KR102608177B1 - 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 - Google Patents

현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 Download PDF

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코우스케 요시하라
코우이치로 다나카
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 방법은, 기판에 현상액을 공급하여 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 현상된 기판에 대하여 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과, 당해 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정을 포함한다.

Description

현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치
(관련 출원의 상호 참조)
본원은 2016년 12월 19일에 일본국에 출원된 특허출원 2016-245063호, 2017년 9월 27일에 일본국에 출원된 특허출원 2017-187045호 및 2017년 12월 5일에 일본국에 출원된 특허출원 2017-233389호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은 레지스트막이 형성된 기판에 대하여, 현상 처리하여 기판에 정해진 패턴을 형성하는 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들면 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막에 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 가열 처리(포스트 익스포져 베이킹), 노광된 레지스트막을 현상액으로 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 정해진 레지스트 패턴이 형성된다.
상술한 현상 처리는, 통상의 현상 처리 장치에서 행해지며, 당해 현상 처리 장치에서는, 예를 들면 스핀 척에 유지된 웨이퍼 상에 현상액 공급 노즐로부터 현상액이 공급되고, 웨이퍼 표면 상에 현상액의 액막이 형성되어, 웨이퍼가 현상된다. 이 후 세정액 공급 노즐에 의해 웨이퍼 상에 순수 등의 세정액이 공급되고, 웨이퍼가 고속 회전되어 세정된다. 이 세정에 의해, 현상 시에 웨이퍼 상의 현상액 중에 생성된 현상 생성물이 제거된다.
그런데 최근, 노광 기술 등의 진보에 의해 반도체 디바이스의 미세화가 한층 진행되고 있어, 미세하고 또한 고애스펙트비의 레지스트 패턴이 출현하고 있다. 미세한 레지스트 패턴 및 애스펙트비가 높은 레지스트 패턴에서는, 상술한 현상 시에 세정액이 웨이퍼 상에 남아, 구체적으로 패턴 간에 세정액이 남고, 이 남은 세정액에 의해 이른바 패턴 도괴가 발생하는 것이 문제가 되고 있다.
특허 문헌 1에서는, 패턴 도괴의 발생을 방지하기 위하여, 레지스트 패턴의 현상 시의 세정 공정에서 2 종 이상의 세정액을 사용하고, 그 전반 공정에서 사용하는 세정액에 현상액의 처리를 받은 레지스트 표면을 노출시켜 두고 레지스트 표면의 개질을 재촉하여, 후반 공정에서 사용하는 세정액과 이 레지스트 표면과의 접촉각을 크게 하여 60~120˚로 하는 것이 개시되어 있다.
또한, 패턴 사이에 남은 세정액에 발생하는 응력(σ), 즉 사이에 남은 세정액에 의해 패턴에 발생하는 기판과 평행 방향의 힘은, 세정액에 대한 레지스트의 접촉각(θ) 및 세정액의 표면 장력(γ)과 이하의 관계에 있다.
σ∝γcosθ ··· (식 (1))
일본특허공개공보 평05-029936호
그런데, 레지스트의 재료로서 발수성이 높은 것이 이용되는 경우가 있다.
그러나 특허 문헌 1의 기술은, 세정액으로서의 물과의 접촉각이 0˚인 레지스트, 즉 발수성이 낮은 레지스트에 따른 기술이다.
또한, 발수성이 높은 레지스트를 이용해도, 미세화를 진행시키면, 현상 시에 세정액이 패턴 사이에 남았을 때에 패턴 도괴가 발생한다.
또한, 세정액이 패턴 간, 즉, 웨이퍼 상에 남으면, 세정액에 포함되어 있던 현상 생성액도 웨이퍼 상에 남게 된다. 웨이퍼 상에 남은 현상 생성물은 결함의 원인이 된다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 발수성이 높은 레지스트를 이용한 경우에 있어서 패턴 도괴의 발생을 억제하고 더 미세한 레지스트 패턴을 얻으며, 또한 결함이 발생하는 것을 방지하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일태양은, 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서, 기판에 현상액을 공급하여 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 현상된 기판에 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과, 상기 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정을 포함한다.
