KR20120138697A - 액처리 장치 및 액처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암에 부착된 오염에 의해 처리실 내의 기판이 오염되어 버리는 것을 방지할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다.
본 발명의 액처리 장치(10)는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지부(21) 및 그 기판 유지부(21)의 주위에 배치되는 컵(40)이 내부에 설치된 처리실(20)과, 기판 유지부(21)에 유지된 기판(W)에 대하여 유체를 공급하기 위한 노즐(82a)과, 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)을 구비하고 있다. 노즐 지지 아암(82)에는, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하는 가스 분출 기구(75)가 마련되어 있다.

Description

액처리 장치 및 액처리 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 그 기판에 처리액을 공급하는 것에 의해 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액처리를 행하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 웨이퍼라고도 함)을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 그 기판의 표면이나 이면에 처리액을 공급함으로써 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액처리를 행하는 액처리 장치로서, 여러 종류의 것이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 등 참조). 특허문헌 1에는, 기판을 스핀 척에 의해 수평으로 유지하고 회전시켜, 스핀 척에 의해 유지되고 회전하는 기판 표면에 처리액을 공급하는, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식의 액처리 장치가 개시되어 있다. 또한, 이러한 매엽식의 액처리 장치에서, 처리실의 위쪽에 FFU(팬 필터 유닛)를 설치하고, 이 FFU로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린에어 등의 가스를 다운플로우로 처리실 내에 보내는 기술이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2009-94525호 공보
특허문헌 1에 도시하는 바와 같은 종래의 액처리 장치에서는, 노즐을 지지하는 아암이나 이 아암을 지지하는 아암 지지부가 처리실 내에 설치되어 있다. 여기서, 종래의 액처리 장치에서는, 아암에 부착된 오염이 처리실 내의 웨이퍼에 낙하하여 부착되어 버릴 우려가 있다. 또한, 처리실 내에서 웨이퍼를 액처리할 때에 약액 등이 비산하여 아암에 부착되면, 이 약액이 아암에 잔존해 버려, 그 후의 웨이퍼 처리에서 이 잔존한 약액의 분위기에 의해 웨이퍼가 오염되어 버리는 등의 악영향을 미치게 될 우려가 있다.
본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암에 부착된 오염에 의해 처리실 내의 기판이 오염되어 버리는 것을 방지할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다.
본 발명의 제1 양태에 의하면, 기판을 유지하는 기판 유지부 및 이 기판 유지부의 주위에 배치되는 컵이 내부에 설치된 처리실과, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 유체를 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암과, 상기 노즐 지지 아암에 부착되고, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 가스 분출 기구를 구비한 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 제2 양태에 의하면, 처리실 내부에 설치된 기판 유지부에 의해 기판을 유지시키는 것과, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암을 상기 처리실 내에 진출시키는 것과, 상기 처리실 내에 진출한 노즐 지지 아암의 노즐에 의해, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 유체를 공급하는 것과, 상기 노즐 지지 아암에 부착된 가스 분출 기구에 의해, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 것을 포함하는 액처리 방법이 제공된다.
본 발명의 액처리 장치 및 액처리 방법에 의하면, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암의 선단면에 부착된 오염에 의해 처리실 내의 기판이 오염되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 액처리 장치의 측면도이다.
도 4는 도 2에 도시하는 액처리 장치 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 하측 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시하는 액처리 장치 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 상측 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 6은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치에서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 7은 도 2 등에 도시하는 액처리 장치에서의 처리실 및 6개의 노즐 지지 아암을 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시하는 노즐 지지 아암의 확대 사시도이다.
도 9는 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암을, 이들 노즐 지지 아암의 후방에서 처리실을 향해 봤을 때의 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은 도 7 등에 도시하는 노즐 지지 아암 구성의 세부 사항을 도시하는 측단면도이다.
도 11의 (a)는, 도 7에 도시하는 노즐 지지 아암에 가스 분출 기구가 설치되어 있는 모습을 도시한 도면이며, (b)는, (a)에 도시하는 가스 분출 기구를 확대하여 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 11은, 본 실시형태에 따른 액처리 장치를 도시하는 도면이다. 보다 상세하게는, 도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 평면도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이며, 도 3은 도 2에 도시하는 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 4 및 도 5는 도 2에 도시하는 액처리 장치 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도이다. 또한, 도 6은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치에서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 7 내지 도 11은, 도 2 등에 도시하는 액처리 장치에 설치된 노즐 지지 아암의 구성을 도시하는 도면이다.
우선, 도 1을 이용하여, 본 실시형태에 따른 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템은, 외부로부터 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)[이하, 웨이퍼(W)라고도 함]을 수용한 캐리어를 배치하기 위한 배치대(101)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 반송 아암(102)과, 반송 아암(102)에 의해 취출된 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 선반 유닛(103)과, 선반 유닛(103)에 배치된 웨이퍼(W)를 수취하고, 이 웨이퍼(W)를 액처리 장치(10) 내에 반송하는 반송 아암(104)을 구비하고 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템에는, 복수(도 1에 도시하는 양태에서는 4개)의 액처리 장치(10)가 설치되어 있다.
다음에, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(10)의 개략적인 구성에 대해서 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)가 수용되고, 이 수용된 웨이퍼(W)의 액처리가 행해지는 처리실(챔버)(20)을 구비하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 내에는, 웨이퍼(W)를 수평 상태로 유지하고 회전시키기 위한 유지부(21)가 설치되어 있고, 이 유지부(21)의 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 내에서 회전컵(40)의 주위에는 원통형의 컵 외주통(50)이 배치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 이 컵 외주통(50)은 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라 승강 가능하게 되어 있다. 이들 유지부(21), 회전컵(40) 및 컵 외주통(50) 구성의 세부 사항에 대해서는 후술한다.
