KR102639386B1 - 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 - Google Patents

현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 현상 처리 후의 면내의 선폭의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 웨이퍼(W) 상의 레지스트막(R)을 현상할 때, 순수(純水; P)를 웨이퍼(W)의 중앙부에 공급하여 순수액 고임부를 형성하고, 계속해서 상기 순수액 고임부에 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)을 접촉시켜 현상액 공급 노즐(158)로부터 순수액 고임부에 대해 현상액을 공급하면서, 웨이퍼(W)의 중심을 지나는 직경 방향으로 현상액 공급 노즐(158)을 이동시켜 웨이퍼(W) 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성한다. 그 후 웨이퍼(W)를 회전시켜 희석 현상액의 액 고임부를 기판 전면(全面)으로 확산시켜 프리웨트하고, 그 후에 외주부로부터 중심부에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행한다.

Description

현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치{DEVELOPING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND DEVELOPING APPARATUS}
본 발명은 레지스트막이 형성된 기판에 대해, 현상 처리하여 기판에 미리 정해진 패턴을 형성하는 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치에 관한 것이다.
예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예컨대 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 상기 레지스트막에 미리 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 가열 처리(포스트 익스포저 베이킹), 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 미리 정해진 레지스트 패턴이 형성된다.
이들 처리 중, 현상 처리의 방식으로서는, 노광 후의 기판을 기판 유지부에 수평으로 유지하는 공정과, 기판의 일부에 현상액 노즐로부터 현상액을 공급하여 액 고임부를 형성하는 공정과, 기판을 회전시키는 공정과, 회전하는 상기 기판에 있어서의 현상액의 공급 위치가 상기 기판의 직경 방향을 따라 이동하도록, 상기 현상액 노즐을 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전면(全面)으로 확산시키는 공정과, 상기 액 고임부를 기판의 전면으로 확산시키는 공정에 병행하여 행해지며, 상기 현상액 노즐과 함께 이동하여, 상기 기판에 대향하는 면이 상기 기판의 표면보다 작은 접촉부를, 상기 액 고임부에 접촉시키는 공정을 구비한 현상 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2015-53467호 공보
특허문헌 1에 기재된 기술에 의하면, 사용하는 현상액의 양을 억제하고, 또한 스루풋을 높게 하는 것이 가능하였으나, 면내의 균일성에 대해서는 한층 더 개선의 여지가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 현상 처리에 있어서, 종래 기술보다 더 높은 면내 균일성을 실현하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리 방법으로서, 기판의 중앙부에, 순수(純水)를 공급하여 순수액 고임부를 형성하고, 계속해서 상기 순수액 고임부에 노즐의 접액면(接液面)을 접촉시켜 상기 노즐로부터 순수액 고임부에 대해 현상액을 공급하면서, 기판 중심을 지나는 직경 방향으로 상기 노즐을 이동시켜 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하는 희석 현상액의 액 고임부 형성 공정과, 그 후 기판을 회전시켜 상기 희석 현상액의 액 고임부를 기판 전면으로 확산시키는 확산 공정과, 그 후 기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 중앙부에, 순수를 공급하여 순수액 고임부를 형성하고, 계속해서 상기 순수액 고임부에 노즐의 접액면을 접촉시켜 상기 노즐로부터 순수액 고임부에 대해 현상액을 공급하면서, 기판 중심을 지나는 직경 방향으로 상기 노즐을 이동시켜 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하도록 했기 때문에, 노즐의 접액면과 기판 표면, 즉 레지스트막 표면 사이의 희석 현상액에 대해서는, 희석 현상액에 의해 발생한 반응 생성물이 노즐의 이동에 따라 순차 축출되어, 신선한 희석 현상액에 의한 현상이 촉진된다. 그리고 그와 같이 하여 기판 중앙부에 희석 현상액의 액 고임부가 형성된 후, 기판을 회전시켜 상기 희석 현상액의 액 고임부를 기판 전면으로 확산시키기 때문에, 기판 전체에는 희석 현상액에 의한 이른바 프리웨트 처리가 이루어진다.
