KR102261616B1 - 기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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신이치로 야마나카
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

노즐의 토출구로의 액 튀김을 억제하면서 처리 유닛의 소형화를 도모한다.
액처리 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지하면서 회전시키는 회전 보유 지지부(20)와, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 공급하도록 구성된 처리액 공급부(40)와, 회전 보유 지지부(20)에 의해 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 주위를 둘러쌈과 함께 처리액 공급부(40)로부터 공급되는 처리액(L1)을 받는 컵(30)과, 컨트롤러(10)를 구비한다. 컵(30)은, 회전 보유 지지부(20)에 의해 보유 지지되면서 회전되는 웨이퍼(W)로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽(32)을 갖는다. 컨트롤러(10)는, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 외주벽(32)과 회전 보유 지지부(20) 사이의 내측 영역(R)에 더미 디스펜스시키는 처리를 실행한다.

Description

기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS, DUMMY DISPENSING METHOD AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
현재, 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼)을 미세 가공하여 반도체 디바이스를 제조하는 데 있어서, 포토리소그래피 기술을 사용하여 요철 패턴을 기판에 형성하는 것이 널리 행해지고 있다. 예를 들어, 기판에 요철 패턴을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 것과, 이 레지스트막을 소정의 패턴을 따라서 노광하는 것과, 노광 후의 레지스트막을 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 것과, 레지스트 패턴을 통해 기판을 에칭하는 것을 포함한다.
이와 같이, 기판을 미세 가공할 때에는, 기판에 다양한 처리액이 노즐로부터 공급된다. 한편, 노즐로부터 기판에 처리액이 공급되고 있지 않은 대기 중에는, 노즐로부터 처리액이 더미 디스펜스된다. 더미 디스펜스라 함은, 예를 들어 노즐 내에 처리액이 체류하여 열화되어 버리는 것을 억제하기 위해, 대기 중에 노즐로부터 처리액을 적절하게 토출시키는 처리이다.
특허문헌 1은, 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지 기구와, 기판 보유 지지 기구에 보유 지지된 기판에 대해 노즐로부터 처리액을 공급하도록 구성된 공급부와, 기판 보유 지지 기구와 인접하도록 배치된 노즐 배스를 포함하는 처리 유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 개시하고 있다. 당해 처리 유닛에 있어서는, 기판에 처리액이 공급되고 있지 않은 대기 중에, 노즐 배스의 상방에 노즐을 위치시킨 상태에서 노즐로부터 더미 디스펜스가 행해진다.
일본 특허 공개 제2016-042565호 공보
그러나, 일반적으로 노즐 배스는 소형이므로, 노즐 배스 내에 노즐로부터 처리액을 토출하면, 노즐 배스의 벽면에 충돌한 처리액이 노즐에 튀어 올라, 튀어오른 처리액이 노즐의 토출구 근방에 부착될 우려가 있었다. 이 경우, 노즐의 토출구 근방에 부착된 처리액이 기판의 처리 시에 기판으로 낙하하여, 처리된 기판에 결함이 발생할 가능성이 생각된다.
또한, 기판 처리 장치는 복수의 처리 모듈을 구비하는 것이 일반적이다. 이 경우, 처리 유닛은 기판 보유 지지 기구뿐만 아니라 노즐 배스를 포함하므로, 처리 유닛의 사이즈가 대형화되는 경향이 있다. 그 때문에, 기판의 처리량을 높이기 위해 기판 처리 장치에 다수의 처리 유닛을 탑재한 경우, 기판 처리 장치도 대형화되어, 비용의 증가로 이어질 우려가 있었다.
그래서, 본 개시는, 노즐의 토출구로의 액 튀김을 억제하면서 처리 유닛의 소형화를 도모하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다.
[1] 본 개시의 하나의 관점에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 회전 보유 지지부와, 기판의 표면에 상측 노즐로부터 액체를 공급하도록 구성된 제1 공급부와, 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되는 기판의 주위를 둘러쌈과 함께 제1 공급부로부터 공급되는 액체를 받는 컵과, 제어부를 구비한다. 컵은, 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖는다. 제어부는, 상측 노즐로부터 처리액을 경사면에 더미 디스펜스시키는 처리를 실행한다.
본 개시의 하나의 관점에 관한 기판 처리 장치에서는, 제어부는, 제1 공급부를 제어하여, 상측 노즐로부터 액체를 경사면에 더미 디스펜스시키고 있다. 컵 내의 공간은 종래의 노즐 배스와 비교하여 넓기 때문에, 상측 노즐로부터 액체를 토출해도, 컵 내로부터 튀어오른 액체가 상측 노즐에 도달하기 어렵다. 그 때문에, 상측 노즐로의 액 튀김을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 처리된 기판에 결함이 발생하기 어려워진다. 또한, 본 개시의 하나의 관점에 관한 기판 처리 장치에서는, 상측 노즐로부터 컵 내에 더미 디스펜스된다. 그 때문에, 더미 디스펜스를 위한 노즐 배스가 불필요해진다. 따라서, 처리 유닛의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
[2] 상기 제1항의 장치에 있어서, 제어부는, 제1 공급부를 제어하여, 컵의 상단부보다 하방이나 또는 회전 보유 지지부의 척의 기판 지지면보다 하방에 상측 노즐의 토출구가 위치한 상태에서, 상측 노즐로부터 액체를 더미 디스펜스시키는 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 상측 노즐로부터 토출된 액체가 컵 내의 물체에 충돌하는 기세가 약해진다. 그 때문에, 액체가 미스트상으로 변화되기 어려우므로, 당해 미스트의 주위로의 비산을 억제하는 것이 가능해진다. 특히, 상측 노즐의 토출구가 회전 보유 지지부의 척의 기판 지지면보다 하방에 위치하고 있으면, 발생한 미스트가 척의 기판 지지면에 부착되기 어려워진다. 그 때문에, 당해 미스트에 의한 기판의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
[3] 상기 제1항 또는 제2항의 장치에 있어서, 컵의 외주면에는, 상방에 있어서 상측 노즐이 대기 가능한 액 받침부가 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 상측 노즐이 컵 내에 액체를 토출하지 않는 대기 상태에 있어서, 상측 노즐이 액 받침부의 상방의 대기 위치에서 대기한다. 그 때문에, 대기 상태의 상측 노즐로부터 액체가 떨어져도, 적하된 액체가 액 받침부에 의해 받아내어지므로, 액체에 의한 컵의 외부의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 액 받침부의 일부가 컵의 외주면으로 구성되어 있으므로, 액 받침부 자체를 소형화할 수 있다. 그 때문에, 처리 유닛의 더 한층의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
[4] 상기 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 장치는, 컵 내를 배기하도록 구성된 배기부를 더 구비하고, 제1 공급부는, 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐과, 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동시키는 제1 구동부와, 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동시키는 제2 구동부를 갖고, 제어부는, 제1 공급부 및 배기부를 제어하여, 배기부에 의해 컵 내를 배기하면서, 제1 구동부에 의해 제1 아암을 이동시킴으로써, 처리액 노즐을 내측 영역에 위치시키는 제1 처리와, 제2 구동부에 의해 제2 아암을 이동시킴으로써, 세정액 노즐을 내측 영역에 위치시키는 제2 처리와, 제1 및 제2 처리 후에, 처리액 노즐 및 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스시키는 제3 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 처리액 노즐 및 세정액 노즐로부터의 더미 디스펜스가, 컵 내를 배기한 상태에서 행해진다. 그 때문에, 처리액 노즐 및 세정액 노즐로부터 각각 토출된 처리액 및 세정액이 컵 내의 물체에 충돌하고, 이들이 미스트상으로 변화된 경우라도, 당해 미스트가 컵 내로부터 배기된다. 따라서, 미스트가 주위로 확산되지 않으므로, 처리액 노즐 또는 세정액 노즐에 대한 미스트의 부착을 억제하는 것이 가능해진다. 그 결과, 노즐의 표면에 있어서 미스트가 응집되어 액적이 되고, 당해 액적이 기판의 처리 시에 기판에 낙하하는 것이 억제되므로, 처리된 기판에 결함이 발생하기 어려워진다.
[5] 상기 제4항의 장치에 있어서, 제어부는, 제1 처리에 있어서, 제1 구동부에 의해 제1 아암을 이동시킴으로써, 처리액 노즐을 상기 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 위치시키고, 제2 처리에 있어서, 제2 구동부에 의해 상기 제2 아암을 이동시킴으로써, 세정액 노즐을 내측 영역 중 제1 영역과는 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 위치시켜도 된다. 이 경우, 처리액 노즐 및 세정액 노즐로부터의 더미 디스펜스 시에, 처리액 노즐과 세정액 노즐이 회전 보유 지지부를 사이에 두고 마주보도록 위치한다. 그 때문에, 튀어오른 액이 서로 부착되기 어려워진다. 따라서, 양 노즐에 대한 액 튀김을 억제하면서 양 노즐로부터 동시에 더미 디스펜스하는 것이 가능해진다. 그 결과, 더미 디스펜스의 처리 시간이 단축화되므로, 스루풋의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
[6] 상기 제5항의 장치에 있어서, 제1 영역은, 내측 영역 중 회전 보유 지지부보다 처리액 노즐 및 세정액 노즐이 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고, 제2 영역은, 내측 영역 중 회전 보유 지지부보다 대기 위치와는 이격된 측의 영역이어도 된다. 이 경우, 처리액 노즐로부터 더미 디스펜스됨에 있어서, 처리액 노즐이 회전 보유 지지부를 넘지 않는다. 그 때문에, 처리액 노즐의 이동 중에 처리액 노즐로부터 처리액이 떨어져도, 회전 보유 지지부에 처리액이 부착되기 어려워진다. 따라서, 처리액에 의한 회전 보유 지지부의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
[7] 상기 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 장치에 있어서, 제1 공급부는, 기판의 표면에 건조 가스를 공급함과 함께 제2 아암에 설치된 가스 노즐을 갖고, 제어부는, 회전 보유 지지부 및 제1 공급부를 제어하여, 회전 보유 지지부의 척을 회전시킨 상태에서, 가스 노즐이 척의 상방을 통과하도록 제2 아암을 제2 구동부에 의해 이동시키면서 가스 노즐로부터 건조 가스를 척에 공급시키는 제4 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 회전 중인 척에 가스 노즐로부터 건조 가스가 공급되므로, 척에 부착되어 있는 파티클 등의 이물이 제거된다. 그 때문에, 척에 의한 기판의 흡착력이 유지된다. 이와 같이, 사람의 손에 의존하지 않고 가스 노즐에 의해 기계적으로 척의 클리닝이 완료되므로, 클리닝 처리의 자동화 및 단시간화되는 것이 가능해진다.