또한, 액처리 장치(10)에는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터 처리액이나 N2 가스 등의 유체를 공급하기 위한 노즐(82a) 및 이 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 하나의 액처리 장치(10)에는 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 지지 아암(82)의 선단 근방에 노즐(82a)이 설치되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 아암 지지부(84)가 설치되어 있고, 각 아암 지지부(84)는 후술하는 아암 구동 기구(85)에 의해 도 3에서의 좌우 방향으로 구동된다. 이것에 의해, 각 노즐 지지 아암(82)은, 노즐(82a)이 처리실(20) 내에 진출한 진출 위치와, 노즐(82a)이 처리실(20)로부터 후술하는 아암 대기부 내로 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 직선 운동한다[도 2 및 도 3에서의 각 노즐 지지 아암(82)에 부여된 화살표 참조]. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 표면 처리액 공급관(82m)이 마련되어 있고, 각 표면 처리액 공급관(82m)은 표면 처리액 공급부(89)에 접속되어 있다. 그리고, 표면 처리액 공급부(89)로부터 각 표면 처리액 공급관(82m)을 통해 각 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)에 처리액이나 N2 가스 등의 유체가 공급된다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)에서, 아암 대기부(80)가 처리실(20)에 인접하여 설치되어 있다. 이 아암 대기부(80)에서, 처리실(20)로부터 후퇴한 노즐 지지 아암(82)이 대기한다. 또한, 아암 대기부(80)와 처리실(20)의 사이에는 연직 방향으로 연장되는 벽(90)이 설치되어 있다. 이 벽(90)은, 각 노즐 지지 아암(82)이 통과 가능한 개구(88p)가 형성된 아암 세정부(88)를 갖고 있다. 이 아암 세정부(88)에 의해 각 노즐 지지 아암(82)이 세정된다. 아암 세정부(88) 구성의 세부 사항에 대해서는 후술한다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)의 위쪽에는 FFU(팬 필터 유닛)(70)이 설치되어 있고, 이 FFU(70)로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린에어 등의 가스가 다운플로우로 처리실(20) 내에 보내진다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)의 바닥부에서의 컵 외주통(50)의 내측에는 배기부(54)가 마련되어 있다. 이와 같이, FFU(70)로부터 처리실(20) 내에 클린에어 등의 가스가 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(54)에 의해 배기되는 것에 의해, 처리실(20) 내의 분위기가 치환된다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)의 바닥부에 있어서 컵 외주통(50)의 외측에는 배기부(56)가 설치되어 있다. 이 배기부(56)에 의해, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 외측 분위기를 배기할 수 있다. 구체적으로는, 배기부(56)에 의해, 아암 대기부(80) 내의 분위기가 컵 외주통(50) 내에 들어가는 것이 억제된다. 또한, 이 배기부(56)에 의해, 컵 외주통(50) 내의 분위기가 아암 대기부(80)에 나와 버리는 것이 억제된다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 아암 대기부(80)의 바닥부에는 배기부(58)가 설치되어 있다. 이 배기부(58)에 의해, 아암 대기부(80) 내에서 각 노즐 지지 아암(82)을 구동하기 위한 아암 구동 기구(85)(후술)로부터 발생하는 파티클을 뺄 수 있다.
또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)의 처리실(20) 및 아암 대기부(80)의 출입구에는 각각 유지 보수용 셔터(60, 62)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 이들 처리실(20) 내 혹은 아암 대기부(80) 내의 기기를 개별적으로 유지 보수할 수 있다.
또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)의 측벽에는, 반송 아암(104)에 의해 처리실(20) 내에 웨이퍼(W)를 반입하거나 처리실(20)로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 개구(94a)가 형성되어 있고, 이 개구(94a)에는, 이 개구(94a)를 개폐하기 위한 셔터(94)가 설치되어 있다.
또한, 도 2에 도시하는 액처리 장치(10)에서, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 내부 영역은 클린룸에 대하여 미세 양압(陽壓)으로 되어 있는 한편, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 외측 영역은 클린룸에 대하여 미세 음압(陰壓)으로 되어 있다. 이 때문에, 처리실(20) 내에서, 컵 외주통(50)의 내부 영역의 기압은 컵 외주통(50)의 외측 영역의 기압보다 크게 되어 있다.
다음에, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같은 액처리 장치(10) 구성의 세부 사항에 대해서 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 유지부(21)는, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 원판 형상의 유지 플레이트(26)와, 유지 플레이트(26)의 위쪽에 설치된 원판 형상의 리프트핀 플레이트(22)를 구비하고 있다. 리프트핀 플레이트(22)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 지지하기 위한 리프트핀(23)이 둘레 방향으로 등간격으로 3개 설치되어 있다. 한편, 도 4 및 도 5에서는 2개의 리프트핀(23) 만을 표시하고 있다. 또한, 리프트핀 플레이트(22)에는 피스톤 기구(24)가 설치되어 있고, 이 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 승강하도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 반송 아암(104)(도 1 참조)에 의해 웨이퍼(W)를 리프트핀(23) 상에 배치하거나 리프트핀(23) 상으로부터 웨이퍼(W)를 취출할 때에는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 도 4 등에 도시하는 바와 같은 위치로부터 위쪽으로 이동되어, 이 리프트핀 플레이트(22)는 회전컵(40)보다 위쪽에 위치하게 된다. 한편, 처리실(20) 내에서 웨이퍼(W)를 액처리할 때에는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 도 4 등에 도시하는 바와 같은 하측 위치로 이동되어, 웨이퍼(W)의 주위에 회전컵(40)이 위치하게 된다.
유지 플레이트(26)에는, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지하기 위한 유지 부재(25)가 둘레 방향으로 등간격으로 3개 설치되어 있다. 한편, 도 4 및 도 5에서는 2개의 유지 부재(25) 만을 표시하고 있다. 각 유지 부재(25)는, 리프트핀 플레이트(22)가 상측 위치로부터 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같은 하측 위치로 이동했을 때에 이 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 유지하고, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시킨다.
각 유지 부재(25)는, 웨이퍼(W)를 수취하는 수취 위치와, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 위치 사이에서 이동 가능한 구조를 갖고 있으며, 또한 각 유지 부재(25)는, 리프트핀 플레이트(22)의 승강과 연동하여 움직인다. 즉, 리프트핀 플레이트(22)가 상측 위치에 있을 때는, 각 유지 부재(25)가 수취 위치로 이동하고, 리프트핀 플레이트(22)가 하측 위치에 있을 때는, 각 유지 부재(25)가 유지 위치로 이동한다.
또한, 리프트핀 플레이트(22) 및 유지 플레이트(26)의 중심 부분에는 각각 관통 구멍이 형성되어 있고, 이들 관통 구멍을 통과하도록 처리액 공급관(28)이 설치되어 있다. 이 처리액 공급관(28)은, 처리액 공급부(29)가 접속되어 있고, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 약액이나 순수 등의 처리액을 공급한다. 또한, 처리액 공급관(28)은 리프트핀 플레이트(22)와 연동하여 승강한다. 처리액 공급관(28)의 상단에는, 리프트핀 플레이트(22)의 관통 구멍을 막도록 마련된 헤드 부분(28a)이 형성되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 유지부(21)의 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 이 회전컵(40)은 유지 플레이트(26)에 부착되어 있고, 유지 플레이트(26)와 일체적으로 회전하도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 회전컵(40)은, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 측방으로부터 둘러싸도록 설치되어 있고, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액을 받게 되어 있다.
또한, 회전컵(40)의 주위에는, 드레인컵(42), 제1 안내컵(43), 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 위쪽부터 순서대로 설치되어 있다. 드레인컵(42) 및 각 안내컵(43, 44, 45)은 각각 링형으로 형성되어 있다. 여기서, 드레인컵(42)은 처리실(20)에서 고정되어 있다. 한편, 각 안내컵(43, 44, 45)에는 각각 승강 실린더(도시 생략)가 연결되어 있고, 이들 안내컵(43, 44, 45)은 대응하는 승강 실린더에 의해 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 아래쪽에는, 제1 처리액 회수용 탱크(46a), 제2 처리액 회수용 탱크(46b), 제3 처리액 회수용 탱크(46c) 및 제4 처리액 회수용 탱크(46d)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에서의 위치에 의해, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액이, 이 처리액의 종류에 기초하여, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 어느 하나의 처리액 회수용 탱크에 선택적으로 보내지게 되어 있다.
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 제4 처리액 회수용 탱크(46d)의 내측에는 배기부(48)가 설치되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에서의 위치가 소정의 위치가 되는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기가, 배기부(48)에 의해 배기된다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 처리실(20) 내에서 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 주위에 컵 외주통(50)이 설치되어 있다. 이 컵 외주통(50)은, 도 4에 도시하는 바와 같은 하측 위치와 도 5에 도시하는 바와 같은 상측 위치의 사이에서 승강 가능하게 되어 있다. 컵 외주통(50)은, 도 5에 도시하는 바와 같은 상측 위치에 있을 때에, 컵 외주통(50) 내의 영역을 외부에 대하여 격리한다.
