CN112786485A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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CN112786485A CN202011147776.8A CN202011147776A CN112786485A CN 112786485 A CN112786485 A CN 112786485A CN 202011147776 A CN202011147776 A CN 202011147776A CN 112786485 A CN112786485 A CN 112786485A
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processing
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小佐井一树
篠原和义
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理部、排液部以及控制部。基板处理部从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理。排液部具有与积存处理液的积存部连接的回收路径，对液处理使用后的处理液进行排液。控制部执行液处理的处理制程以及清洗基板处理部和排液部的清洗制程。另外，作为清洗制程，控制部在执行了从清洗液供给部供给清洗液而清洗基板处理部和排液部的清洗动作之后，执行从处理液供给部供给处理液而将附着于基板处理部和排液部的清洗液置换成处理液的恢复动作。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，公知有在单张式的基板处理部中以BHF(缓冲氢氟酸)对半导体晶圆(以下，也称为晶圆。)等基板进行液处理的技术(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-41994号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理部、排液部以及控制部。基板处理部从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理。排液部具有与积存所述处理液的积存部连接的回收路径，对所述液处理使用后的所述处理液进行排液。控制部执行所述液处理的处理制程以及清洗所述基板处理部和所述排液部的清洗制程。另外，作为所述清洗制程，所述控制部在执行了从清洗液供给部供给清洗液而清洗所述基板处理部和所述排液部的清洗动作之后，执行从所述处理液供给部供给所述处理液而将附着于所述基板处理部和所述排液部的所述清洗液置换成所述处理液的恢复动作。
发明的效果
根据本公开，能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的概略构成的示意图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构例的示意图。
图3是表示实施方式的基板处理系统的配管构成的示意图。
图4是表示实施方式的积存部的配管构成的示意图。
图5是用于说明实施方式的基板处理系统中的处理的流程的图。
图6A是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其1)。
图6B是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其2)。
图6C是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其3)。
图6D是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其4)。
图6E是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其5)。
图6F是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其6)。
图6G是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其7)。
图7是表示实施方式的恢复动作的时间与之后的处理制程中的蚀刻速度的变化量之间的关系的图。
图8是用于说明实施方式的变形例1的基板处理系统中的处理的流程的图。
图9是用于说明实施方式的变形例2的基板处理系统中的处理的流程的图。
图10是表示实施方式的基板处理系统所执行的基板处理的顺序的流程图。
附图标记说明
W、晶圆(基板的一个例子)；1、基板处理系统(基板处理装置的一个例子)；16、处理单元；18、控制部；30、基板处理部；41a～41c、喷嘴(处理液供给部的一个例子)；50、排液部；59a～59c、排液路径；62a～62c、浓度传感器；64a～64c、回收路径；65a～65c、待机部；70a～70c、积存部；S1、S1a、S1b、处理制程；S2、清洗制程；S3、清洗动作；S4、恢复动作；S5、气体吹扫动作。
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，本公开并不被以下所示的各实施方式限定。另外，需要留意的是，附图是示意性的，存在各要素的尺寸的关系、各要素的比例等与现实不同的情况。而且，存在如下情况：在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比例不同的部分。
以往，公知有在单张式的基板处理部中利用BHF(缓冲氢氟酸)对半导体晶圆(以下，也称为晶圆。)等基板进行液处理的技术。此外，BHF是HF(氢氟酸)和NH4F(氟化铵)的混合液。
在由该BHF进行的液处理中，有时产生如下问题：在进行液处理之际飞散而附着到基板处理部的BHF结晶化，该结晶作为微粒而附着于晶圆。因此，利用DIW(脱离子水)等清洗液定期地对已结晶化的BHF进行清洗处理，从而抑制由BHF引起的微粒附着于晶圆。
另外，BHF是比较高价的化学溶液，因此，存在如下情况：将液处理用过一次的BHF从排液部向积存部回收，将使用过的BHF再次用于液处理。
然而，清洗液(DIW)附着而残留于清洗处理后的基板处理部、排液部，因此，在将BHF与该DIW一起回收到积存部的情况下，BHF的浓度有可能降低。并且，在BHF的浓度降低了的情况下，由BHF进行的液处理的性能有可能恶化。
因此，期待如下技术：能够克服上述的问题点，抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化。
＜基板处理系统的概要＞
最初，一边参照图1，一边对实施方式的基板处理系统1的概略构成进行说明。图1是表示实施方式的基板处理系统1的概略构成的图。此外，基板处理系统1是基板处理装置的一个例子。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
送入送出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11载置有以水平状态收容多张基板、在实施方式中是半导体晶圆W(以下，称为晶圆W。)的多个承载件C。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动以及能够以铅垂轴线为中心回转，该基板输送装置13使用晶圆保持机构而在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。
