CN108355869B - 基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。抑制向喷嘴的排出口的液溅并实现处理单元小型化。液处理单元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；构成为从喷嘴(N1)对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)的处理液供给部(40)；包围由旋转保持部(20)保持的晶片W的周围并接收从处理液供给部(40)供给的处理液(L1)的杯体(30)；控制器(10)。杯体(30)具有防止从由旋转保持部(20)保持并旋转的晶片(W)甩出的液体飞散的外周壁(32)。控制器(10)执行从喷嘴(N1)将处理液(L1)模拟分配到外周壁(32)和旋转保持部(20)之间的内侧区域(R)的处理。

Description

基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。
背景技术
当前，在对基板(例如半导体晶片)进行精细加工而制造半导体设备时，广泛进行采用光刻技术在基板形成凹凸图案的作法。例如，在基板形成凹凸图案的工序包括以下：在基板的表面形成抗蚀剂膜；将该抗蚀剂膜沿规定的图案曝光；用显影液对曝光后的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案；隔着抗蚀剂图案对基板进行蚀刻。
如上所述，在对基板进行精细加工时，从喷嘴对基板供给各种处理液。另一方面，在不从喷嘴对基板供给处理液的待机中，从喷嘴将处理液模拟分配。模拟分配是指例如为了抑制在喷嘴内滞留处理液而劣化，在待机中从喷嘴适当排出处理液的处理。
专利文献1中公开了一种具备处理单元的基板处理装置，该处理单元包含：保持基板的基板保持机构；从喷嘴对保持于基板保持机构的基板供给处理液的供给部；配置为与基板保持机构相邻的喷嘴总线。在该处理单元中，在不对基板供给处理液的待机中，在使喷嘴位于喷嘴总线的上方的状态下从喷嘴进行模拟分配。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-042565号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是，一般来说喷嘴总线是小型的，因此在喷嘴总线内从喷嘴排出处理液时，存在与喷嘴总线的壁面碰撞的处理液弹回喷嘴，而弹回的处理液附着在喷嘴的排出口附近的问题。在该情况下可以想到，附着在喷嘴的排出口附近的处理液有可能在基板的处理时下落到基板，使在经处理的基板产生缺陷。
另外，一般来说基板处理装置具备多个处理模块。在该情况下，处理单元不仅包含基板保持机构，还包含喷嘴总线，因此存在处理单元的尺寸大型化的倾向。因此，在为了提高基板的处理量而在基板处理装置搭载有多个处理单元的情况下，基板处理装置也大型化，存在导致成本增加的问题。
于是，本发明说明一种能够抑制向喷嘴的排出口的液溅并且实现处理单元的小型化的基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。
用于解决技术问题的技术方案
[1]本发明的一个方面所涉及的基板处理装置，具备：保持基板并且使其旋转的旋转保持部；构成为从上侧喷嘴对基板的表面供给液体的第一供给部；包围由旋转保持部保持的基板的周围并且接收从第一供给部供给的液体的杯体；和控制部。杯体具有外周壁，该外周壁防止从由旋转保持部保持并旋转的基板甩出的液体的飞散。控制部执行从上侧喷嘴将处理液模拟分配到倾斜面的处理。
本发明的一个方面所涉及的基板处理装置中，控制部控制第一供给部，从上侧喷嘴将液体模拟分配到倾斜面。杯体内的空间比现有的喷嘴总线宽，因此即使从上侧喷嘴排出液体，从杯体内弹回的液体也难以到达上侧喷嘴。因此能够抑制向上侧喷嘴的液溅。由此在经处理的基板难以产生缺陷。另外，本发明的一个方面所涉及的基板处理装置中，从上侧喷嘴向杯体内进行模拟分配。因此不需要用于模拟分配的喷嘴总线。由此能够实现处理单元的小型化。
[2]在上述第1项的装置中，控制部可以控制第一供给部，执行在上侧喷嘴的排出口与杯体的上端相比位于下方或与旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方的状态下，从上侧喷嘴将液体模拟分配的处理。在该情况下，从上侧喷嘴排出的液体与杯体内的物体碰撞的气势较弱。因此液体难以变化为雾状，所以能够抑制该雾向周围的飞散。特别是，在上侧喷嘴的排出口与旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方时，所产生的雾难以附着在卡盘的基板支承面。因此能够抑制由该雾导致的基板的污染。
[3]在上述第1项或第2项的装置中，可以在杯体的外周面，设置有在上方上侧喷嘴能够待机的液体接收部。在该情况下，在上侧喷嘴不向杯体内排出液体的待机状态下，上侧喷嘴在液体接收部的上方的待机位置待机。因此，即使液体从待机状态的上侧喷嘴滴落，所滴落的液体也被液体接收部承接，所以能够抑制由液体导致的杯体的外部的污染。另外，由于液体接收部的一部分由杯体的外周面构成，所以能够使液体接收部自身小型化。因此能够实现处理单元的进一步小型化。
[4]上述第1项～第3项中任一项的装置还具备构成为对杯体内进行排气的排气部，第一供给部具有：对基板的表面供给处理液的处理液喷嘴；对基板的表面供给清洗液的清洗液喷嘴；使设置有处理液喷嘴的第一臂移动的第一驱动部；和使设置有清洗液喷嘴的第二臂移动的第二驱动部，控制部可以控制第一供给部和排气部，利用排气部将杯体内进行排气，并且执行：通过利用第一驱动部使第一臂移动而使处理液喷嘴位于内侧区域的第一处理；通过利用第二驱动部使第二臂移动而使清洗液喷嘴位于内侧区域的第二处理；和在第一处理和第二处理之后，从处理液喷嘴和清洗液喷嘴分别将处理液和清洗液进行模拟分配的第三处理。在该情况下，来自处理液喷嘴和清洗液喷嘴的模拟分配在对杯体内进行排气的状态下进行。因此，即使在从处理液喷嘴和清洗液喷嘴分别排出的处理液和清洗液与杯体内的物体碰撞而变化为雾状的情况下，该雾也从杯体内排气。由此，雾不向周围扩展，所以能够抑制雾对处理液喷嘴或者清洗液喷嘴的附着。其结果，雾在喷嘴的表面凝集而成为液滴，并且抑制该液滴在基板的处理时向基板下落，因此在所处理的基板难以产生缺陷。
[5]在上述第4项的装置中，控制部可以在第一处理中通过利用第一驱动部使第一臂移动而使处理液喷嘴位于上述内侧区域中的规定的第一区域，在第二处理中通过利用第二驱动部使第二臂移动而使清洗液喷嘴位于内侧区域中隔着旋转保持部与第一区域相反侧的第二区域。在该情况下，在来自处理液喷嘴和清洗液喷嘴的模拟分配时，处理液喷嘴与清洗液喷嘴以隔着旋转保持部相对的方式位置。因此，弹回的液体难以相互附着。由此，能够抑制对两喷嘴的液溅，并且能够从两喷嘴同时进行模拟分配。其结果，能够缩短模拟分配的处理时间，因此能够实现生产能力的提高。
[6]在上述第5项的装置中，第一区域可以为内侧区域中与旋转保持部相比靠处理液喷嘴和清洗液喷嘴在杯体外待机的待机位置的区域，第二区域为内侧区域中与旋转保持部相比离待机位置远的一侧的区域。在该情况下，在从处理液喷嘴进行模拟分配时，处理液喷嘴不超过旋转保持部。因此，即使在处理液喷嘴的移动中处理液从处理液喷嘴滴落，处理液也难以附着在旋转保持部。由此，能够抑制由处理液导致的旋转保持部的污染。
[7]在上述第4项～第6项中任一项的装置中，第一供给部具有向基板的表面供给干燥气体并且设置在第二臂的气体喷嘴，控制部控制旋转保持部和第一供给部，可以执行在使旋转保持部的卡盘旋转的状态下，利用第二驱动部使第二臂移动以使得气体喷嘴通过卡盘的上方，并且从气体喷嘴向卡盘供给干燥气体的第四处理。在该情况下，从气体喷嘴向旋转中的卡盘供给干燥气体，因此附着在卡盘的颗粒等异物被除去。因此能够维持卡盘对基板的吸附力。如上所述，无需人工而利用气体喷嘴机械地完成卡盘的清洁，所以能够实现清洁处理的自动化和短时间化。
