TW201517116A - 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可充分地抑制凹凸圖案的崩塌之基板處理裝置。基板處理裝置U1，具備旋轉保持部20、顯影液供給部23、沖洗液供給部24、充填液供給部25、及控制部27。控制部27，在控制旋轉保持部20及顯影液供給部23，使晶圓W旋轉並對晶圓W之表面供給顯影液後，控制旋轉保持部20及沖洗液供給部24以使晶圓W旋轉並對晶圓W的表面供給沖洗液，藉以形成凹凸圖案。控制部27，在控制旋轉保持部20及充填液供給部25，使晶圓W旋轉並對凹凸圖案上供給充填液，以將沖洗液置換為充填液後，控制旋轉保持部20以使晶圓W旋轉，使充填液乾燥，藉以將較凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於凹凸圖案的凹部。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體

本發明係關於一種，基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記錄媒體。

半導體製程，包含例如將光阻圖案等凹凸圖案形成於基板上的步驟。近年，伴隨半導體的高密集化，亦要求凹凸圖案的細微化。伴隨著細微化，凹凸圖案的寬高比(相對於寬度之高度的比率)變大，故容易發生凹凸圖案的崩塌。而為了實現凹凸圖案之更進一步的細微化，在抑制凹凸圖案的崩塌上變得重要。作為用於防止高寬高比之圖案的倒塌之技術，例如在專利文獻1中揭露之圖案形成方法，在形成凹凸圖案後將凹凸圖案的凹部以聚合物完全充填。 【習知技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開第2007-19161號公報

【本發明所欲解決的問題】

然而，依照上述圖案形成方法，仍有無法充分地抑制凹凸圖案的崩塌之情況。而本發明之目的在於，提供一種可充分地抑制凹凸圖案的崩塌之基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記錄媒體。【解決問題之技術手段】

本發明之基板處理裝置，具備：旋轉保持部，保持基板而使其旋轉；處理液供給部，對基板的表面供給用於形成凹凸圖案之處理液；沖洗液供給部，供給沖洗液；充填液供給部，供給係充填劑的水溶液之充填液；圖案形成控制部，在控制旋轉保持部及處理液供給部以使基板旋轉並對基板的表面供給處理液後，控制旋轉保持部及沖洗液供給部以使基板旋轉並對基板的表面供給沖洗液，藉以於基板的表面形成凹凸圖案；以及充填控制部，在控制旋轉保持部及充填液供給部以使基板旋轉並對凹凸圖案上供給充填液，將沖洗液置換為充填液後，控制旋轉保持部使基板旋轉，使凹凸圖案上的充填液乾燥，藉以將較凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於凹凸圖案的凹部。

依此一基板處理裝置，則對旋轉之基板的表面依序供給處理液及沖洗液。藉由將被處理液溶解出的成分與處理液一同以沖洗液洗去，而形成凹凸圖案。其次，對旋轉之基板的凹凸圖案上供給充填液，將沖洗液置換為充填液。之後，伴隨基板的旋轉而進行充填液的乾燥，將較凸部更低之充填部形成於凹部。充填部，作為抵抗凹凸圖案的崩塌之支撐部而作用。因此，即便伴隨充填液的乾燥之表面張力作用於凹凸圖案，仍抑制凹凸圖案的崩塌。此外，藉由使充填部的高度較凸部更低，與形成較凸部更高的充填部相比，凹凸圖案的崩塌難度提高。因此，可充分地抑制凹凸圖案的崩塌。

另，本案發明人等如同下述地，推論藉由使充填部的高度較凸部更低而提高凹凸圖案的崩塌難度之要因。亦即，將較凸部更低的充填部形成於凹部之情況，與將較凸部更高的充填部形成於凹部之情況相比，可減低充填液的濃度。藉此，充填液之黏性降低，故更確實地將沖洗液置換為充填液。因此，充填部遍及至更細部，穩固地支撐凹凸圖案。

充填控制部，亦可控制旋轉保持部及充填液供給部，將相對於凸部的高度而為20~50%的高度之充填部形成於凹部。此一情況，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

充填控制部，亦可控制旋轉保持部及充填液供給部，使伴隨充填部的形成之凸部的寬度之增加率未滿30%。此一情況，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

充填控制部，亦可控制旋轉保持部，在充填液存在於凹凸圖案上的狀態，使基板的旋轉方向逆轉。此一情況，充填部遍及至更細部，更穩固地支撐凹凸圖案。因此，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可更具備供加熱基板所用之熱處理部；充填控制部，控制熱處理部，在乾燥充填液時將基板加熱。此一情況，由於促進充填部之形成，故可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

圖案形成控制部，亦可在控制沖洗液供給部以將水作為沖洗液供給後，控制沖洗液供給部以將界面活性劑之水溶液作為沖洗液供給。此一情況，在形成充填部時，充填部遍及至更細部，故更穩固地支撐凹凸圖案。因此，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可進一步具備：背面沖洗液供給部，對基板的背面之邊緣部供給背面沖洗液；以及背面沖洗控制部，在充填部之形成途中或形成後，控制背面沖洗液供給部，對基板的背面之邊緣部供給背面沖洗液。此一情況，可防止充填劑對基板的背面之附著。

本發明之基板處理方法，包含如下步驟：在旋轉基板並對基板的表面供給處理液後，旋轉基板並對基板的表面供給沖洗液，藉以在基板的表面形成凹凸圖案；在旋轉基板並對凹凸圖案上供給充填劑之水溶液亦即充填液以將沖洗液置換為充填液後，旋轉基板以使凹凸圖案上的充填液乾燥，藉以將較凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於凹凸圖案的凹部。

若依此一基板處理方法，則對旋轉之基板的表面依序供給處理液及沖洗液。藉由將被處理液溶解出的成分與處理液一同以沖洗液洗去，而形成凹凸圖案。其次，對旋轉之基板的凹凸圖案上供給充填液，將沖洗液置換為充填液。之後，伴隨基板的旋轉而進行充填液的乾燥，將較凸部更低之充填部形成於凹部。充填部，作為抵抗凹凸圖案的崩塌之支撐部而作用。因此，即便伴隨充填液的乾燥之表面張力作用於凹凸圖案，仍抑制凹凸圖案的崩塌。此外，藉由使充填部的高度較凸部更低，與形成較凸部更高的充填部相比，凹凸圖案的崩塌難度提高。因此，可充分地抑制凹凸圖案的崩塌。

