KR100839913B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100839913B1
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권오진
강병만
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 습식으로 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판으로 처리액을 분사하는 노즐들이 공정시 상기 노즐들이 분사하는 처리액을 회수하는 하우징에 고정설치된다. 이때, 각각의 노즐들은 공정시 상기 하우징이 처리액을 회수하기 위한 위치에 위치되었을 때, 상기 노즐들 중 처리액을 분사하는 노즐은 기설정된 분사위치에 위치된다. 따라서, 본 발명은 종래의 각각의 노즐들을 하우징 외부에서 대기시킨 후 공정에 필요할 때 분사위치로 이동시켜 공정을 진행하는 방식에 비해 노즐의 이동에 따른 시간을 최소화할 수 있어 공정 처리 시간을 단축한다.
반도체, 기판, 웨이퍼, 세정, 처리액, 약액, 노즐, 공급부재,

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 A영역을 확대한 도면이다.
도 6은 도 3 및 도 4의 처리액 공급부재의 변형된 예를 설명하기 위해 상기 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
100 : 기판 처리 장치
110 : 지지부재
120 : 회수부재
130 : 구동부재
140 : 처리액 공급부재
150 : 제어부
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 습식으로 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 이온 주입, 세정, 그리고 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 반도체 공정들 중 세정 공정은 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.
일반적으로 기판 세정 장치는 다수의 반도체 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 반도체 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 낱장의 웨이퍼를 지지하는 스핀척(spin chuck), 상기 스핀척에 의해 지지 및 회전되는 기판으로 처리유체들을 공급하는 복수의 노즐들(nozzles), 상기 노즐들 각각을 이송시키는 노즐 이송부재, 그리고, 상기 스핀척의 측부를 감싸도록 환형으로 제작되어 처리액을 유입시키는 개구가 상하로 적층되는 회수통(collecting canister)들을 포함한다. 각각의 노즐들은 처리액의 공급이 개시되기 전에는 장치의 일측에 제공되는 대기위치에서 대기하며, 처리액의 공급이 개시되면 상기 노즐 이송부재에 의해 상기 대기위치로부터 처리액을 분사하기 위한 분사위치로 이동되어 처리액을 공급한다. 공정시 노즐에 의해 분사되는 세정액 및 린스액 등의 처리액들은 회수하고자 하는 회수통들 각각에 수용되어 분리회수된다.
그러나, 상술한 기판 처리 장치는 공정시 노즐들을 이동시키는 시간으로 인해 기판을 세정하는 공정시간이 증가된다. 즉, 기판 처리 장치는 공정 진행시 각각의 노즐들 중 공정 단계별로 필요한 노즐을 대기위치로부터 분사위치로 이동시켜 처리액을 공급하므로, 공정시 각각의 노즐을 분사위치 및 대기위치 상호간에 이동하기 위한 시간으로 인해 장치의 공정 처리량이 저하되는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 공정 처리량을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정시 노즐의 이동에 따른 시간을 최소화하여 공정 시간을 단축하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하며 회전가능한 지지부재, 상기 지지부재의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되며, 공정에 사용된 처리액을 유입시키는 유입구가 상하로 적층되는 회수통들을 가지는 하우징, 공정시 상기 하우징과 상기 지지부재의 상대 높이를 조절하는 구동부재, 그리고 상기 하우징에 고정결합되어 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 노즐들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동부재는 상기 하우징을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐들 각각은 상기 회수통들 중 가장 상부면에 고정설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐들 각각은 공정시 상기 회수통들 중 분사하는 처리액을 회수하는 회수통에 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐들은 상기 회수통의 내부에 고정설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐들은 상기 지지부재의 측부를 따라 환형으로 형성되는 적어도 하나의 플레이트의 내부에 형성된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정시 기판을 지지하며 회전가능한 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 적어도 하나의 노즐, 상기 지지부재의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되며 공정에 사용된 처리액을 유입시키는 유입구가 상하로 적층되는 회수통들을 가지는 하우징, 그리고 상기 회수통들 중 공정에 사용되는 처리액을 회수하고자 하는 회수통에 유입되도록 상기 지지부재와 상기 하우징의 상대높이를 조절하는 구동부재를 사용하여 기판을 처리하되, 상기 노즐들 각각은 상기 하우징에 고정설치되어 상기 하우징과 상기 지지부재의 상대높이 변화에 따라 상기 노즐들 각각의 기설정된 처리액 분사위치가 만족된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다 른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 습식으로 세정하는 장치를 예로 들어 설며하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 지지부재(support member)(110), 하우징(housing)(120), 구동부재(driving member)(130), 처리액 공급부재(treating liquid supply member)(140), 그리고 제어부(control member)(150)를 포함한다.
