TWI495964B - 利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置 - Google Patents

利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI495964B
TWI495964B TW100146042A TW100146042A TWI495964B TW I495964 B TWI495964 B TW I495964B TW 100146042 A TW100146042 A TW 100146042A TW 100146042 A TW100146042 A TW 100146042A TW I495964 B TWI495964 B TW I495964B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
developer
substrate
supply nozzle
developing
wafer
Prior art date
Application number
TW100146042A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201245910A (en
Inventor
Kouichi Hontake
Takafumi Niwa
Hideharu Kyouda
Kousuke Yoshihara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201245910A publication Critical patent/TW201245910A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI495964B publication Critical patent/TWI495964B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置
本發明係關於一種顯影處理方法及顯影處理裝置，對已形成光阻膜，進行曝光處理之半導體晶圓等基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影處理。
一般而言，於半導體晶圓等製造線，為在半導體晶圓或LCD基板等基板表面形成光阻圖案，使用光微影技術。此光微影技術可依序進行於基板表面塗布光阻液之光阻塗布處理、使經形成之光阻膜依圖案曝光之曝光處理與對曝光處理後之基板供給顯影液之顯影處理等一連串處理，於基板表面形成既定光阻圖案。
又，顯影處理中，已知將曝光處理時經曝光之光阻膜區域內，光照射強度強的區域選擇性地加以溶解、去除，形成圖案之正型系統，與將光照射強度弱的區域選擇性地加以溶解、去除，形成圖案之負型系統。此時，於負型系統，對基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影處理。
又，負型系統中，作為對基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影處理之之一種習知方法，係在以一定速度旋轉之基板上，一面以一定速度令顯影液噴吐噴嘴掃描，一面持續噴吐顯影液，以對基板供給顯影液(參照例如專利文獻1)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2010-152353號公報
然而，如專利文獻1之顯影處理方法中，在以一定速度旋轉之基板上自顯影液噴吐噴嘴持續噴吐顯影液，故在基板表面上形成之顯影液液體膜之厚度增加。含有有機溶劑之顯影液其液體膜一旦增加，光阻膜之溶解去除速度即會變慢，故有顯影處理之處理時間增加之虞。
鑑於上述情事，本發明之目的在於提供一種顯影處理方法及顯影處理裝置，於使用含有有機溶劑之顯影液之顯影處理中，可縮短處理時間，提升處理能力。
為解決上述課題，本發明之顯影處理方法對在表面塗布有光阻，並經曝光後之基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影，其特徵在於包含：液體膜形成程序，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液以形成液體膜；及顯影程序，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液，並在不使該顯影液液體膜乾燥之狀態下一面令該基板旋轉，一面使該基板上的光阻膜顯影。
本發明中，於該液體膜形成程序，宜以第1轉速令該基板旋轉，於該顯影程序，以低於該第1轉速，不促進該顯影液液體膜乾燥之第2轉速令該基板旋轉，更包含清洗程序，其以高於該第2轉速之第3轉速一面令該基板旋轉，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液，洗掉於該顯影程序溶解於該顯影液之光阻成分。
此時，該第1轉速宜為100rpm~1500rpm，該第2轉速為10rpm~100rpm。
且本發明中，宜交互重複複數次該液體膜形成程序與該顯影程序。
此時，宜包含一程序，其在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液前，一面令該基板旋轉，一面令該顯影液供給噴嘴自該基板周緣部朝中心部移動，同時自該顯影液供給噴嘴對該基板連續供給該顯影液。
且宜交互重複複數次下列程序：在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面使該顯影液供給噴嘴自該基板中心部朝周緣部移動，同時自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液；及停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
此時，亦可設有複數該顯影液供給噴嘴，於該液體膜形成程序，自該複數顯影液供給噴嘴對該基板中心部及中心部以外的部位供給該顯影液，於該顯影程序，停止自該複數顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
且宜包含下列程序：在自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面自潤洗液供給噴嘴對該基板供給潤洗液；及在自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液後，使該基板旋轉而乾燥。
且本發明之顯影處理裝置實施上述顯影處理方法，對在表面塗布有光阻，並經曝光後之基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持該基板；旋轉驅動機構，使該基板固持部繞著鉛直軸旋轉；顯影液供給噴嘴，對由該基板固持部固持之基板表面供給該顯影液；及控制部，控制自該顯影液供給噴嘴對該基板該顯影液之供給及該旋轉驅動機構；且根據來自該控制部之控制信號進行下列者：液體膜形成處理，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液以形成液體膜；及顯影處理，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液，並在不使該顯影液液體膜乾燥之狀態下一面令該基板旋轉，一面使該基板上的光阻膜顯影。
本發明中，宜根據來自該控制部之控制信號，於該液體膜形成處理，以第1轉速令該基板旋轉，於該顯影處理，以低於該第1轉速，不促進該顯影液液體膜乾燥之第2轉速令該基板旋轉，更進行清洗處理，其以高於該第2轉速之第3轉速一面令該基板旋轉，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液，洗掉在該顯影處理溶解於該顯影液之光阻成分。
此時，該第1轉速宜為100rpm~1500rpm，該第2轉速為10rpm~100rpm。