输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动以及能够以铅垂轴线为中心回转，该基板输送装置17使用晶圆保持机构而在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19储存有对要在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行被存储到存储部19的程序，来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序可以是记录于可由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，送入送出站2的基板输送装置13从载置到承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，并将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置到交接部14的晶圆W由处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16送入。
送入到处理单元16的晶圆W在由处理单元16进行了处理之后，由基板输送装置17从处理单元16送出而载置于交接部14。然后，载置到交接部14的处理完毕的晶圆W利用基板输送装置13返回承载件载置部11的承载件C。
＜处理单元的结构＞
接着，一边参照图2一边对处理单元16的结构进行说明。图2是表示处理单元16的具体的结构例的示意图。如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板处理部30、液供给部40以及排液部50。
腔室20收容基板处理部30、液供给部40以及排液部50的至少一部分。在腔室20的顶部设置有FFU(风机过滤单元，Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
FFU21经由阀22与下降流气体供给源23连接。FFU21向腔室20内喷出从下降流气体供给源23供给的下降流气体(例如干燥空气)。
基板处理部30具备旋转保持部31、支柱部32以及驱动部33，对所载置的晶圆W实施液处理。旋转保持部31设置于腔室20的大致中央。在旋转保持部31的上表面设置有从侧面保持晶圆W的保持构件31a。晶圆W由该保持构件31a以与旋转保持部31的上表面稍微地分开了的状态水平保持。
支柱部32是在铅垂方向上延伸的构件，基端部被支承成能够利用驱动部33旋转，在顶端部处水平地支承旋转保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴线旋转。
该基板处理部30通过使用驱动部33而使支柱部32旋转，从而使支承到支柱部32的旋转保持部31旋转，由此，使保持到旋转保持部31的晶圆W旋转。
液供给部40包括第1液供给部40a和第2液供给部40b。第1液供给部40a向保持到基板处理部30的晶圆W供给各种处理液。该第1液供给部40a具备喷嘴41a～41c、水平地支承喷嘴41a～41c的臂42a、以及使臂42a回转和升降的回转升降机构43a。
喷嘴41a～41c是处理液供给部的一个例子。从喷嘴41a向晶圆W的表面喷出具有第1氢氟酸浓度的第1BHF。从喷嘴41b向晶圆W的表面喷出具有第2氢氟酸浓度的第2BHF。
从喷嘴41c向晶圆W的表面喷出具有第3氢氟酸浓度的第3BHF。第1BHF～第3BHF是处理液的一个例子。后述包括该喷嘴41a～41c在内的基板处理系统1的配管构成。
第2液供给部40b向保持到基板处理部30的晶圆W供给DIW。该第2液供给部40b具备喷嘴41d、水平地支承喷嘴41d的臂42b、以及使臂42b回转和升降的回转升降机构43b。
从喷嘴41d向晶圆W的表面喷出经由未图示的DIW供给路径供给的DIW。DIW是清洗液的一个例子，喷嘴41d是清洗液供给部的一个例子。
在旋转保持部31的周缘部设置有与旋转保持部31一起一体地旋转的第1旋转杯34、第2旋转杯35。如图2所示，第2旋转杯35配置于比第1旋转杯34靠内侧的位置。
这些第1旋转杯34、第2旋转杯35整体上形成为环状。在使第1旋转杯34、第2旋转杯35与旋转保持部31一起旋转时，第1旋转杯34、第2旋转杯35使从旋转的晶圆W飞散开的处理液向排液部50引导。
排液部50从靠近由旋转保持部31保持并旋转的晶圆W的旋转中心的内侧起依次具备第1杯50a、第2杯50b、第3杯50c以及防雾罩50e。另外，排液部50还具备底部53、内壁部54d、排液路径59a～59c以及回收路径64a～64c(参照图3)。
内壁部54d配置于第1杯50a的内周侧，是以晶圆W的旋转中心为中心的圆筒状的构件。第1杯50a～第3杯50c、防雾罩50e以及内壁部54d设置于排液部50的底部53之上。
第1杯50a具备第1周壁部54a和第1承液部55a。第1周壁部54a从底部53竖立设置，并且，形成为筒状(例如圆筒状)。在第1周壁部54a与内壁部54d之间形成有空间，该空间设为用于回收并排出处理液等的第1排液槽58a。第1承液部55a设置于第1周壁部54a的上表面54a1的上方。
另外，第1杯50a具备第1升降机构56，并构成为第1承液部55a能够利用该第1升降机构56升降。详细而言，第1升降机构56具备第1支承构件56a和第1升降驱动部56b。
第1支承构件56a是多个(例如3根。在图2中仅图示1根)纵长状的构件。第1支承构件56a以能够移动的方式贯穿于在第1周壁部54a内形成的贯穿孔。此外，作为第1支承构件56a，能够使用例如圆柱状的杆，但并不限定于此。
第1支承构件56a以使上端从第1周壁部54a的上表面54a1暴露的方式定位，并且，与第1承液部55a的下表面连接而从下方支承第1承液部55a。另一方面，在第1支承构件56a的下端连接有第1升降驱动部56b。
第1升降驱动部56b使第1支承构件56a例如在Z轴方向上升降，由此，第1支承构件56a使第1承液部55a相对于第1周壁部54a升降。此外，作为第1升降驱动部56b，能够使用气缸。另外，第1升降驱动部56b由控制装置4控制。
由第1升降驱动部56b驱动的第1承液部55a在接受从旋转的晶圆W飞散开的处理液的处理位置与从处理位置退避到下方侧的退避位置之间移动。
详细而言，在第1承液部55a位于处理位置的情况下，在第1承液部55a的上端的内侧形成开口，并形成从开口通向第1排液槽58a的流路。
另一方面，如图2所示，内壁部54d具备以朝向旋转保持部31的周缘部倾斜的方式延伸设置的延伸设置部54d1。第1承液部55a在位于退避位置时与内壁部54d的延伸设置部54d1抵接，上端内侧的开口关闭而通向第1排液槽58a的流路被封闭。
第2杯50b设为与第1杯50a的结构同样的结构。具体而言，第2杯50b具备第2周壁部54b、第2承液部55b以及第2升降机构57，该第2杯50b与第1杯50a相邻地配置于第1杯50a的第1周壁部54a侧。
第2周壁部54b在底部53处竖立设置于第1周壁部54a的外周侧，并形成为筒状。并且，在第2周壁部54b与第1周壁部54a之间形成的空间设为用于回收并排出处理液等的第2排液槽58b。
第2承液部55b位于第1承液部55a的外周侧，并且，设置于第2周壁部54b的上表面54b1的上方。
