JP2009195835A - 処理装置及び洗浄方法並びに記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板保持部において、前記基板が嵌入される角型の凹部の洗浄処理に要する時間を短縮し、前記基板へのパーティクルの付着を抑えること。
【解決手段】塗布ユニットは、角型の基板Ｇが嵌入される角型の凹部３を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられたスピンチャックＳを備え、このスピンチャックＳを洗浄するときには、回転されるスピンチャックＳに対して前記凹部の辺に沿って洗浄液ノズル６１から洗浄液を供給し、次いで洗浄液が供給された後のスピンチャックＳ対して、ガスノズルから洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を、前記凹部の辺に沿って供給する。
【選択図】図９

Description

本発明は、例えばフォトリソグラフィと呼ばれる技術の露光時に用いられるマスク基板等の角型の基板を凹部にて保持する基板保持部を洗浄する技術に関する。

半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィ技術により基板へのレジストパターン形成処理が行われている。この処理では、所定のパターンが形成されたマスク基板を用いて基板の露光処理が行われており、このマスク基板の表面のマスクパターンの形成は、先ず例えばガラス製のマスク基板の表面にレジスト液を塗布して薄膜状のレジスト膜を形成し、次いで当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行って所望のパターンを得る、一連の工程により行われる。

前記マスク基板の表面にレジスト膜を形成する手法の一つとして、スピンコーティングによるものが知られている。この手法では、例えば図１８に示すように、基板Ｇをスピンチャック１０により鉛直軸周りに回転させながら、当該基板Ｇ表面の中心部に、塗布ノズル１１から、レジスト成分とシンナーなどの溶剤とを混ぜ合わせてなるレジスト液を供給する。これにより回転の遠心力によってレジスト液を基板Ｇの表面に広げて液膜を形成し、次いで塗布液の供給を停止した後、さらに基板Ｇを回転させて前記溶剤を蒸発させるスピン乾燥を行うことにより、薄膜状のレジスト膜を形成するものである。

この際、レジスト膜の膜厚の面内均一性を向上させるために、特許文献１に記載されるように、基板が収まる凹部１２と、基板Ｇの角部を除いた周縁に沿って設けられた気流調整部材１３と、基板Ｇの角部に対応する位置には例えば円弧状の切り欠き部１４と、を備えたスピンチャック１０が用いられている。このスピンチャック１０では、前記凹部１２内に基板Ｇを載置することで外側の雰囲気が基板Ｇに当たらないようにすると共に、回転時における気流の制御を行ない、こうして基板Ｇ面内における前記溶剤の蒸発の程度を揃え、レジスト膜の膜厚の面内均一性を高めている。ここで図１９中１５Ａは、基板Ｇの底面を保持するための保持ピンであり、１５Ｂは前記凹部１２の壁部１２ａに設けられた、基板Ｇの側面に当接してスピンチャック１０を回転させた際に基板Ｇが動かないようにするための基板固定ピンである。

ところで前記マスク基板Ｇはパターンマスクを形成するための基板であり、当該基板Ｇにパーティクルが付着していると、このパーティクルにより露光が阻害され、当該マスク基板Ｇをパターンマスクとして用いて露光する半導体ウエハが全て使用できなくなってしまう。従ってマスク基板Ｇへのパーティクルの付着を抑えるために、スピンチャック１０を高い清浄度で維持することが要請されており、例えば所定枚数の基板Ｇに対してレジスト液の塗布処理を行った後、定期的にスピンチャック１０に対して洗浄処理が行われている。

この洗浄処理は、例えば図２０に示すように、スピンチャック１０を回転させた状態で、洗浄液ノズル１６から気流調整部材１３に洗浄液を供給する位置Ｐ１１と、凹部１２の壁部１２ａに洗浄液を供給する位置Ｐ１２と、凹部１２の底壁１２ｂに洗浄液を供給する位置Ｐ１３と、凹部１２の回転中心に洗浄液を供給する位置Ｐ１４とに洗浄液を供給することにより行われている。洗浄液ノズル１６としては、例えば前記位置Ｐ１１〜Ｐ１３に洗浄液を供給する第１のノズル１６Ａと、前記中心位置Ｐ１４に洗浄液を供給する第２のノズル１６Ｂとが用いられ、前記第１の洗浄液ノズル１６Ａは、前記位置Ｐ１１→位置Ｐ１２→位置Ｐ１３の順序で移動され、夫々の位置にて洗浄液を吐出するように構成されている。

このように第１の洗浄液ノズル１６Ａを前記位置Ｐ１１〜位置Ｐ１３に配置して洗浄液を供給すると、スピンチャック１０は回転していることから、スピンチャック１０上の洗浄液の軌跡は図２０に示すように円状になる。ラインＬ１１〜Ｌ１３は、第１の洗浄液ノズル１６を前記位置Ｐ１１〜Ｐ１３に配置して洗浄液の供給を行ったときの、夫々の洗浄液の軌跡である。

ところで前記凹部１２の壁部１２ａと底壁１２ｂとは直交しているので、この壁部１２ａと底壁１２ｂとの間に形成される隅部はレジスト液等が溜まりやすくなっている。しかしながら前記凹部１２は角型であり、既述の手法では、凹部１２の壁部１２ａ全体に直接洗浄液を吹き付けることはできない。従ってこの凹部１２の壁部１２ａの内面や、この壁部１２ａと底壁１２ｂとの間は洗浄しにくい状態となっている。

また既述の基板Ｇの保持ピン１５Ａや基板固定ピン１５Ｂは、例えば金属製のプレートに樹脂製のピン１５Ａ，１５Ｂを埋め込むことにより設けられているが、この埋め込み部分の隙間にもレジスト液等が入り込む。しかしながら既述のように壁部１２ａには洗浄液を直接供給することができないため、当該壁部１２ａに設けられたピン１５Ｂの埋め込み部分は洗浄しにくい。このように洗浄しにくい部分のレジスト液等を除去するには、洗浄時間を長くすることにより対応せざるを得ず、結果として当該洗浄処理に時間がかかり、処理全体のスループットにも悪影響を与えることになってしまうという問題がある。