상기 수용성 폴리머의 수용액의 pH는 3 ~ 6인 것이 바람직하다. 또한, 상기 린스액의 종류에 따라서는, 상기 린스액의 pH도 상기 수용성 폴리머의 수용액의 pH최적값을 결정하는 한 요인이 된다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 상술한 현상 처리 방법을 현상 처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 현상 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
또한 다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 현상액을 기판에 공급하는 현상액 공급 노즐과, 수용성 폴리머의 수용액을 기판에 공급하는 수용액 공급 노즐과, 린스액을 기판에 공급하는 린스액 공급 노즐과, 기판에 현상액을 공급하여 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 현상된 기판에 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과, 상기 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정을 실행하도록 상기 현상액 공급 노즐, 상기 수용액 공급 노즐 및 상기 린스액 공급 노즐을 제어하는 제어부를 구비한다.
본 발명의 일태양에 따르면, 발수성이 높은 레지스트를 이용한 경우에 있어서, 세정액이 패턴 간, 즉, 웨이퍼 상에 남지 않기 때문에, 패턴 도괴의 발생을 억제하고 더 미세한 레지스트 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 결함의 발생도 방지할 수 있다.
도 1은 본 실시의 형태에 따른 현상 처리 장치를 탑재한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 7은 현상 처리에 따른 공정이 실행된 후의 웨이퍼의 모습을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 실시 형태의 현상 처리에 의해 레지스트의 접촉각이 감소하는 이유를 설명하는 도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리의 다른 예를 나타내는 순서도이다.
도 12는 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 현상 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다. 도 2 및 도 3은 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는, 각각 정면도와 배면도이다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼를 수용한 카세트(C)가 반입반출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼에 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(10)에는 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(20)에는 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입반출할 시, 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 마련되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는 상하 방향 및 연직축 둘레(θ방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는 각종 장치를 구비한 복수 예를 들면 4 개의 블록, 즉 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다. 예를 들면 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측, 도면의 상측)에는 제 2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는 기술한 제 3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다.
예를 들면 제 1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 '하부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 '상부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 이 순으로 배치되어 있다.
예를 들면 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는 각각 수평 방향으로 3 개 배열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수 및 배치는 임의로 선택할 수 있다.
이들 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들면 웨이퍼(W) 상에 정해진 도포액을 도포하는 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예를 들면 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출하고, 또한 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다. 또한, 현상 처리 장치(30)의 구성에 대해서는 후술한다.
예를 들면 제 2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열 및 냉각과 같은 열 처리를 행하는 복수의 열 처리 장치(40 ~ 43)가 마련되어 있다.
예를 들면 제 3 블록(G3)에는, 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 마련되어 있다. 또한 제 4 블록(G4)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 마련되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는 예를 들면 Y방향, X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위에 위치하는 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 정해진 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)과의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 도 3의 Y방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제 3 블록(G3)의 X방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들면 Y방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는 예를 들면 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(300)가 마련되어 있다. 제어부(300)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 또는 반송 장치 등의 구동계의 동작, 또한 후술하는 노즐 구동부(166, 169, 172, 175) 등도 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리의 개략에 대하여 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)로 반송된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)로 반송되어 온도 조절 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들면 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 제 2 블록(G2)의 열 처리 장치(41)로 반송되어, 가열 처리가 행해진다.
이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열 처리 장치(42)로 반송되어, 온도 조절 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(43)로 반송되어, 프리베이크 처리된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 제 1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 제 2 블록(G2)의 열 처리 장치(43)로 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 전달 장치(52)로 반송되어, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(12)로 반송되어, 정해진 패턴으로 노광 처리된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열 처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 이에 의해, 레지스트막의 노광부에 있어서 발생한 산에 의해 탈보호 반응시킨다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상 처리가 행해진다.
<제 1 실시 형태>
이어서, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 현상 처리 장치(30)의 구성에 대하여 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 현상 처리 장치(30)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(130)를 가지고 있다. 처리 용기(130)의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
처리 용기(130) 내에는 웨이퍼(W)를 유지하여 연직축 둘레로 회전시키는 스핀 척(140)이 마련되어 있다. 스핀 척(140)은, 예를 들면 모터 등의 척 구동부(141)에 의해 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(141)에는 미도시의 실린더 등의 승강 구동 기구가 마련되어 있으며, 스핀 척(140)은 승강 구동 기구에 의해 웨이퍼를 승강 동작 가능하게 하고 있다.
스핀 척(140)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 컵(150)이 마련되어 있다. 컵(150)은 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 것이다.
도 5에 나타내는 바와 같이 컵(150)의 X방향 부방향(도 5의 하방향)측에는, Y방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(160A ~ 160D)이 형성되어 있다. 레일(160A ~ 160D)은 예를 들면 컵(150)의 Y방향 부방향(도 5의 좌방향)측의 외방으로부터 Y방향 정방향(도 5의 우측향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(160A, 160B, 160C, 160D)에는 각각 대응하는, 암(161, 163, 164, 162)이 장착되어 있다.