第2升降机构57具备第2支承构件57a和第2升降驱动部57b。第2支承构件57a是多个(例如3根。在图2中仅图示1根)纵长状的构件，以能够移动的方式贯穿于在第2周壁部54b内形成的贯穿孔。此外，作为第2支承构件57a，能够使用例如圆柱状的杆，但并不限于此。
第2支承构件57a以使上端从第2周壁部54b的上表面54b1暴露的方式定位，并且，与第2承液部55b的下表面连接而从下方支承第2承液部55b。此外，第2周壁部54b的上表面54b1以在铅垂方向上相对于第1周壁部54a的上表面54a1处于下方的方式定位。
在第2支承构件57a的下端连接有第2升降驱动部57b。第2升降驱动部57b使第2支承构件57a例如在Z轴方向上升降。由此，第2支承构件57a使第2承液部55b相对于第2周壁部54b升降。
此外，作为第2升降驱动部57b，能够使用气缸。另外，第2升降驱动部57b也由控制装置4控制。
并且，第2承液部55b也在处理位置与退避位置之间移动。详细而言，在第2承液部55b位于处理位置且第1承液部55a位于退避位置时，在第2承液部55b的上端的内侧形成开口，并形成从开口通向第2排液槽58b的流路。
另一方面，如图2所示，第2承液部55b在位于退避位置时与第1承液部55a抵接，上端内侧的开口关闭而通向第2排液槽58b的流路被封闭。此外，在上述中，退避位置的第2承液部55b与第1承液部55a抵接，但并不限于此，例如也可以与内壁部54d抵接而使上端内侧的开口关闭。
第3杯50c具备第3周壁部54c和第3承液部55c，该第3杯50c与第2杯50b相邻地配置于与第1杯50a相反的一侧。第3周壁部54c在底部53处竖立设置于第2周壁部54b的外周侧，并形成为筒状。并且，第3周壁部54c与第2周壁部54b之间的空间设为用于回收并排出处理液等的第3排液槽58c。
第3承液部55c形成为与第3周壁部54c的上端连续。第3承液部55c以包围被保持到旋转保持部31的晶圆W的周围并且延伸到第1承液部55a、第2承液部55b的上方的方式形成。
如图2所示，第3承液部55c在第1承液部55a、第2承液部55b均位于退避位置时在第3承液部55c的上端的内侧形成开口，并形成从开口通向第3排液槽58c的流路。
另一方面，在使第2承液部55b位于上升后的位置的情况下、或使第1承液部55a和第2承液部55b这两者位于上升后的位置的情况下，第3承液部55c与第2承液部55b抵接，上端内侧的开口关闭而通向第3排液槽58c的流路封闭。
在底部53的与上述的第1杯50a～第3杯50c相对应的部分、准确而言底部53的与第1排液槽58a～第3排液槽58c相对应的部分沿着排液部50的圆周方向隔开间隔地分别形成排液口51a～51c。
排液口51a与排液路径59a连接，排液口51b与排液路径59b连接，排液口51c与排液路径59c连接。后述包括该排液路径59a～排液路径59c在内的基板处理系统1的配管构成。
并且，基板处理系统1在进行基板处理之际，根据在基板处理的各处理中使用的处理液的种类等使第1杯50a的第1承液部55a、第2杯50b的第2承液部55b升降，执行排液口51a～51c的切换。
例如在向晶圆W喷出第1BHF而处理晶圆W的情况下，控制装置4使第1杯50a和第2杯50b上升。即、控制装置4借助第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b使第1支承构件56a、第2支承构件57a上升，使第1承液部55a上升到处理位置，从而形成从第1承液部55a的上端内侧的开口通向第1排液槽58a的流路。
由此，供给到晶圆W的第1BHF流入第1排液槽58a。
另外，例如在向晶圆W喷出第2BHF而处理晶圆W的情况下，控制装置4仅使第2杯50b上升。即、控制装置4借助第2升降驱动部57b使第2支承构件57a上升，使第2承液部55b上升到处理位置，从而形成从第2承液部55b的上端内侧的开口通向第2排液槽58b的流路。
此外，在此第1杯50a设为下降着的状态。由此，供给到晶圆W的第2BHF流入第2排液槽58b。
另外，例如在向晶圆W喷出第3BHF而处理晶圆W的情况下，控制装置4使第1杯50a、第2杯50b下降(参照图2)。即、控制装置4借助第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b使第1支承构件56a、第2支承构件57a下降，使第1承液部55a、第2承液部55b下降到退避位置。
如此一来，形成从第3承液部55c的上端内侧的开口通向第3排液槽58c的流路。由此，供给到晶圆W的第3BHF流入第3排液槽58c。
防雾罩50e具有外周筒部50e1和从该外周筒部50e1的上端部朝向外周筒部54e的(半径方向)内侧延伸并向第3杯50c的上方伸出的伸出部50e2。防雾罩50e构成为能够利用未图示的升降机构升降。
控制部18(参照图1)通过使防雾罩50e配置于较高的位置，从而能够抑制从旋转的晶圆W飞散的处理液的雾到达腔室20的侧壁。
在排液部50的底部53、第1周壁部54a以及第2周壁部54b分别形成有排气口52a、52b、52c。另外，排气口52a、52b、52c与1根排气管60连接，在该排气管60夹插有阀61。并且，经由排气口52a、52b、52c和排气管60对腔室20内的气氛进行排气。
＜基板处理系统的配管构成＞
接着，一边参照图3和图4一边对基板处理系统1的配管构成进行说明。图3是表示实施方式的基板处理系统1的配管构成的示意图。
如图3所示，与处理单元16的排液口51a(参照图2)连接的排液路径59a经由浓度传感器62a与切换阀63a连接。浓度传感器62a能够检测在排液路径59a流动的排液中的氢氟酸浓度。
在切换阀63a连接有排放部DR和回收路径64a。该切换阀63a构成为，能够将与排液路径59a连接的配管切换成排放部DR或回收路径64a。并且，控制部18(参照图1)通过控制切换阀63a，从而能够将在排液路径59a流动的排液的排出路径切换成排放部DR或回收路径64a。
另外，回收路径64a与积存第1BHF的积存部70a连接。即、控制部18控制切换阀63a而使排液路径59a和回收路径64a连通，从而能够将处理单元16使用后的第1BHF向积存部70a回收。
并且，在积存部70a连接有供给路径44a，该供给路径44a经由阀45a和流量调整器46a与喷嘴41a连接。由此，控制部18能够使积存到积存部70a的第1BHF从喷嘴41a向晶圆W喷出。此外，后述积存部70a的详细情况。
另外，在腔室20内的喷嘴41a的待机位置的下方设置有待机部65a。待机部65a在以排除与喷嘴41a连接的各流路内的气泡、异物等为目的的仿真分配处理之际接收从喷嘴41a喷出的第1BHF，并使接收到的第1BHF向排液路径59a中的浓度传感器62a的上游侧排液。即、待机部65a的排液路径与排液路径59a连接。
另外，与处理单元16的排液口51b(参照图2)连接的排液路径59b经由浓度传感器62b与切换阀63b连接。浓度传感器62b能够检测在排液路径59b流动的排液中的氢氟酸浓度。
在切换阀63b连接有排放部DR和回收路径64b。该切换阀63b构成为，能够将与排液路径59b连接的配管切换成排放部DR或回收路径64b。并且，控制部18通过控制切换阀63b，从而能够将在排液路径59b流动的排液的排出路径切换成排放部DR或回收路径64b。
另外，回收路径64b与积存第2BHF的积存部70b连接。即、控制部18控制切换阀63b而使排液路径59b和回收路径64b连通，从而能够将处理单元16使用后的第2BHF向积存部70b回收。