ところで特許文献１には、既述のようなスピンチャックを洗浄する洗浄ユニットについて記載されている。この洗浄ユニットでは、スピンチャックを回転させた状態で、気流調整部材の表面に洗浄液ノズルから洗浄液が供給する一方、気流調整部材の裏面側に設けられた超音波発生手段から当該スピンチャックに対して超音波振動を与え、スピンチャックを超音波洗浄することが行われている。しかしながらこの例においても、洗浄液ノズルは移動させずにスピンチャックを回転させて洗浄を行っているので、上述と同じ課題が発生し、本発明の課題を解決することはできない。

特開２００５−７９３２８号公報（図１３、段落００４３〜段落００４７）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、角型の基板を保持するための基板保持部において、前記基板が嵌入される角型の凹部の洗浄処理に要する時間を短縮し、前記基板へのパーティクルの付着を抑えることにある。

このため本発明の処理装置は、角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部と、この基板保持部に対して洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、この洗浄液ノズルを前記基板保持部に対して進退させるための洗浄液ノズル移動手段と、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記洗浄液ノズルから洗浄液を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記洗浄液ノズル移動手段による洗浄液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする。

ここで洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給するためのガスノズルと、このガスノズルを前記基板保持部に対して進退させるためのガスノズル移動手段と、回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用気体を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズル移動手段によるガスノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えるようにしてもよい。また洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給するための薬液ノズルを備えるようにしてもよい。

また本発明の処理装置は、角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転する基板保持部と、回転される前記基板保持部に対して洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給するためのガスノズルと、このガスノズルを前記基板保持部に対して進退させるためのガスノズル移動手段と、回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用気体を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズル移動手段によるガスノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする。

ここで前記洗浄液ノズルからは、前記基板保持部における凹部の内壁面に対してその長さ方向に沿って洗浄液が供給される。また洗浄液が供給され、乾燥気体が供給される前の基板保持部に対して、前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給するための薬液ノズルを備えるようにしてもよいし、この薬液ノズルを前記基板保持部に対して進退させるための薬液ノズル移動手段と、回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記薬液ノズルから薬液を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記薬液ノズル移動手段による薬液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えるようにしてもよい。さらにまた基板保持部に保持された基板に対して塗布液を供給するための塗布液ノズルを備えるようにしてもよい。

また本発明の洗浄方法は、角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部を洗浄する洗浄方法において、回転される前記基板保持部に対して洗浄液ノズルから洗浄液を供給する工程を含み、この工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記洗浄液ノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記洗浄液ノズルから洗浄液を供給することを特徴とする。

さらにまた洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、ガスノズルから洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給する工程を含むようにしてもよいし、この乾燥用気体を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用ガスを供給するようにしてもよい。

さらにまた本発明の洗浄方法では、角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部を洗浄する方法において、回転される前記基板保持部に対して洗浄液ノズルから洗浄液を供給する工程と、次いで洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、ガスノズルから洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給する工程を含み、この乾燥用気体を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用気体を供給することを特徴とする。

さらに洗浄液が供給された基板保持部に対して、薬液ノズルから前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給する工程を含むようにしてもよいし、この薬液を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記薬液ノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記薬液ノズルから前記薬液を供給するようにしてもよい。

また本発明の記憶媒体は、基板保持部に洗浄液を供給して当該基板保持部の洗浄を行う処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、既述の洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、基板保持部に形成される凹部の辺に沿って洗浄液を供給しているので、例えば前記凹部の内壁面や、内壁面と底壁との間の隅部に対して、その長さ方向に沿って直接洗浄液が当たるように供給される。このため前記凹部の内壁面等のように、汚れが付着しやすく、洗浄しにくい領域であっても、速やかに洗浄が行われ、洗浄処理に要する時間が短縮される。また前記凹部の清浄度が高くなるので、当該凹部に嵌入されて保持される角型の基板へのパーティクルの転写を抑えることができる。

また前記基板保持部に対して洗浄液を供給した後、当該基板保持部における凹部の辺に沿って乾燥用気体を供給しているので、前記凹部の内壁面や、前記隅部等のように、洗浄液が飛散しにくい領域であっても、速やかに乾燥していき、洗浄処理トータルに要する時間が短縮される。また前記凹部に乾燥用気体が吹き付けられることにより、当該領域に残存するパーティクルが除去されるので、当該凹部に嵌入されて保持される角型の基板へのパーティクルの転写を抑えることができる。

以下に説明する実施の形態においては、本発明の処理装置を、角型の基板に対して塗布液例えばレジスト液を塗布する処理を行う塗布ユニットに適用した構成を例にして説明する。図１は前記塗布ユニットの断面図、図２はその要部の斜視図、図３はその平面図を夫々示している。図中Ｓは、角型の基板Ｇ例えばマスク基板（レチクル基板）を載置するための基板保持部をなすスピンチャックである。前記マスク基板とは例えばパターンマスクを形成するための基板であり、例えば一辺の長さが１５２±０．５ｍｍの正方形であって、厚さが６．３５ｍｍの、一辺の長さ６インチサイズの角型のガラス基板が用いられる。

図中２１は、駆動部２２と接続され、前記スピンチャックＳを回転及び昇降自在に支持するための回転軸部であり、この回転軸部２１の上部にはスピンチャックＳを吸着保持するための吸着部２３が設けられている。この吸着部２３は、スピンチャックＳを回転軸部２１に対して着脱自在に接続するためのものであって、例えばバキュームチャックにより構成される。例えば排気手段２４を作動させると、スピンチャックＳが真空吸着力により吸着保持され、排気手段２４による排気を停止するとスピンチャックＳに対する吸着力が解除されて、こうしてスピンチャックＳが回転軸部２１に対して着脱できるようになっている。