[8] 상기 제7항의 장치에 있어서, 제어부는, 제4 처리에 있어서, 척을 회전시킨 상태에서, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 모두 척의 중앙부로부터 주연부를 향해 이동하도록 제2 아암을 제2 구동부에 의해 이동시키면서, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 중앙부의 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐로부터 건조 가스를 척의 중앙부에 공급시키지만, 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급시키지 않는 것과, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 중앙부와 주연부 사이인 중간 영역의 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐 및 세정액 노즐로부터 각각 건조 가스 및 세정액을 척의 중간 영역에 공급시키는 것과, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 주연부의 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐로부터 건조 가스를 척의 주연부에 공급시키지만, 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급시키지 않는 것을 실행해도 된다. 이 경우, 건조 가스뿐만 아니라 세정액을 척에 공급하고 있으므로, 척을 더 청정화하는 것이 가능해진다. 또한, 세정액이 척의 중앙부에 공급되고 있지 않으므로, 척의 중앙부에 위치하는 흡인 구멍에 세정액이 들어가기 어려워진다. 그 때문에, 척에 의한 기판의 흡착 능력의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 척의 주연부에는, 가스 노즐로부터 건조 가스가 공급되는 한편 세정액 노즐로부터 세정액이 공급되지 않으므로, 원심력에 의해 척의 주연부로 확산된 세정액이 건조 가스에 의해 불어 날려진다. 그 때문에, 척에 세정액이 잔존하는 것이 억제된다. 따라서, 척을 세정액 및 건조 가스에 의해 클리닝하면서, 척의 세정액에 의한 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
[9] 상기 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항의 장치는, 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 기판의 이면에 대해 세정액을 공급하도록 구성된 제2 공급부를 더 구비하고, 제어부는, 제1 및 제2 공급부를 제어하여, 하측 노즐로부터 세정액을 제1 또는 제2 아암에 공급하는 제5 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 처리액 노즐로부터 토출된 처리액이 컵 내의 물체에 충돌하여 튀어오르거나, 제1 또는 제2 아암의 하면에 부착되었다고 해도, 하측 노즐로부터 제1 또는 제2 아암에 공급되는 세정액에 의해 제1 또는 제2 아암으로부터 처리액이 제거된다. 그 때문에, 기판의 처리 시에 제1 또는 제2 아암으로부터 처리액이 기판에 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 처리된 기판에 결함이 한층 더 발생하기 어려워진다.
[10] 상기 제7항 또는 제8항의 장치는, 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 기판의 이면에 대해 세정액을 공급하도록 구성된 제2 공급부를 더 구비하고, 제어부는, 제1 및 제2 공급부를 제어하여, 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 제1 또는 제2 아암에 세정액을 공급함과 함께, 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 제1 또는 제2 아암에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성하는 제6 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 가스 노즐로부터의 건조 가스의 기류는, 연속적으로 또는 소정의 타이밍에, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 제1 또는 제2 아암에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부측에 형성된다. 그 때문에, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 제1 또는 제2 아암에 충돌하여 튀어오르거나 미스트상으로 되거나 해도, 튀어오른 세정액 또는 미스트상의 세정액이 회전 보유 지지부측으로 흐르는 것이 건조 가스에 의해 억제된다. 따라서, 세정액 또는 그 미스트가 척의 기판 지지면에 부착되기 어려워진다. 그 결과, 세정액 또는 그 미스트에 의한 기판의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
[11] 본 개시의 다른 관점에 관한 더미 디스펜스 방법은, 회전 보유 지지부에 보유 지지됨과 함께 컵에 주위를 둘러싸인 기판의 표면에 액체를 공급하는 상측 노즐에 있어서의 더미 디스펜스하는 방법이다. 컵은, 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖는다. 본 개시의 다른 관점에 관한 더미 디스펜스 방법은, 상측 노즐로부터 액체를 외주벽과 회전 보유 지지부 사이의 내측 영역에 더미 디스펜스하는 공정을 포함한다. 이 경우, 상기 제1항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[12] 상기 제11항의 방법에 있어서, 상기 공정에서는, 컵의 상단부보다 하방이나 또는 회전 보유 지지부의 척의 기판 지지면보다 하방에 상측 노즐의 토출구가 위치한 상태에서, 상측 노즐로부터 처리액을 더미 디스펜스해도 된다. 이 경우, 상기 제2항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[13] 상기 제11항 또는 제12항의 방법에 있어서, 더미 디스펜스가 행해지고 있지 않을 때, 컵의 외주면에 설치된 액 받침부의 상방에서 상측 노즐을 대기시켜도 된다. 이 경우, 상기 제3항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[14] 상기 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법은, 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동하여, 처리액 노즐을 내측 영역에 위치시키는 제1 공정과, 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동하여, 대기 위치에 있는 세정액 노즐을 경사면의 상방에 위치시키는 제2 공정과, 제1 및 제2 공정 후에, 처리액 노즐 및 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스하는 제3 공정을 포함하고, 컵 내를 배기하면서 제1 내지 제3 공정을 실시해도 된다. 이 경우, 상기 제4항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[15] 상기 제14항의 방법에 있어서, 제1 공정에서는, 처리액 노즐을 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 위치시키고, 제2 공정에서는, 세정액 노즐을 내측 영역 중 제1 영역과는 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 위치시켜도 된다. 이 경우, 상기 제5항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[16] 상기 제15항의 방법에 있어서, 제1 영역은, 내측 영역 중 회전 보유 지지부보다 처리액 노즐 및 세정액 노즐이 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고, 제2 영역은, 내측 영역 중 회전 보유 지지부보다 대기 위치와는 이격된 측의 영역이어도 된다. 이 경우, 상기 제6항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[17] 상기 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법은, 회전 보유 지지부의 척을 회전시킨 상태에서, 제2 아암에 설치된 가스 노즐이 척의 상방을 통과하도록 제2 아암을 이동하면서 가스 노즐로부터 건조 가스를 척에 공급하는 제4 공정을 더 포함해도 된다. 이 경우, 상기 제7항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[18] 상기 제17항의 방법에 있어서, 제4 공정에서는, 척을 회전시킨 상태에서, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 모두 척의 중앙부로부터 주연부를 향해 이동하도록 제2 아암을 이동하면서, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 중앙부의 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐로부터 건조 가스를 척의 중앙부에 공급하지만, 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급하지 않는 것과, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 중앙부와 주연부 사이인 중간 영역의 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐 및 세정액 노즐로부터 각각 건조 가스 및 세정액을 척의 중간 영역에 공급하는 것과, 가스 노즐 및 세정액 노즐이 척의 주연부 상방을 통과할 때에는, 가스 노즐로부터 건조 가스를 척의 주연부에 공급하지만, 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급하지 않는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 상기 제8항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[19] 상기 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항의 방법은, 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 세정액을 제1 또는 제2 아암에 공급하는 제5 공정을 더 포함해도 된다. 이 경우, 상기 제9항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[20] 상기 제17항 또는 제18항의 방법은, 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 제1 또는 제2 아암에 세정액을 공급함과 함께, 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 제1 또는 제2 아암에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성하는 제6 공정을 더 포함해도 된다. 이 경우, 상기 제10항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[21] 본 개시의 다른 관점에 관한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 상기 제11항 내지 제20항 중 어느 한 항의 더미 디스펜스 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 본 개시의 다른 관점에 관한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에서는, 상기한 더미 디스펜스 방법과 마찬가지로, 노즐의 토출구로의 액 튀김을 억제하면서 처리 유닛의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들어, 각종 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들어, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.
[22] 본 개시의 다른 관점에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 회전 보유 지지부와, 기판의 표면에 대해 상방으로부터 액체를 공급하도록 구성된 상측 노즐과, 상기 기판의 표면에 대해 상방으로부터 건조 가스를 공급하는 가스 노즐과, 기판의 이면에 대해 하방으로부터 세정액을 공급하도록 구성된 하측 노즐과, 제어부를 구비한다. 제어부는, 각 노즐의 동작을 제어하여, 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜, 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암에 세정액을 공급함과 함께, 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성하는 처리를 실행한다. 이 경우, 상기 제10항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[23] 본 개시의 다른 관점에 관한 아암 세정 방법은, 회전 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 대해 상방으로부터 액체를 공급하도록 구성된 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 회전 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 대해 상방으로부터 건조 가스를 공급하는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암에 대해 회전 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 이면에 대해 하방으로부터 세정액을 공급하도록 구성된 하측 노즐로부터 세정액을 공급함으로써, 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암을 세정하는 공정을 포함한다. 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암을 세정하는 공정에서는, 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜, 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암에 세정액을 공급함과 함께, 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 상측 노즐을 보유 지지하는 아암 또는 가스 노즐을 보유 지지하는 아암에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성한다. 이 경우, 상기 제22항의 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
[24] 본 개시의 다른 관점에 관한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 상기 제23항의 아암 세정 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 이 경우, 상기 제23항의 방법과 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
본 개시에 관한 기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 의하면, 노즐의 토출구로의 액 튀김을 억제하면서 처리 유닛의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도이다.
도 4는 액처리 유닛을 측방에서 보았을 때의 모식도이다.
도 5는 컵의 근방을 상방에서 보았을 때의 모식도이다.
도 6은 기판 처리 시스템을 도시하는 블록도이다.
도 7은 컨트롤러의 하드웨어 구성을 중심으로 도시하는 개략도이다.