并且，在积存部70b连接有供给路径44b，该供给路径44b经由阀45b和流量调整器46b与喷嘴41b连接。由此，控制部18能够使积存到积存部70b的第2BHF从喷嘴41b向晶圆W喷出。
另外，在腔室20内的喷嘴41b的待机位置的下方设置有待机部65b。待机部65b在以排除与喷嘴41b连接的各流路内的气泡、异物等为目的的仿真分配处理之际接收从喷嘴41b喷出的第2BHF，并将接收到的第2BHF向排液路径59b中的浓度传感器62b的上游侧排液。即、待机部65b的排液路径与排液路径59b连接。
而且，与处理单元16的排液口51c(参照图2)连接的排液路径59c经由浓度传感器62c与切换阀63c连接。浓度传感器62c能够检测在排液路径59c流动的排液中的氢氟酸浓度。
在切换阀63c连接有排放部DR和回收路径64c。该切换阀63c构成为，能够将与排液路径59c连接的配管切换成排放部DR或回收路径64c。并且，控制部18通过控制切换阀63c，从而能够将在排液路径59c流动的排液的排出路径切换成排放部DR或回收路径64c。
另外，回收路径64c与积存第3BHF的积存部70c连接。即、控制部18通过控制切换阀63c而使排液路径59c和回收路径64c连通，从而能够将处理单元16使用后的第3BHF向积存部70c回收。
并且，在积存部70c连接有供给路径44c，该供给路径44c经由阀45c和流量调整器46c与喷嘴41c连接。由此，控制部18能够使积存到积存部70c的第3BHF从喷嘴41c向晶圆W喷出。
另外，在腔室20内的喷嘴41c的待机位置的下方设置有待机部65c。待机部65c在以排除与喷嘴41c连接的各流路内的气泡、异物等为目的的仿真分配处理之际接收从喷嘴41c喷出的第3BHF，并将接收到的第3BHF向排液路径59c中的浓度传感器62c的上游侧排液。即、待机部65c的排液路径与排液路径59c连接。
图4是表示实施方式的积存部70a的配管构成的示意图。此外，积存部70b的配管构成和积存部70c的配管构成与以下说明的积存部70a的配管构成同样，因此，省略关于积存部70b的配管构成和积存部70c的配管构成的说明。
积存部70a具有BHF供给路径71a、罐74a以及循环路径75a。BHF供给路径71a向罐74a供给未使用的第1BHF。
BHF供给路径71a从上游侧依次具有BHF供给源72a和阀73a。BHF供给源72a例如是积存未使用的第1BHF的罐。
罐74a积存从BHF供给路径71a供给的第1BHF。另外，罐74a积存经由排液路径59a和回收路径64a回收的使用完毕的第1BHF。
循环路径75a是从罐74a出来并返回该罐74a的循环路径。在循环路径75a以罐74a为基准从上游侧依次设置有泵76a、过滤器77a、加热器78a、阀79a、切换阀80a、浓度传感器81a以及切换阀82a。
泵76a形成从罐74a出来、通过循环路径75a并返回罐74a的第1BHF的循环流。过滤器77a去除在循环路径75a内循环的第1BHF所含有的微粒等污染物质。
加热器78a使在循环路径75a内循环的第1BHF升温。浓度传感器81a能够检测在循环路径75a流动的第1BHF中的氢氟酸浓度。
另外，在切换阀80a的上游侧连接有DIW供给源83a，并且，切换阀82a的下游侧与排放部DR连接。并且，控制部18(参照图1)控制切换阀80a、82a以使DIW供给源83a经由浓度传感器81a与排放部DR连接，从而能够利用DIW对浓度传感器81a的内部进行清洗。
因而，根据实施方式，通过利用DIW对浓度传感器81a的内部进行清洗，从而能够校正浓度传感器81a。
另外，罐74a经由阀84a与排放部DR连接，循环路径75a经由阀85a与排放部DR连接。由此，控制部18能够在更换罐74a内、循环路径75a内的第1BHF之际等控制阀84a、85a而将罐74a内、循环路径75a内的第1BHF向排放部DR排出。
另外，供给路径44a从循环路径75a中的位于加热器78a与阀79a之间的部分分支。该供给路径44a夹设于循环路径75a与喷嘴41a(参照图3)之间，向处理单元16供给在循环路径75a中进行了过滤处理和温度调整处理的第1BHF。
＜基板处理＞
接下来，一边参照图5～图7一边对实施方式的基板处理系统1中的各处理的详细情况进行说明。图5是用于说明实施方式的基板处理系统1中的处理的流程的图。
如图5所示，在实施方式的基板处理系统1中，在处理单元16中，针对晶圆W使用了第1BHF～第3BHF中的任一者的液处理以与所使用的BHF相应的处理制程S1连续地执行。
此外，实施方式的处理制程S1包括晶圆W的处理顺序和处理液的种类，并预先存储于存储部19(参照图1)。即、根据不同种类的BHF准备了多个实施方式的处理制程S1。由此，能够利用处理单元16实施分别最佳化于不同种类的BHF的液处理。
另外，在图5的例子中，将在成为对象的清洗制程S2之前实施的液处理的处理制程S1设为处理制程S1a，将在成为对象的清洗制程S2之后实施的液处理的处理制程S1设为处理制程S1b。
并且，在基板处理系统1中，在处理单元16中，在反复进行的处理制程S1的间歇执行清洗制程S2。该清洗制程S2包括清洗动作S3和恢复动作S4。
清洗动作S3从清洗液供给部(例如喷嘴41d)供给作为清洗液的DIW而清洗基板处理部30和排液部50。由此，能够去除在直至执行该清洗动作S3之前的处理制程S1a中由附着到基板处理部30和排液部50的BHF引起的结晶。
恢复动作S4例如从处理液供给部(例如喷嘴41a～喷嘴41c)供给在接下来的处理制程S1b中使用的BHF(以下，也称为“后续工序的BHF”。)，并将附着于基板处理部30和排液部50的DIW置换成后续工序的BHF。
即、在实施方式中，在恢复动作S4中，利用后续工序的BHF对在清洗动作S3之后残留于基板处理部30、排液部50的DIW进行预洗。由此，能够抑制在清洗动作S3之后残留于基板处理部30、排液部50的DIW向积存部70a～70c回收。
因而，根据实施方式，即使在之后的处理制程S1b中一边回收后续工序的BHF一边进行了液处理，也能够抑制所回收的BHF的浓度降低，因此，能够抑制液处理的性能恶化。
另外，在实施方式中，控制部18基于处理制程S1选择清洗制程S2为佳。例如控制部18基于在处理制程S1中使用的BHF的种类选择清洗制程S2为佳。
接下来，一边参照图6A～图6G一边对该清洗动作S3和恢复动作S4的详细情况进行说明。图6A～图6G是表示实施方式的清洗动作和恢复动作的动作例的图(其1～其7)。
如图6A所示，清洗动作S3例如是清洗旋转保持部31、保持构件31a、第1旋转杯34以及第2旋转杯35的处理。在该情况下，例如在使旋转保持部31旋转着的状态下，一边使喷嘴41d在旋转保持部31的中心部与外周部之间往复，一边从喷嘴41d供给DIW。
由此，能够去除已附着到旋转保持部31和配置于旋转保持部31的外周部的保持构件31a、第1旋转杯34以及第2旋转杯35的结晶。
同样地，恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对旋转保持部31、保持构件31a、第1旋转杯34以及第2旋转杯35进行预洗的处理。在该情况下，例如在使旋转保持部31旋转着的状态下，一边使喷嘴41a～41c(参照图2)中的任一者在旋转保持部31的中心部与外周部之间往复，一边从该喷嘴供给后续工序的BHF。
由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到旋转保持部31和配置于旋转保持部31的外周部的保持构件31a、第1旋转杯34以及第2旋转杯35的DIW。