제 1 암(161)에는 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐(165)이 지지되어 있다. 제 1 암(161)은 노즐 구동부(166)에 의해 레일(160A) 상을 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 현상액 공급 노즐(165)은, 컵(150)의 Y방향 부방향측의 외측에 마련된 대기부(167)로부터 컵(150) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(166)에 의해, 제 1 암(161)은 승강 가능하며, 현상액 공급 노즐(165)의 높이를 조절할 수 있다. 현상액으로서는, 예를 들면 수산화 테트라메틸 암모늄(TMAH)이 이용된다.
제 2 암(162)에는 '수계(水系) 세정액'의 일례인 DIW(Deionized Water)를 공급하는 수계 세정액 공급 노즐(168)이 지지되어 있다.
제 2 암(162)은 노즐 구동부(169)에 의해 레일(160D) 상을 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 수계 세정액 공급 노즐(168)은, 컵(150)의 Y방향 정방향측의 외측에 마련된 대기부(170)로부터 컵(150) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(169)에 의해, 제 2 암(162)은 승강 가능하며, 수계 세정액 공급 노즐(168)의 높이를 조절할 수 있다.
제 3 암(163)에는 수용성 폴리머의 수용액을 공급하는 수용액 공급 노즐(171)이 지지되어 있다. 수용성 폴리머의 수용액은 레지스트막을 현상액에 의해 현상하여 형성된 레지스트 패턴의, 물에 대한 접촉각을 감소시키기 위한 것이다. 제 3 암(163)은 노즐 구동부(172)에 의해 레일(160B) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 수용액 공급 노즐(171)은, 컵(150)의 Y방향 부방향측으로서 대기부(167)와 컵(150) 사이의 위치에 마련된 대기부(173)로부터 컵(150) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(172)에 의해, 제 3 암(163)은 승강 가능하며, 수용액 공급 노즐(171)의 높이를 조절할 수 있다.
수용성 폴리머의 수용액에 포함되는 수용성 폴리머는, 예를 들면 친수성기를 포함하는 모노머의 단독 집합체 혹은 공중 합체 또는 친수성기를 가지는 중축 합체 등이다. 수용성 폴리머의 구체예는 아크릴산, 메타크릴산, 플루오르 아크릴산, 퍼플루오르 알킬산, 비닐 알코올, 비닐 피롤리돈, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 폴리비닐 알코올(부분 감화물을 포함함), 폴리 아크릴산, 폴리 메타크릴산, 폴리비닐 메틸에테르, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리비닐 아세탈(부분 아세탈화물을 포함함), 폴리에틸렌 아민, 폴리에틸렌 옥시드, 스틸렌-무수 말레인산 공중 합체, 폴리비닐 아민, 폴리아릴 아민, 옥사졸린기 함유 수용성 수지, 수용성 멜라민 수지, 수용성 요소수지, 알키드 수지 또는 술폰 아미드, 및 이들이 만드는 소금을 들 수 있다. 또한 수용성 폴리머로서, 폴리 글리세린을 이용해도 된다. 이들 수용성 폴리머는 단독으로 이용되어도 되고, 또한 2 종 이상을 조합하여 이용되어도 된다. 상기 수용액중의 수용성 폴리머의 농도는 10 % 미만인 것이 바람직하며, 5 % 미만인 것이 보다 바람직하다.
상기 수용액에는 계면 활성제를 첨가해도 된다. 계면 활성제의 구체예는 솔비탄 모노올레이트, 글리세롤α­모노올레이트, 폴리에틸렌 글리콜 솔비탄 지방산 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜 직쇄 알킬에테르, 폴리에틸렌 글리콜 페닐 에테르 직쇄 알킬 부가형, 분기쇄 알킬 부가형, 아세틸렌 글리콜, 음이온계의 라우린산 나트륨, 스테아린산 나트륨, 올레인산 나트륨, 도데실 황산나트륨 또는 도데실 벤젠술폰산 나트륨 등을 들 수 있다. 이들 계면 활성제는 단독으로 이용되어도 되며, 또한 2 종 이상을 조합하여 이용되어도 된다. 상기 수용액 중의 계면 활성제의 농도는 5 % 미만인 것이 바람직하다.
또한, 상기 수용액은 산성인 것이 바람직하며, 구체적으로 상기 수용액의 pH는 3 ~ 6인 것이 바람직하다.
