CN111263975A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置，其通过在包含一种以上的药液及纯水的处理液中浸渍基板从而对该基板进行规定的处理，所述基板处理装置具备：处理槽，其贮留有用于对基板进行规定的处理的处理液；处理液更换部，当处理槽中的处理液的使用期到期时，对处理液进行更换；检测部，其对处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测；浓度控制部，其在使用期到期之前的期间，将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内；和延期部，其将利用处理液更换部进行的处理液的更换延期至规定的处理的开始时。此外，在通过延期部而处理液的更换被延期的期间，浓度控制部也将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及将半导体晶片等基板浸渍在贮留于处理槽的处理液而进行蚀刻处理、清洗处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
半导体装置的制造工序中包括下工序，即，将半导体晶片等基板浸渍在处理槽中，由此对该基板实施蚀刻处理、清洗处理。这样的工序利用包括多个处理槽的基板处理装置来执行。对于该基板处理装置的各处理槽中的处理液的浓度而言，有时随着时间的经过，根据处理液构成成分的蒸发、分解等而变化。因此，进行了用于将处理液的浓度维持在对于上述蚀刻处理、清洗处理而言适当的范围内的浓度控制。
基板处理装置还进行当处理液的使用期到期时对处理槽内的处理液进行更换的处理。所谓处理液的使用期，是指处理液的状态持续变化，当持续使用该处理液时，被判断为处理自身变得无法充分进行的使用时间，其预先通过实验等来确定。
在从处理液的更换起至对处理槽中的基板的处理开始为止存在一定程度的期间的情况下，在对基板的处理开始为止的期间，处理液的浓度可能脱离对于上述蚀刻处理、清洗处理而言适当的范围。因此，实施了下述技术：即使在使用期到期的情况下也不立即实施处理液的更换，而将处理液的更换延期至对基板的处理开始时。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-046443号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在将处理液的更换延期至对基板的处理开始时的情况下，延期的期间内处理槽内的处理液的浓度发生变化，浓度变化后的处理液流入基板处理装置的配管等。有时流入至配管等的处理液在处理槽内的处理液的更换时仍然残存，所残存的处理液对处理槽内的处理液的浓度产生影响。近年来，随着半导体器件的微细化、高度化的推进，在基板的规定的处理、尤其是蚀刻处理中，要求高蚀刻精度。需要更高精度地进行浓度控制的技术。
因此，公开的技术的一个侧面的目的在于，提供下述这样的技术，其在将处理液的更换延期至对基板的处理开始时的基板处理装置中，能够抑制处理液更换后的处理槽内的处理液的浓度的变动。
用于解决课题的手段
公开的技术的一个侧面通过下述基板处理装置来例示。本基板处理装置通过将基板浸渍于包含一种以上的药液及纯水的处理液中从而对该基板进行规定的处理。本基板处理装置具备：贮留有用于对基板进行规定的处理的处理液的处理槽；当处理槽中的处理液的使用期到期时，对处理液进行更换的处理液更换部；对处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测的检测部；在使用期到期以前的期间，将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内的浓度控制部；和将利用处理液更换部进行的处理液的更换延期至规定的处理的开始时的延期部。此外，浓度控制部在通过延期部而使得处理液的更换被延期的期间也将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。
由此，处理液的更换被延期至规定的处理开始时。此外，在处理液的更换被延期的期间，也通过浓度控制部来维持处理液的浓度，因此，可抑制浓度变动了的处理液流入基板处理装置的配管等。因此，可抑制残留于配管等的处理液导致的、对更换后的处理槽内的处理液浓度的影响。结果，可抑制处理液更换后的、处理槽内的处理液浓度的变动。需要说明的是，此处，所谓处理液的使用期，是指处理液的状态持续变化，当持续使用该处理液时，被判断为处理自身变得无法充分进行的使用时间，其预先通过实验等来确定。另外，所谓“使用期到期”，既可以是使用期到期时，也可以是相对于使用期到期时而言稍前或稍后的时间点。另外，规定的处理例如为将基板浸渍在处理槽内的处理液中从而对该基板进行的蚀刻处理，例如可利用批处理控制来进行。
另外，公开的技术中，其特征也可以是，浓度控制部将处理液的温度控制在适于规定的处理的温度范围内。由此，即使在处理液的更换被延期的期间，处理液的温度也得以维持。因此，可抑制温度变动了的处理液流入基板处理装置的配管等。