前記スピンチャックＳの基板載置領域は、例えば図２に示すように、前記基板Ｇよりも僅かに大きい角型のプレート３１で形成されており、このプレート３１の各辺には各々の縁線に沿って起立壁３２が設けられている。即ちプレート３１及び起立壁３２により凹部３が形成され、この凹部３内に基板Ｇが収納されるようになっている。なお前記プレート３１は凹部３の底壁を構成している。またプレート３１上に載置された基板Ｇの角部に対応する位置には、例えば円弧状の切り欠き部３３が形成されており、基板Ｇがプレート３１上に保持された状態において当該基板Ｇの角部が例えば３〜７ｍｍ程度外側に突出するようになっている。更に起立壁３２の上縁には、基板Ｇの表面と高さがほぼ揃うようにして横方向外方側に伸びる平坦面を有する気流調整部材３４が夫々設けられている。

図中３５は、基板Ｇの裏面にパーティクルが付着するのをふせぐために、基板Ｇをプレート３１の表面から僅かに浮かせた状態で支持するための突部であり、３６はスピンチャックＳを回転させた際に基板Ｇが動かないようにするための基板固定（位置決め）部材であって、この基板固定部材３６は基板Ｇが所定の位置にて保持されるようにアライメントする機能も備えている。

さらに前記塗布ユニットは、前記スピンチャックＳの側周方を囲むようにして設けられたカップ４を備えており、このカップ４の内側には、スピンチャックＳを隙間を介して取り囲むリング状の気流規制リング４１が設けられている。この気流規制リング４１は、表面側が平坦面、裏面側の外側が外方に向かって下方側に傾斜するように構成され、気流規制リング４１とカップ４の間には、気流調整部材３４の外周縁を囲む吸引口４１ａが形成されている。

またスピンチャックＳの下方側には、スピンチャックＳの回転軸部２１を囲む円板４２と、この円板４２の周縁を囲む断面三角形状のリング部材４３と、が設けられており、このリング部材４３の下方側には周り全周に亘って、排気路４４ａが接続される凹部４４が形成されている。更にこの凹部４４の外側には仕切り壁４５を介して、排液路４６ａが接続された液受け部４６が設けられている。

さらにスピンチャックＳに保持された基板Ｇの表面に対して塗布液であるレジスト液を供給するための塗布液ノズル５１が、塗布液ノズル移動手段５２により昇降自在、及びスピンチャックＳの上方側において、図１及び図３中Ｘ方向に進退自在に設けられており、こうして基板Ｇ表面にレジスト液を供給する位置と、カップ４の外側の待機位置との間で移動するように構成されている。

また前記塗布ユニットは、前記スピンチャックＳを洗浄するための洗浄ノズルユニット６を備えている。この洗浄ノズルユニット６は、スピンチャックＳの表面に向けて、当該表面に付着したレジスト液等の汚れ成分を洗い流すための洗浄液例えば純水を供給するための洗浄液ノズル６１と、洗浄液が供給されたスピンチャックＳに向けて、当該スピンチャックＳ表面の洗浄液の乾燥を促進するために、例えば窒素（Ｎ２）等の乾燥用気体を供給するためのガスノズル６２とを備えている。

これら洗浄液ノズル６１及びガスノズル６２は例えば共通の支持部６３に、例えば図１及び図３中Ｘ方向に並ぶように支持されており、駆動機構６４により、昇降自在、及びスピンチャックＳの上方側において、図１及び図３中Ｘ方向に進退自在に設けられている。前記駆動機構６４は、洗浄液ノズル移動手段及びガスノズル移動手段をなすものであり、この駆動機構６４により、前記洗浄ノズルユニット６は、基板Ｇ表面に洗浄液や乾燥用気体を供給する位置と、カップ４の外側の待機位置との間で移動するように構成されている。

また洗浄液ノズル６１は、図３に示すように、主ノズル６１ａと補助ノズル６１ｂとを備えており、これらはＹ方向に沿って並ぶように前記支持部６３に取り付けられている。この例では前記主ノズル６１ａは、例えば図４に示すように、洗浄液がＸ方向における図３中左側に向けて斜め下方側に吐出されるように、ノズルの先端部６０が傾斜して構成されており、その傾斜角は、スピンチャックＳの起立壁３２や、起立壁３２と底壁（プレート）３１との間の隅部３０に対して洗浄液が到達しやすい角度に設定される。

さらに前記補助ノズル６１ｂは、図３に示すように、洗浄液がＹ方向における図３中下側に向けて斜め下方側に吐出されるように、前記支持部６３にオフセットした状態で取り付けられており、これにより後述するように、スピンチャックＳの回転中心に向けて洗浄液が供給されるように構成されている。

このような洗浄液ノズル６１及びガスノズル６２は、回転されるスピンチャックＳに形成された凹部３の辺に沿って、夫々洗浄液又は乾燥用気体を供給するように、後述する制御部１００からの指令に基づいて駆動機構６４によりその駆動が制御されている。つまりスピンチャックＳの回転位置と同期して、洗浄液ノズル６１及びガスノズル６２のＸ方向の進退距離が変化し、こうして前記凹部３の辺に沿って夫々のノズル６１，６２から洗浄液又は乾燥用気体が供給されるように制御されている。

続いて洗浄液や窒素ガスの供給系について説明する。前記洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂは、流量制御部６３ｂを備えた供給路６３ａを介して洗浄液源６５に接続されており、ガスノズル６２は流量制御部６２ｂを備えた供給路６２ａを介して乾燥用気体源例えば窒素ガス源６６に接続されている。また塗布液ノズル５１は、流量制御部５１ｂを備えた供給路５１ａを介して塗布液源例えばレジスト液源６７に接続されている。前記流量制御部６２ｂ，６３ｂ，５１ｂは、夫々バルブ及び流量調整部を含むものであり、これらを供給系５０とすると、この供給系５０は、後述の制御部１００からの指令を基づき、洗浄液、レジスト液や窒素ガスの流量及び給断の制御を行うことができるように構成されている。