另外，如图6B所示，清洗动作S3例如是清洗第1排液槽58a～第3排液槽58c的处理。在该情况下，处理单元16具备向第1排液槽58a供给作为清洗液的DIW的清洗液供给部100。
清洗液供给部100具备清洗液供给路径100a、DIW供给源100b、阀100c以及流量调整器100d。清洗液供给路径100a的一端与DIW供给源100b连接，另一端与第1杯50a的排液口51a连接。阀100c和流量调整器100d设置于清洗液供给路径100a，并由控制装置4控制。
在图6B所示的清洗动作S3中，通过使阀100c开放预定时间，从而向第1排液槽58a供给DIW。由此，DIW积存于第1排液槽58a，积存到第1排液槽58a的DIW越过第1周壁部54a的上表面54a1而向第2排液槽58b溢流，从而DIW积存于第2排液槽58b。
而且，积存到第2排液槽58b的DIW越过第2周壁部54b的上表面54b1而向第3排液槽58c溢流，从而DIW也积存于第3排液槽58c。
之后，从各排液口51a～排液口51c排出DIW。由此，能够去除已附着到第1排液槽58a～第3排液槽58c的结晶。
同样地，恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对第1排液槽58a～第3排液槽58c进行预洗的处理。在该情况下，处理单元16具备向第1排液槽58a供给后续工序的BHF的处理液供给部101。
处理液供给部101具备处理液供给路径101a、切换阀101b以及流量调整器101c。处理液供给路径101a的一端经由切换阀101b与积存部70a～70c分别连接，另一端与第1杯50a的排液口51a连接。切换阀101b和流量调整器101c设置于处理液供给路径101a，并由控制装置4控制。
在图6B所示的恢复动作S4中，控制切换阀101b而将积存后续工序的BHF的积存部70a～70c中的任一者和第1排液槽58a连接起来，向第1排液槽58a供给后续工序的BHF。
由此，后续工序的BHF积存于第1排液槽58a，积存到第1排液槽58a的后续工序的BHF越过第1周壁部54a的上表面54a1而向第2排液槽58b溢流，从而后续工序的BHF积存于第2排液槽58b。
而且，积存到第2排液槽58b的后续工序的BHF越过第2周壁部54b的上表面54b1而向第3排液槽58c溢流，从而后续工序的BHF也积存于第3排液槽58c。
之后，从各排液口51a～51c排出后续工序的BHF。由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到第1排液槽58a～第3排液槽58c的DIW。
另外，如图6C所示，在腔室20的内部，存在在第3杯50c(参照图2)与防雾罩50e之间配置有排气杯50d的情况。排气杯50d具备外周筒部50d1和从外周筒部50d1的上端部向外周筒部50d1的径向内侧伸出的伸出部50d2。此外，排气杯50d不动。
在这样的情况下，清洗动作S3例如是清洗防雾罩50e的伸出部50e2的下表面和排气杯50d的伸出部50d2的上表面的处理。在该情况下，处理单元16例如具备向防雾罩50e的伸出部50e2的下表面供给清洗液的清洗液供给部110。
清洗液供给部110具备清洗液供给路径110a、DIW供给源110b、阀110c以及流量调整器110d。清洗液供给路径110a的一端与DIW供给源110b连接，另一端与设置于排气杯50d的伸出部50d2的上表面的喷嘴41e连接。阀110c和流量调整器110d设置于清洗液供给路径110a，并由控制装置4控制。
在图6C所示的清洗动作S3中，通过从喷嘴41e供给DIW，从而DIW积存于防雾罩50e的伸出部50e2与排气杯50d的伸出部50d2之间的空间。之后，从未图示的排液路径排出DIW。由此，能够去除已附着到防雾罩50e的伸出部50e2的下表面和排气杯50d的伸出部50d2的上表面的结晶。
同样地，恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对防雾罩50e的伸出部50e2的下表面和排气杯50d的伸出部50d2的上表面进行预洗的处理。在该情况下，处理单元16具备向喷嘴41e供给后续工序的BHF的处理液供给部111。
处理液供给部111具备处理液供给路径111a、切换阀111b以及流量调整器111c。处理液供给路径111a的一端经由切换阀111b与积存部70a～70c分别连接，另一端与喷嘴41e连接。切换阀111b和流量调整器111c设置于处理液供给路径111a，并由控制装置4控制。
在图6C所示的恢复动作S4中，控制切换阀111b而将积存后续工序的BHF的积存部70a～70c中的任一者和喷嘴41e连接起来，向喷嘴41e供给后续工序的BHF。
由此，将后续工序的BHF积存于防雾罩50e的伸出部50e2与排气杯50d的伸出部50d2之间的空间。之后，从未图示的排液路径排出后续工序的BHF。由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到防雾罩50e的伸出部50e2的下表面和排气杯50d的伸出部50d2的上表面的DIW。
另外，如图6D所示，清洗动作S3例如是清洗基板处理部30的旋转保持部31的下表面的处理。在该情况下，处理单元16具备向旋转保持部31的下表面供给清洗液的清洗液供给部120。
清洗液供给部120具备喷嘴41f。喷嘴41f例如设置于内壁部54d的上端部。另外，清洗液供给部120具备清洗液供给路径120a、DIW供给源120b、阀120c以及流量调整器120d。
清洗液供给路径120a的一端与DIW供给源120b连接，另一端与喷嘴41f连接。阀120c和流量调整器120d设置于清洗液供给路径120a，并由控制装置4控制。
在图6D所示的清洗动作S3中，从喷嘴41f向旋转的旋转保持部31的下表面供给DIW。由此，能够去除已附着到旋转保持部31的下表面的结晶。
同样地，恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对基板处理部30的旋转保持部31的下表面进行预洗的处理。在该情况下，处理单元16具备向喷嘴41f供给后续工序的BHF的处理液供给部121。
处理液供给部121具备处理液供给路径121a、切换阀121b以及流量调整器121c。处理液供给路径121a的一端经由切换阀121b与积存部70a～70c分别连接，另一端与喷嘴41f连接。切换阀121b和流量调整器121c设置于处理液供给路径121a，并由控制装置4控制。
在图6D所示的恢复动作S4中，控制切换阀121b而将积存后续工序的BHF的积存部70a～70c中的任一者和喷嘴41f连接起来，向喷嘴41f供给后续工序的BHF。接着，从喷嘴41f向旋转的旋转保持部31的下表面供给后续工序的BHF，从而能够利用后续工序的BHF置换已附着到旋转保持部31的下表面的DIW。
另外，如图6E所示，清洗动作S3例如是清洗设置于腔室20内的待机部65a～65c的处理。在该情况下，处理单元16具备向待机部65a～65c供给清洗液的清洗液供给部130。此外，以后，为了容易理解，说明针对由图6E图示的待机部65a进行的各动作。
清洗液供给部130具备清洗液供给路径130a、DIW供给源130b、阀130c以及流量调整器130d。清洗液供给路径130a的一端与DIW供给源130b连接，另一端与待机部65a连接。阀130c和流量调整器130d设置于清洗液供给路径130a，并由控制装置4控制。