另外，公开的技术中，其特征也可以是，处理液为包含磷酸、硝酸，乙酸中的至少一者及纯水的混酸水溶液，浓度控制部通过向混酸水溶液供给纯水从而将混酸水溶液的纯水浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。由此，通过改变纯水的供给量、供给时机这样的简单动作，即能够将纯水的浓度控制为与处理相应的适当值。
另外，公开的技术中，其特征也可以是，在利用浓度控制部进行的纯水的供给中，以规定间隔向处理槽供给规定量的纯水，从而控制在适于规定的处理的浓度范围内。此处，规定量为不使处理槽内的处理液中的纯水浓度大幅变动的量。由此，一次所供给的纯水量被规定，因此，可抑制纯水的浓度变得高于允许范围内。
另外，公开的技术中，其特征也可以是，浓度控制部在处理槽内的处理液的液面的高度不满足适于规定的处理的高度的情况下，向处理槽补充处理液。由此，能够将处理槽内的处理液的液面的高度维持在适于规定的处理的高度，因此，处理液的浓度控制变得容易。
另外，公开的技术中，其特征也可以是，还具备抑制部，所述抑制部在通过检测部所检测到的处理液的浓度脱离适于规定的处理的浓度范围的情况下，抑制规定的处理的开始，抑制部在延期部将处理液的更换延期的期间不执行进行抑制的处理。由此，在未通过延期部而将处理液的更换延期时，可抑制由脱离适于规定的处理的浓度的处理液带来的、品质低的蚀刻处理。另外，当通过延期部而处理液的更换被延期时，不执行进行抑制的处理，由此，能够在规定的处理的开始时实现处理液的更换。
以上所公开的用于解决课题的手段也能够从基板处理方法的侧面来把握。另外，以上所公开的用于解决课题的手段能够适当组合来使用。
发明效果
本基板处理装置在将处理液的更换延期至对基板的处理开始时的基板处理装置中，能够抑制处理液更换后的、处理槽内的处理液的浓度的变动。
附图说明
[图1]为示出实施方式涉及的基板处理装置的概略构成的一例的立体图。
[图2]为实施方式涉及的基板处理装置的功能框图的一例。
[图3]为示出实施方式涉及的基板处理装置的处理部中的、与各处理槽的处理液的控制相关的构成的一例的图。
[图4]为示出对处理槽内的混酸水溶液进行全液更换的时机的一例的图。
[图5]为示出实施方式中的混酸水溶液的浓度控制的一例的图。
[图6]为示出在实施方式的浓度控制中所实施的纯水的补充的一例的图。
[图7]为示出在实施方式的浓度控制中所实施的混酸的补充的一例的图。
[图8]为例示下述处理的流程的图，即，在以常规模式运转的基板处理装置中，若混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外，则抑制批处理的执行。
[图9]为例示下述处理的流程的图，即，在以节能模式运转的基板处理装置中，在混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外的情况下，抑制批处理的执行。
[图10]为例示下述处理的流程的图，即，在以节能模式运转的基板处理装置中，在混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外的情况下，不抑制批处理的执行。
具体实施方式
<实施方式>
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。需要说明的是，以下所示实施方式是本发明的一个方式，并不对本发明的技术范围进行限定。图1为示出实施方式涉及的基板处理装置1的概略构成的一例的立体图。该基板处理装置1为主要对基板W实施蚀刻处理、清洗处理(以下，也简称为“处理”)的装置。在基板处理装置1中，在图1中的右后侧，配置有对基板W进行储存的缓冲部2，在缓冲部2的进一步右后侧，设置有用于对基板处理装置1进行操作的正面面板(未图示)。另外，在缓冲部2中的与正面面板相反的一侧，设置有基板搬出搬入口3。另外，在基板处理装置1的长度方向上的、自缓冲部2的相反侧(图1中的左前侧)起，并排设置有对基板W进行处理的处理部5、7及9。
各处理部5、7及9各自具有两个处理槽5a及5b、7a及7b、9a及9b。另外，在基板处理装置1中具备副搬送机构43，副搬送机构43用于使多张基板W在各处理部5、7及9中的仅各处理槽之间沿图1中的短箭头的方向及范围内移动。另外，该副搬送机构43也使多张基板W上下移动，以将多张基板W浸渍于处理槽5a及5b、7a及7b、9a及9b中、或者将其从上述处理槽提起。各个副搬送机构43设置有对多张基板W进行保持的升降机11、13及15。此外，在基板处理装置1中，为了将多张基板W搬送至各处理部5、7及9中的各自，具备能够在图1中的长箭头的方向及范围内移动的主搬送机构17。
主搬送机构17具有两条可动式的臂17a。在上述臂17a上，设置有用于载置基板W的多个槽(省略图示)，在图1所示的状态下，将各基板W以起立姿势(基板主面的法线沿水平方向的姿势)保持。另外，从图1中的右斜下方观察，主搬送机构17中的两条臂17a自“V”字形向倒“V”字形摇动，由此将各基板W释放。另外，利用该动作，从而可实现在主搬送机构17与升降机11、13及15之间交接基板W。以下，本说明书中，针对将多张基板W从缓冲部2取出、对取出的基板W利用处理部5、7及9进行处理的一系列流程称为批处理。基板处理装置1通过重复执行批处理，从而执行对储存于缓冲部2的基板W的处理。