以上において塗布ユニットの駆動機構２２、排気手段２４、塗布液ノズル移動手段５２、駆動機構６４、供給系５０、排気路４４ａに設けられた図示しない圧力調整部等は、後述する塗布、現像装置全体の動作を制御する制御部１００により制御されるようになっている。制御部１００は、例えば図示しないプログラム格納部を有するコンピュータからなり、プログラム格納部には外部の搬送手段から受け取った基板ＧをスピンチャックＳに受け渡したり、この基板Ｇに対してレジスト液を塗布したり、スピンチャックＳに対して洗浄処理を行う動作等についてのステップ（命令）群を備えたコンピュータプログラムが格納されている。そして、当該コンピュータプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００は塗布ユニットの動作を制御するようになっている。なお、このコンピュータプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶手段に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

ここで前記スピンチャックＳに対して基板Ｇの受け渡しを行う搬送手段７について図５を参照しながら説明する。前記マスク基板Ｇは搬送手段７により基板ＧのＣ面Ｇ０が保持される。このＣ面Ｇ０とは、図に示すように、マスク基板Ｇの角部の側面と底面との間に形成される傾斜面をいう。前記搬送手段７は、スピンチャックＳの外周縁の外側を隙間を介して囲む一対のアーム部材７１を備えており、更に当該アーム部材７１の内周面には、前記スピンチャックＳの切り欠き部３３から突出する基板Ｇの角部のＣ面Ｇ０を裏面側から支持するための基板支持片７２が内側に向かって突き出すように設けられている。またこの例では、搬送手段７は、スピンチャックＳの搬送を行なう搬送手段を兼用している。スピンチャックＳを搬送する場合には、図５（ｂ）に示すように、スピンチャックＳの気流調整部材３４の例えば長さ方向の中央領域がアーム部材７１の基板支持片７２により裏面側から支持されるようになっている。この際アーム部材７１の内側を吸着部２３が昇降できるように、夫々の大きさが設定されている。

このような搬送手段７によりスピンチャックＳに対して基板Ｇの受け渡しを行うときには、スピンチャックＳをカップ４の上方側に位置させておき、基板Ｇを保持したアーム部材７１をスピンチャックＳの上方側に進入する一方、切り欠き部３３が、当該アーム部材７１に保持された基板Ｇの角部と対向するように、スピンチャックＳを回転させる。そしてアーム部材７１を下降させて、基板ＧをスピンチャックＳに受け渡し、アーム部材７１はスピンチャックＳの下方側にて退行させる。またこれとは逆の動作により、スピンチャックＳからアーム部材７１に対して基板Ｇの受け渡しを行う。

また搬送手段７によりスピンチャックＳの搬送を行なう場合には、スピンチャックＳをカップ４の上方側に位置させておき、スピンチャックＳの気流調整部材３４の所定位置（基板支持片７２により支持される位置）が、アーム部材７１の基板支持片７２に対応する位置になるようにスピンチャックＳを回転させる。そして吸着部２３の排気手段２４を停止し、スピンチャックＳの吸着を解除する。この後アーム部材７１をスピンチャックＳの下方側に進入させ、続いてアーム部材７１を上昇させることにより、アーム部材７１にスピンチャックＳを受け渡す。

一方、アーム部材７１に保持されたスピンチャックＳを塗布ユニットに受け渡すときには、先ず吸着部２３をカップ４の上方側に位置させる。そしてスピンチャックＳを保持するアーム部材７１を吸着部２３の上方側に進入させてから下降させることにより、アーム部材７１から吸着部２３にスピンチャックＳを受け渡す。次いで吸着部２３の排気手段２４を作動させて、吸着部２３にてスピンチャックＳを吸着保持させ、この後スピンチャックＳを所定位置まで下降させる。

以上に説明した構成に基づいて、塗布ユニットにて行われる基板Ｇへのレジスト液の塗布処理や、この塗布処理の後に行われるスピンチャックＳを洗浄する動作について図６〜図１２を参照しながら説明する。先ず搬送手段７からスピンチャックＳに既述の動作により基板Ｇを受け渡す。次いでスピンチャックＳを所定位置まで下降させ、スピンチャックＳを所定の回転数で回転させながら、塗布液ノズル５１から塗布液であるレジスト液を基板Ｇの中心部に向けて吐出する（ステップＳ１、図７（ａ））。基板Ｇ表面のレジスト液は遠心力の作用により外縁側に向かって流れて行き、更に基板Ｇ上の余剰のレジスト液が振り切られる。次いで塗布液ノズル５１を後退させる一方で、所定時間基板Ｇ表面のレジスト液に含まれるシンナーの蒸発を促進させて、残ったレジスト成分により基板Ｇ表面に例えば厚さ０．６μｍのレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成された基板Ｇは既述の動作により搬送手段７に受け渡され、次工程に搬送される。

このような塗布処理を所定回数例えば５回行った後、基板Ｇを前記搬送手段７３に受け渡して塗布ユニットから搬出し（ステップＳ２）、続いてスピンチャックＳの洗浄処理を行う。この洗浄処理は、例えばカップ４内を２００Ｐａ程度の圧力に設定した状態で行われる。先ず図７（ｂ）、図９（ａ）に示すように、スピンチャックＳを例えば５ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａから、ラインＬ１に沿って洗浄液を供給するように、スピンチャックＳの回転と同期して洗浄ノズルユニット６を移動させ、主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂから洗浄液を供給する（ステップＳ３）。このラインＬ１は、例えば気流調整部材３４の表面における凹部３の辺に沿った洗浄液の供給軌跡である。