이 점에 대해, 종래의 기판 중앙부에 단순히 희석 현상액을 공급하고, 그 후 기판을 회전시켜서 확산시켜 프리웨트 처리하며, 그 후에 현상 처리하고 있던 방법에서는, 기판 중앙부에서의 선폭의 제어가 곤란하였으나, 본 발명에 의하면, 이러한 점을 개선할 수 있어, 면내 균일성이 향상된다.
또한 본 발명의 다른 관점에 의하면, 본 발명은 기판 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리 방법으로서, 노즐로부터 희석 현상액을 기판에 공급하고, 또한 기판 상의 희석 현상액과 노즐의 접액면을 접촉시키면서, 기판 중심을 지나는 직경 방향으로 상기 노즐을 이동시켜 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하는 희석 현상액의 액 고임부 형성 공정과, 그 후 기판을 회전시켜 상기 희석 현상액의 액 고임부를 기판 전면으로 확산시키는 확산 공정과, 그 후 기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 기판 상에 당초부터 희석 현상액을 공급하고, 또한 기판 상의 희석 현상액과 노즐의 접액면을 접촉시키면서, 기판 중심을 지나는 직경 방향으로 상기 노즐을 이동시켜 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하도록 해도 좋다.
상기 노즐의 이동의 개시 지점은, 기판 중심으로부터 편심한 위치여도 좋다.
또한 상기 노즐의 이동의 종료 지점은, 기판 중심으로부터 편심한 위치여도 좋다.
상기 노즐이 이동하고 있는 동안에는, 상기 기판을 회전시켜도 좋다.
상기 노즐을 이동시켜 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성할 때에는, 상기 노즐의 접액면과 기판 표면의 레지스트막 표면 사이의 거리는, 예컨대, 0.5 ㎜∼3.0 ㎜로 유지하도록 해도 좋다.
그리고 상기 현상 공정에서의 현상액의 공급은, 기판을 회전시키면서 노즐을 기판의 주변부로부터 기판의 중심측으로 이동시켜 행하도록 해도 좋다.
또한 다른 관점에 의하면, 본 발명은 상기한 현상 처리 방법을 현상 처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 현상 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
또한 다른 관점에 의하면, 본 발명은 기판 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리 장치로서, 기판의 이면을 유지하고, 상기 유지한 기판을, 연직축을 중심으로 회전시키는 기판 유지부와, 접액면을 가지며, 상기 접액면에 현상액을 공급하는 공급 구멍이 형성된 노즐과, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와, 기판 상에 순수를 공급하는 순수 공급 노즐과, 상기 순수 공급 노즐을 이동시키는 다른 이동 기구와, 상기 노즐의 접액면과 기판 표면의 레지스트막 표면 사이의 거리를, 0.5 ㎜∼3.0 ㎜로 유지하면서, 기판의 편심 위치로부터 기판 중심을 지나 직경 방향으로 이동하도록 상기 이동 기구를 제어하도록 구성된 제어부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
또 다른 관점에 의하면, 본 발명은 기판 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리 장치로서, 기판의 이면을 유지하고, 상기 유지한 기판을, 연직축을 중심으로 회전시키는 기판 유지부와, 접액면을 가지며, 상기 접액면에 적어도 희석 현상액을 공급 가능한 노즐과, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와, 상기 노즐의 접액면과 기판 표면의 레지스트막 표면 사이의 거리를, 0.5 ㎜∼3.0 ㎜로 유지하면서, 기판의 편심 위치로부터 기판 중심을 지나 직경 방향으로 이동하도록 상기 이동 기구를 제어하도록 구성된 제어부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 제어부는, 상기 노즐을 기판 상의 편심 위치로부터 기판 중심을 지나 다른 편심 위치까지 미리 정해진 거리를 이동하도록 구성되어 있어도 좋다.
본 발명에 의하면, 기판의 현상 처리에 있어서, 종래 기술보다 더 높은 면내 균일성을 실현할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 현상 처리 방법을 실시하기 위한 현상 처리 장치를 탑재한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 도시한 배면도이다.
