JPH11150095A - 洗浄処理方法 - Google Patents

洗浄処理方法

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JPH11150095A
JPH11150095A JP33501397A JP33501397A JPH11150095A JP H11150095 A JPH11150095 A JP H11150095A JP 33501397 A JP33501397 A JP 33501397A JP 33501397 A JP33501397 A JP 33501397A JP H11150095 A JPH11150095 A JP H11150095A
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健二 浦田
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光 久保田
Kiyoshi Takesue
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄処理液の交換から次の洗浄処理までのタ
イムラグを少なくし、洗浄処理液の劣化、使用量の増大
を防止する。 【解決手段】 ウエハの処理時間、処理回数等により、
洗浄処理液の交換時期と判断された場合でも、次に処理
されるべきウエハが処理装置内に投入されていないと
き、あるいは交換すべき処理部の洗浄槽を通過している
ときは、洗浄処理液を交換しないようにする。その後、
ウエハが処理装置に投入されるか、あるいは投入される
直前に、洗浄処理液を交換するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理体を、洗浄処理液
に浸漬して、上記被処理体を洗浄する洗浄処理方法に関
するもので、詳しくは処理容器内に貯留された洗浄処理
液の定期的な交換に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の洗浄工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス基板等(以下に
ウエハ等という)の被処理体を、洗浄処理装置の搬入部
に投入して処理部まで搬送し、処理容器内に貯留された
薬液やリンス液(洗浄液)等に浸して洗浄処理又はリン
ス処理した後、取出された処理済みのウエハ等を搬出部
まで搬送し、搬出する方法が知られている。
【0003】この場合、洗浄処理の品質を維持するため
に、処理容器内に貯留された洗浄処理液を、一定の洗浄
時間、洗浄回数等に応じて定期的に交換し、劣化した洗
浄処理液を使用しないようにするのが一般的である。
【0004】また、従来のこの種の洗浄処理方法におい
ては、一定の洗浄時間、洗浄回数に達して洗浄処理液の
交換時期と判断された場合には、予め設定されたプログ
ラムに従って即座に洗浄処理液を交換し、温度条件等
を、すぐに次の洗浄処理が行えるような状態に維持して
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄処
理液の交換時期であって、処理装置内に、次に処理され
るべきウエハ等が投入されていないときは、交換された
新しい洗浄処理液が使用されるまでのタイムラグが大き
く、長時間放置されるので、この間に洗浄処理液内にパ
ーティクルが混入することがあった。また、洗浄処理液
の温度条件も、通常は室温より高温に設定されることが
多いため、未使用の洗浄処理液が蒸発することがあっ
た。したがって、未使用にもかかわらず洗浄処理液が劣
化するという問題があり、また、蒸発によって減少した
分だけ洗浄処理液の使用量が増大すると共に、洗浄効率
が低下するという問題があった。
【0006】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、洗浄処理液を交換してから直後の洗浄処理までのタ
イムラグを極力少なくすることにより、未使用の洗浄処
理液の劣化や蒸発を削減できるようにすると共に、洗浄
処理液の使用量を削減できるようにし、また洗浄効率の
低下を防止することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の洗浄処理方法は、被処理体を、処理装置