图2示出基板处理装置1的功能框图的一例。上述主搬送机构17、副搬送机构43、处理部5、7、9通过控制部55而被统一控制。作为控制部55的硬件的构成与通常的计算机相同。即，控制部55具备：进行各种运算处理的CPU；存储基本程序的读取专用的存储器即ROM；存储各种信息的读写自由的存储器即RAM；以及，预先存储控制用应用程序、数据等的磁盘；等等。本实施方式中，控制部55的CPU执行规定的程序，由此，以将基板W搬送至各处理部5、7、9，实施与程序相应的处理的方式控制各部。上述程序存储于存储部57。
图3为示出基板处理装置1的处理部5、7、9中的与各处理槽5a、7a、9a的处理液的控制相关的构成的一例的图。图3中，在处理部5、7、9中的各处理槽5a、7a、9a之中，以处理槽7a为例进行说明。与对以下的处理槽7a的处理液的控制等同或类似的控制也适用于其他处理槽5a及9a。
这里，在半导体晶片的制造工序中，例如将硅等的单晶锭沿其棒轴方向切片，针对所得的物体依次实施倒角、摩擦、蚀刻处理、抛光等处理。其结果，在基板表面上形成由不同材料形成的多个层、结构、电路。另外，对于在处理槽7a中进行的基板W的蚀刻处理而言，其是出于例如将残留于基板W的钨等金属除去的目的而实施的，通过将基板W在作为处理液的混酸(磷酸、硝酸、乙酸、纯水)水溶液等中浸渍规定时间来实施。需要说明的是，上述蚀刻处理为“规定的处理”的一例。另外，混酸中的磷酸、硝酸、乙酸为“其他的规定成分”的一例。
图3中，处理槽7a具有由用于在混酸水溶液中浸渍基板W的内槽50a、及对从内槽50a的上部溢出的混酸水溶液进行回收的外槽50b构成的双层槽结构。内槽50a为由对混酸水溶液具有优异的耐腐蚀性的石英或氟树脂材料形成的、俯视时呈矩形的箱形形状部件。外槽50b由与内槽50a同样的材料形成，且以围绕内槽50a的外周上端部的方式设置。
另外，如前文所述，在处理槽7a中设置有用于将基板W浸渍在所贮留的混酸水溶液中的升降机13。升降机13通过3条保持棒将以起立姿势相互平行地排列的多个(例如50张)基板W一并地保持。升降机13以能够通过副搬送机构43而沿上下左右的方向移动的方式设置，能够使所保持的多张基板W在浸渍于内槽50a内的混酸水溶液中的处理位置(图3的位置)与从混酸水溶液中提起的交付位置之间升降、并且能够使其向相邻的处理槽7b移动。
另外，基板处理装置1具备使混酸水溶液在处理槽7a中循环的循环管线20。循环管线20为对从处理槽7a排出的混酸水溶液进行过滤、加热并再次将其压送回流至处理槽7a的配管通路，具体而言，构成为将处理槽7a的外槽50b与内槽50a进行流路连接。另外，从循环管线20发生分支而分支有排液管线30，在将混酸水溶液以使其不返回至处理槽7a的方式排液的情况下，通过对排液切换阀26及排液阀27进行开闭，从而将从外槽50b排出的混酸水溶液直接经由排液管线30废弃。
在循环管线20的通路途中，除阀类以外，自上游侧起还设置有循环泵21、温度控制器22、过滤器23、及作为检测部的浓度计24。循环泵21将混酸水溶液经由循环管线20从外槽50b吸入，并且向内槽50a压送。温度控制器22将在循环管线20中流动的混酸水溶液再加热至规定的处理温度。需要说明的是，在处理槽7a中也设置有省略图示的加热器，贮留于处理槽7a的混酸水溶液也被以维持在规定的处理温度的方式加热。过滤器23为用于将在循环管线20中流动的混酸水溶液中的异物除去的过滤器。
另外，浓度计24对利用循环管线20而被回收至内槽50a的混酸水溶液的成分之中的、纯水浓度进行测定。处理槽7a内的混酸浓度被控制，以使得利用该浓度计24测得的纯水浓度成为最优值。这里，浓度计24为“检测部”的一例，利用浓度计24测定纯水浓度的处理为“检测工序”的一例。另外，对处理槽7a内的混酸浓度进行控制的处理通过控制部55来进行。更具体而言，控制部55进行涉及下述内容的处理：处理槽7a内的混酸水溶液的全液更换控制；混酸水溶液的浓度的反馈控制；处理槽7a内的混酸水溶液因蒸发等而减少的情况下的纯水或混酸水溶液的补充；等等。进行全液更换控制的控制部55为“处理液更换部”的一例，其处理为“处理液更换工序”的一例。
接下来，针对具有上述构成的基板处理装置1的作用更详细地进行说明。首先，无论是否在贮留于处理槽7a的混酸水溶液中浸渍有基板W，循环泵21总是以一定流量来压送混酸水溶液。通过循环管线20而被回流至处理槽7a的混酸水溶液从内槽50a的底部被供给。由此，在内槽50a的内部产生从底部朝向上方的混酸水溶液的上升流。从底部供给的混酸水溶液最终从内槽50a的上端部溢出并流入外槽50b。流入至外槽50b的混酸水溶液从外槽50b经由循环管线20被送至循环泵21，再次被压送回流至处理槽7a，这样的循环工序持续进行。
在执行上述这样的利用循环管线20进行的混酸水溶液的循环工序的同时，于交付位置接收了多个基板W的升降机13下降至处理位置，将基板W浸渍在贮留于内槽50a内的混酸水溶液中。由此，在规定时间的处理得以实施、处理结束之后，升降机13再次上升至交付位置而将基板W从混酸水溶液提起。此后，升降机13进行水平移动及下降从而将基板W浸渍在相邻的处理槽7b中，实施水洗处理。