[8]在上述第7项的装置中，在第四处理中，控制部可以在使卡盘旋转的状态下，利用第二驱动部使第二臂移动以使得气体喷嘴和清洗液喷嘴均从卡盘的中央部向周缘部移动，并且执行如下操作：在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过卡盘的中央部的上方时，从气体喷嘴向卡盘的中央部供给干燥气体，但不从清洗液喷嘴供给清洗液；在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过作为卡盘的中央部和周缘部之间的中间区域的上方时，从气体喷嘴和清洗液喷嘴分别向卡盘的中间区域供给干燥气体和清洗液；和在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过卡盘的周缘部的上方时，从气体喷嘴向卡盘的周缘部供给干燥气体，但不从清洗液喷嘴供给清洗液。在该情况下，向卡盘不仅供给干燥气体还供给清洗液，因此能够进一步使卡盘清洁化。另外，由于清洗液不供给到卡盘的中央部，所以清洗液难以流入位于卡盘的中央部的吸引孔。因此能够抑制卡盘对基板的吸附能力的降低。另外，向卡盘的周缘部从气体喷嘴供给干燥气体，而不从清洗液喷嘴供给清洗液，因此，由于离心力而扩展到卡盘的周缘部的清洗液被干燥气体吹飞。因此抑制清洗液残留在卡盘。由此能够利用清洗液和干燥气体清洁卡盘，并且抑制卡盘由清洗液导致的污染。
[9]上述第4项～第8项中任一项的装置还具备构成为从位于杯体内的下侧喷嘴对基板的背面供给清洗液的第二供给部，控制部控制第一供给部和第二供给部，可以执行从下侧喷嘴向第一臂或第二臂供给清洗液的第五处理。在该情况下，即使从处理液喷嘴排出的处理液与杯体内的物体碰撞而弹回从而附着在第一臂或第二臂的下表面，也通过从下侧喷嘴向第一臂或第二臂供给的清洗液从第一臂或第二臂除去处理液。因此能够抑制在基板的处理时处理液从第一臂或第二臂向基板下落。由此在所处理的基板更加难以产生缺陷。
[10]上述第7项或第8项的装置还具备构成为从位于杯体内的下侧喷嘴对基板的背面供给清洗液的第二供给部，控制部控制第一供给部和第二供给部，可以执行从下侧喷嘴排出清洗液而在比旋转保持部靠外侧对第一臂或第二臂供给清洗液，并且，从气体喷嘴排出干燥气体，在与从下侧喷嘴排出的清洗液供给到第一臂或第二臂的位置相比靠旋转保持部侧形成干燥气体的气流的第六处理。在该情况下，来自气体喷嘴的干燥气体的气流在连续或者规定的时刻，形成在与从下侧喷嘴排出的清洗液供给到第一臂或第二臂的位置相比靠旋转保持部侧。因此，即使从下侧喷嘴排出的清洗液与第一臂或第二臂碰撞而弹回或者成为雾状，也由干燥气体抑制所弹回的清洗液或者雾状的清洗液流向旋转保持部侧。由此，清洗液或者该雾难以附着在卡盘的基板支承面。其结果，能够抑制由清洗液或者该雾导致的基板的污染。
[11]本发明的另一观点所涉及的模拟分配方法是一种上侧喷嘴的模拟分配方法，该上侧喷嘴对由旋转保持部保持并且由杯体包围周围的基板的表面供给液体。杯体具有外周壁，该外周壁防止从由旋转保持部保持并且旋转的基板甩出的液体的飞散。本发明的另一观点所涉及的模拟分配方法包括从上侧喷嘴将液体模拟分配到外周壁和旋转保持部之间的内侧区域的工序。在该情况下，起到与上述第1项的装置相同的作用效果。
[12]在上述第11项的方法中，在上述工序中，可以在上侧喷嘴的排出口与杯体的上端相比位于下方或与旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方的状态下，从上侧喷嘴将液体模拟分配。在该情况下，起到与上述第2项的装置相同的作用效果。
[13]在上述第11项或第12项的方法中，可以在不进行模拟分配时，使上侧喷嘴在设置于杯体的外周面的液体接收部的上方待机。在该情况下，起到与上述第3项的装置相同的作用效果。
[14]上述第11项～第13项中任一项的方法可以包括：使设置有对基板的表面供给处理液的处理液喷嘴的第一臂移动，使处理液喷嘴位于内侧区域的第一工序；使设置有对基板的表面供给清洗液的清洗液喷嘴的第二臂移动，使处于待机位置的清洗液喷嘴位于倾斜面的上方的第二工序；和在第一步骤和第二步骤之后，从处理液喷嘴和清洗液喷嘴分别将处理液和清洗液进行模拟分配的第三工序，其中一边对杯体内进行排气一边实施第一工序～第三工序。在该情况下起到与上述第4项的装置相同的作用效果。
[15]在上述第14项的方法中，在第一工序中，使处理液喷嘴位于内侧区域中的规定的第一区域，在第二工序中，使清洗液喷嘴位于内侧区域中隔着旋转保持部与第一区域相反侧的第二区域。在该情况下，起到与上述第5项的装置相同的作用效果。
[16]在上述第15项的方法中，第一区域可以为内侧区域中与旋转保持部相比靠处理液喷嘴和清洗液喷嘴在杯体外待机的待机位置的区域，第二区域为内侧区域中与旋转保持部相比离待机位置远的一侧的区域。在该情况下，起到与上述第6项的装置相同的作用效果。
[17]上述第14项～第16中项任一项的方法可以还包括：在使旋转保持部的卡盘旋转的状态下，使第二臂移动以使得设置在第二臂的气体喷嘴通过卡盘的上方，并且从气体喷嘴向卡盘供给干燥气体的第四工序。在该情况下起到与上述第7项的装置相同的作用效果。
[18]在上述第17项的方法中，在第四工序中，可以包括：在使卡盘旋转的状态下，使第二臂移动以使得气体喷嘴和清洗液喷嘴均从卡盘的中央部向周缘部移动，并且，在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过卡盘的中央部的上方时，从气体喷嘴向卡盘的中央部供给干燥气体，但不从清洗液喷嘴供给清洗液；在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过作为卡盘的中央部和周缘部之间的中间区域的上方时，从气体喷嘴和清洗液喷嘴分别向卡盘的中间区域供给干燥气体和清洗液；在气体喷嘴和清洗液喷嘴通过卡盘的周缘部的上方时，从气体喷嘴向卡盘的周缘部供给干燥气体，但不从清洗液喷嘴供给清洗液。在该情况下，起到与上述第8项的装置相同的作用效果。
[19]上述第14项～第18项中任一项的方法可以还包括：从位于杯体内的下侧喷嘴向第一臂或第二臂供给清洗液的第五工序。在该情况下，起到与上述第9项的装置相同的作用效果。
[20]上述第17项或第18项的方法可以还包括：从位于杯体内的下侧喷嘴排出清洗液而在比旋转保持部靠外侧对第一臂或第二臂供给清洗液，并且从气体喷嘴排出干燥气体，在与从下侧喷嘴排出的清洗液供给到第一臂或第二臂的位置相比靠旋转保持部侧形成干燥气体的气流的第六工序。在该情况下起到与上述第10项的装置相同的作用效果。
[21]本发明的另一观点所涉及的计算机可读取记录介质记录有用于使基板处理装置执行上述第11项～第20项中任一项的模拟分配方法的程序。本发明的另一观点所涉及的计算机可读取记录介质中，与上述的模拟分配方法同样，能够抑制喷嘴向排出口的液溅并且实现处理单元的小型化。本说明书中，计算机可读取记录介质包括非暂时性的有形状的介质(non-transitory computer recording medium)(例如，各种主存储装置或者辅助存储装置)、传播信号(transitory computer recording medium)(例如，能够经由网络提供的数据信号)。
[22]本发明的另一观点所涉及的基板处理装置具备：保持基板并且使其旋转的旋转保持部；构成为从上方对上述基板的表面供给液体的上侧喷嘴；从上方对上述基板的表面供给干燥气体的气体喷嘴；构成为从下方对基板的背面供给清洗液的下侧喷嘴；和控制部。控制部控制各喷嘴的动作，执行以下处理：从下侧喷嘴排出清洗液，在比旋转保持部靠外侧对保持上侧喷嘴的臂或者保持气体喷嘴的臂供给清洗液，并且，从气体喷嘴排出干燥气体，在与从下侧喷嘴排出的清洗液供给到保持上侧喷嘴的臂或者保持气体喷嘴的臂的位置相比靠旋转保持部侧形成干燥气体的气流。在该情况下，起到与上述第10项的装置相同的作用效果。
