55b相對於第2周壁部54b升降。
另外，關於第2升降驅動部57b，可使用汽缸。另外，第2升降驅動部57b，亦由控制裝置4控制之。
然後，第2液體承接部55b亦在處理位置與退避位置之間移動。詳細而言，當第2液體承接部55b位於處理位置且第1液體承接部55a位於退避位置時，會在第2液體承接部55b的上端的內側形成開口，而形成從開口通到第2排液溝58b的流通路徑。
另一方面，如圖2所示的，第2液體承接部55b，當位於退避位置時，與第1液體承接部55a抵接，上端內側的開口被關閉，通到第2排液溝58b的流通路徑被閉塞住。另外，在上述中，退避位置的第2液體承接部55b，係與第1液體承接部55a抵接，惟不限於此，例如亦可與內壁部54d抵接而將上端內側的開口關閉。
第3杯部50c，具備第3周壁部54c與第3液體承接部55c，相對於第2杯部50b在第1杯部50a的相反側相鄰地配置。第3周壁部54c，在底部53於第2周壁部54b的外周側直立設置，並形成筒狀。然後，第3周壁部54c與第2周壁部54b之間的空間，為用以回收並排出處理液等的第3排液溝58c。
第3液體承接部55c，從第3周壁部54c的上端連續地形成。第3液體承接部55c，以包圍旋轉保持部31所保持的晶圓W的周圍，同時延伸到第1液體承接部55a或第2液體承接部55b的上方的方式形成。
第3液體承接部55c，如圖2所示的，當第1、第2液體承接部55a、55b均位於退避位置時，會在第3液體承接部55c的上端的內側形成開口，而形成從開口通到第3排液溝58c的流通路徑。
另一方面，第3液體承接部55c，在第2液體承接部55b位於上升位置的情況下，或者在第1液體承接部55a與第2液體承接部55b雙方均位於上升位置的情況下，會與第2液體承接部55b抵接，上端內側的開口被關閉，通到第3排液溝58c的流通路徑被閉塞住。
於對應上述第1～第3杯部50a～50c的底部53，(正確而言，係於對應第1～第3排液溝58a～58c的底部53)，排液口51a～51c，各自沿著排液部50的圓周方向隔著間隔形成。
排液口51a，與排液管路59a連接；排液口51b，與排液管路59b連接；排液口51c，與排液管路59c連接。關於包含該等排液管路59a～59c在內的基板處理系統1的配管構造，容後詳述之。
然後，基板處理系統1，在實行基板處理時，對應基板處理中的各處理所使用的處理液的種類等，令第1杯部50a的第1液體承接部55a或第2杯部50b的第2液體承接部55b升降，而實行排液口51a～51c的切換。
例如，在將第1BHF噴吐到晶圓W以對晶圓W進行處理時，控制裝置4，令第1杯部50a以及第2杯部50b上升。亦即，控制裝置4，透過第1、第2升降驅動部56b、57b令第1、第2支持構件56a、57a上升，而令第1液體承接部55a上升到處理位置，以形成從第1液體承接部55a的上端內側的開口通到第1排液溝58a的流通路徑。
藉此，對晶圓W所供給的第1BHF，便流入第1排液溝58a。
另外，例如，在將第2BHF噴吐到晶圓W以對晶圓W進行處理時，控制裝置4，令第2杯部50b上升。亦即，控制裝置4，透過第2升降驅動部57b令第2支持構件57a上升，而令第2液體承接部55b上升到處理位置，以形成從第2液體承接部55b的上端內側的開口通到第2排液溝58b的流通路徑。
另外，在此第1杯部50a會下降。藉此，對晶圓W所供給的第2BHF，便流入第2排液溝58b。
另外，例如，在將第3BHF噴吐到晶圓W以對晶圓W進行處理時，控制裝置4，令第1、第2杯部50a、50b下降(參照圖2)。亦即，控制裝置4，透過第1、第2升降驅動部56b、57b令第1、第2支持構件56a、57a下降，而令第1、第2液體承接部55a、55b下降到退避位置。
藉此方式，形成從第3液體承接部55c的上端內側的開口通到第3排液溝58c的流通路徑。藉此，對晶圓W所供給的第3BHF，便流入第3排液溝58c。
液霧阻擋部50e，具有：外周筒部50e1，以及從該外周筒部50e1的上端部向外周筒部50e1的(半徑方向)內側延伸並伸出到第3杯部50c的上方的伸出部50e2。液霧阻擋部50e，以可藉由圖中未顯示的升降機構而升降的方式構成。
控制部18(參照圖1)，藉由將液霧阻擋部50e配置在較高的位置，便可防止從旋轉的晶圓W飛濺的處理液的液霧到達處理室20的側壁。
於排液部50的底部53、第1周壁部54a以及第2周壁部54b，分別形成了排氣口52a、52b、52c。另外，排氣口52a、52b、52c，與1支排氣管60連接，並於該排氣管60插設了閥門61。然後，經由排氣口52a、52b、52c以及排氣管60將處理室20內的氣體環境排出。
＜基板處理系統的配管構造＞ 接著，針對基板處理系統1的配管構造，一邊參照圖3以及圖4一邊進行說明。圖3，係表示實施態樣之基板處理系統1的配管構造的示意圖。
如圖3所示的，與處理單元16的排液口51a(參照圖2)連接的排液管路59a，透過濃度感測器62a與切換閥63a連接。濃度感測器62a，可檢出流到排液管路59a的排液中的氫氟酸濃度。
切換閥63a，與排洩部DR以及回收管路64a連接。該切換閥63a，以「可將與排液管路59a連接的配管切換到排洩部DR或回收管路64a」的方式構成。然後，控制部18(參照圖1)，藉由控制切換閥63a，便可將流到排液管路59a的排液的排出路徑切換到排洩部DR或回收管路64a。
另外，回收管路64a，與貯存第1BHF的貯存部70a連接。亦即，控制部18，藉由控制切換閥63a而令排液管路59a與回收管路64a流通，便可將處理單元16所使用的第1BHF回收到貯存部70a。
然後，貯存部70a與供給管路44a連接；該供給管路44a，透過閥門45a以及流量調整器46a與噴嘴41a連接。藉此，控制部18，便可將貯存部70a所貯存的第1BHF從噴嘴41a噴吐到晶圓W。另外，關於貯存部70a的詳細構造，容後詳述之。
另外，在處理室20內的噴嘴41a的待機位置的下方，設置了待機部65a。待機部65a，在實行以排除噴嘴41a所連接的各流通管路內的氣泡或異物等為目的之模擬配液處理時，承接噴嘴41a所噴吐的第1BHF，並將所承接的第1BHF排出到排液管路59a中的濃度感測器62a的上游側。亦即，待機部65a的排液管路，與排液管路59a連接。
另外，與處理單元16的排液口51b(參照圖2)連接的排液管路59b，透過濃度感測器62b與切換閥63b連接。濃度感測器62b，可檢出流到排液管路59b的排液中的氫氟酸濃度。