另，本案發明人等如同下述地，推論藉由使充填部的高度較凸部更低而提高凹凸圖案的崩塌難度之要因。亦即，將較凸部更低的充填部形成於凹部之情況，與將較凸部更高的充填部形成於凹部之情況相比，可減低充填液的濃度。藉此，充填液之黏性降低，故更確實地將沖洗液置換為充填液。因此，充填部遍及至更細部，穩固地支撐凹凸圖案。

亦可將相對於凸部的高度而為20~50%之高度的充填部形成於凹部。此一情況，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可使伴隨充填部的形成之凸部的寬度之增加率未滿30%。此一情況，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可在充填液存在於凹凸圖案上的狀態，使基板的旋轉方向逆轉。此一情況，充填部遍及至更細部，更穩固地支撐凹凸圖案。因此，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可在乾燥充填液時，將基板加熱。此一情況，由於促進充填部之形成，故可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可在將水作為沖洗液供給後，將界面活性劑之水溶液作為沖洗液而供給。此一情況，在形成充填部時，充填部遍及至更細部，故更穩固地支撐凹凸圖案。因此，可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

亦可在充填部之形成途中或形成後，對基板的背面之邊緣部供給背面沖洗液。此一情況，可防止充填劑對基板的背面之附著。

本發明之基板處理用記錄媒體為電腦可讀取之記憶媒體，記錄有用以使基板處理裝置實行上述基板處理方法的程式。【本發明之效果】

依本發明，則可充分地抑制凹凸圖案的崩塌。

【實施本發明之最佳形態】

以下，茲就本發明之最佳實施形態，參考附圖並詳細地說明。說明中，對於同一要素或具有同一功能之要素給予相同符號，並省略重複的說明。

如圖1所示，塗布‧顯影裝置1，在曝光裝置E1所進行之曝光處理前，施行對晶圓(基板)的表面塗布光阻劑以形成光阻膜之處理，在曝光裝置E1所進行之曝光處理後，施行光阻膜之顯影處理。如圖1至圖3所示，塗布‧顯影裝置1，具備載運區塊S1、與載運區塊S1鄰接之處理區塊S2、與處理區塊S2鄰接之介面區塊S3、以及控制部27(參考圖4)。以下，塗布‧顯影裝置1之說明中的「前後左右」，係指使介面區塊S3側為前側，載運區塊S1側為後側之方向。

載運區塊S1，具有載運站12，以及搬入‧搬出部13。載運站12，支持複數個載具11。載具11，將複數片晶圓W以密封狀態收納，於一側面11a側具有用於使晶圓W進出的開閉扉(未圖示)。載具11，其側面11a與搬入‧搬出部13側面對，以可任意裝卸的方式設置在載運站12上。

搬入‧搬出部13，具有與載運站12上之複數個載具11分別對應的複數片開閉扉13a。藉由將側面11a的開閉扉與開閉扉13a同時開放，而使載具11內與搬入‧搬出部13內連通。搬入‧搬出部13內建有傳遞臂A1。傳遞臂A1，自載具11取出晶圓W而搬往處理區塊S2，自處理區塊S2承接晶圓W而回到載具11內。

處理區塊S2，具有下層反射防止膜形成(BCT)區塊14、光阻膜形成(COT)區塊15、上層反射防止膜形成(TCT)區塊16、及顯影處理(DEV)區塊17。此等區塊，自地板面側起以DEV區塊17、BCT區塊14、COT區塊15、TCT區塊16的順序堆疊。

BCT區塊14，內建有塗布單元(未圖示)、加熱‧冷卻單元(未圖示)、及將晶圓W搬運至此等單元之搬運臂A2。塗布單元，將反射防止膜形成用之藥液塗布於晶圓W的表面。加熱‧冷卻單元，例如以熱板將晶圓W加熱以加熱藥液，將加熱後的晶圓W以冷卻板冷卻，藉以施行用於使藥液硬化等之熱處理。

COT區塊15，內建有塗布單元(未圖示)、加熱‧冷卻單元(未圖示)、及將晶圓W搬運至此等單元之搬運臂A3。塗布單元，將光阻膜形成用之藥液(光阻劑)塗布於下層反射防止膜上。加熱‧冷卻單元，例如以熱板將晶圓W加熱以加熱光阻劑，將加熱後的晶圓W以冷卻板冷卻，藉以施行用於使光阻劑硬化等之熱處理。光阻劑，可為正型光阻劑亦可為負型光阻劑。

TCT區塊16，內建有塗布單元(未圖示)、加熱‧冷卻單元(未圖示)、及將晶圓W搬運至此等單元之搬運臂A4。塗布單元，將反射防止膜形成用之藥液塗布於光阻膜上。加熱‧冷卻單元，例如以熱板將晶圓W加熱以加熱藥液，將加熱後的晶圓W以冷卻板冷卻，藉以施行用於使藥液硬化等之熱處理。

如圖3所示，DEV區塊17，內建有複數個顯影處理單元(基板處理裝置)U1、複數個加熱‧冷卻單元(熱處理部)U2、將晶圓W搬運至此等單元之搬運臂A5、及以不經過此等單元的方式於處理區塊S2之前後間搬運晶圓W的直接搬運臂A6。

顯影處理單元U1，如同後述地，施行曝光的光阻膜之顯影處理。加熱‧冷卻單元U2，例如以熱板將晶圓W加熱藉而將光阻膜加熱，並將加熱後的晶圓W以冷卻板冷卻。加熱‧冷卻單元U2，施行曝光後烘烤(PEB)、後烘烤(PB)等加熱處理。PEB，係於顯影處理前將光阻膜加熱之處理。PB，係於顯影處理後將光阻膜加熱之處理。

