JP7412134B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を、枚葉式の基板処理部においてＢＨＦ（バッファードフッ酸）で液処理する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２０１４－４１９９４号公報
本開示は、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、基板処理部と、排液部と、制御部とを備える。基板処理部は、載置された基板に処理液供給部から処理液を供給して液処理する。排液部は、前記処理液を貯留する貯留部に接続される回収路を有し、前記液処理に使用された前記処理液を排液する。制御部は、前記液処理の処理レシピと、前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄レシピとを実行する。また、前記制御部は、前記洗浄レシピとして、洗浄液供給部から洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作を実行した後、前記処理液供給部から前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作を実行する。
本開示によれば、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る貯留部の配管構成を示す模式図である。 図５は、実施形態に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。 図６Ａは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その１）である。 図６Ｂは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その２）である。 図６Ｃは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その３）である。 図６Ｄは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その４）である。 図６Ｅは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その５）である。 図６Ｆは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その６）である。 図６Ｇは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その７）である。 図７は、実施形態に係る復帰動作の時間とその後の処理レシピにおけるエッチングレートの変化量との関係を示す図である。 図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。 図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。 図１０は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を、枚葉式の基板処理部においてＢＨＦ（バッファードフッ酸）で液処理する技術が知られている。なお、ＢＨＦとは、ＨＦ（フッ酸）とＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）との混合液である。
かかるＢＨＦによる液処理では、液処理の際に飛散して基板処理部に付着したＢＨＦが結晶化し、この結晶がパーティクルとしてウェハに付着するという問題が起こる場合がある。そこで、ＤＩＷ（脱イオン水）などの洗浄液で結晶化したＢＨＦを定期的に洗浄処理することにより、ＢＨＦに起因するパーティクルがウェハに付着することを抑制している。
また、ＢＨＦは比較的高価な薬液であることから、一度液処理に使用したＢＨＦを排液部から貯留部に回収し、使用済みのＢＨＦを再度液処理に使用する場合がある。
しかしながら、洗浄処理後の基板処理部や排液部には洗浄液（ＤＩＷ）が付着して残っていることから、ＢＨＦをこのＤＩＷと一緒に貯留部に回収した場合、ＢＨＦの濃度が低下する恐れがある。そして、ＢＨＦの濃度が低下した場合、ＢＨＦによる液処理の性能が悪化する恐れがあった。
そこで、上述の問題点を克服し、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる技術が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、排液部５０とを備える。
チャンバ２０は、基板処理部３０と液供給部４０と排液部５０の少なくとも一部とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
ＦＦＵ２１は、バルブ２２を介してダウンフローガス供給源２３に接続される。ＦＦＵ２１は、ダウンフローガス供給源２３から供給されるダウンフローガス（たとえば、ドライエア）をチャンバ２０内に吐出する。
基板処理部３０は、回転保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。回転保持部３１は、チャンバ２０の略中央に設けられる。回転保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって回転保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。
支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された回転保持部３１を回転させ、これにより、回転保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
液供給部４０は、第１液供給部４０ａと、第２液供給部４０ｂとを含む。第１液供給部４０ａは、基板処理部３０に保持されたウェハＷに対して各種の処理液を供給する。かかる第１液供給部４０ａは、ノズル４１ａ～４１ｃと、ノズル４１ａ～４１ｃを水平に支持するアーム４２ａと、アーム４２ａを旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａとを備える。
ノズル４１ａ～４１ｃは、処理液供給部の一例である。ノズル４１ａからは、第１のフッ酸濃度を有する第１のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。ノズル４１ｂからは、第２のフッ酸濃度を有する第２のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。
ノズル４１ｃからは、第３のフッ酸濃度を有する第３のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。第１～第３のＢＨＦは、処理液の一例である。かかるノズル４１ａ～４１ｃを含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。
第２液供給部４０ｂは、基板処理部３０に保持されたウェハＷに対してＤＩＷを供給する。かかる第２液供給部４０ｂは、ノズル４１ｄと、ノズル４１ｄを水平に支持するアーム４２ｂと、アーム４２ｂを旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ｂとを備える。
ノズル４１ｄからは、図示しないＤＩＷ供給路を介して供給されるＤＩＷがウェハＷのおもて面に吐出される。ＤＩＷは、洗浄液の一例であり、ノズル４１ｄは、洗浄液供給部の一例である。
回転保持部３１の周縁部には、回転保持部３１とともに一体的に回転する第１、第２回転カップ３４、３５が設けられる。図２に示すように、第２回転カップ３５は、第１回転カップ３４よりも内側に配置される。
これら第１回転カップ３４や第２回転カップ３５は、全体的にはリング状に形成される。第１、第２回転カップ３４、３５は、回転保持部３１とともに回転させられると、回転するウェハＷから飛散した処理液を排液部５０へ案内する。
排液部５０は、回転保持部３１によって保持され回転するウェハＷの回転中心に近い内側から順に、第１カップ５０ａと、第２カップ５０ｂと、第３カップ５０ｃと、ミストガード５０ｅを備える。また、排液部５０は、底部５３と、内壁部５４ｄと、排液路５９ａ～５９ｃと、回収路６４ａ～６４ｃ（図３参照）とをさらに備える。
内壁部５４ｄは、第１カップ５０ａの内周側に配置され、ウェハＷの回転中心を中心とする円筒状の部材である。第１～第３カップ５０ａ～５０ｃ、ミストガード５０ｅおよび内壁部５４ｄは、排液部５０の底部５３の上に設けられる。
第１カップ５０ａは、第１周壁部５４ａと、第１液受部５５ａとを備える。第１周壁部５４ａは、底部５３から立設されるとともに、筒状（たとえば円筒状）に形成される。第１周壁部５４ａと内壁部５４ｄとの間には空間が形成され、かかる空間は、処理液などを回収して排出するための第１排液溝５８ａとされる。第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１の上方に設けられる。
また、第１カップ５０ａは、第１昇降機構５６を備え、かかる第１昇降機構５６によって第１液受部５５ａが昇降可能に構成される。詳しくは、第１昇降機構５６は、第１支持部材５６ａと、第１昇降駆動部５６ｂとを備える。
