JP6221954B2 - 現像方法、現像装置及び記憶媒体 - Google Patents
現像方法、現像装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6221954B2 JP6221954B2 JP2014122683A JP2014122683A JP6221954B2 JP 6221954 B2 JP6221954 B2 JP 6221954B2 JP 2014122683 A JP2014122683 A JP 2014122683A JP 2014122683 A JP2014122683 A JP 2014122683A JP 6221954 B2 JP6221954 B2 JP 6221954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- nozzle
- wafer
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/027—Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Description
基板の一部に現像液ノズルから現像液を供給して液溜まりを形成する工程と、
基板を回転させる工程と、
回転する前記基板における現像液の供給位置が当該基板の径方向に沿って移動するように、前記現像液ノズルを移動させて前記液溜まりを基板の全面に広げる工程と、
前記液溜まりを基板の全面に広げる工程に並行して行われ、前記現像液ノズルと共に移動し、前記基板に対向する対向面が前記基板の表面よりも小さい接触部における当該対向面を、前記液溜まりに接触させる工程と、
を備え、
前記液溜まりを前記基板の全面に広げる工程は、
前記液溜まりに現像液を供給しながら、前記基板の上方側から基板と直交する軸の周りに前記液溜まりが回転する作用を加えることにより、当該液溜まりにおいて前記対向面の下方領域に旋回流を発生させる第1の工程と、
前記現像液ノズルの移動に並行して前記対向面が、100rpm以下で回転する基板上を広がる前記液溜まりの端部を基板の全面が液溜まりに被覆されるまで追い越さずに追従するように、前記回転する基板の中心部及び周縁部のうちの一方から他方へと当該基板の径方向に沿って直線状に移動させて、前記対向面の下方領域における旋回流の発生位置を当該基板の表面に沿って移動させる第2の工程と、
を含むことを特徴とする。
図1及び図2は本発明における第1の実施形態に係る現像装置1を示したものであり、レジスト膜がその表面に形成されたウエハWが搬送されて処理される。前記レジスト膜は、所定のパターンに沿って露光されている。この現像装置1は基板保持部であるスピンチャック11を備えており、スピンチャック11は、ウエハWの裏面中央部を吸着して、ウエハWを水平に保持する。またスピンチャック11は、回転軸12を介して下方に設けられた回転駆動部13に接続されている。
続いて第2の実施形態について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。図18に第2の実施形態で用いられる現像装置5の平面図を示している。この現像装置5の現像装置1との差異点としては、現像液ノズル31が2つ設けられている点である。そして、現像液供給管39、アーム41、移動機構42、ガイドレール43及び待機領域44については、現像液ノズル31毎に設けられている。これによって、回転、現像液の吐出、及びウエハWの径方向上における移動について、各現像液ノズル31で独立して行うことができる。説明の便宜上、これらの現像液ノズル31を、第1の現像液ノズル31A、第2の現像液ノズル31Bとして示す。
続いて、第3の実施形態について説明する。この第3の実施形態においては、第2の実施形態で説明した現像装置5が用いられる。第3の実施形態の現像処理について、図25〜図28の現像装置5の動作図を参照しながら説明する。また、この第3の実施形態の現像処理におけるウエハWの回転数、各現像液ノズルの回転数、現像液の吐出期間及び各現像液ノズルの移動期間を、第2の実施形態と同様に、図29のタイムチャートに示している。
のタイムチャートとの差異点は、第1の現像液ノズル31Aの回転数を、当該第1の現像液ノズル31AがウエハWの中心部上から中間部上へ移動するにつれて上昇させていること、第2の現像液ノズル31Bの回転数を、当該第2の現像液ノズル31BがウエハWの周縁部上から中間部上へ移動するにつれて上昇させていることである。この第3の実施形態では中間部に向かって液溜まり30が広がるので、当該中間部に向かうほど現像液とレジストとの接触時間が短い。そのため、この図30のタイムチャートで示すように現像液ノズル31A、31Bの回転数を制御して、ウエハW面内におけるCDUの向上を図っている。この第3の実施形態においても、現像液ノズル31A、31Bの回転方向及び回転数は、互いに異なっていてもよい。各現像液ノズル31A、31Bの下面35の大きさも互いに異なっていてもよい。
続いて、第4の実施形態について説明する。この第4の実施形態においては第1の実施形態で説明した現像装置1が用いられる。第4の実施形態の現像処理について、第1の実施形態の現像処理との差異点を中心に、図31〜図34の工程図を参照しながら説明する。また、この第4の実施形態のタイムチャートである図35も適宜参照する。
続いて、第5の実施形態について説明する。この第5の実施形態において用いられる現像装置は、第1の実施形態で説明した現像装置1と略同様に構成されているが、差異点として、現像液のウエハWにおける広がりを規制するための規制部材51が設けられている。図37、図38に規制部材51について示している。この規制部材51は、液溜まり30を広げるために現像液ノズル31が移動するときの当該現像液ノズル31の進行方向に、現像液ノズル31に対して離れるように設けられる。現像液ノズル31を移動させるときに、その現像液ノズル31が移動する勢いで液溜まり30を構成する現像液が、前記進行方向へ流れ出しても、このように進行方向に設けた規制部材51により液流れを規制する。
各実施形態で使用される現像液ノズルとしては、上記の現像液ノズル31に限られない。現像液ノズルの他の構成例について説明する。図42は現像液ノズル61の側面、図43は現像液ノズル61の下面35を夫々示している。現像液ノズル61における現像液ノズル31との差異点を説明すると、この現像液ノズル61の下端部は拡径され、現像液ノズル31よりも広い範囲で旋回流を形成することができる。
既述の各現像液ノズルの下面には、例えばヒーターを埋設することができる。現像液を撹拌する際に、当該ヒーターにより前記下面を昇温させ、現像液とレジストとの反応をさらに促進させることができる。