於處理區塊S2之後側設置棚架單元U10。棚架單元U10，以自地板面起橫跨至TCT區塊16的方式設置，被區隔為上下方向排列之複數個單元C30~C38。於棚架單元U10附近，設置升降臂A7。升降臂A7，在單元C30~C38間搬運晶圓W。於處理區塊S2之前側設置棚架單元U11。棚架單元U11，以自地板面起橫跨至DEV區塊17之上部的方式設置，被區隔為上下方向排列之複數個單元C40~C42。

介面區塊S3，與曝光裝置E1連接。介面區塊S3，內建有傳遞臂A8。傳遞臂A8，自處理區塊S2之棚架單元U11將晶圓W搬往曝光裝置E1，自曝光裝置E1承接晶圓W而回到棚架單元U11。

此等塗布‧顯影裝置1，首先，將載具11設置載運站12。此時，載具11之一側面11a朝向搬入‧搬出部13的開閉扉13a。其次，將載具11的開閉扉與搬入‧搬出部13的開閉扉13a一同開放，藉由傳遞臂A1，取出載具11內之晶圓W，將其依序搬運至處理區塊S2的棚架單元U10中之任一單元。

將藉由傳遞臂A1被搬運至棚架單元U10中之任一單元的晶圓W，以升降臂A7，依序搬運至與BCT區塊14對應之單元C33。將被搬運至單元C33的晶圓W，藉由搬運臂A2搬運至BCT區塊14內之各單元，於此晶圓W的表面上形成下層反射防止膜。

將形成有下層反射防止膜的晶圓W，藉由搬運臂A2搬運至單元C33之上方的單元C34。將被搬運至單元C34的晶圓W，藉由升降臂A7，搬運至與COT區塊15對應之單元C35。將被搬運至單元C35的晶圓W，藉由搬運臂A3搬運至COT區塊15內之各單元，於此晶圓W的下層反射防止膜上形成光阻膜。

將形成有光阻膜的晶圓W，藉由搬運臂A3搬運至單元C35之上方的單元C36。將被搬運至單元C36的晶圓W，藉由升降臂A7，搬運至與TCT區塊16對應之單元C37。將被搬運至單元C37的晶圓W，藉由搬運臂A4搬運至TCT區塊16內之各單元，於此晶圓W的光阻膜上形成上層反射防止膜。

將形成有上層反射防止膜的晶圓W，藉由搬運臂A4搬運至單元C37之上方的單元C38。將被搬運至單元C38的晶圓W，藉由升降臂A7搬運至與直接搬運臂A6對應之單元C32，藉由直接搬運臂A6將其搬運至棚架單元U11之單元C42。將被搬運至單元C42的晶圓W，藉由介面區塊S3之傳遞臂A8搬往曝光裝置E1，於曝光裝置E1中施行光阻膜之曝光處理。將曝光處理後的晶圓W，藉由傳遞臂A8搬運至單元C42之下方的單元C40、C41。

將被搬運至單元C40、C41的晶圓W，藉由搬運臂A5，搬運至DEV區塊17內之各單元，施行顯影處理。藉此，於晶圓W的表面上形成光阻圖案。將形成有光阻圖案的晶圓W，藉由搬運臂A5搬運至棚架單元U10中與DEV區塊17對應之單元C30、C31。將被搬運至單元C30、C31的晶圓W，藉由升降臂A7，搬運至傳遞臂A1可接觸之單元，並藉由傳遞臂A1，使其回到載具11內。

另，塗布‧顯影裝置1之構成僅為一例。塗布‧顯影裝置，為具備塗布單元或顯影處理單元等液處理單元、加熱‧冷卻單元等前處理‧後處理單元、以及搬運裝置之裝置即可，可將此等各單元之個數、種類、配置等適當改變。

接著，對顯影處理單元(基板處理裝置)U1，更詳細地進行說明。如圖4所示，顯影處理單元U1，具備旋轉保持部20、升降裝置22、顯影液供給部(處理液供給部)23、沖洗液供給部24、充填液供給部25、背面沖洗液供給部26、以及控制部27。

旋轉保持部20具備：本體部20a，內建有電動馬達等動力源；旋轉軸20b，自本體部20a起往鉛直上方突出；以及吸盤20c，設置於旋轉軸20b之前端部。本體部20a，藉由動力源使旋轉軸20b及吸盤20c旋轉。吸盤20c，支持略水平配置之晶圓W的中心部，將其例如藉由吸附而保持。亦即，旋轉保持部20，將晶圓W水平地保持，使其以鉛直軸線為中心而旋轉。

升降裝置22，以與旋轉保持部20鄰接的方式設置，使旋轉保持部20升降。藉此，可在進行晶圓W傳遞的傳遞高度、與施行顯影處理的顯影高度之間，使吸盤20c升降。

於旋轉保持部20周圍，設置杯體30。杯體30為，承擋自晶圓W上往外側甩落而滴落之顯影液等液體(後述)的收納器。杯體30具有：圓環狀的底板31，包圍旋轉保持部20；圓筒狀的外壁32，自底板31之外緣起往鉛直上方突出；以及圓筒狀的內壁33，自底板31之內緣起往鉛直上方突出。外壁32之全體部分，位於較吸盤20c所保持的晶圓W其外緣更為外側。外壁32的上端32a，位於較上述顯影高度之吸盤20c所保持的晶圓W更為上方。在外壁32的上端32a側部分，形成往內側傾斜之傾斜壁部32b。內壁33之全體部分，位於較吸盤20c所保持的晶圓W其外緣更為內側。內壁33的上端33a，位於較上述顯影高度之吸盤20c所保持的晶圓W更為下方。

在內壁33與外壁32之間，設置以包圍內壁33的方式自底板31的頂面起往鉛直上方突出之間隔壁34。底板31中，在外壁32與間隔壁34之間的部分，形成液體排出孔31a，將液體排出孔31a與排液管35連接。底板31中，在間隔壁34與內壁33之間的部分，形成氣體排出孔31b，將氣體排出孔31b與排氣管36連接。

於內壁33上方，以自間隔壁34往外側突出的方式設置傘狀部37。將自晶圓W上往外側甩落的液體，引導至外壁32與間隔壁34之間，自液體排出孔31a排出。由液體產生的氣體等，進入間隔壁34與內壁33之間，此氣體自氣體排出孔31b被排出。