도 4는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시한 종단면도이다.
도 5는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시한 횡단면도이다.
도 6은 희석용의 현상액 공급 노즐의 사시도이다.
도 7은 웨이퍼 상의 중심 위치 상방에 순수 공급 노즐이 위치한 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 8은 웨이퍼 상에 순수의 액 고임부를 형성하는 모습을 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 9는 희석 현상액 노즐이 순수의 액 고임부 상의 웨이퍼의 편심 위치에 위치한 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 10은 희석 현상액 노즐의 하단면이 순수의 액 고임부에 접액하여 이동한 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 11은 웨이퍼를 회전시켜, 희석 현상액을 웨이퍼의 외주 방향으로 확산시킨 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 12는 웨이퍼 주변부의 상방에, 현상액 공급 노즐이 위치한 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 13은 웨이퍼 중심부의 상방으로, 현상액 공급 노즐을 이동시킨 상태를 도시한 측면으로부터의 설명도이다.
도 14는 실시형태와 단순 프리웨트 처리하여 각각 현상 처리했을 때의, 각각의 웨이퍼의 반경 방향의 선폭의 프로파일을 도시한 그래프도이다.
도 15는 희석용의 현상액 공급 노즐의 접액면과 웨이퍼 상의 레지스트막 사이의 거리와, 선폭의 균일성의 관계를 도시한 그래프이다.
도 16은 노즐 이동 개시 위치의 웨이퍼의 중심으로부터의 거리와 선폭의 관계를 도시한 그래프도이다.
도 17은 노즐 이동 거리와 선폭의 관계를 도시한 그래프도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 현상 처리 방법을 실시하는 현상 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 도시한 평면 설명도이다. 도 2 및 도 3은 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시한, 각각 정면도와 배면도이다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입 및 반출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 미리 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입 및 반출할 때에, 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 설치되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수 예컨대 4개의 블록, 즉 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)이 설치되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측, 도면의 상측)에는, 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는, 이미 서술한 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.
예컨대 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 이 순서로 배치되어 있다.
예컨대 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 3개 나란히 배치되어 있다. 한편, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예컨대 웨이퍼(W) 상에 미리 정해진 도포액을 도포하는 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예컨대 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출하고, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면으로 확산시킨다. 한편, 현상 처리 장치(30)의 구성에 대해서는 후술한다.
예컨대 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열 및 냉각과 같은 열처리를 행하는 복수의 열처리 장치(40∼43)가 설치되어 있다.
예컨대 제3 블록(G3)에는, 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예컨대 Y방향, X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖는, 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위에 위치하는 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 미리 정해진 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 도 3의 Y방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 블록(G4)의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 제3 블록(G3)의 X방향 정방향측 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예컨대 Y방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
다음으로, 전술한 현상 처리 장치(30)의 구성에 대해 설명한다. 현상 처리 장치(30)는, 도 4에 도시된 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(130)를 갖고 있다. 처리 용기(130)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입 반출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
처리 용기(130) 내에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 기판 유지부로서의 스핀 척(140)이 설치되어 있다. 스핀 척(140)은, 예컨대 모터 등의 척 구동부(141)에 의해 미리 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(141)에는, 예컨대 실린더 등의 승강 구동 기구가 설치되어 있고, 스핀 척(140)은 승강 가능하게 되어 있다.
스핀 척(140)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수하는 컵(142)이 설치되어 있다. 컵(142)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(143)과, 컵(142) 내의 분위기를 배기하는 배기관(144)이 접속되어 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 컵(142)의 X방향 부방향(도 5의 하측 방향)측에는, Y방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(150)이 형성되어 있다. 레일(150)은, 예컨대 컵(142)의 Y방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y방향 정방향(도 5의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(150)에는, 예컨대 3개의 아암(151, 152, 153)이 부착되어 있다.
제1 아암(151)에는, 순수를 공급하는 순수 공급 노즐(154)이 지지되어 있다. 제1 아암(151)은, 도 5에 도시된 노즐 구동부(155)에 의해, 레일(150) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 순수 공급 노즐(154)은, 컵(142)의 Y방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(156)로부터 컵(142) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방을 지나, 컵(142)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(157)까지 이동할 수 있다.