且本發明中，宜根據來自該控制部之控制信號，交互重複複數次下列者： 液體膜形成處理，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液；及顯影處理，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
此時，宜更包含顯影液供給噴嘴移動機構，其可沿順著該基板表面之方向移動該顯影液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作，該控制部在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液前，令該顯影液供給噴嘴自該基板周緣部一面朝中心部移動，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板連續供給該顯影液。
且宜更包含顯影液供給噴嘴移動機構，其可沿順著該基板表面之方向移動該顯影液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作，該控制部交互重複複數次下列處理：在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液後，令該顯影液供給噴嘴自該基板中心部一面朝周緣部移動，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液；及停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
此時亦可設有複數該顯影液供給噴嘴，於該液體膜形成處理，自該複數顯影液供給噴嘴對該基板中心部及中心部以外部位供給該顯影液，於該顯影處理，停止自該複數顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
且宜更包含：潤洗液供給噴嘴，對該基板供給潤洗液；及潤洗液供給噴嘴移動機構，可沿順著該基板表面之方向移動該潤洗液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作；該控制部進行下列處理： 在自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液；及在自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液後，使基板旋轉而乾燥。
依本發明之利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置，藉由包含一面令基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對基板中心部供給顯影液以形成液體膜之液體膜形成程序，與一面令基板旋轉，一面停止自顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液，且在不使顯影液液體膜乾燥之狀態下令基板旋轉，同時使基板上的光阻膜顯影之顯影程序，可保持在基板表面上形成之顯影液液體膜厚度較薄，加快光阻膜之溶解去除速度，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。
以下，根據附圖說明關於本發明之實施形態。在此，說明關於依本發明之顯影處理裝置適用於塗布顯影處理裝置之情形。
上述處理系統如圖1及圖2所示，包含：輸送站1，用來將密封收納複數片例如25片係基板之半導體晶圓W(以下稱晶圓W)之載具10加以送出送入；處理部2，對自此輸送站1取出之晶圓W施行光阻塗布顯影處理等；曝光部4，於在晶圓W表面形成使光透射之液體層之狀態下對晶圓W表面進行液浸曝光；及介面部3，連接處理部2與曝光部4之間，傳遞晶圓W。
輸送站1設有： 載置部11，可將複數個載具10排成一排並載置之；開合部12，自此載置部11觀察設於前方壁面；及傳遞機構A1，用來自載具10經由開合部12取出晶圓W。
介面部3由在處理部2與曝光部4之間前後設置之第1運送室3A及第2運送室3B構成，分別設有第1晶圓運送部30A及第2晶圓運送部30B。
且於輸送站1內側連接由框體20包圍周圍之處理部2，於此處理部2自前側依序交互配置設置在多段化加熱冷卻類單元之架座單元U1、U2、U3及液處理單元U4、U5各單元間傳遞晶圓W之主運送機構A2、A3。且主運送機構A2、A3配置於以藉由自輸送站1觀察沿前後方向配置之架座單元U1、U2、U3側一面部、後述例如右側液處理單元U4、U5側一面部與係左側一面之背面部構成之區隔壁21包圍之空間內。且於輸送站1與處理部2之間、處理部2與介面部3之間配置包含於各單元使用之處理液之溫度調節裝置或溫濕度調節用導管等之溫濕度調節單元22。
架座單元U1、U2、U3呈將用來進行於液處理單元U4、U5進行之處理的前處理及後處理之各種單元堆疊成複數段例如10段之構成，其組合包含加熱(烘烤)晶圓W之加熱單元(未經圖示)、冷卻晶圓W之冷卻單元(未經圖示)等。且液處理單元U4、U5例如圖1所示，在光阻或顯影液等化學液收納部上將塗布抗反射膜之抗反射膜塗布單元(BCT)23、塗布單元(COT)24、對晶圓W供給顯影液以進行顯影處理之顯影單元(DEV)25等堆疊成複數段例如5段而構成。依本發明之顯影處理裝置50設於顯影單元(DEV)25。
參照圖1及圖2並同時簡單說明關於如上述構成之塗布顯影處理裝置中晶圓移動過程之一例。首先，將收納例如25片晶圓W之載具10載置於載置部11後，載具10之蓋體即與開合部12一 齊卸除，藉由傳遞機構A1取出晶圓W。又，經由係架座單元U1之一段的傳遞單元(未經圖示)朝主運送機構A2傳遞晶圓W，作為塗布處理之前處理進行例如抗反射膜形成處理、冷卻處理後，於塗布單元(COT)24塗布光阻液。接著，藉由主運送機構A2於係架座單元U1、U2之一架座的加熱單元加熱(烘烤處理)晶圓W，更使其冷卻後經由架座單元U3之傳遞單元送入介面部3。於此介面部3，藉由第1運送室3A及第2運送室3B之第1晶圓運送部30A及第2晶圓運送部30B將其運送至曝光部4，配置曝光機構(未經圖示)俾與晶圓W表面對向，以進行曝光。曝光後，以相反路徑運送晶圓W至主運送機構A3，於顯影單元DEV進行顯影，藉此形成圖案。然後晶圓W回到經載置在載置部11上原來的載具10。
其次，說明關於依本發明之顯影處理裝置50。顯影處理裝置50如圖3及圖4所示，於包含晶圓W送入送出口51a之機殼51內，具備抽吸吸附晶圓W背面側中心部以水平固持晶圓，係基板固持部之旋轉吸盤40。又，於送入送出口51a以可開合之方式配置閘門51b。
上述旋轉吸盤40經由軸部41連結例如伺服馬達等旋轉驅動機構42，藉由此旋轉驅動機構42可在固持晶圓W之狀態下使晶圓旋轉。又，旋轉驅動機構42電性連接本發明中係控制部之控制器60，根據來自控制器60之控制信號控制旋轉吸盤40之轉速。
且包圍由旋轉吸盤40固持之晶圓W側方而設置杯體43。此杯體43由圓筒狀外杯43a與上部側朝內側傾斜之筒狀內杯43b構成，外杯43a藉由連接外杯43a下端部之例如缸筒等昇降機構44昇降，且內杯43b可由形成於外杯43a下端側內周面之段部托高而昇降。又，昇降機構44電性連接控制器60，外杯43a根據來自控制器60之控制信號昇降。
且於旋轉吸盤40下方側設有圓形板45，於此圓形板45外側橫跨全周設有剖面形成為凹部狀之液體承接部46。於液體承接部46底面形成排放液排出口47，經由此排放液排出口47朝裝置外部排出自晶圓W滴落，或是被甩掉而由液體承接部46儲存之顯影液或潤洗液。且於圓形板45外側設有剖面呈山形之環構件48。又，雖省略圖示，但設有穿通圓形板45，係例如3根基板支持銷之昇降銷，藉由此昇降銷與未圖示之基板運送機構之協同作用傳遞晶圓W至旋轉吸盤40。
另一方面，於由旋轉吸盤40固持之晶圓W上方側設有與晶圓W表面中心部隔著間隙對向，可昇降及水平移動之顯影液供給噴嘴52(以下稱顯影噴嘴52)。此時，顯影噴嘴52於噴嘴前端部具有供給(噴吐)顯影液之圓形狀噴吐口(未經圖示)。