第１支持部材５６ａは、複数（たとえば３本。図２では１本のみ図示）の長尺状の部材である。第１支持部材５６ａは、第１周壁部５４ａ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第１支持部材５６ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限定されるものではない。
第１支持部材５６ａは、上端が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１から露出するように位置されるとともに、第１液受部５５ａの下面に接続されて第１液受部５５ａを下方から支持する。一方、第１支持部材５６ａの下端には、第１昇降駆動部５６ｂが接続される。
第１昇降駆動部５６ｂは、第１支持部材５６ａをたとえばＺ軸方向に昇降させ、これにより第１支持部材５６ａは、第１液受部５５ａを第１周壁部５４ａに対して昇降させる。なお、第１昇降駆動部５６ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第１昇降駆動部５６ｂは、制御装置４によって制御される。
第１昇降駆動部５６ｂによって駆動される第１液受部５５ａは、回転するウェハＷから飛散した処理液を受ける処理位置と、処理位置から下方側に退避した退避位置との間で移動させられることとなる。
詳しくは、第１液受部５５ａが処理位置にある場合、第１液受部５５ａの上端の内側に開口が形成され、開口から第１排液溝５８ａへと通じる流路が形成される。
他方、図２に示すように、内壁部５４ｄは、回転保持部３１の周縁部へ向けて傾斜するようにして延設される延設部５４ｄ１を備える。第１液受部５５ａは、退避位置にあるとき、内壁部５４ｄの延設部５４ｄ１に当接し、上端内側の開口が閉じて第１排液溝５８ａへと通じる流路が閉塞される。
第２カップ５０ｂは、第１カップ５０ａと同様な構成とされる。具体的には、第２カップ５０ｂは、第２周壁部５４ｂと、第２液受部５５ｂと、第２昇降機構５７とを備え、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａ側に隣接して配置される。
第２周壁部５４ｂは、底部５３において第１周壁部５４ａの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第２周壁部５４ｂと第１周壁部５４ａとの間に形成される空間が、処理液などを回収して排出するための第２排液溝５８ｂとされる。
第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａの外周側に位置されるとともに、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１の上方に設けられる。
第２昇降機構５７は、第２支持部材５７ａと、第２昇降駆動部５７ｂとを備える。第２支持部材５７ａは、複数（たとえば３本。図２では１本のみ図示）の長尺状の部材であり、第２周壁部５４ｂ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第２支持部材５７ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限られない。
第２支持部材５７ａは、上端が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１から露出するように位置されるとともに、第２液受部５５ｂの下面に接続されて第２液受部５５ｂを下方から支持する。なお、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１は、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に対して鉛直方向において下方となるように位置される。
第２支持部材５７ａの下端には、第２昇降駆動部５７ｂが接続される。第２昇降駆動部５７ｂは、第２支持部材５７ａをたとえばＺ軸方向に昇降させる。これにより、第２支持部材５７ａは、第２液受部５５ｂを第２周壁部５４ｂに対して昇降させる。
なお、第２昇降駆動部５７ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第２昇降駆動部５７ｂも、制御装置４によって制御される。
そして、第２液受部５５ｂも処理位置と退避位置との間で移動させられることとなる。詳しくは、第２液受部５５ｂが処理位置にあり、かつ、第１液受部５５ａが退避位置にあるとき、第２液受部５５ｂの上端の内側に開口が形成され、開口から第２排液溝５８ｂへと通じる流路が形成される。
他方、図２に示すように、第２液受部５５ｂは、退避位置にあるとき、第１液受部５５ａに当接し、上端内側の開口が閉じて第２排液溝５８ｂへと通じる流路が閉塞される。なお、上記では、退避位置の第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａに当接するようにしたが、これに限られず、たとえば内壁部５４ｄに当接して上端内側の開口を閉じるようにしてもよい。
第３カップ５０ｃは、第３周壁部５４ｃと、第３液受部５５ｃとを備え、第２カップ５０ｂに対して第１カップ５０ａとは反対側に隣接して配置される。第３周壁部５４ｃは、底部５３において第２周壁部５４ｂの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第３周壁部５４ｃと第２周壁部５４ｂとの間の空間が、処理液などを回収して排出するための第３排液溝５８ｃとされる。
第３液受部５５ｃは、第３周壁部５４ｃの上端から連続するように形成される。第３液受部５５ｃは、回転保持部３１に保持されたウェハＷの周囲を囲むとともに、第１液受部５５ａや第２液受部５５ｂの上方まで延びるように形成される。
第３液受部５５ｃは、図２に示すように、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂがともに退避位置にあるとき、第３液受部５５ｃの上端の内側に開口が形成され、開口から第３排液溝５８ｃへと通じる流路が形成される。
一方、第３液受部５５ｃは、第２液受部５５ｂを上昇させた位置にある場合、または第１液受部５５ａおよび第２液受部５５ｂの両方を上昇させた位置にある場合、第２液受部５５ｂが当接し、上端内側の開口が閉じて第３排液溝５８ｃへと通じる流路が閉塞される。
上記した第１～第３カップ５０ａ～５０ｃに対応する底部５３、正確には第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃに対応する底部５３にはそれぞれ、排液口５１ａ～５１ｃが、排液部５０の円周方向に沿って間隔をあけつつ形成される。
排液口５１ａは、排液路５９ａに接続され、排液口５１ｂは、排液路５９ｂに接続され、排液口５１ｃは、排液路５９ｃに接続される。かかる排液路５９ａ～５９ｃを含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。
そして、基板処理システム１は、基板処理を行う際、基板処理中の各処理にて使用する処理液の種類などに応じて、第１カップ５０ａの第１液受部５５ａや第２カップ５０ｂの第２液受部５５ｂを昇降させ、排液口５１ａ～５１ｃの切り替えを実行する。
たとえば、第１のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１カップ５０ａおよび第２カップ５０ｂを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ、５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ、５７ａを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置まで上昇させることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５８ａへと通じる流路を形成しておく。
これにより、ウェハＷに供給された第１のＢＨＦは、第１排液溝５８ａに流れ込むこととなる。
また、たとえば第２のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第２カップ５０ｂのみを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第２昇降駆動部５７ｂを介して第２支持部材５７ａを上昇させ、第２液受部５５ｂを処理位置まで上昇させることで、第２液受部５５ｂの上端内側の開口から第２排液溝５８ｂへと通じる流路を形成しておく。
なお、ここで第１カップ５０ａは、下降しているものとする。これにより、ウェハＷに供給された第２のＢＨＦは、第２排液溝５８ｂに流れ込むこととなる。
また、たとえば第３のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１、第２カップ５０ａ、５０ｂを下降させておく（図２参照）。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ、５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ、５７ａを下降させ、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂを退避位置まで下降させる。
このようにすることで、第３液受部５５ｃの上端内側の開口から第３排液溝５８ｃへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷに供給された第３のＢＨＦは、第３排液溝５８ｃに流れ込むこととなる。