지지부재(110)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(110)로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 즉, 지지부재(110)는 스핀헤드(spin head)(112) 및 회전축(rotating shaft)(114)을 포함한다. 스핀헤드(112)는 상부에 기판(W)을 지지하는 플레이트를 가진다. 스핀헤드(112)는 대체로 원통형상을 가진다. 스핀헤드(112)는 공정시 하우징(120) 내부에서 회전된다. 회전축(114)은 스핀헤드(112)의 하부 중앙에 제공된다. 회전축(114)은 하우징(120) 내부에서 회전가능하도록 설치되며, 구동부재(130)에 의해 회전된다.
하우징(120)은 내부에 기판을 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(120)은 회수부재(collecting member)를 가진다. 회수부재는 공정시 사용된 처리액들을 회수한다. 일 실시예로서, 회수부재는 제1 내지 제3 회수통(first to third collecting canister)(122, 124, 126)을 가진다. 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)은 위로부터 아래로 순차적으로 배치되며, 공정에 사용된 처리액을 유입시키는 개구(h1, h2, h3)가 상하로 적층되도록 설치된다. 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126) 각각은 지지부재(110)의 측부를 감싸도록 환형으로 제공된다. 제1 회수통(first collecting canister)(122)은 내부에 제1 처리액을 회수하는 공간(S1)을 제공하고, 제2 회수통(second collecting canister)(124)은 내부에 제2 처리액을 회수하는 공간(S2)을 제공한다. 그리고, 제3 회수통(third collecting canister)(126)은 내부에 제3 처리액을 회수하는 공간(S3)을 제공한다. 그리고, 제1 회수통(122)은 제1 회수라인(122a)을 가진다. 제1 회수라인(122a)은 제1 회수통(122) 내부에 수용된 처리액을 처리액 재생부(treating-liquid recycle member)(미도시됨)로 회수한다. 동일한 방식으로써, 제2 회수통(124)은 제2 회수라인(124a)을 가지고, 제3 회수통(126)은 제3 회수라인(126a)을 가진다. 제2 회수라인(124a) 및 제3 회수라인(126a)은 각각 제2 회수통(124) 및 제3 회수통(126) 내부에 수용된 처리액을 처리액 재생부로 회수한다. 본 실시예에서는 제1 내지 제3 회수라인(122a, 124a, 126a)이 회수통(122, 124, 126) 내 처리액을 처리액 재생부로 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제1 내지 제3 회수라인(122a, 124a, 126a) 중 일부는 처리액을 처리액 재생부로 회수하지 않고 배수(drain)시킬 수도 있다.
구동부재(130)는 지지부재(110) 및 하우징(120)을 구동한다. 구동부재(130)는 구동기(driving part)(132) 및 승강기(elevating part)(134)를 포함한다. 구동기(132)는 지지부재(110)를 구동한다. 즉, 구동기(132)는 공정시 회전축(114)을 회전시켜 스핀헤드(112)에 안착된 기판(W)을 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 승강기(134)는 하우징(120)을 상하로 승강 및 하강한다. 특히, 승강기(134)는 공정에 사용되는 처리액이 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)들 중 회수하고자 하는 회수통에 회수되도록, 하우징(120)의 높이를 조절한다.
여기서, 승강기(134)는 공정시 하우징(120)을 로딩/언로딩 위치(도 7a의(L1)), 제1 공정위치(도 7b의 L2), 제2 공정위치(도 7c의 L3), 그리고, 제3 공정위치(도 7d의 L4) 상호간에 이동시킨다. 로딩/언로딩 위치(L1)는 공정시 기판(W)이 지지부재(110)에 로딩(loading)되거나 언로딩(unloading)되기 위한 하우징(110)의 위치이다. 제1 공정위치(L2)는 사용된 처리액이 제1 회수통(122)으로 회수되기 위한 하우징(110)의 위치이다. 즉, 제1 공정위치(L2)에 하우징(110)이 위치되면, 기판(W)으로부터 비산되는 처리액이 제1 회수통(122)의 유입구(h1)를 통해 회수되도록 제1 회수통(122)의 유입구(h1)와 기판(W)의 측면이 대향된다. 동일한 방식으로서, 제2 공정위치(L3)는 사용된 처리액이 제2 회수통(124)로 회수되기 위한 하우징(110)의 위치이고, 제3 공정위치(L4)는 사용된 처리액이 제3 회수부재(126)로 회수되기 위한 하우징(110)의 위치이다.