被內壁33包圍之空間的上部，以間隔板38封閉。旋轉保持部20之本體部20a位於間隔板38之下方，吸盤20c位於間隔板38之上方，旋轉軸20b貫通間隔板38。

如圖4及圖5所示，顯影液供給部23，具有顯影液之供給源23a、顯影液噴嘴23c、及移動體23d，對晶圓W的表面Wa供給顯影液(處理液)。供給源23a，具有顯影液之儲存容器、泵及閥等。顯影液噴嘴23c，藉由供給管23b而與供給源23a連接，噴吐由供給源23a供給的顯影液。移動體23d，藉由臂部23e而與顯影液噴嘴23c連接。移動體23d，沿著於外壁32外側水平地設置之導軌40而移動，藉以將顯影液噴嘴23c往水平方向移送。自導軌40的延伸方向(圖示右方或左方)觀察時，顯影液噴嘴23c，係位於吸盤20c的中心之上方。顯影液噴嘴23c之噴吐孔h1往下方開口。噴吐孔h1，呈沿著導軌40之延伸方向的狹縫狀。

對表面Wa供給顯影液時，藉由移動體23d移送顯影液噴嘴23c，將其配置於吸盤20c所保持的晶圓W之上方。而後，將由供給源23a供給的顯影液自顯影液噴嘴23c往下方噴吐，對表面Wa供給。

沖洗液供給部24，具有沖洗液之供給源24a、沖洗液噴嘴24c、及移動體24d，對晶圓W的表面Wa供給沖洗液。沖洗液，例如為純水或DIW(Deionized Water, 去離子水)等。供給源24a，具有沖洗液之儲存容器、泵及閥等。沖洗液噴嘴24c，藉由供給管24b而與供給源24a連接，噴吐由供給源24a供給的沖洗液。移動體24d，藉由臂部24e而與沖洗液噴嘴24c連接。移動體24d，藉由沿著上述導軌40移動，而將沖洗液噴嘴24c往水平方向移送。自導軌40之延伸方向(圖示右方或左方)觀察時，支持在臂部24e的沖洗液噴嘴24c，位於吸盤20c的中心之上方。沖洗液噴嘴24c之噴吐孔h2往下方開口。

對表面Wa供給沖洗液時，藉由移動體24d移送沖洗液噴嘴24c，將其配置於吸盤20c所保持的晶圓W之上方。而後，將由供給源24a供給的沖洗液自沖洗液噴嘴24c往下方噴吐，對表面Wa供給。

充填液供給部25，具有充填液之供給源25a、充填液噴嘴25c、及移動體25d，對晶圓W的表面Wa供給充填液。充填液，例如為水溶性聚合物等充填劑之水溶液。供給源25a，具有充填液之儲存容器、泵及閥等。充填液噴嘴25c，藉由供給管25b而與供給源25a連接，噴吐由供給源25a供給的充填液。移動體25d，藉由臂部25e而與充填液噴嘴25c連接。移動體25d，藉由沿著上述導軌40移動，而將充填液噴嘴25c往水平方向移送。自導軌40之延伸方向(圖示右方或左方)觀察時，支持在臂部25e的充填液噴嘴25c，位於吸盤20c的中心之上方。充填液噴嘴25c之噴吐孔h3往下方開口。

對表面Wa供給充填液時，藉由移動體25d移送充填液噴嘴25c，將其配置於吸盤20c所保持的晶圓W之上方。而後，將由供給源25a供給的充填液自充填液噴嘴25c往下方噴吐，對表面Wa供給。

另，作為上述水溶性聚合物，可列舉例如含有親水性基之乙烯單體的同元聚合物或多元共聚物、或具有親水性基之聚縮合物等。作為此等樹脂之具體例，列舉有：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯醇、乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇(包含部分皂化物)、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯基甲醚、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯基縮醛(包含部分縮醛化物)、聚乙烯亞胺、聚環氧乙烷、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯胺、聚丙烯胺、含噁唑啉基水溶性樹脂、水溶性三聚氰胺樹脂、水溶性尿素樹脂、醇酸樹脂或磺醯胺等，進一步列舉其等之鹽。可將其等單獨使用，亦可組合2種以上而使用。充填液中之水溶性聚合物的濃度，宜未滿10%，更宜為1%以上未滿10%，特別宜為3%以上5%以下。

為了提高對晶圓W的表面Wa之塗布性，而可於充填液添加活性劑。作為活性劑，可列舉例如非離子系之活性劑。作為非離子系之活性劑的具體例，列舉有：山梨糖醇酐單油酸酯、甘油α-單油酸酯、聚乙二醇山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚乙二醇直鏈烷基醚、聚乙二醇苯醚直鏈烷基附加型、支鏈烷基附加型、乙炔二醇、陰離子系之月桂酸鈉、硬脂酸鈉、油酸鈉、十二烷基硫酸鈉或十二烷基苯磺酸鈉等。可將其等單獨使用，亦可組合2種以上而使用。充填液中之活性劑的濃度，宜為20~100ppm。

背面沖洗液供給部26，具有背面沖洗液之供給源26a、及背面沖洗液噴嘴26c，對晶圓W的背面Wb之邊緣部供給背面沖洗液。背面沖洗液，例如為純水、DIW或水溶性之有機溶劑等。作為水溶性之有機溶劑，列舉例如異丙醇。供給源26a，具有背面沖洗液之儲存容器、泵及閥等。背面沖洗液噴嘴26c，藉由供給管26b而與供給源26a連接，噴吐由供給源26a供給的背面沖洗液。背面沖洗液噴嘴26c配置於間隔板38之上，使供給管26b通過間隔板38而配管。背面沖洗液噴嘴26c，位於吸盤20c所保持的晶圓W之邊緣部的下方。背面沖洗液噴嘴26c之噴吐孔h4，以朝向晶圓W之外側的方式往斜上方開口。

控制部27，為控制用之電腦，具有：顯示部(未圖示)，顯示顯影處理條件的設定畫面；輸入部(未圖示)，輸入顯影處理條件；以及讀取部(未圖示)，自電腦可讀取之記憶媒體讀取程式。於記錄媒體，記錄用於在顯影處理單元U1實行本實施形態之顯影處理方法(基板處理方法)的程式。作為記錄媒體，可列舉例如硬碟、光碟、快閃記憶體、軟性磁碟或記憶卡等。控制部27，因應輸入至輸入部的顯影處理條件、及以讀取部讀取出的程式，而控制旋轉保持部20、升降裝置22、顯影液供給部23、沖洗液供給部24、充填液供給部25、背面沖洗液供給部26，實行顯影處理。以下，對控制部27之控制順序加以說明。