ミストガード５０ｅは、外周筒部５０ｅ１と、この外周筒部５０ｅ１の上端部から外周筒部５４ｅの（半径方向）内側に向かって延びて第３カップ５０ｃの上方に張り出す張出部５０ｅ２とを有する。ミストガード５０ｅは、図示しない昇降機構により昇降可能に構成される。
制御部１８（図１参照）は、ミストガード５０ｅを高い位置に配置することにより、回転するウェハＷから飛散する処理液のミストがチャンバ２０の側壁に到達することを抑制することができる。
排液部５０の底部５３、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂにはそれぞれ、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃが形成される。また、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、１本の排気管６０に接続され、かかる排気管６０にはバルブ６１が介挿される。そして、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃおよび排気管６０を介してチャンバ２０内の雰囲気が排気される。
＜基板処理システムの配管構成＞
次に、基板処理システム１の配管構成について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。
図３に示すように、処理ユニット１６の排液口５１ａ（図２参照）に接続される排液路５９ａは、濃度センサ６２ａを介して切替バルブ６３ａに接続される。濃度センサ６２ａは、排液路５９ａを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。
切替バルブ６３ａには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ａが接続される。かかる切替バルブ６３ａは、排液路５９ａに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ａに切替可能に構成される。そして、制御部１８（図１参照）は、切替バルブ６３ａを制御することにより、排液路５９ａを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ａに切り替えることができる。
また、回収路６４ａは、第１のＢＨＦを貯留する貯留部７０ａに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ａを制御して排液路５９ａと回収路６４ａとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第１のＢＨＦを貯留部７０ａに回収することができる。
そして、貯留部７０ａには供給路４４ａが接続され、かかる供給路４４ａは、バルブ４５ａおよび流量調整器４６ａを介してノズル４１ａに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ａに貯留された第１のＢＨＦをノズル４１ａからウェハＷに吐出することができる。なお、貯留部７０ａの詳細については後述する。
また、チャンバ２０内におけるノズル４１ａの待機位置の下方には、待機部６５ａが設けられる。待機部６５ａは、ノズル４１ａに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ａから吐出される第１のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第１のＢＨＦを排液路５９ａにおける濃度センサ６２ａの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ａの排液路は、排液路５９ａに接続される。
また、処理ユニット１６の排液口５１ｂ（図２参照）に接続される排液路５９ｂは、濃度センサ６２ｂを介して切替バルブ６３ｂに接続される。濃度センサ６２ｂは、排液路５９ｂを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。
切替バルブ６３ｂには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ｂが接続される。かかる切替バルブ６３ｂは、排液路５９ｂに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｂに切替可能に構成される。そして、制御部１８は、切替バルブ６３ｂを制御することにより、排液路５９ｂを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｂに切り替えることができる。
また、回収路６４ｂは、第２のＢＨＦを貯留する貯留部７０ｂに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ｂを制御して排液路５９ｂと回収路６４ｂとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第２のＢＨＦを貯留部７０ｂに回収することができる。
そして、貯留部７０ｂには供給路４４ｂが接続され、かかる供給路４４ｂは、バルブ４５ｂおよび流量調整器４６ｂを介してノズル４１ｂに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ｂに貯留された第２のＢＨＦをノズル４１ｂからウェハＷに吐出することができる。
また、チャンバ２０内におけるノズル４１ｂの待機位置の下方には、待機部６５ｂが設けられる。待機部６５ｂは、ノズル４１ｂに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ｂから吐出される第２のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第２のＢＨＦを排液路５９ｂにおける濃度センサ６２ｂの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ｂの排液路は、排液路５９ｂに接続される。
さらに、処理ユニット１６の排液口５１ｃ（図２参照）に接続される排液路５９ｃは、濃度センサ６２ｃを介して切替バルブ６３ｃに接続される。濃度センサ６２ｃは、排液路５９ｃを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。
切替バルブ６３ｃには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ｃが接続される。かかる切替バルブ６３ｃは、排液路５９ｃに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｃに切替可能に構成される。そして、制御部１８は、切替バルブ６３ｃを制御することにより、排液路５９ｃを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｃに切り替えることができる。
また、回収路６４ｃは、第３のＢＨＦを貯留する貯留部７０ｃに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ｃを制御して排液路５９ｃと回収路６４ｃとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第３のＢＨＦを貯留部７０ｃに回収することができる。
そして、貯留部７０ｃには供給路４４ｃが接続され、かかる供給路４４ｃは、バルブ４５ｃおよび流量調整器４６ｃを介してノズル４１ｃに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ｃに貯留された第３のＢＨＦをノズル４１ｃからウェハＷに吐出することができる。
また、チャンバ２０内におけるノズル４１ｃの待機位置の下方には、待機部６５ｃが設けられる。待機部６５ｃは、ノズル４１ｃに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ｃから吐出される第３のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第３のＢＨＦを排液路５９ｃにおける濃度センサ６２ｃの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ｃの排液路は、排液路５９ｃに接続される。
図４は、実施形態に係る貯留部７０ａの配管構成を示す模式図である。なお、貯留部７０ｂおよび貯留部７０ｃの配管構成は、以下に説明する貯留部７０ａの配管構成と同様であることから、貯留部７０ｂおよび貯留部７０ｃの配管構成については説明を省略する。
貯留部７０ａは、ＢＨＦ供給路７１ａと、タンク７４ａと、循環路７５ａとを有する。ＢＨＦ供給路７１ａは、未使用の第１のＢＨＦをタンク７４ａに供給する。
ＢＨＦ供給路７１ａは、上流側から順にＢＨＦ供給源７２ａと、バルブ７３ａとを有する。ＢＨＦ供給源７２ａは、たとえば、未使用の第１のＢＨＦを貯留するタンクである。
タンク７４ａは、ＢＨＦ供給路７１ａから供給される第１のＢＨＦを貯留する。また、タンク７４ａは、排液路５９ａおよび回収路６４ａを介して回収された使用済みの第１のＢＨＦを貯留する。
循環路７５ａは、タンク７４ａから出て、かかるタンク７４ａに戻る循環路である。循環路７５ａには、タンク７４ａを基準として、上流側から順にポンプ７６ａと、フィルタ７７ａと、ヒータ７８ａと、バルブ７９ａと、切替バルブ８０ａと、濃度センサ８１ａと、切替バルブ８２ａとが設けられる。