본 실시예에서는 구동부재(130)가 하우징(120)의 높이를 조절하여, 공정시 사용되는 처리액들을 각각의 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)으로 회수시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 사용된 처리액들을 각각의 회수통(122, 124, 126)으로 회수시키는 방식은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 하우징(120)의 높이는 고정되고, 구동기(132)가 지지부재(110)의 높이를 조절하여 사용된 처리액을 각각의 회수통(122, 124, 126)으로 회수시킬 수 있다.
처리액 공급부재(140)는 공정시 지지부재(110)에 의해 지지된 기판(W)으로 처리유체를 공급한다. 처리액 공급부재(140)는 제1 내지 제3 노즐(first to third nozzle)(142, 144, 146)을 포함한다. 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146) 각각은 공정시 기판(W)의 처리면으로 제1 내지 제3 처리액을 토출한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 처리액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 제1 및 제2 세정액이고, 상기 제3 처리액은 상기 세정액을 제거하기 위한 린스액이다.
제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146) 각각은 하우징(120)에 고정설치된다. 일 실시예로서, 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146)은 제1 회수통(122)의 상부에 고정설치된다. 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146) 각각은 공정시 기판(W)으로 처리액을 분사하기 위한 기설정된 분사위치에 위치되도록 하우징(120)에 설치된다. 예컨대, 제1 노즐(142)은 하우징(110)이 제1 공정위치(L2)에 위치되면, 지지부재(110)에 의해 지지된 기판(W)의 기설정된 영역으로 처리액을 분사하기 위한 기설정된 분사위치에 위치되도록 하우징(120)에 고정설치된다. 동일한 방식으로, 제2 및 제3 노즐(144, 146) 각각은 하우징(110)이 제2 및 제3 공정위치(L3, L4)에 위치되면, 지지부재(110)에 의해 지지된 기판(W)의 기설정된 영역으로 처리액을 분사하기 위한 분사위치에 위치되도록 하우징(120)에 고정설치된다.
제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146) 각각에는 공정시 처리액을 토출시키는 제1 내지 제3 토출부(142a, 144a, 146a)가 제공된다. 각각의 토출부(142a, 144a, 146a)는 공정시 지지부재(110)에 놓여진 기판(W)의 기설정된 영역에 처리액을 분사하도록 분사각도 및 토출강도가 기설정된다. 예컨대, 제1 토출부(142a)는 하우징(110)이 제1 공정위치(L2)에 위치되었을 때, 지지부재(110)에 의해 지지된 기판(W)의 중앙영역으로 제1 세정액을 분사하도록 그 분사각도가 기설정된다. 또한, 제1 토출부(142a)는 상기 제1 세정액에 의해 기판(W) 처리면 전반에 균일한 세정효율을 얻도록 그 토출강도가 기설정된다. 동일한 방식으로, 제2 및 제3 노즐(144, 146)의 토출부(144a, 146a)는 제2 및 제3 처리액의 분사각도 및 토출강도가 공정 및 처리액의 특성에 따라 기설정된다. 그리고, 각각의 노즐들(142, 144, 146)은 공정 진행에 방해되지 않는 위치에 설치된다. 즉, 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146)의 토출부(142a, 144a, 146a)는 공정시 기판(W)이 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치된 지지부재(110)로/로부터 로딩/언로딩되는 경로를 방해하지 않는 위치에 설치된다.
또한, 처리액 공급부재(140)는 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146) 각각으로 제1 내지 제3 처리액을 공급하는 제1 내지 제3 공급라인(142b, 144b, 146b)을 더 포함한다. 제1 내지 제3 공급라인(142b, 144b, 146b)은 처리액 공급원(미도시됨)으로부터 각각의 노즐들(142, 144, 146)로 처리액을 공급한다. 또한, 처리액 공급부재(140)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 건조가스를 분사하는 가스노즐(미도시됨)을 더 구비할 수 있다. 가스노즐은 상술한 노즐들(142, 144, 146)과 동일한 방식으 로 하우징(110)에 고정설치되며, 공정시 기판(W)의 처리면으로 건조가스를 분사한다.
제어부(150)는 기판 처리 장치(10)가 기판(W)을 세정하는 공정을 수행하도록 제어한다. 즉, 제어부(150)는 구동기(132)를 제어하여 지지부재(110)의 기판(W) 로딩 및 언로딩, 그리고 기판(W)의 회전을 제어한다. 제어부(150)는 승강기(134)를 제어하여 하우징(110)의 상하 높이를 조절한다.