도 8은 더미 디스펜스의 순서를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 더미 디스펜스의 순서를 설명하기 위한 도면이며, 컵의 근방을 상방에서 보았을 때의 모식도이다.
도 10은 척의 클리닝 순서(제1 순서)를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11은 척의 클리닝 순서(제1 순서)를 설명하기 위한 도면이며, 컵을 중심으로 측방에서 보았을 때의 모식도이다.
도 12는 척의 클리닝 순서(제2 순서)를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13은 척의 클리닝 순서(제2 순서)를 설명하기 위한 도면이며, 컵을 중심으로 측방에서 보았을 때의 모식도이다.
도 14는 아암의 클리닝 순서를 설명하기 위한 도면이며, 컵을 중심으로 측방에서 보았을 때의 모식도이다.
이하에 설명되는 본 개시에 관한 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시이므로, 본 발명은 이하의 내용에 한정되어서는 안 된다. 이하의 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 사용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다.
[기판 처리 시스템]
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치)은, 도포 현상 장치(2)(기판 처리 장치)와, 컨트롤러(10)(제어부)를 구비한다. 기판 처리 시스템(1)에는, 노광 장치(3)가 병설되어 있다. 노광 장치(3)는, 기판 처리 시스템(1)의 컨트롤러(10)와 통신 가능한 컨트롤러(도시하지 않음)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 도포 현상 장치(2)와의 사이에서 웨이퍼(W)(기판)를 수수하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)(도 4 등 참조)에 형성된 감광성 레지스트막의 노광 처리(패턴 노광)를 행하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 감광성 레지스트막(감광성 피막)의 노광 대상 부분에 선택적으로 에너지선을 조사한다. 에너지선으로서는, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, g선, i선, 또는 극단 자외선(EUV: Extreme Ultra violet)을 들 수 있다.
도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 감광성 레지스트막을 포함하는 다양한 도포막(Cf)(도 4 참조)을 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 형성하는 처리를 행한다. 도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 감광성 레지스트막의 노광 처리 후에, 당해 감광성 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
웨이퍼(W)는, 원판상을 나타내도 되고, 다각형 등 원형 이외의 판상을 나타내고 있어도 된다. 웨이퍼(W)는, 일부가 잘려 내어진 절결부를 갖고 있어도 된다. 절결부는, 예를 들어 노치(U자형, V자형 등의 홈)여도 되고, 직선상으로 연장되는 직선부(이른바, 오리엔테이션 플랫)여도 된다. 웨이퍼(W)는, 예를 들어 반도체 기판, 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판 그 밖의 각종 기판이어도 된다. 웨이퍼(W)의 직경은, 예를 들어 200㎜ 내지 450㎜ 정도여도 된다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 도포 현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은 수평 방향으로 배열되어 있다.
캐리어 블록(4)은, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 스테이션(12)과, 반입 반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 적어도 하나의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태에서 수용한다. 캐리어(11)의 측면(11a)에는, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입 반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.
반입 반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12) 및 처리 블록(5) 사이에 위치하고 있다. 반입 반출부(13)는, 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12) 상에 캐리어(11)가 적재될 때에는, 캐리어(11)의 개폐 도어가 개폐 도어(13a)에 면한 상태로 된다. 개폐 도어(13a) 및 측면(11a)의 개폐 도어를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입 반출부(13) 내가 연통된다. 반입 반출부(13)는, 수수 아암(A1)을 내장하고 있다. 수수 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.
처리 블록(5)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 단위 처리 블록(14∼17)을 갖는다. 단위 처리 블록(14∼17)은, 바닥면측으로부터 단위 처리 블록(17), 단위 처리 블록(14), 단위 처리 블록(15), 단위 처리 블록(16)의 순으로 배열되어 있다. 단위 처리 블록(14∼17)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 액처리 유닛(U1)(기판 처리 장치)과, 열처리 유닛(U2)을 갖는다.
액처리 유닛(U1)은, 각종 처리액 또는 가스를 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 또는 이면(Wb)(도 4 참조)에 공급하도록 구성되어 있다. 열처리 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다.
단위 처리 블록(14)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 하층 막을 형성하도록 구성된 하층 막 형성 블록(BCT 블록)이다. 단위 처리 블록(14)은, 각 유닛(U1, U2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 내장하고 있다(도 2 참조). 단위 처리 블록(14)의 액처리 유닛(U1)은, 하층 막 형성용 도포액(처리액)을 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도포하여 도포막을 형성한다. 단위 처리 블록(14)의 열처리 유닛(U2)은, 하층 막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 하층 막으로 하기 위한 가열 처리를 들 수 있다. 하층 막으로서는, 예를 들어 반사 방지(SiARC)막을 들 수 있다.
단위 처리 블록(15)은, 하층 막 상에 중간 막을 형성하도록 구성된 중간 막(하드 마스크) 형성 블록(HMCT 블록)이다. 단위 처리 블록(15)은, 각 유닛(U1, U2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있다(도 2 참조). 단위 처리 블록(15)의 액처리 유닛(U1)은, 중간 막 형성용 도포액(처리액)을 하층 막 상에 도포하여 도포막을 형성한다. 단위 처리 블록(15)의 열처리 유닛(U2)은, 중간 막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 중간 막으로 하기 위한 가열 처리를 들 수 있다. 중간 막으로서는, 예를 들어 SOC(Spin On Carbon)막, 아몰퍼스 카본막을 들 수 있다.
단위 처리 블록(16)은, 열경화성을 갖는 레지스트막을 중간 막 상에 형성하도록 구성된 레지스트막 형성 블록(COT 블록)이다. 단위 처리 블록(16)은, 각 유닛(U1, U2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A4)을 내장하고 있다(도 2 참조). 단위 처리 블록(16)의 액처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용 도포액(처리액)을 중간 막 상에 도포하여 도포막을 형성한다. 단위 처리 블록(16)의 열처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 레지스트막으로 하기 위한 가열 처리(PAB: Pre Applied Bake)를 들 수 있다. 또한, 레지스트막으로서는, 감광성 레지스트막 및 비감광성 레지스트막이 포함된다.
단위 처리 블록(17)은 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성된 현상 처리 블록(DEV 블록)이다. 단위 처리 블록(17)은, 각 유닛(U1, U2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)과, 이들 유닛을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암(A6)을 내장하고 있다(도 2 참조). 단위 처리 블록(17)의 액처리 유닛(U1)은, 노광 후의 레지스트막에 현상액(처리액)을 공급하여 레지스트막을 현상한다. 단위 처리 블록(17)의 액처리 유닛(U1)은, 현상 후의 레지스트막에 세정액(린스액)을 공급하여, 레지스트막의 용해 성분을 현상액과 함께 씻어낸다. 세정액으로서는, 예를 들어 순수(DIW: deionized water)를 들 수 있다. 이에 의해, 레지스트막이 부분적으로 제거되어, 레지스트 패턴이 형성된다. 단위 처리 블록(16)의 열처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 바닥면으로부터 단위 처리 블록(16)에 걸쳐 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는, 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은 바닥면으로부터 단위 처리 블록(17)의 상부에 걸쳐 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 수수 아암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 수수 아암(A8)은, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 취출하여 노광 장치(3)에 걸쳐, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시키도록 구성되어 있다.
컨트롤러(10)는, 기판 처리 시스템(1)을 부분적 또는 전체적으로 제어한다. 컨트롤러(10)는, 노광 장치(3)의 컨트롤러와의 사이에서 신호의 송수신이 가능하고, 각 컨트롤러의 연계에 의해 기판 처리 시스템(1) 및 노광 장치(3)가 제어된다. 컨트롤러(10)의 상세에 대해서는 후술한다.
[액처리 유닛의 구성]
계속해서, 도 4 및 도 5를 참조하여, 액처리 유닛(U1)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 여기서는, 일례로서, 단위 처리 블록(17) 내의 액처리 유닛(U1)에 대해 설명한다. 액처리 유닛(U1)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)와, 컵(30)과, 처리액 공급부(40)(제1 공급부)와, 기액 공급부(50)(제1 공급부)와, 세정액 공급부(60)(제2 공급부)와, 배기부(70)와, 블로워(B)를 구비한다.
회전 보유 지지부(20)는, 회전부(21)와, 샤프트(22)와, 보유 지지부(23)(척)를 갖는다. 회전부(21)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 샤프트(22)를 회전시킨다. 회전부(21)는, 예를 들어 전동 모터 등의 동력원이다. 보유 지지부(23)는, 샤프트(22)의 선단부에 설치되어 있다. 보유 지지부(23) 상에는 웨이퍼(W)가 배치된다. 보유 지지부(23)는, 예를 들어 흡착 등에 의해 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유 지지하도록 구성된 흡착 척이다. 즉, 회전 보유 지지부(20)는, 웨이퍼(W)의 자세가 대략 수평인 상태에서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대해 수직인 축(회전축) 주위로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 본 실시 형태에서는, 회전축은, 원 형상을 나타내는 웨이퍼(W)의 중심을 통과하고 있으므로, 중심축이기도 하다. 본 실시 형태에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)는, 상방에서 보아 시계 방향으로 웨이퍼(W)를 소정의 회전수로 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 회전수는, 예를 들어 10rpm 내지 2000rpm 정도여도 된다.
컵(30)은, 회전 보유 지지부(20)의 주위에 설치되어 있다. 컵(30)은, 웨이퍼(W)의 처리를 위해 웨이퍼(W)에 공급된 액체와, 더미 디스펜스에 의해 컵(30) 내로 토출된 액체를 받아내는 집액 용기로서 기능한다. 컵(30)은, 예를 들어 폴리프로필렌(PP: polypropylene), 폴리염화비닐(PVC: polyvinyl chloride), 폴리페닐렌술피드(PPS: PolyPhenylene Sulfide) 수지 등으로 형성되어 있어도 된다. 컵(30)은, 저벽(31)과, 외주벽(32)과, 내주벽(33)과, 구획벽(34)과, 배액관(35)과, 배기관(36)과, 경사벽(37)(내벽부)과, 구획벽(38)을 갖는다.