[23]本发明的另一观点所涉及的臂清洗方法包括如下工序：从构成为从下方对保持在旋转保持部的基板的背面供给清洗液的下侧喷嘴，向保持构成为从上方对保持在旋转保持部的基板的表面供给液体的上侧喷嘴的臂、或者向保持从上方对保持在旋转保持部的基板的表面供给干燥气体的气体喷嘴的臂供给清洗液，由此，将保持上侧喷嘴的臂或者保持气体喷嘴的臂进行清洗。在将保持上侧喷嘴的臂或者保持气体喷嘴的臂进行清洗的工序中，从下侧喷嘴排出清洗液，在比旋转保持部靠外侧向保持上侧喷嘴的臂或者向保持气体喷嘴的臂供给清洗液，并且，从气体喷嘴排出干燥气体，在与从下侧喷嘴排出的清洗液供给到保持上侧喷嘴的臂或者供给气体喷嘴的臂的位置相比靠旋转保持部侧，形成干燥气体的气流。在该情况下，起到与上述第22项的装置相同的作用效果。
[24]本发明的另一观点所涉及的计算机可读取记录介质记录有用于使基板处理装置执行上述第23项的臂清洗方法的程序。在该情况下，起到与上述第23项的装置相同的作用效果。
发明的效果
利用本发明所涉及的基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质，能够抑制向喷嘴的排出口的液溅并且实现处理单元的小型化。
附图说明
图1是概略地表示基板处理系统的立体图。
图2是图1的II-II线截面图。
图3是图2的III-III线截面图。
图4是从侧方观察液处理单元时的示意图。
图5是从上方观察杯体的附近时的示意图。
图6是表示基板处理系统的块图。
图7是以控制器的硬件构成为中心表示的概略图。
图8是用于说明模拟分配的步骤的流程图。
图9是用于说明模拟分配的步骤的图，是从上方观察杯体的附近时的示意图。
图10是用于说明卡盘的清洁步骤(第一步骤)的流程图。
图11是用于说明卡盘的清洁步骤(第一步骤)的图，是以杯体为中心从侧方观察时的示意图。
图12是用于说明卡盘的清洁步骤(第二步骤)的流程图。
图13是用于说明卡盘的清洁步骤(第二步骤)的图，是以杯体为中心从侧方观察时的示意图。
图14是用于说明臂的清洁步骤的图，是以杯体为中心从侧方观察时的示意图。
符号的说明
1…基板处理系统(基板处理装置)、2…涂敷显影装置(基板处理装置)、10…控制器(控制部)、20…旋转保持部、23…保持部(卡盘)、30…杯体、32…外周壁、32a…上端、37…斜壁(内壁部)、40…处理液供给部(第一供给部)、44…臂(第一臂)、46…驱动机构(第一驱动部)、50…气液供给部(第一供给部)、54…臂(第二臂)、56…驱动机构(第二驱动部)、60…清洗液供给部(第二供给部)、70…排气部、G…干燥气体、L1…处理液、L2、L3…清洗液、N1…喷嘴(处理液喷嘴、上侧喷嘴)、N2…喷嘴(上侧喷嘴)、N2a…喷嘴(清洗液喷嘴)、N2b…喷嘴(气体喷嘴)、N3…喷嘴(清洗液喷嘴、下侧喷嘴)、R…内侧区域、R1…区域(第一区域)、R2…区域(第二区域)、RM…记录介质、S…倾斜面、U1…液处理单元(基板处理装置)、W…晶片(基板)、Wa…表面、Wb…背面。
具体实施方式
以下说明的本发明所涉及的实施方式为用于说明本发明的例示，因此本发明应不限于以下的内容。在以下的说明中，对同一要素或者具有相同功能的要素使用相同的附图，省略重复的说明。
[基板处理系统]
如图1所示，基板处理系统1(基板处理装置)具备涂敷显影装置2(基板处理装置)和控制器10(控制部)。在基板处理系统1并列设置有曝光装置3。曝光装置3具备能够与基板处理系统1的控制器10通信的控制器(未图示)。曝光装置3在与涂敷显影装置2之间接收晶片W(基板)，构成为进行形成在晶片W的表面Wa(参照图4等)的感光性抗蚀剂膜的曝光处理(图案曝光)。具体而言，通过浸液曝光等的方法对感光性抗蚀剂膜(感光性被膜)的曝光对象部分有选择地照射能量射线。作为能量射线，可以列举例如ArF准分子激光、KrF准分子激光、g射线、i射线或者极端紫外线(EUV：Extreme Ultraviolet)。
涂敷显影装置2在由曝光装置3进行曝光处理前，进行在晶片W的表面Wa形成包括感光性抗蚀剂膜的各种涂敷膜Cf(参照图4)的处理。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行感光性抗蚀剂膜的曝光处理后，进行该感光性抗蚀剂膜的显影处理。
晶片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。晶片W可以具有一部分缺口的缺口部。缺口部例如可以为缺口(U字形、V字形等的槽)，可以为直线状延伸的直线部(所谓的取向平面)。晶片W例如可以为半导体基板、玻璃基板、掩模基板、FPD(平板显示，Flat Panel Display)基板其它的各种基板。晶片W的直径例如可以为200mm～450mm左右。
如图1～图3所示，涂敷显影装置2具备载体块4、处理块5和接口块6。载体块4、处理块5和接口块6在水平方向排列。
如图1和图3所示，载体块4具有载体站12和搬入搬出部13。载体站12支承多个载体11。载体11以密封状态收纳至少一个晶片W。在载体11的侧面11a设置有用于使晶片W出入的开闭门(未图示)。载体11以侧面11a面向搬入搬出部13侧的方式可拆卸地设置在载体站12上。
搬入搬出部13位于载体站12和处理块5之间。搬入搬出部13具有多个开闭门13a。在载体站12上载置载体11时，设为载体11的开闭门面向开闭门13a的状态。通过将开闭门13a和侧面11a的开闭门同时开放，载体11内和搬入搬出部13内连通。搬入搬出部13内置有交接臂A1。交接臂A1从载体11取出晶片W并将其交接到处理块5，从处理块5接收晶片W并将其返回到载体11内。
如图1和图2所示，处理块5具有单位处理块14～17。单位处理块14～17从底面侧依次排列单位处理块17、单位处理块14、单位处理块15、单位处理块16。如图3所示，单位处理块14～17具有液处理单元U1(基板处理装置)和热处理单元U2。
液处理单元U1构成为将各种处理液或者气体供给到晶片W的表面Wa或者背面Wb(参照图4)。热处理单元U2构成为例如利用热板加热晶片W，例如利用冷却板冷却加热后的晶片W来进行热处理。
单位处理块14是构成为在晶片W的表面Wa上形成下层膜的下层膜形成块(BCT块)。单位处理块14内置有向各单元U1、U2搬送晶片W的搬送臂A2(参照图2)。单位处理块14的液处理单元U1将下层膜形成用的涂敷液(处理液)涂敷在晶片W的表面Wa形成涂敷膜。单位处理块14的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。作为热处理的具体例，可以列举用于使涂敷膜固化而形成下层膜的加热处理。作为下层膜例如可以列举反射防止(SiARC)膜。
单位处理块15是构成为在下层膜上形成中间膜的中间膜(硬掩模)形成块(HMCT块)。单位处理块15内置有向各单元U1、U2搬送晶片W的搬送臂A3(参照图2)。单位处理块15的液处理单元U1将中间膜形成用的涂敷液(处理液)涂敷在下层膜上形成涂敷膜。单位处理块15的热处理单元U2进行伴随中间膜的形成的各种热处理。作为热处理的具体例，可以列举用于使涂敷膜固化而形成中间膜的加热处理。作为中间膜可以列举例如SOC(Spin OnCarbon)膜、无定形碳膜。