内の搬入部に投入する工程と、上記被処理体を、上記処
理装置内に移動可能に設けられた搬送手段にて保持し、
液処理を行う処理部へ搬送する工程と、上記処理部内に
配設され、洗浄処理液を貯留した1又は複数の処理容器
内に、上記被処理体を浸漬し、上記被処理体を洗浄処理
する工程と、処理済みの上記被処理体を、搬送手段にて
保持し、搬出部まで搬送する工程と、を有する洗浄処理
方法において、処理時間、処理回数等に応じて、予め設
定されたプログラムに基づいて、上記処理容器内の洗浄
処理液を定期的に交換する工程を有し、かつ、上記被処
理体が上記処理装置内に投入されていないとき、又は洗
浄処理液の交換を実行する処理容器を通過しているとき
は、交換時期であっても洗浄処理液を交換せず、洗浄処
理液の交換時期であって、上記被処理体が上記処理装置
内に投入されるか、又は投入される直前に、上記処理容
器内の洗浄処理液を交換するようにしたことを特徴とす
る。
【0008】この発明において、上記洗浄処理液の交換
時期であっても交換を実行しない場合は、液処理を行う
処理容器内を排液した状態にしておいてもよく(請求項
2)、あるいは、液処理を行う処理容器内を排液した
後、処理容器用の洗浄液を供給して上記処理容器内を洗
浄した状態にしておいてもよい(請求項3)。また、洗
浄処理液の交換時期であっても交換を実行しない場合に
おいて、処理容器内の洗浄処理液を循環供給すると共
に、洗浄液の補充を行うようにする方が好ましい(請求
項4)。
【0009】この発明の洗浄処理方法によれば、洗浄処
理液の交換から次に使用するまでのタイムラグを極力少
なくし、交換したばかりの洗浄処理液を長時間放置する
ことがなくなるので、パーティクルの混入等により未使
用の洗浄処理液が劣化するのを防止できると共に、放置
される時間に蒸発する洗浄処理液の量を極力削減するこ
とができる。したがって、洗浄処理液の使用量を低減で
きると共に、洗浄処理液の劣化に伴う洗浄効率の低下を
防止できる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
【0011】図1はこの発明に係る洗浄処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【0012】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハW(以下にウエハという)を水平状態に収
納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための搬
入搬出部2と、ウエハWを薬液、リンス液等の液処理を
する処理部3と、搬入搬出部2と処理部3との間に位置
してウエハWの受渡し、位置調整及び姿勢変換等を行う
インターフェース部4とで主に構成されている。
【0013】上記搬入搬出部2は、洗浄処理システムの
一側端部に併設して設けられる搬入部5と搬出部6とで
構成されている。また、搬入部5は、上部搬送機構(図
示せず)からキャリア1を受け取る受取り部5aと、こ
の受取り部5aから水平に搬送されるキャリア1を載置
する受渡し部5bとからなり、受渡し部5bには、キャ
リア1を上部位置とインターフェース部4の搬入口(図
示せず)との間で搬送するキャリアリフタ8が配設され
ている。また、搬出部6には、キャリア1をインターフ
ェース部4の搬出口(図示せず)と上部との間で搬送す
るキャリアリフタ8が配設され、これらキャリアリフタ
8によって搬入部5間又は搬出部6間でのキャリア1の
搬送を行うことができると共に、空のキャリア1をイン
ターフェース部4の上方に設けられたキャリア待機部
(図示せず)への受け渡し及びキャリア待機部からの受
け取りを行うことができるように構成されている。
【0014】上記インターフェース部4は、区画壁4c
によって区画される搬入搬出部2に隣接する第1の室4
aと、処理部3に隣接する第2の室4bとで構成されて
いる。そして、第1の室4a内には、搬入部5(具体的
には受渡し部5b)のキャリア1から複数枚のウエハW
を取り出して搬送する水平方向(X,Y方向),垂直方
向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウエハ取出しア