ポンプ７６ａは、タンク７４ａから出て、循環路７５ａを通り、タンク７４ａに戻る第１のＢＨＦの循環流を形成する。フィルタ７７ａは、循環路７５ａ内を循環する第１のＢＨＦに含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。
ヒータ７８ａは、循環路７５ａ内を循環する第１のＢＨＦを昇温する。濃度センサ８１ａは、循環路７５ａを流れる第１のＢＨＦ中のフッ酸濃度を検出することができる。
また、切替バルブ８０ａの上流側にはＤＩＷ供給源８３ａが接続されるとともに、切替バルブ８２ａの下流側はドレイン部ＤＲに接続される。そして、制御部１８（図１参照）は、ＤＩＷ供給源８３ａが濃度センサ８１ａを介してドレイン部ＤＲに接続されるように切替バルブ８０ａ、８２ａを制御することにより、ＤＩＷで濃度センサ８１ａの内部を洗浄することができる。
したがって、実施形態によれば、ＤＩＷで濃度センサ８１ａの内部を洗浄することにより、濃度センサ８１ａを較正することができる。
また、タンク７４ａは、バルブ８４ａを介してドレイン部ＤＲに接続され、循環路７５ａは、バルブ８５ａを介してドレイン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、タンク７４ａ内や循環路７５ａ内の第１のＢＨＦを交換する際などに、バルブ８４ａ、８５ａを制御して、タンク７４ａ内や循環路７５ａ内の第１のＢＨＦをドレイン部ＤＲに排出することができる。
また、循環路７５ａにおけるヒータ７８ａとバルブ７９ａとの間から、供給路４４ａが分岐する。かかる供給路４４ａは、循環路７５ａとノズル４１ａ（図３参照）との間に介設され、循環路７５ａでフィルトレーション処理および温度調整処理された第１のＢＨＦを処理ユニット１６に供給する。
＜基板処理＞
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１における各処理の詳細について、図５～図７を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。
図５に示すように、実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６において、ウェハＷに対して第１～第３のＢＨＦのいずれか一つを用いた液処理が、使用されるＢＨＦに応じた処理レシピＳ１で連続的に実行される。
なお、実施形態に係る処理レシピＳ１は、ウェハＷの処理順序および処理液の種類を含み、記憶部１９（図１参照）にあらかじめ記憶されている。すなわち、実施形態に係る処理レシピＳ１は、異なる種類のＢＨＦに応じて複数用意されている。これにより、異なる種類のＢＨＦにそれぞれ最適化された液処理を処理ユニット１６で実施することができる。
また、図５の例では、対象となる洗浄レシピＳ２の前に実施される液処理の処理レシピＳ１を処理レシピＳ１ａとし、対象となる洗浄レシピＳ２の後に実施される液処理の処理レシピＳ１を処理レシピＳ１ｂとする。
そして、基板処理システム１では、処理ユニット１６において、くり返し行われる処理レシピＳ１の合間に、洗浄レシピＳ２を実行する。かかる洗浄レシピＳ２は、洗浄動作Ｓ３と、復帰動作Ｓ４とを含む。
洗浄動作Ｓ３は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給して、基板処理部３０および排液部５０を洗浄する。これにより、かかる洗浄動作Ｓ３を実行するまでの処理レシピＳ１ａにおいて基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。
復帰動作Ｓ４は、たとえば、次の処理レシピＳ１ｂで使用されるＢＨＦ（以下、「次工程のＢＨＦ」とも呼称する。）を処理液供給部（たとえば、ノズル４１ａ～４１ｃ）から供給し、基板処理部３０及び排液部５０に付着するＤＩＷを次工程のＢＨＦに置換する。
すなわち、実施形態では、復帰動作Ｓ４において、洗浄動作Ｓ３の後に基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷを次工程のＢＨＦで共洗いする。これにより、洗浄動作Ｓ３の後に基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ～７０ｃに回収されることを抑制することができる。
したがって、実施形態によれば、その後の処理レシピＳ１ｂにおいて次工程のＢＨＦを回収しながら液処理したとしても、回収されたＢＨＦの濃度低下を抑制することができることから、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。
また、実施形態では、制御部１８が、処理レシピＳ１に基づいて洗浄レシピＳ２を選択するとよい。たとえば、制御部１８は、処理レシピＳ１で用いられるＢＨＦの種類に基づいて洗浄レシピＳ２を選択するとよい。
つづいては、かかる洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４の詳細について、図６Ａ～図６Ｇを参照しながら説明する。図６Ａ～図６Ｇは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その１～その７）である。
図６Ａに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、回転保持部３１、保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５を洗浄する処理である。この場合、たとえば、回転保持部３１を回転させた状態で、ノズル４１ｄを回転保持部３１の中心部と外周部との間で往復させながら、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給する。
これにより、回転保持部３１および回転保持部３１の外周部に配置される保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５に付着した結晶を除去することができる。
同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、回転保持部３１、保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、たとえば、回転保持部３１を回転させた状態で、ノズル４１ａ～４１ｃ（図２参照）のいずれかを回転保持部３１の中心部と外周部との間で往復させながら、かかるノズルから次工程のＢＨＦを供給する。
これにより、回転保持部３１および回転保持部３１の外周部に配置される保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｂに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、第１排液溝５８ａに洗浄液であるＤＩＷを供給する洗浄液供給部１００を備える。
洗浄液供給部１００は、洗浄液供給路１００ａと、ＤＩＷ供給源１００ｂと、バルブ１００ｃと、流量調整器１００ｄとを備える。洗浄液供給路１００ａは、一端がＤＩＷ供給源１００ｂに接続され、他端が第１カップ５０ａの排液口５１ａに接続される。バルブ１００ｃおよび流量調整器１００ｄは、洗浄液供給路１００ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｂに示す洗浄動作Ｓ３では、バルブ１００ｃを所定時間開放することにより、第１排液溝５８ａにＤＩＷを供給する。これにより、第１排液溝５８ａにＤＩＷが貯留され、第１排液溝５８ａに貯留されたＤＩＷが第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越えて、第２排液溝５８ｂへオーバーフローすることにより、第２排液溝５８ｂにＤＩＷが貯留される。
さらに、第２排液溝５８ｂに貯留されたＤＩＷが第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越えて、第３排液溝５８ｃへオーバーフローすることにより、第３排液溝５８ｃにもＤＩＷが貯留される。
その後、各排液口５１ａ～５１ｃからＤＩＷを排出する。これにより、第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃに付着した結晶を除去することができる。
同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、第１排液溝５８ａに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１０１を備える。
処理液供給部１０１は、処理液供給路１０１ａと、切替バルブ１０１ｂと、流量調整器１０１ｃとを備える。処理液供給路１０１ａは、一端が切替バルブ１０１ｂを介して貯留部７０ａ～７０ｃにそれぞれ接続され、他端が第１カップ５０ａの排液口５１ａに接続される。切替バルブ１０１ｂおよび流量調整器１０１ｃは、処理液供給路１０１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｂに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１０１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ～７０ｃのいずれかと第１排液溝５８ａとを接続し、次工程のＢＨＦを第１排液溝５８ａに供給する。