且顯影噴嘴52由噴嘴臂54A一端側支持，此噴嘴臂54A另一端側與具有未圖示之昇降機構之移動基台55A連結，且移動基台55A可藉由例如滾珠螺桿或正時皮帶等顯影液供給噴嘴移動機構56A(以下稱顯影噴嘴移動機構56A)順著沿X方向延伸之引導構件57A沿橫方向移動。藉由驅動顯影噴嘴移動機構56A，顯影噴嘴52沿自晶圓W中心部朝周緣部之直線(半徑)移動。
又，於杯體43一方外方側設有顯影噴嘴52之待命部59A，於此待命部59A清洗顯影噴嘴52之噴嘴前端部等。
且於由旋轉吸盤40固持之晶圓W上方側，以可昇降及水平移動之方式設置與晶圓W表面中心部隔著間隙對向，供給(噴吐)潤洗液之潤洗液供給噴嘴58(以下稱潤洗噴嘴58)。
此潤洗噴嘴58與噴嘴臂54B一端側相互保持平行狀態，此噴嘴臂54B另一端側與具有未圖示之昇降機構之移動基台55B連 結，且移動基台55B可藉由例如滾珠螺桿或正時皮帶等潤洗液供給噴嘴移動機構56B(以下稱潤洗噴嘴移動機構56B)順著沿X方向延伸之引導構件57B沿橫方向移動，亦即可自晶圓W中心部朝基板周緣部沿徑方向移動。又，於杯體43一方外方側設有潤洗噴嘴58之待命部59B。
且顯影噴嘴52經由插設開合閥V1之顯影液供給管70連接顯影液供給源71。另一方面，潤洗噴嘴58經由插設開合閥V2之潤洗液供給管76連接係清洗液供給源之潤洗液供給源77。
又，上述顯影噴嘴移動機構56A、潤洗噴嘴移動機構56B、開合閥V1、V2分別電性連接上述控制器60，根據由控制器60預先記憶之控制信號水平移動顯影噴嘴52、水平移動潤洗噴嘴58、開合驅動開合閥V1、V2。控制器60藉由控制開合閥V1之開合驅動，可控制是否自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液。
自如上述構成之顯影噴嘴52對晶圓W供給之顯影液係使用含有有機溶劑之顯影液。此顯影液可將曝光處理時經曝光之光阻膜區域中，光照射強度弱的區域選擇性地加以溶解去除，以形成圖案。作為含有有機溶劑之顯影液，可使用例如酮類溶劑、酯類溶劑、醇類溶劑、胺類溶劑、醚類溶劑等極性溶劑及烴類溶劑等，於本實施形態，使用係酯類溶劑，含有乙酸丁酯之顯影液。
另一方面，自潤洗噴嘴58對晶圓W供給之潤洗液係使用含有有機溶媒之潤洗液。作為含有有機溶媒之潤洗液，可使用含有例如具有至少包含分支及環狀構造其中一者之烷基鏈，該烷基鏈中之2級或3級碳原子與羥基結合，碳數至少為5之醇，或是，至少具有碳數至少為5之烷基及碳數至少為5之環烷基其中一者之二烷基醚之潤洗液，本實施形態中，使用含有係該當之醇之4-甲基-2-戊醇(MIBC)之潤洗液。
其次，說明關於藉由如上述構成之顯影處理裝置50進行之晶圓W顯影處理之第1實施形態。圖5係顯示第1實施形態中顯影處理方法順序之流程圖，步驟沿箭頭方向進展。又，第1實施形態中，對直徑300mm之晶圓W進行顯影處理。
首先，藉由未圖示之運送機構，運送晶圓W至旋轉吸盤40上，以旋轉吸盤40固持晶圓W，藉由旋轉驅動機構42之驅動以例如1000rpm旋轉晶圓W(步驟S1)。又，驅動顯影噴嘴移動機構56A，自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動顯影噴嘴52(步驟S2)。
又，步驟S1與步驟S2之順序亦可相反。亦即，亦可自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動顯影噴嘴52後，藉由旋轉驅動機構42之驅動以例如1000rpm旋轉晶圓W。
接著，自顯影液噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液(步驟S3)。步驟S3包含：液體膜形成程序，一面令晶圓W旋轉，一面自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液D以形成液體膜(參照步驟A：圖6(a))；顯影程序，一面令晶圓W旋轉，一面停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液D，使光阻膜顯影(參照步驟B：圖6(b))；且交互重複複數次液體膜形成程序(步驟A)與顯影程序(步驟B)。
首先，進行第1次液體膜形成程序(步驟A)。顯影液D之供給係自顯影噴嘴52對以例如1000rpm旋轉之晶圓W中心部供給顯影液D以形成液體膜。由顯影噴嘴52供給之顯影液D之流速 為例如300ml/min，自供給顯影液D至停止供給顯影液D止期間之顯影液供給期間T為0.5秒。
接著，進行第1次顯影程序(步驟B)。顯影程序係一面以例如1000rpm令晶圓W旋轉，一面進行晶圓W上光阻膜之顯影。自停止供給顯影液D到下次供給顯影液止期間之顯影液停止期間P為1.5秒。此顯影程序中，若一面令晶圓W以1000rpm旋轉，一面停止供給顯影液，即有促進乾燥之虞，故作為抑制乾燥之方法，宜例如在晶圓W上一部分配置整流板，或是以蓋板覆蓋晶圓整體，抑制顯影液之揮發。又，顯影程序中，可藉由使晶圓W之轉速減速至例如100rpm抑制顯影之乾燥。且作為抑制乾燥之其他方法，可藉由使晶圓W溫度與顯影液溫度其中至少一者為18℃~21℃，或是於顯影程序縮小杯體43(具體而言係縮小外杯43a)開口部至30mm以下，抑制顯影之乾燥。
接著，與第1次液體膜形成程序相同地進行第2次液體膜形成程序(步驟A)，接著，與第1次顯影程序相同地進行第2次顯影程序(步驟B)。
又，藉由交互重複複數次例如n=8次液體膜形成程序(步驟A)與顯影程序(步驟B)，可達成步驟S3。
其次，驅動顯影噴嘴移動機構56A，自晶圓W中心部朝周緣部移動顯影噴嘴52(步驟S4)。
如上述，自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液後，驅動潤洗噴嘴移動機構56B，移動潤洗噴嘴58至晶圓表面中心部上方位置，自潤洗噴嘴58對例如以1000rpm旋轉之晶圓W表面供給含有有機溶媒之潤洗液(步驟S5)。自潤洗噴嘴58供給之潤洗液流速為例如120ml/min，自供給潤洗液至停止供給潤洗液止期間之潤洗 液供給期間為5秒。藉由自潤洗噴嘴58供給之潤洗液，可停止以顯影液溶解光阻膜，並洗掉晶圓表面包含光阻溶解成分之顯影液。
又，步驟S5之潤洗處理中，亦可不使用潤洗液而代之以於步驟S3使用有機顯影液洗掉晶圓表面包含光阻溶解成分之顯影液。此時，除自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給有機顯影液外，亦可令顯影噴嘴52自晶圓W中心部朝周緣部，或是一面自晶圓W周緣部朝中心部移動，一面供給有機顯影液。
接著，藉由旋轉驅動機構42之驅動使晶圓W高速旋轉，例如使轉速為2000rpm，進行甩掉晶圓表面液體之旋轉乾燥處理20秒期間(步驟S6)。
依上述第1實施形態，藉由交互重複複數次一面令晶圓W旋轉，一面自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液以形成液體膜之液體膜形成程序，及一面令晶圓W旋轉，一面停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液D，使光阻膜顯影之顯影程序，可保持在晶圓W表面上形成之顯影液D液體膜之厚度較薄，加快光阻膜之溶解去除速度，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。
圖7係測定依各處理條件：○(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：0.5s/1.5s)，△(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：1.0s/1.0s)，□(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：1.5s/0.5s)，×(All Dispense)對直徑300mm之晶圓W供給顯影液20秒期間後，進行上述潤洗處理及乾燥處理後，自晶圓W中心部至周緣部各部位之圖案線寬之實驗結果。