이러한 컵 외주통(50)의 구성의 세부 사항에 대해서 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은, 컵 외주통(50)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 측면에는, 노즐 지지 아암(82)이 통과 가능한 개구(50m)가, 노즐 지지 아암(82)의 개수에 따라 형성되어 있다[예컨대 노즐 지지 아암(82)이 6개인 경우, 6개의 개구(50m)가 형성된다]. 또한, 컵 외주통(50)의 상부에는, 이 컵 외주통(50)을 지지하기 위한 지지 부재(50a)가 연결되어 있고, 지지 부재(50a)에는 이 지지 부재(50a)를 승강시키는 구동 기구(50b)가 설치되어 있다. 그리고, 구동 기구(50b)에 의해 지지 부재(50a)를 승강시킴으로써, 이 지지 부재(50a)에 지지되는 컵 외주통(50)도 승강하도록 되어 있다.
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, FFU(70)에는 가이드 부재(51)가 부착되어 있다. 이 가이드 부재(51)는, 도 5에 도시하는 바와 같이 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에, 이 컵 외주통(50)으로부터 내측으로 약간 거리를 두고 위치하도록 배치되어 있다. 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 도 5에 도시하는 바와 같이 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에는, 컵 외주통(50) 내의 기압은 컵 외주통(50)의 외측 기압보다 크게 되어 있다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에는, FFU(70)에 의해 생기는 처리실(20) 내의 다운플로우의 가스가, 가이드 부재(51)에 의해 컵 외주통(50)의 상단 근방에서 그 컵 외주통(50)의 내측으로부터 외측으로 안내된다.
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 내에는, 컵 외주통(50)을 세정하기 위한 세정부(52)가 설치되어 있다. 이 세정부(52)는, 순수 등의 세정액을 저류하기 위한 저류 부분(52a)을 갖고 있고, 도 4에 도시하는 바와 같이 컵 외주통(50)이 하측 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50)의 대부분이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지된다. 이것에 의해, 세정부(52)에서 외주통(50)을 세정할 수 있다.
또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에는 이 컵 외주통(50)의 하부가 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지된다. 이것에 의해, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에서 물 시일을 행하고, 컵 외주통(50)의 상부와 가이드 부재(51)의 사이가 좁아지기 때문에, 컵 외주통(50) 내의 영역을 외부로부터 격리할 수 있다.
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 내에서, 세정부(52)의 내측에는 처리실(20) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기부(54)가 설치되어 있고, 또한 세정부(52)의 외측에는 처리실(20) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 컵 외주통(50)이 도 4에 도시하는 바와 같은 하측 위치에 있을 때에는, 이들 배기부(54) 및 배기부(56)에 의해 처리실(20)내 전체의 분위기를 배기할 수 있다. 한편, 컵 외주통(50)이 도 5에 도시하는 바와 같은 상측 위치에 있을 때에는, 컵 외주통(50) 내의 영역이 외부로부터 격리되기 때문에, 배기부(54)에 의해 컵 외주통(50) 내부의 분위기를 배기할 수 있고, 또한 배기부(56)에 의해 컵 외주통(50)의 외측의 분위기를 배기할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 하나의 액처리 장치(10)에 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 지지 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 각 노즐(82a)은, 각각 제1 약액(구체적으로는, 예컨대 산성의 약액), 제2 약액(구체적으로는, 예컨대 알칼리성의 약액), 순수, N2 가스, IPA(이소프로필알코올), 순수의 미스트를 웨이퍼(W)의 상면에 공급하도록 되어 있다.
이하, 본 실시형태에서의 노즐 지지 아암(82)의 구성에 대해서 도 7 내지 도 11을 이용하여 상세히 기술한다. 여기서, 도 7은, 도 2 등에 도시하는 액처리 장치(10)에서의 처리실(20) 및 6개의 노즐 지지 아암(82p?82u)을 도시하는 사시도이며, 도 8은, 도 7에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p?82u)의 확대 사시도이다. 또한, 도 9는, 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p?82u)을, 이들 노즐 지지 아암(82p?82u)의 후방으로부터 처리실(20)을 향해 봤을 때의 구성을 도시한 도면이며, 도 10은, 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p?82u) 구성의 세부 사항을 도시하는 측단면도이다. 또한 도 11의 (a)는, 각 노즐 지지 아암(82p?82u)에 후술하는 가스 분출 기구가 마련되어 있는 모습을 도시하는 사시도이며, 도 11의 (b)는, 도 11의 (a)에 도시하는 가스 분출 기구를 확대하여 도시하는 사시도이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 6개의 노즐 지지 아암(82)은, 예컨대 순수 공급용 아암(82P), 제1 약액 공급용 아암(82q), N2 가스 공급용 아암(82r), 제2 약액 공급용 아암(82s), 순수의 미스트 공급용 아암(82t) 및 IPA 공급용 아암(82u)으로 구성되어 있다. 전술한 바와 같이, 이들 아암(82p?82u)의 선단 근방에는 노즐(82a)이 설치되어 있다. 이와 같이 하여, 순수 공급용 아암(82p)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 순수가 웨이퍼(W)의 상면에 공급되고, 제1 약액 공급용 아암(82q)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 제1 약액(구체적으로는, 예컨대 산성의 약액)이 웨이퍼(W)의 상면에 공급되며, N2 가스 공급용 아암(82r)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 N2 가스가 웨이퍼의 상면에 공급된다. 또한, 제2 약액 공급용 아암(82s)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 제2 약액(구체적으로는, 예컨대 알칼리성의 약액)이 웨이퍼(W)의 상면에 공급되고, 순수의 미스트 공급용 아암(82t)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 순수의 미스트가 웨이퍼(W)의 상면에 공급되며, IPA 공급용 아암(82u)의 선단 근방에 설치된 노즐(82a)로부터는 IPA가 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다.
도 8 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는, 그 노즐 지지 아암(82)을 직진 운동시키기 위한 아암 구동 기구(85)가 설치되어 있다. 아암 구동 기구(85)는, 베이스 부재(85d)에 부착되어 정역 양방향으로 회전하는 모터(85a)와, 모터(85a)에 대향하도록 베이스 부재(85d)에 부착된 풀리(85b)와, 모터(85a) 및 풀리(85b)에 감긴 순환 벨트(85c)와, 순환 벨트(85c)에 부착된 벨트 부착 부재(85e)를 갖고 있다. 여기서, 벨트 부착 부재(85e)는, 노즐 지지 아암(82)을 지지하는 아암 지지부(84)의 하부에 부착되어 있고, 벨트 부착 부재(85e) 및 아암 지지부(84)는 일체적으로 이동하도록 되어 있다. 그리고, 이러한 아암 구동 기구(85)에서, 모터(85a)가 회전함으로써 순환 벨트(85c)가 도 10에서의 우측 방향 또는 좌측 방향으로 이동하고, 이 순환 벨트(85c)에 부착된 벨트 부착 부재(85e)가 도 10에서의 우측 방향 또는 좌측 방향으로 이동함으로써, 아암 지지부(84)가 도 10에서의 좌우 방향으로 직진 운동을 하게 된다. 이와 같이 하여, 아암 지지부(84)에 지지되는 노즐 지지 아암(82)도 도 10에서의 좌우 방향으로 직진 운동을 한다.