このように洗浄液が供給されると、スピンチャックＳは回転しているので、洗浄液はこの回転の遠心力により外方側に広がっていき、気流調整部材３４の全体に洗浄液の液膜が形成される。そしてこの洗浄液は前記遠心力により振り切られてさらに外方側へ飛散していくが、この洗浄液の移動により気流調整部材３４に付着していたレジスト液などの汚れ成分が剥がれ落ち、洗浄液と共に飛散していく。また前記洗浄液が供給された領域では、洗浄液が当たるときの衝撃により、当該領域に付着していた汚れ成分が剥がれ落ちやすく、速やかに除去される。

ここで主ノズル６１ａの移動について、図１１及び図１２を用いて説明する。なお図１１では、図示の便宜上、主ノズル６１ａのみを用い、凹部３の線縁に沿って洗浄液を供給する場合を示している。この例では、図１１（ａ）に示す位置がスピンチャックＳの回転位置が０度の場合を示している。即ち図１１中において、気流調整部材３４の外縁の位置Ｐが、回転中心Ｏの真下に位置する回転位置を０度としている。

そしてこのとき、主ノズル６１ａは例えば凹部３の一辺の線縁３７ａの長さ方向の中心３８に洗浄液を供給する位置にあり、このときの駆動機構６４と主ノズル６１ａとの間の距離をＲとする。そしてスピンチャックＳを回転させながら、主ノズル６１ａを移動させて、前記線縁３７に沿って洗浄液を供給するが、スピンチャックＳが例えば左回りに回転し、例えば図１１（ｂ）に示すように、その回転位置が４５度になると、主ノズル６１ａと駆動機構６４との距離は最も短くなり、前記距離はＲ−ｒとなる。

さらにスピンチャックＳを回転させながら、主ノズル６１ａを移動させて、線縁３７ｂに沿って洗浄液を供給するが、例えば図１１（ｃ）に示すように、スピンチャックＳの回転位置が９０度になると、主ノズル６１ａと駆動機構６４との距離は再びＲに戻る。このように、回転位置が０度、９０度、１８０度、２７０度、３６０度のときは主ノズル６１ａと駆動機構６４との距離はＲとなり、回転位置が４５度、１３５度、２２５度、３１５度のときは主ノズル６１ａと駆動機構６４との距離はＲーｒとなる。またこの例では、スピンチャックＳが左まわりに回転する場合には、回転位置が０度〜４５度までは、凹部３の線縁３７ａに沿って洗浄液が供給され、回転位置が４５度〜１３５度までは、凹部の線縁３７ｂに沿って洗浄液が供給され、回転位置が１３５度〜２２５度までは、凹部の線縁３７ｃに沿って洗浄液が供給され、回転位置が２２５度〜３１５度までは、凹部の線縁３７ｄに沿って洗浄液が供給され、回転位置が３１５度〜３６０度までは、凹部の線縁３７ａに沿って洗浄液が供給される。このときの回転位置と距離との関係については図１２に示すとおりである。

続いて図７（ｃ）、図９（ｂ）に示すように、スピンチャックＳを例えば５ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａから、ラインＬ２に沿って洗浄液を供給するように、スピンチャックＳの回転と同期して洗浄ノズルユニット６を移動させ、主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂから洗浄液を供給する（ステップＳ２）。このラインＬ２は、例えば凹部３の起立壁３２の内面に対して、その長さ方向に沿って洗浄液を供給したときの洗浄液の軌跡である。この際、主ノズル６１ａの先端部は、既述のように斜め下方側に洗浄液を供給するように構成されているので、例えば凹部３の起立壁３２や、起立壁３２と底壁３１との境界の隅部３０に対しても洗浄液が直接当たるように供給される。このように洗浄液が供給されると、起立壁３２の内面に前記洗浄液が直接当たるので、この洗浄液が当たるときの衝撃により、当該領域に付着していた汚れ成分が剥がれ落ちやすく、速やかに除去される。

次いで図８（ａ）、図９（ｃ）に示すように、スピンチャックＳを例えば１００ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａから、ラインＬ３に沿って洗浄液を供給するように、洗浄ノズルユニット６を所定の位置に配置し、主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂから洗浄液を供給する（ステップＳ５）。このラインＬ３は、例えば凹部３の起立壁３２に内接する内接円上に洗浄液を供給したときの洗浄液の軌跡である。

この後図８（ｂ）、図１０（ａ）に示すように、スピンチャックＳを例えば２００ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、洗浄液ノズル６１の補助ノズル６１ｂから、凹部３の回転中心に向けて洗浄液を供給するように、前記洗浄液ノズルユニット６を移動し、これら主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂから洗浄液を供給する（ステップＳ６）。ここで補助ノズル６１ｂは、既述のように支持部６３にオフセットした状態で設けられているので、前記洗浄ノズルユニット６を、例えば主ノズル６１ａが凹部３の回転中心の上方側に位置するように進入させれば、前記凹部３の回転中心に補助ノズル６１ｂから洗浄液が供給されることになる。

このように洗浄液が供給されると、スピンチャックＳは回転しているので、洗浄液はこの回転の遠心力により外方側に広がっていき、凹部３の全体に洗浄液の液膜が形成される。そしてこの洗浄液は前記遠心力により振り切られてさらに外方側へ飛散していくが、この洗浄液の移動により前記凹部３に残存する汚れ成分が剥がれ落ち、洗浄液と共に飛散していく。

続いて図８（ｃ）、図１０（ｂ）に示すように、スピンチャックＳを例えば１０ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、ガスノズル６２から、ラインＬ２に沿って乾燥用気体（Ｎ_２ガス）を供給するように、スピンチャックＳの回転と同期して洗浄ノズルユニット６を移動させ、ガスノズル６２からＮ_２ガスを供給する（ステップＳ７）。この際、ガスノズル６２の先端部は、既述のように斜め下方側にＮ_２ガスを供給するように構成されているので、例えば凹部３の起立壁３２や前記隅部３０に対してもＮ_２ガスが直接当たるように供給される。スピンチャックＳを回転させることにより、洗浄液やＮ_２ガスが起立壁３２に沿って移動し、切り欠き部３３から追い出される。またＮ_２ガスの吹き付けを行うことにより、当該領域の洗浄液の乾燥が促進される。