제2 아암(152)에는, 후술하는 희석 현상액의 액 고임부 형성 공정에 있어서, 희석용의 현상액을 공급하는 희석용의 현상액 공급 노즐(158)이 지지되어 있다. 제2 아암(152)은, 도 5에 도시된 노즐 구동부(159)에 의해 레일(150) 상을 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)은, 컵(142)의 Y방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(160)로부터, 컵(142) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(159)에 의해, 제2 아암(152)은 승강 가능하며, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 높이를 조절할 수 있다. 대기부(160)는, 대기부(156)의 Y방향 정방향측에 설치되어 있다. 희석용의 현상액으로서는, 예컨대 2.38 wt% 농도의 TMAH가 이용된다.
희석용의 현상액 공급 노즐(158)은, 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 전체로서 원통 형상을 갖고 있고, 그 하단면(158a)은 웨이퍼(W)와 예컨대 평행이 되는 평탄한 면에 형성되어 있다. 이 하단면(158a)이, 순수와 접촉하는 접액면으로서 기능한다. 그러나 하단면(158a)은 반드시 웨이퍼(W)와 평행이 되도록 형성되어 있을 필요는 없고, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)과 웨이퍼(W) 사이에 현상액의 액막을 형성할 수 있는 형상이면, 예컨대 아래로 볼록하게 만곡하는 완만한 구면 형상이나 경사면을 갖고 있어도 좋다.
그리고 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)에는, 희석용의 현상액을 공급하는 공급 구멍(158b)이 복수 형성되어 있다. 공급 구멍(158b)의 수는 임의로 선택할 수 있으며, 하나여도 좋다.
또한 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 직경은, 웨이퍼(W)의 직경보다 작게 구성되며, 본 실시형태에서 직경 40 ㎜의 것을 사용하고 있다. 그리고 희석용의 현상액 공급 노즐(158)은, 내약품성을 갖는, 예컨대 PTFE나 석영 등의 재질에 의해 구성되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 직경은 예컨대 300 ㎜이다.
제3 아암(153)에는, 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐(161)이 지지되어 있다. 현상액 공급 노즐(161)은, 상기한 희석용의 현상액 공급 노즐(158)과 동일 형태 동일 크기, 동일 구조의 것을 채용하고 있다. 현상액으로서는, 예컨대 2.38 wt% 농도의 TMAH가 이용된다.
제3 아암(153)은, 도 5에 도시된 이동 기구로서의 노즐 구동부(163)에 의해 레일(150) 상을 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 현상액 공급 노즐(161)은, 컵(142)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(164)로부터, 컵(142) 내의 웨이퍼(W)의 중앙부 상방까지 이동할 수 있다. 대기부(164)는, 대기부(157)의 Y방향 부방향측에 설치되어 있다. 또한, 노즐 구동부(163)에 의해, 제3 아암(153)은 승강 가능하며, 현상액 공급 노즐(161)의 높이를 조절할 수 있다.
다른 액 처리 장치인 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 구성은, 노즐의 형상, 개수나, 노즐로부터 공급되는 액이 상이한 점 이외에는, 전술한 현상 처리 장치(30)의 구성과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작, 나아가서는 상기한 노즐 구동부(155, 159, 163) 등도 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리의 개략에 대해 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)에 반송된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(41)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 장치(42)에 반송되어, 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(43)에 반송되어, 프리베이크 처리된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 제1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 블록(G2)의 열처리 장치(43)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 장치(56)에 반송된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 전달 장치(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 장치(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(12)에 반송되어, 미리 정해진 패턴으로 노광 처리된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 이에 의해, 레지스트막의 노광부에 있어서 발생한 산에 의해 탈보호 반응시킨다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)에 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이하, 레지스트막에 대해 현상하는 경우의 현상 처리에 대해 설명한다.