제 4 암(164)에는 린스액을 공급하는 린스액 공급 노즐(174)이 지지되어 있다. 제 4 암(164)은 노즐 구동부(175)에 의해, 레일(160C) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 린스액 공급 노즐(174)은, 컵(150)의 Y방향 정방향측으로서 대기부(170)와 컵(150) 사이의 위치에 마련된 대기부(176)로부터, 컵(150) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(175)에 의해, 제 4 암(164)은 승강 가능하며, 린스액 공급 노즐(174)의 높이를 조절할 수 있다. 린스액으로서는, 예를 들면 계면 활성제 용액과 순수가 혼합된 계면 활성제가 들어 있는 린스액이 이용된다.
또한, 현상액 공급 노즐(165), 수계 세정액 공급 노즐(168), 수용액 공급 노즐(171) 및 린스액 공급 노즐(174) 중 프로세스 동작상 분리할 필요가 없는 복수의 노즐을 1 개의 암에 부착함으로써, 암과 레일의 개수를 줄이는 경우도 있다.
여기서, 현상 처리 장치(30)에 있어서의 현상 처리의 일례에 대하여 도 6 및 도 7을 이용하여 설명한다. 도 6은 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 도 7은 현상 처리에 따른 공정이 실행된 후의 웨이퍼(W)의 모습을 나타내는 단면도이다. 또한 이하의 설명에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에는 SiARC(Silicon-containing Anti-Reflective Coating) 등의 하층막이 형성되어 있고, 이 하층막 상에는 레지스트막이 형성되어, 이 레지스트막은 노광이 끝난 상태이다.
스핀 척(140)에 유지된 웨이퍼(W)에 대한 현상 처리 시, 먼저 도 6에 나타내는 바와 같이, 현상액 공급 노즐(165)을 웨이퍼(W)의 중앙부 상으로 이동시켜, 이 현상액 공급 노즐(165)로부터 현상액을 띠 형상으로 토출시키면서, 웨이퍼(W)를 예를 들면 1 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 전면에 현상액 패들을 형성시킨다(단계(S1)).
현상액 패들의 형성 후, 현상액의 공급을 정지하고, 예를 들면 웨이퍼(W)를 정해진 시간 정지시키는 정지 현상을 행함으로써, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상을 진행시킨다(단계(S2)). 이 때, 현상액 공급 노즐(165)을 컵(150) 밖으로 퇴피시키고, 대신에 수계 세정액 공급 노즐(168)을 웨이퍼(W)의 중앙부로 이동시킨다.
현상을 진행시키기 위한 정해진 시간이 경과하고, 도 7의 (A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하층막(U) 상에 레지스트 패턴(R)이 형성되면, 웨이퍼(W)에 대하여 수계 세정액 공급 노즐(168)로부터 DIW를 공급하여, 웨이퍼(W)를 세정한다(단계(S3)). 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는 예를 들면 100 ~ 1500 rpm이다. 이에 의해, 현상액 및 용해 생성물이 제거되어, 도 7의 (B)에 나타내는 바와 같이 적어도 레지스트 패턴(R) 간에 DIW의 막(E)이 형성된 상태가 된다.
이 후, 수계 세정액 공급 노즐(168)을 컵(150) 밖으로 퇴피시키고 또한 수용액 공급 노즐(171)을 웨이퍼(W)의 중앙부로 이동시킨다.
현상액 등의 제거 후에는, 웨이퍼(W)에 대하여 수용액 공급 노즐(171)로부터 수용성 폴리머의 수용액을 공급하여, 웨이퍼(W)에 상기 수용액이 도포되고, 이에 의해, 도 7의 (C)에 나타내는 바와 같이 적어도 레지스트 패턴(R) 간에 수용성 폴리머의 수용액에 의한 액막(F)이 형성된다(단계(S4)). 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는 예를 들면 100 ~ 1500 rpm이다.
이 후, 수용액 공급 노즐(171)을 컵(150) 밖으로 퇴피시키고 또한 린스액 공급 노즐(174)을 웨이퍼(W)의 중앙부로 이동시킨다.
수용성 폴리머의 수용액의 도포 후, 계면 활성제가 들어 있는 린스액으로 웨이퍼(W)를 세정한다(단계(S5)). 구체적으로, 웨이퍼(W)를 예를 들면 100 ~ 500 rpm으로 회전시키면서, 계면 활성제가 들어 있는 린스액을 웨이퍼(W)에 공급하여, 웨이퍼(W) 상의 수용성 폴리머의 수용액을 상기 린스액으로 치환하고, 이 후, 웨이퍼(W)의 회전수를 상승시켜, 상기 린스액을 확산시키고 또한 이 린스액을 털어내 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)는 먼저 300 ~ 1000 rpm으로 5 ~ 15 초간 회전되고, 이어서 1000 ~ 3000 rpm으로 10 ~ 20 초간 회전된다.