본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 아암 구동 기구(85)가 처리실(20)의 외부에 설치되어 있는 것에 의해, 이 아암 구동 기구(85)로부터 발생하는 먼지 등이 처리실(20) 내에 들어가 버리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리실(20) 내의 분위기가 아암 구동 기구(85)에 도달해 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 전술한 6개의 아암(82p?82u) 중, 순수 공급용 아암(82p), N2 가스 공급용 아암(82r) 및 순수의 미스트 공급용 아암(82t)은 동일한 높이 레벨에 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 도 9에서, 이들 아암(82p, 82r, 82t)은, 도 9에서의 이점쇄선 A로 둘러싸인 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다. 한편, 전술한 6개의 아암(82p?82u) 중, 제1 약액 공급용 아암(82q), 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 IPA 공급용 아암(82u)도 동일한 높이 레벨에 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 도 9에서, 이들 아암(82q, 82s, 82u)은, 도 9에서의 이점쇄선 B로 둘러싸인 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다. 그리고, 도 9에 도시하는 바와 같이, 순수 공급용 아암(82p), N2 가스 공급용 아암(82r) 및 순수의 미스트 공급용 아암(82t)은, 각각 제1 약액 공급용 아암(82q), 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 IPA 공급용 아암(82u)보다 높은 위치에 설치되어 있다. 이것에 의해, 높이 레벨이 서로 상이한 복수의 아암(82p?82u)이 동시에 처리실(20) 내에 진출했을 때에 아암끼리가 충돌 또는 간섭하지 않는다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 각 아암(82p?82u)은 내부 배관(82b) 및 외부 배관(82c)으로 구성되는 이중 배관 구조로 되어 있다. 내부 배관(82b)은 노즐(82a)에 연통하고 있고, 이 내부 배관(82b)으로부터 노즐(82a)에 유체가 보내진다. 내부 배관(82b)은 예컨대 불소계 수지로 구성되어 있다. 또한, 내부 배관(82b)은 외부 배관(82c)에 의해 덮여 있고, 이 외부 배관(82c)은 예컨대 스테인리스강 파이프에 불소계 수지를 코팅한 것으로 이루어진다.
또한 도 10에 도시하는 바와 같이, 각 아암(82p?82u)의 노즐(82a)은, 각 아암(82p?82u)의 측면(82d)을 통해 웨이퍼(W)의 상면에 유체를 공급하도록 구성되어 있다. 여기서 측면(82d)이란, 각 아암(82p?82u)의 표면 중 각 아암(82p?82u)의 길이 방향과 동일한 방향으로 연장되는 면이다.
또한, 도 8 및 도 10 등에 도시하는 바와 같이, 각 아암(82p?82u)의 후단측에서의 이들 아암(82p?82u)의 외측에는, 각 내부 배관(82b)에 연통하는 스파이럴 형상 배관(83p?83u)이 각각 설치되어 있다. 각 스파이럴 형상 배관(83p?83u)은 불소 수지의 튜브 등의 가요성 재료로 형성되어 있다. 도 7, 도 8 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 각 스파이럴 형상 배관(83p?83u)은, 대응하는 아암(82p?82u)이 후퇴 위치에 있을 때에, 이들 아암(82p?82u)이 연장되는 방향에 직교하는 평면(즉, 수직 방향으로 연장되는 평면) 상에서 스파이럴 형상이 되도록 구성되어 있다. 또한, 대응하는 아암(82p?82u)이 처리실(20) 내에 진출한 경우에는, 스파이럴 형상 배관(83p?83u)은 변형되어 원뿔 나선 형상(선단이 서서히 가늘어지는 나선 형상)이 된다. 그리고, 각 스파이럴 형상 배관(83p?83u)에 약액 등의 유체가 보내지는 것에 의해, 각 아암(82p?82u)의 내부에 마련된 내부 배관(82b)을 경유하여 노즐(82a)로부터 유체가 아래쪽으로 분사된다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 각 아암(82p?82u)은, 그 아암(82p?82u)의 이동 방향을 따른 길이 방향 축을 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 구체적으로는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 각 아암(82p?82u)에는 회전 기구(86)가 설치되어 있고, 이 회전 기구(86)에 의해 각 아암(82p?82u)은 도 8에서의 화살표 방향으로 회전하도록 되어 있다. 각 아암(82p?82u)을 회전시키는 것에 의해, 노즐(82a)의 방향을 도 10에 도시하는 바와 같은 하향으로부터 다른 방향으로 바꿀 수 있게 된다. 또한, 각 스파이럴 형상 배관(83p?83u)은 스파이럴 형상으로 되어 있고 가요성 재료로 형성되어 있기 때문에, 회전 기구(86)에 의해 각 아암(82p?82u)을 회전시킨 경우라도, 대응하는 스파이럴 형상 배관(83p?83u)은 아암(82p?82u)의 회전에 맞춰 원활하게 변형할 수 있어, 아암(82p?82u)의 회전이 각 스파이럴 형상 배관(83p?83u)에 의해 방해받지 않는다.
회전 기구(86)는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 노즐(82a)에 의해 유체를 공급할 때에, 이 노즐(82a)을 지지하는 아암(82p?82u)을 선택적으로 길이 방향 축을 중심으로 하여 회전시킨다. 구체적으로는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 노즐(82a)이 근접하면, 이 노즐(82a)의 방향은 하향으로부터 비스듬히 경사지도록 아암(82p?82u)이 회전한다. 이것에 의해, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서, 노즐(82a)로부터 비스듬히 아래쪽으로 유체가 분사되게 되어, 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 공급된 유체, 구체적으로는 약액 등의 액체가 웨이퍼(W)의 주연부 상에서 튀는 것을 억제할 수 있다.
또한, 회전 기구(86)는, 각 아암(82p?82u)이 진출 위치와 후퇴 위치의 사이에서 이동할 때에, 노즐(82a)이 하향 이외의 방향, 구체적으로는 예컨대 상향이 되도록, 길이 방향 축을 중심으로 하여 아암(82p?82u)을 회전시킨다. 이것에 의해, 아암(82p?82u)을 이동시킬 때에 노즐(82a)로부터 약액 등의 액체가 떨어져 버리는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 7 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 아암(82p?82u)을 세정하기 위한 아암 세정부(88)가, 처리실(20)과 아암 대기부(80)의 사이에 설치된 벽(90)의 외측에 아암(82p?82u)마다 위치 고정식으로 설치되어 있다. 각 아암 세정부(88)는, 컵 외주통(50)의 외측에 설치되어, 각각 대응하는 아암(82p?82u)이 이동할 때에 그 아암(82p?82u)을 세정한다. 이러한 각 아암 세정부(88)에 의한 각 아암(82p?82u)의 세정 타이밍은 자유롭게 설정할 수 있게 되어 있고, 구체적으로는 각 아암(82p?82u)의 세정은 예컨대 처리시마다, 또는 하루 1회, 또는 한 달에 1회 행해지게 되어 있다.