続いて、第6の実施形態について第1の実施形態との差異点を中心に説明する。第6の実施形態では、第1の実施形態で説明した現像装置1が用いられる。以下、第6の実施形態の処理工程について図を参照して説明するが、各図の現像液ノズル31については、図48の現像液ノズル65と同様に、その下面には多数の孔66が形成され、シャワー状に現像液を供給できるように構成されているものとして示す。また、この第6の実施形態の図に示す現像液ノズル31は、図44、図45で説明した例と同様に突起63を備えている。ただし、この突起63は図45に示す例とは異なり、現像液ノズル31の下面35の中心部側から周縁部側へ向けて直線状に伸びるように構成されている。
続いて第7の実施形態について説明する。この第7の実施形態では、第2の実施形態で説明した現像装置5を用いる。以下、第2の実施形態との差異点を中心に説明する。また、第2の実施形態で説明した図23と同様に、現像液ノズル31A、31Bの回転数、ウエハWの回転数、現像液が吐出される期間及び現像液ノズル31が移動している期間を示すチャートである図56、及びウエハWの側面を示した図57も適宜参照する。
第1の実施形態に沿ってウエハW全面に液溜まり30の形成を行うにあたって、液千切れが発生しないように液溜まり30を形成することができる現像液ノズル31の移動速度、ウエハWの回転数、現像液ノズル31の下面35の直径d1との関係を調べた。液千切れが発生しないとは、ウエハWに盛られた液溜まり30同士がウエハW表面を広がって合流して液膜を形成しないようにすることであり、さらに言い換えれば現像液ノズル31の下面35がウエハWの全面を通過することである。図67は、この結果を示すグラフである。グラフの横軸は前記ウエハWの回転数(単位、rpm)を示し、グラフの縦軸は前記現像液ノズル31の移動速度(単位、mm/秒)を示している。縦軸及び横軸に囲まれるグラフ中の領域Aを領域R1〜R11に区分して示している。
評価用の装置を用いて、液溜まりが回転する作用を加えることで液の撹拌が行えることを調べる試験を行った。前記評価用の装置は、円形の下板と円形の上板とを備え、下板と上板とは互いに対向し、上板はその中心軸まわりに回転する。上板と下板との間の隙間に液体を供給して液溜まりを形成し、上板を回転させたときに、液溜まりの上側、下側とで液の流動が起きているか否かを調べた。この装置において上板と下板との隙間は変更自在であり、当該隙間の液厚を調整することができる。前記液厚及び上板の回転数を変化させて、複数回試験を行った。前記下板の上面の前記液体に対する接触角は77.3°、前記上板の底面の前記液体に対する接触角は91.3°である。
11 スピンチャック
30 液溜まり
31 現像液ノズル
35 下面
36 吐出口
38 回転機構
42 移動機構
Claims (28)
- 露光後の基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
基板の一部に現像液ノズルから現像液を供給して液溜まりを形成する工程と、
基板を回転させる工程と、
回転する前記基板における現像液の供給位置が当該基板の径方向に沿って移動するように、前記現像液ノズルを移動させて前記液溜まりを基板の全面に広げる工程と、
前記液溜まりを基板の全面に広げる工程に並行して行われ、前記現像液ノズルと共に移動し、前記基板に対向する対向面が前記基板の表面よりも小さい接触部における当該対向面を、前記液溜まりに接触させる工程と、
を備え、
前記液溜まりを前記基板の全面に広げる工程は、
前記液溜まりに現像液を供給しながら、前記基板の上方側から基板と直交する軸の周りに前記液溜まりが回転する作用を加えることにより、当該液溜まりにおいて前記対向面の下方領域に旋回流を発生させる第1の工程と、
前記現像液ノズルの移動に並行して前記対向面が、100rpm以下で回転する基板上を広がる前記液溜まりの端部を基板の全面が液溜まりに被覆されるまで追い越さずに追従するように、前記回転する基板の中心部及び周縁部のうちの一方から他方へと当該基板の径方向に沿って直線状に移動させて、前記対向面の下方領域における旋回流の発生位置を当該基板の表面に沿って移動させる第2の工程と、
を含むことを特徴とする現像方法。 - 前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、
前記液溜まりの互いに異なる位置に複数の前記接触部を各々配置し、各接触部の対向面の下方の領域に前記基板と直交する軸の周りに液溜まりが回転する作用を加えて旋回流を発生させる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の現像方法。 - 前記液溜まりを形成する工程は、基板の中心部を含む領域に液溜まりを形成する工程であり、
前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、現像液の吐出位置を、基板の中心部側から周縁部側に向けて移動させる工程と、
前記液溜まりの互いに異なる位置に旋回流を発生させながら、基板の中心部側から周縁部側に向けて前記旋回流を発生させる位置を各々移動させる工程と、を含むことを特徴とする請求項2記載の現像方法。 - 液溜まりが回転する作用を加える位置を、基板の中心部側と周縁部側との間で往復させる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の現像方法。
- 前記旋回流の旋回方向は、基板の回転方向と逆向きであることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の現像方法。
- 前記液溜まりを形成する工程は、基板の中心部を含む領域に液溜まりを形成する工程であり、
前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、前記液溜まりを基板の周縁部に広げる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の現像方法。 - 現像液を希釈するための希釈液を基板の中心部に局所的に供給する希釈液供給工程を含み、
前記液溜まりを形成する工程は、前記希釈液供給工程に次いで行われることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の現像方法。
- 前記現像液ノズルは、各々前記接触部を備えた第1の現像液ノズルと、第2の現像液ノズルにより構成され、
前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、基板上において第1の現像液ノズルの接触部が通過した領域を、第2の現像液ノズルの接触部が通過するように第1の現像液ノズル及び第2の現像液ノズルを移動させる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の現像方法。 - 前記第1の現像液ノズル及び第2の現像液ノズルを移動させる工程は、