在图6E所示的清洗动作S3中，在将DIW在待机部65a中积存了预定时间之后，从待机部65a向排液路径59a(参照图3)排出DIW。由此，能够去除已附着到待机部65a的结晶。
同样地，恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对设置于腔室20内的待机部65a进行预洗的处理。在该情况下，处理单元16具备向待机部65a供给后续工序的BHF的处理液供给部131。
处理液供给部131具备处理液供给路径131a、阀131b以及流量调整器131c。处理液供给路径131a的一端经由阀131b与对应的积存部70a连接，另一端与待机部65a连接。阀131b和流量调整器131c设置于处理液供给路径131a，并由控制装置4控制。
在图6E所示的恢复动作S4中，控制阀131b而将积存后续工序的BHF的积存部70a和待机部65a连接起来，向待机部65a供给后续工序的BHF。
接着，在将后续工序的BHF在待机部65a中积存了预定时间之后，从待机部65a向排液路径59a排出后续工序的BHF。由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到待机部65a的DIW。
另外，如图6F所示，存在在腔室20的内部配置有向晶圆W的背面喷出处理液等的背面喷嘴47的情况。背面喷嘴47是背面供给部的一个例子。背面喷嘴47以与保持于保持构件31a的晶圆W的背面相对的方式设置，并沿朝上方向喷出处理液等。
背面喷嘴47具有喷出作为处理液的第1BHF～第3BHF的处理液喷出口47a和喷出作为清洗液的DIW的清洗液喷出口47b。该背面喷嘴47设置于处理单元16，从而能够利用BHF不仅对晶圆W的表面进行液处理，也对晶圆W的背面进行液处理。
图6F的(a)所示的清洗动作S3例如在晶圆W未保持于保持构件31a的状态后续边使喷嘴41d在背面喷嘴47的中心部与外周部之间往复一边从喷嘴41d供给DIW。由此，能够去除已附着到背面喷嘴47的结晶。
同样地，图6F的(b)所示的恢复动作S4例如是利用后续工序的BHF对背面喷嘴47进行预洗的处理。在该情况下，例如在晶圆W未保持于保持构件31a的状态下，一边使喷嘴41a～41c中的任一者(在图中是喷嘴41a)在背面喷嘴47的中心部与外周部之间往复，一边从该喷嘴供给后续工序的BHF。由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到背面喷嘴47的DIW。
此外，背面喷嘴47的清洗动作S3和恢复动作S4并不限于图6F所示的例子。例如，也可以是，如图6G的(a)所示，从清洗液喷出口47b喷出作为清洗液的DIW，并使该DIW在背面喷嘴47上溢流，从而进行背面喷嘴47的清洗动作S3。由此，能够去除已附着到背面喷嘴47的结晶。
接着，也可以是，如图6G的(b)所示，从处理液喷出口47a喷出后续工序的BHF，并使该后续工序的BHF在背面喷嘴47上溢流，从而进行背面喷嘴47的恢复动作S4。由此，能够利用后续工序的BHF置换已附着到背面喷嘴47的DIW。
另外，也可以执行组合图6F所示的清洗动作S3和恢复动作S4、图6G所示的清洗动作S3和恢复动作S4而成的清洗制程S2。例如，也可以是，在从喷嘴41d供给DIW而进行了清洗动作S3之后，从背面喷嘴47的处理液喷出口47a喷出后续工序的BHF而进行恢复动作S4。
同样地，也可以是，在从背面喷嘴47的清洗液喷出口47b喷出DIW而进行了清洗动作S3之后，从喷嘴41a～喷嘴41c中的任一者供给后续工序的BHF而进行恢复动作S4。
此外，在此前说明的各部的清洗动作S3和恢复动作S4中，控制部18控制切换阀63a～63c(参照图3)而将向排液路径59a～59c流动的排液从排放部DR向外部排出为佳。
图7是表示实施方式的恢复动作S4的时间与之后的处理制程S1b中的蚀刻速度的变化量之间的关系的图。此外，在图7中分别示出针对待机部65a～65c(参照图6E)进行的恢复动作S4和针对第1排液槽58a～第3排液槽58c(参照图6B)进行的恢复动作S4。
如图7所示，可知：在恢复动作S4的时间比较短的情况下，在之后的处理制程S1中蚀刻速度大幅度降低。其原因在于，在恢复动作S4的时间比较短的情况下，在清洗动作S3中使用的DIW比较多地残留于基板处理部30、排液部50，因此，DIW混入在之后的处理制程S1b中回收的BHF，再利用的BHF的浓度降低。
另一方面，如图7所示，通过延长恢复动作S4的时间，从而能够将之后的处理制程S1中的蚀刻速度维持在适当范围。
即、将在清洗动作S3和恢复动作S4中向排液路径59a～59c流动的排液从排放部DR向外部排出，从而能够抑制作为清洗液的DIW、含有该DIW的BHF向积存部70a～70c回收。
另外，在实施方式中，实施与后续工序的BHF相应的时间的恢复动作S4，由此，即使使用了再利用的BHF，也能够将之后的处理制程S1b中的蚀刻速度维持在适当范围。
如此前进行了说明那样，根据实施方式，能够抑制所回收的BHF的浓度降低，因此，能够抑制液处理的性能恶化。
此外，上述的“与后续工序的BHF相应的时间的恢复动作S4”根据后续工序的处理制程S1b所含有的BHF的种类而预先包含于与该种类的BHF相对应的清洗制程S2为佳。即、在实施方式中，清洗制程S2基于该清洗制程S2的后续工序的处理制程S1b而进行选择为佳。
例如在后续工序的处理制程S1b中使用第1BHF的情况下，控制部18从存储部19读出该第1BHF在恢复动作S4中使用的清洗制程S2为佳。在读出来的该清洗制程S2中包含与第1BHF相应的恢复动作S4的执行时间。
如此，基于后续工序的处理制程S1b来选择清洗制程S2，从而能够在利用后续工序的处理制程S1b所使用的BHF置换了基板处理部30等的状态下，开始后续工序的液处理。因而，根据实施方式，在回收处理制程S1b所使用的BHF并再次使用的情况下，能够抑制BHF的浓度变化，因此，能够稳定地实施后续工序的液处理。
另外，在实施方式中，也可以是，在恢复动作S4中，在为了预洗而从喷嘴41a～41c中的任一者喷出后续工序的BHF之际，使用所喷出的后续工序的BHF来实施晶圆W的液处理。
由此，能够在恢复动作S4的过程中执行晶圆W的液处理，因此，能够使处理单元16尽早恢复成液处理。
＜各种变形例＞
接下来，一边参照图8和图9一边对实施方式的各种变形例进行说明。图8是用于说明实施方式的变形例1的基板处理系统1中的处理的流程的图。
如图8所示，变形例1的清洗制程S2在如下这点与实施方式不同：在清洗动作S3与恢复动作S4之间执行气体吹扫动作S5。在该变形例1中，处理单元16具有向基板处理部30和排液部50吹扫气体的气体供给部(未图示)。
并且，在变形例1中，在控制部18(参照图1)执行了清洗动作S3之后，执行如下气体吹扫动作S5：从该气体供给部供给气体而对附着于基板处理部30和排液部50的DIW进行吹扫。
由此，能够在恢复动作S4之前减少附着于基板处理部30和排液部50的DIW。因而，根据实施方式，能够缩短恢复动作S4所需要的时间，因此，能够使处理单元16尽早恢复成液处理。
在该气体吹扫动作S5中，控制部18向DIW所滞留的部位供给气体为佳。尤其是，在处理单元16内的可动部(例如第1承液部55a、第2承液部55b、第1支承构件56a、第2支承构件57a等)处，DIW进入较窄的间隙，即使进行预洗，也难以被置换，因此，对该可动部的附近实施气体吹扫动作S5为佳。