单位处理块16是构成为在中间膜上形成具有热固性的抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成块(COT块)。单位处理块16内置有向各单元U1、U2搬送晶片W的搬送臂A4(参照图2)。单位处理块16的液处理单元U1将抗蚀剂膜形成用的涂敷液(处理液)涂敷在中间膜上形成涂敷膜。单位处理块16的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。作为热处理的具体例，可以列举用于使涂敷膜固化而形成抗蚀剂膜的加热处理(PAB：Pre Applied Bake)。此外，作为抗蚀剂膜包括感光性抗蚀剂膜和非感光性抗蚀剂膜。
单位处理块17是构成为进行被曝光的抗蚀剂膜的显影处理的显影处理块(DEV块)。单位处理块17内置有向各单元U1、U2搬送晶片W的搬送臂A5和不经上述单元搬送晶片W的直接搬送臂A6(参照图2)。单位处理块17的液处理单元U1向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液(处理液)而对抗蚀剂膜进行显影。单位处理块17的液处理单元U1向显影后的抗蚀剂膜供给清洗液(漂洗液)，将抗蚀剂膜的溶解成分与显影液一同洗掉。作为清洗液例如可以列举纯水(DIW：deionized water)。由此，抗蚀剂膜被部分除去，形成抗蚀剂图案。单位处理块16的热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例可以列举显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。
如图2和图3所示，在处理块5内的载体块4侧设置有棚架单元U10。棚架单元U10从底面至单位处理块16设置，被划分为在上下方向排列的多个隔室。棚架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7使晶片W在棚架单元U10的隔室彼此之间升降。
在处理块5内的接口块6侧设置有棚架单元U11。棚架单元U11从底面至单位处理块17的上部设置，被划分为在上下方向排列的多个隔室。
接口块6内置有交接臂A8，与曝光装置3连接。交接臂A8取出棚架单元U11的晶片W并将其交接到曝光装置3，从曝光装置3接收晶片W并将其返回到棚架单元U11。
控制器10部分或整体控制基板处理系统1。控制器10能够在与曝光装置3的控制器之间进行信号的发送接收，通过各控制器的联动来控制基板处理系统1和曝光装置3。对控制器10的详细在后文述说。
[液处理单元的构成]
接着，参照图4和图5进一步详细说明液处理单元U1。在此，作为一例说明单位处理块17内的液处理单元U1。如图4所示，液处理单元U1具备旋转保持部20、杯体30、处理液供给部40(第一供给部)、气液供给部50(第一供给部)、清洗液供给部60(第二供给部)、排气部70和鼓风机B。
旋转保持部20具有旋转部21、轴22和保持部23(卡盘)。旋转部21基于来自控制器10的动作信号动作，使轴22旋转。旋转部21例如是电动机等的动力源。保持部23设置在轴22的前端部。在保持部23上配置晶片W。保持部23例如是构成为通过吸附等将晶片W大致水平地保持的吸附卡盘。即，旋转保持部20在晶片W的姿势大致水平的状态下，使晶片W绕与晶片W的表面Wa垂直的轴(旋转轴)旋转。本实施方式中，旋转轴通过呈圆形状的晶片W的中心，因此也是中心轴。本实施方式中，如图4所示，旋转保持部20从上方观察时以顺时针使晶片W以规定的转速旋转。晶片W的转速例如可以为10rpm～2000rpm左右。
杯体30设置在旋转保持部20的周围。杯体30作为接收为了进行晶片W的处理而供给到晶片W的液体和通过模拟分配排出到杯体30内的液体的集液容器发挥作用。杯体30例如可以由聚丙烯(PP：polypropylene)、聚氯乙烯(PVC：polyvinyl chloride)、聚苯硫醚(PPS：Poly Phenylene Sulfide)树脂等形成。杯体30具有底壁31、外周壁32、内周壁33、分隔壁34、排液管35、排气管36、斜壁37(内壁部)和分隔壁38。
底壁31呈包围旋转保持部20的圆环状。外周壁32呈包围保持于旋转保持部20的晶片W和内周壁33的圆筒状。外周壁32从底壁31的外周缘向铅直上方延伸。外周壁32与保持于旋转保持部20的晶片W的周缘相比位于外侧。因此，外周壁32具有防止从由旋转保持部20保持并且旋转的晶片W甩出的液体的飞散的功能。外周壁32的上端32a侧的部分是随着向上方去而向内侧(旋转保持部20侧)倾斜的倾斜壁32b。
在外周壁32的外周面设置有从该外周面向外侧突出的液体接收部39。液体接收部39作为与外周壁32的外周面一起接收液体的集液容器发挥作用。在液体接收部39的下端侧且外周壁32的外周面设置有连通杯体30的内外的贯通孔32c。液体接收部39所接收的液体通过贯通孔32c流入杯体30内。
内周壁33呈包围旋转保持部20的圆筒状。内周壁33从底壁31的内周缘向铅直上方延伸。内周壁33与保持于旋转保持部20的晶片W的周缘相比位于内侧。内周壁33的上端部由分隔壁38封闭。在分隔壁38的中央部设置有贯通孔，在该贯通孔内插穿轴22。
分隔壁34呈圆筒状。分隔壁34从底壁31中的外周壁32和内周壁33之间向铅直上方延伸。即，分隔壁34包围内周壁33。
排液管35与形成在底壁31中的外周壁32和分隔壁34之间的液体排出孔31a连接。排气管36与形成在底壁31中的分隔壁34和内周壁33之间的部分的气体排出孔31b连接。
斜壁37以与分隔壁34相比向外侧突出的方式安装在内周壁33的上端部。斜壁37呈向上方突出的伞状(山形状)。即，斜壁37包含在旋转保持部20的旋转轴的径向随着向外侧去而向下方倾斜的倾斜面S。倾斜面S与保持于旋转保持部20的晶片W中的周缘部相对。因此，从晶片W甩到外侧并下落的液体流过倾斜面S而被引导至外周壁32和分隔壁34之间，通过液体排出孔31a和排液管35排出。
处理液供给部40构成为向晶片W的表面Wa供给处理液L1。处理液L1例如可以为显影液。处理液供给部40具有液源41、泵42、阀43、臂44(第一臂)、配管45、驱动机构46(第一驱动部)和喷嘴N1(处理液喷嘴、上侧喷嘴)。
液源41作为处理液L1的供给源发挥作用。泵42基于来自控制器10的动作信号动作，从液源41吸引处理液L1，经由配管45和阀43向喷嘴N1送出。阀43基于来自控制器10的动作信号动作，在阀43的前后使配管45开放和关闭。
在臂44设置有喷嘴N1和驱动机构46。如图5所示，在臂44设置有排出流量、排出方向等相互不同的多个喷嘴N1。配管45从上游侧依次连接液源41、泵42、阀43和喷嘴N1。驱动机构46基于来自控制器10的动作信号动作，使臂44在水平方向和上下方向移动。驱动机构46例如是带编码器的伺服电机，可以控制臂44的移动速度和移动位置。
喷嘴N1能够以排出口朝向晶片W的表面Wa或者液体接收部39的方式通过驱动机构46在晶片W的上方和液体接收部39的上方之间移动。喷嘴N1能够将从泵42送出的处理液L1向下方排出。
气液供给部50构成为对晶片W的表面Wa供给清洗液L2和干燥气体G。清洗液L2例如可以为纯水。干燥气体G可以为各种非活性气体，也可以为例如氮气(N2气体)。气液供给部50具有液源51A、气体源51B、泵52A、52B、阀53A、53B、臂54(第二臂)、配管55A、55B、驱动机构56(第二驱动部)和喷嘴N2(上侧喷嘴)。
液源51A作为清洗液L2的供给源发挥作用。气体源51B作为干燥气体G的供给源发挥作用。泵52A基于来自控制器10的动作信号动作，从液源51A吸引清洗液L2，经由配管55A和阀53A向喷嘴N2送出。泵52B基于来自控制器10的动作信号动作，从气体源51B吸引干燥气体G，经由配管55B和阀53B向喷嘴N2送出。阀53A基于来自控制器10的动作信号动作，在阀53A的前后使配管55A开放和关闭。阀53B基于来自控制器10的动作信号动作，在阀53B的前后使配管55B开放和关闭。