본 실시예에서는 제1 회수통(122)의 상부에 고정설치되는 노즐들(142, 144, 146)을 구비하는 기판 처리 장치(10)를 예로 들어 설명하였으나, 노즐들의 구조 및 설치위치, 그리고 형상 등은 다양하게 응용이 가능하다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10a)는 회수통(122 ~ 126)의 내부 공간에 제공되는 처리액 공급부재(140')를 가진다. 즉, 처리액 공급부재(140')는 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126) 각각의 내부 공간에 고정설치되는 제1 내지 제3 노즐들(142', 144', 146')을 가진다. 제1 노즐(142')의 토출부(142a')는 공정시 하우징(120)이 제1 공정위치(L2)에 위치되면, 제1 노즐(142')은 기설정된 분사위치에서 제1 세정액을 분사하고, 분사된 제1 세정액은 제1 노즐(142')이 구비된 회수통, 즉 제1 회수통(122)으로 회수된다. 제2 및 제3 노즐(144', 146')은 제1 노즐(142')과 동일한 방식으로 제2 및 제3 회수통(144, 146) 내부에 설치된다. 따라서, 공정시 각각의 노즐들(142', 144', 146')에 의해 분사되는 처리액은 각각의 노즐들(142', 144', 146')이 설치되는 회수통(122, 124, 126)으로 회수된다.
상술한 기판 처리 장치(10a)는 노즐들(142 ~ 146)이 회수통(122 ~ 126)의 내부 공간에 고정설치됨으로써, 공정시 각각의 노즐(142 ~ 146)들이 기판(W)과 근접한 분사위치에서 처리액을 분사할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 각각의 노즐들(142, 144, 146)이 하우징(120)의 외부에 구비되므로, 낮은 위치에 위치된 회수통(126)으로 처리액을 회수시키는 경우에는 노즐(142 ~ 146)과 기판(W)과의 거리가 멀다. 그러나, 기판 처리 장치(10a)는 각각의 노즐들(142', 144', 146')을 공정시 그 노즐이 분사하는 처리액을 회수하는 회수통의 내부 공간에 고정설치함으로써, 각각의 노즐들(142', 144'. 146')은 하우징(120)의 높이 변화로 인한 분사거리의 변화를 방지할 수 있다.
또는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10b)는 각각의 회수통(122, 124, 126)의 상부판(upper plate)(122', 124', 126') 내부에 제공되는 노즐들(142'', 144'', 146'')을 가진다. 즉, 각각의 노즐들(142'', 144', 146'')은 제1 내지 제3 회수통들(122, 124, 126)의 상부판(122', 124', 126')에 형성되는 라인 형상을 가지며, 각각의 노즐들(142'', 144'', 146'')의 토출부(142a'', 144a'', 146a'')는 상부판(122', 124', 126')의 끝단에 공정시 기판(W)의 처리면으로 처리액이 토출되도록 형성된다. 이때, 토출부(142a'', 144a'', 146a'')의 토출구의 형상은 다양한 형상을 가진다. 예컨대, 처리액이 토출되는 토출구의 형상은 정원형상, 타원형상, 슬릿형상 등으로 제공될 수 있다.
상술한 기판 처리 장치(10b)는 회수통들(122, 124, 126)의 상부판(122', 124', 126') 내부에 노즐들(142'', 144'', 146'')이 제공됨으로써, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10a)의 구성에 비해, 공정에 사용된 후 기판(W)으로부터 비산되는 처리액이 처리액 공급부재(140'')의 노즐(142'' ~ 146'')들과 충돌하여 처리액의 회수효율의 저하를 방지하고, 처리액이 기판(W) 표면으로 재유입되는 현상을 방지한다.
여기서, 상술한 실시예에서는 하나의 회수통에 하나의 노즐이 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 노즐은 각각의 회수통에 복수개가 제공될 수도 있다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(142', 142'')은 지지부재(110)를 중심으로 복수개가 균등한 각도로 제1 회수통(122) 복수개가 배치될 수 있다. 동일한 방식으로, 제2 노즐(144', 144'') 및 제3 노즐(146', 146'') 각각은 지지부재(110)를 중심으로 복수개가 균등한 각도로 제2 회수통(124) 및 제3 회수통(126)의 내부에 배치될 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 기판 처리 공정이 개시되면, 지지부재(110)에 기판(W)이 로딩(loading)된다. 즉, 도 7a를 참조하면, 제어부(150)는 승강기(134)를 제어하여 하우징(120)을 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동시킨다. 하우징(120)이 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 로봇암(robot arm)과 같은 기판 이송 장치(미도시됨)는 지지부재(110)의 스핀헤드(112)에 기판(W)을 안착시킨다.