저벽(31)은, 회전 보유 지지부(20)를 둘러싸는 원환상을 나타내고 있다. 외주벽(32)은, 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 및 내주벽(33)을 둘러싸는 원통상을 나타내고 있다. 외주벽(32)은, 저벽(31)의 외주연으로부터 연직 상방을 향해 연장되어 있다. 외주벽(32)은, 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연보다 외측에 위치한다. 그 때문에, 외주벽(32)은, 회전 보유 지지부(20)에 의해 보유 지지되면서 회전되는 웨이퍼(W)로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 기능을 갖는다. 외주벽(32)의 상단부(32a)측의 부분은, 상방을 향함에 따라서 내측(회전 보유 지지부(20)측)으로 경사진 경사 벽(32b)이다.
외주벽(32)의 외주면에는, 당해 외주면으로부터 외측으로 돌출되는 액 받침부(39)가 설치되어 있다. 액 받침부(39)는, 외주벽(32)의 외주면과 함께 액체를 받아내는 집액 용기로서 기능한다. 액 받침부(39)의 하단측이고, 또한 외주벽(32)의 외주면에는, 컵(30)의 내외를 연통하는 관통 구멍(32c)이 형성되어 있다. 액 받침부(39)가 받아낸 액체는, 관통 구멍(32c)을 통해 컵(30) 내로 유입된다.
내주벽(33)은, 회전 보유 지지부(20)를 둘러싸는 원통상을 나타내고 있다. 내주벽(33)은, 저벽(31)의 내주연으로부터 연직 상방을 향해 연장되어 있다. 내주벽(33)은 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연보다 내측에 위치한다. 내주벽(33)의 상단부에는, 구획벽(38)에 의해 폐색되어 있다. 구획벽(38)의 중앙부에는 관통 구멍이 형성되어 있고, 당해 관통 구멍 내에 샤프트(22)가 삽입 관통되어 있다.
구획벽(34)은, 원통상을 나타내고 있다. 구획벽(34)은, 저벽(31) 중 외주벽(32)과 내주벽(33) 사이로부터 연직 상방을 향해 연장되어 있다. 즉, 구획벽(34)은 내주벽(33)을 둘러싸고 있다.
배액관(35)은 저벽(31) 중 외주벽(32)과 구획벽(34) 사이에 형성된 액체 배출 구멍(31a)과 접속되어 있다. 배기관(36)은, 저벽(31) 중 구획벽(34)과 내주벽(33) 사이의 부분에 형성된 기체 배출 구멍(31b)과 접속되어 있다.
경사벽(37)은, 구획벽(34)보다 외측으로 돌출되도록, 내주벽(33)의 상단부에 설치되어 있다. 경사벽(37)은, 상방을 향해 돌출되는 우산 형상(산 형상)을 나타내고 있다. 즉, 경사벽(37)은, 회전 보유 지지부(20)의 회전축의 직경 방향에 있어서 외측을 향함에 따라 하방으로 경사지는 경사면(S)을 포함하고 있다. 경사면(S)은, 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 중 주연부와 대향하고 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W)로부터 외측으로 원심 탈수되어 낙하한 액체는, 경사면(S)을 흘러 외주벽(32)과 구획벽(34) 사이로 유도되고, 액체 배출 구멍(31a) 및 배액관(35)을 통해 배출된다.
처리액 공급부(40)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액(L1)을 공급하도록 구성되어 있다. 처리액(L1)은, 예를 들어 현상액이어도 된다. 처리액 공급부(40)는, 액원(41)과, 펌프(42)와, 밸브(43)와, 아암(44)(제1 아암)과, 배관(45)과, 구동 기구(46)(제1 구동부)와, 노즐(N1)(처리액 노즐, 상측 노즐)을 갖는다.
액원(41)은, 처리액(L1)의 공급원으로서 기능한다. 펌프(42)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 액원(41)으로부터 처리액(L1)을 흡인하고, 배관(45) 및 밸브(43)를 통해 노즐(N1)로 송출한다. 밸브(43)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(43)의 전후에 있어서 배관(45)을 개방 및 폐색시킨다.
아암(44)에는, 노즐(N1) 및 구동 기구(46)가 설치되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 아암(44)에는, 토출 유량, 토출 방향 등이 서로 상이한 복수의 노즐(N1)이 설치되어 있어도 된다. 배관(45)은, 상류측으로부터 차례로 액원(41), 펌프(42), 밸브(43) 및 노즐(N1)을 접속하고 있다. 구동 기구(46)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 아암(44)을 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 구동 기구(46)는, 예를 들어 인코더를 갖는 서보 모터이며, 아암(44)의 이동 속도 및 이동 위치를 제어해도 된다.
노즐(N1)은, 토출구가 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 또는 액 받침부(39)를 향하도록 웨이퍼(W)의 상방과 액 받침부(39)의 상방 사이를 구동 기구(46)에 의해 이동 가능하다. 노즐(N1)은, 펌프(42)로부터 송출된 처리액(L1)을 하방을 향해 토출 가능하다.
기액 공급부(50)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 세정액(L2) 및 건조 가스(G)를 공급하도록 구성되어 있다. 세정액(L2)은, 예를 들어 순수여도 된다. 건조 가스(G)는, 각종 불활성 가스여도 되고, 예를 들어 질소 가스(N2 가스)여도 된다. 기액 공급부(50)는, 액원(51A)과, 가스원(51B)과, 펌프(52A, 52B)와, 밸브(53A, 53B)와, 아암(54)(제2 아암)과, 배관(55A, 55B)과, 구동 기구(56)(제2 구동부)와, 노즐(N2)(상측 노즐)을 갖는다.
액원(51A)은, 세정액(L2)의 공급원으로서 기능한다. 가스원(51B)은, 건조 가스(G)의 공급원으로서 기능한다. 펌프(52A)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 액원(51A)으로부터 세정액(L2)을 흡인하고, 배관(55A) 및 밸브(53A)를 통해 노즐(N2)에 송출한다. 펌프(52B)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 가스원(51B)으로부터 건조 가스(G)를 흡인하고, 배관(55B) 및 밸브(53B)를 통해 노즐(N2)로 송출한다. 밸브(53A)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(53A)의 전후에 있어서 배관(55A)을 개방 및 폐색시킨다. 밸브(53B)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(53B)의 전후에 있어서 배관(55B)을 개방 및 폐색시킨다.
아암(54)에는, 노즐(N2) 및 구동 기구(56)가 설치되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 아암(54)에는, 세정액(L2)이 토출되는 복수의 노즐(N2a)(세정액 노즐)과, 건조 가스(G)가 토출되는 노즐(N2b)(가스 노즐)이 설치되어 있어도 된다. 복수의 노즐(N2a)은, 토출 유량, 토출 방향 등이 서로 상이해도 된다.
배관(55A)은, 상류측으로부터 차례로 액원(51A), 펌프(52A), 밸브(53A) 및 노즐(N2a)을 접속하고 있다. 배관(55B)은, 상류측으로부터 차례로 가스원(51B), 펌프(52B), 밸브(53B) 및 노즐(N2b)을 접속하고 있다. 구동 기구(56)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 아암(54)을 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 구동 기구(56)는, 예를 들어 인코더를 갖는 서보 모터이며, 아암(54)의 이동 속도 및 이동 위치를 제어해도 된다.
노즐(N2a, N2b)은, 토출구가 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 또는 액 받침부(39)를 향하도록 웨이퍼(W)의 상방과 액 받침부(39)의 상방 사이를 구동 기구(56)에 의해 이동 가능하다. 노즐(N2a)은, 펌프(52A)로부터 송출된 세정액(L2)을 하방을 향해 토출 가능하다. 노즐(N2b)은, 펌프(52B)로부터 송출된 건조 가스(G)를 하방을 향해 토출 가능하다.
세정액 공급부(60)는, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 세정액(L3)을 공급하도록 구성되어 있다. 세정액(L3)은, 예를 들어 순수여도 된다. 세정액 공급부(60)는, 액원(61)과, 펌프(62)와, 밸브(63)와, 배관(65)과, 노즐(N3)(세정액 노즐, 하측 노즐)을 갖는다.
액원(61)은, 세정액(L3)의 공급원으로서 기능한다. 펌프(62)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 액원(61)으로부터 세정액(L3)을 흡인하고, 배관(65) 및 밸브(63)를 통해 노즐(N3)에 송출한다. 밸브(63)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(63)의 전후에 있어서 배관(65)을 개방 및 폐색시킨다.
배관(65)은, 상류측으로부터 차례로 액원(61), 펌프(62), 밸브(63) 및 노즐(N3)을 접속하고 있다. 노즐(N3)은, 토출구가 웨이퍼(W)의 이면(Wb) 중 주연부를 향하도록 배치되어 있다. 노즐(N3)은, 펌프(62)로부터 송출된 세정액(L3)을 비스듬히 상방을 향해 토출 가능하다.
배기부(70)는, 액처리 유닛(U1) 내, 또는 컵(30) 내를 배기하도록 구성되어 있다. 배기부(70)는 흡기구(71)와, 펌프(72)와, 밸브(73A, 73B)와, 배관(75A∼75C)을 갖는다. 흡기구(71)는, 액처리 유닛(U1) 내에 위치하고 있고, 액처리 유닛(U1) 내의 기체의 흡인이 행해진다.
펌프(72)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 배관(75C)을 통해 기체의 흡인을 행한다. 밸브(73A)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(73A)의 전후에 있어서 배관(75A)을 개방 및 폐색시킨다. 밸브(73B)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 밸브(73B)의 전후에 있어서 배관(75B)을 개방 및 폐색시킨다.