除上述以外，在基板处理装置1中，还具备用于对处理槽7a的混酸水溶液的浓度进行控制的浓度控制装置40。该浓度控制装置40具有：药液供给源41；将药液供给源41与处理槽7a连接的药液管线42；纯水供给源46；和将纯水供给源46与处理槽7a连接的纯水管线47。
这里，虽未图示，在药液供给源41上，独立地设置有对构成混酸的磷酸、硝酸、乙酸中的各自进行供给的供给源，在药液管线42上，独立地设置有将磷酸、硝酸、乙酸中的各自向处理槽7a导入的管线。最初生成处理液时，由于需要供给速度，因此从粗的配管向内槽50a投入处理液，而对处理液进行补充时，有时朝向外槽50b进行补充。在药液管线42的各个管线上，具备能够分别对所通过的药液(磷酸、硝酸、乙酸)的流量进行测定的药液流量计44、和能够对磷酸、硝酸、乙酸中各自的流量进行调节的药液补充阀45。另一方面，在纯水管线47上，具备对在纯水管线47中通过的纯水的流量进行测定的纯水流量计48、和对纯水的流量进行调节的纯水补充阀49。另外，上述控制部55基于浓度计24的测定结果对药液补充阀45及纯水补充阀49进行控制，以使处理槽7a内的混酸水溶液的浓度成为最适于处理的浓度的方式进行控制。以下，在本说明书中，将最适于处理的浓度的范围称为“规定浓度范围”。
在处理槽7a中，水分随时间而蒸发，由此，混酸水溶液中的纯水的浓度降低。因此，浓度控制装置40例如通过将适量(例如，100ml)的纯水供给至处理槽7a从而使纯水浓度上升，将这种控制以规定的间隔进行重复。利用该控制，处理槽7a中的混酸水溶液的浓度被维持在规定值以上。另外，由于对一次所供给的纯水量进行了规定，因此，纯水浓度也不会变得高于允许范围内。另外，浓度控制装置40进行下述控制，即，当由于基板W的重复处理、混酸水溶液构成成分的蒸发等而使得处理槽7a内的混酸水溶液的量低于规定量时，则控制纯水补充阀49以补充纯水，或者控制药液补充阀45以补充药液。
若基板W的蚀刻处理重复进行，则混酸水溶液内从基板W溶出的金属离子的浓度上升，因此，有时对蚀刻处理的品质产生影响。因此，在对蚀刻处理的品质产生影响前，将处理槽7a内的混酸水溶液进行全液更换。全液更换的间隔例如预先利用实验等来确定。该全液更换之间的期间可认为是基板处理装置1中的混酸水溶液的使用期。基板处理装置1中，对于处理槽7a内的混酸水溶液而言，处于使用期内的情况下，控制部55控制浓度控制装置40以实施混酸水溶液的浓度控制，而在使用期到期时，控制部55实施处理槽7a内的混酸水溶液的全液更换。
图4为示出对处理槽7a内的混酸水溶液进行全液更换的时机的一例的图。通常，基板处理装置1的控制部55在混酸水溶液的使用期到期时实施处理槽7a内的混酸水溶液的全液更换(图4，常规模式)。然而，在实施全液更换之后不立即开始基板W的处理的情况下，在直至基板W的处理开始为止的期间，存在因混酸水溶液的构成成分的蒸发、分解等而使混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外的可能性。此外，若在自实施全液更换起至开始下一批处理为止的期间混酸水溶液的使用期到期，则也会发生该混酸水溶液未用于基板W的处理而被全液更换。因此，在混酸水溶液的使用期到期的情况下，控制部55将混酸水溶液的全液更换延期至下一批处理的处理开始的时间点(图4，节能模式A，节能模式B)。在图4的节能模式A中，控制部55将全液更换的实施延期至下一批处理开始的时机。在图4的节能模式B中，控制部55将全液更换的实施延期至将要利用处理槽7a对基板W进行处理之前的时机。例如，在节能模式B中，在从缓冲部2取出基板W的时间点，不实施全液更换，在将要利用处理槽7a对基板W进行处理之前实施处理槽7a的全液更换。即，在节能模式A中，以下一批处理开始为契机来实施全液更换，在节能模式B中，以利用处理槽7a对基板W进行处理为契机实施处理槽7a的全液更换。以下，在本说明书中，在不对节能模式A和节能模式B进行区分的情况下，称为节能模式。将从使用期的到期起至通过节能模式所延期的全液更换被实施为止的期间称为延期期间。将使用期到期之前的期间称为常规期间。对全液更换进行延期的控制部55为“延期部”的一例，其处理为“延期工序”的一例。
在全液更换中，处理槽7a内的混酸水溶液被更换为浓度被调节至规定浓度范围内的混酸水溶液。因此，在延期期间中，也认为无需利用控制部55进行处理槽7a内的混酸水溶液的浓度控制。然而，在延期期间中不进行浓度控制的情况下，在延期期间中浓度发生了变动的混酸水溶液通过循环泵21被从处理槽7a压送至循环管线20。因此，在全液更换后，也存在循环管线20内残留有浓度发生了变动的混酸水溶液的可能性。残留于循环管线20内的混酸水溶液被压送至处理槽7a，由此，实施了全液更换的处理槽7a内的混酸水溶液的浓度存在发生变动的可能性。此外，浓度变动的结果，还存在处理槽7a内的混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外的可能性。