在臂54安装有喷嘴N2和驱动机构56。如图5所示，可以在臂54设置有排出清洗液L2的多个喷嘴N2a(清洗液喷嘴)和排出干燥气体G的喷嘴N2b(气体喷嘴)。多个喷嘴N2a的排出流量、排出方向等可以彼此不同。
配管55A从上游侧依次连接液源51A、泵52A、阀53A和喷嘴N2a。配管55B从上游侧依次连接气体源51B、泵52B、阀53B和喷嘴N2b。驱动机构56基于来自控制器10的动作信号动作，使臂54在水平方向和上下方向移动。驱动机构56例如是带编码器的伺服电机，可以控制臂54的移动速度和移动位置。
喷嘴N2a、N2b能够以排出口朝向晶片W的表面Wa或者液体接收部39的方式通过驱动机构56在晶片W的上方和液体接收部39的上方之间移动。喷嘴N2a能够将从泵52A送出的清洗液L2向下方排出。喷嘴N2b能够将从泵52B送出的干燥气体G向下方排出。
清洗液供给部60构成为对晶片W的背面Wb供给清洗液L3。清洗液L3例如为纯水。清洗液供给部60具有液源61、泵62、阀63、配管65和喷嘴N3(清洗液喷嘴、下侧喷嘴)。
液源61作为清洗液L3的供给源发挥作用。泵62基于来自控制器10的动作信号动作，从液源61吸引清洗液L3，经由配管65和阀63向喷嘴N3送出。阀63基于来自控制器10的动作信号动作，在阀63的前后使配管65开放和关闭。
配管65从上游侧依次连接液源61、泵62、阀63和喷嘴N3。喷嘴N3以排出口朝向晶片W的背面Wb中的周缘部的方式配置。喷嘴N3能够将从泵62送出的清洗液L3向斜上方排出。
排气部70构成为对液处理单元U1内或者杯体30内进行排气。排气部70具有吸气口71、泵72、阀73A、73B和配管75A～75C。吸气口71位于液处理单元U1内，进行液处理单元U1内的气体的吸引。
泵72基于来自控制器10的动作信号动作，通过配管75C进行气体的吸引。阀73A基于来自控制器10的动作信号动作，在阀73A的前后使配管75A开放和关闭。阀73B基于来自控制器10的动作信号动作，在阀73B的前后使配管75B开放和关闭。
配管75A与吸气口71连接。配管75B与杯体30的排气管36连接。配管75C与配管75A、75B连接，延伸至液处理单元U1外。因此，在阀73A为开放状态且阀73B为关闭状态时若泵72动作，则进行液处理单元U1内的排气。具体而言，由吸气口71吸引液处理单元U1内的气体，通过配管75A、75C排出到液处理单元U1外。另一方面，在阀73A为关闭状态且阀73B为开放状态时若泵72动作，则进行杯体30内的排气。具体而言，杯体30的气体从斜壁37和分隔壁34之间流入排气管36内，通过配管75B、75C排出到液处理单元U1外。
鼓风机B配置在液处理单元U1内的上方。鼓风机B基于来自控制器10的动作信号动作，向杯体30形成向下流动。
[控制器的构成]
如图6所示，控制器10具有读取部M1、存储部M2、处理部M3和指示部M4作为功能模块。上述功能模块只不过是为了方便将控制器10的功能划分为多个模块，并不意味着构成控制器10的硬件一定划分为这样的模块。各功能模块不限于通过程序的执行来实现，可以通过专用的电路(例如逻辑电路)或者将其集成而成的集成电路(ASIC：ApplicationSpecific Integrated Circuit)来实现。
读取部M1从计算机可读取记录介质RM读取程序。记录介质RM记录有用于使基板处理系统1的各部动作的程序。作为记录介质RM，例如可以为半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。
存储部M2存储各种数据。存储部M2例如存储有在读取部M1中从记录介质RM读出的程序、处理晶片W时的各种数据(所谓的处理方案)、由操作员经外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。
处理部M3处理各种数据。处理部M3例如基于存储在存储部M2的各种数据，生成用于使液处理单元U1(例如，旋转保持部20、泵42、52A、52B、62、72、阀43、53A、53B、63、73A、73B、驱动机构46、56、鼓风机B等)和热处理单元U2动作的动作信号。
指示部M4将在处理部M3中生成的动作信号发送到各种装置。
控制器10的硬件例如由一个或者多个控制用的计算机构成。控制器10作为硬件上的构成具有例如图7所示的电路10A。电路10A可以由电路元件(circuitry)构成。具体而言，电路10A具有处理器10B、存储器10C(存储部)、存储装置10D(存储部)、驱动器10E和输入输出端口10F。处理器10B与存储器10C和存储装置10D的至少一方协作而执行程序，通过经输入输出端口10F执行信号的输入输出，构成上述各功能模块。存储器10C和存储装置10D作为存储部M2发挥作用。驱动器10E为分别驱动基板处理系统1的各种装置的电路。输入输出端口10F在驱动器10E和基板处理系统1的各种装置(例如，旋转保持部20、泵42、52A、52B、62、72、阀43、53A、53B、63、73A、73B、驱动机构46、56、鼓风机B等)之间进行信号的输入输出。
在本实施方式中，基板处理系统1具备一个控制器10，但也可以具备由多个控制器10构成的控制器组(控制部)。在基板处理系统1具备控制器组的情况下，上述的功能模块各自可以通过一个控制器10实现，也可以通过2个以上的控制器10的组合实现。在控制器10由多个计算机(电路10A)构成的情况下，上述的功能模块各自可以通过一个计算机(电路10A)实现，也可以通过2个以上的计算机(电路10A)的组合实现。控制器10可以具有多个处理器10B。在该情况下，上述的功能模块各自可以通过一个处理器10B实现，也可以通过2个以上的处理器10B的组合实现。
[模拟分配方法]
接着，参照图4、图5、图8和图9说明从喷嘴N1、N2进行模拟分配的方法。在模拟分配处理的初始状态，旋转保持部20不保持晶片W，喷嘴N1、N2在液体接收部39的上方待机(参照图9)。即，在不从喷嘴N1、N2进行液体或者气体的排出的情况下，液体接收部39的上方作为喷嘴N1、N2待机的待机位置发挥作用。
接着，从初始状态，控制器10控制鼓风机B、阀73B和泵72而使鼓风机B动作并且进行杯体30内的排气(参照图8的步骤S10)。由此，在液处理单元U1内产生向下流动(下降流)，液处理单元U1内的气体通过杯体30内和排气管36排出到液处理单元U1外的状态被持续。
接着，控制器10控制驱动机构46，使喷嘴N1从待机位置移动到外周壁32和旋转保持部20之间的内侧区域R(参照图4)(第一处理；第一工序；参照图8的步骤S11)。本实施方式中，喷嘴N1移动到倾斜面S的上方。具体而言，如图5所示，喷嘴N1位于倾斜面S中与旋转保持部20相比靠待机位置侧(液体接收部39侧)的区域R1(图5的由右上方向斜线表示的区域；第一区域)上。
接着，控制器10控制驱动机构56，使喷嘴N2从待机位置移动到外周壁32和旋转保持部20之间的内侧区域R(参照图4)(第二处理；第二工序；参照图8的步骤S12)。本实施方式中，喷嘴N2移动到倾斜面S的上方。具体而言，如图5所示，喷嘴N2位于倾斜面S中与旋转保持部20相比离待机位置(液体接收部39)远的一侧的区域R2(图5的由右下方向斜线表示的区域；第二区域)上。
接着，控制器10控制泵42和阀43，使处理液L1从喷嘴N1排出到倾斜面S的区域R1(第三处理；第三工序；参照图8的步骤S13)。由此，在喷嘴N1中进行模拟分配处理。此外，在臂44设置有多个喷嘴N1的情况下，可以从各喷嘴N1同时排出相同种类或不同种类的处理液L1，也可以从各喷嘴N1在不同的时刻排出相同种类或不同种类的处理液L1。
接着，控制器10控制泵52A、52B和阀53A、53B，使清洗液L2和干燥气体G从喷嘴N2排出到倾斜面S的区域R2(第三处理；第三工序；参照图8的步骤S14)。由此，在喷嘴N2中进行模拟分配处理。此外，在臂54设置有多个喷嘴N2a的情况下，可以从各喷嘴N2a同时排出相同种类或不同种类的处理液L2，也可以从各喷嘴N2a在不同的时刻排出相同种类或不同种类的处理液L2。另外，可以从喷嘴N2a、N2b同时排出清洗液L2和干燥气体G，也可以在不同的时刻排出清洗液L2和干燥气体G。
接着，控制器10控制驱动机构46，使喷嘴N1从倾斜面S(区域R1)的上方移动到待机位置(参照图8的步骤S15)。同样，控制器10控制驱动机构56，使喷嘴N2从倾斜面S(区域R2)的上方移动到待机位置(参照图8的步骤S16)。
之后，控制器10控制阀73A、73B，将阀73A开放且将阀73B关闭(参照图8的步骤S17)。由此，从吸气口71将液处理单元U1内的气体排气。通过以上，喷嘴N1、N2的模拟分配处理结束。
[作用]
如上的本实施方式中，控制器10控制处理液供给部40，将处理液L1从喷嘴N1模拟分配到内侧区域R。杯体30内的空间比现有的喷嘴总线宽，因此，即使从喷嘴N1对位于杯体30内的斜壁37的倾斜面S排出处理液L1，从杯体30内弹回的处理液L1也难以到达上侧喷嘴。由此，在所处理的晶片W难以产生缺陷。另外，本实施方式中，从喷嘴N1向杯体30内模拟分配。因此不需要用于模拟分配的喷嘴总线。由此能够实现液处理单元U1的小型化。
本实施方式中，具有位于外周壁32和旋转保持部20之间且杯体30内的斜壁37，控制器10控制处理液供给部40，将处理液L1从喷嘴N1模拟分配到斜壁37。因此，从喷嘴N1将处理液L1可靠地排出到杯体30内。由此能够进一步抑制向喷嘴N1的液溅。
本实施方式中，控制器10控制处理液供给部40，从喷嘴N1将处理液L1模拟分配到内侧区域R中特别是倾斜面S。因此，从倾斜面S弹回的处理液L1难以朝向喷嘴N1。由此能够进一步抑制向喷嘴N1的液溅。
本实施方式中，在杯体30的外周面设置有液体接收部39，喷嘴N1、N2能够在液体接收部39的上方待机。因此，在喷嘴N1、N2不向杯体30内排出处理液L1或者清洗液L2的待机状态下，喷嘴N1、N2在液体接收部39的上方的待机位置待机。由此，即使从待机状态的喷嘴N1、N2滴落处理液L1或清洗液L2，所滴落的液体也被液体接收部39接收，因此，能够抑制由处理液L1或清洗液L2导致的杯体30的外部的污染。另外，液体接收部39的一部分由杯体30的外周面构成，因此能够使液体接收部39自身小型化。因此能够实现液处理单元U1的进一步的小型化。
本实施方式中，来自喷嘴N1、N2的模拟分配在将杯体30内进行排气的状态下进行。因此，即使从喷嘴N1、N2各自排出的处理液L1和清洗液L2与杯体30内的物体碰撞而变化为雾状的情况下，该雾也从杯体30内排气。由此，雾不扩散到周围，因此能够抑制雾对喷嘴N1、N2的附着。其结果，抑制了雾在喷嘴N1、N2的表面凝集而成为液滴并且该液滴在晶片W的处理时下落到晶片W的现象，因此在所处理的晶片W难以产生缺陷。
本实施方式中，在从喷嘴N1、N2进行模拟分配时，喷嘴N1和喷嘴N2以隔着旋转保持部20相对的方式位置。因此，弹回的液体难以彼此附着。由此，能够抑制对两喷嘴N1、N2的液溅并且从两喷嘴N1、N2同时进行模拟分配。因此，能够将模拟分配的处理时间缩短，所以能够实现生产能力的提高。
本实施方式中，来自喷嘴N1的处理液L1的模拟分配对于倾斜面S中的区域R1进行。因此，在喷嘴N1的模拟分配处理时，喷嘴N1不超过旋转保持部20。由此，即使在喷嘴N1的移动中处理液L1从喷嘴N1滴落，处理液L1也难以附着在旋转保持部20(保持部23)。其结果能够抑制由处理液L1导致的旋转保持部20(保持部23)的污染。
[其他实施方式]
以上，对本发明所涉及的实施方式进行了详细说明，但是，在本发明的主旨的范围内可以对上述的实施方式施加各种变形。
(变形例1)
例如可以利用从喷嘴N2排出的干燥气体G清洁旋转保持部20的保持部23。参照图10和图11具体说明该变形例1。首先，与上述的步骤S10同样，在初始状态下进行杯体30内的排气(参照图10的步骤S20)。
接着，控制器10控制驱动机构56，使喷嘴N2移动，以使得喷嘴N2的排出口位于保持部23的中央部的上方(参照图10的步骤S21和图11)。接着，控制器10控制旋转保持部20，利用旋转部21使保持部23旋转(参照图10的步骤S22和图11)。
接着，在保持部23旋转的状态下，控制器10控制泵52B和阀53B，从喷嘴N2b将干燥气体G供给到保持部23的中央部(第四处理；第四工序；参照图10的步骤S23和图11)。另外，控制器10控制驱动机构56，在旋转保持部20的中心轴的径向上使喷嘴N2向外侧(保持部23的周缘侧)移动(同样参照)。
在喷嘴N2到达保持部23的周缘时，控制器10控制泵52B和阀53B，停止来自喷嘴N2b的干燥气体G的排出(参照图10的步骤S24)。另外，控制器10控制旋转保持部20使保持部23的旋转停止(同样参照)。
接着，与上述的步骤S16、S17同样，使喷嘴N2移动到待机位置并且(参照图10的步骤S25)将液处理单元U1内的气体排气(参照图10的步骤S26)。
根据上述的变形例1，从喷嘴N2b对旋转中的保持部23供给干燥气体G。因此，除去附着在保持部23的颗粒等的异物。特别是，在保持部23的中央部，即使保持部23旋转，离心力也难以作用于异物，因此，通过干燥气体G向保持部23吹扫有效地除去异物。由此维持保持部23对晶片W的吸附力。如上所述，不通过人工而利用喷嘴N2b机械地完成保持部23的清洁，因此能够使清洁处理自动化和短时间化。
(变形例2)
例如可以利用从喷嘴N2排出的干燥气体G和清洗液L2清洁旋转保持部20的保持部23。参照图12和图13具体说明该方式。首先，进行与上述的步骤S20～S22同样的处理。具体而言，在初始状态下进行杯体30内的排气(参照图12的步骤S30)。接着，使喷嘴N2移动，以使得喷嘴N2的排出口位于保持部23的中央部的上方(参照图12的步骤S31和图13(a))。接着，使保持部23旋转(参照图12的步骤S32和图13(a))。
接着，在保持部23旋转的状态下，控制器10控制泵52B和阀53B，从喷嘴N2b将干燥气体G供给到保持部23的中央部(第四处理；第四工序；参照图12的步骤S33和图13(a))。另外，控制器10控制驱动机构56，在旋转保持部20的中心轴的径向上使喷嘴N2向外侧(保持部23的周缘侧)移动(同样参照)。此时，喷嘴N2在旋转保持部20的中心轴和从该中心轴仅离开规定距离的第一地点之间的第一区间移动。第一地点可以与为了利用保持部23吸附晶片W而设置在保持部23的中央部的吸引孔(未图示)相比位于外侧。即，第一地点例如可以为距离吸引孔5mm左右外侧的地点，也可以为距离中心轴15mm左右的地点。
在喷嘴N2到达第一地点时，在从喷嘴N2b排出干燥气体G的状态下，控制器10控制泵52A和阀53A，从喷嘴N2a将清洗液L2供给到保持部的中间区域(中央部和周缘部之间)(第四处理；第四工序；参照图12的步骤S34和图13(b))。此时，喷嘴N2在第一地点和从旋转保持部20的中心轴比第二地点进一步离开的第二地点之间的第二区间移动。第二地点与保持部23的周缘部相比位于内侧。第二地点例如可以为距离保持部23的周缘10mm左右内侧的地点，也可以为距离中心轴55mm左右的地点。
在喷嘴N2到达第二地点时，在从喷嘴N2b排出干燥气体G的状态下，控制器10控制泵52A和阀53A，停止来自喷嘴N2a的清洗液L2的排出(第四处理；第四工序；参照图12的步骤S35和图13(c))。此时，喷嘴N2在第二地点和保持部23的周缘之间的第三区间移动。
接着，与上述的步骤S24～S26同样，使来自喷嘴N2b的干燥气体G的排出停止并且使保持部23的旋转停止(参照图12的步骤S36)，在使喷嘴N2移动到待机位置后(参照图12的步骤S37)，将液处理单元U1内的气体排气(参照图12的步骤S38)。