これにより、第１排液溝５８ａに次工程のＢＨＦが貯留され、第１排液溝５８ａに貯留された次工程のＢＨＦが第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越えて、第２排液溝５８ｂへオーバーフローすることにより、第２排液溝５８ｂに次工程のＢＨＦが貯留される。
さらに、第２排液溝５８ｂに貯留された次工程のＢＨＦが第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越えて、第３排液溝５８ｃへオーバーフローすることにより、第３排液溝５８ｃにも次工程のＢＨＦが貯留される。
その後、各排液口５１ａ～５１ｃから次工程のＢＨＦを排出する。これにより、第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃに付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｃに示すように、チャンバ２０の内部には、第３カップ５０ｃ（図２参照）とミストガード５０ｅとの間に排気カップ５０ｄが配置される場合がある。排気カップ５０ｄは、外周筒部５０ｄ１と、外周筒部５０ｄ１の上端部から外周筒部５０ｄ１の径方向内側に張り出す張出部５０ｄ２とを備える。なお、排気カップ５０ｄは不動である。
このような場合、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面とを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１１０を備える。
洗浄液供給部１１０は、洗浄液供給路１１０ａと、ＤＩＷ供給源１１０ｂと、バルブ１１０ｃと、流量調整器１１０ｄとを備える。洗浄液供給路１１０ａは、一端がＤＩＷ供給源１１０ｂに接続され、他端が排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に設けられるノズル４１ｅに接続される。バルブ１１０ｃおよび流量調整器１１０ｄは、洗浄液供給路１１０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｃに示す洗浄動作Ｓ３では、ノズル４１ｅからＤＩＷを供給することにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間にＤＩＷを貯留する。その後、図示しない排液経路からＤＩＷを排出する。これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面および排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に付着した結晶を除去することができる。
同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面とを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、ノズル４１ｅに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１１１を備える。
処理液供給部１１１は、処理液供給路１１１ａと、切替バルブ１１１ｂと、流量調整器１１１ｃとを備える。処理液供給路１１１ａは、一端が切替バルブ１１１ｂを介して貯留部７０ａ～７０ｃにそれぞれ接続され、他端がノズル４１ｅに接続される。切替バルブ１１１ｂおよび流量調整器１１１ｃは、処理液供給路１１１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｃに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１１１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ～７０ｃのいずれかとノズル４１ｅとを接続し、次工程のＢＨＦをノズル４１ｅに供給する。
これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間に次工程のＢＨＦを貯留する。その後、図示しない排液経路から次工程のＢＨＦを排出する。これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面および排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｄに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、基板処理部３０の回転保持部３１の下面を洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、回転保持部３１の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１２０を備える。
洗浄液供給部１２０は、ノズル４１ｆを備える。ノズル４１ｆは、たとえば、内壁部５４ｄの上端部に設けられる。また、洗浄液供給部１２０は、洗浄液供給路１２０ａと、ＤＩＷ供給源１２０ｂと、バルブ１２０ｃと、流量調整器１２０ｄとを備える。
洗浄液供給路１２０ａは、一端がＤＩＷ供給源１２０ｂに接続され、他端がノズル４１ｆに接続される。バルブ１２０ｃおよび流量調整器１２０ｄは、洗浄液供給路１２０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｄに示す洗浄動作Ｓ３では、回転する回転保持部３１の下面に対してノズル４１ｆからＤＩＷを供給する。これにより、回転保持部３１の下面に付着した結晶を除去することができる。
同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、基板処理部３０の回転保持部３１の下面を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、ノズル４１ｆに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１２１を備える。
処理液供給部１２１は、処理液供給路１２１ａと、切替バルブ１２１ｂと、流量調整器１２１ｃとを備える。処理液供給路１２１ａは、一端が切替バルブ１２１ｂを介して貯留部７０ａ～７０ｃにそれぞれ接続され、他端がノズル４１ｆに接続される。切替バルブ１２１ｂおよび流量調整器１２１ｃは、処理液供給路１２１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｄに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１２１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ～７０ｃのいずれかとノズル４１ｆとを接続し、次工程のＢＨＦをノズル４１ｆに供給する。そして、回転する回転保持部３１の下面に対してノズル４１ｆから次工程のＢＨＦを供給することより、回転保持部３１の下面に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｅに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、チャンバ２０内に設けられる待機部６５ａ～６５ｃを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、待機部６５ａ～６５ｃに対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１３０を備える。なお、以降においては、理解の容易のため、図６Ｅで図示する待機部６５ａに対する各動作について説明する。
洗浄液供給部１３０は、洗浄液供給路１３０ａと、ＤＩＷ供給源１３０ｂと、バルブ１３０ｃと、流量調整器１３０ｄとを備える。洗浄液供給路１３０ａは、一端がＤＩＷ供給源１３０ｂに接続され、他端が待機部６５ａに接続される。バルブ１３０ｃおよび流量調整器１３０ｄは、洗浄液供給路１３０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｅに示す洗浄動作Ｓ３では、待機部６５ａにＤＩＷを所定時間貯留した後、待機部６５ａから排液路５９ａ（図３参照）にＤＩＷを排出する。これにより、待機部６５ａに付着した結晶を除去することができる。
同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、チャンバ２０内に設けられる待機部６５ａを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、待機部６５ａに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１３１を備える。
処理液供給部１３１は、処理液供給路１３１ａと、バルブ１３１ｂと、流量調整器１３１ｃとを備える。処理液供給路１３１ａは、一端がバルブ１３１ｂを介して対応する貯留部７０ａに接続され、他端が待機部６５ａに接続される。バルブ１３１ｂおよび流量調整器１３１ｃは、処理液供給路１３１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。
図６Ｅに示す復帰動作Ｓ４では、バルブ１３１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａと待機部６５ａとを接続し、次工程のＢＨＦを待機部６５ａに供給する。