아암 세정부(88)의 구성의 세부 사항에 대해서 도 10을 이용하여 설명한다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 아암 세정부(88)에는, 노즐 지지 아암[82(82p?82u)]이 통과하는 관통 구멍이 수평 방향(도 10에서의 좌우 방향)으로 연장되도록 형성되어 있다. 이 관통 구멍의 단면은, 노즐 지지 아암(82)의 단면보다 약간 크게 되어 있다. 또한, 이 관통 구멍에는, 세정액이 수용되는 수용 부분(88a)이 마련되어 있다. 수용 부분(88a)에는 세정액 공급관(88b)이 접속되어 있고, 세정액 공급관(88b)으로부터 수용 부분(88a)에 세정액이 공급된다. 수용 부분(88a)에 세정액이 공급되면, 이 수용 부분(88a) 내에서 노즐 지지 아암(82)의 외주면 상에 액막이 덮이게 된다. 그리고, 아암 세정부(88)에서, 수용 부분(88a)에 수용된 세정액에 노즐 지지 아암[82(82p?82u)]의 일부가 접촉하면서 이 노즐 지지 아암(82)이 이동하는 것에 의해 노즐 지지 아암(82)이 세정된다.
또한, 아암 세정부(88)에 있어서, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향(도 10에서의 좌우 방향)에서 수용 부분(88a)보다 처리실(20)에 가까운 전방 위치 및 수용 부분(88a)보다 처리실(20)로부터 먼 후방 위치에는 각각 흡인 기구(88c, 88d)가 설치되어 있다. 이들 흡인 기구(88c, 88d)는, 수용 부분(88a)에 공급된 세정액을 흡인하여 배액한다.
또한, 흡인 기구(88c, 88d)는, 노즐 지지 아암(82)이 세정된 후에, 이 노즐 지지 아암(82)에 부착된 액적을 흡인하는 것에 의해, 노즐 지지 아암(82) 표면의 건조, 특히 측면(82d)의 건조를 행한다.
또한, 아암 세정부(88)에 있어서, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향에서 수용 부분(88a)보다 후방 위치에는, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 약액 등의 액체를 배출하기 위한 배액 부분(88e)이 설치되어 있다. 배액 부분(88e)에는 드레인관(88f)이 접속되어 있고, 배액 부분(88e)에 보내진 액체는 드레인관(88f)에 의해 배출되도록 되어 있다. 그리고, 노즐(82a)이 배액 부분(88e)의 바로 위에 위치하도록 노즐 지지 아암(82)이 이동하고, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 약액 등의 액체가 노즐(82a)로부터 배액 부분(88e)에 토출되도록 되어 있다. 이와 같은 배액 부분(88e)이 설치되는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 액처리가 종료된 후, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 액체가 잔류해 버린 경우라도, 이 노즐 지지 아암(82)에 설치된 노즐(82a)을 이용하여 다음의 액처리를 행할 때에, 내부 배관(82b)에 잔류한 액체를 미리 이 내부 배관(82b)으로부터 배출할 수 있다. 특히, 웨이퍼(W)에 고온의 약액 등을 노즐(82a)로부터 공급할 때에는, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류하고 있는 액체는 식어 있는 경우가 많기 때문에, 이 잔류하고 있는 식은 액체를 배액 부분(88e)에 의해 미리 내부 배관(82b)으로부터 배출하는 것이 바람직하다. 한편, 배액 부분(88e)은, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향에서 수용 부분(88a)보다 후방 위치가 아닌 수용 부분(88a)보다 전방 위치에 설치되어도 좋다.
본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 아암 세정부(88)는 노즐 지지 아암(82) 전체를 세정하도록 되어 있어도 좋고, 또는 노즐 지지 아암(82)의 일부분만을 세정하도록 되어 있어도 좋다. 또한, 아암 세정부(88)는 노즐 지지 아암(82)의 전체 둘레를 세정하도록 되어 있지만, 이것에 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 도 2나 도 10에 도시하는 바와 같이, 각 아암(82p?82u)은, 아암 대기부(80)에서 대기하고 있을 때에, 처리실(20)과 아암 대기부(80)의 사이에 설치된 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p)를 막게 되어 있다. 이것에 의해, 각 아암(82p?82u)은, 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p)를 막는 덮개로서 기능하게 되고, 처리실(20) 내의 영역과 아암 대기부(80)의 영역을 격리할 수 있다.
또한, 각 아암(82p?82u)은, 도 5에 도시하는 바와 같은 상측 위치에 있는 컵 외주통(50)의 개구(50m)도 막을 수 있게 되어 있다. 이것에 의해, 컵 외주통(50) 내의 영역과 아암 대기부(80)의 영역을 격리할 수 있다.
도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82p?82u)에는, 각 노즐 지지 아암(82p?82u)의 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하는 가스 분출 기구(75)가 마련되어 있다. 여기서 선단면(82e)이란, 각 아암(82p?82u)의 표면 중 각 아암(82p?82u)의 길이 방향과 상이한 방향으로 연장되는 면으로서, 각 아암(82p?82u)의 선단에 위치하는 면이다. 도 11의 (b)에 도시하는 예에서, 이 선단면(82e)은, 노즐 지지 아암(82)의 길이 방향 축선에 직교하는 방향으로 연장되는 평탄한 면으로 되어 있다. 이와 같이 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 가스 분출 기구(75)를 구성함으로써, 노즐 지지 아암(82)이 벽(90)의 개구(88p)를 보다 강고히 막는 것이 가능해진다.
도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가스 분출 기구(75)는, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)으로부터 돌출되도록 형성되고, 가스를 분출하는 가스 분출 구멍(76a)을 갖는 돌출부(76)와, 노즐 지지 아암(82)의 내부에 설치되며, 돌출부(76)에 가스를 공급하는 가스 공급관(77)을 갖고 있다. 이러한 가스 분출 기구(75)를 노즐 지지 아암(82)에 설치하는 것에 의해, 후술하는 바와 같이, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 부착된 오염을 가스에 의해 제거할 수 있다.
또한, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 부착된 오염으로서는, 전술한 아암 세정부(88)에 의한 세정시, 선단면(82e)에 부착된 세정액의 액적으로서, 아암 세정부(88)의 흡인 기구(88c, 88d)에 의해 흡인되지 않은 액적을 들 수 있다. 그 외에도, 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 공급된 유체가 웨이퍼(W)로부터 튀기고, 이것에 의해, 유체의 액적이 선단면(82e)에 오염으로서 부착되는 것도 고려된다. 또한, 웨이퍼(W)에 고온의 약액을 노즐(82a)로부터 공급할 때에는, 고온의 약액으로부터 발생하는 증기가 선단면(82e)에 오염으로서 부착되는 것도 고려된다.
돌출부(76)의 가스 분출 구멍(76a)으로부터 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)을 향해 분출되는 가스는 특별히 한정되지 않고, 에어나 N2 가스 등, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 부착된 오염을 제거할 수 있는 여러 가지 가스가 이용될 수 있다.