ーム10と、ウエハWに設けられたノッチを検出するノ
ッチアライナー11と、ウエハ取出しアーム10によっ
て取り出された複数枚のウエハWの間隔を調整する間隔
調整機構(図示せず)を具備すると共に、水平状態のウ
エハWを垂直状態に変換する第1の姿勢変換装置12が
配設されている。
【0015】また、第2の室4b内には、処理済みの複
数枚のウエハWを処理部3から垂直状態のまま搬送する
後述する搬送手段例えばウエハ搬送チャック23から受
け取ったウエハWを垂直状態から水平状態に変換する第
2の姿勢変換装置13と、この第2の姿勢変換装置13
によって水平状態に変換された複数枚のウエハWを受け
取ってウエハ受取り部14に搬送された空のキャリア1
内に収納する水平方向(X,Y方向),垂直方向(Z方
向)及び回転(θ方向)可能なウエハ収納アーム15が
配設されている。なお、ウエハ受取り部14には、ウエ
ハ受取り部14とキャリア待機部(図示せず)との間で
キャリアを搬送するキャリアリフタ8が配設されてい
る。また、キャリア待機部には、ウエハ受渡し部5bに
よってウエハWを受け渡した後の空のキャリア1やウエ
ハ受取り部14でキャリア1内にウエハWを収容したキ
ャリア1を所定の待機位置あるいはウエハ受取り部14
からキャリア待機部に搬送されたウエハWを収納したキ
ャリア1を搬出部6の上方へ移動するキャリア搬送ロボ
ット(図示せず)が配設されている。
【0016】一方、上記処理部3には、ウエハWに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第1の処理ユ
ニット17a及び純水でリンス処理する第1のリンス処
理ユニット17bと、ウエハWに付着する金属汚染を除
去する第2の処理ユニット18a及び純水でリンス処理
する第2のリンス処理ユニット18bと、ウエハWに付
着する酸化膜を除去する第3の処理ユニット19a及び
純水でリンス処理する第3のリンス処理ユニット19b
並びにチャック洗浄ユニット20が直線状に配列されて
いる。なお、第3のリンス処理ユニット19bの上方に
は図示しない乾燥処理ユニットを配設してもよい。ま
た、これら各ユニット17a〜19a、17b〜19b
及び20と対向する位置から上記インターフェース部4
に延在してに設けられた搬送路22に、X,Y方向(水
平方向)、Z方向(垂直方向)及び回転(θ)可能な搬
送手段例えばウエハ搬送チャック23が配設されてい
る。
【0017】上記第1〜第3の処理ユニット17a〜1
9aは、それぞれ図2に示すように、薬液例えばAPM
液(アンモニア、過酸化水素及び水を適当な割合で混合
した混合液)等の洗浄処理液Lを貯留すると共に、洗浄
処理液L中にウエハWを浸漬してその表面を洗浄する処
理容器例えば洗浄槽30と、この洗浄槽30と薬液供給
源36とを接続すべく洗浄槽30内に配設される洗浄処
理液供給ノズル34と薬液供給源36とを、開閉弁36
aを介して接続する洗浄処理液供給管37とで主に構成
されている。
【0018】この場合、洗浄槽30は、洗浄処理液Lを
貯留する内槽31と、この内槽31の開口部の外方縁部
を覆う外槽32とで構成されている。また、外槽32の
底部に設けられた排出口と、内槽31内の底部側に配設
される洗浄処理液供給ノズル34とが循環管路38にて
接続されており、この循環管路38には、排出口側から
洗浄処理液供給ノズル34に向かって順に、三方弁38
a,循環ポンプ38b,温度調節機構38c,フィルタ
38d及び弁38eが介設されている。このように構成
することにより、洗浄槽30内に貯留された薬液(例え
ばAPM液等)の希釈液を循環供給してウエハWの表面
に付着するパーティクル、有機汚染物等を除去すること
ができる。
【0019】なお、上記洗浄処理液供給管37の循環管
路38との接続部側には逆止弁39が介設されている。
また、上記内槽31の底部に設けられた排出口には、ド
レン弁31bを介設したドレン管31aが接続されてい
る。更に上記内槽31内には、洗浄処理中のウエハWを
保持するための保持部材33が配設されている。この保
持部材33は昇降可能に形成されており、上記ウエハ搬
送チャック23との間でウエハWの受渡しを行うように
構成されている。