切換閥63b，與排洩部DR以及回收管路64b連接。該切換閥63b，以「可將與排液管路59b連接的配管切換到排洩部DR或回收管路64b」的方式構成。然後，控制部18，藉由控制切換閥63b，便可將流到排液管路59b的排液的排出路徑切換到排洩部DR或回收管路64b。
另外，回收管路64b，與貯存第2BHF的貯存部70b連接。亦即，控制部18，藉由控制切換閥63b而令排液管路59b與回收管路64b流通，便可將處理單元16所使用的第2BHF回收到貯存部70b。
然後，貯存部70b與供給管路44b連接；該供給管路44b，透過閥門45b以及流量調整器46b與噴嘴41b連接。藉此，控制部18，便可將貯存部70b所貯存的第2BHF從噴嘴41b噴吐到晶圓W。
另外，在處理室20內的噴嘴41b的待機位置的下方，設置了待機部65b。待機部65b，在實行以排除噴嘴41b所連接的各流通管路內的氣泡或異物等為目的之模擬配液處理時，承接噴嘴41b所噴吐的第2BHF，並將所承接的第2BHF排出到排液管路59b中的濃度感測器62b的上游側。亦即，待機部65b的排液管路，與排液管路59b連接。
再者，與處理單元16的排液口51c(參照圖2)連接的排液管路59c，透過濃度感測器62c與切換閥63c連接。濃度感測器62c，可檢出流到排液管路59c的排液中的氫氟酸濃度。
切換閥63c，與排洩部DR以及回收管路64c連接。該切換閥63c，以「可將與排液管路59c連接的配管切換到排洩部DR或回收管路64c」的方式構成。然後，控制部18，藉由控制切換閥63c，便可將流到排液管路59c的排液的排出路徑切換到排洩部DR或回收管路64c。
另外，回收管路64c，與貯存第3BHF的貯存部70c連接。亦即，控制部18，藉由控制切換閥63c而令排液管路59c與回收管路64c流通，便可將處理單元16所使用的第3BHF回收到貯存部70c。
然後，貯存部70c與供給管路44c連接；該供給管路44c，透過閥門45c以及流量調整器46c與噴嘴41c連接。藉此，控制部18，便可將貯存部70c所貯存的第3BHF從噴嘴41c噴吐到晶圓W。
另外，在處理室20內的噴嘴41c的待機位置的下方，設置了待機部65c。待機部65c，在實行以排除噴嘴41c所連接的各流通管路內的氣泡或異物等為目的之模擬配液處理時，承接噴嘴41c所噴吐的第3BHF，並將所承接的第3BHF排出到排液管路59c中的濃度感測器62c的上游側。亦即，待機部65c的排液管路，與排液管路59c連接。
圖4，係表示實施態樣之貯存部70a的配管構造的示意圖。另外，貯存部70b以及貯存部70c的配管構造，與以下所說明的貯存部70a的配管構造相同，故關於貯存部70b以及貯存部70c的配管構造，其說明省略。
貯存部70a，具有：BHF供給管路71a、液槽74a，以及循環管路75a。BHF供給管路71a，將未使用的第1BHF供給到液槽74a。
BHF供給管路71a，從上游側開始依序具有BHF供給源72a、閥門73a。BHF供給源72a，例如，係貯存未使用的第1BHF的液槽。
液槽74a，貯存BHF供給管路71a所供給的第1BHF。另外，液槽74a，貯存經由排液管路59a以及回收管路64a回收的已使用的第1BHF。
循環管路75a，係從液槽74a出來並回到該液槽74a的循環管路。於循環管路75a，以液槽74a為基準，從上游側開始，依序設置了：泵76a、過濾器77a、加熱器78a、閥門79a、切換閥80a、濃度感測器81a，以及切換閥82a。
泵76a，形成從液槽74a流出，通過循環管路75a，並回到液槽74a的第1BHF的循環流。過濾器77a，將在循環管路75a內循環的第1BHF所含有的微粒等污染物質除去。
加熱器78a，令循環管路75a內所循環的第1BHF升溫。濃度感測器81a，可檢出流過循環管路75a的第1BHF中的氫氟酸濃度。
另外，切換閥80a的上游側與DIW供給源83a連接，同時切換閥82a的下游側與排洩部DR連接。然後，控制部18(參照圖1)，藉由以DIW供給源83a透過濃度感測器81a與排洩部DR連接的方式控制切換閥80a、82a，便可用DIW將濃度感測器81a的內部洗淨。
因此，若根據實施態樣，藉由用DIW洗淨濃度感測器81a的內部，便可校正濃度感測器81a。
另外，液槽74a，透過閥門84a與排洩部DR連接；循環管路75a，透過閥門85a與排洩部DR連接。藉此，控制部18，便可在更換液槽74a內或循環管路75a內的第1BHF時，控制閥門84a、85a，將液槽74a內或循環管路75a內的第1BHF排出到排洩部DR。
另外，從循環管路75a中的加熱器78a與閥門79a之間，分支出供給管路44a。該供給管路44a，插設在循環管路75a與噴嘴41a(參照圖3)之間，將在循環管路75a中經過過濾處理以及溫度調節處理的第1BHF供給到處理單元16。
＜基板處理＞ 接著，針對實施態樣之基板處理系統1中的各處理的詳細內容，一邊參照圖5～圖7一邊進行說明。圖5，係用以說明實施態樣之基板處理系統1中的處理流程的圖式。
如圖5所示的，實施態樣之基板處理系統1，在處理單元16中，對晶圓W，使用了第1～第3BHF其中任一種的液體處理，以對應所使用的BHF的處理配方S1，連續地實行之。
另外，實施態樣之處理配方S1，包含晶圓W的處理順序以及處理液的種類，並預先記憶於記憶部19(參照圖1)。亦即，實施態樣之處理配方S1，對應不同種類的BHF準備了複數個。藉此，便可在處理單元16實施針對不同種類的BHF分別最佳化的液體處理。
另外，在圖5的例子中，在作為對象的洗淨配方S2之前實施的液體處理的處理配方S1為處理配方S1a，在作為對象的洗淨配方S2之後實施的液體處理的處理配方S1為處理配方S1b。
然後，基板處理系統1，在處理單元16中，在重複實行的處理配方S1的空檔期間，實行洗淨配方S2。該洗淨配方S2，包含洗淨動作S3與復原動作S4。
洗淨動作S3，從洗淨液體供給部(例如噴嘴41d)供給作為洗淨液的DIW，將基板處理部30以及排液部50洗淨。藉此，便可將在直到實行該洗淨動作S3為止的處理配方S1a中附著於基板處理部30以及排液部50的BHF所導致的結晶除去。