기판(W)이 지지부재(110)에 로딩되면, 기판(W) 표면으로 제1 세정액을 공급하여 기판(W)을 일차적으로 세정한다. 즉, 도 7b를 참조하면, 제어부(150)는 승강기(134)를 제어하여, 하우징(120)을 로딩/언로딩 위치(L1)로부터 제1 공정위치(L2)로 상승시킨다. 하우징(120)이 제1 공정위치(L2)에 위치되면, 제1 노즐(142)은 기설정된 분사위치에 위치된다. 제어부(150)는 지지부재(110)를 회전시켜 기판(W)을 공정속도로 회전시킨다. 그리고, 제1 노즐(142)은 회전되는 기판(W)의 처리면으로 제1 세정액을 분사한다. 분사된 제1 세정액은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 일차적으로 세정한 후 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 제1 회수통(122)으로 회수된다.
기판의 일차 세정이 완료되면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)으로 제2 세정액을 분사하여 기판을 이차적으로 세정한다. 즉, 도 7c를 참조하면, 제어부(150)는 제1 노즐(142)의 제1 세정액 공급을 중단한 후 승강기(134)를 제어하여 하우징(120)을 제1 공정위치(L2)로부터 제2 공정위치(L3)로 상승시킨다. 하우징(120)이 제2 공정위치(L3)에 위치되면, 제2 노즐(144)은 기설정된 분사위치에 위치된다. 그리고, 제2 노즐(144)은 회전되는 기판(W)의 처리면으로 제2 세정액을 분사한다. 분사된 제2 세정액은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 이차적으로 세정한 후 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 제2 회수통(124)으로 회수된다.
세정공정이 완료되면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)으로 린스액을 분사하여 기판을 린스한다. 즉, 도 7d를 참조하면, 제어부(150)는 제2 노즐(144)의 제2 세정액 공급을 중단한 후 승강기(134)를 제어하여 하우징(120)을 제2 공정위치(L3)로부터 제3 공정위치(L4)로 상승시킨다. 하우징(120)이 제3 공정위치(L4)에 위치되면, 제3 노즐(146)은 기설정된 분사위치에 위치된다. 분사된 린스액은 기판(W) 표면에 잔류하는 제1 및 제2 세정액을 제거한 후 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 제3 회수통(126)으로 회수된다.
린스공정이 완료되면, 기판 처리 장치(10)는 기판을 건조한다. 즉, 제어부(150)는 제3 노즐(146)의 린스액 공급을 중단시키고, 건조노즐(미도시됨)이 기판(W)의 표면으로 건조가스를 분사하도록 제어한다. 분사된 건조가스는 기판(W) 표면을 건조한다. 건조공정이 완료되면, 기판 이송 장치(미도시됨)는 지지부재(110)로부터 기판(W)을 언로딩(unloading)한 후 후속 공정이 수행되는 설비로 기판(W)을 반송한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10) 및 방법은 공정시 각각의 노즐들(142, 144, 146)을 하우징(120)에 고정설치함으로써, 종래의 각각의 노즐들이 하우징의 외측에서 대기하다가 공정에 처리액이 요구될 때 처리액을 분사하기 위한 분사위치로 이동되어 처리액을 분사하는 방식에 비해 노즐의 이송에 따른 시간을 최소화할 수 있어 공정 처리 시간을 단축한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구 현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 처리액을 공급하는 노즐들이 하우징에 고정결합되어 처리액을 공급하므로, 노즐의 이동에 따른 공정 시간을 단축할 수 있어 기판의 처리량을 향상시킨다.

Claims (6)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지하며 회전가능한 지지부재와,
    상기 지지부재의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되며, 상하로 적층되어 공정에 사용된 서로 다른 처리액들을 회수하는 복수 개의 회수통들을 가지는 하우징과,
    공정시 상기 하우징과 상기 지지부재의 상대 높이를 조절하는 구동부재, 그리고
    상기 하우징에 고정 결합되어 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 서로 다른 처리액들을 공급하는 복수 개의 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부재는,
    상기 하우징을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 노즐들은,
    상기 회수통들 중 상부에 위치되는 회수통의 상부면에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 노즐들 각각은,
    공정시 상기 노즐들 각각으로부터 분사되는 처리액을 각각 회수하는 회수통에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 노즐들은,
    상기 회수통의 내부에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 노즐들은,
    상기 지지부재의 측부를 따라 환형으로 형성되는 적어도 하나의 플레이트의 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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