【0020】次に、この洗浄処理ユニットの動作態様に
ついて説明する。まず、所定濃度に希釈された洗浄処理
液Lとなって薬液供給源36から供給される所定量の洗
浄処理液Lが洗浄処理液供給ノズル34から噴出して内
槽31内に供給される。次に洗浄処理液Lで満たされた
上記内槽31内に、ウエハ搬送チャック23によってイ
ンターフェース部4から搬送された複数例えば50枚の
ウエハWが、保持部材33に受け渡され、保持されて浸
漬され、洗浄される。この間にも随時洗浄処理液Lは供
給され、洗浄処理液Lの表面に浮いたパーティクルや汚
染物質等と共に、内槽31から溢れた洗浄処理液Lが外
槽32へと流入する。外槽32内に流入した使用済みの
洗浄処理液Lは、三方弁38aの切り換えによって、そ
のまま排液されるか、あるいは循環系によって再利用さ
れる。
【0021】再利用される場合は、循環ポンプ38bに
よって循環管路38を流動し、温度調節機構38cを通
って所定温度に温調され、フィルタ38dを通過するこ
とによりパーティクル等が除去される。なお、洗浄処理
液Lの循環供給中に、蒸発等によって減少した洗浄処理
液Lを補充している。再生された洗浄処理液Lは洗浄処
理液供給ノズル34から再び噴出し、内槽31内に供給
される。このとき、洗浄処理液供給管37に介設された
逆止弁39によって、再生された洗浄処理液Lが薬液供
給源36の方へ逆流することはない。このようにして洗
浄処理を完了する。 なお、上記洗浄槽30に供給され
る洗浄処理液Lに関して、APM液の場合について説明
したが、APM液が用いられるのは主にウエハWに付着
したパーティクルや有機物汚染を除去するための第1の
処理ユニット17aであり、第2の処理ユニット18a
の場合はウエハWに付着した金属汚染を除去するため
に、例えばHPM液(HCl/H2O2/H2O混合液)
が用いられる。また、第三の処理ユニット19aの場合
は、ウエハWに付着した酸化膜を除去するためのDHF
液(フッ酸希釈液)等が用いられる。
【0022】このようにして順次洗浄処理を繰り返し、
処理時間、処理回数等に応じて予め決められたプログラ
ムに基づいて洗浄処理液Lが交換される。また、上記処
理装置の洗浄処理液交換も含めた一連の動作は、ホスト
コンピュータ25(H.C)から中央演算処理装置24
(CPU)を介して各部、すなわち処理装置の搬入部5
の搬入手段、ウエハ搬送チャック23及び各処理ユニッ
ト17a〜19aに設けられた駆動部等(図示せず)へ
の指令信号に基づいて行われる(図3参照)。
【0023】なお、洗浄処理液Lを交換する場合は、ま
ずドレン弁31bを開放して内槽31内の洗浄処理液L
を排出すると共に、三方弁38aを切り換えて外槽32
内の洗浄処理液Lを排出した後、ドレン管31bを閉
じ、三方弁38aを切り換える。次に、開閉弁36bを
開放して、予め所定濃度に希釈された洗浄処理液Lを薬
液供給源36から流出させ、流出した洗浄処理液Lを洗
浄処理液供給ノズル34から内槽31内に噴射(供給)
して行うことができる。
【0024】次に、上記洗浄処理装置を適用した洗浄処
理システム全体の動作手順について図4に示すフローチ
ャートを参照して説明する。搬入部5にウエハW(ロッ
ト)を投入した後、第1の姿勢変換装置12で水平状態
のウエハWを垂直状態に変換する。その後、搬送手段例
えばウエハ搬送チャック23で処理部3まで搬送し、第
1〜第3の処理ユニット17a〜19aにウエハWを順
次浸漬させて上述のような薬液処理を行う。なお、上記
各処理ユニット17a〜19aにおける薬液処理が終了
するごとに、各々に対応する第1から第3のリンス処理
ユニット17b〜19bのいずれかへ投入して、純水に
よりリンス処理を行う。更に第3のリンス処理ユニット
19bの例えば上部に設けられた乾燥処理ユニット(図
示せず)にて乾燥処理を行った後、ウエハ搬送チャック
23でインターフェース部4まで搬送し、第2の姿勢変
換装置によってウエハWを垂直状態から水平状態へ変換
する。最後に搬出部6からウエハWを搬出して一連の工
程が終了する。
【0025】上記薬液・洗浄処理の工程において、洗浄
処理の品質を維持するために、洗浄処理液Lを一定の処
理時間、処理回数等に基づいて交換するが、この際、洗
浄処理液Lの交換を実行するか否かを判断する手順を、
