TW202403464A - 基板處理方法、記錄媒體、及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基板處理方法，包含：包括顯影處理之藉由基板上的光阻形成凹凸圖案的步驟；藉由對凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液，而將凸部補強的步驟；進行凸部的硬化處理的步驟；以及除去包含補強的步驟中受到補強的部分之該凹凸圖案的一部分的步驟。

Description

基板處理方法、記錄媒體、及基板處理裝置

本發明係關於基板處理方法、記錄媒體、及基板處理裝置。

在專利文獻1中，揭示了一種在形成了粗的線寬之光阻圖案之後，藉由全面曝光並顯影來縮小線寬的手法，作為形成細微的光阻圖案的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2001－291651號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明提供一種有效抑制光阻圖案的缺陷之技術。 [解決問題之技術手段]

依本發明的一態樣的基板處理方法，包含：包括顯影處理之藉由基板上的光阻形成凹凸圖案的步驟；藉由對該凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液，而將凸部補強的步驟；進行該凸部的硬化處理的步驟；以及除去包含該補強的步驟中受到補強的部分之該凹凸圖案的一部分的步驟。 [發明效果]

根據本發明，提供一種有效抑制光阻圖案的缺陷之技術。

以下，針對各種例示的實施態樣加以說明。在說明中，對同樣要素或具有同樣功能的要素附加同樣的符號，並省略重複的說明。

［基板處理系統］ 首先，參照圖1及圖2來說明基板處理系統1(基板處理裝置)的概略構成。基板處理系統1為對基板施行感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光及該感光性被膜的顯影之系統。作為處理對象的工件W例如係基板，或藉由施行既定的處理而形成有膜或電路等之狀態的基板。工件W所包括的基板，舉一例而言為含有矽的晶圓。工件W(基板)可形成為圓形。作為處理對象的工件W亦可為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)等，或亦可為對該等基板等施行既定處理所得到的中間體。感光性被膜例如為光阻膜。

基板處理系統1具備：塗佈・顯影裝置2、曝光裝置3與控制裝置100。曝光裝置3為對在工件W(基板)上所形成的光阻膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3藉由液浸曝光等方法對光阻膜的曝光對象部分照射曝光用的能量線。塗佈・顯影裝置2係在利用曝光裝置3進行曝光處理之前，進行對工件W(基板)的表面塗佈光阻(化學液)而形成光阻膜的處理。又，塗佈・顯影裝置2在曝光處理之後進行光阻膜的顯影處理。

(基板處理裝置) 以下，作為基板處理裝置的一例，說明塗佈・顯影裝置2的構成。如圖1及圖2所示，塗佈・顯影裝置2(基板處理裝置)具備：載具區塊4、處理區塊5與中介區塊6。

載具區塊4進行向塗佈・顯影裝置2內導入工件W以及從塗佈・顯影裝置2內導出工件W。例如載具區塊4係能夠支持工件W用的複數載具C，且內建有包含傳遞臂的搬運裝置A1。載具C例如收納複數片圓形的工件W。搬運裝置A1從載具C取出工件W並向處理區塊5傳遞，且從處理區塊5接受工件W，返回至載具C內。處理區塊5具有複數個處理模組11、12、13、14。

處理模組11內建有塗佈單元U1、熱處理單元U2與向該等單元搬運工件W的搬運裝置A3。處理模組11利用塗佈單元U1及熱處理單元U2在工件W的表面上形成下層膜。塗佈單元U1對工件W上塗佈下層膜形成用的處理液。熱處理單元U2進行伴隨下層膜的形成之各種熱處理。

處理模組12內建有塗佈單元U1、熱處理單元U2與向該等單元搬運工件W的搬運裝置A3。處理模組12利用塗佈單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成光阻膜。塗佈單元U1在下層膜之上塗佈光阻，作為光阻膜形成用的處理液。熱處理單元U2進行伴隨光阻膜的形成的各種熱處理。藉此，在工件W的表面形成光阻膜。

處理模組13內建有塗佈單元U1、熱處理單元U2與向該等單元搬運工件W的搬運裝置A3。處理模組13利用塗佈單元U1及熱處理單元U2在光阻膜上形成上層膜。塗佈單元U1在光阻膜上塗佈上層膜形成用的處理液。熱處理單元U2進行伴隨上層膜的形成之各種熱處理。

處理模組14內建有顯影單元U3(顯影處理部、補強處理部、除去處理部)、熱處理單元U4(補強處理部、硬化處理部)與向該等單元搬運工件W的搬運裝置A3。處理模組14利用顯影單元U3及熱處理單元U4，進行包含曝光後的光阻膜的顯影處理之一連串的處理。顯影單元U3藉由在曝光完成的工件W的表面上塗佈(供給)顯影液，來部分除去光阻膜(進行顯影處理)。換言之，顯影單元U3在工件W的表面上形成作為凹凸圖案的光阻圖案。顯影單元U3為了將顯影液洗掉，而對工件W的表面供給清洗液。又，顯影單元U3在將光阻圖案的凹部內的清洗液置換為處理液之後，在該凹部內形成補強材料(參照圖9(b))。熱處理單元U4進行伴隨顯影處理之各種熱處理。作為伴隨顯影處理之熱處理的具體例，可列舉顯影處理前的加熱處理(PEB，Post Exposure Bake)、顯影處理後的加熱處理(PB，Post Bake)等。

在處理區塊5內的載具區塊4側，設置有棚架單元U10。棚架單元U10被區劃出沿著上下方向並排的複數個小單元。在棚架單元U10的附近設置有包含升降臂的搬運裝置A7。搬運裝置A7使工件W在棚架單元U10的小單元彼此之間升降。

在處理區塊5內的中介區塊6側，設置有棚架單元U11。棚架單元U11被區劃出沿著上下方向並排的複數個小單元。

中介區塊6在與曝光裝置3之間進行工件W的傳遞。例如中介區塊6內建有包含傳遞臂的搬運裝置A8，並與曝光裝置3連接。搬運裝置A8將配置在棚架單元U11的工件W向曝光裝置3傳遞。搬運裝置A8從曝光裝置3接受工件W，返回至棚架單元U11。