因此，在实施方式涉及的基板处理装置1中，在延期期间中，控制部55也基于浓度计24的测定结果来控制药液补充阀45及纯水补充阀49，以使得处理槽7a内的混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围内的方式进行控制。即，控制部55将在常规期间中实施的浓度控制在延期期间也继续实施。在常规期间中，将所实施的浓度控制在延期期间也继续实施的控制部55为“浓度控制部”的一例，其处理为“浓度控制工序”的一例。
图5为示出实施方式中的混酸水溶液的浓度控制的一例的图。如图5所例示的那样，在使用期到期之前的期间(图5的常规期间)，控制部55以使得处理槽7a内的混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围内的方式进行控制。此外，控制部55在将全液更换延期的期间(图5的延期期间)也以使得处理槽7a内的混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围内的方式进行控制。在浓度的控制中，例如进行下述处理：控制药液补充阀45而向处理槽7a补充药液的处理；控制纯水补充阀49而向处理槽7a补充纯水的处理。在浓度控制中的纯水、药液的补充中，例如，可以以规定的间隔时间(interval)来补充适量的纯水及药液中的至少一者，也可以基于浓度计24的测定结果来控制向处理槽7a供给的纯水及药液中的至少一者的量。在浓度控制中，还进行下述处理：利用温度控制器22、设置于处理槽7a的加热器将混酸水溶液再加热处理至适于处理的处理温度。另外，也可以构成为用户能够经由基板处理装置1所具备的用户界面来选择在延期期间中实施的浓度控制的处理内容。例如，作为延期期间中实施的浓度控制的处理内容，也可以选择再加热处理和以规定的间隔时间向处理槽7a补充纯水的处理，在延期期间中执行所选择的处理。
图6为示出实施方式的浓度控制中所实施的纯水的补充的一例的图。在图6的上段(标注为“间隔”的段)中，例示了纯水被补充的间隔时间(间隔)，在图6的下段(标注为“补充”的段)中，例示了所补充的纯水的量和时机。即，图6中，例示了以规定的间隔时间(间隔)补充适量的纯水的情形。在图6的虚线部位处，基板处理装置1从常规期间过渡为延期期间，而在其前后，补充纯水的间隔时间及纯水的补充量没有变动。即，实施方式涉及的基板处理装置1的控制部55进行控制以使得在延期期间也继续实施在常规期间中实施的纯水的补充。
图7为示出在实施方式的浓度控制中所实施的混酸水溶液的补充的一例的图。图7的上段(标注为“外槽定量液位”的段)中，示出了处理槽7a的外槽50b内的混酸水溶液的液面的高度是否达到规定的定量液位。对于规定的定量液位而言，例如，可基于能够适当地实施利用处理槽7a对基板W进行处理的混酸水溶液的液面高度来确定。换言之，在液面的高度达到定量液位的情况下，能够判断为适于对基板W进行处理的量的混酸水溶液已贮留于处理槽7a。图7的“ON”例示达到规定的定量液位的状态，“OFF”例示未达到规定的定量液位的状态。在图7的下段(标注为“液位补充”的段)中，例示所补充的混酸水溶液的量和时机。即，图7中，在外槽50b的混酸水溶液的液面的高度未达到定量液位的情况下，混酸水溶液向内槽50a或外槽50b补充直至达到定量液位。在图7的虚线部位处，基板处理装置1从常规期间过渡为延期期间，在常规期间及延期期间中的任意中，若外槽50b内的混酸水溶液的液面的高度变得未达到规定的定量液位，则向内槽50a或外槽50b进行混酸水溶液的补充。即，实施方式涉及的基板处理装置1的控制部55在延期期间也继续实施在常规期间中实施的混酸水溶液的补充。
这里，在如使用期到期时那样混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外的情况下，控制部55抑制批处理的执行。通过这样的处理，基板处理装置1能够抑制对基板W进行的蚀刻处理的品质降低。在以常规模式运转的基板处理装置1中，例如，如图8所例示的那样，若混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围外，则批处理的执行被抑制，若通过全液更换而使得混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围内，则批处理的执行的抑制被解除。
然而，在节能模式中，全液更换在批处理开始后实施。因此，若在延期期间中抑制批处理的执行，则如图9所例示的那样，全液更换将不再实施，难以使混酸水溶液的浓度成为规定浓度范围内。因此，存在基板W的处理停止的可能性。因此，如图10所例示的那样，对于控制部55而言，在延期期间中，不抑制批处理的执行而通知浓度的异常。浓度异常的通知例如通过向基板处理装置1所具备的显示装置输出警告讯息、输出警报音等来进行。浓度异常的通知例如通过处理槽7a内的混酸水溶液的全液更换而被解除。通过这样的处理，能够抑制节能模式中的基板W的处理的停止。对批处理的执行进行抑制的控制部55为“抑制部”的一例，其处理为“抑制工序”的一例。
在上述实施方式中，针对在混酸水溶液的构成成分之中、通过供给纯水来控制纯水浓度的例子进行了说明，但也可以通过供给混酸水溶液的其他规定成分、即磷酸、硝酸、乙酸中的任意成分来进行混酸的浓度控制。另外，上述实施方式中，对处理液为混酸水溶液的情况进行了说明，但公开的技术也能够适用于磷酸等其他处理液。
另外，上述实施方式中，浓度计24为在线式(inline)的浓度计，但也可以采用取样式的浓度计。另外，为了进行混酸水溶液的浓度控制，也可以不对纯水等成分的浓度进行检测，而是通过对pH、电导率等与浓度相关性高的其他参数进行检测，从而换算为浓度。另外，在上述实施方式中，纯水的补充在处理槽7a的内槽50a中进行，但也可以构成为将其在外槽50b中进行。此外，在上述实施方式中，纯水等的补充量的控制利用纯水补充阀49的开闭来进行，但也可以构成为利用泵的控制来补充适量纯水等。
附图标记说明
1···基板处理装置
2···缓冲部
3···基板搬出搬入口
5、7、9···处理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b···处理槽
11、13、15···升降机
17···主搬送机构
20···循环管线
24···浓度计
40···浓度控制装置
43···副搬送机构
50a···内槽
50b···外槽
55···控制部
57···存储部

Claims (14)

1.基板处理装置，其特征在于，通过在包含一种以上的药液及纯水的处理液中浸渍基板从而对所述基板进行规定的处理，所述基板处理装置具备：
处理槽，其贮留有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述处理液；
处理液更换部，当所述处理槽中的所述处理液的使用期到期时，所述处理液更换部对所述处理液进行更换；
检测部，其对所述处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测；
浓度控制部，其在所述使用期到期之前的期间，将所述浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内；和
延期部，其将利用所述处理液更换部进行的所述处理液的更换延期至所述规定的处理的开始时，
在通过所述延期部而使得所述处理液的更换被延期的期间，所述浓度控制部也将所述浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述规定的处理利用批处理控制来进行。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述浓度控制部将所述处理液的温度控制在适于所述规定的处理的温度范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液为包含磷酸、硝酸、乙酸中的至少一者及纯水的混酸水溶液，
所述浓度控制部通过向所述混酸水溶液供给纯水，从而将所述混酸水溶液的纯水浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浓度控制部通过以规定间隔向所述处理槽供给规定量的纯水，从而将所述纯水浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浓度控制部在所述处理槽内的处理液的液面的高度不满足适于所述规定的处理的高度的情况下向所述处理槽补充所述处理液。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其还具备抑制部，所述抑制部在通过所述检测部检测到的所述浓度脱离适于所述规定的处理的浓度范围的情况下，抑制所述规定的处理的开始，
所述抑制部在所述延期部将所述处理液的更换延期的期间，不执行抑制所述规定的处理的开始的处理。
8.基板处理方法，其特征在于，通过在包含一种以上的药液及纯水的处理液中浸渍基板从而对所述基板进行规定的处理，所述基板处理方法包括下述工序：
处理液更换工序，当所述处理槽中的所述处理液的使用期到期时，对所述处理液进行更换；
检测工序，对所述处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测；
浓度控制工序，在所述使用期到期之前的期间，将所述浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内；和
延期工序，将所述处理液更换工序中的所述处理液的更换延期至所述规定的处理的开始时，
所述浓度控制工序包括下述处理：在所述延期工序中所述处理液的更换被延期的期间，也将所述浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定的处理利用批处理控制来进行。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，在所述浓度控制工序中，将所述处理液的温度控制在适于所述规定的处理的温度范围内。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液为包含磷酸、硝酸、乙酸中的至少一者及纯水的混酸水溶液，