首先，控制部27，在控制升降裝置22以使吸盤20c上升至上述傳遞高度的狀態下待機。在此一狀態下，藉由上述之搬運臂A5，將晶圓W搬入至顯影處理單元U1內。於晶圓W形成光阻膜R，在光阻膜R藉由曝光裝置E1施行曝光處理。晶圓W，以光阻膜R為上方的狀態在吸盤20c上水平地配置。一配置好晶圓W，則控制吸盤20c以保持晶圓W，並控制升降裝置22以使吸盤20c下降至上述顯影高度為止。

其次，如圖6(a)所示，控制旋轉保持部20以使晶圓W旋轉。與此同時，控制顯影液供給部23，以使顯影液噴嘴23c自晶圓W之外周起朝向中心移動，並自顯影液噴嘴23c噴吐顯影液L1。藉此，沿著螺旋狀的線，對晶圓W的表面Wa全體供給顯影液L1，如圖6(b)所示，將顯影液L1之液灘形成於表面Wa上。

而後，控制顯影液供給部23使顯影液噴嘴23c自晶圓W上後退，並取而代之地控制沖洗液供給部24使沖洗液噴嘴24c往晶圓W中心之上方移動。在此一狀態下，如圖7(a)所示，控制旋轉保持部20使晶圓W以轉速ω1旋轉。與此同時，控制沖洗液供給部24，自沖洗液噴嘴24c噴吐沖洗液L2。藉此，對晶圓W的表面Wa供給沖洗液L2。藉由將被顯影液L1溶解出的光阻膜R之成分與顯影液L1一同地以沖洗液L2洗去，而如圖7(b)所示地形成光阻圖案P。光阻圖案P為，具有凸部Ra及凹部Rb之凹凸圖案。另，轉速ω1，例如為500~1000rpm。亦可使轉速ω1更大(例如1000rmp~15000rpm)。沖洗液L2的供給時間，例如為15~30秒。亦可使此一供給時間更大(例如30~600秒)。

如此地，控制部27，控制旋轉保持部20及顯影液供給部23，使晶圓W旋轉並對表面Wa供給顯影液。之後，控制旋轉保持部20及沖洗液供給部24，使晶圓W旋轉並對表面Wa供給沖洗液，藉以在表面Wa形成凹凸圖案。亦即，控制部27作為圖案形成控制部而運作。

而後，控制沖洗液供給部24，使沖洗液噴嘴24c自晶圓W上後退，並取而代之地控制充填液供給部25，使充填液噴嘴25c往晶圓W中心之上方移動。此一狀態下，如圖8(a)所示地，控制旋轉保持部20使晶圓W以轉速ω2旋轉。與此同時，控制充填液供給部25，自充填液噴嘴25c噴吐充填液L3。藉此，對光阻圖案P上供給充填液L3。光阻圖案P上之中央部中，沖洗液L2被置換為充填液L3，形成充填液L3之液灘。另，轉速ω2為例如100rpm。

接著，如圖8(b)所示，控制旋轉保持部20使晶圓W以較轉速ω2更大的轉速ω3旋轉，於光阻圖案P上之全域中將沖洗液L2置換為充填液L3。另，轉速ω3為例如1000~2000rpm。

而後，如圖8(c)所示，控制旋轉保持部20使晶圓W以轉速ω4旋轉。與此同時，控制背面沖洗液供給部26，自背面沖洗液噴嘴26c噴吐背面沖洗液L4。藉此，對晶圓W的背面Wb之邊緣部供給背面沖洗液。亦即，控制部27作為背面沖洗控制部而運作。藉由背面沖洗液的供給，而可防止充填劑對晶圓W的背面Wb之附著。另，轉速ω4為例如1500~2000rpm。

接著，如圖8(d)所示，控制旋轉保持部20使晶圓W以轉速ω5旋轉，使光阻圖案P上的充填液乾燥。藉此，以充填劑之被膜F覆蓋光阻圖案P全體，並將較凸部Ra更低之充填部Fa形成於凹部Rb。另，轉速ω5為例如1500~2000rpm。

亦即，控制部27，控制旋轉保持部20及充填液供給部25，使晶圓W旋轉並對光阻圖案P上供給充填液L3，將沖洗液L2置換為充填液L3。而後，控制旋轉保持部20以使晶圓W旋轉，使光阻圖案P上的充填液L3乾燥，藉以將較凸部Ra更低之充填部Fa形成於凹部Rb。亦即，控制部27作為充填控制部而運作。

如以上所述地結束顯影處理。若依此一顯影處理單元U1，則在將沖洗液L2置換為充填液L3後，伴隨晶圓W之旋轉而進行充填液L3的乾燥，將較凸部Ra更低之充填部Fa形成於凹部Rb。充填部Fa，作為抵抗光阻圖案P的崩塌之支撐部而運作。因此，即便伴隨充填液L3的乾燥之表面張力作用於光阻圖案P，仍抑制光阻圖案P的崩塌。此外，藉由使充填部Fa的高度較凸部Ra更低，與形成較凸部Ra更高的充填部Fa相比，光阻圖案P的崩塌難度提高。因此，可充分地抑制光阻圖案P的崩塌。

另，本案發明人等如同下述地，推論藉由使充填部Fa的高度較凸部Ra更低而提高光阻圖案P的崩塌難度之要因。亦即，形成較凸部Ra更低的充填部Fa之情況，與形成較凸部Ra更高的充填部Fa相比，可減低充填液L3中之充填劑的濃度。藉此，充填液L3之黏性降低，故更確實地將沖洗液L2置換為充填液L3。因此，充填液L3遍及至更細部，穩固地支撐光阻圖案P。