현상 처리에 있어서는, 먼저 도 7에 도시된 바와 같이, 순수 공급 노즐(154)이 웨이퍼(W)의 중심 상으로 이동한다. 그리고 도 8에 도시된 바와 같이, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 순수 공급 노즐(154)로부터 미리 정해진 양의 순수(P)를 공급한다. 본 실시형태에서는, 예컨대 60 ㎖∼70 ㎖의 순수가 공급된다. 이때, 순수(P)는 웨이퍼(W)가 정지된 상태에서 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부에 순수(P)의 액 고임부가 형성된다. 본 실시형태에서는, 직경 약100 ㎜의 순수(P)의 액 고임부가 웨이퍼(W)의 레지스트막(R) 상에 형성된다. 한편, 이러한 경우, 웨이퍼(W)는 반드시 정지시키고 있을 필요는 없고, 웨이퍼(W)의 중앙부에 순수(P)의 액 고임부가 형성될 정도의 저속 회전이면, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서 순수(P)를 공급해도 좋다.
다음으로, 순수(P)의 공급을 정지하고, 도 9에 도시된 바와 같이, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 편심한 위치로 이동시키며, 하단면(158a)을 순수(P)의 액 고임부에 접촉한 상태에서 미리 정해진 양의 희석용의 현상액을 공급한다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치에서 정지시키고, 그대로 강하시켜 하단면(158a)을 순수(P)의 액 고임부에 접촉시켰다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 중심까지의 거리(L1)가 20 ㎜인 위치에서, 하단면(158a)을 순수(P)의 액 고임부에 접촉시켰다. 또한 그때의 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)과 레지스트막(R) 사이의 거리(d)는 1 ㎜가 되도록 노즐 구동부(159)는 제어부(200)에 의해 제어되어 있다.
그리고 그 거리(d)를 유지하여, 노즐 구동부(159)에 의해 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 그대로 직경 방향으로 수평 이동시킨다. 이때 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 중심은, 웨이퍼(W)의 중심을 지나도록 이동한다. 노즐의 이동 속도는, 예컨대 20 ㎜/sec.이다. 그리고 이동 개시 시로부터, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)의 공급 구멍(158b)으로부터는 희석용의 현상액이 공급된다.
이때, 즉 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 이동시키고 있는 동안, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜도 좋다. 이러한 경우의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 10 rpm∼400 rpm의 저회전이 좋다.
그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심을 통과하여 웨이퍼(W)의 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치에서 정지시킨다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 중심까지의 거리(L2)가 20 ㎜인 위치에서, 노즐의 이동이 정지된다. 또한 정지와 동시에 희석용 현상액의 공급도 정지한다. 노즐의 이동 속도가 20 ㎜/sec.이었기 때문에, 결국 순수(P)의 액 고임부에 대해 2초간, 희석용 현상액을 공급하였다. 이에 의해, 순수(P)의 액 고임부에 대해 6.7 ㎖의 희석용 현상액을 공급하였다.
이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 중앙부에는, 희석된 희석 현상액(Q)의 액 고임부가 형성된다.
계속해서 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 퇴피시키고, 도 11에 도시된 바와 같이, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 회전 속도는, 예컨대 200rpm∼1000 rpm이다. 이에 의해 희석 현상액(Q)의 액 고임부가 웨이퍼(W) 상에서 확산하여, 웨이퍼(W)는 희석 현상액(Q)에 의해 프리웨트된다.
계속해서 도 12에 도시된 바와 같이, 현상액 공급 노즐(161)을 웨이퍼(W)의 주변부로 이동시키고, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상액 공급 노즐(161)로부터 현상액을 웨이퍼(W) 상에 공급하며, 현상액 공급 노즐(161)을 웨이퍼(W)의 중심으로 이동시킨다. 이때 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 120 rpm∼130 rpm이고, 또한 현상액 공급 노즐(161)의 이동 속도는 15 ㎜/sec.이다. 그리고 도 13에 도시된 바와 같이, 현상액 공급 노즐(161)이 웨이퍼(W)의 중심 상에 도달했다면, 현상액 공급 노즐(161)의 이동을 정지시키고, 또한 현상액 공급 노즐(161)로부터의 현상액의 공급도 정지하며, 계속해서 스핀 척(140)의 회전도 정지한다. 이러한 현상액의 공급 프로세스에 있어서, 이 예에서는, 웨이퍼(W)에 대해 40 ㎖∼42 ㎖의 현상액을 공급하였다.