在所述浓度控制工序中，通过向所述混酸水溶液供给纯水，从而将所述混酸水溶液的纯水浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，在所述浓度控制工序中，以规定间隔向所述处理槽供给规定量的所述纯水，从而将所述纯水浓度控制在适于所述规定的处理的浓度范围内。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述浓度控制工序中，在所述处理槽内的处理液不满足规定量的情况下，向所述处理槽补充所述处理液。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括抑制工序，在通过所述检测工序检测到的所述浓度脱离适于所述规定的处理的浓度范围的情况下，抑制所述规定的处理的开始，
在所述抑制工序中，在所述延期部将所述处理液的更换延期的期间，不执行进行所述抑制的处理。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114999899A (zh) * 2022-08-08 2022-09-02 广州粤芯半导体技术有限公司 一种晶圆清洗方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023135013A (ja) 2022-03-15 2023-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150095A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法
US20020001967A1 (en) * 1999-03-30 2002-01-03 Kenji Yokomizo Etching method and etching apparatus
US20020159010A1 (en) * 2001-04-26 2002-10-31 Nec Corporation Liquid crystal display device and manufacturing method of same
JP2003086563A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2003168644A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成の処理パラメータの決定方法及び塗布膜形成装置
JP2004111668A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Citizen Watch Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US20040140365A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US20050230045A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Hisashi Okuchi Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device
US20060137712A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Yukihisa Wada Cleaning apparatus and method for electronic device
JP2008028280A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液置換方法
JP2008084954A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR100901460B1 (ko) * 2008-01-10 2009-06-08 세메스 주식회사 처리액 제공 장치 및 이를 이용한 처리액 교체 방법
US20150361341A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-17 Tao Ye High-efficiency High-quality and Safe Alkaline Cupric Chloride Etchant for Printed Circuit Board
JP2016111265A (ja) * 2014-12-09 2016-06-20 株式会社荏原製作所 バフ処理装置、および、基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261613A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000164550A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5046683B2 (ja) * 2007-02-28 2012-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR20090038220A (ko) * 2007-10-15 2009-04-20 세메스 주식회사 반도체 제조 설비의 약액 교환 방법