ここで前記制御部１００には、スピンチャックＳの回転位置と、各ラインＬ１〜Ｌ３に沿って洗浄液を供給するときの前記駆動機構６４による洗浄液ノズル６１の進退距離、この例では駆動機構６４と主ノズル６１ａとの距離を対応付けてテーブルとして格納しておく。またスピンチャックＳの回転位置と、ラインＬ２に沿ってＮ_２ガスを供給するときの前記駆動機構６４によるガスノズル６２の進退距離、この例では駆動機構６４と主ノズル６１ａとの距離を対応付けてテーブルとして格納しておく。そして洗浄処理やＮ_２ガスの供給の際には、前記格納されているデータに基づいて、スピンチャックＳの回転位置と同期させて、駆動機構６４により洗浄液ノズル６１やガスノズル６２の進退方向の移動距離が制御されるようになっている。このように制御部１００は、洗浄液ノズル移動手段による洗浄液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、ガスノズル移動手段によるガスノズルの進退方向の移動距離を制御する手段に相当する。

このような手法では、スピンチャックＳの回転に同期して、前記駆動機構６４による洗浄液ノズル６１の進退方向の移動距離を制御し、これにより、洗浄液ノズル６１によりスピンチャックＳの凹部３の辺に沿って洗浄液が供給される。このため、凹部３の起立壁３２の内面や、この壁部３２と底壁３１との間の隅部３０に直接洗浄液を吹き付けることができる。また凹部３の起立壁３４に設けられた基板固定部材３６の埋め込み部分に対しても直接洗浄液を吹き付けることができる。このように従来から、レジスト液等の汚れ成分が付着しやすく、しかも洗浄しにくい部分であった領域に対して直接洗浄液を吹き付けることができるため、これらの部分の汚れ成分が除去されやすくなり、短い洗浄時間でスピンチャックＳの汚れ成分を効率よく除去することができる。

また、スピンチャックＳの回転に同期して、前記駆動機構６４によるガスノズル６２の進退方向の移動距離を制御し、これにより、ガスノズル６２によりスピンチャックＳの凹部３の辺に沿って乾燥用気体である窒素ガスを供給している。このため凹部３という構造上、スピンチャックＳを高速回転しても、洗浄液が吹き飛びにくい領域であった、凹部３の起立壁３２の内面や、起立壁３２と底壁３１との間の隅部３０等に直接窒素ガスを供給できるので、当該窒素ガスのパージによりこの部分の洗浄液が吹き飛ばされる。これにより当該乾燥しにくい領域の乾燥が促進され、洗浄液の供給→洗浄液の乾燥といった洗浄処理全体の処理時間を短縮することができる。また仮に凹部３の起立壁３２の内面や前記隅部３０等にパーティクルが残存していたとしても、この窒素ガスのパージにより当該パーティクルを飛散させて除去することができる。

このように凹部３の辺に沿って洗浄液を供給したり、窒素ガスを吹き付けたりすることによって、当該凹部３に付着していたレジスト液等の汚れ成分を高い除去率を確保した状態で除去できるため、次の基板Ｇの塗布処理の際に、凹部３に基板Ｇを嵌入したときに、当該基板Ｇへのパーティクルの転写を抑えることができる。ここでマスク基板Ｇは、既述のようにパターン形成用の基板であり、パーティクルの許容数も厳しく制限されているが、この段階でのパーティクルの付着を抑えることによって、他のユニットへのパーティクルの持ち込みが禁止されるので、有効である。

以上において、洗浄液としては既述の純水の他、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコールと水との混合液等を用いることができ、乾燥用気体としてはＮ_２ガスの他、ドライエア等を用いることができる。また本発明では必ずしもガスノズル６２からのＮ_２ガスの供給を行う必要はない。さらにガスノズル６２からＮ_２ガスを吹き付ける領域は、既述の洗浄液の供給個所と同様に、前記ラインＬ１〜ラインＬ３や凹部３の回転中心としてもよい。さらにまたガスノズル６２は、必ずしもスピンチャックＳの回転と同期してその進退距離を変化させなくてもよく、背景技術の欄にて記載した、図２０に示すラインＬ１１〜Ｌ１３のように、円形の軌跡を描く状態でＮ_２ガスを供給してもよい。

さらにまた洗浄ノズル６１は、必ずしもスピンチャックＳの回転と同期して進退距離を変化させなくてもよく、背景技術の欄にて記載した、図２０のラインＬ１１〜Ｌ１３のように、円形の軌跡を描くように洗浄液を供給し、その後既述の洗浄液の供給個所と同様に、凹部３の辺に沿ってつまりラインＬ１〜ラインＬ３の全てまたはいずれかに沿ってＮ_２ガスを供給してもよい。このような場合であっても、乾燥時間が短縮されるので、トータルの洗浄時間が短縮され、またＮ_２ガスを吹き付けることによって、前記凹部３の辺に沿った領域に付着しているパーティクルが吹き飛ばされて除去されるため、当該領域の清浄度を高めることができるからである。

続いて本発明の他の例について図１３及び図１４を用いて説明する。この例は、前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給するための薬液ノズル６８を備えるものである。この薬液ノズル６８は、例えば前記洗浄ノズルユニット６に組み込まれ、共通の支持部６３に支持されて、昇降自在に及び、図１に示すＸ方向に進退自在に構成される。また薬液ノズル６８も、洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａと同様にその先端が傾斜するように構成されている。この例では駆動機構６４が薬液ノズル移動手段に相当し、制御部１００が薬液ノズル移動手段による薬液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段に相当する。