배관(75A)은, 흡기구(71)에 접속되어 있다. 배관(75B)은, 컵(30)의 배기관(36)에 접속되어 있다. 배관(75C)은, 배관(75A, 75B)과 접속되어 있고, 액처리 유닛(U1) 외부까지 연장되어 있다. 그 때문에, 밸브(73A)가 개방 상태이고, 또한 밸브(73B)가 폐쇄 상태일 때에 펌프(72)가 동작하면, 액처리 유닛(U1) 내의 배기가 행해진다. 구체적으로는, 액처리 유닛(U1) 내의 기체가 흡기구(71)로부터 흡인되고, 배관(75A, 75C)을 통해 액처리 유닛(U1) 외부로 배출된다. 한편, 밸브(73A)가 폐쇄 상태이고, 또한 밸브(73B)가 개방 상태일 때에 펌프(72)가 동작하면, 컵(30) 내의 배기가 행해진다. 구체적으로는, 컵(30)의 기체가 경사벽(37)과 구획벽(34) 사이에서 배기관(36) 내로 유입되어, 배관(75B, 75C)을 통해 액처리 유닛(U1) 외부로 배출된다.
블로워(B)는, 액처리 유닛(U1) 내의 상방에 배치되어 있다. 블로워(B)는, 컨트롤러(10)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 컵(30)을 향해 다운플로우를 형성한다.
[컨트롤러의 구성]
컨트롤러(10)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기능 모듈로서, 판독부(M1)와, 기억부(M2)와, 처리부(M3)와, 지시부(M4)를 갖는다. 이들 기능 모듈은, 컨트롤러(10)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 컨트롤러(10)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈에 나뉘어 있는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않고, 전용의 전기 회로(예를 들어, 논리 회로), 또는 이것을 집적한 집적 회로(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 된다.
판독부(M1)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(RM)로부터 프로그램을 판독한다. 기록 매체(RM)는, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체(RM)로서는, 예를 들어 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광 자기 기록 디스크여도 된다.
기억부(M2)는, 다양한 데이터를 기억한다. 기억부(M2)는, 예를 들어 판독부(M1)에 있어서 기록 매체(RM)로부터 판독한 프로그램, 웨이퍼(W)를 처리할 때의 각종 데이터(이른바, 처리 레시피), 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 통해 작업자로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억한다.
처리부(M3)는, 각종 데이터를 처리한다. 처리부(M3)는, 예를 들어 기억부(M2)에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 액처리 유닛(U1)(예를 들어, 회전 보유 지지부(20), 펌프(42, 52A, 52B, 62, 72), 밸브(43, 53A, 53B, 63, 73A, 73B), 구동 기구(46, 56), 블로워(B) 등) 및 열처리 유닛(U2)을 동작시키기 위한 동작 신호를 생성한다.
지시부(M4)는, 처리부(M3)에 있어서 생성된 동작 신호를 각종 장치로 송신한다.
컨트롤러(10)의 하드웨어는, 예를 들어 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 컨트롤러(10)는, 하드웨어상의 구성으로서, 예를 들어 도 7에 도시된 회로(10A)를 갖는다. 회로(10A)는, 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 된다. 회로(10A)는, 구체적으로는, 프로세서(10B)와, 메모리(10C)(기억부)와, 스토리지(10D)(기억부)와, 드라이버(10E)와, 입출력 포트(10F)를 갖는다. 프로세서(10B)는, 메모리(10C) 및 스토리지(10D) 중 적어도 한쪽과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(10F)를 통한 신호의 입출력을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 메모리(10C) 및 스토리지(10D)는, 기억부(M2)로서 기능한다. 드라이버(10E)는, 기판 처리 시스템(1)의 각종 장치를 각각 구동하는 회로이다. 입출력 포트(10F)는, 드라이버(10E)와 기판 처리 시스템(1)의 각종 장치(예를 들어, 회전 보유 지지부(20), 펌프(42, 52A, 52B, 62, 72), 밸브(43, 53A, 53B, 63, 73A, 73B), 구동 기구(46, 56), 블로워(B) 등) 사이에서, 신호의 입출력을 행한다.
본 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템(1)은, 하나의 컨트롤러(10)를 구비하고 있지만, 복수의 컨트롤러(10)로 구성되는 컨트롤러 군(제어부)을 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 시스템(1)이 컨트롤러 군을 구비하고 있는 경우에는, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나의 컨트롤러(10)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2개 이상의 컨트롤러(10)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(10)가 복수의 컴퓨터(회로(10A))로 구성되어 있는 경우에는, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나의 컴퓨터(회로(10A))에 의해 실현되어 있어도 되고, 2개 이상의 컴퓨터(회로(10A))의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(10)는 복수의 프로세서(10B)를 갖고 있어도 된다. 이 경우, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나의 프로세서(10B)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2개 이상의 프로세서(10B)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다.
[더미 디스펜스 방법]
계속해서, 도 4, 도 5, 도 8 및 도 9를 참조하여, 노즐(N1, N2)로부터 더미 디스펜스하는 방법을 설명한다. 더미 디스펜스 처리의 초기 상태에서는, 회전 보유 지지부(20)에 웨이퍼(W)가 보유 지지되어 있지 않고, 노즐(N1, N2)은 액 받침부(39)의 상방에서 대기하고 있다(도 9 참조). 즉, 액 받침부(39)의 상방은, 노즐(N1, N2)로부터 액체 또는 가스의 토출이 행해지고 있지 않은 경우에 노즐(N1, N2)이 대기하는 대기 위치로서 기능한다.
계속해서, 초기 상태로부터, 컨트롤러(10)는, 블로워(B), 밸브(73B) 및 펌프(72)를 제어하여, 블로워(B)를 동작시킴과 함께 컵(30) 내의 배기를 행한다(도 8의 스텝 S10 참조). 이에 의해, 액처리 유닛(U1) 내에 다운플로우(하강류)가 발생하여, 액처리 유닛(U1) 내의 기체가 컵(30) 내 및 배기관(36)을 통해 액처리 유닛(U1) 외부로 배출되는 상태가 계속된다.
계속해서, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(46)를 제어하여, 노즐(N1)을 대기 위치로부터 외주벽(32)과 회전 보유 지지부(20) 사이의 내측 영역(R)(도 4 참조)으로 이동시킨다(제1 처리; 제1 공정; 도 8의 스텝 S11 참조). 본 실시 형태에서는, 노즐(N1)은, 경사면(S)의 상방으로 이동된다. 구체적으로는, 노즐(N1)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 경사면(S) 중 회전 보유 지지부(20)보다 대기 위치측(액 받침부(39)측)의 영역(R1)(도 5의 우측 상향 사선으로 표현된 영역; 제1 영역) 상에 위치한다.
계속해서, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(56)를 제어하여, 노즐(N2)을 대기 위치로부터 외주벽(32)과 회전 보유 지지부(20) 사이의 내측 영역(R)(도 4 참조)으로 이동시킨다(제2 처리; 제2 공정; 도 8의 스텝 S12 참조). 본 실시 형태에서는, 노즐(N2)은, 경사면(S)의 상방으로 이동된다. 구체적으로는, 노즐(N2)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 경사면(S) 중 회전 보유 지지부(20)보다 대기 위치(액 받침부(39))와는 이격된 측의 영역(R2)(도 5의 우측 하향 사선으로 표현된 영역; 제2 영역) 상에 위치한다.
계속해서, 컨트롤러(10)는, 펌프(42) 및 밸브(43)를 제어하여, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 경사면(S)의 영역(R1)에 토출시킨다(제3 처리; 제3 공정; 도 8의 스텝 S13 참조). 이에 의해, 노즐(N1)에 있어서 더미 디스펜스 처리가 행해진다. 또한, 아암(44)에 복수의 노즐(N1)이 설치되어 있는 경우, 각 노즐(N1)로부터 동종의, 또는 이종의 처리액(L1)을 동시에 토출시켜도 되고, 각 노즐(N1)로부터 동종의, 또는 이종의 처리액(L1)을 상이한 타이밍에 토출시켜도 된다.
계속해서, 컨트롤러(10)는, 펌프(52A, 52B) 및 밸브(53A, 53B)를 제어하여, 노즐(N2)로부터 세정액(L2) 및 건조 가스(G)를 경사면(S)의 영역(R2)에 토출시킨다(제3 처리; 제3 공정; 도 8의 스텝 S14 참조). 이에 의해, 노즐(N2)에 있어서 더미 디스펜스 처리가 행해진다. 또한, 아암(54)에 복수의 노즐(N2a)이 설치되어 있는 경우, 각 노즐(N2a)로부터 동종의, 또는 이종의 세정액(L2)을 동시에 토출시켜도 되고, 각 노즐(N2a)로부터 동종의, 또는 이종의 세정액(L2)을 상이한 타이밍에 토출시켜도 된다. 또한, 노즐(N2a, N2b)로부터, 세정액(L2) 및 건조 가스(G)를 동시에 토출시켜도 되고, 세정액(L2) 및 건조 가스(G)를 상이한 타이밍에 토출시켜도 된다.
계속해서, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(46)를 제어하여, 노즐(N1)을 경사면(S)(영역(R1))의 상방으로부터 대기 위치로 이동시킨다(도 8의 스텝 S15 참조). 마찬가지로, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(56)를 제어하여, 노즐(N2)을 경사면(S)(영역(R2))의 상방으로부터 대기 위치로 이동시킨다(도 8의 스텝 S16 참조).
그 후, 컨트롤러(10)는, 밸브(73A, 73B)를 제어하여, 밸브(73A)를 개방시키고, 또한 밸브(73B)를 폐쇄시킨다(도 8의 스텝 S17 참조). 이에 의해, 흡기구(71)로부터 액처리 유닛(U1) 내의 기체를 배기시킨다. 이상에 의해, 노즐(N1, N2)에 있어서의 더미 디스펜스 처리가 완료된다.