이에 의해, 도 7의 (D)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴(R)이 형성된다.
또한, DIW에 의한 세정 공정은 생략할 수도 있다.
현상 처리 시, 본 실시 형태와 달리, 수용성 폴리머의 수용액의 도포 공정, 계면 활성제가 들어 있는 린스액에 의한 세정(린스) 공정을 행하지 않고, 현상 공정 후에 DIW에 의한 세정 공정만을 행하는 경우에 비해, 본 실시 형태의 현상 처리를 행함으로써, 정밀한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 구체적으로, 상기 DIW에 의한 세정 공정만을 포함하는 현상 처리를 행한 경우, 패턴의 도괴 한계는 37 nm 정도였지만, 본 실시 형태의 현상 처리를 행한 경우, 패턴의 도괴 한계는 33 nm 정도까지 향상된다. 또한 패턴의 도괴 한계란, 라인 앤드 스페이스의 레지스트 패턴이 형성되도록 동일한 웨이퍼 내에서 도스량을 변화시키면서 주사 노광하고, 이 후 현상 처리를 행하여, 그 웨이퍼를 SEM(Scanning Electron Microscope)에 의해 관찰했을 때에, 패턴 도괴가 관찰되지 않는 레지스트 패턴 중 가장 폭이 좁은 것의 그 폭을 말한다. 또한, 상기한 결과는 90 nm의 피치의 라인 앤드 스페이스의 레지스트 패턴을 가지는 웨이퍼를 이용한 검증 결과이다.
또한, 본 실시 형태의 현상 처리를 행해도 패턴의 높이는 감소하지 않는다. 즉, 패턴의 높이가 감소함으로써, 도괴 한계가 향상되어 있는 것은 아니며, 본 실시 형태의 현상 처리에 의하면, 패턴 높이를 감소시키지 않고 정밀한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
패턴의 도괴 한계가 향상되는 이유로서는 이하의 것이 상정된다. 즉, 현상 공정 후에 DIW에 의한 세정 공정만을 포함하는 현상 처리를 행한 경우, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)와 레지스트 각각의 물에 대한 접촉각은 75˚, 70˚ 정도이지만, 본 실시 형태의 현상 처리를 행한 경우, 이들 접촉각은 63˚, 65˚까지 감소한다. 현상 처리 후의 하층막과 레지스트 각각의 물에 대한 접촉각이 크면, 털어내기 건조 시에 린스액의 액 끊어짐이 발생하기 쉬운데, 상기 접촉각이 감소함으로써, 액 끊어짐이 발생하기 어려워진다. 즉, 패턴 도괴의 원인이 되는 린스액이 웨이퍼(W) 상에 남지 않기 때문에, 패턴의 도괴 한계가 향상되는 것이라고 상정된다.
도 8은 본 실시 형태의 현상 처리에 의해 상기 접촉각이 감소하는 이유를 설명하는 도이다. 또한 본 예에서는, 수용성의 수지가 가지는 친수기가 히드록시기(OH기)인 것으로 한다.
도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, OH기를 가지는 수용성 폴리머의 수용액에 의한 액막(F)을 현상 후에 형성함으로써, 레지스트 패턴(R)의 표면과, 액막(F) 내의 OH기를 가지는 수용성 폴리머가 가교 반응한다. 이 때문에, 예를 들면, 액막(F)이 제거된 상태에 있어서도, 도 8의 (B)에 나타내는 바와 같이, OH기를 가지는 수용성 폴리머(F1)로 레지스트 패턴(R)이 코팅되어 있다. 이에 의해, 레지스트 패턴(R)의 물에 대한 접촉각이 감소한다고 상정된다. 또한, OH기의 도시는 생략하지만, 하층막(U)도 OH기를 가지는 수용성 폴리머(F1)로 코팅된다. 따라서, 하층막(U)의 물에 대한 접촉각도 감소한다고 상정된다.
이하에서는, 본 실시 형태의 현상 처리의 효과에 대하여 더 설명한다.
본 실시 형태의 현상 처리에 의하면, 상술한 바와 같이 액 끊어짐이 발생하기 어려워, 린스액이 웨이퍼(W) 상에 남지 않기 때문에, 이 린스액에 포함되는 현상 생성물도 웨이퍼 상에 남지 않는다.
또한 본 실시 형태의 현상 처리에 의하면, 단계(S3)의 DIW에 의한 웨이퍼(W)의 세정 후, 수용성 폴리머의 수용액을 도포하기 때문에, 단계(S3)의 웨이퍼 세정 후에 웨이퍼(W) 상에 DIW는 남지 않지만 현상 생성물이 남아 있는 경우에, 이 현상 생성물을 효율적으로 제거할 수 있다.
따라서, 본 실시 액체의 현상 처리에 의하면, 현상 생성물에 기인하는 결함의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W) 상에 남아 있던 현상 생성물을 수용성 폴리머의 수용액을 도포함으로써 효율적으로 제거할 수 있는 이유로서는 이하의 (1), (2)의 두 가지가 상정된다.
(1) 웨이퍼(W) 상에 남아 있던 현상 생성물이 친수성인 경우, 상기 수용액을 도포함으로써 현상 생성물이 수용성 폴리머로 피막되어 소수화되므로, 웨이퍼(W)의 린스 공정에 있어서 린스액 중에 현상 생성물이 분산되기 쉬워져, 웨이퍼(W)의 린스 공정으로 당해 현상 생성물을 제거할 수 있기 때문임.
(2) 웨이퍼(W) 상에 남아 있던 현상 생성물이 소수성인 경우, 상기 수용액을 도포함으로써 첨가제에 의해 친수화되어, 현상 생성물이 웨이퍼(W)로부터 벗겨지는 리프트 오프 효과가 높아지므로, 웨이퍼(W)의 린스 공정에 있어서 당해 현상 생성물을 제거할 수 있기 때문임.
본 실시 형태의 현상 처리에서는, 상술한 바와 같이, 수용성 폴리머의 수용액을 이용하고 있다. 따라서, 물에 대한 접촉각이 큰 레지스트막이 형성된 웨이퍼, 즉 발수성 기판에 대한 피복성에 있어서, 상기 수용성 폴리머의 수용액은 표면 활성제가 들어 있는 린스액을 포함하는 수계의 세정액에 비해 뛰어나다. 따라서, 이 수용액을 이용함으로써 웨이퍼를 면내에서 균일하게 처리할 수 있다.
또한 본 실시 형태의 현상 처리에 있어서, 수용성 폴리머의 수용액의 pH를 표면 활성제가 들어 있는 린스액의 pH와 마찬가지로 3 ~ 6으로 함으로써, 레지스트 패턴에 상기 수용액에 의해 데미지가 가해지는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 실시 형태의 현상 처리에 있어서, 계면 활성제가 들어 있는 린스액으로 웨이퍼(W)를 세정하고 있다. 계면 활성제가 들어 있는 린스액은 표면 장력이 작기 때문에, 패턴 사이에 남았다 하더라도 남은 린스액 내에 발생하는 응력은 작다(전술한 식 (1) 참조). 따라서, 이와 같이 계면 활성제가 들어 있는 린스액을 이용함으로써 패턴 도괴를 억제할 수 있다.
또한 이상의 설명에서는, 린스액으로서 계면 활성제가 들어 있는 린스액을 이용하고 있었지만, DIW를 린스액으로서 이용해도 된다. 이 경우라도, 도괴 한계는 35 nm 정도가 되어 2 nm 정도 향상된다.
또한, DIW를 린스액으로서 이용하는 경우, 단순히 린스액을 웨이퍼(W)의 중심에 도포하여 털어내기 건조하는 것이 아니라, 이하와 같이 해도 된다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심에 린스액을 토출하여 원심력에 의해 웨이퍼 전면에 확산시키고, 이어서 웨이퍼(W)의 회전을 유지시킨 채로, 웨이퍼(W)의 중심부로의 가스의 분출을 개시하여 이 중심부에 건조 영역(건조 코어)을 형성하고, 또한 린스액의 토출 위치를 편심 위치 즉 상기 건조 영역의 외측으로 변경한다. 그리고, 린스액의 토출 위치를 웨이퍼(W)의 주연을 향해 이동시키고, 또한 가스의 분출 위치도 웨이퍼(W)의 주연을 향해 이동시켜 건조 영역을 확산시키도록 해도 된다. 이에 의해, 린스액에 의한 세정 및 린스액의 건조를 행해도 된다.