そして、待機部６５ａに次工程のＢＨＦを所定時間貯留した後、待機部６５ａから次工程のＢＨＦを排液路５９ａに排出する。これにより、待機部６５ａに付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｆに示すように、チャンバ２０の内部には、ウェハＷの裏面に処理液などを吐出する裏面ノズル４７が配置される場合がある。裏面ノズル４７は、裏面供給部の一例である。裏面ノズル４７は、保持部材３１ａに保持されるウェハＷの裏面に向かい合うように設けられ、上向き方向に処理液などを吐出する。
裏面ノズル４７は、処理液である第１～第３のＢＨＦを吐出する処理液吐出口４７ａと、洗浄液であるＤＩＷを吐出する洗浄液吐出口４７ｂとを有する。かかる裏面ノズル４７が処理ユニット１６に設けられることにより、ウェハＷのおもて面だけでなくウェハＷの裏面もＢＨＦで液処理することができる。
図６Ｆの（ａ）に示す洗浄動作Ｓ３は、たとえば、保持部材３１ａにウェハＷが保持されていない状態で、ノズル４１ｄを裏面ノズル４７の中心部と外周部との間で往復させながら、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給する。これにより、裏面ノズル４７に付着した結晶を除去することができる。
同様に、図６Ｆの（ｂ）に示す復帰動作Ｓ４は、たとえば、裏面ノズル４７を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、たとえば、保持部材３１ａにウェハＷが保持されていない状態で、ノズル４１ａ～４１ｃのいずれか（図ではノズル４１ａ）を裏面ノズル４７の中心部と外周部との間で往復させながら、かかるノズルから次工程のＢＨＦを供給する。これにより、裏面ノズル４７に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
なお、裏面ノズル４７の洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４は、図６Ｆに示した例に限られない。たとえば、図６Ｇの（ａ）に示すように、洗浄液吐出口４７ｂから洗浄液であるＤＩＷを吐出し、かかるＤＩＷを裏面ノズル４７上でオーバーフローさせることにより、裏面ノズル４７の洗浄動作Ｓ３を行ってもよい。これにより、裏面ノズル４７に付着した結晶を除去することができる。
そして、図６Ｇの（ｂ）に示すように、処理液吐出口４７ａから次工程のＢＨＦを吐出し、かかる次工程のＢＨＦを裏面ノズル４７上でオーバーフローさせることにより、裏面ノズル４７の復帰動作Ｓ４を行ってもよい。これにより、裏面ノズル４７に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。
また、図６Ｆに示した洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４と、図６Ｇに示した洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４とを組み合わせた洗浄レシピＳ２を実行してもよい。たとえば、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給して洗浄動作Ｓ３を行った後に、裏面ノズル４７の処理液吐出口４７ａから次工程のＢＨＦを吐出して復帰動作Ｓ４を行ってもよい。
同様に、裏面ノズル４７の洗浄液吐出口４７ｂからＤＩＷを吐出して洗浄動作Ｓ３を行った後に、ノズル４１ａ～４１ｃのいずれかから次工程のＢＨＦを供給して復帰動作Ｓ４を行ってもよい。
なお、ここまで説明した各部における洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４において、制御部１８は、切替バルブ６３ａ～６３ｃ（図３参照）を制御して、排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出するとよい。
図７は、実施形態に係る復帰動作Ｓ４の時間とその後の処理レシピＳ１ｂにおけるエッチングレートの変化量との関係を示す図である。なお、図７には、待機部６５ａ～６５ｃ（図６Ｅ参照）に対する復帰動作Ｓ４と、第１～第３排液溝５８ａ～５８ｃ（図６Ｂ参照）に対する復帰動作Ｓ４についてそれぞれ示している。
図７に示すように、復帰動作Ｓ４の時間が比較的短い場合、その後の処理レシピＳ１においてエッチングレートが大きく低下していることがわかる。これは、復帰動作Ｓ４の時間が比較的短い場合、洗浄動作Ｓ３で使用したＤＩＷが基板処理部３０や排液部５０に比較的多く残っていることから、その後の処理レシピＳ１ｂで回収されたＢＨＦにＤＩＷが混入し、再利用するＢＨＦの濃度が低下することが原因である。
一方で、図７に示すように、復帰動作Ｓ４の時間を長くとることにより、その後の処理レシピＳ１におけるエッチングレートを適正範囲に維持することができる。
すなわち、洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４において排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出することにより、洗浄液であるＤＩＷや、このＤＩＷを含んだＢＨＦが貯留部７０ａ～７０ｃに回収されることを抑制することができる。
また、実施形態では、次工程のＢＨＦに応じた時間の復帰動作Ｓ４を実施することにより、再利用したＢＨＦを用いたとしても、その後の処理レシピＳ１ｂにおけるエッチングレートを適正範囲に維持することができる。
ここまで説明したように、実施形態によれば、回収されたＢＨＦの濃度低下を抑制することができることから、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。
なお、上述の「次工程のＢＨＦに応じた時間の復帰動作Ｓ４」は、次工程の処理レシピＳ１ｂに含まれるＢＨＦの種類に応じて、この種類のＢＨＦに対応する洗浄レシピＳ２にあらかじめ含まれるとよい。すなわち、実施形態において、洗浄レシピＳ２は、かかる洗浄レシピＳ２の次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて選択されるとよい。
たとえば、次工程の処理レシピＳ１ｂにおいて第１のＢＨＦが用いられる場合、制御部１８は、この第１のＢＨＦが復帰動作Ｓ４で使用される洗浄レシピＳ２を記憶部１９から読み出すとよい。この読み出された洗浄レシピＳ２には、第１のＢＨＦに応じた復帰動作Ｓ４の実行時間が含まれている。
このように、次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて洗浄レシピＳ２を選択することにより、次工程の処理レシピＳ１ｂに用いるＢＨＦで基板処理部３０などが置換された状態で、次工程の液処理を開始することができる。したがって、実施形態によれば、処理レシピＳ１ｂで用いるＢＨＦを回収して再度使用する場合に、ＢＨＦの濃度が変化することを抑制することができることから、次工程の液処理を安定して実施することができる。
また、実施形態では、復帰動作Ｓ４において、ノズル４１ａ～４１ｃのいずれか１つから共洗いのために次工程のＢＨＦの吐出する際に、吐出される次工程のＢＨＦを用いてウェハＷの液処理を実施してもよい。
これにより、復帰動作Ｓ４の最中にウェハＷの液処理を実行することができることから、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。
＜各種変形例＞
つづいては、実施形態の各種変形例について、図８および図９を参照しながら説明する。図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。
図８に示すように、変形例１に係る洗浄レシピＳ２は、洗浄動作Ｓ３と復帰動作Ｓ４との間にガスパージ動作Ｓ５を実行する点が実施形態と異なる。この変形例１において、処理ユニット１６は、基板処理部３０および排液部５０にガスをパージするガス供給部（図示せず）を有する。
そして、変形例１では、制御部１８（図１参照）が洗浄動作Ｓ３を実行した後、このガス供給部からガスを供給して基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ動作Ｓ５を実行する。
これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。したがって、実施形態によれば、復帰動作Ｓ４に必要となる時間を短くすることができることから、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。
かかるガスパージ動作Ｓ５において、制御部１８は、ＤＩＷが滞留する部位にガスを供給するとよい。特に、処理ユニット１６内の可動部（たとえば、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂ、第１、第２支持部材５６ａ、５７ａなど）では、狭い隙間にＤＩＷが入りこんで共洗いしても置換されにくいことから、この可動部の近傍にガスパージ動作Ｓ５を実施するとよい。
これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをさらに少なくすることができる。
図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。変形例２に係る洗浄レシピＳ２では、復帰動作Ｓ４の際に、排液路５９ａ～５９ｃ（図３参照）に流れる排液中のフッ酸濃度を濃度センサ６２ａ～６２ｃ（図３参照）で検出する。