[작용]
이상과 같은 본 실시 형태에서는, 컨트롤러(10)는, 처리액 공급부(40)를 제어하여, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 내측 영역(R)에 더미 디스펜스시키고 있다. 컵(30) 내의 공간은 종래의 노즐 배스와 비교하여 넓기 때문에, 컵(30) 내에 위치하는 경사벽(37)의 경사면(S)에 대해 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 토출해도, 컵(30) 내로부터 튀어오른 처리액(L1)이 상측 노즐에 도달하기 어렵다. 따라서, 처리된 웨이퍼(W)에 결함이 발생하기 어려워진다. 또한, 본 실시 형태에서는, 노즐(N1)로부터 컵(30) 내에 더미 디스펜스된다. 그 때문에, 더미 디스펜스를 위한 노즐 배스가 불필요해진다. 따라서, 액처리 유닛(U1)의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 외주벽(32)과 회전 보유 지지부(20) 사이이며, 또한 컵(30) 내에 위치하는 경사벽(37)을 갖고, 컨트롤러(10)는 처리액 공급부(40)를 제어하여, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 경사벽(37)에 더미 디스펜스시키고 있다. 그 때문에, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)이 확실하게 컵(30) 내로 토출된다. 따라서, 노즐(N1)로의 액 튀김을 더 억제하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 컨트롤러(10)는 처리액 공급부(40)를 제어하여, 노즐(N1)로부터 처리액(L1)을 내측 영역(R) 중 특히 경사면(S)에 더미 디스펜스시키고 있다. 그 때문에, 경사면(S)으로부터 튀어오른 처리액(L1)이 노즐(N1)을 향하기 어렵다. 따라서, 노즐(N1)로의 액 튀김을 한층 더 억제하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 컵(30)의 외주면에 액 받침부(39)가 설치되어 있고, 액 받침부(39)의 상방에 있어서 노즐(N1, N2)이 대기 가능하다. 그 때문에, 노즐(N1, N2)이 컵(30) 내에 처리액(L1) 또는 세정액(L2)을 토출하지 않는 대기 상태에 있어서, 노즐(N1, N2)이 액 받침부(39)의 상방의 대기 위치에서 대기한다. 따라서, 대기 상태의 노즐(N1, N2)로부터 처리액(L1) 또는 세정액(L2)이 떨어져도, 적하된 액체가 액 받침부(39)에 의해 받아내어지므로, 처리액(L1) 또는 세정액(L2)에 의한 컵(30)의 외부의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 액 받침부(39)의 일부가 컵(30)의 외주면으로 구성되어 있으므로, 액 받침부(39) 자체를 소형화할 수 있다. 그 때문에, 액처리 유닛(U1)의 더 한층의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 노즐(N1, N2)로부터의 더미 디스펜스가, 컵(30) 내를 배기한 상태에서 행해진다. 그 때문에, 노즐(N1, N2)로부터 각각 토출된 처리액(L1) 및 세정액(L2)이 컵(30) 내의 물체에 충돌하여, 이들이 미스트상으로 변화된 경우라도, 당해 미스트가 컵(30) 내로부터 배기된다. 따라서, 미스트가 주위로 확산되지 않으므로, 노즐(N1, N2)에 대한 미스트의 부착을 억제하는 것이 가능해진다. 그 결과, 노즐(N1, N2)의 표면에 있어서 미스트가 응집되어 액적으로 되고, 당해 액적이 웨이퍼(W)의 처리 시에 웨이퍼(W)에 낙하하는 것이 억제되므로, 처리된 웨이퍼(W)에 결함이 발생하기 어려워진다.
본 실시 형태에서는, 노즐(N1, N2)로부터의 더미 디스펜스 시에, 노즐(N1)과 노즐(N2)이 회전 보유 지지부(20)를 사이에 두고 마주보도록 위치한다. 그 때문에, 튀어오른 액이 서로 부착되기 어려워진다. 따라서, 양 노즐(N1, N2)에 대한 액 튀김을 억제하면서 양 노즐(N1, N2)로부터 동시에 더미 디스펜스하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 더미 디스펜스의 처리 시간이 단축화되므로, 스루풋의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 노즐(N1)로부터의 처리액(L1)의 더미 디스펜스가 경사면(S) 중 영역(R1)에 대해 행해진다. 그 때문에, 노즐(N1)에 있어서의 더미 디스펜스 처리 시에, 노즐(N1)이 회전 보유 지지부(20)를 넘지 않는다. 따라서, 노즐(N1)의 이동 중에 노즐(N1)로부터 처리액(L1)이 떨어져도, 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))에 처리액(L1)이 부착되기 어려워진다. 그 결과, 처리액(L1)에 의한 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
[다른 실시 형태]
이상, 본 개시에 관한 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형을 상기한 실시 형태에 추가해도 된다.
(변형예 1)
예를 들어, 노즐(N2)로부터 토출되는 건조 가스(G)를 이용하여 회전 보유 지지부(20)의 보유 지지부(23)를 클리닝해도 된다. 이 변형예 1에 대해, 도 10 및 도 11을 참조하여 구체적으로 설명한다. 먼저, 상술한 스텝 S10과 마찬가지로, 초기 상태에 있어서 컵(30) 내의 배기를 행한다(도 10의 스텝 S20 참조).
계속해서, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(56)를 제어하여, 노즐(N2)의 토출구가 보유 지지부(23)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐(N2)을 이동시킨다(도 10의 스텝 S21 및 도 11 참조). 계속해서, 컨트롤러(10)는 회전 보유 지지부(20)를 제어하여, 보유 지지부(23)를 회전부(21)에 의해 회전시킨다(도 10의 스텝 S22 및 도 11 참조).
계속해서, 보유 지지부(23)가 회전하고 있는 상태에서, 컨트롤러(10)는, 펌프(52B) 및 밸브(53B)를 제어하여, 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)를 보유 지지부(23)의 중앙부에 공급시킨다(제4 처리; 제4 공정; 도 10의 스텝 S23 및 도 11 참조). 또한, 컨트롤러(10)는 구동 기구(56)를 제어하여, 회전 보유 지지부(20)의 중심축 직경 방향에 있어서 외측(보유 지지부(23)의 주연측)을 향해 노즐(N2)을 이동시킨다(동 참조).
노즐(N2)이 보유 지지부(23)의 주연에 도달하면, 컨트롤러(10)는, 펌프(52B) 및 밸브(53B)를 제어하여, 노즐(N2b)로부터의 건조 가스(G)의 토출을 정지시킨다(도 10의 스텝 S24 참조). 또한, 컨트롤러(10)는, 회전 보유 지지부(20)를 제어하여, 보유 지지부(23)의 회전을 정지시킨다(동 참조).
계속해서, 상술한 스텝 S16, S17과 마찬가지로, 노즐(N2)을 대기 위치로 이동시킴과 함께(도 10의 스텝 S25 참조), 액처리 유닛(U1) 내의 기체를 배기시킨다(도 10의 스텝 S26 참조).
이상에 설명한 변형예 1에 의하면, 회전 중인 보유 지지부(23)에 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)가 공급된다. 그 때문에, 보유 지지부(23)에 부착되어 있는 파티클 등의 이물이 제거된다. 특히, 보유 지지부(23)의 중앙부에 있어서는, 보유 지지부(23)가 회전해도 이물에 원심력이 작용하기 어려우므로, 건조 가스(G)의 보유 지지부(23)에의 분사에 의해 이물이 효과적으로 제거된다. 따라서, 보유 지지부(23)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착력이 유지된다. 이와 같이, 사람의 손에 의존하지 않고 노즐(N2b)에 의해 기계적으로 보유 지지부(23)의 클리닝이 완료되므로, 클리닝 처리의 자동화 및 단시간화되는 것이 가능해진다.
(변형예 2)
예를 들어, 노즐(N2)로부터 토출되는 건조 가스(G) 및 세정액(L2)을 이용하여 회전 보유 지지부(20)의 보유 지지부(23)를 클리닝해도 된다. 이 형태에 대해, 도 12 및 도 13을 참조하여 구체적으로 설명한다. 먼저, 상술한 스텝 S20 내지 S22와 마찬가지의 처리를 행한다. 구체적으로는, 초기 상태에 있어서 컵(30) 내의 배기를 행한다(도 12의 스텝 S30 참조). 다음으로, 노즐(N2)의 토출구가 보유 지지부(23)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐(N2)을 이동시킨다(도 12의 스텝 S31 및 도 13의 (a) 참조). 다음으로, 보유 지지부(23)를 회전시킨다(도 12의 스텝 S32 및 도 13의 (a) 참조).
계속해서, 보유 지지부(23)가 회전하고 있는 상태에서, 컨트롤러(10)는, 펌프(52B) 및 밸브(53B)를 제어하여, 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)를 보유 지지부(23)의 중앙부에 공급시킨다(제4 처리; 제4 공정; 도 12의 스텝 S33 및 도 13의 (a) 참조). 또한, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(56)를 제어하여, 회전 보유 지지부(20)의 중심축의 직경 방향에 있어서 외측(보유 지지부(23)의 주연측)을 향해 노즐(N2)을 이동시킨다(동 참조). 이때, 노즐(N2)은, 회전 보유 지지부(20)의 중심축과, 당해 중심축으로부터 소정 거리만큼 이격된 제1 지점 사이의 제1 구간을 이동한다. 제1 지점은, 보유 지지부(23)에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하기 위해 보유 지지부(23)의 중앙부에 형성되어 있는 흡인 구멍(도시하지 않음)보다 외측이어도 된다. 즉, 제1 지점은, 예를 들어 흡인 구멍으로부터 5㎜ 정도 외측의 지점이어도 되고, 중심축으로부터 15㎜ 정도의 지점이어도 된다.
노즐(N2)이 제1 지점에 도달하면, 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)가 토출된 상태 그대로, 컨트롤러(10)는, 펌프(52A) 및 밸브(53A)를 제어하여, 노즐(N2a)로부터 세정액(L2)을 보유 지지부의 중간 영역(중앙부와 주연부 사이)에 공급시킨다(제4 처리; 제4 공정; 도 12의 스텝 S34 및 도 13의 (b) 참조). 이때, 노즐(N2)은, 제1 지점과, 회전 보유 지지부(20)의 중심축으로부터 제2 지점보다 더욱 이격된 제2 지점 사이의 제2 구간을 이동한다. 제2 지점은, 보유 지지부(23)의 주연부보다 내측에 위치한다. 제2 지점은, 예를 들어 보유 지지부(23)의 주연으로부터 10㎜ 정도 내측의 지점이어도 되고, 중심축으로부터 55㎜ 정도의 지점이어도 된다.