(顯影單元) 接著，參照圖3，針對顯影單元U3的一例加以說明。如圖3所示，顯影單元U3具備：旋轉固持部20與三個液供給部30a、30b、30c。顯影單元U3作為塗佈・顯影裝置2中的顯影處理部、補強處理部、除去處理部發揮功能。

旋轉固持部20具有：旋轉驅動部21、軸部22與固持部23。旋轉驅動部21係依據來自控制裝置100的致動信號進行動作，使軸部22旋轉。旋轉驅動部21例如內建有電動馬達等作為動力源。固持部23設置在軸部22的前端部。在固持部23上配置工件W。固持部23例如利用吸附等來略水平地固持工件W。亦即，旋轉固持部20係在工件W的姿態為略水平的狀態下，以繞對於工件W的表面Wa垂直的中心軸(旋轉軸)的方式使工件W旋轉。在圖3的例子，旋轉固持部20使工件W從上方觀察下以逆時針方向在既定的轉速下旋轉。

液供給部30a對工件W的表面Wa供給顯影液L1。顯影液L1為用於對光阻膜R施行顯影處理來形成光阻圖案的化學液。例如，藉由對光阻膜R供給顯影液L1，而使得光阻膜R當中之曝光用的能量線照射過的部分(在曝光處理中被曝光的區域)產生反應，來除去該部分。換言之，使用正型的光阻圖案(光阻材料)亦可。作為除去曝光過的區域之顯影液L1，例如可舉出鹼性溶劑。此外，亦可藉由對光阻膜R供給顯影液L1，而使得光阻膜R當中之曝光用的能量線未照射過的部分(在曝光處理中未被曝光的區域)產生反應來除去該部分。換言之，使用負型的光阻圖案(光阻材料)亦可。作為除去未曝光的區域之顯影液L1，例如可舉出有機溶劑。在以下的實施態樣，針對藉由正型的光阻材料形成光阻圖案的情況加以說明。

液供給部30b對工件W的表面Wa(形成有光阻圖案的光阻膜R)供給清洗液L2。清洗液L2為能夠將顯影液L1洗掉的化學液即可。例如清洗液L2亦可為水(純水)。液供給部30a及液供給部30b構成進行光阻膜R的顯影處理之顯影處理部。

液供給部30c(補強處理部)對工件W的表面Wa供給處理液L3。處理液L3為用於在光阻圖案的凹部內形成作為補強材料的水溶性材料之化學液。處理液L3亦可為能夠在液體狀態下供給至工件W，並利用既定的處理(例如工件W的旋轉)來進行乾燥而將其固化之化學液。處理液L3，作為一個例子，亦可為含有水溶性的吸附性聚合物之水溶性材料液。所謂水溶性材料液是指水溶性材料溶解於以水作為溶劑來使用的液體中之液體。水溶性的吸附性聚合物亦可為對於光阻圖案具有吸附性的聚合物，例如，乙酸乙烯酯系乳濁液，或亦可為丙烯酸系乳濁液。雖然在處理液L3中含有特定的成分，但其含有量亦可根據成為供給處理液L3的對象之光阻膜R等的特性來進行調整。

液供給部30a、30b、30c各自具備：液源31、閥體33、噴嘴34與配管35。液供給部30a、30b、30c之液源31各自經由閥體33及配管35而向噴嘴34供給化學液。液供給部30a、30b、30c之噴嘴34係以吐出口朝向工件W的表面Wa的方式，各自被配置在工件W的上方。噴嘴34朝向工件W的表面Wa吐出從液源31所供給的化學液。配管35連接液源31和噴嘴34之間。閥體33將配管35內的流路在開狀態與閉狀態之間進行切換。此外，顯影單元U3亦可具備使噴嘴34在水平方向往復移動的驅動機構(未圖示)。

(熱處理單元) 接著，參照圖4針對熱處理單元U4的一例加以說明。如圖4所示，熱處理單元U4具備：熱板44、腔室40、複數個支持銷46與氣體供給部50。熱處理單元U4作為塗佈・顯影裝置2中的補強處理部、硬化處理部發揮功能。

熱板44包含加熱器45。熱板44支持作為熱處理對象(進行溶劑除去的對象)的工件W，並加熱所支持的該工件W。熱板44，作為一個例子，形成為略圓板狀。熱板44的直徑比工件W的直徑更大亦可。熱板44亦可由熱傳導率高的鋁、銀、或銅等金屬所構成。加熱器45使熱板44的溫度上升。加熱器45亦可由電阻發熱元件所構成。藉由對加熱器45流過依據來自控制裝置100的指示的電流，而使得加熱器45發熱。接著，來自加熱器45的熱會傳導，而使得熱板44的溫度上升。

腔室40形成進行熱處理的熱處理空間。腔室40具備上腔室41與下腔室42。上腔室41與驅動部(不圖示)連接，並相對於下腔室42在上下方向移動。上腔室41包含：與熱板44上的工件W對向的頂板；以及包圍熱板44上的工件W的側壁。下腔室42包含了固持部43，來固持熱板44。

支持銷46為從下方支持工件W的銷體。支持銷46在上下方向延伸，俾貫通熱板44。複數個支持銷46亦可在繞熱板44的中心之圓周方向彼此等間隔地配置。驅動部47依照控制裝置100的指示使支持銷46升降。驅動部47例如為升降致動器。

氣體供給部50對腔室40內(熱處理空間)供給氣體。例如，氣體供給部50對腔室40內供給氮氣。氣體供給部50具備：氣體供給源53、閥體52和配管54。氣體供給源53作為氣體的供給源發揮功能。閥體52依照控制裝置100的指示在開狀態與閉狀態之間進行切換。氣體供給源53在閥體52為開狀態之時，經由配管54向腔室40內(熱處理空間)送出氣體。

(控制裝置) 接著，例示控制裝置100的具體的構成。控制裝置100部分或整體地控制基板處理系統1。控制裝置100執行：在工件W的表面Wa藉由光阻形成凹凸圖案的步驟；對凹凸圖案進行形成補強部的處理的步驟；進行補強過的凹凸圖案的硬化處理的步驟；以及除去包含補強部的凹凸圖案的一部分的步驟。

控制裝置100由一個或複數個控制用電腦所構成。例如控制裝置100具有如圖5所示的電路120。電路120具有一個或複數個處理器121、記憶體122、儲存裝置123和輸入輸出埠124。儲存裝置123例如為硬碟等具有能夠藉由電腦讀取的記錄媒體。記錄媒體儲存了用於使控制裝置100執行後述的基板處理步驟的程式。記錄媒體亦可為非揮發性的半導體記憶體、磁碟及光碟等能夠取出的媒體。記憶體122暫時地儲存從儲存裝置123亦即記錄媒體載入的程式及來自處理器121的演算結果。處理器121藉由與記憶體122協同執行上述程式，而構成用於執行後述的基板處理步驟的複數個功能模組。輸入輸出埠124依照來自處理器121的指令，在與控制對象的構件之間進行電信號的輸入輸出。

在控制裝置100係由複數個控制用電腦所構成的情況下，複數個功能模組亦可各自由個別的控制用電腦來實現。或者，該等各功能模組亦可各自由組合2個以上的控制用電腦來實現。在該等情況下，複數個控制用電腦亦可在彼此能夠通信連接的狀態下，協同執行後述的基板處理步驟。此外，控制裝置100的硬體構成不一定限於由程式構成各功能模組者。例如控制裝置100的各功能模組亦可由專用的邏輯電路或整合了此邏輯電路的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)所構成。

［基板處理步驟］ 接著，作為基板處理方法的一例，說明在基板處理系統1所執行的基板處理步驟。控制裝置100例如在以下的步驟控制基板處理系統1，以執行包含塗佈・顯影處理的基板處理。首先，控制裝置100控制搬運裝置A1，以向棚架單元U10搬運載具C內的工件W，並控制搬運裝置A7，俾使該工件W配置在處理模組11用的小單元。

接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向處理模組11內的塗佈單元U1及熱處理單元U2，搬運棚架單元U10的工件W。又，控制裝置100控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，以在此工件W的表面Wa上形成下層膜。在那之後，控制裝置100控制搬運裝置A3，俾使形成有下層膜的工件W返回至棚架單元U10，並控制搬運裝置A7，俾使此工件W配置在處理模組12用的小單元。

接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向處理模組12內的塗佈單元U1及熱處理單元U2，搬運棚架單元U10的工件W。又，控制裝置100控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，以在此工件W的下層膜上形成光阻膜R。在那之後，控制裝置100控制搬運裝置A3，俾使工件W返回至棚架單元U10，並控制搬運裝置A7，俾使此工件W配置在處理模組13用的小單元。

接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向處理模組13內的各單元，搬運棚架單元U10的工件W。又，控制裝置100控制塗佈單元U1及熱處理單元U2，以在此工件W的光阻膜R上形成上層膜。在那之後，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向棚架單元U11搬運工件W。

接著，控制裝置100控制搬運裝置A8，以向曝光裝置3送出收納在棚架單元U11的工件W。接著，在曝光裝置3，對在工件W所形成的光阻膜R施行曝光處理。在那之後，控制裝置100控制搬運裝置A8，以從曝光裝置3接受施行完曝光處理的工件W，並將該工件W配置在棚架單元U11中的處理模組14用的小單元。

接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向處理模組14的熱處理單元U4搬運棚架單元U11的工件W。接著，控制裝置100開始進行控制，以執行伴隨顯影處理的熱處理及包括顯影處理之一連串的處理步驟(在以下，稱為「顯影處理步驟」。)。此顯影處理步驟之詳情會在後面敘述。藉由執行顯影處理步驟，而在工件W的表面Wa形成光阻圖案。在以上步驟完成包含塗佈・顯影處理的基板處理。

(顯影處理步驟) 接著，參照圖6及圖7，針對顯影處理步驟的一例加以說明。圖6係表示顯影處理步驟的一例的流程圖。首先，控制裝置100執行步驟S01。在步驟S01，控制裝置100控制塗佈單元U1及曝光裝置3，以對工件W執行處理膜的形成及曝光處理。又，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向熱處理單元U4搬運「利用曝光裝置3而完成曝光後之工件W」。

接著，控制裝置100執行步驟S02。在步驟S02，控制裝置100控制熱處理單元U4，以對施行了曝光處理的工件W，在既定的溫度施行既定時間的熱處理。接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向顯影單元U3搬運顯影前之施行了熱處理的工件W。

接著，控制裝置100執行步驟S03。在步驟S03，作為第一顯影處理，控制裝置100控制顯影單元U3，對在工件W的表面Wa所形成的光阻膜R供給顯影液L1。例如，控制裝置100一邊控制旋轉驅動部21使工件W以既定轉速旋轉，一邊使液供給部30a的閥體33為開狀態，而使顯影液L1從噴嘴34吐出。藉此，進行光阻膜R的顯影處理，而在工件W的表面Wa形成具有複數個凸部201與複數個凹部202的光阻圖案200A(參照圖7(a))。此外，光阻膜R當中之未除去的部分(例如在曝光處理時未感光的部分)成為凸部201，光阻膜R當中之已除去的部分(相鄰的凸部201彼此之間的空間)成為凹部202。凸部201雖然基本上為未進行曝光的區域，但凸部201的表面，亦即對應於凹部202的面之表面附近成為進行一部分曝光之中間曝光區域201a。

上述的步驟S03為第一顯影處理，而非形成光阻圖案的完成形態之階段。因此，與最終在工件W所形成的光阻圖案的凸部的寬度相比，在步驟S03後所形成的光阻圖案200A的凸部201的寬度為較大者。換言之，由於殘存有中間曝光區域201a，故凸部201變得比所希望的圖案形狀還大。另一方，凹部202與最終在工件W所形成的光阻圖案的凹部相比為較小的狀態。光阻圖案200A，亦可變成凸部201的下方寬度比上方大，亦即變成所謂基腳(footing)形狀。此時，凸部201的側面以下方為寬幅的方式傾斜亦可。到目前為止的步驟S01～S03對應於藉由光阻形成凹凸圖案的步驟。

接著，控制裝置100執行步驟S04。在步驟S04，控制裝置100控制顯影單元U3，以對工件W供給處理液L3亦即水溶性材料液。具體而言，控制裝置100使顯影單元U3開始對工件W的表面Wa供給處理液L3。例如，控制裝置100一邊控制旋轉驅動部21使工件W以既定轉速旋轉，一邊使液供給部30c的閥體33為開狀態，而使顯影單元U3開始從噴嘴34吐出處理液L3。在那之後，控制裝置100只在既定時間使顯影單元U3繼續工件W的旋轉及對工件W的表面Wa供給處理液L3。藉此，變為對表面Wa上的凹部202導入處理液L3的狀態(參照圖7(b))。處理液L3的供給量可調整為凹部202不被處理液L3填滿的程度。換言之，凸部201的頂面可被調整為比處理液L3的水面更上方。接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向熱處理單元U4搬運被供給有處理液L3(水溶性材料液)的工件W。步驟S04對應於藉由供給水溶性材料液而將凸部補強的步驟。

接著，控制裝置100執行步驟S05。在步驟S05控制裝置100控制熱處理單元U4，以對施行完曝光處理的工件W，在既定的溫度下施行既定時間的熱處理。此時，由於從未將工件W上的處理液L3乾燥的狀態下，就開始對工件W的加熱，故藉由加熱滯留在工件W的凹部202的水溶性材料液，來固化內部的水溶性材料。其結果，變成水溶性材料作為水溶性膜M附著於在凹部202內與處理液L3相接的凸部201之表面的狀態。在被加熱至既定的溫度的狀態下，藉由在凹部202的表面形成水溶性膜M，而使水溶性膜M中所含有的成分補強凸部201。步驟S05對應於藉由供給水溶性材料液而將凸部補強的步驟，又，對應於進行凸部的硬化處理的步驟。

具體而言，水溶性材料作為補強構成凸部201之光阻材料之作用，例如在水溶性材料為水溶性的吸附性聚合物的情況下，由於吸附性聚合物在被硬化的狀態下覆蓋凸部201的表面的一部分，故能夠防止凸部201的變形。此外，為了使吸附性聚合物硬化，在步驟S05的加熱溫度被設為比吸附性聚合物的玻璃轉移溫度Tg更低的溫度。藉此，乾燥並固化吸附性聚合物，作為覆蓋中間曝光區域201a的一部分的水溶性膜M而形成。此外，即使在玻璃轉移溫度Tg以上，在其差不增大的程度之加熱溫度的情況下，亦能夠進行水溶性膜M的形成。

由於在利用水溶性膜M來補強膜的狀態下進行於步驟S05中的加熱，而提升構成凸部201的光阻本身的強度，故可抑制圖案崩塌的發生。

此外，在步驟S05，若在靠近凸部201的下側(工件W的表面Wa)的一側促進水溶性膜M的形成的話，則吸附性聚合物引起之對凸部201的補強硬化亦被提升。因此，亦可在步驟S05，變更熱處理單元U4之各部的條件，俾使處理液L3(水溶性材料液)的濃度在上側為低，在下側為高。具體而言，可考慮藉由提高在熱處理單元U4內的工件W上方之濕度，或者，對工件W的上方以霧狀噴出純水等，而相對地提高接近凸部201的下側(工件W的表面Wa)的一側之處理液L3的濃度。

既定溫度及既定時間的加熱結束之後，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向顯影單元U3搬運工件W。

接著，控制裝置100執行步驟S06。在步驟S06，作為第二顯影處理，控制裝置100控制顯影單元U3，對在工件W的表面Wa所形成的光阻膜R供給以清洗液L2為基礎的顯影液。例如，控制裝置100一邊控制旋轉驅動部21使工件W以既定轉速旋轉，一邊使液供給部30b的閥體33為開狀態，而使清洗液L2從噴嘴34吐出。藉此，進行光阻圖案200A的顯影處理。步驟S06對應於除去包含補強的步驟中受到補強的部分之凹凸圖案的一部分的步驟。

步驟S06的第二顯影處理係以除去水溶性膜M為目的。因此，不進行「與第一顯影處理同樣地使用了顯影液L1之顯影處理」，並調整顯影條件，俾使光阻材料的除去量變少。為此，例如使用清洗液L2來進行處理。但是，由於在步驟S05加熱水溶性膜M而使其硬化，故存在難以用純水除去水溶性膜M這種可能性。該情況下，亦可設置成：準備「對清洗液L2少量混合顯影液L1之狀態的液體」，而將其供給至工件W之構成。進一步而言，亦可設置成：使用加溫清洗液L2後的液體之處理。進一步而言，亦可設置成：另外準備混合了清洗液L2與活性劑之液體，並使用此液體之處理。

在步驟S06，不只水溶性膜M，且亦除去其周邊的光阻圖案的一部分。尤其是存在於水溶性膜M的周圍之中間曝光區域201a，即使在此階段尚未被水溶性膜M覆蓋的條件下也能夠被除去。此結果如圖7(d)所示，在工件W的表面Wa形成具有複數個凸部203與複數個凹部204之光阻圖案200B。此光阻圖案200B變成了適合後續處理之圖案的大小。亦即，凸部203及凹部204變成了對應於最終必要的光阻圖案的形狀者。

又，藉由進行水溶性膜M的除去，最終提升表面的平滑度，且亦可期待改善粗糙度。進一步而言，藉由調整在步驟S06的第二顯影處理的處理條件，而亦能夠調整光阻圖案200B的大小。

(補強處理的變更例) 在上述的例子，雖然針對使用了含有水溶性的吸附性聚合物的水溶性材料液作為處理液L3的情況來進行說明，但能夠變更此處理液L3的種類。

作為第一變形例，處理液L3亦可為氟系樹脂被混合至水性的溶劑之水溶性材料液。又，含有氟系樹脂的水溶性液包含羧酸亦可。

又，在水溶性材料為氟系樹脂的情況，藉由氟系樹脂變為橡膠態來覆蓋凸部201的表面的一部分，而能夠防止凸部201的變形。此外，為了將氟系樹脂形成為橡膠狀，在上述的步驟S05的加熱溫度被設為比氟系樹脂的玻璃轉移溫度Tg更高的溫度。藉此，氟系樹脂變為橡膠態，作為「更緻密的膜覆蓋中間曝光區域201a的一部分」的水溶性膜M而被形成。利用此緻密的膜之柔韌性(彈性)，能夠防止凸部201的崩塌。此外，在除了氟系樹脂之外且含有羧酸的情況下，變成羧酸的成分被包含在水溶性膜M的狀態。此情況，在步驟S06的第二顯影處理中，渣滓的除去的性能提升。換言之，利用羧酸促進與水溶性膜M一起除去周邊的渣滓。

