JP2019079954A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019079954A JP2019079954A JP2017206295A JP2017206295A JP2019079954A JP 2019079954 A JP2019079954 A JP 2019079954A JP 2017206295 A JP2017206295 A JP 2017206295A JP 2017206295 A JP2017206295 A JP 2017206295A JP 2019079954 A JP2019079954 A JP 2019079954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- concentration
- predetermined
- substrate
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 276
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 121
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 102
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 95
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 40
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 9
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000009049 secondary transport Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
理液交換部による処理液の交換を所定の処理の開始時まで延期する延期部と、を備える。さらに、濃度制御部は、延期部によって処理液の交換が延期されている間も、濃度を所定の処理に適した濃度範囲内に制御する。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図1は実施形態に係る基板処理装置1の概略構成の一例を示す斜視図である。この基板処理装置1は、主として基板Wに対してエッチング処理や洗浄処理(以下、単に“処理”ともいう)を施すものである。基板処理装置1においては、図1において右奥側に、基板Wをストックするバッファ部2が配置され、バッファ部2のさらに右奥側には、基板処理装置1を操作するための正面パネル(不図示)が設けられている。また、バッファ部2における正面パネルと反対側には、基板搬出入口3が設けられている。また、基板処理装置1の長手方向における、バッファ部2の反対側(図1において左手前側)から、基板Wに対して処理を行う処理部5、7及び9が並設されている。
搬送機構17における二本のアーム17aは、図1中の右斜め下方向から見て、「V」の字状から逆「V」の字状に揺動することにより、各基板Wを開放する。そして、この動作により、基板Wは、主搬送機構17とリフタ11、13及び15との間で授受されることが可能となっている。以下、本明細書において、複数枚の基板Wをバッファ部2から取り出し、取り出した基板Wに対して処理部5、7及び9による処理を行う一連の流れを、バッチとも称する。基板処理装置1は、繰り返しバッチを実行することで、バッファ部2にストックされた基板Wに対する処理を実行する。
槽7aに圧送還流させる配管経路であり、具体的には処理槽7aの外槽50bと内槽50aとを流路接続して構成されている。また、循環ライン20から分岐して排液ライン30が分岐しており、混酸水溶液を処理槽7aに戻さず排液する場合には、排液切換えバルブ26及び、排液バルブ27を開閉することにより、外槽50bから排出された混酸水溶液をそのまま排液ライン30を介して廃棄する。
ときは、供給速度が必要となるので太い配管から内槽50aに向けて処理液が投入されるが、処理液を補充するときは外槽50bに向けて補充され場合がある。薬液ライン42の各々のラインには、通過する薬液(リン酸、硝酸、酢酸)の流量を各々測定可能な薬液流量計44と、リン酸、硝酸、酢酸の各々の流量を調整可能な薬液補充バルブ45が備えられている。一方、純水ライン47には、純水ライン47を通過する純水の流量を測定する純水流量計48と、純水の流量を調整する純水補充バルブ49が備えられている。また、前述の制御部55が濃度計24の測定結果に基づいて薬液補充バルブ45及び、純水補充バルブ49を制御し、処理槽7a内の混酸水溶液の濃度を、処理に最適な濃度となるように制御する。以下、本明細書において、処理に最適な濃度の範囲を「規定濃度範囲」と称する。
る制御部55は、「延期部」の一例であり、その処理は「延期工程」の一例である。
N」は所定の定量レベルに達している状態を例示し、「OFF」は所定の定量レベルに達していない状態を例示する。図7の下段(レベル補充と表記された段)では補充される混酸水溶液の量とタイミングが例示される。すなわち、図7では、外槽50bの混酸水溶液の液面の高さが定量レベルに達していない場合、定量レベルに達するまで混酸水溶液が内槽50aまたは外槽50bに対して補充される。図7の点線箇所において、基板処理装置1は通常期間から延期期間に遷移しているが、通常期間および延期期間のいずれにおいても外槽50b内の混酸水溶液の液面の高さが所定の定量レベルに達しなくなると内槽50aまたは外槽50bに対して混酸水溶液の補充が行われる。すなわち、実施形態に係る基板処理装置1の制御部55は、通常期間において実施する混酸水溶液の補充を延期期間にも継続して実施する。
2・・・バッファ部
3・・・基板搬出入口
5,7,9・・・処理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b・・・処理槽
11、13、15・・・リフタ
17・・・主搬送機構
20・・・循環ライン
24・・・濃度計
40・・・濃度制御装置
43・・・副搬送機構
50a・・・内槽
50b・・・外槽
55・・・制御部
57・・・記憶部
Claims (14)
- 一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に前記所定の処理を行うための前記処理液が貯留された処理槽と、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムが経過すると前記処理液を交換する処理液交換部と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出部と、
前記ライフタイムが経過するまでの間、前記濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御する濃度制御部と、
前記処理液交換部による前記処理液の交換を前記所定の処理の開始時まで延期する延期部と、を備え、
前記濃度制御部は、前記延期部によって前記処理液の交換が延期されている間も、前記濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御することを特徴とする、
基板処理装置。 - 前記所定の処理はバッチ制御により行われることを特徴とする、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記濃度制御部は、前記処理液の温度を前記所定の処理に適した温度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御部は、前記混酸水溶液に純水を供給することで前記混酸水溶液の純水濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記濃度制御部は、所定間隔で所定量の純水を前記処理槽に供給することで、前記純水濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記濃度制御部は、前記処理槽内の処理液の液面の高さが前記所定の処理に適した高さに満たない場合、前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記検出部によって検出された前記濃度が前記所定の処理に適した濃度範囲から逸脱した場合、前記所定の処理の開始を抑制する抑制部をさらに備え、
前記抑制部は、前記延期部が前記処理液の交換を延期している間は、前記所定の処理の開始を抑制する処理を実行しない、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムが経過すると前記処理液を交換する処理液交換工程と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出工程と、
前記ライフタイムが経過するまでの間、前記濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御する濃度制御工程と、
前記処理液交換工程における前記処理液の交換を前記所定の処理の開始時まで延期する延期工程と、を含み、
前記濃度制御工程は、前記延期工程において前記処理液の交換が延期されている間も、前記濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御する処理を含むことを特徴とする、
基板処理方法。 - 前記所定の処理はバッチ制御により行われることを特徴とする、
請求項8に記載の基板処理方法。 - 前記濃度制御工程においては、前記処理液の温度を前記所定の処理に適した温度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項8または9に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御工程においては、前記混酸水溶液に純水を供給することで前記混酸水溶液の純水濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項8乃至10のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記濃度制御工程においては、所定間隔で所定量の前記純水を前記処理槽に供給することで、前記純水濃度を前記所定の処理に適した濃度範囲内に制御することを特徴とする、
請求項11に記載の基板処理方法。 - 前記濃度制御工程においては、前記処理槽内の処理液が規定量に満たない場合、前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする、
請求項8乃至12のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記検出工程によって検出された前記濃度が前記所定の処理に適した濃度範囲から逸脱した場合、前記所定の処理の開始を抑制する抑制工程をさらに含み、
前記抑制工程においては、前記延期部が前記処理液の交換を延期している間は、前記抑制する処理を実行しないことを特徴とする、
請求項8乃至13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017206295A JP7004144B2 (ja) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 基板処理装置および基板処理方法 |
PCT/JP2018/037812 WO2019082662A1 (ja) | 2017-10-25 | 2018-10-10 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN201880068938.3A CN111263975A (zh) | 2017-10-25 | 2018-10-10 | 基板处理装置及基板处理方法 |