노즐(N2)이 제2 지점에 도달하면, 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)가 토출된 상태 그대로, 컨트롤러(10)는, 펌프(52A) 및 밸브(53A)를 제어하여, 노즐(N2a)로부터의 세정액(L2)의 토출을 정지시킨다(제4 처리; 제4 공정; 도 12의 스텝 S35 및 도 13의 (c) 참조). 이때, 노즐(N2)은, 제2 지점과 보유 지지부(23)의 주연 사이의 제3 구간을 이동한다.
계속해서, 상술한 스텝 S24 내지 S26과 마찬가지로, 노즐(N2b)로부터의 건조 가스(G)의 토출을 정지시킴과 함께 보유 지지부(23)의 회전을 정지시키고(도 12의 스텝 S36 참조), 노즐(N2)을 대기 위치로 이동시킨 후(도 12의 스텝 S37 참조), 액처리 유닛(U1) 내의 기체를 배기시킨다(도 12의 스텝 S38 참조).
이상에 설명한 변형예 2에 의하면, 변형예 1과 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다. 또한, 변형예 2에 의하면, 건조 가스(G)뿐만 아니라 세정액(L2)을 보유 지지부(23)에 공급하고 있으므로, 보유 지지부(23)를 더 청정화하는 것이 가능해진다. 또한, 세정액(L2)이 보유 지지부(23)의 중앙부에 공급되고 있지 않으므로, 보유 지지부(23)의 중앙부에 위치하는 흡인 구멍에 세정액(L2)이 들어가기 어려워진다. 그 때문에, 보유 지지부(23)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착 능력의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 보유 지지부(23)의 주연부에는, 노즐(N2b)로부터 건조 가스(G)가 공급되는 한편 노즐(N2a)로부터 세정액(L2)이 공급되지 않으므로, 원심력에 의해 보유 지지부(23)의 주연부로 확산된 세정액(L2)이 건조 가스(G)에 의해 불어 날려진다. 그 때문에, 보유 지지부(23)에 세정액(L2)이 잔존하는 것이 억제된다. 따라서, 보유 지지부(23)를 세정액(L2) 및 건조 가스(G)에 의해 클리닝하면서, 보유 지지부(23)의 세정액(L2)에 의한 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 노즐(N2b)이 노즐(N2a)보다 아암(54)의 진행 방향에 있어서 후방에 위치하고 있으면, 노즐(N2b)로부터 토출되는 건조 가스(G)가 노즐(N2a)로부터 토출되는 세정액(L2)을 항시 외측을 향해 불어 날리므로, 보유 지지부(23)의 표면에 세정액(L2)이 남기 어려워진다.
(변형예 3)
예를 들어, 도 14에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 세정액(L3)을 공급하는 노즐(N3)을 이용하여, 아암(44, 54)의 클리닝을 행해도 된다(제5 처리; 제5 공정). 즉, 먼저, 컨트롤러(10)는, 펌프(62) 및 밸브(63)를 제어하여, 노즐(N3)로부터 세정액(L3)을 토출시킨다. 이 상태에서, 컨트롤러(10)는, 구동 기구(46) 또는 구동 기구(56)를 또한 제어하여, 아암(44, 54)의 하면이 노즐(N3)로부터 토출되고 있는 세정액(L3)에 닿도록 아암(44, 54)을 이동시킨다. 이 경우, 노즐(N1)로부터 토출된 처리액(L1)이 경사면(S)에 충돌하여 튀어올라, 아암(44, 54)의 하면에 부착되었다고 해도, 노즐(N3)로부터 아암(44, 54)에 공급되는 세정액(L3)에 의해 아암(44, 54)으로부터 처리액(L1)이 제거된다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 처리 시에 아암(44, 54)으로부터 처리액(L1)이 웨이퍼(W)로 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 처리된 웨이퍼(W)에 결함이 한층 더 발생하기 어려워진다. 또한, 아암(44, 54)의 하면이 경사져 있어도 된다. 이 경우, 아암(44, 54)의 하면으로부터 세정액(L3)이 흐르기 쉬워져, 아암(44, 54)에 세정액(L3)이 잔존하기 어려워진다.
도 14에 도시된 바와 같이, 노즐(N3)로부터 토출되는 세정액(L3)에 의해 아암(44, 54)의 하면을 세정할 때, 노즐(N2)로부터 건조 가스(G)를 토출해도 된다(제6 처리; 제6 공정). 구체적으로는, 노즐(N2)로부터 토출되는 건조 가스(G)에 의해 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))의 외측에 있어서 기류 커튼을 형성한 상태에서, 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))보다 외측에 있어서 노즐(N3)로부터의 세정액(L3)에 의해 아암(44, 54)의 하면을 세정할 때, 노즐(N2)로부터 건조 가스(G)를 토출시켜, 세정액(L3)이 아암(44, 54)에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부(20)측에 있어서 건조 가스(G)의 기류를 형성해도 된다. 이 경우, 노즐(N2)로부터의 건조 가스(G)의 기류는, 연속적으로, 또는 소정의 타이밍에, 세정액(L3)이 아암(44, 54)에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))측에 형성된다. 그 때문에, 노즐(N3)로부터 토출된 세정액(L3)이 아암(44, 54)에 충돌하여 튀어 오르거나 미스트상으로 되거나 해도, 튀어오른 세정액(L3) 또는 미스트상의 세정액(L3)이 회전 보유 지지부(20)측으로 흐르는 것이 건조 가스(G)에 의해 억제된다. 따라서, 세정액(L3) 또는 그 미스트가 보유 지지부(23)의 기판 지지면에 부착되기 어려워진다. 그 결과, 세정액(L3) 또는 그 미스트에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
변형예 3에 있어서의 아암(44, 54)의 클리닝 처리 시에, 노즐(N3)로부터 토출되는 세정액(L3)은, 회전 보유 지지부(20)의 회전축의 직경 방향에 있어서 회전 보유 지지부(20)보다 외측에서, 아암(44, 54)에 공급되고 있으면 되며, 노즐(N3) 자체의 위치는 특별히 한정되지 않고, 임의의 위치에 노즐(N3)을 배치할 수 있다. 또한, 변형예 3에 있어서의 아암(44, 54)의 클리닝 처리 시에, 노즐(N2)로부터의 건조 가스(G)의 기류는, 세정액(L3)이 아암(44, 54)에 공급되는 위치보다 회전 보유 지지부(20)(보유 지지부(23))측에 형성되어 있으면 되며, 노즐(N2) 자체의 위치는 특별히 한정되지 않고, 임의의 위치에 노즐(N2)을 배치할 수 있다.
변형예 3에 있어서의 아암(44, 54)의 클리닝 처리는, 더미 디스펜스 처리의 전후, 또는 도중에 행해져도 되고, 더미 디스펜스 처리와 관련시키지 않고 독립적으로 행해져도 된다.
(변형예 4)
더미 디스펜스 시에, 노즐(N1, N2)의 토출구는, 컵(30)의 내측에 위치하고 있어도 되고, 컵(30)의 외측에 위치하고 있어도 된다. 즉, 더미 디스펜스 시에, 경사면(S)으로부터의 노즐(N1, N2)의 토출구의 높이는, 상단부(32a)보다 낮아도 되고, 상단부(32a)보다 높아도 된다. 노즐(N1, N2)의 토출구가 컵(30)의 내측에 위치하고 있으면, 노즐(N1, N2)로부터 토출된 액체가 컵(30) 내의 물체에 충돌하는 기세가 약해진다. 그 때문에, 액체가 미스트상으로 변화되기 어려우므로, 당해 미스트의 주위로의 비산을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 노즐(N1, N2)로부터 토출된 액체가 경사면(S)에서 튀어올라도, 튀어오른 액이 컵(30)의 외측으로 비산되기 어려워진다. 특히, 노즐(N1, N2)의 토출구가 회전 보유 지지부(20)의 보유 지지부(23)의 기판 지지면보다 하방에 위치하고 있으면, 발생한 미스트가 보유 지지부(23)의 기판 지지면에 부착되기 어려워진다. 그 때문에, 당해 미스트에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 노즐(N1, N2)의 토출구가 컵(30)의 외측에 위치하고 있으면, 노즐(N1, N2)로부터 토출된 액체가 경사면(S)에서 튀어올라도, 튀어오른 액이 노즐(N1, N2)에 부착되기 어려워진다.
(변형예 5)
경사면(S) 중 적어도 영역(R1, R2)에 대해, 액체의 접촉각이 작아지는 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 이 경우, 이들 영역(R1, R2)에 있어서의 액체의 접촉각이 작으면, 더미 디스펜스 시에 노즐(N1, N2)로부터의 액체가 영역(R1, R2)에 충돌한 경우에, 액 튀김이 발생하기 어려워진다. 당해 표면 처리로서는, 예를 들어 블라스트 처리를 들 수 있다. 혹은, 당해 표면 처리 대신에, 경사면(S) 중 적어도 영역(R1, R2)에, 딤플 가공이 실시되어 있어도 되고, 회전 보유 지지부(20)의 중심축의 직경 방향으로 연장되는 복수의 홈이 형성되어 있어도 된다.
(변형예 6)
경사벽(37)은, 상기 실시 형태와 같이 다른 벽(31∼34)과 별체여도 되고, 컵(30)을 구성하는 어느 벽(31∼34)과 일체화되어 있어도 된다.
(변형예 7)
노즐(N1, N2)로부터의 더미 디스펜스는, 컵(30) 내이며 회전 보유 지지부(20)와 외주벽(32) 사이에 위치하고 있으면, 경사벽(37) 이외의 부재에 대해 행해져도 된다.
(변형예 8)
노즐(N1)에 의한 더미 디스펜스의 위치가 영역(R2)이고, 노즐(N2)에 의한 더미 디스펜스의 위치가 영역(R1)이어도 된다. 혹은, 노즐(N1, N2)에 의한 더미 디스펜스의 위치는, 영역(R1, R2)에 한정되지 않고, 내측 영역(R)이면 된다.