此外，藉由使充填部Fa的高度較凸部Ra更低，而防止外觀上之光阻圖案P的消失，故可不去除充填部Fa地檢查光阻圖案P之外觀，移送至後段之蝕刻步驟。另外，後段之蝕刻步驟中，可藉由晶圓W的蝕刻而去除充填部Fa。因此，無設置僅以去除充填部Fa為目的之步驟的必要，故可抑制處理量的降低。

作為充填控制部之控制部27，亦可在充填液L3存在於光阻圖案P上的狀態，控制旋轉保持部20使晶圓W的旋轉方向逆轉。例如，可在使晶圓W以轉速ω3旋轉時，於中途使晶圓W的旋轉方向逆轉。此一情況，充填部Fa遍及至更細部，更穩固地支撐光阻圖案P。因此，可進一步抑制光阻圖案P的崩塌。

作為充填控制部之控制部27，亦可控制加熱‧冷卻單元U2，在乾燥充填液L3時將晶圓W加熱。亦即，以顯影處理單元U1構成之基板處理裝置，可更具備加熱‧冷卻單元U2。此一情況，由於促進充填部Fa之形成，故可進一步抑制光阻圖案P的崩塌。

作為圖案形成控制部之控制部27，可在控制沖洗液供給部24將水作為沖洗液L2供給後，控制沖洗液供給部24將界面活性劑之水溶液作為沖洗液L2供給。此一情況，在形成充填部Fa時，充填部Fa遍及至更細部，故更穩固地支撐光阻圖案P。因此，可進一步抑制光阻圖案P的崩塌。

作為背面沖洗控制部之控制部27，控制背面沖洗液供給部26，在以轉速ω3使充填液L3擴散後，以轉速ω5使充填液L3乾燥前，對晶圓W之背面Wb供給背面沖洗液L4。將迴流至晶圓W的背面Wb之充填液L3以背面沖洗液L4洗去，故防止充填劑對晶圓W的背面Wb之附著。

另，供給背面沖洗液L4，若在充填部Fa之形成途中或形成後則在任一時間點皆可。例如，可在以轉速ω3旋轉晶圓W而使充填液L3擴散時供給背面沖洗液L4。亦可在以轉速ω2旋轉晶圓W而供給充填液L3時供給背面沖洗液L4。此等情況，防止以轉速ω3使充填液L3擴散時充填液L3迴流至晶圓W的背面Wb之情形，故防止充填劑對晶圓W的背面Wb之附著。亦可在以轉速ω5使充填液L3乾燥後供給背面沖洗液L4，將附著於晶圓W的背面Wb之充填劑洗去。

以上，雖對本發明之最佳實施形態加以說明，但本發明不必非得限定於上述實施形態，可在不逸脫其要旨之範圍內進行各式各樣的變更。例如，背面沖洗液L4的供給並非為必須。亦可使一個液體供給機構兼作沖洗液供給部24及充填液供給部25。【實施例】

接著對實施例及比較例進行說明，但本發明並未限定為以下的實施例及比較例。

〔試樣的製作〕藉由以下的實施例1~7及比較例1、2，製作評價用之試樣。

(實施例1)在20片晶圓W的表面Wa形成下層反射防止膜後，於其上形成ArF準分子雷射用之光阻膜R。使下層反射防止膜的厚度為38nm，使光阻膜的膜厚為135nm。其次，對各晶圓W的光阻膜R施行ArF準分子雷射(波長193nm)所產生之曝光處理。使雷射光的照射量(Dose量)之最小值及最大值分別為15.5mJ/cm² 、25mJ/ cm² ，於各晶圓W使Dose量以0.5mJ/cm² 的度量改變。此外，使光阻圖案P之目標間距為45nm。

對曝光處理後之各晶圓W，施行上述顯影處理。顯影處理中，使沖洗液L2為DIW，使沖洗液L2的供給時間為15秒。使充填液L3為水溶性聚合物之水溶液，使充填液L3中之水溶性聚合物的濃度(以下稱作「充填液的濃度」)為5%。作為水溶性聚合物，使用以丙烯酸酯為主成分的材料。使充填液L3的供給時間為5秒，使供給充填液L3時的轉速ω2為100rpm。

(實施例2)使充填液的濃度為4%，使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(實施例3)使充填液的濃度為3%，使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(實施例4)使充填液的濃度為2%，使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(實施例5)使充填液的濃度為1%，使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(實施例6)在乾燥充填液L3時將晶圓W加熱。使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(實施例7)使沖洗液L2的供給時間為180秒。使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(比較例1)不施行充填液L3的供給，而在供給沖洗液L2後使沖洗液L2乾燥。使其他條件與實施例1相同而製作試樣。

(比較例2)在將DIW作為沖洗液L2供給後，將界面活性劑之水溶液作為沖洗液L2供給。使DIW的供給時間為15秒，使界面活性劑之水溶液的供給時間為5秒。使其他條件與比較例1相同而製作試樣。

〔光阻圖案P的狀態確認〕對實施例1~5及比較例1、2，施行使Dose量為16mJ/cm² 之試樣的光阻圖案P之狀態確認。圖9(a)~(g)分別為，比較例1、2及實施例1~5之試樣所形成的光阻圖案P之電子顯微鏡照片。

比較例1之試樣中，凸部Ra的高度H1及寬度B1分別為108.1nm、43.7nm。比較例2之試樣中，凸部Ra的高度H2及寬度B2分別為105.2nm、55.6nm。

實施例1之試樣中，凸部Ra的高度H3及寬度B3分別為96.2nm、54.6nm。寬度B3，與比較例1中的寬度B1相比約大25%。充填部Fa的高度H’3，為凸部Ra的高度H3之約50%。

實施例2之試樣中，凸部Ra的高度H4及寬度B4分別為105.2nm、47.6nm。寬度B4，與比較例1中的寬度B1相比約大9%。充填部Fa的高度H’4，為凸部Ra的高度H4之約25%。

實施例3之試樣中，凸部Ra的高度H5及寬度B5分別為122.0nm、46.6nm。寬度B5，與比較例1中的寬度B1相比約大7%。充填部Fa的高度H’5，為凸部Ra的高度H5之約20%。

實施例4之試樣中，凸部Ra的高度H6及寬度B6分別為114.0nm、44.6nm。寬度B6，與比較例1中的寬度B1相比約大2%。充填部Fa的高度H’6，為凸部Ra的高度H5之約10%。