予め設定されたプログラムに基づいて行う。この手順に
ついて図5のフローチャートを参照して説明する。洗浄
処理液Lの交換時期がきた場合、まず、次に処理される
べきウエハW(ロット)が処理装置内に投入されている
か否か(この場合、投入直前の状態も含む)が判断され
る(ステップA)。ウエハWが処理装置内に投入されて
いると判断された場合は、ウエハWが交換時期の洗浄槽
30を通過したか否かが判断される(ステップB)。こ
こで、ウエハWが洗浄槽30を通過する前の状態である
と判断された後、ウエハWが交換時期にある洗浄槽30
を使用するか否かが判断される(ステップC)。ステッ
プCで洗浄槽30を使用すると判断された場合は、洗浄
槽30内の洗浄処理液Lを交換する(ステップD)。
【0026】一方、ウエハWが処理装置内に投入されて
いない場合、又はウエハWが洗浄槽30を通過した直後
の場合、あるいはウエハWが交換時期にある洗浄槽30
を使用しない場合は、洗浄処理液Lの交換は実行されな
い(ステップE)。洗浄処理液の交換が実行されない場
合において、洗浄処理を行う洗浄槽30内を排液する
か、あるいは洗浄処理を行う洗浄槽30内を排液した
後、洗浄処理液Lを供給して洗浄槽30内を洗浄した状
態にしておく方が好ましい。その理由は、次に処理され
るウエハWの処理装置内への投入等に即座に対応するこ
とができ、洗浄処理を効率よく行うことができるからで
ある。なお、洗浄処理液Lの交換を実行しない場合にお
いて、排液もせずにそのままの状態にしておいてもよ
い。
【0027】洗浄処理液Lの交換の際に、このような条
件を設けることにより、交換したばかりの新しい洗浄処
理液Lが長時間放置されることがなくなるので、この間
にパーティクル等が混入して洗浄処理液Lが劣化するの
を防止できると共に、未使用の洗浄処理液Lが蒸発する
ことを防ぎ、したがって、洗浄処理液Lの使用量の低減
及び洗浄効率の低下防止を図ることができる。
【0028】なお、上記実施形態では洗浄処理とリンス
処理を異なる処理ユニットで行う場合について説明した
が、洗浄処理とリンス処理を一つの処理ユニットで行う
いわゆるワンバス方式の洗浄処理装置にも適用できる。
以下にワンバス方式の洗浄処理装置に適用した場合の実
施形態を、図6に示す概略断面図を参照して説明する。
この場合、上記実施形態との大きな違いは、流路60に
洗浄処理液Lを一時的に貯留するためのタンク50及び
純水供給源35を設けたことである。また、流路60
は、薬液処理中に利用される循環管路38A(一部は洗
浄処理液供給管37Aと共用している)と、洗浄槽30
とタンク50とを接続して薬液処理からリンス処理へ、
あるいはリンス処理から薬液処理への切換え時に利用さ
れるドレン管31a,40及び洗浄処理液供給管37A
とで主に構成されている。
【0029】また、上記内槽31に接続されたドレン管
31a及び外槽32の下部側に接続されたドレン管40
は、それぞれドレン弁31b,40及び三方弁31c,
40bを介してタンク50と排液側に接続されている。
したがって、それぞれの三方弁31c,40bを適宜切
り換えることによって、洗浄槽30内の洗浄処理液Lを
タンク50へ戻すか、あるいは排液することができる。
また、上記タンク50は、供給管50c及び三方弁50
dを介して洗浄処理液供給管37Aに接続されている。
これにより、タンク50内に戻されて貯留された洗浄処
理液Lを洗浄槽30内に再供給することができる。な
お、洗浄液供給管37Aには、三方弁50dから洗浄液
供給ノズル34に向かって順に、ポンプ61,温度調節
機構62,フィルタ63及び逆止弁39Aが介設されて
いる。一方、タンク50は、第2の薬液供給管36eに
よって薬液供給源36とも接続されており、タンク50
内の洗浄処理液Lの量が減少している場合は、第2の薬
液供給管36eに介設される開閉弁36fを開放するこ
とにより、薬液供給源36から適宜供給して一定量を保
てるようになっている。なお、上記タンク50の下部側
一側方にはドレン弁50bを介設したドレン管50aが
接続されている。
【0030】また、上記循環管路38Aは、その一端が
上記外槽32の下部側に、かつ上記ドレン管40とは異
なる位置に接続され、開閉弁64と三方弁35bを介し