そして、制御部１８は、排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度が適正であるか否かを判定する判定動作Ｓ６を実施する。
ここで、復帰動作Ｓ４によって基板処理部３０および排液部５０内のＤＩＷが次工程のＢＨＦに置換され、排液中のフッ酸濃度が適正である場合、制御部１８は、復帰動作Ｓ４を終了して次の処理レシピＳ１ｂを開始する。
この際、制御部１８は、切替バルブ６３ａ～６３ｃ（図３参照）を制御して、排液路５９ａ～５９ｃを流れる排液の排出経路を回収路６４ａ～６４ｃ（図３参照）に切り替える。これにより、次工程のＢＨＦを回収しながら処理レシピＳ１ｂを実行することができる。
一方で、基板処理部３０および排液部５０内のＤＩＷが十分に置換されず、排液中のフッ酸濃度が適正ではない場合、制御部１８は、復帰動作Ｓ４を継続する。
なおこの際、制御部１８は、切替バルブ６３ａ～６３ｃを制御して、排液路５９ａ～５９ｃを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲで維持する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。
すなわち、図９に示す変形例２では、排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度を濃度センサ６２ａ～６２ｃで検出しながら復帰動作Ｓ４を実行することにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。
この変形例２は、たとえば、各種のフッ酸濃度を有するＢＨＦのうち、フッ酸濃度の高いＢＨＦが次工程のＢＨＦである場合に適用することが好ましい。かかるフッ酸濃度の高いＢＨＦでは、微量のＤＩＷが混ざった場合にも、エッチングレートが大きく変化する。すなわち、フッ酸濃度の高いＢＨＦは、フッ酸濃度の低いＢＨＦに比べてＤＩＷに対する感度が高い。
このように、ＤＩＷに対する感度が高いＢＨＦに対して、上記の判定動作Ｓ６を適用することにより、かかるＢＨＦの回収液にＤＩＷが混ざらないようにすることができることから、回収液を用いた液処理を安定して実施することができる。
さらに、フッ酸濃度の高いＢＨＦが次工程のＢＨＦである場合には、変形例２の判定動作Ｓ６に加えて、変形例１のガスパージ動作Ｓ５を適用することが好ましい。これにより、ＢＨＦに混入する可能性のあるＤＩＷの量自体をガスパージ動作Ｓ５で減らせることから、回収液を用いた液処理をさらに安定して実施することができる。
実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部３０と、排液部５０と、制御部１８とを備える。基板処理部３０は、載置された基板（ウェハＷ）に処理液供給部から処理液を供給して液処理する。排液部５０は、処理液を貯留する貯留部７０ａ～７０ｃに接続される回収路６４ａ～６４ｃを有し、液処理に使用された処理液を排液する。制御部１８は、液処理の処理レシピＳ１と、基板処理部３０および排液部５０を洗浄する洗浄レシピＳ２とを実行する。また、制御部１８は、洗浄レシピＳ２として、洗浄液供給部から洗浄液を供給して基板処理部３０および排液部５０を洗浄する洗浄動作Ｓ３を実行した後、処理液供給部から処理液を供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液を処理液に置換する復帰動作Ｓ４を実行する。これにより、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、処理レシピＳ１は、基板（ウェハＷ）の処理順序および処理液の種類を含む。これにより、異なる種類の処理液にそれぞれ最適化された液処理を処理ユニット１６で実施することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、洗浄レシピＳ２は、処理レシピＳ１に含まれる処理液の種類に基づいて選択される。これにより、次工程の液処理を安定して実施することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、洗浄レシピＳ２は、かかる洗浄レシピＳ２の次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて選択される。これにより、次工程の液処理を安定して実施することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、排液部５０は、処理液を外部に排出するドレイン部ＤＲを有する。そして、制御部１８は、洗浄レシピＳ２を実行する間、排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、排液部５０は、処理液の濃度を検出する濃度センサ６２ａ～６２ｃを有する。そして、制御部１８は、濃度センサ６２ａ～６２ｃで検出される処理液の濃度に基づいて、復帰動作Ｓ４を終了する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部３０および排液部にガスを供給するガス供給部を備える。そして、制御部１８は、洗浄動作Ｓ３を実行した後、ガスを供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液をパージするガスパージ動作Ｓ５を実行する。これにより、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、ガスパージ動作Ｓ５として、洗浄液が滞留する部位にガスを供給する。これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液をさらに少なくすることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、処理液供給部が待機する待機部６５ａ～６５ｃを備え、待機部６５ａ～６５ｃの排液路は、排液部５０の排液路５９ａ～５９ｃに接続される。そして、制御部１８は、待機部６５ａ～６５ｃについて、基板処理部３０と同様の洗浄レシピＳ２を実行する。これにより、待機部６５ａ～６５ｃに付着するＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板（ウェハＷ）の裏面側に処理液を吐出する裏面供給部（裏面ノズル４７）を備える。そして、制御部１８は、裏面供給部（裏面ノズル４７）に洗浄レシピＳ２を実行する。これにより、裏面ノズル４７に付着するＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。
＜基板処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
最初に、制御部１８は、次に実行予定の処理レシピＳ１ｂに基づいて、洗浄レシピＳ２を選択する洗浄レシピ選択処理を実施する（ステップＳ１０１）。たとえば、制御部１８は、次に実行予定の処理レシピＳ１ｂに含まれる次工程のＢＨＦと、同じ種類のＢＨＦが含まれる洗浄レシピＳ２を選択する。
ここで、選択された洗浄レシピＳ２がレシピＡである場合（ステップＳ１０２，レシピＡ）、制御部１８は、選択されたレシピＡに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０３）。かかるレシピＡは、たとえば、次工程のＢＨＦが第１のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。
また、このステップＳ１０３は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０３により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。
次に、制御部１８は、選択されたレシピＡに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１０４）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ～７０ｃに回収されることを抑制することができる。
そして、ステップＳ１０４の処理が予めレシピＡにおいて定められた時間実施され、かかる処理が終了すると、制御部１８は、一連の処理を終了する。
一方で、ステップＳ１０１において選択された洗浄レシピＳ２がレシピＢである場合（ステップＳ１０２，レシピＢ）、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０５）。かかるレシピＢは、たとえば、次工程のＢＨＦが第２のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。
また、このステップＳ１０５は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０５により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。
次に、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、処理ユニット１６内に設けられるガス供給部からガスを供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ処理を実施する（ステップＳ１０６）。これにより、次に実施する復帰処理の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。