實施例5之試樣中，凸部Ra的高度H7及寬度B7分別為109.1nm、43.7nm。寬度B7，與比較例1中的寬度B1相同。充填部Fa高度極小故無法測定。

〔光阻圖案P的崩塌難度之評價〕對於實施例1~7及比較例1、2之各試樣，評價有無光阻圖案P的崩塌。評價結果如圖10顯示。圖10，將各例之試樣的評價結果，以Dose量的升序於行方向排列。標上影線的格子，表示未發生光阻圖案P的崩塌，而未標上影線的格子，表示發生光阻圖案P的崩塌。一旦Dose量變大，則凸部Ra的寬度變小，故容易發生光阻圖案P的崩塌。而若光阻圖案P的崩塌難度提高，則圖10中之影線的範圍往下方變大。

如圖10所示，比較例1中，未發生光阻圖案P的崩塌之Dose量的上限值為17.5mJ/cm² 。比較例2中，未發生光阻圖案P的崩塌之Dose量的上限值為19mJ/ cm² ，與比較例1相比更大。亦即，比較例2與比較例1相比，光阻圖案P的崩塌難度提高。吾人認為此係因，將沖洗液自DIW切換為界面活性劑之水溶液，而在沖洗液的乾燥時作用於光阻圖案P之表面張力降低之故。

實施例1~7中，未發生光阻圖案P的崩塌之Dose量的上限值分別為22mJ/ cm² 、23mJ/cm² 、22mJ/cm² 、20mJ/cm² 、20mJ/cm² 、22.5mJ/cm² 、23.5mJ/cm² ，皆較比較例1、2更大。亦即，實施例1~7之任一例中，光阻圖案P的崩塌難度皆較比較例1、2提高。實施例1~7之任一例中，充填液的濃度皆為1%以上，故確認若充填液的濃度為1%以上，則提高光阻圖案P的崩塌難度。

實施例4、5中，與實施例1~3相比，光阻圖案P的崩塌難度之提高較小。吾人認為，此係因實施例4、5的試樣中之充填部Fa的高度較小之故。如同上述，實施例3的試樣中之充填部Fa的高度H’4，為凸部Ra的高度H4之約20%，故吾人認為宜使充填部Fa的高度相對於凸部Ra的高度宜為20%以上。實施例3中之充填液的濃度為3%，故認為更宜使充填液的濃度為3%以上。

實施例2，與實施例3相比更提高光阻圖案P的崩塌難度，相對於此，實施例1中，與實施例2相比光阻圖案P的崩塌難度降低。本案發明人等，如同以下地推論其理由。亦即，推論出實施例1與實施例2相比，充填液的濃度較高，故變得難以將沖洗液置換為充填液，充填部變得難以遍及至細部。因此，推定若使充填部Fa的高度與實施例1相比更為增大，則光阻圖案P的崩塌難度進一步降低。

如同上述，實施例1的試樣中之充填部Fa的高度H’3，為凸部Ra的高度H3之約50%，故吾人認為宜使充填部Fa的高度相對於凸部Ra的高度為50%以下。實施例1中之充填液的濃度為5%，故宜使充填液的濃度為未滿10%，更宜為5%以下。實施例1的試樣中之凸部Ra的寬度B3，與比較例1中之凸部Ra的寬度B1相比約大25%，故吾人認為宜使伴隨充填部Fa的形成之凸部Ra的寬度之增加率未滿30%。

實施例6，與實施例1相比進一步提高光阻圖案P的崩塌難度。自此一結果來看，確認藉由在使充填液L3乾燥時將晶圓W加熱，而可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

實施例7，與實施例1相比進一步提高光阻圖案P的崩塌難度。自此一結果來看，確認藉由將沖洗液L2的供給時間增長，而可進一步抑制凹凸圖案的崩塌。

1‧‧‧塗布‧顯影裝置
11‧‧‧載具
11a‧‧‧側面
12‧‧‧載運站
13‧‧‧搬入‧搬出部
13a‧‧‧開閉扉
14‧‧‧下層反射防止膜形成(BCT)區塊
15‧‧‧光阻膜形成(COT)區塊
16‧‧‧上層反射防止膜形成(TCT)區塊
17‧‧‧顯影處理(DEV)區塊
20‧‧‧旋轉保持部
20a‧‧‧本體部
20b‧‧‧旋轉軸
20c‧‧‧吸盤
22‧‧‧升降裝置
23‧‧‧顯影液供給部(處理液供給部)
23a‧‧‧供給源
23b‧‧‧供給管
23c‧‧‧顯影液噴嘴
23d‧‧‧移動體
23e‧‧‧臂部
24‧‧‧沖洗液供給部
24a‧‧‧供給源
24b‧‧‧供給管
24c‧‧‧沖洗液噴嘴
24d‧‧‧移動體
24e‧‧‧臂部
25‧‧‧充填液供給部
25a‧‧‧供給源
25b‧‧‧供給管
25c‧‧‧充填液噴嘴
25d‧‧‧移動體
25e‧‧‧臂部
26‧‧‧背面沖洗液供給部
26a‧‧‧供給源
26b‧‧‧供給管
26c‧‧‧背面沖洗液噴嘴
27‧‧‧控制部(圖案形成控制部、充填控制部、背面沖洗控制部)
30‧‧‧杯體
31‧‧‧底板
31a‧‧‧液體排出孔
31b‧‧‧氣體排出孔
32‧‧‧外壁
32a‧‧‧上端
32b‧‧‧傾斜壁部
33‧‧‧內壁
33a‧‧‧上端
34‧‧‧間隔壁
35‧‧‧排液管
36‧‧‧排氣管
37‧‧‧傘狀部
38‧‧‧間隔板
40‧‧‧導軌
A1、A8‧‧‧傳遞臂
A2~A5‧‧‧搬運臂
A6‧‧‧直接搬運臂
A7‧‧‧升降臂
B1~B7‧‧‧寬度
C30~C38、C40~C42‧‧‧單元
E1‧‧‧曝光裝置
F‧‧‧被膜
Fa‧‧‧充填部
H1~H7‧‧‧高度
H’3~ H’6‧‧‧高度
h1~h4‧‧‧噴吐孔
L1‧‧‧顯影液(處理液)
L2‧‧‧沖洗液
L3‧‧‧充填液
L4‧‧‧背面沖洗液
P‧‧‧光阻圖案(凹凸圖案)
R‧‧‧光阻膜
Ra‧‧‧凸部
Rb‧‧‧凹部
S1‧‧‧載運區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
U1‧‧‧顯影處理單元(基板處理裝置)
U2‧‧‧加熱‧冷卻單元(熱處理部)
U10、U11‧‧‧棚架單元
W‧‧‧晶圓(基板
Wa‧‧‧表面
Wb‧‧‧背面
ω1~ω5‧‧‧轉速