て洗浄処理液供給管37Aに接続され、三方弁35bか
ら上記洗浄槽30へ再供給するまでの経路は洗浄処理液
供給管37Aを共用する。なお、上記洗浄処理液供給管
37Aには、純水供給管35a及び三方弁35bを介し
て純水供給源35が接続されると共に、第1の薬液供給
管36c及び三方弁36dを介して薬液供給源36が接
続されている。その他の構造は図2と同様であるので、
同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【0031】次に、上記ワンバス式の洗浄処理装置に適
用した場合の動作態様について説明する。洗浄処理を行
う場合は、上記ドレン弁31b,40aを閉じた後、弁
64を開放すると共に、三方弁36d,50dを洗浄処
理液供給管37Aの流路方向に切り換える。この場合、
外槽32から循環管路38Aに流入した洗浄処理液L
は、ポンプ61によって流動し、温度調節機構62にお
いて所定温度に温調され、フィルタ63によってパーテ
ィクル等を除去されて、再び洗浄処理液供給ノズル34
から内槽31内に供給される。
【0032】また、洗浄処理からリンス処理へ移行する
ときは、ドレン弁31b,40aを開放すると共に、三
方弁31c,40bをタンク50側に流入するように切
り換える。これにより、内槽31及び外槽32内の洗浄
処理液Lはタンク50に一時的に貯留され、内槽31が
排液状態になった時点でドレン弁31bを閉じ、三方弁
40bを排液側に切り換えると共に、三方弁35bを切
り換えて純水供給源35から純水を供給できるようにす
れば、内槽31には絶えず純水が供給され続け、リンス
処理が行われる。なお、内槽31から外槽32へ流入し
た純水は、ドレン管40から三方弁40bを通過して排
液される。
【0033】この後、次に処理されるウエハWを投入し
て洗浄処理する場合、すなわちリンス処理から洗浄処理
へ移行する場合は、ドレン弁31bを開放すると共に、
三方弁31cを切り換えて排液できるようにする。ま
た、三方弁35bを切り換えて純水供給源35からの供
給状態を解除する。これにより、タンク50内の洗浄処
理液Lは、ポンプ61によって供給管50cを流動し、
温度調節機構62によって温調され、フィルタ63によ
ってパーティクル等が除去されて、再び洗浄処理液供給
ノズル34から内槽31内に供給される。供給された洗
浄処理液Lは、溢れて外槽32へ流入し、再び上述した
循環管路38Aを通るようになる。なお、循環管路38
Aを流れてきた洗浄処理液Lが三方弁50dに初めて到
達した時点で、上記三方弁50dを切り換えて、循環管
路に沿って流れるようにする。
【0034】次に、洗浄処理液Lを交換する場合につい
て説明する。この場合は、ドレン弁31b,40a,5
0bを開放して、三方弁31c,40bを排液方向に切
り換える。これにより、内槽31、外槽32及びタンク
50内の洗浄処理液Lを排液し、必要なときには、ドレ
ン弁31b,40b,50bを閉じて、三方弁36dを
切り換えて薬液供給源36から洗浄処理液Lを供給でき
るようにする。
【0035】なお、動作態様のその他の部分は図2に示
す実施形態と同様であるので、説明は省略する。
【0036】なお、上記実施形態では、半導体ウエハの
洗浄処理について説明したが、例えばLCD基板等にも
適用できるのは勿論であり、その他の洗浄処理に利用で
きるのも勿論である。
【0037】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
処理方法によれば、洗浄処理液の交換から次に使用する
までのタイムラグを極力少なくし、交換したばかりの洗
浄処理液を長時間放置することがなくなるので、パーテ
ィクルの混入等により未使用の洗浄処理液が劣化するの
を防止できると共に、放置される時間に蒸発する洗浄処
理液の量を極力削減することができる。したがって、洗
浄処理液の使用量を低減できると共に、洗浄処理液の劣
化に伴う洗浄効率の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る洗浄処理装置を適用した洗浄処
理システムの概略平面図である。
【図2】この発明に係る洗浄処理装置と洗浄処理液の流
路の一例を示す概略断面図である。
【図3】上記洗浄処理システムと制御系との接続状態を