次に、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１０７）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ～７０ｃに回収されることを抑制することができる。
そして、ステップＳ１０７の処理が予めレシピＢにおいて定められた時間実施され、かかる処理が終了すると、制御部１８は、一連の処理を終了する。
また、ステップＳ１０１において選択された洗浄レシピＳ２がレシピＣである場合（ステップＳ１０２，レシピＣ）、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０８）。かかるレシピＣは、たとえば、次工程のＢＨＦが第３のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。
また、このステップＳ１０８は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０８により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。
次に、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、処理ユニット１６内に設けられるガス供給部からガスを供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ処理を実施する（ステップＳ１０９）。これにより、次に実施する復帰処理の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。
次に、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１１０）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ～７０ｃに回収されることを抑制することができる。
次に、制御部１８は、排液路５９ａ～５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度が適正であるか否かを判定する（ステップＳ１１１）。
そして、排液中のフッ酸濃度が適正である場合（ステップＳ１１１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、一連の処理を終了する。一方で、排液中のフッ酸濃度が適正ではない場合（ステップＳ１１１，Ｎｏ）、制御部１８は、ステップＳ１１０の処理を継続する。
ここまで説明したように、実施形態に係る基板処理方法では、処理レシピＳ１ｂに応じて洗浄レシピＳ２（レシピＡ～レシピＣ）を選択することにより、処理レシピＳ１ｂで用いられるＢＨＦの種類に応じた最適な洗浄処理を実施することができる。
実施形態に係る基板処理方法は、液処理工程と、洗浄工程とを含む。液処理工程は、基板処理部３０に載置された基板（ウェハＷ）に処理液供給部（ノズル４１ａ～４１ｃ）から処理液を供給するとともに、使用された処理液を排液部５０から貯留部７０ａ～７０ｃに回収する処理レシピＳ１を実行する。洗浄工程は、液処理工程の際に基板処理部３０および排液部５０に付着した処理液を洗浄する洗浄レシピＳ２を実行する。洗浄工程は、洗浄液を供給して基板処理部３０および排液部を洗浄する洗浄動作Ｓ３と、処理液を供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液を処理液に置換する復帰動作Ｓ４と、を含む。これにより、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、洗浄液にＤＩＷを用い、処理液にＢＨＦを用いた場合について示したが、実施形態に係る洗浄液および処理液はかかる例に限られない。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ（基板の一例）
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板処理部
４１ａ～４１ｃ ノズル（処理液供給部の一例）
５０ 排液部
５９ａ～５９ｃ 排液路
６２ａ～６２ｃ 濃度センサ
６４ａ～６４ｃ 回収路
６５ａ～６５ｃ 待機部
７０ａ～７０ｃ 貯留部
Ｓ１、Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ 処理レシピ
Ｓ２ 洗浄レシピ
Ｓ３ 洗浄動作
Ｓ４ 復帰動作
Ｓ５ ガスパージ動作

Claims (9)

  1. 載置された基板に処理液供給部から処理液を供給して液処理する基板処理部と、
    前記処理液を貯留する貯留部に接続される回収路を有し、前記液処理に使用された前記処理液を排液する排液部と、
    前記液処理の処理レシピと、前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄レシピとを実行する制御部と、
    を備え、
    前記排液部は、前記基板処理部に接続される排液路に、前記処理液の濃度を検出する濃度センサを有し、
    前記排液路は、前記濃度センサを介して切替バルブに接続され、
    前記切替バルブは、前記排液路を流れる排液の排出経路を、前記処理液を外部に排出するドレイン部または前記回収路に切り替えることができ、
    前記制御部は、
    前記洗浄レシピとして、洗浄液供給部から洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作を実行した後、前記処理液供給部から前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作を実行し、
    前記洗浄レシピを実行する間、前記排液部に流れる排液を前記ドレイン部から外部に排出し、
    前記濃度センサで検出される前記処理液の濃度に基づいて、前記切替バルブを前記ドレイン部から前記回収路に切り替えることで前記復帰動作を終了する
    基板処理装置。
  2. 前記処理レシピは、前記基板の処理順序および前記処理液の種類を含む
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記洗浄レシピは、前記処理レシピに含まれる前記処理液の種類に基づいて選択される
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記洗浄レシピは、当該洗浄レシピの次工程の前記処理レシピに基づいて選択される
    請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板処理部および前記排液部にガスを供給するガス供給部を備え、
    前記制御部は、前記洗浄動作を実行した後、前記ガスを供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液をパージするガスパージ動作を実行する
    請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、前記ガスパージ動作として、前記洗浄液が滞留する部位に前記ガスを供給する
    請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記処理液供給部が待機する待機部を備え、
    前記待機部の排液路は、前記排液部の排液路に接続され、
    前記制御部は、前記待機部について、前記基板処理部と同様の前記洗浄レシピを実行する
    請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記基板の裏面側に前記処理液を吐出する裏面供給部を備え、
    前記制御部は、前記裏面供給部に前記洗浄レシピを実行する
    請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 基板処理部に載置された基板に処理液供給部から処理液を供給するとともに、使用された前記処理液を排液部から貯留部に回収する処理レシピを実行する液処理工程と、
    前記液処理工程の際に前記基板処理部および前記排液部に付着した前記処理液を洗浄する洗浄レシピを実行する洗浄工程と、
    を含み、
    前記排液部は、前記基板処理部に接続される排液路に、前記処理液の濃度を検出する濃度センサを有し、
    前記排液路は、前記濃度センサを介して切替バルブに接続され、
    前記切替バルブは、前記排液路を流れる排液の排出経路を、前記処理液を外部に排出するドレイン部または前記貯留部に接続される回収路に切り替えることができ、
    前記洗浄工程は、
    洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作と、前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作と、を含み、
    前記洗浄レシピを実行する間、前記排液部に流れる排液を前記ドレイン部から外部に排出し、
    前記濃度センサで検出される前記処理液の濃度に基づいて、前記切替バルブを前記ドレイン部から前記回収路に切り替えることで前記復帰動作を終了する
    基板処理方法。
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