作為第二變形例，處理液L3為包含交聯劑的水溶性材料液亦可。又，交聯劑為光阻膜中利用交聯作用來促進硬化之成分。供給包含交聯劑的水溶性材料液作為處理液L3的情況下，由於交聯劑進入至凸部201的中間曝光區域201a，故在表面形成水溶性膜M的同時，並進行在其內部的中間曝光區域201a的光阻材料的交聯作用。其結果，由於除了凸部201的表面硬化之外，亦進行中間曝光區域201a的硬化，故能夠防止凸部201的變形。

此外，為了使由交聯劑產生的交聯作用進行，在步驟S05的加熱溫度被設為比交聯劑的玻璃轉移溫度Tg更低的溫度亦可。但是，即使在設為玻璃轉移溫度Tg以上，且其差不增大的程度之加熱溫度的情況，亦能夠進行水溶性膜M的形成。

在將包含交聯劑的水溶性材料液作為處理液L3來使用的情況，如上所述，期待進行中間曝光區域201a的交聯反應，因此亦期待改善在除去了水溶性膜M之後的圖案的粗糙度。進一步而言，藉由調整在步驟S06的第二顯影處理的處理條件，而能亦調整光阻圖案200B的大小。

此外，當光阻材料為適用於EUV(Extreme UltraViolet，極紫外光)曝光的材料時，由於在光阻膜內的含有成分之分布的不均勻性，更具體而言，水溶性膜M由於來自光阻的酸的作用而變得不均勻，因此，擔心對圖案的形狀有影響。因此，在對適用於EUV曝光的光阻材料進行上述的處理之時，可思及使用「不被酸的作用影響之含有吸附性聚合物的水溶性材料液」作為處理液L3。

(針對顯影處理步驟的自動控制) 如在上述說明過的步驟般，對同樣的光阻材料(光阻圖案)，進行兩次熱處理(步驟S02與步驟S05)的情況下，不僅要分別考量兩次的加熱之條件，且有在整體上對光阻材料進行某種程度調整之必要。例如，對光阻材料提供的熱量係根據光阻材料的種類與最終的光阻圖案之形狀等來決定。另一方，顯影前的熱處理(步驟S02)可以根據光阻材料的種類、在熱處理之後所希望的圖案之膜質(硬化的程度)等，來設定條件(溫度・時間等)。又。可亦根據熱處理後的光阻圖案之狀態，或顯影處理後的光阻圖案之狀態，來變更顯影前的熱處理(步驟S02)的條件。

如上所述，顯影前的熱處理(步驟S02)的條件可因各種的情況而被變更。因此，水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)有考量對光阻材料應提供的熱量而決定之必要。換言之，在水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)中的加熱條件，應在考量顯影前的熱處理(步驟S02)的條件下，調整為使光阻材料的溫度歷程為能夠形成最終欲作成的光阻圖案的適合條件。

在上述說明過的步驟中，在顯影前的熱處理(步驟S02)及水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)的加熱之條件(溫度・時間等)係以在事前進行設定作為前提。然而，考量顯影前的熱處理(步驟S02)之熱處理條件如上述般地變動的可能性，而亦可在控制裝置100進行自動地調整在水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)的加熱之條件的控制。作為一例，控制裝置100亦可設置成根據顯影前的熱處理(步驟S02)之處理條件，來補正水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)的構成。例如，亦可在顯影前的熱處理(步驟S02)之條件變為熱量相較於既定的基準値還少的條件的情況下，變更條件俾使在水溶性材料液的加熱處理(步驟S05)對光阻材料提供的熱量增大。藉由如此般的構成，而能夠將在前段的熱處理中的熱量之變化，在後段的熱處理中進行調整。

(一部分顯影處理步驟的變更例) 針對在圖6顯示的步驟中，步驟S01～S05的處理之變更例加以說明。作為一邊防止圖案崩塌一邊形成光阻圖案的手法，在圖6顯示的流程圖中，係針對以一般的手法形成了處理膜之後進行曝光(步驟S01)、歷經顯影前的熱處理(步驟S02)、進行第一顯影處理(步驟S03)的情況來進行說明。相對於此，設想一種藉由將處理膜的形成分配為兩階段，且階段性進行硬化處理，來形成與光阻圖案200A對應的圖案的手法。又，雖然在此處理步驟亦進行水溶性材料液的供給(步驟S04)，但此步驟的情況變成在第一顯影處理的途中進行。以下，針對具體的步驟的一例，參照圖8及圖9來進行說明。

首先，控制裝置100執行步驟S11。在步驟S11，控制裝置100控制塗佈單元U1，以對工件W執行第一處理膜205的形成。如圖9(a)所示，第一處理膜205為在工件W的表面Wa所形成的薄的膜，且以覆蓋表面Wa的整體的方式而被形成。

接著，控制裝置100執行步驟S12。在步驟S12，控制裝置100進行使工件W的第一處理膜205硬化的處理。具體而言，藉由對在工件W的表面Wa所形成的第一處理膜205照射UV光(紫外光)等，而使第一處理膜205硬化。如圖9(a)所示，UV光全面照射第一處理膜205。此結果，第一處理膜205變為比起在步驟S11所形成的階段更硬化的狀態。控制裝置100為了執行此硬化處理，例如，亦可控制搬運裝置A3，俾使工件W搬運至能夠照射UV光的單元。

接著，控制裝置100執行步驟S13。在步驟S13，控制裝置100控制塗佈單元U1，以對工件W的第一處理膜205上執行第二處理膜206的形成。如圖9(b)所示，第二處理膜206為全面形成在工件W的第一處理膜205上的膜。又，調整塗佈時的膜厚，俾使第一處理膜205及第二處理膜206之合計的厚度變為與光阻圖案200A相當。

接著，控制裝置100執行步驟S14。在步驟S14，控制裝置100係在向曝光裝置3搬運了工件W之後，控制曝光裝置3，以對工件W執行曝光處理。執行曝光處理的結果，在第一處理膜205及第二處理膜206中，光阻圖案中將成為凹部的區域被曝光。換言之，如圖9(b)所示，第一處理膜205中對應於凹部的位置之第一處理膜205b，以及第二處理膜206中對應於凹部的位置之第二處理膜206b成為被曝光過的處理膜。另一方面，在第二處理膜206中對應於凸部的位置所形成的第二處理膜206a及位在其下部的第一處理膜205為未被曝光的狀態。

接著，控制裝置100執行步驟S15。在步驟S15，控制裝置100控制熱處理單元U4，以對施行完曝光處理的工件W，在既定的溫度施行既定時間的熱處理。接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以向顯影單元U3搬運實施完顯影前的熱處理的工件W。藉由進行顯影前的熱處理，對於第一處理膜205及第二處理膜206的曝光部與未曝光部之間的顯影液的反應性的差別變得明確，而變得容易形成圖案。

接著，控制裝置100執行步驟S16。在步驟S16，作為第一顯影處理，控制裝置100控制顯影單元U3，以對在工件W的表面Wa所形成的第一處理膜205及第二處理膜206供給顯影液L1。例如，控制裝置100一邊控制旋轉驅動部21使工件W以既定轉速旋轉，一邊使液供給部30a的閥體33為開狀態，使顯影液L1從噴嘴34吐出。藉此，進行光阻膜的顯影處理，而在工件W的表面Wa形成具有複數個凸部207與複數個凹部208的光阻圖案200C(參照圖9(c))。此外，光阻膜中之未被除去的部分(例如在曝光處理時未被感光的部分)成為凸部207，而光阻膜中之被除去的部分(彼此相鄰的凸部207彼此之間的空間)成為凹部208。凸部207雖然在光阻為正型光阻的情況下基本上為未進行曝光的區域，但凸部207的表面亦即與凹部208相當的面之表面附近，與在圖7(a)顯示的中間曝光區域201a相同，成為進行一部分曝光的中間曝光區域。此外，在負型光阻的情況下，圖案的凸部大致為被曝光的部分，且其表面附近形成曝光程度小的中間曝光區域。此外，凸部207的下部，如上述所述，係由第二處理膜206a的下部之第一處理膜205所形成。此部分亦可與前述的凸部201之下方相同，其寬度變得比上方大，亦即變為所謂基腳形狀。

進一步而言，在步驟S16，控制裝置100控制顯影單元U3，以對工件W供給處理液L3亦即水溶性材料液。具體而言，控制裝置100使顯影單元U3開始對在工件W的表面Wa所形成的複數個凹部208供給處理液L3。例如，控制裝置100一邊控制旋轉驅動部21使工件W以既定轉速旋轉，一邊使液供給部30c的閥體33為開狀態，而使顯影單元U3開始從噴嘴34吐出處理液L3。在那之後，控制裝置100只在既定時間使顯影單元U3繼續工件W的旋轉，及對工件W的表面Wa供給處理液L3。藉此，變成對表面Wa上的凹部208導入處理液L3的狀態(參照圖9(c))。處理液L3的供給量可調整為凹部208不被處理液L3填滿的程度。換言之，凸部207的頂面可被調整為比處理液L3的水面更上方。步驟S16對應於藉由供給水溶性材料液而將凸部補強的步驟。在步驟S16，水溶性材料液的供給亦可在第一顯影處理中對工件W的表面Wa所供給的顯影液L1乾掉之前，亦即在工件W的表面Wa未乾掉的狀態下進行。

接著，控制裝置100執行步驟S17。在步驟S17，控制裝置100進行使顯影後的工件W中的光阻圖案200C硬化的處理。具體而言，藉由對在工件W的表面Wa所形成的光阻圖案200C照射UV光(紫外光)等，而使光阻圖案200C硬化。如圖9(d)所示，UV光全面照射光阻圖案200C表面。此結果，光阻圖案200C硬化，而能夠抑制圖案崩塌。控制裝置100為了執行此硬化處理，例如亦可控制搬運裝置A3，俾使工件W搬運至能夠照射UV光的單元。

在這之後，進行圖6所示的第二顯影處理(步驟S06)。由於藉由如此般的構成，即使在供給水溶性材料液之前的階段，也能促進光阻圖案200C的硬化，故期待能夠更進一步抑制圖案崩塌。

此外，雖然在圖8顯示的例子，係針對在第一顯影處理的階段(步驟S16)供給水溶性材料液的情況進行說明，但亦可變更供給水溶性材料液的時間點。例如，亦可以補強「位在第二處理膜206b的下部的第一處理膜205，亦即成為圖案的基座的部分」為目的，而變更在第一顯影處理的階段(步驟S16)供給水溶性材料液的步驟。具體而言，在硬化處理(步驟S17)之後對工件W的表面Wa供給水溶性材料液亦可。此情況，在進行於圖6顯示的加熱處理(步驟S05)之後，進行第二顯影處理(步驟S06)亦可。如上文所言，亦可調整水溶性材料液的供給時間點，或亦可根據供給時間點變更前後的處理。

［作用］ 根據在上述的塗佈・顯影裝置2的基板處理方法，由於藉由供給作為處理液L3的水溶性材料液，而在補強了光阻圖案200A的凸部201的狀態下進行硬化處理，故能防止凸部201的圖案崩塌。又，由於被補強過的部分在凸部201的硬化處理之後被除去，故亦能防止水溶性材料殘存的問題。因此，根據上述的構成，亦能抑制光阻圖案的缺損的產生。

又，凸部201下方的寬度變得比上方大亦可。藉由設為該等構成，而更進一步防止在藉由供給水溶性材料液來補強凸部201之際及對凸部201進行硬化處理之際，凸部201產生崩塌。藉此，更進一步抑制光阻圖案的缺損的產生。

又，補強的步驟亦可包含在凸部201的側面形成水溶性膜M的步驟。藉由設為該等構成，而變成水溶性膜M支持凸部201，因此能有效地防止凸部的圖案崩塌。

又，補強的步驟亦可包含形成連接相鄰的凸部201的下端的水溶性膜M的步驟。藉由設為該等構成，而透過連接相鄰的凸部201彼此的下端的水溶性膜，來支持凸部201，因此能有效地防止凸部201的圖案崩塌。

又，亦可在進行硬化處理的步驟，在凸部201的側面之中間曝光區域201a促進光阻的交聯作用。藉由設為該等構成，而透過促進在中間曝光區域201a的光阻的交聯作用，使光阻變得更強固，因此能有效地防止凸部201的圖案崩塌。

補強的步驟亦可包含：對凹部202供給包含水溶性材料的水溶性材料液的步驟；以及固化水溶性材料液的步驟。此時，在對凹部202供給水溶性材料液的步驟，亦可以凸部201的上部不被覆蓋的程度，來供給水溶性材料液。藉由設為該等構成，來防止在對凹部202供給水溶性材料液之際，因水溶性材料液而使凸部201崩塌。

在固化水溶性材料液的步驟中，亦可包含將水溶性材料液的濃度調整為下方比上方濃的步驟。藉由設為該等構成，而更快進行在水溶性材料液的下方中的水溶性材料的固化，因此能夠更確實地進行藉由水溶性材料的補強。

形成凹凸圖案的步驟亦可包含：在基板上利用光阻來形成第一處理膜205的步驟；使第一處理膜205硬化的步驟；在硬化後的第一處理膜205上，利用光阻來形成第二處理膜206的步驟；利用曝光處理及顯影處理，來形成凹凸圖案的步驟；以及使凹凸圖案硬化的步驟。利用以如此般的步驟來形成凹凸圖案，而能得到更被硬化的狀態之凹凸圖案。藉此，能更進一步抑制光阻圖案的缺損的產生。

又，形成凹凸圖案的步驟更包含加熱形成有凹凸圖案的基板的步驟；進行凸部201的硬化處理的步驟更包含加熱形成有包含補強後的凸部201的凹凸圖案的基板的步驟亦可。此時，在進行凸部201的硬化處理的步驟中，加熱基板之際的處理條件亦可依據：在形成凹凸圖案的步驟中，加熱該基板之際的處理條件；以及對凹凸圖案提供的累計熱量，來進行決定。藉由設為該等構成，即使變更了在形成凹凸圖案的步驟之加熱基板之際的處理條件的情況下，亦能夠考量對凹凸圖案提供的累計熱量，決定在進行凸部201的硬化處理的步驟之加熱基板之際的處理條件，因此能夠抑制對凹凸圖案提供的熱量之變動。

［變形例］ 以上，雖然針對各種的例示的實施態樣進行了說明，但並不限定於上述之例示的實施態樣，而亦可進行各種省略、置換及變更。又，可將在不同的實施態樣中的要素加以組合而形成其他的實施態樣。

例如，上述的顯影單元U3及熱處理單元U4的構成僅為一例，可適當地變更。

又，可適當地變更用於補強凸部201的處理或用於硬化的處理。又，亦可根據凸部201的形狀或寬度等，組合在上述說明過的手法來執行。

經由以上之說明，本發明之各種實施態樣係以說明之目的而在本說明書受到說明，並應當理解在不超出本發明的範圍及主旨下可進行各種變更。因此，在本說明書中所揭示之各種實施態樣並未意圖進行任何限定，真正的範圍與主旨係由隨附之發明申請專利範圍所揭示。

［附註］以下記載了本發明中所包含的各種例示的實施態樣。

［1］一種基板處理方法，包含：包括顯影處理之藉由基板上的光阻形成凹凸圖案的步驟；藉由對該凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液，而將凸部補強的步驟；進行該凸部的硬化處理的步驟；以及除去包含該補強的步驟中受到補強的部分之該凹凸圖案的一部分的步驟。

根據上述的基板處理方法，由於在藉由供給水溶性材料液，來補強了凸部的狀態下進行硬化處理，故能防止凸部的圖案崩塌。又，由於被補強過的部分在凸部的硬化處理之後被除去，故亦能防止水溶性材料殘存的問題。因此，根據上述的構成，亦能抑制光阻圖案的缺損的產生。

［2］如［1］記載之基板處理方法，其中，該凸部下方的寬度比上方的寬度大。

藉由設為上述之構成，而更進一步防止在藉由供給水溶性材料液來補強凸部之際及對凸部進行硬化處理之際，凸部產生崩塌，而更進一步抑制光阻圖案的缺損的產生。

［3］如［1］或［2］記載之基板處理方法，其中，該補強的步驟更包含在該凸部的側面形成水溶性膜的步驟。

藉由設為上述的構成，而變成水溶性膜支持凸部，因此能有效地防止凸部的圖案崩塌。

［4］如［1］至［3］中任一項記載之基板處理方法，其中，該補強的步驟更包含形成連接相鄰的該凸部的下端的水溶性膜的步驟。

藉由設為上述的構成，而透過連接相鄰的凸部彼此的下端的水溶性膜，來支持凸部，因此能夠有效地防止凸部的圖案崩塌。

［5］如［1］或［2］記載之基板處理方法，其中，在進行該硬化處理的步驟，在該凸部的側面之中間曝光區域促進該光阻的交聯作用。

藉由設為上述的構成，而透過促進在中間曝光區域的光阻的交聯作用，使光阻變得更強固，因此能有效地防止凸部的圖案崩塌。

［6］如［1］至［5］中任一項記載之基板處理方法，其中，該補強的步驟更包含：對該凹部供給包含該水溶性材料的水溶性材料液的步驟；以及固化該水溶性材料液的步驟；在對該凹部供給該水溶性材料液的步驟中，以該凸部的上部不被覆蓋的程度供給該水溶性材料液。

藉由設為上述的構成，來防止在對凹部供給水溶性材料液之際，因水溶性材料液而使凸部崩塌。

［7］如［6］記載之基板處理方法，其中，在固化該水溶性材料液的步驟更包含：將該水溶性材料液的濃度調整為下方比上方濃的步驟。

藉由設為上述的構成，而更快進行在水溶性材料液的下方中的水溶性材料的固化，因此能夠更確實地進行藉由水溶性材料的補強。

［8］如［1］至［7］中任一項記載之基板處理方法，其中，形成該凹凸圖案的步驟更包含：在該基板上利用光阻形成第一處理膜的步驟；使該第一處理膜硬化的步驟；在硬化後的該第一處理膜上，利用光阻形成第二處理膜的步驟；利用曝光處理及該顯影處理，形成該凹凸圖案的步驟；以及使該凹凸圖案硬化的步驟。