前記第1の現像液ノズルと、前記第2の現像液ノズルとを回転する前記基板上において互いに異なる方向に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項8記載の現像方法。 - 前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、前記現像液ノズル内にて螺旋状の現像液の液流を形成し、この液流を吐出させる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の現像方法。
- 前記螺旋状の現像液の液流を現像液ノズルの吐出口の周方向に回転させることを特徴とする請求項10に記載の現像方法。
- 前記液溜まりを基板の全面に広げる工程は、
基板上に配置された規制部材により、前記基板の外側への前記液溜まりをなす現像液の液流れを規制する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一項に記載の現像方法。 - 前記第1の工程及び前記第2の工程において前記旋回流を発生させるために、前記対向面が当該基板の表面から0.5mm〜2mm離れるように前記接触部を配置する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか一項に記載の現像方法。
- 露光後の基板に対して現像処理を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし13のいずれか一項に記載の現像方法を実施することを特徴とする記憶媒体。 - 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
基板の一部に現像液を供給して液溜まりを形成するための現像液ノズルと、
前記現像液ノズルを回転する基板の径方向に移動させるための移動機構と、
前記現像液ノズルと共に移動し、前記基板に対向する対向面が回転する前記基板の表面よりも小さく形成された、前記液溜まりに接触する接触部と、
前記基板の上方側から当該基板と直交する軸の周りに前記液溜まりが回転する作用を加えることにより、当該液溜まりにおいて前記対向面の下方の領域に旋回流を発生させる旋回流発生機構と、
前記接触部が回転する基板の液溜まりに接触した状態で当該液溜まりを基板の全面に広げるために、前記液溜まりに現像液を供給しながら、前記基板の上方側から基板と直交する軸の周りに前記液溜まりが回転する作用を加えることにより、当該液溜まりにおいて前記対向面の下方領域に旋回流を発生させる第1のステップと、
前記現像液ノズルの移動に並行して前記対向面が、100rpm以下で回転する基板上を広がる前記液溜まりの端部を基板の全面が液溜まりに被覆されるまで追い越さずに追従するように、前記回転する基板の中心部及び周縁部のうちの一方から他方へと当該基板の径方向に沿って直線状に移動させて、前記対向面の下方領域における旋回流の発生位置を当該基板の表面に沿って移動させる第2のステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする現像装置。 - 旋回流発生機構は、前記液溜まりに接触した状態で基板と直交する軸の周りに回転する回転部材を含むことを特徴とする請求項15記載の現像装置。
- 前記回転部材は、前記基板と対向した状態で基板の表面に沿って自転する面状体を含むことを特徴とする請求項16記載の現像装置。
- 前記回転部材は、前記現像液ノズルの吐出口の周りに沿って回転するものであることを特徴とする請求項16または17に記載の現像装置。
- 前記移動機構は、現像液ノズル及び旋回流発生機構を基板の表面に沿って移動させることを特徴とする請求項15ないし18のいずれか一項に記載の現像装置。
- 前記制御部は、基板の中心部を含む領域に液溜まりを形成し、次いで基板を回転させながら、前記現像液ノズル及び旋回流発生機構を基板の中央部から周縁部側に移動させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項19に記載の現像装置。
- 前記制御部は、前記液溜まりにおいて旋回流が発生する位置を移動させるために、前記旋回流発生機構を基板の中心部側と周縁部側との間で往復させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項19または20に記載の現像装置。
- 旋回流発生機構及び前記接触部は複数設けられ、
前記制御部は、前記液溜まりを基板の全面に広げるために、前記液溜まりの互いに異なる位置に、各々旋回流を発生させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項15ないし21のいずれか一項に記載の現像装置。 - 前記制御部は、基板の中心部を含む領域に液溜まりを形成し、
次いで現像液ノズルを、基板の中心部側から周縁部側に向けて移動させると共に前記複数の旋回流発生機構を、各々基板の中心部側から周縁部側に向けて移動させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項22記載の現像装置。 - 前記制御部は、前記基板保持部を回転させながらかつ前記現像液ノズルから液溜まりに現像液を供給しながら当該液溜まりに旋回流を発生させるように制御信号を出力し、
前記旋回流の旋回方向は、基板の回転方向と逆向きであることを特徴とする請求項15ないし23のいずれか一項に記載の現像装置。 - 現像液を希釈するための希釈液を基板の中心部に局所的に供給する希釈液供給部が設けられ、
前記制御部は、前記液溜まりを形成する前に前記希釈液を基板に供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項15ないし24のいずれか一項に記載の現像装置。 - 前記現像液ノズルは、各々前記接触部を備えた第1の現像液ノズルと、第2の現像液ノズルにより構成され、
前記制御部は、液溜まりが形成された基板上において第1の現像液ノズルの接触部が通過した領域を、第2の現像液ノズルの接触部が通過するように制御信号を出力することを特徴とする請求項15ないし25のいずれか一項に記載の現像装置。 - 前記制御部は、前記第1の現像液ノズルと、前記第2の現像液ノズルとを回転する前記基板上において互いに異なる方向に移動させて、前記第1の現像液ノズルの接触部が通過した領域を、前記第2の現像液ノズルの接触部が通過するように制御信号を出力することを特徴とする請求項26記載の現像装置。
- 基板上に配置され、前記液溜まりをなす現像液が前記基板の外側へ流れ出すことを規制するための規制部材を備えることを特徴とする請求項15ないし27のいずれか一項に記載の現像装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014122683A JP6221954B2 (ja) | 2013-08-05 | 2014-06-13 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
KR1020140097311A KR101979967B1 (ko) | 2013-08-05 | 2014-07-30 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