그리고 현상액 공급 노즐(161)을 퇴피시키고, 미리 정해진 시간 정지 현상한 후, 순수 공급 노즐(154)을 다시 웨이퍼(W)의 중심 상으로 이동시키며, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)에 대해 순수를 공급하여, 웨이퍼(W)를 세정한다. 이때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 100 rpm∼1200 rpm이며, 시간의 경과와 함께 회전 속도를 이 범위에서 변화시키는 것이 좋다.
그리고 그와 같이 순수에 의한 웨이퍼(W)의 세정이 종료되면, 순수 공급 노즐(154)을 퇴피시키고, 웨이퍼(W)를 예컨대 2000 rpm으로 고속 회전시켜, 뿌리침 건조를 실시한다. 이에 의해 현상 처리가 종료된다.
이상 설명한 실시형태에 의하면, 먼저 웨이퍼(W)의 중앙부에 순수(P)의 액 고임부를 형성하고, 계속해서 상기 순수액 고임부에 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면을 접촉시켜 순수액 고임부에 대해 희석용의 현상액을 공급하면서, 웨이퍼(W) 중심을 지나는 직경 방향으로 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 이동시켜 웨이퍼(W)의 레지스트막(R) 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하도록 했기 때문에, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 접액면과 레지스트막(R)의 표면 사이의 희석 현상액에 대해서는, 반응 생성물이 노즐의 이동에 따라 순차 축출되어, 신선한 희석 현상액에 의한 현상이 촉진된다. 이에 의해 종래, 희석 현상액에 의한 프리웨트 처리를 채용한 현상 처리에 있어서 곤란했던, 웨이퍼(W)의 중앙부의 선폭의 제어가 가능해진다. 따라서 웨이퍼(W) 전체의 면내 균일성이 향상된다.
이하, 실제로 실험한 예를 하기에 나타낸다. 도 14는 미리 순수로 희석한 희석 현상액을 웨이퍼(W) 전면에 부어 단순히 프리웨트 처리하고(이하, 「단순 프리웨트」라고 함), 그 후에 본 실시형태와 동일한 방법, 조건에 의해, 현상액을 웨이퍼(W)에 공급하여 현상했을 때의, 웨이퍼(W)의 반경 방향의 패턴의 선폭의 프로파일을 도시하며, 횡축은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 에지까지의 거리(㎜)를 나타내고, 종축은 웨이퍼(W) 면내의 선폭을 437점에 있어서 측정하고, 그때의 선폭을 표준화한 것이다. 그리고 상기 그래프 중, 선 a, b, c로 나타나는 프로파일은, 각각 현상액 농도가 2%, 8%, 15%인 희석 현상액으로 프리웨트했을 때를 나타내고 있다. 또한 파선 M으로 나타나는 프로파일은, 상기한 본 실시형태에 의한 프리웨트 처리를 행한 후에 상기한 현상 처리에 의해 현상했을 때의 프로파일을 나타내고 있다.
이 도 14의 그래프도로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 단순 프리웨트보다 웨이퍼(W)의 중심으로부터 30 ㎜의 범위에서의 선폭의 프로파일이 크게 개선되어, 전체로서 면내 균일성이 향상되어 있는 것을 알 수 있다.
상기 실시형태에서는, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면과 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막(R) 사이의 거리(d)를 1 ㎜로 유지하면서, 순수의 액 고임부와 접촉시켜 희석용 현상액을 공급하였는데, 이 거리(d)에 대해서는, 짧을수록 좋은 것을 알 수 있었다.
