JPH01232723A - 半導体の製造装置 - Google Patents

半導体の製造装置

Info

Publication number
JPH01232723A
JPH01232723A JP5994888A JP5994888A JPH01232723A JP H01232723 A JPH01232723 A JP H01232723A JP 5994888 A JP5994888 A JP 5994888A JP 5994888 A JP5994888 A JP 5994888A JP H01232723 A JPH01232723 A JP H01232723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
developing solution
cup
developing
developer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5994888A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Tominaga
誠 富永
Harutaka Koshida
越田 治孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5994888A priority Critical patent/JPH01232723A/ja
Publication of JPH01232723A publication Critical patent/JPH01232723A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体の製造装置、特に半導体製造工程中で用
いられるフォトレジストの現像装置に関するものである
〔従来の技術〕
従来のフォトレジストの現像装置での現像法は通常以下
の通りである。第3図に示すようにまず、スピンチャッ
ク1に吸着させたウェハー2上に1ないし複数本のノズ
ル7より現e@液を滴下し、静止あるいは回転状態にあ
るウェハー上に現像液を乗せた状態でレジストの現像を
行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のフォトレジストの現像法では、ウェハー
上に現像液を一様に液盛りする際、lないし複数本のノ
ズルよりウェハー上に現像液を滴下する方法をとってい
たため、ウェハー面内で現像液と接触する時間差が少な
からず存在していた。
このため、ウェハー面内での現像の進行度合が異なって
しまうという欠点があった。
また、ウェハー表面の濡れ性(親水性の度合)によりウ
ェハー表面を一様に現gA濯で覆うことのできる現像液
量が異なるという欠点があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体の製造装置を
提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
l述した従来のフォトレジストの現像装置に対し、本発
明はあらかじめ現像液を貯めた液槽め上から表面を下方
にした状態でウェハーを接触させることにより、ウェハ
ー表面か同時に現像液に接触し、またウェハー表面の濡
れ性に関係なく一定の最少め液量でウェハー表面を強制
的に現像液と接触させることができるという相違点を有
する。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明は半導体製造プロセス
におけるフォトレジストの現像装置において、半導体ウ
ェハーの表面を下向きにして現像液に接触させてフォト
レジストの現像を行うカップを有するものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
〈実施例) 第1図(a) 、 (b)は本発明の実施例1を示す図
である。
図において、本発明は水平姿勢のウェハー2の表面2a
を浸漬させるに[−分な大きさをもつ現像カップ3と、
ウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏面2bを吸
着し、ウェハーを水平姿勢のままその表面2aを現像カ
ップ2内の現像液4に浸漬するために下降し、かつウェ
ハー2を吸着したまま回転させて遠心力を作用させるス
ピンチャック1とを有する。また現像カップ3はその1
部に現1象液洪給[15,純水供給口8を備え、その底
部に現像液排液116を備えている。
実施例において、まず第1図(a)に示した状態で現像
液供給口5から現@液4をカップ3内に一様に拡がる様
におよそ10〜20cc程供給する。その後、スピンチ
ャック1にウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏
面を吸着させ、スピンチャック1を下降させてウェハー
2を第1図(b)のように上方へ下げ、そのウェハー2
の表面2aを現像液4に接触させる。この状態でウェハ
ーを50rpH程度の回転数で回転させてもよい。
このとき、ウェハー2とカップ3の距靜を1〜3rQ1
1にすることで、毛細管現象により非常に少ない数CC
程度の現像液でウェハー全面に現(&液を接触させるこ
とができる。
現像を終了させる時にはまず、現像液排液口6から現@
液を排ン庚し、再びウェハー2を上方へ移動させて、純
水を純水供給D 8から供給し、現像液の時と同様の方
法でウェハー表面を純水で洗浄する。その後、ウェハー
2の乾燥は第1図(a)の状態でウェハー2の表面2a
を下方にした状態でスピンチャック1により、4000
rpn+程度の回転数で回転し乾燥させる。この場合、
従来の様にウェハー表面を上にした状態で回転乾燥した
場きとは異なり、飛散した液が再びウェハー2の表面2
a上にi=f 5aすることはほぼ考えなくてもよいの
で、カップ3の排気は必要ない。
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
この実施例は前述の実施例が枚葉式であるのに対し、複
数枚のウェハーを同時に処理できるカップを有する実施
例であり、実施例ではカップ3の内径方向の容積を拡大
し、該カッ13内を11支漏れ止め9にて3分割したも
のである。この実施例では1つのカップで複数枚のウェ
ハーを同時に処理することができ、スループットの向1
−が期待できる。
本実施例では現像手順は実施例1と同じ手+11で行え
るが、ウェハーを回転乾燥させる際、回転するウェハー
だけ他のウェハーに比べ2〜3C1下方へ下げて行えば
、他のウェハーへ飛散した液滴が付着することはない。
〔発明の効果〕
以−に説明したように本発明はカップに現像液を貯めて
、その液面をウェハー表面で覆うようにして現e?&と
接触させて現像することにより、ウェハー面内で現像液
と接触しはじめる時間差か無視できる稈になり、現@液
かウェハーに接触する圧力もウェハー面内で均一になる
ため、ウェハー面内での現像進行腿合か均一になるとい
う効果がある。
またウェハー1枚に対する現allの消費量も従来法に
比べて少なくすることか可能になるという効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 (b)は本発明の実施例1の縦断面
図、第2図は実施例2の断面図、第3図は従来の現像装
置の縦断面図である。 ■・・・スピンチャック   2・・・ウェハー3・・
・カップ       4・・・現(gi液(純水)5
・・・現像液供給口    6・・・排液[18・・・
純水供給口     9・・・液濡れ止め特許出願人 
 日本電気株式会社 代  理  人   弁理士  菅 野   中1 ニ
スCンチャック 2二つ1八− 第1 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体製造プロセスにおけるフォトレジストの現像
    装置において、半導体ウェハーの表面を下向きにして現
    像液に接触させてフォトレジストの現像を行うカップを
    有することを特徴とする半導体の製造装置。
JP5994888A 1988-03-14 1988-03-14 半導体の製造装置 Pending JPH01232723A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5994888A JPH01232723A (ja) 1988-03-14 1988-03-14 半導体の製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5994888A JPH01232723A (ja) 1988-03-14 1988-03-14 半導体の製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01232723A true JPH01232723A (ja) 1989-09-18

Family

ID=13127877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5994888A Pending JPH01232723A (ja) 1988-03-14 1988-03-14 半導体の製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01232723A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632476B2 (en) * 2000-03-15 2003-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method and substrate processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632476B2 (en) * 2000-03-15 2003-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method and substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0573245B2 (ja)
KR0129660B1 (ko) 현상장치
JPH09293702A (ja) 半導体ウエハ遠心乾燥装置および方法
JPS6053305B2 (ja) 現像方法
JPH01232723A (ja) 半導体の製造装置
JP2000173906A (ja) 現像液供給方法及び現像装置
JP2009033053A (ja) 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JPS61150332A (ja) 半導体レジスト塗布方法
JP3992421B2 (ja) 基板のめっき方法
JP2984963B2 (ja) 半導体ウエハ現像方法
JP2000167470A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JPS63152123A (ja) 浸漬式の液処理装置
JPH04133415A (ja) 半導体基板現像装置
JP3266229B2 (ja) 処理方法
JP2005197455A (ja) 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置
JPH0628224Y2 (ja) 基板回転処理装置
JP2002158208A (ja) 半導体ウエハの表面処理方法
KR20060078513A (ko) 반도체 웨이퍼 현상장치
JP2911152B2 (ja) 現像装置および現像方法
JPH0262549A (ja) スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法
JPH05119482A (ja) 基板の現像処理方法
JPH05251331A (ja) 現像装置
JPH10246967A (ja) 現像装置
JPH10270318A (ja) 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
JPH05315237A (ja) 半導体装置の製造方法