바람직하게는, 돌출부(76)의 가스 분출 구멍(76a)은, 서로 다른 2개 이상의 방향에서 가스가 분출되도록, 2개 이상 형성되어 있다. 예컨대 도 11의 (b)에 도시되는 바와 같이, 노즐 지지 아암(82)의 길이 방향 축선 둘레의 상이한 둘레 방향 위치에 복수, 예컨대 8개의 가스 분출 구멍(76a)이 형성되어 있다. 이것에 의해, 도 11의 (b)에 화살표로 도시되는 바와 같이, 돌출부(76)를 중심으로 하여 방사상으로 선단면(82e)을 따라 가스를 분출시킬 수 있다. 이것에 의해, 선단면(82e)의 전면에 걸쳐 선단면(82e)에 부착된 오염을 제거할 수 있다.
또한 도 11의 (b)에서는, 가스 분출 구멍(76a)으로부터 분출하는 가스의 분출 방향이, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)이 연장되는 방향에 대략 평행하게 되어 있는 예를 도시했다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 가스의 분출 방향과 선단면(82e)이 연장되는 방향 사이에 소정의 각도가 형성되도록, 선단면(82e)을 향해 가스 분출 구멍(76a)으로부터 가스가 분출되어도 좋다. 즉 「선단면(82e)을 향해 가스를 분출한다」란, 선단면(82e)을 따라 가스를 분출하는 경우뿐만 아니라, 선단면(82e)을 향해 소정의 각도로 가스를 분출하는 경우도 포함하는 개념으로 되어 있다.
다음에, 이러한 구성으로 이루어지는 액처리 장치(10)의 동작에 대해서 설명한다.
우선, 유지부(21)에 있어서 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 위쪽으로 이동시키는 것과, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시키는 것에 의해 개구(94a)를 개방하는 것을 행한다. 그리고, 액처리 장치(10)의 외부로부터 웨이퍼(W)가 반송 아암(104)에 의해 개구(94a)를 통해 처리실(20) 내에 반송되고, 이 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 배치되며, 그 후, 반송 아암(104)은 처리실(20)로부터 후퇴한다. 이때, 컵 외주통(50)은 도 4에 도시하는 바와 같은 하측 위치에 위치하고 있다. 또한, 각 노즐 지지 아암(82)은 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치에 위치하고 있다. 즉, 각 노즐 지지 아암(82)은 아암 대기부(80)에서 대기하고 있다. 또한, FFU(70)로부터 처리실(20) 내에 클린에어 등의 가스가 항상 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(54)에 의해 배기되는 것에 의해, 처리실(20) 내의 분위기가 치환되게 되어 있다.
다음에, 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 아래쪽으로 이동시켜, 이들 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 바와 같은 하측 위치에 위치시킨다. 이때, 유지 플레이트(26)에 설치된 각 유지 부재(25)가, 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시킨다.
그 후에, 또는 리프트핀 플레이트(22)의 하강중에, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 이 컵 외주통(50)을 위쪽으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 5에 도시하는 바와 같은 상측 위치에 위치시킨다. 그리고, 컵 외주통(50)이 상측 위치로 이동한 후, 아암 대기부(80)에서 대기하고 있는 6개의 노즐 지지 아암(82) 중 하나 또는 복수의 노즐 지지 아암(82)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출한다(도 5의 이점쇄선 참조). 이때, 아암 구동 기구(85)에 의해 노즐 지지 아암(82)은 직선 운동을 행한다.
그리고, 유지부(21)에 있어서 유지 플레이트(26) 및 리프트핀 플레이트(22)를 회전시킨다. 이것에 의해, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)도 회전한다.
그 후, 도 5에 도시하는 바와 같은 상태로, 아암 대기부(80)에서 대기하고 있는 6개의 노즐 지지 아암(82) 중 제1 약액 공급용 아암(82q) 및 순수 공급용 아암(82p)이 각각 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 동시에 진출한다. 이때, 제1 약액 공급용 아암(82q) 및 순수 공급용 아암(82p)은 서로 높이 레벨이 다르도록 되어 있기 때문에, 이들 아암(82q, 82p)이 서로 간섭하지 않는다.
그리고, 웨이퍼(W)가 회전한 상태로, 처리실(20) 내에 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)의 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 산성의 약액을 공급한다. 또한 이때, 웨이퍼(W)의 하면(이면)을 향해 처리액 공급관(28)으로부터 산성의 약액을 공급하여도 좋다. 웨이퍼(W)에 공급된 산성의 약액은, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제1 처리액 회수용 탱크(46a)로 보내져 회수된다. 또한, 전술한 바와 같이 약액 처리가 행해질 때에, 순수 공급용 아암(82p)은, 순수의 공급 위치에 그 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다.
그리고, 제1 약액 공급용 아암(82q)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 산성의 약액을 공급한 후에, 처리실(20) 내에서 대기하고 있던 순수 공급용 아암(82p)에 설치된 노즐(82a)로부터 순수를 중단하지 않고 계속해서 웨이퍼(W)에 공급하여, 린스 처리를 행한다. 웨이퍼(W)에 공급된 순수는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제3 처리액 회수용 탱크(46c)로 보내져 회수된다. 이때, 처리실(20) 내에서 순수 공급용 아암(82p)과 제1 약액 공급용 아암(82q)은 서로 높이 레벨이 다르기 때문에 이들 아암(82p, 82q)이 서로 간섭하지 않는다.
웨이퍼(W)에 대한 산성의 약액에 의한 처리 및 린스 처리가 종료되면, 처리실(20) 내에 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에서 대기한다. 한편, 순수 공급용 아암(82p)은 처리실(20) 내에 남은 상태가 된다. 또한, 린스 처리가 행해지는 동안에, 제2 약액 공급용 아암(82s)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출하고, 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)에 의한 순수의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치에 이 제2 약액 공급용 아암(82s)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다. 이때, 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 순수 공급용 아암(82p)은 서로 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82s, 82p)이 서로 간섭하지 않는다.
그 후, 웨이퍼(W)가 회전한 상태로, 처리실(20) 내에 진출한 제2 약액 공급용 아암(82s)의 노즐(82a)이 제2 약액의 공급 위치로 이동하여, 웨이퍼(W)의 상면에 알칼리성의 약액을 공급한다. 또한 이때, 웨이퍼(W)의 하면(이면)을 향해 처리액 공급관(28)으로부터 알칼리성의 약액을 공급하여도 좋다. 웨이퍼(W)에 공급된 알칼리성의 약액은, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제2 처리액 회수용 탱크(46b)에 보내져 회수된다. 또한, 전술한 바와 같이 약액 처리가 행해질 때에, 순수 공급용 아암(82p)은, 순수의 공급 위치에 이 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다.
그리고, 제2 약액 공급용 아암(82s)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 알칼리성의 약액을 공급한 후에, 처리실(20) 내에서 대기하고 있던 순수 공급용 아암(82p)에 설치된 노즐(82a)로부터 순수를 중단하지 않고 계속해서 웨이퍼(W)에 공급하여, 린스 처리를 행한다. 웨이퍼(W)에 공급된 순수는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제3 처리액 회수용 탱크(46c)에 보내져 회수된다.
웨이퍼(W)에 대한 알칼리성의 약액에 의한 처리 및 린스 처리가 종료되면, 처리실(20)에 진출한 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 순수 공급용 아암(82p)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에서 대기한다. 또한, 전술한 바와 같이 린스 처리가 행해지는 동안에, IPA 공급용 아암(82u)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출하고, 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)에 의한 순수의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치 대기하고 있다. 또한, N2 가스 공급용 아암(82r)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출한다. 이와 같이 하여, 처리실(20) 내에 N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)이 각각 진출한 상태가 된다. 이때, N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)은 서로 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82r, 82u)이 서로 간섭하지 않는다.