1 : 기판 처리 시스템(기판 처리 장치)
2 : 도포 현상 장치(기판 처리 장치)
10 : 컨트롤러(제어부)
20 : 회전 보유 지지부
23 : 보유 지지부(척)
30 : 컵
32 : 외주벽
32a : 상단부
37 : 경사벽(내벽부)
40 : 처리액 공급부(제1 공급부)
44 : 아암(제1 아암)
46 : 구동 기구(제1 구동부)
50 : 기액 공급부(제1 공급부)
54 : 아암(제2 아암)
56 : 구동 기구(제2 구동부)
60 : 세정액 공급부(제2 공급부)
70 : 배기부
G : 건조 가스
L1 : 처리액
L2, L3 : 세정액
N1 : 노즐(처리액 노즐, 상측 노즐)
N2 : 노즐(상측 노즐)
N2a : 노즐(세정액 노즐)
N2b : 노즐(가스 노즐)
N3 : 노즐(세정액 노즐, 하측 노즐)
R : 내측 영역
R1 : 영역(제1 영역)
R2 : 영역(제2 영역)
RM : 기록 매체
S : 경사면
U1 : 액처리 유닛(기판 처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)
Wa : 표면
Wb : 이면

Claims (21)

  1. 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 회전 보유 지지부와,
    제1 공급부와,
    상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 둘러쌈과 함께 상기 제1 공급부로부터 공급되는 액체를 받는 컵과,
    상기 컵 내를 배기하도록 구성된 배기부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 컵은, 상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 상기 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖고,
    상기 제1 공급부는,
    상기 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐과,
    상기 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동시키는 제1 구동부와,
    상기 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동시키는 제2 구동부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 제1 공급부 및 상기 배기부를 제어하여, 상기 배기부에 의해 상기 컵 내를 배기하면서,
    상기 제1 구동부에 의해 상기 제1 아암을 이동시킴으로써, 상기 외주벽과 상기 회전 보유 지지부 사이의 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 상기 처리액 노즐을 위치시키는 제1 처리와,
    상기 제2 구동부에 의해 상기 제2 아암을 이동시킴으로써, 상기 내측 영역 중 상기 제1 영역과는 상기 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 상기 세정액 노즐을 위치시키는 제2 처리와,
    상기 제1 및 제2 처리 후에, 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스시키는 제3 처리를 실행하고,
    상기 제1 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고,
    상기 제2 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 대기 위치와는 이격된 측의 영역인, 기판 처리 장치.
  2. 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 회전 보유 지지부와,
    제1 공급부와,
    상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 둘러쌈과 함께 상기 제1 공급부로부터 공급되는 액체를 받는 컵과,
    상기 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 상기 기판의 이면에 대해 세정액을 공급하도록 구성된 제2 공급부와,
    상기 컵 내를 배기하도록 구성된 배기부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 컵은, 상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 상기 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖고,
    상기 제1 공급부는,
    상기 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐과,
    상기 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동시키는 제1 구동부와,
    상기 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동시키는 제2 구동부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 제1 공급부 및 상기 배기부를 제어하여, 상기 배기부에 의해 상기 컵 내를 배기하면서,
    상기 제1 구동부에 의해 상기 제1 아암을 이동시킴으로써, 상기 처리액 노즐을 상기 외주벽과 상기 회전 보유 지지부 사이의 내측 영역에 위치시키는 제1 처리와,
    상기 제2 구동부에 의해 상기 제2 아암을 이동시킴으로써, 상기 세정액 노즐을 상기 내측 영역에 위치시키는 제2 처리와,
    상기 제1 및 제2 처리 후에, 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스시키는 제3 처리와,
    상기 제1 및 제2 공급부를 제어하여, 상기 하측 노즐로부터 세정액을 상기 제1 또는 제2 아암에 공급하는 제4 처리를 실행하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 처리에 있어서, 상기 제1 구동부에 의해 상기 제1 아암을 이동시킴으로써, 상기 처리액 노즐을 상기 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 위치시키고,
    상기 제2 처리에 있어서, 상기 제2 구동부에 의해 상기 제2 아암을 이동시킴으로써, 상기 세정액 노즐을 상기 내측 영역 중 상기 제1 영역과는 상기 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 위치시키는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고,
    상기 제2 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 대기 위치와는 이격된 측의 영역인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공급부는, 상기 기판의 표면에 건조 가스를 공급함과 함께 상기 제2 아암에 설치된 가스 노즐을 갖고,
    상기 제어부는, 상기 회전 보유 지지부 및 상기 제1 공급부를 제어하여, 상기 회전 보유 지지부의 척을 회전시킨 상태에서, 상기 가스 노즐이 상기 척의 상방을 통과하도록 상기 제2 아암을 상기 제2 구동부에 의해 이동시키면서 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척에 공급시키는 제5 처리를 실행하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제5 처리에 있어서, 상기 척을 회전시킨 상태에서, 상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 모두 상기 척의 중앙부로부터 주연부를 향해 이동하도록 상기 제2 아암을 상기 제2 구동부에 의해 이동시키면서,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 중앙부의 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척의 중앙부에 공급시키지만, 상기 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급시키지 않는 것과,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 중앙부와 주연부 사이인 중간 영역의 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 건조 가스 및 세정액을 상기 척의 중간 영역에 공급시키는 것과,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 주연부 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척의 주연부에 공급시키지만, 상기 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급시키지 않는 것을 실행하는, 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 상기 기판의 이면에 대해 세정액을 공급하도록 구성된 제2 공급부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 및 제2 공급부를 제어하여, 상기 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜 상기 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 상기 제1 또는 제2 아암에 세정액을 공급함과 함께, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 상기 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 상기 제1 또는 제2 아암에 공급되는 위치보다 상기 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성하는 제6 처리를 실행하는, 기판 처리 장치.
  8. 회전 보유 지지부에 보유 지지됨과 함께 컵에 주위를 둘러싸인 기판의 표면에 액체를 공급하는 상측 노즐로부터 더미 디스펜스하는 방법이며,
    상기 상측 노즐은 상기 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하고,
    상기 컵은, 상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 상기 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖고,
    상기 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동시켜, 상기 외주벽과 상기 회전 보유 지지부 사이의 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 상기 처리액 노즐을 위치시키는 제1 공정과,
    상기 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동시켜, 상기 내측 영역 중 상기 제1 영역과는 상기 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 상기 세정액 노즐을 위치시키는 제2 공정과,
    상기 제1 및 제2 공정 후에, 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스하는 제3 공정을 포함하고,
    상기 제1 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고,
    상기 제2 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 대기 위치와는 이격된 측의 영역이고,
    상기 컵 내를 배기하면서 상기 제1 내지 제3 공정을 실행하는, 더미 디스펜스 방법.
  9. 회전 보유 지지부에 보유 지지됨과 함께 컵에 주위를 둘러싸인 기판의 표면에 액체를 공급하는 상측 노즐로부터 더미 디스펜스하는 방법이며,
    상기 상측 노즐은 상기 기판의 표면에 대해 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 기판의 표면에 대해 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하고,
    상기 컵은, 상기 회전 보유 지지부에 의해 보유 지지되면서 회전되는 상기 기판으로부터 뿌려진 액체의 비산을 방지하는 외주벽을 갖고,
    상기 처리액 노즐이 설치된 제1 아암을 이동시켜, 상기 처리액 노즐을 상기 외주벽과 상기 회전 보유 지지부 사이의 내측 영역에 위치시키는 제1 공정과,
    상기 세정액 노즐이 설치된 제2 아암을 이동시켜, 상기 세정액 노즐을 상기 내측 영역에 위치시키는 제2 공정과,
    상기 제1 및 제2 공정 후에, 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 처리액 및 세정액을 더미 디스펜스하는 제3 공정과,
    상기 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 세정액을 상기 제1 또는 제2 아암에 공급하는 제4 공정을 포함하고,
    상기 컵 내를 배기하면서 상기 제1 내지 제3 공정을 실행하는, 더미 디스펜스 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 공정에서는, 상기 처리액 노즐을 상기 내측 영역 중 소정의 제1 영역에 위치시키고,
    상기 제2 공정에서는, 상기 세정액 노즐을 상기 내측 영역 중 상기 제1 영역과는 상기 회전 보유 지지부를 사이에 두고 반대측인 제2 영역에 위치시키는, 더미 디스펜스 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 처리액 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 컵 외부에서 대기하는 대기 위치 부근의 영역이고,
    상기 제2 영역은, 상기 내측 영역 중 상기 회전 보유 지지부보다 상기 대기 위치와는 이격된 측의 영역인, 더미 디스펜스 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전 보유 지지부의 척을 회전시킨 상태에서, 상기 제2 아암에 설치된 가스 노즐이 상기 척의 상방을 통과하도록 상기 제2 아암을 이동하면서 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척에 공급하는 제5 공정을 더 포함하는, 더미 디스펜스 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제5 공정에서는, 상기 척을 회전시킨 상태에서, 상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 모두 상기 척의 중앙부로부터 주연부를 향해 이동하도록 상기 제2 아암을 이동하면서,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 중앙부의 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척의 중앙부에 공급하지만, 상기 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급하지 않는 것과,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 중앙부와 주연부 사이인 중간 영역의 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐로부터 각각 건조 가스 및 세정액을 상기 척의 중간 영역에 공급하는 것과,
    상기 가스 노즐 및 상기 세정액 노즐이 상기 척의 주연부의 상방을 통과할 때에는, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 상기 척의 주연부에 공급하지만, 상기 세정액 노즐로부터는 세정액을 공급하지 않는 것을 포함하는, 더미 디스펜스 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 컵 내에 위치하는 하측 노즐로부터 세정액을 토출시켜 상기 회전 보유 지지부보다 외측에 있어서 상기 제1 또는 제2 아암에 세정액을 공급함과 함께, 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜, 상기 하측 노즐로부터 토출된 세정액이 상기 제1 또는 제2 아암에 공급되는 위치보다 상기 회전 보유 지지부측에 있어서 건조 가스의 기류를 형성하는 제6 공정을 더 포함하는, 더미 디스펜스 방법.
  15. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 더미 디스펜스 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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