【圖1】係具備本實施形態之基板處理裝置的塗布‧顯影系統之立體圖。【圖2】係沿著圖1中的II-II線之剖面圖。【圖3】係沿著圖2中的III-III線之剖面圖。【圖4】係顯示基板處理裝置的概略構成之剖面圖。【圖5】係顯示基板處理裝置的概略構成之俯視圖。【圖6】(a)、(b)係示意供給顯影液之步驟的圖。【圖7】(a)、(b)係示意供給沖洗液之步驟的圖。【圖8】(a)、(b)、(c)、(d)係示意形成充填部之步驟的圖。【圖9】(a)~(g)係以比較例及實施例形成之光阻圖案的剖面之電子顯微鏡照片。【圖10】係顯示以比較例及實施例形成之光阻圖案的崩塌難度之評價結果的圖。

20‧‧‧旋轉保持部

20a‧‧‧本體部

20b‧‧‧旋轉軸

20c‧‧‧吸盤

22‧‧‧升降裝置

23‧‧‧顯影液供給部(處理液供給部)

23a‧‧‧供給源

23b‧‧‧供給管

23c‧‧‧顯影液噴嘴

24‧‧‧沖洗液供給部

24a‧‧‧供給源

24b‧‧‧供給管

24c‧‧‧沖洗液噴嘴

25‧‧‧充填液供給部

25a‧‧‧供給源

25b‧‧‧供給管

25c‧‧‧充填液噴嘴

26‧‧‧背面沖洗液供給部

26a‧‧‧供給源

26b‧‧‧供給管

26c‧‧‧背面沖洗液噴嘴

27‧‧‧控制部

30‧‧‧杯體

31‧‧‧底板

31a‧‧‧液體排出孔

31b‧‧‧氣體排出孔

32‧‧‧外壁

32a‧‧‧上端

32b‧‧‧傾斜壁部

33‧‧‧內壁

33a‧‧‧上端

34‧‧‧間隔壁

35‧‧‧排液管

36‧‧‧排氣管

37‧‧‧傘狀部

38‧‧‧間隔板

h1~h4‧‧‧噴吐孔

U1‧‧‧顯影處理單元(基板處理裝置)

W‧‧‧晶圓(基板)

Wa‧‧‧表面

Wb‧‧‧背面

Claims (15)

1. 一種基板處理裝置，具有：旋轉保持部，保持基板而使其旋轉；處理液供給部，供給用以在該基板的表面形成凹凸圖案之處理液；沖洗液供給部，供給沖洗液；充填液供給部，供給充填劑的水溶液亦即充填液；圖案形成控制部，在控制該旋轉保持部及該處理液供給部以一面使該基板旋轉一面對該基板的表面供給該處理液後，控制該旋轉保持部及該沖洗液供給部以一面使該基板旋轉一面對該基板的表面供給該沖洗液，藉此方式而於該基板的表面形成該凹凸圖案；以及充填控制部，在控制該旋轉保持部及該充填液供給部以一面使該基板旋轉一面對該凹凸圖案上供給該充填液，將該沖洗液置換為該充填液後，控制該旋轉保持部使該基板旋轉，令該凹凸圖案上的該充填液乾燥，藉以將較該凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於該凹凸圖案的凹部。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該充填控制部，控制該旋轉保持部及該充填液供給部，以將具有該凸部的高度之20~50%的高度之該充填部形成於該凹部。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該充填控制部，控制該旋轉保持部及該充填液供給部，使伴隨該充填部的形成之該凸部的寬度之增加率未滿30%。
4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該充填控制部，控制該旋轉保持部，以在該充填液存在於該凹凸圖案上的狀態，使該基板的旋轉方向逆轉。
5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具備用來加熱該基板之熱處理部；該充填控制部，控制該熱處理部，以於乾燥該充填液時將該基板加熱。
6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該圖案形成控制部，在控制該沖洗液供給部以將水作為該沖洗液供給後，控制該沖洗液供給部以將界面活性劑之水溶液作為該沖洗液供給。
7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具備：背面沖洗液供給部，對該基板的背面之邊緣部供給背面沖洗液；以及背面沖洗控制部，在該充填部之形成途中或形成後，控制該背面沖洗液供給部，以對該基板的背面之邊緣部供給該背面沖洗液。
8. 一種基板處理方法，包含如下步驟：在一面旋轉基板一面對該基板的表面供給處理液之後，一面旋轉該基板一面對該基板的表面供給沖洗液，藉以在該基板的表面形成凹凸圖案；在一面旋轉該基板一面對該凹凸圖案上供給充填劑之水溶液亦即充填液以將該沖洗液置換為該充填液之後，旋轉該基板使該凹凸圖案上的該充填液乾燥，藉以將較該凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於該凹凸圖案的凹部。
9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，將具有該凸部的高度之20~50%的高度之該充填部形成於該凹部。
10. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，使伴隨該充填部的形成之該凸部的寬度之增加率未滿30%。
11. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，在該充填液存在於該凹凸圖案上的狀態，使該基板的旋轉方向逆轉。
12. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，在乾燥該充填液時，將該基板加熱。
13. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，在將水作為該沖洗液供給後，將界面活性劑之水溶液作為該沖洗液而供給。
14. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，在該充填部之形成途中或形成後，對該基板的背面之邊緣部供給背面沖洗液。
15. 一種電腦可讀取之基板處理用記錄媒體，記錄有用以使基板處理裝置實行如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法的程式。