そして前記薬液としては、洗浄液が純水の場合にはＩＰＡ等のアルコールやオゾン水、アルコールと水との混合液等を用いることができる。この薬液の供給は、図１４に示すように、洗浄液の供給が行われ、Ｎ_２ガスの供給前のスピンチャックＳに対して行われる。図１４（ａ）は、既述の図８（ｂ）と同様の工程（凹部３の回転中心に洗浄液を供給する工程）を示しており、この工程の終了後に、薬液の供給を行う（図１４（ｂ）参照）。例えばこの薬液の供給は、スピンチャックＳを例えば５ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で、例えば既述の洗浄液の供給位置と同様に、ラインＬ１〜Ｌ３に沿って薬液を供給するように、スピンチャックＳの回転と同期して洗浄ノズルユニット６を移動させ、薬液ノズル６７から薬液を供給する。また凹部３の回転中心にも供給する。

このようにスピンチャックＳを回転させながら薬液を供給することにより、薬液はスピンチャックＳの表面全体に広がり、当該表面全体は薬液の液膜により覆われた状態となり、こうして薬液の拡散によって、揮発性の低い洗浄液が揮発性の高い薬液に置換される。続いて図１４（ｃ）に示すように、既述の図８（ｃ）と同様の工程（凹部３の辺に沿ってＮ_２ガスの吹き付けを行うと共に、スピンチャックＳを高速回転させる工程）が行われる。この際、前工程にてスピンチャックＳ表面全体が揮発性の高い薬液により覆われているので、薬液が速やかに蒸発し、乾燥が促進されて、乾燥時間をより短縮することができる。またこの薬液の供給により、仮にスピンチャックＳにパーティクルが付着していたとしても、当該パーティクルが除去される。

ここで薬液の供給位置は、ラインＬ１〜ラインＬ３、凹部３の回転中心のいずれかであってもよい。また薬液ノズル６７は、必ずしもスピンチャックＳの回転と同期して進退距離を変化させなくてもよく、背景技術の欄にて記載した、図２０のラインＬ１１〜Ｌ１３のように、円形の軌跡を描くように薬液を供給してもよい。また薬液の供給により乾燥が促進されるため、ガスノズル６２からのＮ_２ガスの供給は省略するようにしてもよい。

さらに本発明の他の例について図１５を用いて説明する。この例は、スピンチャックＳの洗浄を専用の洗浄ユニットにて行うものである。前記スピンチャックＳは既述のように、吸着部２３により着脱自在に設けられているので、所定のタイミングにて搬送手段７によりスピンチャックＳを洗浄ユニットに搬送し、ここでスピンチャックＳの洗浄が行われる。この洗浄ユニットは、例えば上述の塗布ユニットにおいて、気流調整リング４１が設けられていない他は、この塗布ユニットと同様に構成される。この洗浄ユニットでは、既述の塗布ユニットと同様の構成の部分については同様の符号を付している。そして吸着部２３をカップ４の上方側に位置させて搬送手段７によりスピンチャックＳを受け取り、当該吸着部２３により吸着して保持し、既述の工程と同様にスピンチャックＳの洗浄を行う。

続いて本発明の処理装置が組み込まれる基板処理装置の全体構成について図１６及び図１７を参照しながら簡単に説明する。このシステムは、塗布、現像装置に露光装置を接続したものであり、図中Ｂ１は、例えば５枚の基板例えばマスク基板Ｇが収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックであり、このキャリアブロックＢ１は、前記キャリアＣを載置するキャリア載置部８１と、受け渡し手段８２とを備えている。

前記受け渡し手段８２は、キャリアＣから基板Ｇを取り出し、取り出した基板ＧをキャリアブロックＢ１の奥側に設けられている処理部Ｂ２へと受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在に個性されている。前記処理部Ｂ２の中央には、既述の搬送手段７が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１から奥を見て例えば右側には本発明の塗布ユニット８３及び現像ユニット８４、手前側、奥側、左側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。 前記棚ユニットＵ１〜Ｕ３は、レジスト液の塗布処理の前処理や後処理を行うための複数の処理ユニットが積み上げられて構成され、例えば加熱ユニットや冷却ユニットの他、基板Ｇの受け渡しユニット、交換用スピンチャックの基板保持部在保持部をなす保管ユニット、スピンチャック用洗浄ユニット等が上下に割り当てられている。

前記搬送手段７は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸周りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３及び塗布ユニット８３、現像ユニット８４の間で基板Ｇを搬送する役割を持っている。但し図１７では便宜上受け渡し手段８２及び搬送手段７は描いていない。

前記処理部Ｂ２はインターフェイス部Ｂ３を介して露光装置Ｂ４と接続されている。インターフェイス部Ｂ３は、受け渡し手段８５を備えており、この受け渡し手段８５は、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸周りに回転自在に構成され、前記処理部Ｂ２と露光装置Ｂ４との間で基板Ｇの受け渡しを行なうようになっている。

このような基板処理装置における基板Ｇの流れについて述べておくと、先ず外部からキャリアＣがキャリア載置部８１に搬入され、受け渡し手段８２によりこのキャリアＣ内から基板Ｇが取り出される。基板Ｇは、受け渡し手段８２から棚ユニットＵ１の受け渡しユニットを介して搬送手段７に受け渡され、所定のユニットに順次搬送される。例えば塗布ユニット８３にて塗布膜の成分が溶剤に溶解されたレジスト液の塗布処理が行われる。

続いて基板Ｇは搬送手段７により棚ユニットＵ２の受け渡しユニットを介してインターフェイス部Ｂ３の受け渡し手段８５に受け渡しされ、この受け渡し手段８５により露光装置Ｂ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。この後基板Ｇは、インターフェイス部Ｂ３を介して処理部Ｂ２に搬送され、現像ユニット８４にて現像液が液盛りされ、所定の現像処理が行われる。なおレジスト液の塗布処理の前後や現像処理の前後には、基板Ｇの加熱処理や冷却処理が行われる。こうして所定の回路パターンが形成された基板Ｇは搬送手段７、受け渡し手段８２を介して、例えば元のキャリアＣ内に戻される。