JP2010278386A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP6074338B2 (ja) 2013-08-27 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6352143B2 (ja) * 2013-11-13 2018-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6947346B2 (ja) * 2016-09-23 2021-10-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150095A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法
US20020001967A1 (en) * 1999-03-30 2002-01-03 Kenji Yokomizo Etching method and etching apparatus
US20020159010A1 (en) * 2001-04-26 2002-10-31 Nec Corporation Liquid crystal display device and manufacturing method of same
JP2003086563A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2003168644A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成の処理パラメータの決定方法及び塗布膜形成装置
JP2004111668A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Citizen Watch Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US20040140365A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US20050230045A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Hisashi Okuchi Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device
US20060137712A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Yukihisa Wada Cleaning apparatus and method for electronic device
JP2008028280A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液置換方法
JP2008084954A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR100901460B1 (ko) * 2008-01-10 2009-06-08 세메스 주식회사 처리액 제공 장치 및 이를 이용한 처리액 교체 방법
US20150361341A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-17 Tao Ye High-efficiency High-quality and Safe Alkaline Cupric Chloride Etchant for Printed Circuit Board
JP2016111265A (ja) * 2014-12-09 2016-06-20 株式会社荏原製作所 バフ処理装置、および、基板処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
招霖济;肖俊贤;李景超;: "玻璃减薄蚀刻工序产生的含氟废水处理工艺研究", 化工管理, no. 16, 1 June 2016 (2016-06-01) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114999899A (zh) * 2022-08-08 2022-09-02 广州粤芯半导体技术有限公司 一种晶圆清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI679696B (zh) 2019-12-11
JP7004144B2 (ja) 2022-01-21
KR20200060484A (ko) 2020-05-29
WO2019082662A1 (ja) 2019-05-02
TW201923878A (zh) 2019-06-16
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