示す概略平面図である。
【図4】この発明に係る洗浄処理方法の各工程を示すフ
ローチャートである。
【図5】この発明に係る洗浄処理液交換を実行するか否
かの判断の手順を示すフローチャートである。
【図6】この発明に係る洗浄処理装置と洗浄処理液の流
路の別の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) L 洗浄処理液 3 処理部 5 搬入部 6 搬出部 17a 第1の処理ユニット 18a 第2の処理ユニット 19a 第3の処理ユニット 23 ウエハ搬送チャック(搬送手段) 24 CPU 25 ホストコンピュータ 30 洗浄槽(処理容器) 31 内槽 32 外槽 34 洗浄処理液供給ノズル 36 薬液供給源 37,37A 洗浄処理液供給管 38,38A 循環管路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を、処理装置内の搬入部に投入
    する工程と、 上記被処理体を、上記処理装置内に移動可能に設けられ
    た搬送手段にて保持し、液処理を行う処理部へ搬送する
    工程と、 上記処理部内に配設され、洗浄処理液を貯留した1又は
    複数の処理容器内に、上記被処理体を浸漬し、上記被処
    理体を洗浄処理する工程と、 処理済みの上記被処理体を、搬送手段にて保持し、搬出
    部まで搬送する工程と、を有する洗浄処理方法におい
    て、 処理時間、処理回数等に応じて、予め設定されたプログ
    ラムに基づいて、上記処理容器内の洗浄処理液を定期的
    に交換する工程を有し、かつ、上記被処理体が上記処理
    装置内に投入されていないとき、又は洗浄処理液の交換
    を実行する処理容器を通過しているときは、交換時期で
    あっても洗浄処理液を交換せず、上記洗浄処理液の交換
    時期であり、上記被処理体が上記処理装置内に投入され
    るか、又は投入される直前に、上記処理容器内の洗浄処
    理液を交換するようにしたことを特徴とする洗浄処理方
    法。
  2. 【請求項2】 洗浄処理液の交換時期であっても交換を
    実行しない場合において、 液処理を行う処理容器内の洗浄処理液を排液した状態に
    しておくことを特徴とする請求項1記載の洗浄処理方
    法。
  3. 【請求項3】 洗浄処理液の交換時期であっても交換を
    実行しない場合において、 液処理を行う処理容器内の洗浄処理液を排液した後、処
    理容器用の洗浄液を供給して上記処理容器内を洗浄した
    状態にしておくことを特徴とする請求項1記載の洗浄処
    理方法。
  4. 【請求項4】 洗浄処理液の交換時期であっても交換を
    実行しない場合において、処理容器内の洗浄処理液を循
    環供給すると共に、洗浄液の補充を行うことを特徴とす
    る請求項1記載の洗浄処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011210315A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN111263975A (zh) * 2017-10-25 2020-06-09 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN114937628A (zh) * 2022-07-21 2022-08-23 四川上特科技有限公司 一种晶圆蚀刻装置及蚀刻方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011210315A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN111263975A (zh) * 2017-10-25 2020-06-09 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN114937628A (zh) * 2022-07-21 2022-08-23 四川上特科技有限公司 一种晶圆蚀刻装置及蚀刻方法

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