以上において洗浄液ノズル６１又はガスノズル６２からの洗浄液又は乾燥用気体の供給位置は、前記凹部３の辺に沿った位置であればよく、上述のラインＬ１〜Ｌ３に沿った位置には限られない。また洗浄液ノズル６１、ガスノズル６２、薬液ノズル６３は共通の駆動機構６４により進退移動するように構成したが、夫々別個の洗浄液ノズル移動手段、ガスノズル移動手段、薬液ノズル移動手段を設けるようにしてもよい。また洗浄液ノズル６１の主ノズル６１ａ及び補助ノズル６１ｂ、ガスノズル６２、薬液ノズル６３の形状は上述の例に限らず、例えば二流体ノズルやメガソニックノズル等を用いることもできる。

本発明に係わる処理装置を示す断面図である。 前記処理装置に用いられるスピンチャックを示す斜視図である。 前記処理装置を示す平面図である。 前記処理装置に用いられる洗浄液ノズルを示す説明図である。 前記処理装置に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を示す平面図である。 前記処理装置にて行われるスピンチャックの洗浄方法を示す工程図である。 前記処理装置の動作を説明するための工程図である。 前記処理装置の動作を説明するための工程図である。 前記処理装置の動作を説明するための工程図である。 前記処理装置の動作を説明するための工程図である。 洗浄時のスピンチャック及び洗浄液ノズルの様子を示した工程図である。 洗浄時のスピンチャックの回転位置と、洗浄液ノズルの進退距離との関係を示した特性図である。 本発明の他の実施の形態に係るスピンチャックの洗浄方法を示す工程図である。 本発明の他の実施の形態に係る処理装置の動作を説明するための工程図である。 本発明のさらに他の実施の形態に係る処理装置を示す断面図である。 本発明の処理装置を適用した塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 上記塗布、現像装置の斜視図である。 従来のスピンチャックを示す斜視図である。 前記スピンチャックの一部を示す断面図である。 従来のスピンチャックの洗浄方法を説明するための断面図と平面図である。

符号の説明

Ｗ ウエハ
Ｓ スピンチャック
３ 凹部
３１ プレート（底壁）
３２ 起立壁
３４ 気流調整部材
４ カップ
５１ 塗布液ノズル
５２ 塗布液ノズル移動手段
６ 洗浄ノズルユニット
６１ 洗浄液ノズル
６１ａ 主ノズル
６１ｂ 補助ノズル
６２ ガスノズル
６４ 駆動機構
６７ 薬液ノズル
１００ 制御部

Claims (15)

1. 角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部と、
   この基板保持部に対して洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、
   この洗浄液ノズルを前記基板保持部に対して進退させるための洗浄液ノズル移動手段と、
   回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記洗浄液ノズルから洗浄液を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記洗浄液ノズル移動手段による洗浄液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする処理装置。
2. 洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給するためのガスノズルと、
   このガスノズルを前記基板保持部に対して進退させるためのガスノズル移動手段と、
   回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用気体を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズル移動手段によるガスノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
3. 洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給するための薬液ノズルを備えることを特徴とする請求項１又は２記載の処理装置。
4. 角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転する基板保持部と、
   回転される前記基板保持部に対して洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、
   洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給するためのガスノズルと、
   このガスノズルを前記基板保持部に対して進退させるためのガスノズル移動手段と、
   回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記ガスノズルから乾燥用気体を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズル移動手段によるガスノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする処理装置。
5. 前記洗浄液ノズルから、前記基板保持部における凹部の内壁面に対してその長さ方向に沿って洗浄液を供給することを特徴とする請求項１、２、４のいずれか一に記載の処理装置。
6. 洗浄液が供給され、乾燥気体が供給される前の基板保持部に対して、前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給するための薬液ノズルを備えることを特徴とする請求項４記載の処理装置。
7. 前記薬液ノズルを前記基板保持部に対して進退させるための薬液ノズル移動手段と、
   回転される基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記薬液ノズルから前記薬液を供給するように、前記基板保持部の回転に同期して、前記薬液ノズル移動手段による薬液ノズルの進退方向の移動距離を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項３又は６記載の処理装置。
8. 基板保持部に保持された基板に対して塗布液を供給するための塗布液ノズルを備えることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一に記載の処理装置。
9. 角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部を洗浄する洗浄方法において、
   回転される前記基板保持部に対して洗浄液ノズルから洗浄液を供給する工程を含み、
   この工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記洗浄液ノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って洗浄液を供給することを特徴とする洗浄方法。
10. 洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、ガスノズルから洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の洗浄方法。
11. 前記乾燥用気体を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って乾燥用気体を供給することを特徴とする請求項１０記載の洗浄方法。
12. 角型の基板が嵌入される角型の凹部を備え、鉛直軸周りに回転自在に設けられた基板保持部を洗浄する方法において、
    回転される前記基板保持部に対して洗浄液ノズルから洗浄液を供給する工程と、
    次いで洗浄液が供給された後の基板保持部に対して、ガスノズルから洗浄液の乾燥を促進させるための乾燥用気体を供給する工程を含み、
    この乾燥用気体を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記ガスノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って乾燥用気体を供給することを特徴とする洗浄方法。
13. 洗浄液が供給された基板保持部に対して、薬液ノズルから前記洗浄液よりも揮発性の高い薬液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか一に記載の洗浄方法。
14. 前記薬液を供給する工程では、前記基板保持部の回転に同期して、前記薬液ノズルの進退方向の移動距離を制御することにより、回転される前記基板保持部における前記凹部の辺に沿って前記薬液を供給することを特徴とする請求項１３記載の洗浄方法。
15. 基板保持部に洗浄液を供給して当該基板保持部の洗浄を行う処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記プログラムは、請求項９ないし請求項１４に記載された洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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