由此，能够在恢复动作S4之前进一步减少附着于基板处理部30和排液部50的DIW。
图9是用于说明实施方式的变形例2的基板处理系统1中的处理的流程的图。在变形例2的清洗制程S2中，在恢复动作S4之际，利用浓度传感器62a～浓度传感器62c(参照图3)检测向排液路径59a～59c(参照图3)流动的排液中的氢氟酸浓度。
并且，控制部18实施对向排液路径59a～59c流动的排液中的氢氟酸浓度是否适当进行判定的判定动作S6。
再次，在利用恢复动作S4将基板处理部30和排液部50内的DIW置换成后续工序的BHF，且排液中的氢氟酸浓度适当的情况下，控制部18结束恢复动作S4而开始接下来的处理制程S1b。
此时，控制部18控制切换阀63a～切换阀63c(参照图3)而将在排液路径59a～59c流动的排液的排出路径切换成回收路径64a～64c(参照图3)。由此，能够一边回收后续工序的BHF一边执行处理制程S1b。
另一方面，在基板处理部30和排液部50内的DIW未被充分地置换，排液中的氢氟酸浓度不适当的情况下，控制部18继续恢复动作S4。
此外，此时，控制部18控制切换阀63a～63c而利用排放部DR维持在排液路径59a～59c流动的排液的排出路径。由此，能够进一步抑制回收混入有DIW的BHF。
即、在图9所示的变形例2中，一边利用浓度传感器62a～62c检测向排液路径59a～59c流动的排液中的氢氟酸浓度，一边执行恢复动作S4，从而能够进一步抑制回收混入有DIW的BHF。
该变形例2例如优选适用于具有各种氢氟酸浓度的BHF中的、氢氟酸浓度较高的BHF是后续工序的BHF的情况。在该氢氟酸浓度较高的BHF中，即使在混入有微量的DIW的情况下，蚀刻速度也大幅度变化。即、氢氟酸浓度较高的BHF相对于DIW的灵敏度比氢氟酸浓度较低的BHF相对于DIW的灵敏度高。
如此一来，通过将上述的判定动作S6应用于相对于DIW的灵敏度较高的BHF，从而能够使DIW不混入该BHF的回收液，因此，能够稳定地实施使用了回收液的液处理。
而且，优选的是，在氢氟酸浓度较高的BHF是后续工序的BHF的情况下，除了变形例2的判定动作S6之外，还应用变形例1的气体吹扫动作S5。由此，利用气体吹扫动作S5减少可能混入BHF的DIW的量本身，因此，能够进一步稳定地实施使用了回收液的液处理。
实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)具备基板处理部30、排液部50以及控制部18。基板处理部30从处理液供给部向所载置的基板(晶圆W)供给处理液而进行液处理。排液部50具有与积存处理液的积存部70a～70c连接的回收路径64a～64c，对液处理所使用的处理液进行排液。控制部18执行液处理的处理制程S1以及清洗基板处理部30和排液部50的清洗制程S2。另外，作为清洗制程S2，控制部18在执行了从清洗液供给部供给清洗液而清洗基板处理部30和排液部50的清洗动作S3之后，执行从处理液供给部供给处理液而将附着于基板处理部30和排液部50的清洗液置换成处理液的恢复动作S4。由此，能够抑制液处理的性能恶化。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，处理制程S1包括基板(晶圆W)的处理顺序和处理液的种类。由此，能够利用处理单元16实施分别最佳化于不同种类的处理液的液处理。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，基于处理制程S1所包含的处理液的种类选择清洗制程S2。由此，能够稳定地实施后续工序的液处理。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，清洗制程S2是基于该清洗制程S2的后续工序的处理制程S1b而进行选择的。由此，能够稳定地实施后续工序的液处理。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，排液部50具有向外部排出处理液的排放部DR。并且，控制部18在执行清洗制程S2的期间内从排放部DR向外部排出向排液路径59a～59c流动的排液。由此，能够抑制回收混入有DIW的BHF。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，排液部50具有检测处理液的浓度的浓度传感器62a～62c。并且，控制部18基于由浓度传感器62a～62c检测的处理液的浓度结束恢复动作S4。由此，能够进一步抑制回收混入有DIW的BHF。
另外，实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)具备向基板处理部30和排液部供给气体的气体供给部。并且，控制部18在执行了清洗动作S3之后执行供给气体而对附着于基板处理部30和排液部50的清洗液进行吹扫的气体吹扫动作S5。由此，能够使处理单元16尽早恢复成液处理。
另外，在实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)中，作为气体吹扫动作S5，控制部18向清洗液所滞留的部位供给气体。由此，能够在恢复动作S4之前进一步减少附着于基板处理部30和排液部50的清洗液。
另外，实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)具备供处理液供给部待机的待机部65a～65c，待机部65a～65c的排液路径与排液部50的排液路径59a～59c连接。并且，控制部18针对待机部65a～65c执行与基板处理部30同样的清洗制程S2。由此，能够抑制回收混入有附着于待机部65a～65c的DIW的BHF。
另外，实施方式的基板处理装置(基板处理系统1)具备向基板(晶圆W)的背面侧喷出处理液的背面供给部(背面喷嘴47)。并且，控制部18对背面供给部(背面喷嘴47)执行清洗制程S2。由此，能够抑制回收混入有附着于背面喷嘴47的DIW的BHF。
＜基板处理的顺序＞
接下来，一边参照图10一边对实施方式的基板处理的顺序进行说明。图10是表示实施方式的基板处理系统1所执行的基板处理的顺序的流程图。
最初，控制部18基于接着要执行的预定的处理制程S1b实施选择清洗制程S2的清洗制程选择处理(步骤S101)。例如，控制部18选择接着要执行的预定的处理制程S1b所包含的后续工序的BHF、以及包含相同种类的BHF的清洗制程S2。
其中，在所选择的清洗制程S2是制程A的情况(步骤S102，制程A)下，控制部18基于所选择的制程A实施清洗处理(步骤S103)。该制程A例如是后续工序的BHF为第1BHF的情况下的清洗制程S2。
另外，该步骤S103是从清洗液供给部(例如喷嘴41d)供给作为清洗液的DIW并利用该DIW清洗基板处理部30和排液部50的处理。利用该步骤S103，能够去除由附着到基板处理部30和排液部50的BHF引起的结晶。
接着，控制部18基于所选择的制程A实施如下恢复处理：从处理液供给部供给后续工序的BHF，将附着于基板处理部30和排液部50的DIW置换成BHF(步骤S104)。由此，能够抑制残留于基板处理部30、排液部50的DIW向积存部70a～70c回收。
并且，以预先在制程A中确定好的时间实施步骤S104的处理，若该处理结束，则控制部18结束一系列的处理。
另一方面，在步骤S101所选择的清洗制程S2是制程B的情况(步骤S102，制程B)下，控制部18基于所选择的制程B实施清洗处理(步骤S105)。该制程B例如是后续工序的BHF为第2BHF的情况下的清洗制程S2。