藉由以上述的步驟形成凹凸圖案，而能得到更被硬化的狀態之凹凸圖案。藉此，能更進一步抑制光阻圖案的缺損的產生。

［9］如［1］至［8］中任一項記載之基板處理方法，形成該凹凸圖案的步驟更包含：加熱形成有該凹凸圖案的基板的步驟；進行該凸部的硬化處理的步驟更包含：加熱形成有包含補強後的該凸部的該凹凸圖案的基板的步驟；在進行該凸部的硬化處理的步驟中，加熱該基板之際的處理條件，係依據：在形成該凹凸圖案的步驟中，加熱該基板之際的處理條件；以及對該凹凸圖案提供的累計熱量，來進行決定。

藉由設為上述的構造，即使變更了在形成凹凸圖案的步驟之加熱基板之際的處理條件的情況下，亦能夠考量對凹凸圖案提供的累計熱量，決定在進行凸部的硬化處理的步驟之加熱基板之際的處理條件。因此，能夠抑制對凹凸圖案提供的熱量之變動。

［10］一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄了用於使裝置執行［1］至［9］中任一項記載之基板處理方法的程式。

若利用上述的電腦可讀取的記錄媒體，則能達成與［1］至［9］同樣的效果。

［11］一種基板處理裝置，具有：顯影處理部，在基板上藉由光阻來形成凹凸圖案；補強處理部，藉由對該凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液來補強凸部；硬化處理部，進行該凸部的硬化處理；以及除去處理部，除去包含該硬化處理部中補強過的部分的該凹凸圖案的一部分。

根據上述的基板處理裝置，由於在藉由供給水溶性材料液補強了凸部的狀態下，進行凹凸圖案的凸部的硬化處理，故能防止凸部的圖案崩塌。又，由於被補強過的部分在凸部的硬化處理之後被除去，故亦能防止因水溶性材料殘留而產生的問題。因此，根據上述的構成，亦能抑制光阻圖案的缺損的產生。

1:基板處理系統(基板處理裝置) 11,12,13,14:處理模組 100:控制裝置 120:電路 121:處理器 122:記憶體 123:儲存裝置 124:輸入輸出埠 2:塗佈･顯影裝置(基板處理裝置) 20:旋轉固持部 21:旋轉驅動部 22:軸部 23,43:固持部 200A,200B,200C:光阻圖案 201,203,207:凸部 201a:中間曝光區域 202,204,208:凹部 205,205b:第一處理膜 205b:第一處理膜 206,206a,206b:第二處理膜 3:曝光裝置 30a,30b,30c:液供給部 31:液源 33:閥體 34:噴嘴 35,54:配管 4:載具區塊 40:腔室 41:上腔室 42:下腔室 44:熱板 45:加熱器 46:支持銷 47:驅動部 5:處理區塊 50:氣體供給部 52:閥體 53:氣體供給源 6:中介區塊 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 C:載具 L1:顯影液 L2:清洗液 L3:處理液 M:水溶性膜 R:光阻膜 S01~S06,S11~S17:步驟 U10,U11:棚架單元 U1:塗佈單元 U2,U4:熱處理單元 U3:顯影單元 W:工件

[圖1]圖1係例示基板處理系統的概略構造的示意圖。 [圖2]圖2係例示塗佈顯影裝置的內部構造的示意圖。 [圖3]圖3係例示顯影單元的構成的示意圖。 [圖4]圖4係例示熱處理單元的構成的示意圖。 [圖5]圖5係例示控制裝置的硬體構造的方塊圖。 [圖6]圖6係表示顯影處理步驟的一例的流程圖。 [圖7]圖7(a)～圖7(d)係說明在圖6中顯示的步驟的一例的示意圖。 [圖8]圖8係表示從處理膜形成開始顯影處理步驟的前段之變形例的一例的流程圖。 [圖9]圖9(a)～圖9(d)係說明在圖8中顯示的步驟的一例的示意圖。

S01~S06:步驟

Claims (11)

1. 一種基板處理方法，包含： 包括顯影處理之藉由基板上的光阻形成凹凸圖案的步驟； 藉由對該凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液，而將凸部補強的步驟； 進行該凸部的硬化處理的步驟；以及 除去包含該補強的步驟中受到補強的部分之該凹凸圖案的一部分的步驟。
2. 如請求項1所述之基板處理方法，其中， 該凸部下方的寬度比上方的寬度大。
3. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 該補強的步驟更包含在該凸部的側面形成水溶性膜的步驟。
4. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 該補強的步驟更包含形成連接相鄰的該凸部的下端的水溶性膜的步驟。
5. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 在進行該硬化處理的步驟，在該凸部的側面之中間曝光區域促進該光阻的交聯。
6. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 該補強的步驟更包含：對該凹部供給包含該水溶性材料的水溶性材料液的步驟；以及固化該水溶性材料液的步驟； 在對該凹部供給該水溶性材料液的步驟中，以該凸部的上部不被覆蓋的程度供給該水溶性材料液。
7. 如請求項6所述之基板處理方法，其中， 在固化該水溶性材料液的步驟更包含：將該水溶性材料液的濃度調整為下方比上方濃的步驟。
8. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 形成該凹凸圖案的步驟更包含： 在該基板上利用光阻形成第一處理膜的步驟； 使該第一處理膜硬化的步驟； 在硬化後的該第一處理膜上，利用光阻形成第二處理膜的步驟； 利用曝光處理及該顯影處理，形成該凹凸圖案的步驟；以及 使該凹凸圖案硬化的步驟。
9. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， 形成該凹凸圖案的步驟更包含：加熱形成有該凹凸圖案的基板的步驟； 進行該凸部的硬化處理的步驟更包含：加熱形成有包含補強後的該凸部的該凹凸圖案的基板的步驟； 在進行該凸部的硬化處理的步驟中，加熱該基板之際的處理條件，係依據：在形成該凹凸圖案的步驟中，加熱該基板之際的處理條件；以及對該凹凸圖案提供的累計熱量，來進行決定。
10. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄了用於使裝置執行如請求項1或2所述之基板處理方法的程式。
11. 一種基板處理裝置，具有： 顯影處理部，在基板上藉由光阻形成凹凸圖案； 補強處理部，藉由對該凹凸圖案的凹部供給水溶性材料液，補強凸部； 硬化處理部，進行該凸部的硬化處理；以及 除去處理部，除去包含該硬化處理部中補強過的部分的該凹凸圖案的一部分。

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