如圖7所示，顯示不設置停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之顯影程序，連續對晶圓W供給顯影液之處理條件：×(All Dispense)於自晶圓W中心部至周緣部之各部位，相較於設有顯影程序之處理條件：○(T/P：0.5s/1.5s)，△(T/P：1.0s/1.0s)及□(T/P：1.5s/0.5s)圖案線寬粗，光阻膜之溶解去除速度慢。
且藉由比較設有停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之顯影程序之處理條件：○(T/P：0.5s/1.5s)、處理條件：△(T/P：1.0s/1.0s)與處理條件：□(T/P：1.5s/0.5s)，顯示顯影液供給期間T最短的處理條件：○(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：0.5s/1.5s)圖案線寬最細，光阻膜之溶解去除速度快。
圖8係測定依不設置停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之顯影程序，連續對晶圓W供給顯影液之處理條件：×(All Dispense)、處理條件：○(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：0.5s/1.5s)對直徑300mm之晶圓W供給顯影液既定處理時間後，進行上述潤洗處理及乾燥處理後，於晶圓W中心部每經過處理時間之圖案線寬之實驗結果。
如圖8所示，已知若目標線寬為40nm，處理條件：×(All Dispense)時即需30秒之處理時間，相對於此，處理條件：○(T/P：0.5s/1.5s)時可以20秒之處理時間達成，設置停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之停止程序之處理條件：○(T/P：0.5s/1.5s)用來達成目標線寬之處理時間短。
上述第1實施形態中，雖驅動顯影噴嘴移動機構56A，令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動(步驟S2)，但亦可例如圖9所示，令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影噴嘴52連續對晶圓W供給顯影液D(步驟S2a：未經圖示)。又，連續供給顯影液係指不設置停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之程序，自顯影噴嘴52持續對晶圓W供給顯影液。
說明關於藉由顯影處理裝置50進行之晶圓W顯影處理之第2實施形態即知，與第1實施形態相同，首先，藉由未圖示之運送機構，運送晶圓W至旋轉吸盤40上，以旋轉吸盤40固持晶圓W，藉由旋轉驅動機構42之驅動以例如1000rpm旋轉晶圓W(步驟S1)。
接著，如圖9所示，驅動顯影噴嘴移動機構56A，以40mm/s之速度令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影噴嘴52以流速例如300ml/min連續供給顯影液D(步驟S2a)。其後之處理程序(步驟S3~S6)與第1實施形態相同地進行。
依上述第2實施形態，在自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液D前，一面令晶圓W旋轉，一面令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部朝中心部移動，同時自顯影噴嘴52對晶圓W連續供給顯影液D，藉此可自顯影噴嘴52自晶圓W周緣部朝中心部移動之程序時點起開始溶解去除光阻膜，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。且藉由對晶圓W中心部以外之部位供給顯影液D，可對晶圓W整體進行更均一的顯影處理。
圖10係測定令直徑300mm之晶圓W以1000rpm旋轉，依各處理條件：×(移動時不供給顯影液)、△(以顯影噴嘴52之移動速度為120mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)、○(以顯影噴嘴52之移動速度為40mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動，於晶圓W中心部以顯影液供給期間T/顯影液停止期間P：1.0s/1.0s之條件供給顯影液16秒期間後，進行上述潤洗處理及乾燥處理後，自晶圓W中心部至周緣部各部位之圖案線寬之實驗結果。
如圖10所示，相較於不自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之處理條件：×(移動時不供給顯影液)，具有令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影噴嘴52對晶圓W連續供給顯影液之程序之處理條件：△(以顯影噴嘴52之移動速度為120mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)及○(以顯影噴嘴52之移動速度為40mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)圖案線寬較細。
且藉由比較設置令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影噴嘴52對晶圓W連續供給顯影液之程序之處理條件：△(以顯影噴嘴52之移動速度為120mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)，與處理條件：○(以顯影噴嘴52移動速度為40mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)，可知顯影噴嘴52之移動速度慢的處理條件：○(以顯影噴嘴52移動速度為40mm/s，流量為300ml/min之方式供給顯影液)圖案線寬最細。
依以上結果顯示藉由在步驟S2a令顯影噴嘴52自晶圓W周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影噴嘴52對晶圓W連續供給顯影液，可調整圖案線寬。且已知藉由顯影噴嘴52之移動速度亦可調整線寬。
上述第1實施形態中，雖停止供給顯影液並直接令顯影噴嘴52自晶圓W中心部朝周緣部移動(步驟S4)，但亦可例如圖11所示，交互重複複數次令顯影噴嘴52自晶圓W中心部一面朝周緣部移動，一面自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液D之程序，與停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液D之程序(步驟S4a：未經圖示)。
說明關於藉由顯影處理裝置50進行之晶圓W顯影處理之第3實施形態即知，與第1實施形態相同地進行處理程序(步驟S1~S3)。
接著，如圖11所示，交互重複複數次例如2次驅動顯影噴嘴移動機構56A，以40mm/s之速度令顯影噴嘴52自晶圓W中心部一面朝周緣部移動，一面自顯影噴嘴52以流速例如300ml/min對晶圓W供給顯影液之程序，與停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之程序(步驟S4a)。其後之處理程序(步驟S5、S6)與第1實施形態相同地進行。
依上述第3實施形態，藉由交互重複複數次自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液後，一面令晶圓W旋轉，一面令顯影噴嘴52自晶圓W中心部朝周緣部移動，同時自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之程序，與停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液之程序，即使在顯影噴嘴52自晶圓W中心部對周緣部移動之程序中，亦可對晶圓W供給顯影液以溶解去除光阻膜，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。且藉由對晶圓W中心部以外的部位供給顯影液，可對晶圓W整體進行更均一的顯影處理。