그 후, 웨이퍼(W)가 회전한 상태로, 처리실(20) 내에서, IPA 공급용 아암(82u)에 설치된 노즐(82a)이 IPA의 공급 위치로 이동하여, 웨이퍼(W)의 중심에 IPA가 공급된다. 그리고, IPA 공급용 아암(82u)이 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부로 이동하고, IPA가 공급된 후의 웨이퍼(W) 상의 영역에 대하여, N2 가스 공급용 아암(82r)에 설치된 노즐(82a)에 의해 가스가 분사되는 웨이퍼(W) 상의 영역이 뒤를 쫓도록, 이들 IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)을 웨이퍼(W) 상에서 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 표면에서, IPA가 공급된 지점에 N2 가스가 바로 공급되게 되어, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 적절히 행할 수 있다. 또한 웨이퍼(W)에 공급된 IPA는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제4 처리액 회수용 탱크(46d)에 보내져 회수된다. 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료되면, 처리실(20)에 진출한 IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에서 대기한다.
웨이퍼의 건조 처리가 종료되면, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 이 컵 외주통(50)을 아래쪽으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 4에 도시하는 바와 같은 하측 위치에 위치시킨다.
그 후, 유지부(21)에 있어서 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 위쪽으로 이동시킨다. 이때, 유지 플레이트(26)의 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 전달된다. 다음에, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시킴으로써 개구(94a)를 개방한다. 액처리 장치(10)의 외부로부터 개구(94a)를 통해 반송 아암(104)을 처리실(20) 내에 진출시키고, 이 반송 아암(104)에 의해 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 취출한다. 반송 아암(104)에 의해 취출된 웨이퍼(W)는 액처리 장치(10)의 외부에 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 액처리가 완료된다.
또한, 각 노즐 지지 아암(82)의 세정은, 노즐 지지 아암(82)이 처리실(20)로부터 아암 대기부(80)에서의 후퇴 위치로 이동할 때에 아암 세정부(88)에 의해 행하여도 좋다. 또한, 각 노즐 지지 아암(82)의 세정은, 웨이퍼(W)에 대한 각 처리 후에 행하여도 좋고, 또는 정기적으로 행하여도 좋다.
여기서, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에 의하면, 아암 세정부(88)가 아암 대기부(80)에 위치 고정식으로 설치되어 있고, 이 아암 세정부(88)는, 노즐 지지 아암(82)이 이동할 때에 그 노즐 지지 아암(82)을 세정할 수 있게 되어 있다. 이와 같이, 아암 세정부(88)에 의해 노즐 지지 아암(82)을 세정함으로써, 오염이 부착되지 않은 상태로 노즐 지지 아암(82)이 처리실(20) 내에 진입할 수 있게 되어, 노즐 지지 아암(82)에 부착된 오염에 의해 처리실(20) 내의 웨이퍼(W)가 오염되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 아암 세정부(88)가 처리실(20) 외부에 설치되는 것에 의해, 처리실(20) 내의 기류가 불안해져 버리는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 아암 세정부(88)는, 세정액이 수용되는 수용 부분(88a)을 갖고 있고, 아암 세정부(88)에서, 수용 부분(88a)에 수용된 세정액에 노즐 지지 아암(82)의 일부가 접촉하면서 노즐 지지 아암(82)이 이동하는 것에 의해 노즐 지지 아암(82)의 세정이 행해지게 되어 있다. 이 경우에는, 아암 세정부(88)를 이동시키지 않고, 위치가 고정된 수용 부분(88a)에 수용된 세정액에 의해 노즐 지지 아암(82)을 세정할 수 있기 때문에, 아암을 세정하기 위한 기구를 심플한 것으로 할 수 있다.
그런데 본 실시형태에서는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 아암 세정부(88)의 흡인 기구(88c, 88d)는, 노즐 지지 아암(82)이 세정된 후에, 노즐 지지 아암(82)의 표면에 부착된 액적을 측방으로부터 흡인하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 노즐 지지 아암(82)의 표면에 부착된 액적 중, 노즐 지지 아암(82)의 측면(82d)에 부착된 액적은 충분히 흡인되지만, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 부착된 액적은 충분히 흡인되지는 않는 것이 고려된다.
여기서 본 실시형태에서는, 도 11의 (a) (b)에 도시하는 바와 같이, 노즐 지지 아암(82)에는, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하는 가스 분출 기구(75)가 마련되어 있다. 이 때문에, 아암 세정부(88)에 의한 세정 후에 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 액적 등의 오염이 남아 있는 경우라도, 가스 분출 기구(75)로부터 분출되는 가스에 의해 액적 등의 오염을 확실하게 제거할 수 있다. 이로써, 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)에 부착된 오염에 의해 처리실(20) 내의 웨이퍼(W)가 오염되어 버리는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 가스 분출 기구(75)가 노즐 지지 아암(82)의 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하는 타이밍은 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 노즐 지지 아암(82)이 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치에 위치하고 있을 때에, 가스 분출 기구(75)가 선단면(82e)을 향해 가스를 분출한다. 이 경우, 바람직하게는, 선단면(82e)이 흡인 기구(88c)의 근방에 있을 때에, 가스 분출 기구(75)가 선단면(82e)을 향해 가스를 분출한다. 이로써, 가스에 의해 선단면(82e)으로부터 불어 날린 액적 등의 오염을, 흡인 기구(88c)에 의해 흡인할 수 있다. 또한 「흡인 기구(88c)의 근방」이란, 가스에 의해 선단면(82e)으로부터 불어 날린 액적 등의 오염이 흡인 기구(88c)에 의해 흡인될 수 있는 범위를 의미한다.
또한, 선단면(82e)이 전술한 바와 같이 흡인 기구(88c)의 근방에 이르는 과정은 특별히 한정되지 않는다.
예컨대 처음에, 선단면(82e)이 수용 부분(88a)의 근방으로 이동하고, 다음에, 수용 부분(88a)에 수용된 세정액에 의해 선단면(82e)을 세정하며, 그 후, 선단면(82e)이 흡인 기구(88c)의 근방으로 이동하고, 그리고 가스 분출 기구(75)가 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하여도 좋다. 이 경우, 선단면(82e)이 흡인 기구(88c)의 근방에 있을 때에 선단면(82e)에 부착되어 있는 액적은, 수용 부분(88a)으로부터 공급된 세정액의 액적으로 되어 있다. 또한 바람직하게는, 선단면(82e)이 수용 부분(88a) 근방으로 이동하는 과정에서, 즉 노즐 지지 아암(82)이 후퇴 위치로 이동하는 과정에서, 수용 부분(88a)으로부터의 세정액에 의해 노즐 지지 아암(82)의 측면(82d) 등의 외주면이 세정된다.
