JPH04133415A - 半導体基板現像装置 - Google Patents
半導体基板現像装置Info
- Publication number
- JPH04133415A JPH04133415A JP25562890A JP25562890A JPH04133415A JP H04133415 A JPH04133415 A JP H04133415A JP 25562890 A JP25562890 A JP 25562890A JP 25562890 A JP25562890 A JP 25562890A JP H04133415 A JPH04133415 A JP H04133415A
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- Japan
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- semiconductor substrate
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- liquid
- developing solution
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板現像装置に係り、特に半導体素子製
造工程の写真蝕刻工程における現像装置に関する。
造工程の写真蝕刻工程における現像装置に関する。
従来の半導体基板現像装置は、第２図の断面図に示すよ
うに現像カップ１に取付けられた漏液防止シール２を半
導体基板３に押し当て、これによって構成される貯液部
４に現像液ノズル５より現像液を吐出させ、貯液部４に
現像液を蓄えることによって半導体基板３表面に被覆さ
れた露光処理済みのホトレジストを現像処理する構造に
なっている。
うに現像カップ１に取付けられた漏液防止シール２を半
導体基板３に押し当て、これによって構成される貯液部
４に現像液ノズル５より現像液を吐出させ、貯液部４に
現像液を蓄えることによって半導体基板３表面に被覆さ
れた露光処理済みのホトレジストを現像処理する構造に
なっている。
現像終了後はバルブ６が開かれ、排液するとともに半導
体基板３はチャック７により上昇し、漏液防止シール２
が開放される。引き続きチャック７は回転を始め、同時
にリンスノズル８よりリンス液が半導体基板３上に吐出
され、リンス処理が施こされる０次に、スピン乾燥処理
された後、全ての処理を終了する。
体基板３はチャック７により上昇し、漏液防止シール２
が開放される。引き続きチャック７は回転を始め、同時
にリンスノズル８よりリンス液が半導体基板３上に吐出
され、リンス処理が施こされる０次に、スピン乾燥処理
された後、全ての処理を終了する。
この従来の半導体基板現像装置では、現像液は１５０ｄ
／回以上必要となり、大部分はむだに消費されることと
なる。また、現像処理中は、半導体基板に漏液防止シー
ルが密着した状態となっている為、半導体基板を回転さ
せることは不可能であり、ホトレジスト表面に付着した
気泡等を排除することはできないという問題もあった。
／回以上必要となり、大部分はむだに消費されることと
なる。また、現像処理中は、半導体基板に漏液防止シー
ルが密着した状態となっている為、半導体基板を回転さ
せることは不可能であり、ホトレジスト表面に付着した
気泡等を排除することはできないという問題もあった。
本発明は、露光を施したホトレジストに被覆された半導
体基板に現像処理を施こす半導体基板現像装置において
、前記半導体基板の上方に現像液ノズルを有する貯液機
構を設け、この貯液機構を降下させて半導体基板周辺部
との間に接触しない程度の隙間を形成し、現像処理を施
す際前記半導体基板を回転させつつ前記現像液ノルズか
ら半導体基板上に現像液を注入し、前記隙間において現
像液の表面張力による漏液防止シール部を形成すること
によって半導体基板の回転現像処理を可能とした半導体
基板現像装置である。
体基板に現像処理を施こす半導体基板現像装置において
、前記半導体基板の上方に現像液ノズルを有する貯液機
構を設け、この貯液機構を降下させて半導体基板周辺部
との間に接触しない程度の隙間を形成し、現像処理を施
す際前記半導体基板を回転させつつ前記現像液ノルズか
ら半導体基板上に現像液を注入し、前記隙間において現
像液の表面張力による漏液防止シール部を形成すること
によって半導体基板の回転現像処理を可能とした半導体
基板現像装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の断面図及び
そのＡ部詳細図である。本実施例による半導体基板現像
装置での現像処理は、まず半導体基板３の上方より貯液
機構９が下降し、貯液機構９内部に設けられたシール部
１０のフランジ１２が半導体基板３と接触しない程度の
隙間（約１ｍｍ）を残して静止させ、この状態で半導体
基板３を１１００ｒｐ程度で回転させ、気泡の除去を実
施しつつ貯液機構９周辺部に設けられた現像液ノルズ５
より現像液を貯液部４内に注入し、現像処理を開始する
。
そのＡ部詳細図である。本実施例による半導体基板現像
装置での現像処理は、まず半導体基板３の上方より貯液
機構９が下降し、貯液機構９内部に設けられたシール部
１０のフランジ１２が半導体基板３と接触しない程度の
隙間（約１ｍｍ）を残して静止させ、この状態で半導体
基板３を１１００ｒｐ程度で回転させ、気泡の除去を実
施しつつ貯液機構９周辺部に設けられた現像液ノルズ５
より現像液を貯液部４内に注入し、現像処理を開始する
。
この際、シール部１０には遠心力により現像液が入り込
み、表面張力によりシールされる。又、これにより貯液
部４に残留した空気は、現像液の注入により貯液部４上
部に設けられたフロート１１を押し上げ、この部分より
外部へ放出される。貯液部４に現像液が満たされた状態
で現像液の吐出は止められ、半導体基板３の回転も停止
され、貯液部４上部をフロート１１により封止された状
態で、これ以降シール部１０からの液漏れは完全に防止
される。現像処理中、現像液の攪拌による寸法変動の改
善を目的とした１０〜５０ｒｐｍの半導体基板３の回転
を実施することも可能である。 現像処理終了後は、半
導体基板３を１００ ０ｒｐｍ程度に加速しつつ貯液機
構９を上昇させ、リンスノズル８よりリンス液を吐出さ
せ、リンス処理を行なう。その後、従来同様スピン乾燥
を施こし全ての処理を終了する。
み、表面張力によりシールされる。又、これにより貯液
部４に残留した空気は、現像液の注入により貯液部４上
部に設けられたフロート１１を押し上げ、この部分より
外部へ放出される。貯液部４に現像液が満たされた状態
で現像液の吐出は止められ、半導体基板３の回転も停止
され、貯液部４上部をフロート１１により封止された状
態で、これ以降シール部１０からの液漏れは完全に防止
される。現像処理中、現像液の攪拌による寸法変動の改
善を目的とした１０〜５０ｒｐｍの半導体基板３の回転
を実施することも可能である。 現像処理終了後は、半
導体基板３を１００ ０ｒｐｍ程度に加速しつつ貯液機
構９を上昇させ、リンスノズル８よりリンス液を吐出さ
せ、リンス処理を行なう。その後、従来同様スピン乾燥
を施こし全ての処理を終了する。
以上説明したように本発明によれば、現像液中に混入す
る気泡を半導体基板上のホトレジスト表面から排除でき
るとともに、現像液使用量は半導体基板上の貯液機構内
部の貯液部の容量、すなわち直径６インチの半導体基板
の場合で５０〜６０−／同程度であり、この量で従来と
同様の効果が得られる。
る気泡を半導体基板上のホトレジスト表面から排除でき
るとともに、現像液使用量は半導体基板上の貯液機構内
部の貯液部の容量、すなわち直径６インチの半導体基板
の場合で５０〜６０−／同程度であり、この量で従来と
同様の効果が得られる。
この様に本発明による半導体基板現像装置は気泡による
歩留り低下を招くことなく、また、現像液の使用量も従
来比１／３に削減させて、従来同様の現像性能を達成し
得る。
歩留り低下を招くことなく、また、現像液の使用量も従
来比１／３に削減させて、従来同様の現像性能を達成し
得る。
従って本発明の効果は極めて大きい。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の断面図及び
そのＡ部詳細図、第２図は従来の半導体基板現像装置の
現像カップ部の断面図である。 １・・・現像カップ、２・・・漏液防止シール、３・・
・半導体・基板、４・・・貯液部、５・・・現像液ノズ
ル、６・・・バルブ、７・・・チャック、８・・・リン
スノズル、９・・貯液機構、１０・・・シール部、１１
・・・フロート、１２・・・フランジ。
そのＡ部詳細図、第２図は従来の半導体基板現像装置の
現像カップ部の断面図である。 １・・・現像カップ、２・・・漏液防止シール、３・・
・半導体・基板、４・・・貯液部、５・・・現像液ノズ
ル、６・・・バルブ、７・・・チャック、８・・・リン
スノズル、９・・貯液機構、１０・・・シール部、１１
・・・フロート、１２・・・フランジ。
Claims (1)
- 露光を施したホトレジストに被覆された半導体基板に
現像処理を施こす半導体基板現像装置において、前記半
導体基板の上方に現像液ノズルを有する貯液機構を設け
、この貯液機構を降下させて半導体基板周辺部との間に
接触しない程度の隙間を形成し、現像処理を施す際前記
半導体基板を回転させつつ前記現像液ノルズから半導体
基板上に現像液を注入し、前記隙間において現像液の表
面張力による漏液防止シール部を形成することによって
半導体基板の回転現像処理を可能としたことを特徴とす
る半導体基板現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25562890A JPH04133415A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体基板現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25562890A JPH04133415A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体基板現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133415A true JPH04133415A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17281394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25562890A Pending JPH04133415A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体基板現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841335A (en) * | 1994-04-26 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Choke coil |
| JP2015053467A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2017123480A (ja) * | 2013-08-05 | 2017-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25562890A patent/JPH04133415A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841335A (en) * | 1994-04-26 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Choke coil |
| US6014071A (en) * | 1994-04-26 | 2000-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Choke coil |
| JP2015053467A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2017123480A (ja) * | 2013-08-05 | 2017-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
| US10120285B2 (en) | 2013-08-05 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Developing method, developing apparatus and storage medium |
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