復原動作S4，例如，從處理液體供給部(例如噴嘴41a～41c)，供給下一處理配方S1b所使用的BHF(以下亦稱為「下一步驟的BHF」)，將附著於基板處理部30以及排液部50的DIW置換成下一步驟的BHF。
亦即，實施態樣，在復原動作S4中，將在洗淨動作S3之後殘留於基板處理部30或排液部50的DIW，用下一步驟的BHF預先洗去。藉此，便可防止在洗淨動作S3之後殘留於基板處理部30或排液部50的DIW被回收到貯存部70a～70c。
因此，若根據實施態樣，在之後的處理配方S1b中，即使一邊回收下一步驟的BHF一邊進行液體處理，仍可防止所回收之BHF的濃度降低，故可防止液體處理的效能劣化。
另外，在實施態樣中，控制部18，可根據處理配方S1選擇洗淨配方S2。例如，控制部18，可根據處理配方S1所使用之BHF的種類選擇洗淨配方S2。
接著，針對該洗淨動作S3以及復原動作S4的詳細內容，一邊參照圖6A～圖6G一邊進行說明。圖6A～圖6G，係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其1～其7)。
如圖6A所示的，洗淨動作S3，例如，係對旋轉保持部31、保持構件31a、第1旋轉杯34以及第2旋轉杯35進行洗淨的處理。此時，例如，在令旋轉保持部31旋轉的狀態下，一邊令噴嘴41d在旋轉保持部31的中心部與外周部之間往返，一邊從噴嘴41d供給DIW。
藉此，便可將附著於旋轉保持部31、配置於旋轉保持部31的外周部的保持構件31a、第1旋轉杯34以及第2旋轉杯35的結晶除去。
同樣地，復原動作S4，例如，係對旋轉保持部31、保持構件31a、第1旋轉杯34以及第2旋轉杯35用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，例如，在令旋轉保持部31旋轉的狀態下，一邊令噴嘴41a～41c(參照圖2)其中任一個在旋轉保持部31的中心部與外周部之間往返，一邊從該噴嘴供給下一步驟的BHF。
藉此，便可將附著於旋轉保持部31、配置於旋轉保持部31的外周部的保持構件31a、第1旋轉杯34以及第2旋轉杯35的DIW，用下一步驟的BHF置換之。
另外，如圖6B所示的，洗淨動作S3，例如，係對第1～第3排液溝58a～58c進行洗淨的處理。此時，處理單元16，具備對第1排液溝58a供給作為洗淨液的DIW的洗淨液體供給部100。
洗淨液體供給部100，具備：洗淨液供給管路100a、DIW供給源100b、閥門100c，以及流量調整器100d。洗淨液供給管路100a，一端與DIW供給源100b連接，另一端與第1杯部50a的排液口51a連接。閥門100c以及流量調整器100d，設置於洗淨液供給管路100a，並由控制裝置4控制之。
在圖6B所示的洗淨動作S3中，藉由開放閥門100c並經過既定時間，以對第1排液溝58a供給DIW。藉此，DIW貯存於第1排液溝58a，貯存於第1排液溝58a的DIW越過第1周壁部54a的頂面54a1，溢流到第2排液溝58b，藉此DIW貯存於第2排液溝58b。
然後，貯存於第2排液溝58b的DIW越過第2周壁部54b的頂面54b1，溢流到第3排液溝58c，藉此DIW亦貯存於第3排液溝58c。
之後，從各排液口51a～51c將DIW排出。藉此，便可將附著於第1～第3排液溝58a～58c的結晶除去。
同樣地，復原動作S4，例如，係對第1～第3排液溝58a～58c用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，處理單元16，具備對第1排液溝58a供給下一步驟的BHF的處理液體供給部101。
處理液體供給部101，具備：處理液供給管路101a、切換閥101b，以及流量調整器101c。處理液供給管路101a，一端透過切換閥101b分別與貯存部70a～70c連接，另一端與第1杯部50a的排液口51a連接。切換閥101b以及流量調整器101c，設置於處理液供給管路101a，並由控制裝置4控制之。
在圖6B所示的復原動作S4中，控制切換閥101b，將貯存了下一步驟的BHF的貯存部70a～70c其中任一個與第1排液溝58a連接，以將下一步驟的BHF供給到第1排液溝58a。
藉此，下一步驟的BHF貯存於第1排液溝58a，貯存於第1排液溝58a的下一步驟的BHF越過第1周壁部54a的頂面54a1，溢流到第2排液溝58b，藉此下一步驟的BHF貯存於第2排液溝58b。
再者，貯存於第2排液溝58b的下一步驟的BHF越過第2周壁部54b的頂面54b1，溢流到第3排液溝58c，藉此下一步驟的BHF亦貯存於第3排液溝58c。
之後，從各排液口51a～51c將下一步驟的BHF排出。藉此，便可將附著於第1～第3排液溝58a～58c的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，如圖6C所示的，在處理室20的內部，有時會在第3杯部50c(參照圖2)與液霧阻擋部50e之間配置排氣杯50d。排氣杯50d，具備：外周筒部50d1，以及從外周筒部50d1的上端部往外周筒部50d1的半徑方向內側伸出的伸出部50d2。另外，排氣杯50d不移動。
在該等情況下，洗淨動作S3，例如，係對液霧阻擋部50e的伸出部50e2的底面與排氣杯50d的伸出部50d2的頂面進行洗淨的處理。此時，處理單元16，例如，具備對液霧阻擋部50e的伸出部50e2的底面供給洗淨液的洗淨液體供給部110。
洗淨液體供給部110，具備：洗淨液供給管路110a、DIW供給源110b、閥門110c，以及流量調整器110d。洗淨液供給管路110a，一端與DIW供給源110b連接，另一端與設置於排氣杯50d的伸出部50d2的頂面的噴嘴41e連接。閥門110c以及流量調整器110d，設置於洗淨液供給管路110a，並由控制裝置4控制之。
在圖6C所示的洗淨動作S3中，藉由從噴嘴41e供給DIW，而將DIW貯存於液霧阻擋部50e的伸出部50e2與排氣杯50d的伸出部50d2之間的空間。之後，從圖中未顯示的排液路徑將DIW排出。藉此，便可將附著於液霧阻擋部50e的伸出部50e2的底面與排氣杯50d的伸出部50d2的頂面的結晶除去。
同樣地，復原動作S4，例如，係對液霧阻擋部50e的伸出部50e2的底面與排氣杯50d的伸出部50d2的頂面用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，處理單元16，具備對噴嘴41e供給下一步驟的BHF的處理液體供給部111。