US14/449,419 US9568829B2 (en) | 2013-08-05 | 2014-08-01 | Developing method, developing apparatus and storage medium |
TW103126469A TWI601201B (zh) | 2013-08-05 | 2014-08-01 | 顯影方法、顯影裝置以及記憶媒體 |
CN201911132271.1A CN110824864B (zh) | 2013-08-05 | 2014-08-05 | 显影方法和显影装置 |
CN201410382270.3A CN104345580B (zh) | 2013-08-05 | 2014-08-05 | 显影方法和显影装置 |
CN201911132118.9A CN110764374B (zh) | 2013-08-05 | 2014-08-05 | 显影方法和显影装置 |
US15/374,081 US10120285B2 (en) | 2013-08-05 | 2016-12-09 | Developing method, developing apparatus and storage medium |
KR1020190051360A KR102201956B1 (ko) | 2013-08-05 | 2019-05-02 | 현상 방법 및 현상 장치 |
KR1020190051365A KR102201953B1 (ko) | 2013-08-05 | 2019-05-02 | 현상 방법 및 현상 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013162596 | 2013-08-05 | ||
JP2013162596 | 2013-08-05 | ||
JP2014122683A JP6221954B2 (ja) | 2013-08-05 | 2014-06-13 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017043026A Division JP6390732B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-03-07 | 処理液供給装置 |
JP2017193592A Division JP6409205B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-10-03 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2017193613A Division JP6447697B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-10-03 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015053467A JP2015053467A (ja) | 2015-03-19 |
JP6221954B2 true JP6221954B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=52427370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014122683A Active JP6221954B2 (ja) | 2013-08-05 | 2014-06-13 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9568829B2 (ja) |
JP (1) | JP6221954B2 (ja) |
KR (3) | KR101979967B1 (ja) |
CN (3) | CN104345580B (ja) |
TW (1) | TWI601201B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6390732B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
JP5994749B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
KR20160057966A (ko) | 2014-11-14 | 2016-05-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 처리 장치, 노즐 및 다이싱 장치 |
US10459340B2 (en) | 2014-12-01 | 2019-10-29 | Tokyo Electron Limited | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus |
JP6545511B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-07-17 | 株式会社東芝 | 処理装置 |
JP6404189B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP6370282B2 (ja) | 2015-09-25 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP6352230B2 (ja) * | 2015-10-09 | 2018-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
KR102414893B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-06-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP7025872B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2022-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6769335B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2020-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理レシピの評価方法、記憶媒体、処理レシピ評価用の支援装置、及び液処理装置 |
CN107340616A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 水膜发生装置及显影机、清洗机 |
JP6538239B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