上述第1實施形態中，雖係自1根顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液(步驟S3)，但亦可例如圖12所示，設置複數例如5根顯影噴嘴，自1根顯影噴嘴52A對晶圓W中心部供給顯影液D，並自4根顯影噴嘴52B對中心部以外的部位供給顯影液D(步驟S3a：未經圖示)。
說明關於藉由顯影處理裝置50進行之晶圓W顯影處理之第4實施形態即知，與第1實施形態相同地進行處理程序(步驟S1、S2)。又，於步驟S2，配置顯影噴嘴52A在晶圓W中心部上方，分別於晶圓W中心部以外部位上方，隔著顯影噴嘴52A對稱之左右位置配置2根顯影噴嘴52B(參照圖12)。
接著，自複數顯影噴嘴52A、52B對晶圓W中心部及中心部以外的部位供給顯影液D(步驟S3a)。步驟S3a包含：液體膜形成程序，如圖12(a)所示，一面令晶圓W旋轉，一面自顯影噴嘴52A、52B對晶圓W中心部及中心部以外的部位供給顯影液D以形成液體膜(步驟Aa：未經圖示)；及顯影程序，如圖12(b)所示，一面令晶圓W旋轉，一面停止自顯影噴嘴52A、52B對晶圓W供給顯影液以使光阻膜顯影(步驟Ba：未經圖示)；且交互重複複數次液體膜形成程序(步驟Aa)與顯影程序(步驟Ba)。
首先，進行第1次液體膜形成程序(步驟Aa)。顯影液D之供給係自顯影噴嘴52A、52B對例如以1000rpm旋轉之晶圓W中心部及中心部以外的部位供給顯影液D。自顯影噴嘴52A、52B供給之顯影液D之流速為例如60ml/min，自供給顯影液D至停止供給顯影液D止期間之顯影液供給期間T為0.5秒。
接著，進行第1次顯影程序(步驟Ba)。顯影液供給之顯影程序，係一面以例如1000rpm令晶圓W旋轉，一面進行之。自停止供給顯影液到下次供給顯影液止期間之顯影液停止期間P為1.5秒。
接著，與第1次液體膜形成程序相同地進行第2次液體膜形成程序(步驟Aa)，接著，與第1次顯影程序相同地進行第2次顯影程序(步驟Ba)。
又，可藉由交互重複複數次例如n=8次液體膜形成程序(步驟Aa)與顯影程序(步驟Ba)達成步驟S3a。其後之處理程序(步驟S4~S6)與第1實施形態相同地進行。
依上述第4實施形態，設置複數顯影噴嘴52A、52B，於液體膜形成程序，自顯影噴嘴52A、52B對晶圓W中心部及中心部以外的部位供給顯影液，於顯影程序，停止自顯影噴嘴52A、52B對晶圓W供給顯影液，藉此可自複數顯影噴嘴52A、52B對晶圓W中心部及中心部以外的部位供給顯影液，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。且藉由對晶圓W中心部以外的部位供給顯影液，可對晶圓W整體進行更均一的顯影處理。
其次，參照圖13所示之流程圖與圖14所示之概略立體圖說明關於藉由如上述構成之顯影處理裝置50進行之晶圓W顯影處理之第5實施形態。
首先，藉由未圖示之運送機構，運送晶圓W至旋轉吸盤40上，以旋轉吸盤40固持晶圓W，藉由旋轉驅動機構42之驅動以例如1000rpm旋轉晶圓W(步驟S1)。又，驅動顯影噴嘴移動機構56A，自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動顯影噴嘴52(步驟S2)。
又，步驟S1與步驟S2之順序亦可相反。亦即，亦可自晶圓W周緣部朝中心部上方位置移動顯影噴嘴52後，藉由旋轉驅動機構42之驅動以例如1000rpm旋轉晶圓W。
接著，自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液(步驟S3)。步驟S3包含：液體膜形成程序，一面令晶圓W以1000rpm(第1轉速)旋轉，一面自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液D以形成液體膜(參照步驟A：圖14(a))；顯影程序，係一面令晶圓W以低於第1轉速，且大致不促進顯影液乾燥之轉速(第2轉速)例如100rpm旋轉，一面停止自顯影 噴嘴52對晶圓W供給顯影液D，使光阻膜顯影(參照步驟B：圖14(b))；及清洗程序，提高晶圓W轉速至例如1000rpm，並對晶圓W中心部供給顯影液D以洗掉包含光阻溶解成分之顯影液(參照步驟C：圖14(c))。
詳細說明關於步驟S3。首先，進行第1次液體膜形成程序(步驟A)。顯影液D之供給係自顯影噴嘴52對例如以1000rpm(第1轉速)旋轉之晶圓W中心部供給顯影液D以形成液體膜。自顯影噴嘴52供給之顯影液D之流速為例如60ml/min，自供給顯影液D至停止供給顯影液D止期間之顯影液供給期間T為5秒。藉由此液體膜形成程序顯影液之液體膜於晶圓全面展開。
接著，進行第1次顯影程序(步驟B)。顯影程序係一面令晶圓W以低於第1轉速(例如100rpm)旋轉，一面保持晶圓W上光阻膜之液體膜較薄，直接進行顯影。自停止供給顯影液D到下次供給顯影液止期間之顯影液停止期間P為14秒。又，於顯影程序，可藉由令晶圓W轉速減速至例如100rpm抑制顯影之乾燥。且作為抑制乾燥之方法，可例如於晶圓W上一部分配置整流板，或是以蓋板覆蓋晶圓整體，抑制顯影液之揮發。且作為抑制乾燥之其他方法，可藉由使晶圓W溫度與顯影液溫度其中至少一者為18℃~21℃，或是於顯影程序，縮小杯體43(具體而言係縮小外杯43a)開口部至30mm以下抑制顯影之乾燥。
又，上述說明中，雖然於液體膜形成程序顯影液之流速為60ml/min，顯影液供給期間T為5秒，於顯影程序顯影液停止期間P為14秒，但亦可使顯影液之流速低於60ml/min，顯影液供給期間T大於5秒，相當程度縮短顯影液停止期間P。
顯影程序後，藉由提高晶圓W轉速至例如1000rpm，並對晶圓W中心部供給顯影液D，洗掉包含光阻溶解成分之顯影液之清洗程序(步驟C)達成步驟S3。又，步驟C清洗程序中，除自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給有機顯影液外，亦可令顯影噴嘴52自晶圓W中心部朝周緣部，或是一面自晶圓W周緣部朝中心部移動，一面供給有機顯影液。
其次，驅動顯影噴嘴移動機構56A，自晶圓W中心部朝周緣部移動顯影噴嘴52(步驟S4)。
如上述，自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液後，如圖13以雙短劃虛線所示，驅動潤洗噴嘴移動機構56B，移動潤洗噴嘴58至晶圓表面中心部上方位置，自潤洗噴嘴58對以例如1000rpm旋轉之晶圓W表面供給含有有機溶媒之潤洗液以進行潤洗處理(步驟S5)。自潤洗噴嘴58供給之潤洗液流速為例如120ml/min，自供給潤洗液至停止供給潤洗液止期間之潤洗液供給期間為5秒。藉由自潤洗噴嘴58供給之潤洗液，可停止以顯影液溶解光阻膜，並洗掉晶圓表面包含光阻溶解成分之顯影液。
又，步驟S3之清洗程序中使用有機顯影液洗掉晶圓表面包含光阻溶解成分之顯影液，故亦可不進行步驟S5之潤洗處理而進行下一程序之乾燥處理。又，不進行潤洗處理而進行乾燥處理時，亦可在乾燥程序前對晶圓W中心部供給N2等氣體，調整光阻膜顯影之進展。此時，令顯影噴嘴52自晶圓W中心部朝周緣部，或是一面自晶圓W周緣部朝中心部移動，一面供給有機顯影液時，令氣體供給位置自晶圓W中心部朝周緣部移動，供給氣體俾顯影液液體膜在晶圓W上均一。
乾燥程序進行藉由旋轉驅動機構42之驅動使晶圓W高速旋轉，例如使轉速為2000rpm，甩掉晶圓表面液體之旋轉乾燥處理20秒期間(步驟S6)。
又，上述說明中，雖於液體膜形成程序晶圓W轉速為1000rpm，於顯影程序晶圓W轉速為100rpm，但即使於液體膜形成程序晶圓W轉速為100rpm~1500rpm，於顯影程序晶圓W轉速為10rpm~100rpm，亦可獲得相同效果。例如亦可於液體膜形成程序晶圓W轉速為1000rpm，於顯影程序晶圓W轉速減速至100rpm，停止供給顯影液，且更使其呈10rpm超低速旋轉，進行顯影處理。又，於顯影程序不包含晶圓W旋轉停止之理由在於因晶圓W一旦停止旋轉，即會由於溶於顯影液之光阻成分而形成濃度分布，無法獲得均一線寬。
又，於第5實施形態，亦可交互重複複數次液體膜形成程序與顯影程序。
依上述第5實施形態，藉由包含：液體膜形成程序，一面令晶圓W旋轉，一面自顯影噴嘴52對晶圓W中心部供給顯影液，全面形成較薄的液體膜；顯影程序，一面令晶圓W旋轉，一面停止自顯影噴嘴52對晶圓W供給顯影液D，保持晶圓W上光阻膜之液體膜較薄並直接顯影；與清洗程序，使用有機顯影液洗掉晶圓表面包含光阻溶解成分之顯影液；可保持在晶圓W表面上形成之顯影液D之液體膜厚度較薄，加快光阻膜之溶解去除速度，故可縮短顯影處理之處理時間，提升處理能力。
A~C、S1~S6、S2a、S3a、S4a、Aa、Ba‧‧‧步驟
A1‧‧‧傳遞機構
A2、A3‧‧‧主運送機構
DEV‧‧‧顯影單元
D‧‧‧顯影液
P‧‧‧顯影液停止期間
T‧‧‧顯影液供給期間
U1、U2、U3‧‧‧架座單元
U4、U5‧‧‧液處理單元
V1、V2‧‧‧開合閥
W‧‧‧半導體晶圓(基板)
1‧‧‧輸送站
2‧‧‧處理部
3‧‧‧介面部
3A‧‧‧第1運送室
3B‧‧‧第2運送室
4‧‧‧曝光部
10‧‧‧載具
11‧‧‧載置部
12‧‧‧開合部
20‧‧‧框體
21‧‧‧區隔壁
22‧‧‧溫濕度調節單元
23‧‧‧抗反射膜塗布單元(BCT)
24‧‧‧塗布單元(COT)
25‧‧‧顯影單元(DEV)
30A‧‧‧第1晶圓運送部
30B‧‧‧第2晶圓運送部
40‧‧‧旋轉吸盤(基板固持部)
41‧‧‧軸部
42‧‧‧旋轉驅動機構
43‧‧‧杯體
43a‧‧‧外杯
43b‧‧‧內杯
44‧‧‧昇降機構
45‧‧‧圓形板
46‧‧‧液體承接部
47‧‧‧排放液排出口
48‧‧‧環構件
50‧‧‧顯影處理裝置
51‧‧‧機殼
51a‧‧‧送入送出口
51b‧‧‧閘門
52、52A、52B‧‧‧顯影液供給噴嘴(顯影噴嘴)
54A、54B‧‧‧噴嘴臂
55A、55B‧‧‧移動基台
56A‧‧‧顯影液供給噴嘴移動機構(顯影液噴嘴移動機構)
56B‧‧‧潤洗液供給噴嘴移動機構(潤洗噴嘴移動機構)
57A、57B‧‧‧引導構件
58‧‧‧潤洗液供給噴嘴(潤洗噴嘴)
59A、59B‧‧‧待命部
60‧‧‧控制器(控制部)
70‧‧‧顯影液供給管
71‧‧‧顯影液供給源
76‧‧‧潤洗液供給管
77‧‧‧潤洗液供給源
圖1係顯示適用依本發明之顯影處理裝置之塗布顯影處理裝置連接曝光處理裝置之處理系統整體之概略立體圖。
圖2係上述處理系統之概略俯視圖。
圖3係顯示依本發明之顯影處理裝置之概略剖面圖。
圖4係上述顯影處理裝置之概略俯視圖。
圖5係顯示依第1實施形態之顯影處理方法順序之流程圖。
圖6係顯示本發明中自顯影液供給噴嘴對基板中心部供給顯影液之液體膜形成程序之概略立體圖(a)，及顯示停止自顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液之顯影程序之概略立體圖(b)。
圖7係顯示圖案線寬與依第1實施形態之程序之關係圖。
圖8係顯示圖案線寬與依第1實施形態之程序處理時間之關係圖。
圖9係顯示第2實施形態中令顯影液供給噴嘴自基板周緣部一面朝中心部移動，一面自顯影液供給噴嘴對基板連續供給顯影液之程序之概略立體圖。
圖10係顯示圖案線寬與依第2實施形態之程序之關係圖。
圖11係顯示第3實施形態中交互重複複數次令顯影液供給噴嘴自基板中心部一面朝周緣部移動，一面自顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液之程序，與停止自顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液之程序之程序之概略立體圖。
圖12係顯示第4實施形態中自複數顯影液供給噴嘴對基板中心部及中心部以外部位供給顯影液之供給程序之概略立體圖(a)，及顯示停止自複數顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液之停止程序之概略立體圖(b)。
圖13係顯示第5實施形態中顯影處理方法順序之流程圖。
圖14係顯示第5實施形態中液體膜形成程序之概略立體圖(a)，顯示顯影程序之概略立體圖(b)，及顯示將顯影程序時溶解於顯影液之光阻成分洗掉之清洗程序之概略立體圖(c)。
A~C、S1~S6‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種顯影處理方法，對在表面塗布有光阻，並經曝光後之基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影，其特徵在於包含：液體膜形成程序，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液以形成液體膜；及顯影程序，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液，並在不使該顯影液液體膜乾燥之狀態下一面令該基板旋轉，一面使該基板上的光阻膜顯影；其中，自該顯影液供給噴嘴對該基板中心供給該顯影液的時間短於停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液的時間。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯影處理方法，其中於該液體膜形成程序，以第1轉速令該基板旋轉，於該顯影程序，以低於該第1轉速，不促進該顯影液液體膜乾燥之第2轉速令該基板旋轉，更包含清洗程序，其以高於該第2轉速之第3轉速一面令該基板旋轉，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液，洗掉於該顯影程序溶解於該顯影液之光阻成分。
  3. 如申請專利範圍第2項之顯影處理方法，其中該第1轉速為100rpm~1500rpm，該第2轉速為10rpm~100rpm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯影處理方法，其中，交互重複複數次該液體膜形成程序與該顯影程序。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯影處理方法，其中，包含下列程序：在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液前，一面令該基板旋轉，一面令該顯影液供給噴嘴自該基板周緣部朝中心部移動，同時自該顯影液供給噴嘴對該基板連續供給該顯影液。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯影處理方法，其中交互重複複數次下列程序： 在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面使該顯影液供給噴嘴自該基板中心部朝周緣部移動，同時自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液；及停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯影處理方法，其中，設有複數該顯影液供給噴嘴，於該液體膜形成程序，自該複數顯影液供給噴嘴對該基板中心部及中心部以外的部位供給該顯影液，於該顯影程序，停止自該複數顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯影處理方法，其中包含下列程序：在自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面自潤洗液供給噴嘴對該基板供給潤洗液；及在自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液後，使該基板旋轉而乾燥。