도 15는 접액면과 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막(R) 사이의 거리(d)를 3 ㎜, 2 ㎜, 1 ㎜로 설정하여 동일한 프리웨트 처리를 행한 경우의, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 50 ㎜까지 사이의 선폭과, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 51 ㎜∼웨이퍼(W)의 에지까지 사이의 선폭으로 분류한 경우의, 선폭의 차분(단위 ㎚)을 비교한 것이며, 이에 의하면, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면과 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막(R) 사이의 거리(d)가 3 ㎜로부터 1 ㎜가 되면, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 50 ㎜까지 사이의 선폭과, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 51 ㎜∼웨이퍼(W)의 에지까지 사이의 선폭 사이의 차이가 작아지고 있는 것을 알 수 있다. 단, 예컨대 0.5 ㎜ 미만이면, 기계 정밀도에 따라서도 다르지만, 웨이퍼(W)의 레지스트막 표면과 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면이 접촉할 우려가 있다. 따라서, 실제적으로는 하한은 0.5 ㎜, 보다 안전을 보면, 1.0 ㎜가 타당한 것으로 생각된다.
또한 상기한 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치로부터 중심을 지나 반대측으로 20 ㎜ 편심한 위치로까지 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 이동시켜, 합계 40 ㎜의 이동 과정에 있어서 순수의 액 고임부에 대해 희석용의 현상액을 공급하여 희석하였는데, 그러한 노즐 이동 개시 위치, 및 노즐 이동 거리에 의한 웨이퍼(W)의 중앙부의 선폭 제어에 대해 조사한 결과, 각각 도 16, 도 17에 도시된 바와 같이 되었다.
도 16은 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동 개시 위치(횡축, 단위 ㎜), 즉 도 9에 나타낸 거리(L1)를 웨이퍼(W)의 중심으로부터 10 ㎜, 15 ㎜, 20 ㎜로 설정하여, 순수(P)의 액 고임부에 대해 희석용의 현상액을 공급했을 때의, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동 개시 위치와 선폭의 3σ값(종축, 단위 ㎚)의 관계를 도시하고 있다. 이에 의하면, 실시형태와 같이 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치로부터 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동을 개시하여 희석용의 현상액을 공급한 경우에, 가장 면내 균일성이 향상되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한 도 17은 노즐 이동 거리(횡축, 단위 ㎜)를 20 ㎜, 30 ㎜, 40 ㎜로 설정하여, 순수의 액 고임부에 대해 희석용의 현상액을 공급했을 때의 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동 거리(스캔폭)와 선폭의 3σ값(종축, 단위 ㎚)의 관계를 도시하고 있다. 이에 의하면, 실시형태와 같이 40 ㎜ 이동시킨 경우가, 가장 면내 균일성이 향상되어 있는 것을 알 수 있다.
이들 도 16, 도 17에 도시된 결과로부터 보면, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면과 웨이퍼(W) 상의 레지스트막(R) 사이의 거리를 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 중앙부의 선폭을 제어할 수 있다. 또한 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동 거리를 조정함으로써, 마찬가지로 웨이퍼(W)의 중앙부의 선폭을 제어할 수 있다.
한편 상기 실시형태에서는, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)과 현상액 공급 노즐(161)은 동일 형태 동일 크기, 동일 구조의 것을 사용하였으나, 굳이 전용의 희석용의 현상액 공급 노즐(158)을 준비하지 않고, 현상액 공급 노즐(161)을 이용하여, 순수(P)의 액 고임부에 대해 희석용의 현상액을 공급하고, 또한 프리웨트 처리 후에 현상액 공급 노즐(161)을 이용하여, 웨이퍼(W)에 대해 현상용의 현상액을 공급하도록 해도 좋다.
또한 상기 실시형태에서는, 일단 순수(P)의 액 고임부에 대해 희석용의 현상액 공급 노즐(158)로부터 희석용의 현상액을 공급하여, 웨이퍼(W) 상에 희석 현상액(Q)의 액 고임부를 형성하도록 하였으나, 그와 같이 순수(P)의 액 고임부를 형성하지 않고, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)로부터, 미리 순수로 희석된 현상액을, 편심한 위치에서 공급하기 시작하도록 해도 좋다. 물론 그 경우라도, 공급한 희석 현상액(Q)의 액면에 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면을 접촉시키면서 희석 현상액을 공급하여, 상기 실시형태와 마찬가지로, 노즐을 이동시키는 것이 필요하다.