處理液體供給部111，具備：處理液供給管路111a、切換閥111b，以及流量調整器111c。處理液供給管路111a，一端透過切換閥111b分別與貯存部70a～70c連接，另一端與噴嘴41e連接。切換閥111b以及流量調整器111c，設置於處理液供給管路111a，並由控制裝置4控制之。
在圖6C所示的復原動作S4中，控制切換閥111b，將貯存了下一步驟的BHF的貯存部70a～70c其中任一個與噴嘴41e連接，以將下一步驟的BHF供給到噴嘴41e。
藉此，將下一步驟的BHF貯存於液霧阻擋部50e的伸出部50e2與排氣杯50d的伸出部50d2之間的空間。之後，從圖中未顯示的排液路徑將下一步驟的BHF排出。藉此，便可將附著於液霧阻擋部50e的伸出部50e2的底面與排氣杯50d的伸出部50d2的頂面的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，如圖6D所示的，洗淨動作S3，例如，係對基板處理部30的旋轉保持部31的底面進行洗淨的處理。此時，處理單元16，具備對旋轉保持部31的底面供給洗淨液的洗淨液體供給部120。
洗淨液體供給部120，具備噴嘴41f。噴嘴41f，例如，設置在內壁部54d的上端部。另外，洗淨液體供給部120，具備：洗淨液供給管路120a、DIW供給源120b、閥門120c，以及流量調整器120d。
洗淨液供給管路120a，一端與DIW供給源120b連接，另一端與噴嘴41f連接。閥門120c以及流量調整器120d，設置於洗淨液供給管路120a，並由控制裝置4控制之。
在圖6D所示的洗淨動作S3中，對旋轉的旋轉保持部31的底面從噴嘴41f供給DIW。藉此，便可將附著於旋轉保持部31的底面的結晶除去。
同樣地，復原動作S4，例如，係對基板處理部30的旋轉保持部31的底面用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，處理單元16，具備對噴嘴41f供給下一步驟的BHF的處理液體供給部121。
處理液體供給部121，具備：處理液供給管路121a、切換閥121b，以及流量調整器121c。處理液供給管路121a，一端透過切換閥121b分別與貯存部70a～70c連接，另一端與噴嘴41f連接。切換閥121b以及流量調整器121c，設置於處理液供給管路121a，並由控制裝置4控制之。
在圖6D所示的復原動作S4中，控制切換閥121b，將貯存了下一步驟的BHF的貯存部70a～70c其中任一個與噴嘴41f連接，以將下一步驟的BHF供給到噴嘴41f。然後，藉由對旋轉的旋轉保持部31的底面從噴嘴41f供給下一步驟的BHF，便可將附著於旋轉保持部31的底面的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，如圖6E所示的，洗淨動作S3，例如，係對設置在處理室20內的待機部65a～65c進行洗淨的處理。此時，處理單元16，具備對待機部65a～65c供給洗淨液的洗淨液體供給部130。另外，在之後的內容中，為了容易理解，會針對對圖6E所揭示的待機部65a實行的各動作進行說明。
洗淨液體供給部130，具備：洗淨液供給管路130a、DIW供給源130b、閥門130c，以及流量調整器130d。洗淨液供給管路130a，一端與DIW供給源130b連接，另一端與待機部65a連接。閥門130c以及流量調整器130d，設置於洗淨液供給管路130a，並由控制裝置4控制之。
在圖6E所示的洗淨動作S3中，在將DIW貯存於待機部65a並經過既定時間之後，從待機部65a將DIW排出到排液管路59a(參照圖3)。藉此，便可將附著於待機部65a的結晶除去。
同樣地，復原動作S4，例如，係對設置在處理室20內的待機部65a用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，處理單元16，具備對待機部65a供給下一步驟的BHF的處理液體供給部131。
處理液體供給部131，具備：處理液供給管路131a、閥門131b，以及流量調整器131c。處理液供給管路131a，一端透過閥門131b與對應的貯存部70a連接，另一端與待機部65a連接。閥門131b以及流量調整器131c，設置於處理液供給管路131a，並由控制裝置4控制之。
在圖6E所示的復原動作S4中，控制閥門131b，將貯存了下一步驟的BHF的貯存部70a與待機部65a連接，以將下一步驟的BHF供給到待機部65a。
然後，在將下一步驟的BHF貯存於待機部65a並經過既定時間之後，從待機部65a將下一步驟的BHF排出到排液管路59a。藉此，便可將附著於待機部65a的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，如圖6F所示的，有時會在處理室20的內部，配置對晶圓W的背面噴吐處理液等的背面噴嘴47。背面噴嘴47，為背面供給部的一例。背面噴嘴47，以面向保持構件31a所保持的晶圓W的背面的方式設置，而往向上的方向噴吐處理液等。
背面噴嘴47，具有：噴吐作為處理液的第1～第3BHF的處理液噴吐口47a，以及噴吐作為洗淨液的DIW的洗淨液噴吐口47b。該背面噴嘴47設置於處理單元16，藉此，除了晶圓W的表面之外，晶圓W的背面亦可用BHF進行液體處理。
圖6F(a)所示的洗淨動作S3，例如，係在晶圓W並未被保持於保持構件31a的狀態下，一邊令噴嘴41d在背面噴嘴47的中心部與外周部之間往返，一邊從噴嘴41d供給DIW。藉此，便可將附著於背面噴嘴47的結晶除去。
同樣地，圖6F(b)所示的復原動作S4，例如，係對背面噴嘴47用下一步驟的BHF進行預洗的處理。此時，例如，在晶圓W並未被保持於保持構件31a的狀態下，一邊令噴嘴41a～41c其中任一個(在圖中為噴嘴41a)在背面噴嘴47的中心部與外周部之間往返，一邊從該噴嘴供給下一步驟的BHF。藉此，便可將附著於背面噴嘴47的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，背面噴嘴47的洗淨動作S3以及復原動作S4，不限於圖6F所示的例子。例如，亦可如圖6G(a)所示的，從洗淨液噴吐口47b噴吐作為洗淨液的DIW，令該DIW在背面噴嘴47上溢流，以實行背面噴嘴47的洗淨動作S3。藉此，便可將附著於背面噴嘴47的結晶除去。
然後，亦可如圖6G(b)所示的，從處理液噴吐口47a噴吐下一步驟的BHF，令該下一步驟的BHF在背面噴嘴47上溢流，以實行背面噴嘴47的復原動作S4。藉此，便可將附著於背面噴嘴47的DIW用下一步驟的BHF置換之。
另外，亦可實行將圖6F所示的洗淨動作S3以及復原動作S4與圖6G所示的洗淨動作S3以及復原動作S4組合的洗淨配方S2。例如，亦可在從噴嘴41d供給DIW以實行洗淨動作S3之後，從背面噴嘴47的處理液噴吐口47a噴吐下一步驟的BHF以實行復原動作S4。
同樣地，亦可在從背面噴嘴47的洗淨液噴吐口47b噴吐DIW以實行洗淨動作S3之後，從噴嘴41a～41c其中任一個供給下一步驟的BHF以實行復原動作S4。
另外，在到此為止所說明的各部位的洗淨動作S3以及復原動作S4中，控制部18，可控制切換閥63a～63c(參照圖3)，將流到排液管路59a～59c的排液從排洩部DR排出到外部。
圖7，係表示實施態樣之復原動作S4的時間與其後的處理配方S1b的蝕刻率的變化量的關係的圖式。另外，於圖7，針對對待機部65a～65c(參照圖6E)的復原動作S4，與對第1～第3排液溝58a～58c(參照圖6B)的復原動作S4，分別顯示之。
如圖7所示的，可知當復原動作S4的時間較短時，在之後的處理配方S1中蝕刻率會大幅下降。這是因為，當復原動作S4的時間較短時，於基板處理部30或排液部50會殘留比較多的洗淨動作S3所使用的DIW，故DIW會混入之後的處理配方S1b所回收的BHF，而回收再利用的BHF的濃度會降低的關係。
另一方面，如圖7所示的，藉由將復原動作S4的時間拉長，便可將之後的處理配方S1的蝕刻率維持在適當範圍。
亦即，藉由在洗淨動作S3以及復原動作S4中，將流到排液管路59a～59c的排液從排洩部DR排出到外部，便可防止作為洗淨液的DIW或含有該DIW的BHF被回收到貯存部70a～70c。
另外，在實施態樣中，藉由實施對應下一步驟的BHF的時間的復原動作S4，即使使用回收再利用的BHF，仍可將之後的處理配方S1b的蝕刻率維持在適當範圍。
如到此為止所說明的，若根據實施態樣，便可防止所回收的BHF的濃度降低，故可防止液體處理的效能劣化。
另外，上述的「對應下一步驟的BHF的時間的復原動作S4」，可預先包含在對應下一步驟的處理配方S1b所包含的BHF的種類而與該種類的BHF對應的洗淨配方S2中。亦即，在實施態樣中，洗淨配方S2，可根據該洗淨配方S2的下一步驟的處理配方S1b選擇之。
例如，當在下一步驟的處理配方S1b中係使用第1BHF時，控制部18，可從記憶部19讀取在復原動作S4中係使用該第1BHF的洗淨配方S2。在該讀取到的洗淨配方S2中，包含了對應第1BHF的復原動作S4的實行時間。
像這樣，根據下一步驟的處理配方S1b選擇洗淨配方S2，便可在以下一步驟的處理配方S1b所使用的BHF對基板處理部30等實行過置換步驟的狀態下，開始下一步驟的液體處理。因此，若根據實施態樣，當回收處理配方S1b所使用的BHF並再度利用時，便可防止BHF的濃度變化，故可安定地實施下一步驟的液體處理。
另外，實施態樣，亦可在復原動作S4中，在為了預洗而從噴嘴41a～41c其中任一個噴吐下一步驟的BHF時，用所噴吐的下一步驟的BHF實施晶圓W的液體處理。
藉此，便可在復原動作S4中實行晶圓W的液體處理，故可令處理單元16提早恢復實行液體處理。
＜各種變化實施例＞ 接著，針對實施態樣之各種變化實施例，一邊參照圖8以及圖9一邊進行說明。圖8，係用以說明實施態樣之變化實施例1的基板處理系統1的處理流程的圖式。
如圖8所示的，變化實施例1的洗淨配方S2，會在洗淨動作S3與復原動作S4之間實行氣體清洗動作S5，此點與實施態樣有所不同。在該變化實施例1中，處理單元16，具有對基板處理部30以及排液部50清洗氣體的氣體供給部(圖中未顯示)。
然後，變化實施例1，在控制部18(參照圖1)實行了洗淨動作S3之後，實行從該氣體供給部供給氣體以清洗附著於基板處理部30以及排液部50的DIW的氣體清洗動作S5。
藉此，便可在復原動作S4之前，減少附著於基板處理部30以及排液部50的DIW。因此，若根據實施態樣，便可縮短復原動作S4所必要的時間，故可令處理單元16提早恢復實行液體處理。
在該氣體清洗動作S5中，控制部18，可對DIW滯留的部位供給氣體。尤其，在處理單元16內的可動部(例如第1、第2液體承接部55a、55b、第1、第2支持構件56a、57a等)，DIW會流入狹小的縫隙，即使預洗也難以置換，故可在該可動部的附近實施氣體清洗動作S5。
藉此，便可在復原動作S4之前，更進一步減少附著於基板處理部30以及排液部50的DIW。
圖9，係用以說明實施態樣之變化實施例2的基板處理系統1的處理流程的圖式。變化實施例2的洗淨配方S2，在復原動作S4時，會用濃度感測器62a～62c(參照圖3)檢測流到排液管路59a～59c(參照圖3)的排液中的氫氟酸濃度。
然後，控制部18，實施判定流到排液管路59a～59c的排液中的氫氟酸濃度是否適當的判定動作S6。
在此，當復原動作S4將基板處理部30以及排液部50內的DIW置換成下一步驟的BHF，而排液中的氫氟酸濃度仍適當時，控制部18，便結束復原動作S4並開始下一處理配方S1b。
此時，控制部18，控制切換閥63a～63c(參照圖3)，將流到排液管路59a～59c的排液的排出路徑切換到回收管路64a～64c(參照圖3)。藉此，便可一邊回收下一步驟的BHF一邊實行處理配方S1b。
另一方面，當基板處理部30以及排液部50內的DIW並未充分被置換，而排液中的氫氟酸濃度並不適當時，控制部18，便持續進行復原動作S4。
另外，此時，控制部18，控制切換閥63a～63c，將流到排液管路59a～59c的排液的排出路徑維持在排洩部DR。藉此，便可更進一步防止混合了DIW的BHF被回收。
亦即，在圖9所示的變化實施例2中，藉由一邊用濃度感測器62a～62c檢測流到排液管路59a～59c的排液中的氫氟酸濃度一邊實行復原動作S4，便可更進一步防止混合了DIW的BHF被回收。
該變化實施例2，例如，宜適用於在具有各種氫氟酸濃度的BHF之中氫氟酸濃度較高的BHF為下一步驟的BHF的態樣。該氫氟酸濃度較高的BHF，即使混合了微量的DIW，蝕刻率也會大幅變化。亦即，氫氟酸濃度較高的BHF，相較於氫氟酸濃度較低的BHF，其相對於DIW的敏感度更高。
像這樣，對相對於DIW的敏感度較高的BHF，適用上述的判定動作S6，便可避免DIW混入該BHF的回收液，故可安定地實施使用回收液的液體處理。
再者，當氫氟酸濃度較高的BHF為下一步驟的BHF時，除了變化實施例2的判定動作S6之外，更宜適用變化實施例1的氣體清洗動作S5。藉此，用氣體清洗動作S5令有可能混入BHF的DIW的液量減少，故可更安定地實施使用回收液的液體處理。
實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)，具備：基板處理部30、排液部50，以及控制部18。基板處理部30，對所載置的基板(晶圓W)從處理液體供給部供給處理液以進行液體處理。排液部50，具有與貯存處理液的貯存部70a～70c連接的回收管路64a～64c，並將液體處理所使用的處理液排出。控制部18，實行液體處理的處理配方S1，與對基板處理部30以及排液部50進行洗淨的洗淨配方S2。另外，控制部18，係在實行了從洗淨液體供給部供給洗淨液以對基板處理部30以及排液部50進行洗淨的洗淨動作S3之後，實行從處理液體供給部供給處理液以將附著於基板處理部30以及排液部50的洗淨液置換成處理液的復原動作S4，以作為洗淨配方S2。藉此，便可防止液體處理的效能劣化。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，處理配方S1，包含基板(晶圓W)的處理順序以及處理液的種類。藉此，便可用處理單元16實施針對不同種類的處理液分別最佳化的液體處理。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，洗淨配方S2，係根據處理配方S1所包含的處理液的種類而選擇之。藉此，便可安定地實施下一步驟的液體處理。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，洗淨配方S2，係根據該洗淨配方S2的下一步驟的處理配方S1b而選擇之。藉此，便可安定地實施下一步驟的液體處理。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，排液部50，具有將處理液排出到外部的排洩部DR。然後，控制部18，在實行洗淨配方S2的期間，將流到排液管路59a～59c的排液從排洩部DR排出到外部。藉此，便可防止混合了DIW的BHF被回收。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，排液部50，具有檢測處理液的濃度的濃度感測器62a～62c。然後，控制部18，根據濃度感測器62a～62c所檢測到的處理液的濃度，結束復原動作S4。藉此，便可更進一步防止混合了DIW的BHF被回收。
另外，實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)，具備對基板處理部30以及排液部50供給氣體的氣體供給部。然後，控制部18，在實行了洗淨動作S3之後，實行供給氣體以對附著於基板處理部30以及排液部50的洗淨液進行清洗的氣體清洗動作S5。藉此，便可令處理單元16提早恢復實行液體處理。
另外，在實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)中，控制部18，係對洗淨液滯留的部位供給氣體，而作為氣體清洗動作S5。藉此，便可在復原動作S4之前，更進一步減少附著於基板處理部30以及排液部50的洗淨液。
另外，實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)，具備處理液體供給部所待機的待機部65a～65c，待機部65a～65c的排液管路，與排液部50的排液管路59a～59c連接。然後，控制部18，針對待機部65a～65c，實行與基板處理部30相同的洗淨配方S2。藉此，便可防止混合了附著於待機部65a～65c的DIW的BHF被回收。
另外，實施態樣之基板處理裝置(基板處理系統1)，具備將處理液噴吐到基板(晶圓W)的背面側的背面供給部(背面噴嘴47)。然後，控制部18，對背面供給部(背面噴嘴47)實行洗淨配方S2。藉此，便可防止混合了附著於背面噴嘴47的DIW的BHF被回收。
＜基板處理的工序＞ 接著，針對實施態樣之基板處理的工序，一邊參照圖10一邊進行說明。圖10，係表示實施態樣之基板處理系統1所實行的基板處理的工序的流程圖。
首先，控制部18，實施根據接下來預定實行的處理配方S1b選擇洗淨配方S2的洗淨配方選擇處理(步驟S101)。例如，控制部18，選擇接下來預定實行的處理配方S1b所包含的下一步驟的BHF，以及包含相同種類的BHF在內的洗淨配方S2。
在此，當所選擇的洗淨配方S2為配方A時(步驟S102，配方A)，控制部18，便根據所選擇的配方A，實施洗淨處理(步驟S103)。該配方A，例如，係下一步驟的BHF為第1BHF時的洗淨配方S2。
另外，該步驟S103，係「從洗淨液體供給部(例如噴嘴41d)供給作為洗淨液的DIW，以用該DIW對基板處理部30以及排液部50進行洗淨」的處理。藉由該步驟S103，便可將附著於基板處理部30以及排液部50的BHF所導致的結晶除去。
接著，控制部18，根據所選擇的配方A，實施「從處理液體供給部供給下一步驟的BHF，以將附著於基板處理部30以及排液部50的DIW置換成BHF」的復原處理(步驟S104)。藉此，便可防止殘留於基板處理部30或排液部50的DIW被回收到貯存部70a～70c。
然後，當步驟S104的處理實施經過預先在配方A中設定好的時間而該處理結束時，控制部18，便結束一連串的處理。
另一方面，當在步驟S101中所選擇的洗淨配方S2為配方B時(步驟S102，配方B)，控制部18，便根據所選擇的配方B，實施洗淨處理(步驟S105)。該配方B，例如，係下一步驟的BHF為第2BHF時的洗淨配方S2。
另外，該步驟S105，係「從洗淨液體供給部(例如噴嘴41d)供給作為洗淨液的DIW，以用該DIW對基板處理部30以及排液部50進行洗淨」的處理。藉由該步驟S105，便可將附著於基板處理部30以及排液部50的BHF所導致的結晶除去。
接著，控制部18，根據所選擇的配方B，實施「從設置在處理單元16內的氣體供給部供給氣體，以對附著於基板處理部30以及排液部50的DIW進行清洗」的氣體清洗處理(步驟S106)。藉此，便可在接下來實施的復原處理之前，減少附著於基板處理部30以及排液部50的DIW。
接著，控制部18，根據所選擇的配方B，實施「從處理液體供給部供給下一步驟的BHF，以將附著於基板處理部30以及排液部50的DIW置換成BHF」的復原處理(步驟S107)。藉此，便可防止殘留於基板處理部30或排液部50的DIW被回收到貯存部70a～70c。
然後，當步驟S107的處理實施經過預先在配方B中設定好的時間而該處理結束時，控制部18，便結束一連串的處理。
另外，當在步驟S101中所選擇的洗淨配方S2為配方C時(步驟S102，配方C)，控制部18，便根據所選擇的配方C，實施洗淨處理(步驟S108)。該配方C，例如，係下一步驟的BHF為第3BHF時的洗淨配方S2。
另外，該步驟S108，係「從洗淨液體供給部(例如噴嘴41d)供給作為洗淨液的DIW，以用該DIW對基板處理部30以及排液部50進行洗淨」的處理。藉由該步驟S108，便可將附著於基板處理部30以及排液部50的BHF所導致的結晶除去。
接著，控制部18，根據所選擇的配方C，實施「從設置在處理單元16內的氣體供給部供給氣體，以對附著於基板處理部30以及排液部50的DIW進行清洗」的氣體清洗處理(步驟S109)。藉此，便可在接下來實施的復原處理之前，減少附著於基板處理部30以及排液部50的DIW。
接著，控制部18，根據所選擇的配方C，實施「從處理液體供給部供給下一步驟的BHF，以將附著於基板處理部30以及排液部50的DIW置換成BHF」的復原處理(步驟S110)。藉此，便可防止殘留於基板處理部30或排液部50的DIW被回收到貯存部70a～70c。
接著，控制部18，判定流到排液管路59a～59c的排液中的氫氟酸濃度是否適當(步驟S111)。
然後，當排液中的氫氟酸濃度為適當時(步驟S111，Yes)，控制部18，便結束一連處的處理。另一方面，當排液中的氫氟酸濃度並非適當時(步驟S111，No)，控制部18，便繼續步驟S110的處理。
如到此為止所說明的，在實施態樣之基板處理方法中，藉由對應處理配方S1b而選擇洗淨配方S2(配方A～配方C)，便可實施對應處理配方S1b所使用之BHF的種類的最佳洗淨處理。
實施態樣之基板處理方法，包含液體處理步驟與洗淨步驟。液體處理步驟，實行「從處理液體供給部(噴嘴41a～41c)將處理液供給到基板處理部30所載置的基板(晶圓W)，同時將所使用的處理液從排液部50回收到貯存部70a～70c」的處理配方S1。洗淨步驟，實行對在液體處理步驟時附著於基板處理部30以及排液部50的處理液進行洗淨的洗淨配方S2。洗淨步驟，包含：供給洗淨液以對基板處理部30以及排液部進行洗淨的洗淨動作S3，以及供給處理液以將附著於基板處理部30以及排液部50的洗淨液置換成處理液的復原動作S4。藉此，便可防止液體處理的效能劣化。
以上，係針對本發明之實施態樣進行說明，惟本發明並非僅限於上述的實施態樣，在不超出其發明精神的範圍內，實可作出各種變更。例如，上述的實施態樣，係針對洗淨液使用DIW且處理液使用BHF的態樣進行揭示，惟實施態樣之洗淨液以及處理液不限於該等實施例。
本案所揭示之實施態樣其全部的特徵點應被視為僅為例示而並非限制要件。實際上，上述的實施態樣可以各種態樣具體實現之。另外，上述的實施態樣，在不超出所附之專利請求範圍以及其發明精神的情況下，亦可省略、置換、變更為各種態樣。
1:基板處理系統(基板處理裝置) 2:搬入搬出站 3:處理站 4:控制裝置 11:載體載置部 12:搬運部 13:基板搬運裝置 14:傳遞部 15:搬運部 16:處理單元 17:基板搬運裝置 18:控制部 19:記憶部 20:處理室 21:FFU(風扇過濾單元) 22:閥門 23:降流氣體供給源 30:基板處理部 31:旋轉保持部 31a:保持構件 32:支柱部 33:驅動部 34:第1旋轉杯 35:第2旋轉杯 40:液體供給部 40a:第1液體供給部 40b:第2液體供給部 41a~41d:噴嘴(處理液體供給部) 41e,41f:噴嘴 42a,42b:臂部 43a,43b:旋轉升降機構 44a~44c:供給管路 45a~45c:閥門 46a~46c:流量調整器 47:背面噴嘴 47a:處理液噴吐口 47b:洗淨液噴吐口 50:排液部 50a:第1杯部 50b:第2杯部 50c:第3杯部 50d:排氣杯 50d1:外周筒部 50d2:伸出部 50e:液霧阻擋部 50e1:外周筒部 50e2:伸出部 51a~51c:排液口 52a~52c:排氣口 53:底部 54a:第1周壁部 54a1:頂面 54b:第2周壁部 54b1:頂面 54c:第3周壁部 54d:內壁部 54d1:延伸設置部 55a:第1液體承接部 55b:第2液體承接部 55c:第3液體承接部 56:第1升降機構 56a:第1支持構件 56b:第1升降驅動部 57:第2升降機構 57a:第2支持構件 57b:第2升降驅動部 58a:第1排液溝 58b:第2排液溝 58c:第3排液溝 59a~59c:排液管路 60:排氣管 61:閥門 62a~62c:濃度感測器 63a~63c:切換閥 64a~64c:回收管路 65a~65c:待機部 70a~70c:貯存部 71a:BHF(緩衝氫氟酸)供給管路 72a:BHF(緩衝氫氟酸)供給源 73a:閥門 74a:液槽 75a:循環管路 76a:泵 77a:過濾器 78a:加熱器 79a:閥門 80a:切換閥 81a:濃度感測器 82a:切換閥 83a:DIW(去離子水、洗淨液)供給源 84a,85a:閥門 100:洗淨液體供給部 100a:洗淨液供給管路 100b:DIW(去離子水、洗淨液)供給源 100c:閥門 100d:流量調整器 101:處理液體供給部 101a:處理液供給管路 101b:切換閥 101c:流量調整器 110:洗淨液體供給部 110a:洗淨液供給管路 110b:DIW(去離子水、洗淨液)供給源 110c:閥門 110d:流量調整器 111:處理液體供給部 111a:處理液供給管路 111b:切換閥 111c:流量調整器 120:洗淨液體供給部 120a:洗淨液供給管路 120b:DIW(去離子水、洗淨液)供給源 120c:閥門 120d:流量調整器 121:處理液體供給部 121a:處理液供給管路 121b:切換閥 121c:流量調整器 130:洗淨液體供給部 130a:洗淨液供給管路 130b:DIW(去離子水、洗淨液)供給源 130c:閥門 130d:流量調整器 131:處理液體供給部 131a:處理液供給管路 131b:閥門 131c:流量調整器 C:載體 DR:排洩部 S1,S1a,S1b:處理配方 S101~S111:步驟 S2:洗淨配方 S3:洗淨動作 S4:復原動作 S5:氣體清洗動作 W:晶圓(基板) X,Y,Z:軸
［圖1］係表示實施態樣之基板處理系統的概略構造的示意圖。 ［圖2］係表示實施態樣之處理單元的構造例的示意圖。 ［圖3］係表示實施態樣之基板處理系統的配管構造的示意圖。 ［圖4］係表示實施態樣之貯存部的配管構造的示意圖。 ［圖5］係用以說明實施態樣之基板處理系統的處理流程的圖式。 ［圖6A］係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其1)。 ［圖6B］係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其2)。 ［圖6C］係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其3)。 ［圖6D］係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其4)。 ［圖6E］係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其5)。 ［圖6F］(a)、(b)係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其6)。 ［圖6G］(a)、(b)係表示實施態樣之洗淨動作以及復原動作的動作例的圖式(其7)。 ［圖7］係表示實施態樣之復原動作的時間與其後的處理配方的蝕刻率的變化量的關係的圖式。 ［圖8］係用以說明實施態樣之變化實施例1的基板處理系統的處理流程的圖式。 ［圖9］係用以說明實施態樣之變化實施例2的基板處理系統的處理流程的圖式。 ［圖10］係表示實施態樣之基板處理系統所實行的基板處理的工序的流程圖。
1:基板處理系統(基板處理裝置)
16:處理單元
20:處理室
41a~41c:噴嘴(處理液體供給部)
44a~44c:供給管路
45a~45c:閥門
46a~46c:流量調整器
59a~59c:排液管路
62a~62c:濃度感測器
63a~63c:切換閥
64a~64c:回收管路
65a~65c:待機部
70a~70c:貯存部
DR:排洩部
W:晶圓(基板)

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 基板處理部，從處理液體供給部將處理液供給到所載置的基板，以實行液體處理； 排液部，具有與貯存該處理液的貯存部連接的回收管路，並將該液體處理所使用的該處理液排出；以及 控制部，實行該液體處理的處理配方、及對該基板處理部與該排液部進行洗淨的洗淨配方； 該控制部，在實行過從洗淨液體供給部供給洗淨液以對該基板處理部與該排液部進行洗淨的洗淨動作之後，實行從該處理液體供給部供給該處理液以將附著於該基板處理部與該排液部的該洗淨液置換成該處理液的復原動作，以作為該洗淨配方。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該處理配方，包含該基板的處理順序以及該處理液的種類。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 該洗淨配方，係根據該處理配方所包含的該處理液的種類而選擇之。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 該洗淨配方，係根據該洗淨配方的下一步驟的該處理配方而選擇之。
  5. 如請求項1至4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該排液部，具有將該處理液排出到外部的排洩部； 該控制部，在實行該洗淨配方的期間，將流到該排液部的排液從該排洩部排出到外部。
  6. 如請求項1至4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該排液部，具有檢測該處理液的濃度的濃度感測器； 該控制部，根據該濃度感測器所檢測到的該處理液的濃度，結束該復原動作。
  7. 如請求項1至4項中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含：氣體供給部，對該基板處理部與該排液部供給氣體； 該控制部，在實行過該洗淨動作之後，實行供給該氣體以對附著於該基板處理部與該排液部的該洗淨液進行清洗的氣體清洗動作。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中， 該控制部，對該洗淨液滯留的部位供給該氣體，以作為該氣體清洗動作。
  9. 如請求項1至4項中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含：待機部，供該處理液體供給部待機； 該待機部的排液管路，與該排液部的排液管路連接； 該控制部，針對該待機部，實行與該基板處理部相同的該洗淨配方。
  10. 如請求項1至4項中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含：背面供給部，將該處理液噴吐到該基板的背面側； 該控制部，對該背面供給部實行該洗淨配方。
  11. 一種基板處理方法，包含： 液體處理步驟，實行從處理液體供給部將處理液供給到基板處理部所載置的基板，同時將所使用的該處理液從排液部回收到貯存部的處理配方；以及 洗淨步驟，實行對在該液體處理步驟時附著於該基板處理部與該排液部的該處理液進行洗淨的洗淨配方； 該洗淨步驟，包含： 洗淨動作，供給洗淨液，以對該基板處理部與該排液部進行洗淨；以及 復原動作，供給該處理液，以將附著於該基板處理部與該排液部的該洗淨液置換成該處理液。
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