  9. 一種顯影處理裝置，對在表面塗布有光阻，並經曝光後之基板供給含有有機溶劑之顯影液以進行顯影，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持該基板；旋轉驅動機構，使該基板固持部繞著鉛直軸旋轉；顯影液供給噴嘴，對由該基板固持部固持之基板表面供給該顯影液；及控制部，控制自該顯影液供給噴嘴對該基板該顯影液之供給及該旋轉驅動機構；且根據來自該控制部之控制信號進行下列處理：液體膜形成處理，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液以形成液體膜；及顯影處理，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液，並在不使該顯影液液體膜乾燥之狀態下一面令該基板旋轉，一面使該基板上的光阻膜顯影； 其中，自該顯影液供給噴嘴對該基板中心供給該顯影液的時間短於停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液的時間。
  10. 如申請專利範圍第9項之顯影處理裝置，其中，根據來自該控制部之控制信號，於該液體膜形成處理，以第1轉速令該基板旋轉，於該顯影處理，以低於該第1轉速，不促進該顯影液液體膜乾燥之第2轉速令該基板旋轉，更進行清洗處理，其以高於該第2轉速之第3轉速一面令該基板旋轉，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液，洗掉在該顯影處理中溶解於該顯影液之光阻成分。
  11. 如申請專利範圍第10項之顯影處理裝置，其中該第1轉速為100rpm~1500rpm，該第2轉速為10rpm~100rpm。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之顯影處理裝置，其中根據來自該控制部之控制信號，交互重複複數次下列者：液體膜形成處理，一面令該基板旋轉，一面自顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液；及顯影處理，停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
  13. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之顯影處理裝置，其中更包含顯影液供給噴嘴移動機構，其可沿順著該基板表面之方向移動該顯影液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作，該控制部在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液前，令該顯影液供給噴嘴自該基板周緣部一面朝中心部移動，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板連續供給該顯影液。
  14. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之顯影處理裝置，其中更包含顯影液供給噴嘴移動機構，其可沿順著該基板表面之方向移動該顯影液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作，該控制部交互重複複數次下列處理：在自該顯影液供給噴嘴對該基板中心部供給該顯影液後，令該顯影液供給噴嘴自該基板中心部一面朝周緣部移動，一面自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液；及 停止自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
  15. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之顯影處理裝置，其中設有複數該顯影液供給噴嘴，於該液體膜形成處理，自該複數顯影液供給噴嘴對該基板中心部及中心部以外部位供給該顯影液，於該顯影處理，停止自該複數顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液。
  16. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之顯影處理裝置，其中更包含：潤洗液供給噴嘴，對該基板供給潤洗液；及潤洗液供給噴嘴移動機構，可沿順著該基板表面之方向移動該潤洗液供給噴嘴，藉由該控制部控制移動動作；該控制部進行下列處理：在自該顯影液供給噴嘴對該基板供給該顯影液後，一面令該基板旋轉，一面自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液；及在自該潤洗液供給噴嘴對該基板供給該潤洗液後，使基板旋轉而乾燥。
TW100146042A 2011-02-24 2011-12-13 利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置 TWI495964B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011037760 2011-02-24
JP2011252571A JP5797532B2 (ja) 2011-02-24 2011-11-18 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201245910A TW201245910A (en) 2012-11-16
TWI495964B true TWI495964B (zh) 2015-08-11

Family

ID=46692859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100146042A TWI495964B (zh) 2011-02-24 2011-12-13 利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120218531A1 (zh)
JP (1) JP5797532B2 (zh)
KR (1) KR101841593B1 (zh)
CN (1) CN102650835A (zh)
TW (1) TWI495964B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103809388B (zh) * 2012-11-06 2016-12-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 显影方法
JP6223839B2 (ja) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
JP6221954B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
US11122180B2 (en) 2014-05-02 2021-09-14 Dentsply Sirona Inc. Systems, methods, apparatuses, and computer-readable storage media for collecting color information about an object undergoing a 3D scan
JP6231956B2 (ja) * 2014-08-11 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6528546B2 (ja) * 2014-09-04 2019-06-12 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP6341035B2 (ja) 2014-09-25 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置、及び記憶媒体