CN108828908B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-11-19 | 上海德迈世欧化工有限公司 | 一种显影液处理装置 |
CN113391528A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 改善光阻显影均匀性的方法 |
CN114054288B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机 |
CN112024285A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-04 | 广东紫晶信息存储技术股份有限公司 | 一种多段式点胶方法及点胶装置 |
US11747729B2 (en) * | 2021-03-19 | 2023-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor developer tool and methods of operation |
JP2022175009A (ja) * | 2021-05-12 | 2022-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4893799A (ja) | 1972-02-28 | 1973-12-04 | ||
JPS6049949U (ja) | 1983-09-12 | 1985-04-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 吸引ノズル |
JPS60140350A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Toshiba Corp | 現像装置 |
JPS614769A (ja) | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Dainichi Seika Kogyo Kk | アゾ顔料 |
FR2610055B1 (fr) | 1987-01-23 | 1991-07-19 | Caoutchouc Manuf Plastique | Dispositif d'isolation antivibratoire a amortissement hydraulique de l'elasticite radiale et procedes de realisation d'un tel dispositif |
JPH04133415A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 半導体基板現像装置 |
JPH09167747A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6265323B1 (en) * | 1998-02-23 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and apparatus |
JPH11329960A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-30 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP3912920B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2007-05-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置 |
JP3490315B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2004-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2000292937A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sony Corp | 現像装置および現像方法 |
US6602382B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-08-05 | Tokyo Electron Limited | Solution processing apparatus |
JP3614769B2 (ja) | 1999-10-27 | 2005-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2002239434A (ja) | 2001-02-14 | 2002-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法 |
JP2003257849A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の現像処理装置 |
US6869234B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-03-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus and developing method |
JP2003289031A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4183122B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2008-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP4263559B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2009-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
JP4199102B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2008-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法,基板処理システム及び現像液供給ノズル |
JP4537109B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置および現像処理方法 |
JP4353530B2 (ja) | 2005-03-14 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US7470638B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates |
JP4737638B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置 |
JP5449662B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2014-03-19 | 株式会社Sokudo | 現像装置 |
US7718551B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-05-18 | United Microelectronics Corp. | Method for forming photoresist layer |
US20100130107A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for linear pad conditioning |
JP4893799B2 (ja) | 2009-10-23 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5503435B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5698487B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5797532B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置 |
CN103019047A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显影喷涂设备及喷涂方法 |
JP5994749B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
KR20150064430A (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코팅 장치 및 스핀 코팅 방법 |
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122683A patent/JP6221954B2/ja active Active
- 2014-07-30 KR KR1020140097311A patent/KR101979967B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-01 TW TW103126469A patent/TWI601201B/zh active
- 2014-08-01 US US14/449,419 patent/US9568829B2/en active Active
- 2014-08-05 CN CN201410382270.3A patent/CN104345580B/zh active Active
- 2014-08-05 CN CN201911132118.9A patent/CN110764374B/zh active Active
- 2014-08-05 CN CN201911132271.1A patent/CN110824864B/zh active Active
-
2016
- 2016-12-09 US US15/374,081 patent/US10120285B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-02 KR KR1020190051365A patent/KR102201953B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-02 KR KR1020190051360A patent/KR102201956B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110764374B (zh) | 2024-01-19 |
CN110824864A (zh) | 2020-02-21 |
KR102201953B1 (ko) | 2021-01-11 |
US20150036109A1 (en) | 2015-02-05 |
TWI601201B (zh) | 2017-10-01 |
KR20150016899A (ko) | 2015-02-13 |
CN104345580A (zh) | 2015-02-11 |
TW201517156A (zh) | 2015-05-01 |
US20170090291A1 (en) | 2017-03-30 |
US10120285B2 (en) | 2018-11-06 |
CN110764374A (zh) | 2020-02-07 |
KR102201956B1 (ko) | 2021-01-11 |
US9568829B2 (en) | 2017-02-14 |
KR101979967B1 (ko) | 2019-05-17 |
CN104345580B (zh) | 2019-12-13 |
CN110824864B (zh) | 2023-06-16 |
KR20190050751A (ko) | 2019-05-13 |
KR20190050750A (ko) | 2019-05-13 |
JP2015053467A (ja) | 2015-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6221954B2 (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
JP5994749B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP6384200B2 (ja) | 現像方法、現像装置、及び記憶媒体 | |
US9690202B2 (en) | Developing method, developing apparatus and storage medium | |
JP4730787B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6409205B2 (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
KR20160028983A (ko) | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 | |
JP6289318B2 (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
JP2018107475A (ja) | 現像方法、現像装置、及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6221954 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |