JP2011124352A - 現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】ウェハW上にEUV用レジスト膜が形成された後、ウェハW上のEUV用レジスト膜にEUVが照射され、当該EUV用レジスト膜に所定のパターンが選択的に露光される。その後、2.38質量%未満の濃度であって、供給機器群138で5℃以上かつ23℃未満の温度に調節された現像液が、現像液ノズル133からウェハW上のEUV用レジスト膜に供給され、当該EUV用レジスト膜が現像される。このとき、現像処理時間は10秒以上かつ30秒未満である。その後、純水ノズル140からウェハW上に純水が供給され、当該ウェハWが洗浄される。このとき、純水の供給時間は30秒以下である。
【選択図】図4
【解決手段】ウェハW上にEUV用レジスト膜が形成された後、ウェハW上のEUV用レジスト膜にEUVが照射され、当該EUV用レジスト膜に所定のパターンが選択的に露光される。その後、2.38質量%未満の濃度であって、供給機器群138で5℃以上かつ23℃未満の温度に調節された現像液が、現像液ノズル133からウェハW上のEUV用レジスト膜に供給され、当該EUV用レジスト膜が現像される。このとき、現像処理時間は10秒以上かつ30秒未満である。その後、純水ノズル140からウェハW上に純水が供給され、当該ウェハWが洗浄される。このとき、純水の供給時間は30秒以下である。
【選択図】図4
Description
本発明は、基板上に現像液を供給して、基板上のEUV用レジスト膜を現像する現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
上述したレジストパターン形成には、近年、化学増幅型レジストが広く用いられている。この化学増幅型レジストは、露光することにより酸が生成され、この酸が加熱処理により拡散してレジスト内で化学反応が進行し、露光された領域の現像液に対する溶解性が変化するものである。
また、上述した露光処理は、露光光源として例えばKrFレーザ(波長248nm)やArFレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)などを出力する光源を用いて、このレーザをウェハ上のレジスト膜に照射することにより行われている。かかる場合、露光処理後に行われる現像処理では、例えば濃度が2.38質量%の現像液をウェハ上に供給し、当該ウェハ上のレジスト膜を現像している(特許文献1)。そして、この現像処理において、例えば現像液の温度を23℃とし、現像処理時間を30秒〜60秒としている。
ところで、近年、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、ウェハ上に形成されるレジストパターンの微細化が進められている。このため、上述した露光処理に使用される露光光源には、KrFレーザ、ArFレーザ、F2レーザよりさらに短波長、例えば13nm〜14nmの極紫外線(EUV;Extreme Ultra Violet)を出力する光源を用いることが検討されている。
しかしながら、このようなEUVによる露光処理を行う、いわゆるEUVリソグラフィーで用いられるEUV用レジストは、KrF用レジスト、ArF用レジスト、F2用レジストとレジスト構造が異なる。すなわち、EUV用レジストは、KrF用レジスト、ArF用レジスト、F2用レジストよりも低分子となる。このため、EUV用レジストは現像液による化学反応が進行し易く、上述した従来の方法でウェハ上に現像液を供給して、当該ウェハ上のEUV用レジスト膜を現像した場合、特にレジストパターンのLWR(Line Width Roughness)が悪くなっていた。したがって、従来の方法で現像処理を行った場合、ウェハ上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを形成することができなかった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に現像液を供給して、基板上のEUV用レジスト膜を現像する現像処理方法であって、前記現像液の温度は5℃以上かつ23℃未満であることを特徴としている。
発明者らが調べたところ、現像液の温度を5℃以上かつ23℃未満にした場合、現像処理において、現像液によるEUV用レジスト膜の化学反応、特にEUV用レジスト膜中への現像液の浸透を抑制できることが分かった。これにより、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRを従来よりも改善できることが分かった。したがって、本発明によれば、基板上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成することができる。
前記現像液による現像処理時間は10秒以上かつ30秒未満であるのが好ましい。
前記現像液の濃度は2.38質量%未満であるのが好ましい。
基板上に前記現像液を供給後、基板上に洗浄液を供給して基板を洗浄し、前記洗浄液の供給時間は30秒以下であるのが好ましい。
別な観点による本発明によれば、前記基板の現像処理方法を現像処理装置によって実行させるために、当該現像処理装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
本発明によれば、基板上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる現像処理方法を実行する現像処理装置を備えた塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、塗布現像処理システム1の正面図であり、図3は、塗布現像処理システム1の背面図である。なお、本実施の形態において、塗布現像処理システム1では、EUVを用いた露光処理を行う、いわゆるEUVリソグラフィー処理が行われる。
塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり、カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション3と、この処理ステーション3に隣接して設けられている露光装置4との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。なお、露光装置4は、EUV(波長13nm〜14nm)を出力する光源(図示せず)を有している。
カセットステーション2には、カセット載置台6が設けられ、当該カセット載置台6は、複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。カセットステーション2には、搬送路7上をX方向に向かって移動可能なウェハ搬送体8が設けられている。ウェハ搬送体8は、カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり、X方向に配列された各カセットC内のウェハWに対して選択的にアクセスできる。
ウェハ搬送体8は、Z軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属する温度調節装置60やウェハWの受け渡しを行うためのトランジション装置61に対してもアクセスできる。
カセットステーション2に隣接する処理ステーション3は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば5つの処理装置群G1〜G5を備えている。処理ステーション3のX方向負方向(図1中の下方向)側には、カセットステーション2側から第1の処理装置群G1、第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション3のX方向正方向(図1中の上方向)側には、カセットステーション2側から第3の処理装置群G3、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4の間には、第1の搬送装置A1が設けられており、第1の搬送装置A1の内部には、ウェハWを支持して搬送する第1の搬送アーム10が設けられている。第1の搬送アーム10は、第1の処理装置群G1、第3の処理装置群G3及び第4の処理装置群G4内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。第4の処理装置群G4と第5の処理装置群G5の間には、第2の搬送装置A2が設けられており、第2の搬送装置A2の内部には、ウェハWを支持して搬送する第2の搬送アーム11が設けられている。第2の搬送アーム11は、第2の処理装置群G2、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。
図2に示すように第1の処理装置群G1には、ウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハWにEUV用のレジスト液を塗布するレジスト塗布装置20、21、22、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置23、24が下から順に5段に重ねられている。第2の処理装置群G2には、液処理装置、例えばウェハWに現像液を供給して現像処理する現像処理装置30〜34が下から順に5段に重ねられている。また、第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には、各処理装置群G1、G2内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室40、41がそれぞれ設けられている。なお、EUV用レジストは、EUVリソグラフィーで用いられるレジストであり、KrF用レジストやArF用レジスト、F2用レジストなどの従来のレジストよりも低分子化されている。
図3に示すように第3の処理装置群G3には、温度調節装置60、トランジション装置61、精度の高い温度管理下でウェハWを温度調節する高精度温度調節装置62、63及びウェハWを高温で加熱処理する高温度熱処理装置64〜67が下から順に8段に重ねられている。
第4の処理装置群G4には、レジスト塗布処理後のウェハWを加熱処理するプリベーキング装置70〜73及び現像処理後のウェハWを加熱処理するポストベーキング装置74〜77が下から順に8段に重ねられている。
第5の処理装置群G5には、ウェハWを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温度調節装置80〜82、ポストエクスポージャーベーキング装置83〜87が下から順に8段に重ねられている。
図1に示すように第1の搬送装置A1のX方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、図3に示すようにウェハWを疎水化処理するための疎水化処理装置90、91、ウェハWを加熱する加熱装置92、93が下から順に4段に重ねられている。図1に示すように第2の搬送装置A2のX方向正方向側には、例えばウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置94が配置されている。
インターフェイスステーション5には、図1に示すようにX方向に向けて延伸する搬送路100上を移動するウェハ搬送体101と、バッファカセット102が設けられている。ウェハ搬送体101は、Z方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション5に隣接した露光装置4と、バッファカセット102及び第5の処理装置群G5に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。
次に、上述した現像処理装置30〜34の構成について説明する。現像処理装置30は、図4に示すように側面にウェハWの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器110を有している。
処理容器110内の中央部には、ウェハWを保持して回転させるスピンチャック120が設けられている。スピンチャック120は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック120上に吸着保持できる。
スピンチャック120は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構121を有し、そのチャック駆動機構121により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構121には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック120は上下動可能になっている。
スピンチャック120の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ122が設けられている。カップ122は、上面にスピンチャック120が昇降できるようにウェハWよりも大きい開口部が形成されている。カップ122の下面には、回収した液体を排出する排出管123と、カップ122内の雰囲気を排気する排気管124が接続されている。
図5に示すようにカップ122のX方向負方向(図5の下方向)側には、Y方向(図5の左右方向)に沿って延伸するレール130が形成されている。レール130は、例えばカップ122のY方向負方向(図5の左方向)側の外方からY方向正方向(図5の右方向)側の外方まで形成されている。レール130には、例えば二本のアーム131、132が取り付けられている。
第1のアーム131には、図4及び図5に示すように現像液を供給する現像液ノズル133が支持されている。第1のアーム131は、図5に示すノズル駆動部134により、レール130上を移動自在である。これにより、現像液ノズル133は、カップ122のY方向正方向側の外方に設置された待機部135からカップ122内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム131は、ノズル駆動部134によって昇降自在であり、現像液ノズル133の高さを調整できる。
現像液ノズル133には、図4に示すように、現像液供給源136に連通する供給管137が接続されている。現像液供給源136内には、現像液が貯留されている。この現像液供給源136内の現像液は、2.38質量%未満の濃度に調節されている。供給管137には、現像液の流れを制御するバルブや流量調節部、現像液の温度を調節する温度調節部等を含む供給機器群138が設けられている。
第2のアーム132には、洗浄液として純水を供給する純水ノズル140が支持されている。第2のアーム132は、図5に示すノズル駆動部141によってレール130上を移動自在であり、純水ノズル140を、カップ122のY方向負方向側の外方に設けられた待機部142からカップ122内のウェハWの中心部上方まで移動させることができる。また、ノズル駆動部141によって、第2のアーム132は昇降自在であり、純水ノズル140の高さを調節できる。なお、本実施の形態では、ウェハWの洗浄処理を行う洗浄液として純水を用いたが、他の洗浄液を用いてもよい。
純水ノズル140には、図4に示すように純水供給源143に連通する供給管144が接続されている。純水供給源143内には、純水が貯留されている。供給管144には、純水の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群145が設けられている。なお、以上の構成では、現像液を供給する現像液ノズル133と純水を供給する純水ノズル140が別々のアームに支持されていたが、同じアームに支持され、そのアームの移動の制御により、現像液ノズル133と純水ノズル140の移動と供給タイミングを制御してもよい。
なお、現像処理装置31〜34の構成は、上述した現像処理装置30の構成と同様であるので説明を省略する。
以上の塗布現像処理システム1には、図1に示すように制御部200が設けられている。制御部200は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、現像処理装置30〜34におけるウェハWの現像処理を実行するプログラムが格納されている。またこれに加えて、プログラム格納部には、カセットステーション2、処理ステーション3、露光装置4、インターフェイスステーション5間のウェハWの搬送や、処理ステーション3における駆動系の動作などを制御して、塗布現像処理システム1におけるウェハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部200にインストールされたものであってもよい。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム1は以上のように構成されている。次に、その塗布現像処理システム1で行われるウェハ処理について説明する。
先ず、未処理のウェハWが複数枚収容されたカセットCがカセット載置台6上に載置されると、カセットC内のウェハWがウェハ搬送体8によって一枚ずつ取り出され、第3の処理装置群G3の温度調節装置60に搬送される。温度調節装置60に搬送されたウェハWは、所定温度に温度調節される。その後ウェハWは、第1の搬送装置A1によってボトムコーティング装置23に搬送され、ウェハW上に反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは、第1の搬送装置A1によって加熱装置92、高精度温度調節装置62、疎水化処理装置90に順次搬送され、各装置で所定の処理が施される。その後ウェハWは、第1の搬送装置A1によってレジスト塗布装置20に搬送される。レジスト塗布装置20では、ウェハW上にEUV用のレジスト液が塗布され、当該ウェハW上にEUV用レジスト膜が形成される。
EUV用レジスト膜が形成されたウェハWは、第1の搬送装置A1によってプリベーキング装置70に搬送され、プリベーク処理が施される。続いて第2の搬送装置A2によって周辺露光装置94、高精度温度調節装置82に順次搬送されて、各装置において所定の処理が施される。その後ウェハWは、インターフェイスステーション5のウェハ搬送体101によって露光装置4に搬送される。露光装置4では、ウェハW上のEUV用レジスト膜にEUVが照射され、当該EUV用レジスト膜に所定のパターンが選択的に露光される。
露光処理の終了したウェハWは、ウェハ搬送体101によってポストエクスポージャーベーキング装置83に搬送され、露光後ベーク処理が施される。その後ウェハWは、第2の搬送装置A2によって高精度温度調節装置81に搬送されて温度調節される。
その後ウェハWは、第2の搬送装置A2によって現像処理装置30に搬送される。現像処理装置30に搬入されたウェハWは、先ず、スピンチャック120に吸着保持される。続いて第1のアーム131により待機部135の現像液ノズル133がウェハWの外周部上方まで移動する。
次に、チャック駆動機構121を制御してスピンチャック120によりウェハWを所定の回転数で回転させる。続いて現像液ノズル133から、2.38質量%未満の濃度の現像液がウェハWの外周部に供給される。このとき、現像液ノズル133から供給される現像液は、供給機器群138の温度調節部によって5℃以上かつ23℃未満の温度に調節されている。その後、現像液ノズル133は、ウェハWの中心部に移動しながら、ウェハW上のEUV用レジスト膜に現像液を供給する。そうすると、現像液ノズル133から供給された帯状の現像液は、螺旋状にウェハW上に供給されることになる。そして、現像液はウェハW上を均一に拡散し、ウェハWの全面が現像液に覆われる。これにより、ウェハW上のEUV用レジスト膜が現像され、EUV用レジスト膜の露光部分が溶解して、ウェハW上にレジストパターンが形成される。なお、かかるウェハWの現像処理において、現像液ノズル133からウェハWに供給される現像液による現像処理時間は10秒以上かつ30秒未満である。
ウェハWの現像処理が終了すると、第1のアーム131により現像液ノズル133がウェハWの中心部上方から待機部135に移動する。同時に、第2のアーム132により待機部142の純水ノズル140がウェハWの中心部上方まで移動する。その後、ウェハWを回転させると共に、純水ノズル140から純水がウェハWの中心部に供給され、ウェハWの洗浄処理が行われる。なお、かかるウェハWの洗浄処理において、純水ノズル140からウェハWに供給される純水の供給時間は30秒以下である。
その後、純水ノズル140からの純水の供給を停止すると共に、ウェハWを加速回転させて、ウェハW上の純水を乾燥させて除去する。こうして一連のウェハWの現像処理が終了する。
現像処理装置30においてウェハWのEUV用レジスト膜が現像されると、ウェハWは、第2の搬送装置A2によってポストベーキング装置74に搬送され、ポストベーク処理が施された後、第1の搬送装置A1によって高精度温度調節装置63に搬送され温度調節される。そしてウェハWは、第1の搬送装置A1によってトランジション装置61に搬送され、ウェハ搬送体8によってカセットCに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
以上の実施の形態によれば、現像処理装置30で行われるウェハWの現像処理において、ウェハWのEUV用レジスト膜に供給される現像液の温度を5℃以上かつ23℃未満にしているので、現像液によるEUV用レジスト膜の化学反応、特にEUV用レジスト膜中への現像液の浸透を抑制できる。これにより、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRを改善することができる。したがって、ウェハW上のEUV用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成することができる。
ここで、現像液の温度を5℃以上かつ23℃未満にした場合に、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRを改善できる効果について説明する。発明者らは、現像液の温度を5℃〜40℃の範囲で変化させて、レジストパターンのLWRを計測し、上記効果について検証を行った。なお、本検証では、レジストパターンのLWRに加えて、EUV用レジスト膜のレジスト感度(Esize)についても計測した。この検証の結果を図6に示す。図6の横軸は現像液の温度を示し、縦軸はレジストパターンのLWRとEUV用レジスト膜のレジスト感度について示している。図6では、レジストパターンのLWRとして、標準条件(現像液の温度が23℃)でのLWRに対する、各現像液の温度条件でのLWRの比率(以下、「標準化LWR」という。)を示している。同様に、EUV用レジスト膜のレジスト感度についても、標準条件(現像液の温度が23℃)でのレジスト感度に対する、各現像液の温度条件でのレジスト感度の比率(以下、「標準化レジスト感度」という。)を示している。なお、ここでいう標準条件とは、従来の現像液の条件である。
図6を参照すると、現像液の温度が23℃未満の範囲で標準化LWRは1より小さくなり、レジストパターンのLWRが改善されることが分かった。また、現像液の温度が5℃以上の範囲で標準化LWRは大きくなる傾向にあるが、許容範囲内であることが確認されている。したがって、レジストパターンのLWRが改善される現像液の温度の範囲として、5℃以上かつ23℃未満が適切であることが分かった。なお、LWRとレジスト感度はトレードオフの関係にあるため、現像液の温度が5℃以上かつ23℃未満の場合、レジスト感度は若干悪化するが許容範囲内であることが確認されている。
また、本検証では、露光余度(EL;Exposure Latitude)についても検証を行った。露光余度とは、露光処理のドーズ量に対するレジストパターンの線幅の影響を示すものである。すなわち、露光余度が大きいと、ドーズ量を変化させてもレジストパターンの線幅の目標寸法からの変化が小さく、フォトリソグラフィーのパフォーマンスが向上する。本検証の結果を図7に示す。図7では、露光余度として、標準条件(現像液の温度が23℃)での露光余度に対する、各現像液の温度条件での露光余度の比率(以下、「標準化露光余度」という。)を示している。
図7を参照すると、現像液の温度が5℃以上かつ23℃未満の範囲で標準化露光余度は1より大きくなり、露光余度が向上することが分かった。したがって、この点からも、現像液の温度を5℃以上かつ23℃未満とするのが適切である。
また、以上の実施の形態によれば、ウェハWのEUV用レジスト膜に供給される現像液による現像処理時間を10秒以上かつ30秒未満にしているので、現像液によるEUV用レジスト膜の化学反応をさらに抑制できる。したがって、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRをさらに改善することができる。
ここで、現像処理時間を10秒以上かつ30秒未満にした場合に、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRを改善できる効果について説明する。発明者らは、現像処理時間を10秒〜90秒の範囲で変化させて、レジストパターンのLWRを計測し、上記効果について検証を行った。なお、本検証においても、レジストパターンのLWRに加えて、EUV用レジスト膜のレジスト感度についても計測した。この検証の結果を図8に示す。なお、図8の横軸は現像処理時間を示しており、縦軸はレジストパターンのLWRとEUV用レジスト膜のレジスト感度について示している。これらLWRとレジスト感度としては、図6と同様に標準化LWRと標準化レジスト感度が示されている。また、このときの標準条件は現像処理時間が30秒の場合である。
図8を参照すると、現像処理時間が10秒以上かつ30秒未満の範囲で標準化LWRは1より小さくなり、レジストパターンのLWRが改善されることが分かった。したがって、レジストパターンのLWRが改善される現像処理時間の範囲として、10秒以上かつ30秒未満が適切であることが分かった。なお、現像処理時間が10秒以上かつ30秒未満の場合、レジスト感度は若干悪化するが許容範囲内であることが確認されている。
また、本検証では、露光余度についても検証を行った。この検証の結果を図9に示す。図9では、露光余度として、図7と同様に標準化露光余度が示されている。図9を参照すると、現像処理時間が10秒以上かつ30秒未満の範囲で標準化露光余度は1より大きくなり、露光余度が向上することが分かった。したがって、この点からも、現像処理時間を10秒以上かつ30秒未満とするのが適切である。
また、以上の実施の形態によれば、ウェハWのEUV用レジスト膜に供給される現像液の濃度を2.38質量%未満にしているので、現像液によるEUV用レジスト膜の化学反応をさらに抑制できる。したがって、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRをさらに改善することができる。
ここで、現像液の濃度を2.38質量%未満にした場合に、EUV用レジスト膜に形成されるレジストパターンのLWRを改善できる効果について説明する。発明者らは、現像液の濃度を1質量%〜3.5質量%の範囲で変化させて、レジストパターンのLWRを計測し、上記効果について検証を行った。なお、本検証においても、レジストパターンのLWRに加えて、EUV用レジスト膜のレジスト感度についても計測した。この検証の結果を図10に示す。なお、図10の横軸は現像液の濃度を示しており、縦軸はレジストパターンのLWRとEUV用レジスト膜のレジスト感度について示している。これらLWRとレジスト感度としては、図6と同様に標準化LWRと標準化レジスト感度が示されている。また、このときの標準条件は現像液の濃度が2.38質量%の場合である。
図10を参照すると、現像液の濃度が2.38質量%未満の範囲で標準化LWRは1より小さくなり、レジストパターンのLWRが改善されることが分かった。したがって、レジストパターンのLWRが改善される現像液の濃度の範囲として、2.38質量%未満が適切であることが分かった。なお、現像液の濃度が2.38質量%未満の場合、レジスト感度は若干悪化するが許容範囲内であることが確認されている。
また、本検証では、露光余度についても検証を行った。この検証の結果を図11に示す。図11では、露光余度として、図7と同様に標準化露光余度が示されている。図11を参照すると、現像液の濃度が2.38質量%未満の範囲で標準化露光余度は1より大きくなり、露光余度が向上することが分かった。したがって、この点からも、現像液の濃度を2.38質量%未満とするのが適切である。
さらに、以上の実施の形態では、現像処理装置30で行われるウェハWの洗浄処理において、純水ノズル140からウェハWに供給される純水の供給時間を30秒以下にしている。発明者が調べたところ、純水の供給時間が長いとEUV用レジスト膜が膨潤し、EUV用レジスト膜の膜厚が厚くなることが分かった。これに対して、純水の供給時間を短時間、より好ましくは30秒以下にすると、このEUV用レジスト膜の膨潤が抑制され、レジストパターンを適切な寸法で形成できることが分かった。
ここで、純水の供給時間を短時間、より好ましくは30秒以下にした場合に、EUV用レジスト膜の膨潤が抑制される効果について説明する。発明者らは、露光処理のドーズ量を変化させた場合に、純水の供給時間を15秒、30秒、60秒の条件で変化させて、上記効果について検証を行った。また、この場合の現像処理における現像処理時間は30秒であった。この検証結果を図12に示す。図12の横軸は、露光処理のドーズ量を示し、縦軸はEUV用レジスト膜の膜厚を示している。
図12を参照すると、ドーズ量が9.5mj/cm2〜10.5mj/cmの範囲において、EUV用レジスト膜の未露光部分と露光部分の不安定な領域、すなわちEUV用レジスト膜の側壁面に該当する領域では、純水の供給時間によって膜減り方が異なる。純水の供給時間が60秒の場合、膜減り量が小さく、膜厚が厚い。すなわち、EUV用レジスト膜が膨潤している。これに対して、純水の供給時間が15秒又は30秒の場合、膜減り量が大きく、EUV用レジスト膜の膨潤を抑制できる。したがって、純水の供給時間は短時間であることが適切であり、より好ましくは30秒以下であればよいことが分かった。
また、ドーズ量が小さい範囲では、EUV用レジスト膜の膜減り量が小さく、現像処理の前後においてEUV用レジスト膜の膜厚の変化が小さいことが分かった。したがって、EUV用レジスト膜を適切な膜厚で形成することができる。
なお、図13は現像処理における現像処理時間を15秒にした場合であり、図14は現像処理時間を60秒にした場合である。これら図13及び図14を参照しても、純水の供給時間は短時間、より好ましくは30秒以下であれば、EUV用レジスト膜の膨潤を抑制することができることが分かった。すなわち、現像処理時間に関わらず、純水の供給時間を短時間にすればEUV用レジスト膜の膨潤を抑制することができることが分かった。
以上の実施の形態では、現像液の温度を5℃以上かつ23℃未満としたが、現像液の温度は23℃以上かつ40℃以下であってもよい。かかる場合、図6を参照すると、標準化LWRの範囲は1より僅かに大きくなるが許容範囲であることが確認されている。
また同様に、現像処理時間を10秒以上かつ30秒未満としたが、現像処理時間を30秒としてもよい。さらに、現像液の濃度を2.38質量%未満としたが、現像液の濃度は2.38質量%以上かつ3.0質量%以下であってもよい。
以上の実施の形態では、現像液の温度調節部を供給機器群138内に設けていたが、この温度調節部を現像液ノズル133付近に設けてもよい。かかる場合、現像液の温度を瞬時かつ確実に所定の温度に調節することができる。
以上の実施の形態では、現像液供給源136内に所定の濃度の現像液を貯留しているが、この現像液供給源136に現像液の濃度を調節する濃度調節部を設けてもよい。かかる場合、現像液の濃度を瞬時に所定の濃度に調節することができる。
以上の実施の形態では、現像液ノズル133をウェハWの外周部から中心部に移動させながら、ウェハW上のEUV用レジスト膜に現像液を供給していたが、ウェハWの中心部に現像液を供給してもよい。かかる場合、ウェハWの回転により生じる遠心力によって、ウェハWの中心部に供給された現像液はウェハW上を拡散する。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板上に現像液を供給して、基板上のEUV用レジスト膜を現像する際に有用である。
1 塗布現像処理システム
4 露光装置
20〜22 レジスト塗布装置
30〜34 現像処理装置
133 現像液ノズル
136 現像液供給源
137 供給管
138 供給機器群
140 純水ノズル
143 純水供給源
144 供給管
145 供給機器群
200 制御部
W ウェハ
4 露光装置
20〜22 レジスト塗布装置
30〜34 現像処理装置
133 現像液ノズル
136 現像液供給源
137 供給管
138 供給機器群
140 純水ノズル
143 純水供給源
144 供給管
145 供給機器群
200 制御部
W ウェハ
Claims (6)
- 基板上に現像液を供給して、基板上のEUV用レジスト膜を現像する現像処理方法であって、
前記現像液の温度は5℃以上かつ23℃未満であることを特徴とする、基板の現像処理方法。 - 前記現像液による現像処理時間は10秒以上かつ30秒未満であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の現像処理方法。
- 前記現像液の濃度は2.38質量%未満であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板の現像処理方法。
- 基板上に前記現像液を供給後、基板上に洗浄液を供給して基板を洗浄し、
前記洗浄液の供給時間は30秒以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板の現像処理方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の基板の現像処理方法を現像処理装置によって実行させるために、当該現像処理装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項5に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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