이와 같이, 본 실시 형태의 현상 처리에서는, 린스액의 종류 또는 린스액을 이용한 세정 방법에 관계 없이, 세밀한 패턴을 얻을 수 있다. 따라서, 결함 성능을 향상을 위하여, 어느 종류의 린스액 또는 어느 세정 방법을 선택했다 하더라도, 본 실시 형태의 현상 처리에서는 세밀한 패턴을 얻을 수 있다. 즉, 본 실시 형태의 현상 처리에서는 결함 성능을 향상시킬 수도 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 수계 세정액으로서 DIW를 예시했지만, 순수를 이용해도 되고, 또한 순수에 다른 물질이 다소 첨가된 것을 이용해도 되며, 물을 주성분으로 하는 것(예를 들면, 물의 함유율이 50 질량% 이상)이면 된다.
<제 2 실시 형태>
이어서, 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리 장치(30)의 구성에 대하여 도 9 및 도 10을 이용하여 설명한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리 장치(30)는 가열 장치로서의 램프 가열 장치(180)를 현상 처리 장치(30)의 천판부의 내측에 가진다.
그리고, 본 실시 형태의 현상 처리 장치(30)에 있어서의 현상 처리의 일례에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 수용성 폴리머의 수용액의 도포 후, 린스액에 의한 세정 전에, 웨이퍼(W)를 램프 가열 장치(180)에 의해 가열시킨다(단계(S10)).
이에 의해, 레지스트 패턴의 표면의 가교가 촉진되어, 레지스트 패턴의 물에 대한 접촉각이 더 감소한다고 상정된다. 따라서 본 실시 형태의 현상 처리는, 패턴 도괴의 억제와 결함의 발생의 억제 중 패턴 도괴를 우선하는 경우에, 즉 더 정밀한 레지스트 패턴이 필요한 경우에 유효하다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 현상 처리의 다른 예를 나타내는 순서도이다.
현상 처리 장치(30)가 도 9와는 달리 램프 가열 장치(180) 등의 가열 장치를 가지지 않는 경우도 있다.
이 경우는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 수용성 폴리머의 수용액을 도포하고(단계(S4)), 이 후, 현상 처리 장치(30)로부터 열 처리 장치(40 ~ 43)(도 2 참조)의 어느 하나로 웨이퍼(W)를 반송한다. 그리고, 이 열 처리 장치(40 ~ 43)로 가열 처리를 행하고(단계(S20)), 이 후에, 현상 처리 장치(30)로 되돌려, 계면 활성제가 들어 있는 린스액으로 웨이퍼(W)를 세정해도 된다(단계(S5)).
또한, 현상 처리 장치(30)가 가열 장치를 가지는 경우도 가지고 있지 않은 경우도, DIW에 의한 세정 공정은 생략할 수도 있다.
<제 3 실시 형태>
이어서, 제 3 실시 형태에 따른 현상 처리에 대하여 도 12를 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 현상 처리 장치(30)의 구성은 제 1 실시 형태의 것과 동일하다. 또한, 본 실시 형태에 있어서도 DIW에 의한 세정 공정은 생략할 수도 있다.
본 실시 형태에 따른 현상 처리에서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 수계 세정액에 의한 세정의 후로서 수용성 폴리머의 수용액의 도포 전에, 수계 세정액의 공급을 정지하고 웨이퍼(W)를 예를 들면 1000 ~ 4000 rpm으로 회전시키는 건조 공정을 행한다(단계(S30)). 이 건조 공정이 행해지는 시간은 10 초 이하인 것이 바람직하다. 10 초를 초과하면 이 건조 공정에 의해 패턴 도괴가 발생할 우려가 있기 때문이다.
이와 같이 건조 공정을 행함으로써, 현상 시에 발생하는 용해 생성물을 웨이퍼(W)의 밖으로 일단 배출할 수 있기 때문에, 결함 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 실시 형태와 같이 현상 처리에 건조 공정을 포함하지 않는 장점도 존재한다. 제 1 실시 형태의 현상 처리에서는 레지스트 패턴을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면이 DIW에 의해 프리웨트된 상태이기 때문에, 수용성 폴리머의 수용액의 도포성이 뛰어나다고 하는 장점이 있다.
본 실시 형태와 같이 건조 공정을 포함할지, 제 1 실시 형태와 같이 건조 공정을 포함하지 않을지는 수용성 폴리머의 수용액의 점도에 따라 결정해도 된다.
본 실시 형태의 현상 처리에 있어서도, 제 2 실시 형태와 마찬가지로, 현상 처리 장치에 가열 장치를 마련하여, 수용성 폴리머의 수용액의 도포 후로서 린스액에 의한 세정 전에 웨이퍼(W)를 가열하도록 해도 된다.
본 발명은 기판을 현상하고, 이 후 세정할 때에 유용하다.