KR1020207012440A KR102323310B1 (ko) | 2017-10-25 | 2018-10-10 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW107137102A TWI679696B (zh) | 2017-10-25 | 2018-10-22 | 基板處理裝置與基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017206295A JP7004144B2 (ja) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019079954A true JP2019079954A (ja) | 2019-05-23 |
JP7004144B2 JP7004144B2 (ja) | 2022-01-21 |
Family
ID=66246493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017206295A Active JP7004144B2 (ja) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7004144B2 (ja) |
KR (1) | KR102323310B1 (ja) |
CN (1) | CN111263975A (ja) |
TW (1) | TWI679696B (ja) |
WO (1) | WO2019082662A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230134989A (ko) | 2022-03-15 | 2023-09-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114999899A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-09-02 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 一种晶圆清洗方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10261613A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000164550A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008084954A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP2010278386A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20150361341A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | Tao Ye | High-efficiency High-quality and Safe Alkaline Cupric Chloride Etchant for Printed Circuit Board |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3254519B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理方法及び洗浄処理システム |
US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
JP2002328396A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2003086563A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP4033729B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2008-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成の処理パラメータの決定方法及び塗布膜形成装置 |
JP2004111668A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Citizen Watch Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20040140365A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
JP4393260B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-01-06 | 株式会社東芝 | エッチング液管理方法 |
JP2006186065A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP2008028280A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び処理液置換方法 |
JP5046683B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-10-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
KR20090038220A (ko) * | 2007-10-15 | 2009-04-20 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 설비의 약액 교환 방법 |
KR100901460B1 (ko) * | 2008-01-10 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 처리액 제공 장치 및 이를 이용한 처리액 교체 방법 |
JP6074338B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体 |
JP6502633B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2019-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP6352143B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2016111265A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社荏原製作所 | バフ処理装置、および、基板処理装置 |
JP6947346B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2017
- 2017-10-25 JP JP2017206295A patent/JP7004144B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-10 KR KR1020207012440A patent/KR102323310B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-10 CN CN201880068938.3A patent/CN111263975A/zh active Pending
- 2018-10-10 WO PCT/JP2018/037812 patent/WO2019082662A1/ja active Application Filing
- 2018-10-22 TW TW107137102A patent/TWI679696B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10261613A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000164550A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008084954A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP2010278386A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20150361341A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | Tao Ye | High-efficiency High-quality and Safe Alkaline Cupric Chloride Etchant for Printed Circuit Board |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230134989A (ko) | 2022-03-15 | 2023-09-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201923878A (zh) | 2019-06-16 |
TWI679696B (zh) | 2019-12-11 |
KR20200060484A (ko) | 2020-05-29 |
CN111263975A (zh) | 2020-06-09 |
JP7004144B2 (ja) | 2022-01-21 |
WO2019082662A1 (ja) | 2019-05-02 |
KR102323310B1 (ko) | 2021-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6940232B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3074366B2 (ja) | 処理装置 | |
KR102135000B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US10832924B2 (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
JP6858036B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6294256B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
US11185896B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon | |
KR20200054102A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
WO2019082662A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102611293B1 (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 | |
KR102337608B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP7253895B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI839145B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TW202338961A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
CN114446824A (zh) | 衬底处理装置及衬底处理方法 | |
CN116889994A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7004144 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |