JP2019003982A - 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】現像処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な現像処理装置及び現像処理方法を提供する。【解決手段】現像処理装置は、第一現像液及び第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液をウェハＷの表面Ｗａに供給するように構成された液供給部２０と、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、ウェハＷの表面Ｗａに第一現像液が供給された後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、を実行するように構成された制御部１００と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板を第一回転数で回転させ、ノズルの吐出口の周囲に形成された接液面を基板の表面に対向させた状態で、吐出口から基板の表面に現像液を供給し、現像液に接液面を接触させながらノズルを移動させることで、基板の表面上に現像液の液膜を形成することを含む現像処理方法が開示されている。

特開２０１７−７３５２２号公報

本開示は、現像処理の進行の程度（以下、「進行度」という。）が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る現像処理装置は、第一現像液及び第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液を基板の表面に供給するように構成された液供給部と、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給するように液供給部を制御することと、基板の表面に第一現像液が供給された後に、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように液供給部を制御することと、を実行するように構成された制御部と、を備える。

現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給する処理（以下、「第一現像処理」という。）によれば、中心側から外周側に向かうにつれて現像液との接触時間が短くなるので、中心側から外周側に向かうにつれて現像処理の進行度が小さくなる傾向がある。一方、現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給する処理（以下、「第二現像処理」という。）によれば、中心側から外周側に向かうにつれて現像液との接触時間が長くなるので、中心側から外周側に向かうにつれて現像処理の進行度が大きくなる傾向がある。すなわち、第一現像処理と、第二現像処理とでは、基板の中心側から外周側における現像処理の進行度の分布が逆になる。このため、第一現像処理の後に、更に第二現像処理を実行することにより、現像処理の進行度のばらつきを低減することができる。

ここで、現像処理においては、処理時間が長くなるにつれて、処理の進行速度が低くなる傾向がある。仮に、第一現像処理において処理の進行速度が低下した後に第二現像処理を実行すると、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理において十分に低減させられない可能性がある。これに対し、本現像処理装置によれば、第二現像処理において、第一現像処理の第一現像液に比較して溶解性が高い第二現像液が用いられる。これにより、第二現像処理の初期における処理の進行速度が高められるので、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを効果的に低減することができる。従って、本現像処理装置は、現像処理の進行度のばらつきを抑制するのに有効である。

制御部は、基板の中心側と外周側とにおける第一現像液による処理の進行度の差異が縮小するまで、基板の表面への第一現像液の供給を継続した後に、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように液供給部を制御してもよい。この場合、基板の中心側と外周側とにおける第一現像処理の進行度の差異が小さくなった状態で第二現像処理が開始されるので、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理においてより確実に低減することができる。

液供給部は、基板の表面に対向する接液面及び接液面に開口した吐出口を含む第一ノズルと、基板を保持して回転させる回転保持部とを有してもよく、制御部は、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように液供給部を制御する際に、回転保持部により基板を回転させ、第一ノズルの吐出口から第二現像液を吐出させ、基板の表面の第二現像液に接液面を接触させながら、第一ノズルを基板の外周側から中心側に移動させるように液供給部を制御してもよい。この場合、第二現像処理において、第二現像液を高い均一性で基板の表面に塗布することができる。このため、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理においてより確実に低減することができる。

液供給部は、基板の表面側に開口した吐出口を含む第二ノズルを更に有してもよく、制御部は、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、回転保持部による基板の回転中心に第二ノズルを配置し、第二ノズルの吐出口から第一現像液を吐出させながら、基板の表面の第一現像液が基板の外周側に広がる回転速度にて回転保持部により基板を回転させるように液供給部を制御してもよい。この場合、第一現像処理においては、遠心力を利用して第一現像液を迅速かつ高い均一性で基板の表面に塗布することができる。このため、第一現像処理の時間短縮を図ることができる。

液供給部は、第二現像液を供給する第一液源と、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液を供給する第二液源とを更に有してもよく、制御部は、第一液源からの第二現像液を第一ノズルに供給し、第一液源からの第二現像液と第二液源からの希釈液とを第二ノズルに供給するように液供給部を制御してもよい。この場合、第一現像液及び第二現像液の溶解性の差異を細やかに調節することができる。

液供給部は、第二現像液を供給する第一液源と、現像用の成分が第二現像液と異なる第一現像液を供給する第二液源とを更に有してもよく、制御部は、第一液源からの第二現像液を第一ノズルに供給し、第二液源からの第一現像液を第二ノズルに供給するように液供給部を制御してもよい。この場合、現像用の成分を相違させることによって、第一現像液と第二現像液との溶解性の差異をより幅広く調節することができる。

液供給部は、基板の表面側に開口した吐出口を含むノズルと、第二現像液を供給する第一液源と、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液を供給する第二液源とを有してもよく、制御部は、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように液供給部を制御する際に、第一液源からの第二現像液をノズルに供給するように液供給部を制御し、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給するように液供給部を制御する際に、第一液源からの第二現像液と第二液源からの希釈液とをノズルに供給するように液供給部を制御してもよい。この場合、第一現像処理と第二現像処理とでノズルを共用し、装置構成の簡素化を図ることができる。

本開示の他の側面に係る現像処理方法は、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給することと、基板に第一現像液が供給された後に、第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給することと、を含む。

基板の中心側と外周側とにおける第一現像液による処理の進行度の差異が縮小するまで、基板の表面への第一現像液の供給を継続した後に、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給してもよい。

基板の表面に対向する接液面及び接液面に開口した吐出口を含む第一ノズルを用い、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給する際に、基板を回転させ、第一ノズルの吐出口から第二現像液を吐出させ、基板の表面の第二現像液に接液面を接触させながら、第一ノズルを基板の外周側から中心側に移動させてもよい。

基板の表面側に開口した吐出口を含む第二ノズルを更に用い、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、基板の回転中心に第二ノズルを配置し、第二ノズルの吐出口から第一現像液を吐出させながら、基板の表面の第一現像液が基板の外周側に広がる回転速度にて基板を回転させてもよい。

第二現像液と、第二現像液を希釈するための希釈液とを第二ノズルに供給してもよい。

現像用の成分が第二現像液と異なる第一現像液を第二ノズルに供給してもよい。

基板の表面側に開口した吐出口を含むノズルを用い、第二現像液を基板の表面の外周側から中心側に順次供給する際に、第二現像液をノズルに供給し、第一現像液を基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、第二現像液と、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液とをノズルに供給してもよい。

本開示の更に他の側面に係る記憶媒体は、上記現像処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示によれば、現像処理の進行の程度（以下、「進行度」という。）が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体を提供することができる。

基板液処理システムの概略構成を示す斜視図である。 現像処理装置の概略構成を示す断面図である。 現像ユニットの概略構成を示す模式図である。 制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。 現像処理手順を示すフローチャートである。 第一現像制御手順を示すフローチャートである。 第一現像制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。 第一現像制御の実行時間と、現像処理の進行度との関係を模式的に示すグラフである。 第二現像制御手順を示すフローチャートである。 第二現像制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。 リンス制御手順を示すフローチャートである。 リンス制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。 第一現像制御における現像処理の進行度と、第二現像処理における現像処理の進行度との関係を模式的に示すグラフである。 現像ユニットの変形例を示す模式図である。 現像ユニットの他の変形例を示す模式図である。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

〔現像処理装置〕
以下、現像処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、現像処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。現像処理装置は、現像ユニットＵ３と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔現像ユニット〕
続いて、上記現像ユニットＵ３の構成を詳細に説明する。図３に示すように、現像ユニットＵ３は、第一現像液及び第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液をウェハＷの表面Ｗａに供給するように構成された液供給部２０を備える。

第一現像液及び第二現像液はネガ型のレジスト膜用の現像液である。ネガ型のレジスト膜は、露光装置３により露光されなかった部分（以下「未露光部分」という。）が可溶となるレジスト膜である。ネガ型のレジスト膜用の現像液は、ネガ型のレジスト膜の未露光部分を溶解させる。なお、第一現像液及び第二現像液はポジ型のレジスト膜用の現像液であってもよい。ポジ型のレジスト膜は、露光装置３により露光された部分（以下「露光部分」という。）が可溶となるレジスト膜である。ポジ型のレジスト膜用の現像液は、ポジ型のレジスト膜の露光部分を溶解させる。

現像液の溶解性とは、レジスト膜の可溶部分（露光装置３により露光されなかった部分）を溶解させる性能を意味しており、溶解性が高いとは、レジスト膜の可溶部分を溶解させ易いことを意味する。すなわち、第二現像液による可溶部分の溶解速度（単位時間あたりの溶解量）は、第一現像液による可溶部分の溶解速度よりも高い。

液供給部２０は、第二現像液と希釈液との混合液を第一現像液として供給するように構成されていてもよいし、現像用の成分が第二現像液と異なる第一現像液を供給するように構成されていてもよい。現像用の成分とは、レジスト膜の可溶部分を溶解させる成分である。以下においては、第二現像液と希釈液との混合液を第一現像液として供給する構成を例示する。

液供給部２０は、回転保持部３０と、ノズル４１，４２，４３と、ノズル搬送部５１，５２，５３と、液源６１，６２，６３と、送液部７１，７２，７３とを有する。

回転保持部３０は、ウェハＷを保持して回転させる。例えば回転保持部３０は、保持部３１と回転駆動部３２とを有する。保持部３１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部３２は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な回転中心ＣＬ１まわりに保持部３１を回転させる。これによりウェハＷも回転する。

ノズル４１（第一ノズル）は、下方に面してウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４１ａと、接液面４１ａに開口した吐出口４１ｂとを含み、吐出口４１ｂから下方に第二現像液を吐出する。接液面４１ａは例えば円形である。ノズル４１は、複数の吐出口４１ｂを含んでいてもよい。接液面４１ａのうち、吐出口４１ｂの開口（全吐出口４１ｂの開口）を除いた部分の面積は、吐出口４１ｂの開口面積（全吐出口４１ｂの開口面積の和）よりも大きい。

ノズル４２（第二ノズル）は、ウェハＷの表面Ｗａ側（下方）に開口した吐出口４２ａを含み、吐出口４２ａから下方に第一現像液を吐出する。

ノズル４３（第三ノズル）は、ウェハＷの表面Ｗａ側（下方）に開口した吐出口４３ａを含み、吐出口４３ａから下方にリンス液を吐出する。

ノズル搬送部５１は、電動モータ等を動力源としてノズル４１を搬送する。ノズル搬送部５１は、ノズル４１を水平方向に搬送する水平搬送部５４と、ノズル４１を昇降させる昇降部５５とを含む。

ノズル搬送部５２，５３は、電動モータ等を動力源としてノズル４２，４３をそれぞれ水平方向に搬送する。

液源６１は、第二現像液を収容しており、当該第二現像液を供給する第一液源として機能する。第二現像液の具体例としては、酢酸ブチル（ｎＢＡ）、酢酸イソアミル（ＩＡＡ）、トルエン、キシレン、プロプレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、メチルアミルケトン（ＭＡＫ）、又はこれらのうち二種以上の混合等が挙げられる。

液源６２は、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液を収容しており、当該希釈液を供給する第二液源として機能する。希釈液は、レジスト膜の上記可溶部分の溶解性を有しないか、第二現像液に比較して溶解性の低い液体である。希釈液の具体例としては、ヘキサン、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、イソブチルアルコール（ＩＢＡ）又はこれらのうち二種以上の混合等が挙げられる。

液源６３は、リンス液を収容しており、当該リンス液を供給する第三液源として機能する。リンス液の具体例としては、純水が挙げられる。

送液部７１は、液源６１からノズル４２に第二現像液を送り、液源６２からノズル４２に希釈液を送る。送液部７１によりノズル４２に送られた第二現像液及び希釈液は、ノズル４２への到達前又はノズル４２への到達後に混ざり合い、第一現像液としてノズル４２の吐出口４２ａから下方に吐出される。例えば送液部７１は、送液ラインＬ１，Ｌ２と、バルブＶ１，Ｖ２とを含む。送液ラインＬ１は液源６１と吐出口４２ａとを接続し、バルブＶ１は送液ラインＬ１内の流路を開閉する。送液ラインＬ２は液源６２と吐出口４２ａとを接続し、バルブＶ２は送液ラインＬ２内の流路を開閉する。

送液部７２は、液源６１からノズル４１に第二現像液を送る。送液部７２によりノズル４１に送られた第二現像液は、ノズル４１の吐出口４１ｂから下方に吐出される。例えば送液部７２は、送液ラインＬ３とバルブＶ３とを含む。送液ラインＬ３は液源６１と吐出口４１ｂとを接続し、バルブＶ３は送液ラインＬ３内の流路を開閉する。

送液部７３は、液源６３からノズル４３にリンス液を送る。送液部７３によりノズル４３に送られたリンス液は、ノズル４３の吐出口４３ａから下方に吐出される。例えば送液部７３は、送液ラインＬ４とバルブＶ４とを含む。送液ラインＬ４は液源６３と吐出口４３ａとを接続し、バルブＶ４は送液ラインＬ４内の流路を開閉する。

以上のように構成された現像ユニットＵ３は、制御部１００により制御される。制御部１００は、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ（回転中心ＣＬ１）側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、ウェハＷの表面Ｗａに第一現像液が供給された後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、を実行するように構成されている。

制御部１００は、ウェハＷの中心Ｗｃ側と外周Ｗｂ側とにおける第一現像液による処理（溶解）の進行度の差異が縮小するまで、ウェハＷの表面Ｗａへの第一現像液の供給を継続した後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御してもよい。

例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、第一現像制御部１１１と、第二現像制御部１１２と、リンス制御部１１３と、保持制御部１１４とを有する。

第一現像制御部１１１は、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御する。例えば第一現像制御部１１１は、回転保持部３０によるウェハＷの回転中心ＣＬ１にノズル４２を配置し、ノズル４２の吐出口４２ａから第一現像液を吐出させながら、ウェハＷの表面Ｗａの第一現像液がウェハＷの外周Ｗｂ側に広がる回転速度にて回転保持部３０によりウェハＷを回転させるように液供給部２０を制御する。ノズル４２の吐出口４２ａから第一現像液を吐出させる際に、第一現像制御部１１１は、バルブＶ１，Ｖ２を開き、液源６１からの第二現像液と液源６２からの希釈液とをノズル４２に供給する。

第二現像制御部１１２は、ウェハＷの表面Ｗａに第一現像液が供給された後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御する。例えば第二現像制御部１１２は、回転保持部３０によりウェハＷを回転させ、ノズル４１の吐出口４１ｂから第二現像液を吐出させ、ウェハＷの表面Ｗａの第二現像液に接液面４１ａを接触させながら、ノズル４１をノズル搬送部５１によりウェハＷの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に移動させるように液供給部２０を制御する。ノズル４１の吐出口４１ｂから第二現像液を吐出させる際に、第二現像制御部１１２は、バルブＶ３を開き、液源６１からの第二現像液をノズル４１に供給するように液供給部２０を制御する。

リンス制御部１１３は、ウェハＷの表面Ｗａに第二現像液が供給された後に、リンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給するように液供給部２０を制御する。例えばリンス制御部１１３は、回転保持部３０によるウェハＷの回転中心ＣＬ１にノズル４３を配置し、ノズル４３の吐出口４３ａからリンス液を吐出させながら、ウェハＷの表面Ｗａのリンス液及び第二現像液がウェハＷの外周Ｗｂ側に広がる回転速度にて回転保持部３０によりウェハＷを回転させるように液供給部２０を制御する。ノズル４３の吐出口４３ａからリンス液を吐出させる際に、リンス制御部１１３は、バルブＶ４を開き、液源６３からのリンス液をノズル４３に供給するように液供給部２０を制御する。

保持制御部１１４は、搬送アームＡ３により現像ユニットＵ３にウェハＷが搬入された後に保持部３１により当該ウェハＷを保持するように液供給部２０を制御し、搬送アームＡ３により現像ユニットＵ３からウェハＷが搬出される前に保持部３１による当該ウェハＷの保持を解除するように液供給部２０を制御する。

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図４に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。

ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を処理ブロック５に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、回転保持部３０、送液部７１，７２，７３、及びノズル搬送部５１，５２，５３との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔現像処理手順〕
続いて、現像処理方法の一例として、現像ユニットＵ３において実行される現像処理手順を説明する。図５に示すように、まず、制御部１００がステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、保持制御部１１４が、搬送アームＡ３により現像ユニットＵ３に搬入されたウェハＷを保持部３１により保持するように液供給部２０を制御する。

次に、制御部１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、第一現像制御部１１１が第一現像制御を実行する。第一現像制御は、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御することを含む。第一現像制御のより詳細な内容については後述する。

次に、制御部１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、第二現像制御部１１２が第二現像制御を実行する。第二現像制御は、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御することを含む。第二現像制御のより詳細な内容については後述する。

次に、制御部１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、リンス制御部１１３がリンス制御を実行する。リンス制御は、リンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給するように液供給部２０を制御することを含む。リンス制御のより詳細な内容については後述する。

次に、制御部１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、保持制御部１１４が、保持部３１によるウェハＷの保持を解除するように液供給部２０を制御する。その後、ウェハＷは搬送アームＡ３により現像ユニットＵ３から搬出される。以上で現像処理手順が完了する。

（第一現像制御）
続いて、ステップＳ０２における第一現像制御の内容を詳細に説明する。図６に示すように、第一現像制御部１１１は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１は、回転駆動部３２によりウェハＷを第一回転速度ω１（図７の（ａ）参照）で回転させることを開始するように液供給部２０を制御することを含む。

第一回転速度ω１は、ウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃに供給された第一現像液が、ウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側に広がるように設定されている。例えば第一回転速度ω１は、５００〜２０００ｒｐｍであり、１０００〜１５００ｒｐｍであってもよい。

次に、第一現像制御部１１１はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２は、ノズル搬送部５２によりノズル４２をウェハＷの回転中心ＣＬ１（ウェハＷの中心Ｗｃ上）に配置するように液供給部２０を制御することを含む。

次に、第一現像制御部１１１はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３は、バルブＶ１，Ｖ２を開き、ノズル４２の吐出口４２ａから下方への第一現像液ＤＬ１（液源６１からの第二現像液及び液源６２からの希釈液の混合液）の吐出を開始するように液供給部２０を制御することを含む。吐出口４２ａから吐出された第一現像液ＤＬ１は、ウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃに到達した後、第一回転速度ω１の遠心力によって外周Ｗｂ側に広がり（図７の（ａ）参照）、外周Ｗｂに到達した第一現像液ＤＬ１はウェハＷの周囲に振り切られる（図７の（ｂ）参照）。

次に、第一現像制御部１１１はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４は、所定時間の経過を待機することを含む。所定時間は、当該時間の経過まで第一現像液の供給を継続することにより、ウェハＷの中心Ｗｃ側と外周Ｗｂ側とにおける第一現像液による処理（溶解）の進行度の差異が縮小する長さに設定されている。

図８は、レジスト膜に第一現像液が接する時間と、それにより形成されるレジストパターンの線幅との関係を示すグラフである。横軸は、第一現像液に接する時間の長さを示しており、縦軸はレジストパターンの線幅を示している。第一現像液とレジスト膜との接触時間が長くなるに従って、レジストパターンの線幅は小さくなるが、線幅の縮小速度は低下する傾向がある。図８の例においては、時刻Ｔ１以前に比較して、時刻Ｔ１以降のグラフの傾斜が緩やかになっている。

上述したように、第一現像液は表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給されるので、表面Ｗａの中心Ｗｃ側における上記接触時間は、表面Ｗａの外周Ｗｂ側における上記接触時間に比較して長い。このため、表面Ｗａの中心Ｗｃ側における線幅（以下、「中心線幅」という。）と、表面Ｗａの外周Ｗｂ側における線幅（以下、「外周線幅」という。）との間に差異が生じる。この差異は、線幅の縮小速度の低下に伴って小さくなる。例えば図８において、時刻Ｔ１の経過前（表面Ｗａの中心Ｗｃ側における接触時間が時刻Ｔ１に達する前）において中心線幅と外周線幅との間に生じる差Ｇ１が、時刻Ｔ１の経過後（表面Ｗａの外周Ｗｂ側における接触時間が時刻Ｔ１に達した後）には差Ｇ２まで小さくなる。この例において、上記所定時間は、例えば表面Ｗａの外周Ｗｂ側における接触時間が時刻Ｔ１に達するまでの時間以上に設定される。

図６に戻り、第一現像制御部１１１は、次にステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５は、バルブＶ１，Ｖ２を閉じ、ノズル４２の吐出口４２ａから下方への第一現像液ＤＬ１の吐出を停止するように液供給部２０を制御することを含む。以上で上記ステップＳ０２の第一現像制御が完了する。

（第二現像制御）
続いて、ステップＳ０３における第二現像制御の内容を詳細に説明する。図９に示すように、第二現像制御部１１２は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１は、回転駆動部３２によるウェハＷの回転速度を第一回転速度ω１から第二回転速度ω２（図１０の（ａ）参照）に変更するように液供給部２０を制御することを含む。

第二回転速度ω２は第一回転速度ω１より小さい値であって、ウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃの第二現像液が外周Ｗｂまで広がることのない値に設定されている。例えば第二回転速度ω２は、１０〜１１０ｒｐｍであり、４０〜８０ｒｐｍであってもよい。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２は、ノズル搬送部５１によりノズル４１の中心をウェハＷの外周部（外周Ｗｂの近傍部分）上に配置するように液供給部２０を制御することを含む。より具体的に、ステップＳ２２は、水平搬送部５４によりノズル４１の中心をウェハＷの外周部上に配置した後に、昇降部５５によりノズル４１を下降させて接液面４１ａを表面Ｗａに近付けるように液供給部２０を制御することを含む。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３は、バルブＶ３を開き、ノズル４１の吐出口４１ｂから下方への第二現像液ＤＬ２の吐出を開始するように液供給部２０を制御することを含む。吐出口４１ｂから吐出された第二現像液ＤＬ２は、ウェハＷの表面Ｗａの外周部に到達した後、外周Ｗｂに沿うように塗布される（図１０の（ａ）参照）。ノズル４１の接液面４１ａは、表面Ｗａに塗布された第二現像液ＤＬ２に接する。

なお、以上においては、吐出口４１ｂからの第二現像液ＤＬ２の吐出を開始する前に、昇降部５５によりノズル４１を下降させる例を示したが、これに限られない。第二現像制御部１１２は、吐出口４１ｂからの第二現像液ＤＬ２の吐出を開始した後に、昇降部５５によりノズル４１を下降させて接液面４１ａを第二現像液ＤＬ２に接触させてもよい。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４は、ウェハＷの表面Ｗａの第二現像液ＤＬ２に接液面４１ａを接触させながら、ノズル４１を水平搬送部５４によりウェハＷの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に移動させるように液供給部２０を制御することを含む（図１０の（ｂ）参照）。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５は、ノズル４１の中心が中心Ｗｃ上に到達するのを待機することを含む。ノズル４１がウェハＷの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に移動することにより、第二現像液ＤＬ２は表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に螺旋状に塗布される。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６は、水平搬送部５４によるノズル４１の移動を停止させるように液供給部２０を制御することを含む。

なお、以上においては、ノズル４１の中心がウェハＷの中心Ｗｃ上に到達した時点で水平搬送部５４によるノズル４１の移動を停止させる例を示したが、これに限られない。例えば第二現像制御部１１２は、ノズル４１の中心がウェハＷの中心Ｗｃを通過した後に、水平搬送部５４によるノズル４１の移動を停止させるように液供給部２０を制御してもよい。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７は、昇降部５５によりノズル４１を上昇させて接液面４１ａを表面Ｗａから遠ざけるように液供給部２０を制御することを含む。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８は、バルブＶ３を閉じ、吐出口４１ｂから下方への第二現像液ＤＬ２の吐出を停止するように液供給部２０を制御することを含む（図１０の（ｃ）参照）。

なお、以上においては、ノズル４１を上昇させた後に吐出口４１ｂからの第二現像液ＤＬ２の吐出を停止する例を示したが、これに限られない。第二現像制御部１１２は、バルブＶ３を閉じて吐出口４１ｂからの第二現像液ＤＬ２の吐出を停止させた後に、昇降部５５によりノズル４１を上昇させるように液供給部２０を制御してもよい。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９は、回転駆動部３２によるウェハＷの回転を停止させるように液供給部２０を制御することを含む。

次に、第二現像制御部１１２はステップＳ３０を実行する。ステップＳ３０は、所定時間の経過を待機することを含む。当該所定時間の経過中には、表面Ｗａ上において静止した第二現像液ＤＬ２による現像処理が進行する。当該所定時間は、事前の条件出し等により設定されている。以上で上記ステップＳ０３における第二現像制御が完了する。

（リンス制御）
続いて、ステップＳ０４におけるリンス制御の内容を詳細に説明する。図１１に示すように、リンス制御部１１３は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１は、ノズル搬送部５３によりノズル４３をウェハＷの中心Ｗｃ上に配置するように液供給部２０を制御することを含む。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２は、回転駆動部３２によりウェハＷを第三回転速度ω３（図１２の（ａ）参照）で回転させることを開始するように液供給部２０を制御することを含む。

第三回転速度ω３は、ウェハＷの表面Ｗａのリンス液及び第二現像液がウェハＷの外周Ｗｂ側に広がるように設定されている。例えば第三回転速度ω３は、１０００〜３０００ｒｐｍであり、１５００〜２５００ｒｐｍであってもよい。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３は、バルブＶ４を開き、ノズル４３の吐出口４３ａから下方へのリンス液ＤＬ３の吐出を開始するように液供給部２０を制御することを含む。吐出口４３ａから吐出されたリンス液ＤＬ３は、ウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃに到達した後、第三回転速度ω３の遠心力によって外周Ｗｂ側に広がって第二現像液ＤＬ２を洗い流し、ウェハＷの周囲に振り切られる（図１２の（ａ）参照）。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４は、所定時間の経過を待機することを含む。当該所定時間は、事前の条件出し等により設定されている。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５は、バルブＶ４を閉じ、吐出口４３ａからのリンス液ＤＬ３の吐出を停止するように液供給部２０を制御することを含む。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６は、所定時間の経過を待機することを含む。当該所定時間の経過までは、第三回転速度ω３でのウェハＷの回転が継続され、表面Ｗａに残存していたリンス液ＤＬ３がウェハＷの周囲に振り切られる（図１２の（ｂ）参照）。これによりウェハＷの表面Ｗａが乾燥する。当該所定時間は、事前の条件出し等により設定されている。

次に、リンス制御部１１３はステップＳ４７を実行する。ステップＳ４７は、回転駆動部３２によるウェハＷの回転を停止させるように液供給部２０を制御することを含む。以上で上記ステップＳ０４におけるリンス制御が完了する。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、第一現像液及び第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液をウェハＷの表面Ｗａに供給するように構成された液供給部２０と、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、ウェハＷの表面Ｗａに第一現像液が供給された後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御することと、を実行するように構成された制御部１００と、を備える。

現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給する処理（以下、「第一現像処理」という。）によれば、中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に向かうにつれて現像液との接触時間が短くなるので、中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に向かうにつれて現像処理の進行度が小さくなる傾向がある。一方、現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給する処理（以下、「第二現像処理」という。）によれば、中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に向かうにつれて現像液との接触時間が長くなるので、中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に向かうにつれて現像処理の進行度が大きくなる傾向がある。すなわち、第一現像処理と、第二現像処理とでは、中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側における現像処理の進行度の分布が逆になる。このため、第一現像処理の後に、更に第二現像処理を実行することにより、現像処理の進行度のばらつきを低減することができる。

ここで、現像処理においては、処理時間が長くなるにつれて、処理の進行速度が低くなる傾向がある。仮に、第一現像処理において処理の進行速度が低下した後に第二現像処理を実行すると、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理において十分に低減させられない可能性がある。これに対し、本現像処理装置によれば、第二現像処理において、第一現像処理の第一現像液に比較して溶解性が高い第二現像液が用いられるので、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを効果的に低減することができる。従って、本現像処理装置は、現像処理の進行度のばらつきを抑制するのに有効である。

図１３は、図８と同様に、レジスト膜に現像液が接する時間と、それにより形成されるレジストパターンの線幅との関係を示すグラフである。破線は、第一現像処理における線幅の推移を示し、実線は第二現像処理における線幅の推移を示している。図１３に例示されるように、第一現像液よりも溶解性が高い第二現像液を用いて第二現像処理を行うことで、第二現像処理の初期における処理の進行速度が高められる。このため、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを効果的に低減することができる。

制御部１００は、ウェハＷの中心Ｗｃ側と外周Ｗｂ側とにおける第一現像液による処理の進行度の差異が縮小するまで、ウェハＷの表面Ｗａへの第一現像液の供給を継続した後に、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御してもよい。この場合、ウェハＷの中心Ｗｃ側と外周Ｗｂ側とにおける第一現像処理の進行度の差異が小さくなった状態で第二現像処理が開始されるので（図１３の（ｂ）参照）、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理においてより確実に低減することができる。

液供給部２０は、ウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４１ａ及び接液面４１ａに開口した吐出口４１ｂを含むノズル４１と、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０とを有してもよく、制御部１００は、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御する際に、回転保持部３０によりウェハＷを回転させ、吐出口４１ｂから第二現像液を吐出させ、ウェハＷの表面Ｗａの第二現像液に接液面４１ａを接触させながら、ノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に移動させるように液供給部２０を制御してもよい。この場合、第二現像処理において、第二現像液を高い均一性でウェハＷの表面Ｗａに塗布することができる。このため、第一現像処理において生じた進行度のばらつきを第二現像処理においてより確実に低減することができる。

液供給部２０は、ウェハＷの表面Ｗａ側に開口した吐出口４２ａを含むノズル４２を更に有してもよく、制御部１００は、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給する際に、回転保持部３０によるウェハＷの回転中心ＣＬ１にノズル４２を配置し、吐出口４２ａから第一現像液を吐出させながら、ウェハＷの表面Ｗａの第一現像液がウェハＷの外周Ｗｂ側に広がる回転速度にて回転保持部３０によりウェハＷを回転させるように液供給部２０を制御してもよい。この場合、第一現像処理においては、遠心力を利用して第一現像液を迅速かつ高い均一性でウェハＷの表面Ｗａに塗布することができる。このため、第一現像処理の時間短縮を図ることができる。

液供給部２０は、第二現像液を供給する液源６１と、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液を供給する液源６２とを更に有してもよく、制御部１００は、液源６１からの第二現像液をノズル４１に供給し、液源６１からの第二現像液と液源６２からの希釈液とをノズル４２に供給するように液供給部２０を制御してもよい。この場合、第一現像液及び第二現像液の溶解性の差異を細やかに調節することができる。

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば液源６１は、希釈液との混合により第二現像液となる薬液（以下、「濃縮液」という。）を収容し、送液部７１は、液源６１からノズル４２に濃縮液を送り、液源６２からノズル４２に希釈液を送るように構成され、送液部７２は、液源６１からノズル４１に濃縮液を送り、液源６２からノズル４１に希釈液を送るように構成されていてもよい。この場合、濃縮液と希釈液との混合比率によって、第一現像液の溶解性と第二現像液との溶解性とを相違させることが可能である。なお、この構成においては、液源６１，６２が、第二現像液を供給する第一液源として機能する。

ノズル４１は必ずしも接液面４１ａを有しなくてもよく、制御部１００は、接液面４１ａが第二現像液に接していない状態でノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に移動させるように液供給部２０を制御してもよい。

制御部１００は、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給する際に、回転保持部３０によりウェハＷを回転させ、ノズル４２の吐出口４２ａから第一現像液を吐出させ、ノズル４２をウェハＷの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に移動させるように液供給部２０を制御してもよい。この場合、ノズル４２は接液面４１ａと同様の接液面を有していてもよく、制御部１００は当該接液面が第一現像液に接した状態でノズル４２をウェハＷの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に移動させるように液供給部２０を制御してもよい。

液供給部２０は、第二現像液を供給する第一液源と、現像用の成分が第二現像液と異なる第一現像液を供給する第二液源とを有してもよく、制御部１００は、第一液源からの第二現像液を第一ノズルに供給し、第二液源からの第一現像液を第二ノズルに供給するように液供給部２０を制御してもよい。この場合、現像用の成分を相違させることによって、第一現像液と第二現像液との溶解性の差異をより幅広く調節することができる。

一例として、図１４に示す液供給部２０は、図３における液源６２に代えて液源６４を有し、送液部７１に代えて送液部７４を有する。液源６４は、現像用の成分が第二現像液と異なる第一現像液を収容し、当該第一現像液を供給する第二液源として機能する。現像用の成分が互いに異なる第一現像液及び第二現像液の組み合わせとしては、酢酸イソアミル（ＩＡＡ）及び酢酸ブチル（ｎＢＡ）が挙げられる。送液部７４は、液源６４からノズル４２に第一現像液を送る。例えば送液部７４は、送液ラインＬ５とバルブＶ５とを含む。送液ラインＬ５は液源６４と吐出口４２ａとを接続し、バルブＶ５は送液ラインＬ５内の流路を開閉する。制御部１００は、第一現像処理において、バルブＶ５を開き、液源６４からの第一現像液をノズル４２に供給するように液供給部２０を制御する。

液供給部２０は、ウェハＷの表面Ｗａ側に開口した吐出口を含むノズルと、第二現像液を供給する第一液源と、第二現像液を希釈して第一現像液を生成するための希釈液を供給する第二液源とを有してもよく、制御部１００は、第二現像液をウェハＷの表面Ｗａの外周Ｗｂ側から中心Ｗｃ側に順次供給するように液供給部２０を制御する際に、第一液源からの第二現像液を上記ノズルに供給するように液供給部を制御し、第一現像液をウェハＷの表面Ｗａの中心Ｗｃ側から外周Ｗｂ側に順次供給するように液供給部２０を制御する際に、第一液源からの第二現像液と第二液源からの希釈液とを上記ノズルに供給するように液供給部２０を制御してもよい。この場合、第一現像処理と第二現像処理とでノズルを共用し、装置構成の簡素化を図ることができる。

一例として、図１５に示す液供給部２０は、図３におけるノズル４２及びノズル搬送部５２を有しておらず、送液部７１，７２に代えて送液部７５を有する。送液部７５は、液源６１からノズル４１に第二現像液を送り、液源６２からノズル４１に希釈液を送る。例えば送液部７５は、送液ラインＬ６，Ｌ７とバルブＶ６，Ｖ７とを含む。送液ラインＬ６は液源６１と吐出口４１ｂとを接続し、バルブＶ６は送液ラインＬ６内の流路を開閉する。送液ラインＬ７は液源６２と吐出口４１ｂとを接続し、バルブＶ７は送液ラインＬ７内の流路を開閉する。制御部１００は、第一現像処理及び第二現像処理の両方においてノズル４１を用い、第一現像処理において、バルブＶ６，Ｖ７を開き、液源６１からの第二現像液及び液源６２からの希釈液の両方をノズル４１に供給するように液供給部２０を制御し、第二現像処理において、バルブＶ７を閉じてバルブＶ６を開き、液源６１からの第二現像液をノズル４１に供給するように液供給部２０を制御する。なお、図１５では、第一現像処理及び第二現像処理にノズル４１を共用する例を示したが、第一現像処理及び第二現像処理にノズル４２を共用してもよい。

処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

２…塗布・現像装置（現像処理装置）、１００…制御部、２０…液供給部、３０…回転保持部、４１…ノズル（第一ノズル）、４２…ノズル（第二ノズル）、６１…液源（第一液源）、６２，６４…液源（第二液源）、４１ａ…接液面、４１ｂ，４２ａ…吐出口、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｃ…中心、Ｗｂ…外周。

Claims (16)