또는, 처음에, 노즐(82a) 및 선단면(82e)이 처리실(20) 내에 진출하고, 다음에, 노즐(82a)이 웨이퍼(W)에 약액 등의 유체를 공급하며, 그 후, 선단면(82e)이 흡인 기구(88c)의 근방으로 이동하고, 그리고 가스 분출 기구(75)가 선단면(82e)을 향해 가스를 분출하여도 좋다. 이 경우, 선단면(82e)이 흡인 기구(88c)의 근방에 있을 때에 선단면(82e)에 부착되어 있는 액적은, 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 공급된 유체에 관련된 액적으로 되어 있다.
또한, 가스 분출 기구(75)가 가스를 분출할 때는, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 것이 바람직하다. 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있을 때에는 컵 외주통(50) 내의 영역은 외부로부터 격리되어 있기 때문에, 가스 분출 기구(75)로부터 분출된 가스나 불어 날린 액적 등의 오염이 컵 외주통(50) 내의 영역에 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또한, 배기부(56)에 의해 컵 외주통(50)의 외측 분위기가 배기되기 때문에, 가스 분출 기구(75)로부터 분출된 가스나 불어 날린 액적 등의 흐름이 아암 대기부(80)로부터 유출되었다고 해도, 조속히 배기할 수 있다. 또한, 불어 날린 액적 등의 오염은, 벽(90)과 컵 외주통(50)의 사이에 저류 부분(52a)이 위치하는 세정부(52)에서 받아도 좋다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 노즐 지지 아암(82)은, 노즐(82a)에 유체를 보내기 위한 내부 배관(82b)을 갖고 있고, 아암 세정부(88)에서, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향에서의 수용 부분(88a)보다 후방 위치에, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 액체를 배출하기 위한 배액 부분(88e)이 설치되어 있다. 그리고, 노즐(82a)이 배액 부분(88e) 바로 위에 위치하도록 노즐 지지 아암(82)이 이동함으로써, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)으로부터 배출된 액체가 노즐(82a)로부터 배액 부분(88e)에 보내지게 되어 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 액처리가 종료된 후, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 불필요한 액체가 잔류해 버린 경우라도, 이 노즐 지지 아암(82)에 설치된 노즐(82a)을 이용하여 다음 액처리를 행할 때에, 내부 배관(82b)에 잔류한 액체를 미리 이 내부 배관(82b)으로부터 배출할 수 있다. 특히, 웨이퍼(W)에 고온의 약액 등을 노즐(82a)로부터 공급할 때에는, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류하고 있는 액체는 식어 있는 경우가 많기 때문에, 이 잔류하고 있는 식은 액체를 배액 부분(88e)에 의해 미리 내부 배관(82b)으로부터 배출하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 아암 세정부(88)는 컵 외주통(50)의 외측에 설치되어 있다. 이것에 의해, 컵 외주통(50) 내의 기류가 아암 세정부(88)에 의해 불안해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 액처리 장치는, 상기한 양태에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지의 변경을 가할 수 있다. 예컨대 처리실(20) 내에 진출한 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a) 및 처리액 공급관(28)에 의해 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 양쪽 모두에 처리액을 공급할 필요는 없고, 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)에 의해 웨이퍼(W)의 상면에만 처리액을 공급하도록 되어 있어도 좋다.
또한, 하나의 노즐 지지 아암(82)에 대하여 복수의 노즐(82a)이 설치되게 되어 있어도 좋다.
10: 액처리 장치 20: 처리실
21: 유지부 29: 처리액 공급부
40: 회전컵 75: 가스 분출 기구
82: 노즐 지지 아암 82a: 노즐
82e: 선단면

Claims (15)

  1. 기판을 유지하는 기판 유지부 및 이 기판 유지부의 주위에 배치되는 컵이 내부에 설치된 처리실과,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 유체를 공급하기 위한 노즐과,
    상기 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암과,
    상기 노즐 지지 아암에 설치되고, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 가스 분출 기구
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 분출 기구는, 상기 노즐 지지 아암의 상기 선단면으로부터 돌출되도록 형성된 돌출부와, 상기 노즐 지지 아암의 내부에 마련된 가스 공급관을 갖고,
    상기 돌출부는, 가스 분출 구멍을 가지며,
    상기 가스 공급관은, 상기 돌출부에 가스를 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 돌출부의 상기 가스 분출 구멍은, 서로 다른 2개 이상의 방향에서 가스가 분출되도록, 2개 이상 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 노즐은 노즐 지지 아암의 측면에 있고,
    노즐에 접속된 처리액 공급관이, 노즐 지지 아암의 내부에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    아암 대기부와,
    아암 대기부에 마련되며, 노즐 지지 아암을 이동시키는 아암 구동 기구
    를 더 구비하고, 아암 구동 기구에 의해 노즐 지지 아암을 이동시킴으로써, 노즐을 처리실 안의 진출 위치와 처리실 밖의 후퇴 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 노즐 지지 아암을 세정하기 위한 아암 세정부를 더 구비하고,
    상기 아암 세정부는, 상기 처리실에서의 상기 컵과 상기 아암 대기부의 사이의 영역 또는 상기 아암 대기부에 위치 고정식으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리실과 상기 아암 대기부의 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽이 설치되어 있고,
    상기 벽에는, 상기 노즐 지지 아암이 통과 가능한 개구가 형성되어 있으며,
    상기 벽에 상기 아암 세정부가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 아암 세정부는, 액을 흡인하는 흡인 기구를 더 갖고,
    상기 가스 분출 기구는, 상기 흡인 기구의 근방에서 가스를 분출하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 노즐 지지 아암이 상기 후퇴 위치에 있을 때, 상기 노즐 지지 아암의 상기 선단면에 의해 상기 벽의 상기 개구가 막히는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 처리실 내에서 상기 컵의 주위에 배치되고, 상측 위치와 하측 위치의 사이에서 승강 가능하게 되어 있으며, 상기 노즐 지지 아암이 통과 가능한 개구가 형성된 원통형의 컵 외주통을 더 구비하고,
    상기 아암 세정부는, 상기 컵 외주통의 외측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 처리실 내에서 상기 컵 외주통의 아래쪽에 위치하고, 상기 벽과 상기 컵의 사이에 상기 컵 외주통을 세정하는 세정액의 저류 부분이 위치하는, 컵 외주통 세정부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  12. 처리실 내부에 설치된 기판 유지부에 의해 기판을 유지시키는 단계와,
    노즐을 지지하는 노즐 지지 아암을 상기 처리실 내에 진출시키는 단계와,
    상기 처리실 내에 진출한 노즐 지지 아암의 노즐에 의해, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 유체를 공급하는 단계, 그리고
    상기 노즐 지지 아암에 마련된 가스 분출 기구에 의해, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 노즐 지지 아암에 마련된 가스 분출 기구에 의해, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 단계는, 상기 노즐 지지 아암이 처리실로부터 후퇴한 후퇴 위치에 위치하고 있을 때에 실시되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 단계는, 상기 처리실 내에서 컵의 주위에 설치된 컵 외주통이 상측 위치에 있을 때에 실시되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 노즐 지지 아암이 상기 처리실 내의 위치로부터 상기 후퇴 위치로 이동하는 과정에서, 상기 노즐 지지 아암을 아암 세정부에 의해 세정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 노즐 지지 아암에 마련된 가스 분출 기구에 의해, 상기 노즐 지지 아암의 선단면을 향해 가스를 분출하는 단계는, 상기 노즐 지지 아암이 상기 아암 세정부에 의해 세정된 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
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