이러한 프로세스에 의해서도, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a), 즉 접액면과 레지스트막(R)의 표면 사이의 희석된 현상액에 의한 반응 생성물은, 희석용의 현상액 공급 노즐(158)의 이동에 의해 축출되고, 신선한 희석된 현상액이 유입되기 때문에, 상기 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 중앙부의 선폭의 프로파일이 개선되어, 전체로서의 면내 균일성은 향상된다. 게다가 상기한 실시형태보다 스루풋이 향상된다.
한편 상기 실시형태에서 이용한 희석용의 현상액 공급 노즐(158), 현상액 공급 노즐(161)은, 하단면에 복수의 공급 구멍을 갖는 것이었으나, 본 발명에서 사용할 수 있는 노즐은, 이러한 형태에 한정되지 않는다. 예컨대 공급 구멍이 하나여도 좋다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. 본 발명은 이 예에 한하지 않고 여러 가지 양태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은 기판 상의 레지스트막을 현상 처리할 때에 유용하다.
1: 기판 처리 시스템 30: 현상 처리 장치
31: 하부 반사 방지막 형성 장치 32: 레지스트 도포 장치
33: 상부 반사 방지막 형성 장치 40: 열처리 장치
140: 스핀 척 154: 순수 공급 노즐
155, 159, 163: 노즐 구동부
158: 희석용의 현상액 공급 노즐
161: 현상액 공급 노즐 200: 제어부
P: 순수 Q: 희석 현상액
R: 레지스트막 W: 웨이퍼

Claims (11)

  1. 기판 상에 현상액을 공급하여, 미리 정해진 패턴을 노광한 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리 방법으로서,
    기판의 중앙부에, 순수(純水)를 공급하여 직경 100 ㎜의 순수액 고임부를 형성하고, 계속해서 상기 순수액 고임부에 직경 40 ㎜의 노즐의 접액면(接液面)을 접촉시켜, 상기 노즐의 접액면과 기판 표면의 레지스트막 표면의 사이의 거리를 0.5 ㎜~3.0 ㎜로 유지한 상태로 상기 노즐로부터 순수액 고임부에 대해 현상액을 공급하면서, 기판 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치로부터 기판 중심을 지나는 직경 방향으로 상기 노즐을 이동시키고, 그 후 기판 중심으로부터 20 ㎜ 편심한 위치에서 정지시켜, 기판 상에 희석 현상액의 액 고임부를 형성하는 희석 현상액의 액 고임부 형성 공정과,
    그 후 기판을 회전시켜 상기 희석 현상액의 액 고임부를 기판 전면(全面)으로 확산시키는 확산 공정과,
    그 후 기판을 회전한 상태로 기판 주변부로부터 현상액을 기판에 공급하면서 현상액 공급 노즐을 기판 중심으로 이동시켜 기판 표면에 현상액을 공급하고, 그 후 기판의 회전을 정지시켜 상기 기판을 정지 현상하는 현상 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법.
  2. 청구항 1에 기재된 현상 처리 방법을 실행할 때 사용되는 현상 처리 장치로서,
    기판의 이면을 유지하고, 상기 유지된 기판을, 연직축을 중심으로 회전시키는 기판 유지부와,
    접액면을 가지며, 상기 접액면에 현상액을 공급하는 공급 구멍이 형성된 직경 40 ㎜의 노즐과,
    상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
    기판 상에 순수를 공급하는 순수 공급 노즐과,
    상기 순수 공급 노즐을 이동시키는 다른 이동 기구와,
    상기 노즐의 접액면과 기판 표면의 레지스트막 표면 사이의 거리를, 0.5 ㎜∼3.0 ㎜로 유지하면서, 기판의 편심 위치로부터 기판 중심을 지나 직경 방향으로 이동하도록 상기 이동 기구를 제어하도록 구성된 제어부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
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