另外，该步骤S105是从清洗液供给部(例如喷嘴41d)供给作为清洗液的DIW并利用该DIW清洗基板处理部30和排液部50的处理。利用该步骤S105，能够去除由附着到基板处理部30和排液部50的BHF引起的结晶。
接着，控制部18基于所选择的制程B实施如下气体吹扫处理：从设置于处理单元16内的气体供给部供给气体，对附着于基板处理部30和排液部50的DIW进行吹扫(步骤S106)。由此，能够在接着实施的恢复处理之前减少附着于基板处理部30和排液部50的DIW。
接着，控制部18基于所选择的制程B实施如下恢复处理：从处理液供给部供给后续工序的BHF，将附着于基板处理部30和排液部50的DIW置换成BHF(步骤S107)。由此，能够抑制残留于基板处理部30、排液部50的DIW向积存部70a～70c回收。
并且，以预先在制程B中确定好的时间实施步骤S107的处理，若该处理结束，则控制部18结束一系列的处理。
另外，在步骤S101所选择的清洗制程S2是制程C的情况(步骤S102，制程C)下，控制部18基于所选择的制程C实施清洗处理(步骤S108)。该制程C例如是后续工序的BHF为第3BHF的情况下的清洗制程S2。
另外，该步骤S108是从清洗液供给部(例如喷嘴41d)供给作为清洗液的DIW并利用该DIW清洗基板处理部30和排液部50的处理。利用该步骤S108，能够去除由附着到基板处理部30和排液部50的BHF引起的结晶。
接着，控制部18基于所选择的制程C实施如下气体吹扫处理：从设置于处理单元16内的气体供给部供给气体，对附着于基板处理部30和排液部50的DIW进行吹扫(步骤S109)。由此，能够在接着实施的恢复处理之前减少附着于基板处理部30和排液部50的DIW。
接着，控制部18基于所选择的制程C实施如下恢复处理(步骤S110)：从处理液供给部供给后续工序的BHF，将附着于基板处理部30和排液部50的DIW置换成BHF。由此，能够抑制残留于基板处理部30、排液部50的DIW向积存部70a～70c回收。
接着，控制部18判定向排液路径59a～59c流动的排液中的氢氟酸浓度是否适当(步骤S111)。
并且，在排液中的氢氟酸浓度适当的情况(步骤S111，是)下，控制部18结束一系列的处理。另一方面，在排液中的氢氟酸浓度不适当的情况(步骤S111，否)，控制部18继续步骤S110的处理。
如此前进行了说明那样，在实施方式的基板处理方法中，根据处理制程S1b选择清洗制程S2(制程A～制程C)，从而能够实施与处理制程S1b所使用的BHF的种类相应的最佳的清洗处理。
实施方式的基板处理方法包括液处理工序和清洗工序。液处理工序执行如下处理制程S1：从处理液供给部(喷嘴41a～41c)向载置到基板处理部30的基板(晶圆W)供给处理液，并且，从排液部50向积存部70a～70c回收使用后的处理液。清洗工序执行对在液处理工序之际附着到基板处理部30和排液部50的处理液进行清洗的清洗制程S2。清洗工序包括供给清洗液而清洗基板处理部30和排液部的清洗动作S3、以及供给处理液而将附着于基板处理部30和排液部50的清洗液置换成处理液的恢复动作S4。由此，能够抑制液处理的性能恶化。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述的实施方式，只要不脱离其主旨，就能够进行各种变更。例如，在上述的实施方式中，示出了清洗液使用DIW、处理液使用BHF的情况，但实施方式的清洗液和处理液并不限于该例子。
应该认为此次所公开的实施方式在所有方面都是例示，并非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多样的形态具体化。另外，对于上述的实施方式，在不脱离所附的权利要求书及其主旨的前提下，也可以以各种形态省略、置换、变更。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备：
基板处理部，其从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理；
排液部，其具有与积存所述处理液的积存部连接的回收路径，对所述液处理使用后的所述处理液进行排液；以及
控制部，其执行所述液处理的处理制程以及清洗所述基板处理部和所述排液部的清洗制程，
作为所述清洗制程，所述控制部在执行了从清洗液供给部供给清洗液而清洗所述基板处理部和所述排液部的清洗动作之后，执行从所述处理液供给部供给所述处理液而将附着于所述基板处理部和所述排液部的所述清洗液置换成所述处理液的恢复动作。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理制程包括所述基板的处理顺序和所述处理液的种类。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
基于所述处理制程所包含的所述处理液的种类来选择所述清洗制程。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述清洗制程是基于该清洗制程的后续工序的所述处理制程而选择的。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述排液部具有向外部排出所述处理液的排放部，
所述控制部在执行所述清洗制程的期间使向所述排液部流动的排液从所述排放部向外部排出。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述排液部具有检测所述处理液的浓度的浓度传感器，
所述控制部基于由所述浓度传感器检测的所述处理液的浓度结束所述恢复动作。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备向所述基板处理部和所述排液部供给气体的气体供给部，
所述控制部在执行了所述清洗动作之后，执行供给所述气体而对附着于所述基板处理部和所述排液部的所述清洗液进行吹扫的气体吹扫动作。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
作为所述气体吹扫动作，所述控制部向所述清洗液所滞留的部位供给所述气体。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备供所述处理液供给部待机的待机部，
所述待机部的排液路径与所述排液部的排液路径连接，
所述控制部针对所述待机部执行与所述基板处理部同样的所述清洗制程。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备向所述基板的背面侧喷出所述处理液的背面供给部，
所述控制部对所述背面供给部执行所述清洗制程。
11.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括如下工序：
液处理工序，在该液处理工序中，执行如下处理制程：从处理液供给部向载置到基板处理部的基板供给处理液，并且，将使用后的所述处理液从排液部向积存部回收；以及
清洗工序，在该清洗工序中，执行如下清洗制程：对在所述液处理工序之际附着到所述基板处理部和所述排液部的所述处理液进行清洗，
所述清洗工序包括供给清洗液而清洗所述基板处理部和所述排液部的清洗动作、以及供给所述处理液而将附着于所述基板处理部和所述排液部的所述清洗液置换成所述处理液的恢复动作。
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