TWI833688B (zh) * 2016-12-19 2024-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 顯像處理方法、電腦記憶媒體及顯像處理裝置
CN106681105A (zh) * 2017-02-09 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 光阻涂布装置检测机构及光阻涂布机
CN107479341A (zh) * 2017-09-13 2017-12-15 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法
JP7023190B2 (ja) * 2018-06-15 2022-02-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7097759B2 (ja) * 2018-06-22 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2022102458A1 (ja) * 2020-11-13 2022-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700629A (en) * 1990-02-19 1997-12-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Developing process
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US20070253709A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0419073B1 (en) * 1989-09-20 1997-07-30 Fujitsu Limited Process for production of a semiconductor device
JP2652481B2 (ja) * 1991-10-25 1997-09-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板の現像処理方法
JPH09251953A (ja) * 1996-01-12 1997-09-22 Sony Corp レジスト現像方法
JPH09244258A (ja) * 1996-03-06 1997-09-19 Sony Corp レジスト現像方法
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010232550A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujifilm Corp ネガ画像形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700629A (en) * 1990-02-19 1997-12-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Developing process
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
US20070253709A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program

Also Published As

Publication number Publication date
JP5797532B2 (ja) 2015-10-21
KR20120097331A (ko) 2012-09-03
KR101841593B1 (ko) 2018-03-23
JP2012191168A (ja) 2012-10-04
TW201245910A (en) 2012-11-16
CN102650835A (zh) 2012-08-29
US20120218531A1 (en) 2012-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI495964B (zh) 利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置
TWI401734B (zh) 洗淨裝置及其方法，塗佈，顯像裝置及其方法，以及記憶媒體
KR102261616B1 (ko) 기판 처리 장치, 더미 디스펜스 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP2009302433A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
KR101842118B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101689619B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비
JP6049825B2 (ja) 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置
JP5084656B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
KR20180130864A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US11845090B2 (en) Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate
KR101198496B1 (ko) 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치
KR102533056B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP2001230185A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JPH11207250A (ja) 膜形成方法
JP6395673B2 (ja) 基板処理装置
KR102223764B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP5622282B2 (ja) 基板裏面洗浄装置
JP2001319870A (ja) 液処理方法
TW201903842A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
KR20190008458A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180061536A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101968488B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102330278B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20160149353A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP2019003982A (ja) 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体