1 : 기판 처리 시스템
30 : 현상 처리 장치
130 : 처리 용기
140 : 스핀 척
141 : 척 구동부
150 : 컵
165 : 현상액 공급 노즐
168 : 수계 세정액 공급 노즐
171 : 수용액 공급 노즐
174 : 린스액 공급 노즐
180 : 램프 가열 장치
300 : 제어부

Claims (19)

  1. 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서,
    기판에 현상액을 공급하고 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과,
    현상된 기판에 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과,
    상기 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정과,
    상기 패턴 형성 공정 후로서 상기 도포 공정 전에, 현상된 기판에 수계 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정을 포함하고,
    상기 세정 공정 후 상기 도포 공정 전에, 상기 기판을 회전시켜 상기 수계 세정액을 상기 기판의 표면으로부터 배제하는 건조 공정을 수행할 것인지의 여부는, 상기 도포 공정에서 공급되는 상기 수용성 폴리머의 수용액의 점도에 따라 결정되는 현상 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머는 친수성기를 포함하는 모노머의 단독 집합체 혹은 공중 합체, 또는 친수성기를 가지는 중축 합체인, 현상 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머의 수용액에는 계면 활성제가 첨가되어 있는, 현상 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머의 수용액의 pH는 3 ~ 6인, 현상 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 린스액은 계면 활성제를 함유하는, 현상 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조 공정은 10 초 미만 동안 기판을 회전시키는 공정을 포함하는, 현상 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 도포 공정 후 상기 린스 공정 전에, 기판을 가열하는 공정을 포함하는, 현상 처리 방법.
  10. 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 방법을 현상 처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 현상 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
    상기 현상 처리 방법은,
    기판에 현상액을 공급하고 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과,
    현상된 기판에 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과,
    상기 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정과,
    상기 패턴 형성 공정 후로서 상기 도포 공정 전에, 현상된 기판에 수계 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정을 포함하고,
    상기 세정 공정 후 상기 도포 공정 전에, 상기 기판을 회전시켜 상기 수계 세정액을 상기 기판의 표면으로부터 배제하는 건조 공정을 수행할 것인지의 여부는, 상기 도포 공정에서 공급되는 상기 수용성 폴리머의 수용액의 점도에 따라 결정되는, 컴퓨터 기억 매체.
  11. 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 장치로서,
    기판을 유지하는 기판 유지부와,
    현상액을 기판에 공급하는 현상액 공급 노즐과,
    수용성 폴리머의 수용액을 기판에 공급하는 수용액 공급 노즐과,
    린스액을 기판에 공급하는 린스액 공급 노즐과,
    제어부를 가지고,
    상기 제어부는,
    기판에 현상액을 공급하고 기판 상의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과,
    현상된 기판에 수용성 폴리머의 수용액을 도포하는 도포 공정과,
    상기 수용성 폴리머의 수용액이 도포된 기판에 린스액을 공급하여 기판을 세정하는 린스 공정
    을 실행하도록 상기 현상액 공급 노즐, 상기 수용액 공급 노즐 및 상기 린스액 공급 노즐을 제어하도록 구성되고,
    또한, 수계 세정액을 기판에 공급하는 수계 세정액 공급 노즐을 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 패턴 형성 공정 후 상기 도포 공정 전에, 현상된 기판에 수계 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정을 수행하도록 상기 수계 세정액 공급 노즐을 제어하도록 구성되어 있고,
    상기 기판 유지부는 기판을 회전시키는 회전 기구를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 세정 공정 후 상기 도포 공정 전에, 상기 회전 기구를 이용하여 상기 기판을 회전시켜 상기 수계 세정액을 상기 기판의 표면으로부터 배제하는 건조 공정을 행하는지 여부를 상기 도포 공정에서 공급되는 상기 수용성 폴리머의 수용액의 점도에 따라 결정하는, 현상 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머는 친수성기를 포함하는 모노머의 단독 집합체 혹은 공중 합체, 또는 친수성기를 가지는 중축 합체인, 현상 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머의 수용액에는 계면 활성제가 첨가되어 있는, 현상 처리 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 수용성 폴리머의 수용액의 pH는 3 ~ 6인, 현상 처리 장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 린스액에는 계면 활성제가 첨가되어 있는, 현상 처리 장치.
  17. 삭제
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 건조 공정은 10 초 미만 동안 행해지는, 현상 처리 장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    기판을 가열하는 가열 장치를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 도포 공정 후 상기 린스 공정 전에, 기판을 가열하는 공정을 실행하도록 상기 가열 장치를 제어하도록 구성되어 있는, 현상 처리 장치.
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