1. 基板の表面に形成され、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理を行う装置であって、
   第一現像液、及び前記第一現像液よりも前記レジスト膜の可溶部の溶解性が高い第二現像液を前記基板の表面に供給するように構成された液供給部と、
   前記第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給するように前記液供給部を制御することと、前記基板の表面に前記第一現像液が供給された後に、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように前記液供給部を制御することと、を実行するように構成された制御部と、を備える現像処理装置。
2. 前記制御部は、前記基板の中心側と外周側とにおける前記第一現像液による処理の進行度の差異が縮小するまで、前記基板の表面への前記第一現像液の供給を継続した後に、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように前記液供給部を制御する、請求項１記載の現像処理装置。
3. 前記液供給部は、前記基板の表面に対向する接液面及び前記接液面に開口した吐出口を含む第一ノズルと、前記基板を保持して回転させる回転保持部とを有し、
   前記制御部は、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように前記液供給部を制御する際に、前記回転保持部により前記基板を回転させ、前記第一ノズルの前記吐出口から前記第二現像液を吐出させ、前記基板の表面の前記第二現像液に前記接液面を接触させながら、前記第一ノズルを前記基板の外周側から中心側に移動させるように前記液供給部を制御する、請求項１又は２記載の現像処理装置。
4. 前記液供給部は、前記基板の表面側に開口した吐出口を含む第二ノズルを更に有し、
   前記制御部は、
   前記第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、前記回転保持部による前記基板の回転中心に前記第二ノズルを配置し、前記第二ノズルの前記吐出口から前記第一現像液を吐出させながら、前記基板の表面の前記第一現像液が前記基板の外周側に広がる回転速度にて前記回転保持部により前記基板を回転させるように前記液供給部を制御する、請求項３記載の現像処理装置。
5. 前記液供給部は、前記第二現像液を供給する第一液源と、前記第二現像液を希釈して前記第一現像液を生成するための希釈液を供給する第二液源とを更に有し、
   前記制御部は、前記第一液源からの前記第二現像液を前記第一ノズルに供給し、前記第一液源からの前記第二現像液と前記第二液源からの前記希釈液とを前記第二ノズルに供給するように前記液供給部を制御する、請求項４記載の現像処理装置。
6. 前記液供給部は、前記第二現像液を供給する第一液源と、現像用の成分が前記第二現像液と異なる第一現像液を供給する第二液源とを更に有し、
   前記制御部は、前記第一液源からの前記第二現像液を前記第一ノズルに供給し、前記第二液源からの前記第一現像液を前記第二ノズルに供給するように前記液供給部を制御する、請求項４記載の現像処理装置。
7. 前記液供給部は、前記基板の表面側に開口した吐出口を含むノズルと、前記第二現像液を供給する第一液源と、前記第二現像液を希釈して前記第一現像液を生成するための希釈液を供給する第二液源とを有し、
   前記制御部は、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給するように前記液供給部を制御する際に、前記第一液源からの前記第二現像液を前記ノズルに供給するように前記液供給部を制御し、前記第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給するように前記液供給部を制御する際に、前記第一液源からの前記第二現像液と前記第二液源からの前記希釈液とを前記ノズルに供給するように前記液供給部を制御する、請求項１又は２記載の現像処理装置。
8. 基板の表面に形成され、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理を行う方法であって、
   第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給することと、
   前記基板に前記第一現像液が供給された後に、前記第一現像液よりも前記レジスト膜の可溶部の溶解性が高い第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給することと、を含む現像処理方法。
9. 前記基板の中心側と外周側とにおける前記第一現像液による処理の進行度の差異が縮小するまで、前記基板の表面への前記第一現像液の供給を継続した後に、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給する、請求項８記載の現像処理方法。
10. 前記基板の表面に対向する接液面及び前記接液面に開口した吐出口を含む第一ノズルを用い、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給する際に、前記基板を回転させ、前記第一ノズルの前記吐出口から前記第二現像液を吐出させ、前記基板の表面の前記第二現像液に前記接液面を接触させながら、前記第一ノズルを前記基板の外周側から中心側に移動させる、請求項８又は９記載の現像処理方法。
11. 前記基板の表面側に開口した吐出口を含む第二ノズルを更に用い、前記第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、前記基板の回転中心に前記第二ノズルを配置し、前記第二ノズルの前記吐出口から前記第一現像液を吐出させながら、前記基板の表面の前記第一現像液が前記基板の外周側に広がる回転速度にて前記基板を回転させる、請求項１０記載の現像処理方法。
12. 前記第二現像液と、前記第二現像液を希釈して前記第一現像液を生成するための希釈液とを前記第二ノズルに供給する、請求項１１記載の現像処理方法。
13. 現像用の成分が前記第二現像液と異なる前記第一現像液を前記第二ノズルに供給する、請求項１１記載の現像処理方法。
14. 前記基板の表面側に開口した吐出口を含むノズルを用い、前記第二現像液を前記基板の表面の外周側から中心側に順次供給する際に、前記第二現像液を前記ノズルに供給し、前記第一現像液を前記基板の表面の中心側から外周側に順次供給する際に、前記第二現像液と、前記第二現像液を希釈して前記第一現像液を生成するための希釈液とを前記ノズルに供給する、請求項８又は９記載の現像処理方法。
15. 前記レジスト膜はネガ型であり、前記レジスト膜のうち露光処理において露光されなかった部分を溶解させる前記第一現像液及び前記第二現像液を用いる、請求項８〜１４のいずれか一項記載の現像処理方法。
16. 請求項８〜１５のいずれか一項記載の現像処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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