根据上述的变形例2，起到与变形例1同样的作用效果。另外根据变形例2，向保持部23不仅供给干燥气体G还供给清洗液L2，因此能够进一步将保持部23清洁化。另外，清洗液L2不供给到保持部23的中央部，因此清洗液L2难以进入位于保持部23的中央部的吸引孔。因此能够抑制保持部23对晶片W的吸附能力的降低。并且，对保持部23的周缘部从喷嘴N2b供给干燥气体G，而不从喷嘴N2a供给清洗液L2，所以，因离心力而扩展到保持部23的周缘部的清洗液L2被干燥气体G吹飞。因此抑制清洗液L2残留在保持部23。由此，能够利用清洗液L2和干燥气体G清洁保持部23，并且抑制保持部23由清洗液L2导致的污染。此外，喷嘴N2b与喷嘴N2a相比在臂54的行进方向位于后方时，从喷嘴N2b排出的干燥气体G总是将从喷嘴N2a排出的清洗液L2向外侧吹飞，所以在保持部23的表面难以残留清洗液L2。
(变形例3)
例如如图14所示，可以利用对晶片W的背面Wb供给清洗液L3的喷嘴N3，进行臂44、54的清洁(第五处理；第五工序)。即，首先控制器10控制泵62和阀63，从喷嘴N3排出清洗液L3。在该状态下，控制器10进一步控制驱动机构46或驱动机构56，使臂44、54移动，以使得从喷嘴N3排出的清洗液L3打到臂44、54的下表面。在该情况下，即使从喷嘴N1排出的处理液L1与倾斜面S碰撞而弹回并附着在臂44、54的下表面，也通过从喷嘴N3供给到臂44、54的清洗液L3从臂44、54除去处理液L1。因此能够抑制在晶片W的处理时处理液L1从臂44、54向晶片W下落。由此在所处理的晶片W更加难以产生缺陷。此外，臂44、54的下表面可以倾斜。在该情况下，清洗液L3容易从臂44、54的下表面流动，清洗液L3难以残留在臂44、54。
如图14所示，在利用从喷嘴N3排出的清洗液L3清洗臂44、54的下表面时，可以从喷嘴N2排出干燥气体G(第六处理；第六工序)。具体而言，由从喷嘴N2排出的干燥气体G在旋转保持部20(保持部23)的外侧形成气流幕的状态下，在比旋转保持部20(保持部23)靠外侧利用来自喷嘴N3的清洗液L3清洗臂44、54的下表面时，可以从喷嘴N2排出干燥气体G，在与清洗液L3供给到臂44、54的位置相比靠旋转保持部20侧形成干燥气体G的气流。在该情况下，来自喷嘴N2的干燥气体G的气流连续地或在规定的时刻，在与清洗液L3供给到臂44、54的位置相比靠旋转保持部20(保持部23)侧形成。因此，即使从喷嘴N3排出的清洗液L3与臂44、54碰撞而弹回或者成为雾状，也能够通过干燥气体G抑制弹回的清洗液L3或者雾状的清洗液L3向旋转保持部20侧的流动。由此清洗液L3或该雾难以附着在保持部23的基板支承面。其结果，能够抑制由清洗液L3或该雾导致的晶片W的污染。
在变形例3的臂44、54的清洁处理时，从喷嘴N3排出的清洗液L3，在旋转保持部20的旋转轴的径向在比旋转保持部20更外侧供给到臂44、54即可，喷嘴N3自身的位置没有特别限定，能够将喷嘴N3配置在任意的位置。另外，在变形例3的臂44、54的清洁处理时，来自喷嘴N2的干燥气体G的气流在与清洗液L3供给到臂44、54的位置相比靠旋转保持部20(保持部23)侧形成即可，喷嘴N2自身的位置没有特别限定，能够将喷嘴N2配置在任意的位置。
变形例3的臂44、54的清洁处理可以在模拟分配处理的前后或者途中进行，也可以与模拟分配处理无关地独立进行。
(变形例4)
在模拟分配时，喷嘴N1、N2的排出口可以位于杯体30的内侧，也可以位于杯体30的外侧。即，在模拟分配时，距离倾斜面S的喷嘴N1、N2的排出口的高度可以比上端32a低，也可以比上端32a高。喷嘴N1、N2的排出口位于杯体30的内侧时，从喷嘴N1、N2排出的液体与杯体30内的物体碰撞的气势较弱。因此液体难以变化为雾状，所以能够抑制该雾向周围的飞散。另外，即使从喷嘴N1、N2排出的液体在倾斜面S弹回，弹回液也难以飞散到杯体30的外侧。特别是，喷嘴N1、N2的排出口与旋转保持部20的保持部23的基板支承面相比位于下方时，所产生的雾难以附着在保持部23的基板支承面。因此能够抑制由该雾导致的晶片W的污染。另一方面，喷嘴N1、N2的排出口位于杯体30的外侧时，即使从喷嘴N1、N2排出的液体在倾斜面S弹回，弹回液也难以附着在喷嘴N1、N2。
(变形例5)
可以对倾斜面S中的至少区域R1、R2实施液体的接触角变小的表面处理。在该情况下，这些区域R1、R2中的液体的接触角小时，在模拟分配时来自喷嘴N1、N2的液体与区域R1、R2碰撞的情况下，难以产生液溅。作为该表面处理，例如可以列举喷砂处理。或者，可以替代该表面处理，对倾斜面S中的至少区域R1、R2实施微坑加工，也可以形成有在旋转保持部20的中心轴的径向延伸的多个槽。
(变形例6)
斜壁37可以如上述实施方式那样与其它的壁31～34为不同体，也可以与构成杯体30的任一壁31～34一体化。
(变形例7)
来自喷嘴N1、N2的模拟分配只要位于杯体30内且旋转保持部20和外周壁32之间，则可以对斜壁37以外的部件进行。
(变形例8)
通过喷嘴N1进行的模拟分配的位置为区域R2，通过喷嘴N2进行的模拟分配的位置为区域R1也可。或者，通过喷嘴N1、N2进行的模拟分配的位置不限于区域R1、R2，在内侧区域R即可。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
保持基板并且使其旋转的旋转保持部；
构成为从上侧喷嘴对所述基板的表面供给液体的第一供给部；
包围由所述旋转保持部保持的所述基板的周围并且接收从所述第一供给部供给的液体的杯体；和
控制部，
其中，所述杯体具有外周壁，该外周壁防止从由所述旋转保持部保持并且旋转的所述基板甩出的液体的飞散，
所述控制部控制所述第一供给部，执行从所述上侧喷嘴将处理液模拟分配到所述外周壁和所述旋转保持部之间的内侧区域的模拟分配处理，
在所述内侧区域设置了倾斜面，该倾斜面的最高处与所述旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方，在执行所述模拟分配处理时，使所述上侧喷嘴移动到所述倾斜面的上方，从所述上侧喷嘴对所述倾斜面排出处理液。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述控制部控制所述第一供给部，执行在所述上侧喷嘴的排出口与所述杯体的上端相比位于下方或与所述旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方的状态下，从所述上侧喷嘴将液体模拟分配的处理。
3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
在所述杯体的外周面，设置有在上方所述上侧喷嘴能够待机的液体接收部。
4.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还具备构成为对所述杯体内进行排气的排气部，
所述第一供给部具有：
对所述基板的表面供给处理液的处理液喷嘴；
对所述基板的表面供给清洗液的清洗液喷嘴；
使设置有所述处理液喷嘴的第一臂移动的第一驱动部；和
使设置有所述清洗液喷嘴的第二臂移动的第二驱动部，
所述控制部控制所述第一供给部和所述排气部，利用所述排气部将所述杯体内进行排气，并且执行：
通过利用所述第一驱动部使所述第一臂移动而使所述处理液喷嘴位于所述内侧区域的第一处理；
通过利用所述第二驱动部使所述第二臂移动而使所述清洗液喷嘴位于所述内侧区域的第二处理；和
在所述第一处理和第二处理之后，从所述处理液喷嘴和所述清洗液喷嘴分别将处理液和清洗液进行模拟分配的第三处理。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：
所述控制部在所述第一处理中通过利用所述第一驱动部使所述第一臂移动而使所述处理液喷嘴位于所述内侧区域中的规定的第一区域，
所述控制部在所述第二处理中通过利用所述第二驱动部使所述第二臂移动而使所述清洗液喷嘴位于所述内侧区域中隔着所述旋转保持部与所述第一区域相反侧的第二区域。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于：
所述第一区域为所述内侧区域中与所述旋转保持部相比靠所述处理液喷嘴和所述清洗液喷嘴在所述杯体外待机的待机位置的区域，
所述第二区域为所述内侧区域中与所述旋转保持部相比离所述待机位置远的一侧的区域。
7.如权利要求4所述的装置，其特征在于：
所述第一供给部具有向所述基板的表面供给干燥气体并且设置在所述第二臂的气体喷嘴，
所述控制部控制所述旋转保持部和所述第一供给部，执行在使所述旋转保持部的卡盘旋转的状态下，利用所述第二驱动部使所述第二臂移动以使得所述气体喷嘴通过所述卡盘的上方，并且从所述气体喷嘴向所述卡盘供给干燥气体的第四处理。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：
在所述第四处理中，所述控制部在使所述卡盘旋转的状态下，利用所述第二驱动部使所述第二臂移动以使得所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴均从所述卡盘的中央部向周缘部移动，并且执行如下操作：
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过所述卡盘的中央部的上方时，从所述气体喷嘴向所述卡盘的中央部供给干燥气体，但不从所述清洗液喷嘴供给清洗液；
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过作为所述卡盘的中央部和周缘部之间的中间区域的上方时，从所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴分别向所述卡盘的中间区域供给干燥气体和清洗液；和
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过所述卡盘的周缘部的上方时，从所述气体喷嘴向所述卡盘的周缘部供给干燥气体，但不从所述清洗液喷嘴供给清洗液。
9.如权利要求4所述的装置，其特征在于，还具备：
从位于所述杯体内的下侧喷嘴对所述基板的背面供给清洗液的第二供给部，
其中，所述控制部控制所述第一供给部和第二供给部，执行从所述下侧喷嘴向所述第一臂或第二臂供给清洗液的第五处理。
10.如权利要求7所述的装置，其特征在于，还具备：
构成为从位于所述杯体内的下侧喷嘴对所述基板的背面供给清洗液的第二供给部，
其中，所述控制部控制所述第一供给部和第二供给部，执行从所述下侧喷嘴排出清洗液而在比所述旋转保持部靠外侧对所述第一臂或第二臂供给清洗液，并且，从所述气体喷嘴排出干燥气体，在与从所述下侧喷嘴排出的清洗液供给到所述第一臂或第二臂的位置相比靠所述旋转保持部侧形成干燥气体的气流的第六处理。
11.一种模拟分配方法，其特征在于：
其为从上侧喷嘴进行模拟分配的方法，该上侧喷嘴对由旋转保持部保持并且由杯体包围周围的基板的表面供给液体，
其中，所述杯体具有外周壁，该外周壁防止从由所述旋转保持部保持并且旋转的所述基板甩出的液体的飞散，
所述模拟分配方法包括从所述上侧喷嘴将液体模拟分配到所述外周壁和所述旋转保持部之间的内侧区域的模拟分配工序，
在所述内侧区域设置了倾斜面，该倾斜面的最高处与所述旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方，在所述模拟分配工序中，使所述上侧喷嘴移动到所述倾斜面的上方，从所述上侧喷嘴对所述倾斜面排出处理液。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：
在所述工序中，在所述上侧喷嘴的排出口与所述杯体的上端相比位于下方或与所述旋转保持部的卡盘的基板支承面相比位于下方的状态下，从所述上侧喷嘴将液体模拟分配。
13.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
在不进行模拟分配时，使所述上侧喷嘴在设置于所述杯体的外周面的液体接收部的上方待机。
14.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于，包括：
使设置有对所述基板的表面供给处理液的处理液喷嘴的第一臂移动，使所述处理液喷嘴位于所述内侧区域的第一工序；
使设置有对所述基板的表面供给清洗液的清洗液喷嘴的第二臂移动，使所述清洗液喷嘴位于所述内侧区域的第二工序；和
在所述第一工序和第二工序之后，从所述处理液喷嘴和所述清洗液喷嘴分别将处理液和清洗液进行模拟分配的第三工序，
其中，一边对所述杯体内进行排气一边执行所述第一工序～第三工序。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于：
在所述第一工序中，使所述处理液喷嘴位于所述内侧区域中的规定的第一区域，
在所述第二工序中，使所述清洗液喷嘴位于所述内侧区域中隔着所述旋转保持部与所述第一区域相反侧的第二区域。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于：
所述第一区域为所述内侧区域中与所述旋转保持部相比靠所述处理液喷嘴和所述清洗液喷嘴在所述杯体外待机的待机位置的区域，
所述第二区域为所述内侧区域中与所述旋转保持部相比离所述待机位置远的一侧的区域。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括：在使所述旋转保持部的卡盘旋转的状态下，使所述第二臂移动以使得设置在所述第二臂的气体喷嘴通过所述卡盘的上方，并且从所述气体喷嘴向所述卡盘供给干燥气体的第四工序。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于：
在所述第四工序中，包括：在使所述卡盘旋转的状态下，使所述第二臂移动以使得所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴均从所述卡盘的中央部向周缘部移动，并且，
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过所述卡盘的中央部的上方时，从所述气体喷嘴向所述卡盘的中央部供给干燥气体，但不从所述清洗液喷嘴供给清洗液；
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过作为所述卡盘的中央部和周缘部之间的中间区域的上方时，从所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴分别向所述卡盘的中间区域供给干燥气体和清洗液；
在所述气体喷嘴和所述清洗液喷嘴通过所述卡盘的周缘部的上方时，从所述气体喷嘴向所述卡盘的周缘部供给干燥气体，但不从所述清洗液喷嘴供给清洗液。
19.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括：从位于所述杯体内的下侧喷嘴向所述第一臂或第二臂供给清洗液的第五工序。
20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：从位于所述杯体内的下侧喷嘴排出清洗液而在比所述旋转保持部靠外侧对所述第一臂或第二臂供给清洗液，并且，从所述气体喷嘴排出干燥气体，在与从所述下侧喷嘴排出的清洗液供给到所述第一臂或第二臂的位置相比靠所述旋转保持部侧形成干燥气体的气流的第六工序。
21.一种计算机可读取记录介质，其特征在于：
其记录有用于使基板处理装置执行权利要求11～20中任一项所述的模拟分配方法的程序。
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