JP2024048593A - 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の裏面の凹凸に起因する露光処理時の不良を抑制する。【解決手段】基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法であって、前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む。【選択図】図８

Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板の裏面を保持する基板保持部に保持された基板の裏面に接触させて、基板裏面の研磨処理及び洗浄処理を行う研磨洗浄機構であって、基板の裏面を研磨する研磨部材と、基板の裏面を洗浄する洗浄部材と、を有するものが開示されている。

特開２０１５－１１９１６１号公報

本開示にかかる技術は、基板の裏面の凹凸に起因する露光処理時の不良を抑制する。

本開示の一態様は、基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法であって、前記一連の処理と共に行われる露光処理前
に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む。

本開示によれば、基板の裏面の凹凸に起因する露光処理時の不良を抑制する。

本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の内部構成の概略を示す説明図である。 塗布現像装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。 塗布現像装置の背面側の内部構成の概略を示す図である。 平坦化膜形成／除去モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。 平坦化膜形成／除去モジュールの構成の概略を示す横断面図である。 搬送アーム、回動機構及び搬送機構の斜視図である。 ウェハを保持した搬送アームの側面図である。 図１等の塗布現像装置を用いたウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。 第２実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。 図９の塗布現像装置が有する平坦化膜形成／除去モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。 図９の塗布現像装置が有する平坦化膜形成／除去モジュールの構成の概略を示す横断面図である。 第３実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。 図１２の塗布現像装置を用いたウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に種々の処理が順次行われ、所定のレジストパターンが形成される。例えば、基板上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が行われ、所定のレジストパターンが形成される。

上述の露光処理は、露光装置内のチャックによって基板の裏面を吸着した状態で、所定の波長を有する光を照射することにより、行われる。また、露光処理の際に、基板の裏面が凹凸を有していることがある。例えば、露光装置への搬入前に、基板の裏面に異物が付着したり傷が生じたりすることにより、上記凹凸は形成される。このように露光処理の際に基板の裏面が凹凸を有していると、チャックによって保持された基板の表（おもて）面が平坦にならず、露光処理においてデフォーカスやオーバレイ不良等の不良が生じてしまうことがある。そのため、従来、露光装置に搬入される前に、基板裏面に押し当てたブラシを移動させることで異物を除去する洗浄処理や、基板裏面に研磨パッドを押し当てて研磨する研磨処理等が行われている。

しかし、上述のようにブラシを用いた洗浄処理や研磨パッドを用いた研磨処理が行われても、基板裏面には凹凸が残ることがある。例えば、洗浄処理による異物の除去性が不十分である場合や、研磨パッドにより基板に傷がついてしまう研磨条件の場合においては、基板裏面に凹凸が残ることがある。すなわち、従来の手法では、基板の裏面の凹凸に起因する露光処理時の不良について改善の余地がある。

そこで、本開示にかかる技術は、基板の裏面の凹凸に起因する、露光処理時の不良（例えばデフォーカスやオーバレイ不良等）を抑制する。

以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置を、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１実施形態）
＜塗布現像装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、塗布現像装置の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。
塗布現像装置１は、図１に示すように、複数枚のウェハＷを収容した容器としてのカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、ウェハＷに枚葉で所定の処理を施す各種処理モジュールを複数備えた処理ステーション３と、を有する。また、塗布現像装置１は、処理ステーション３のＹ方向正側に隣接して設けられ露光装置４との間でウェハＷを枚葉で受け渡すインターフェイスステーション５を有する。上述のカセットステーション２と処理ステーション３とインターフェイスステーション５とは一体に接続されている。

カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。
例えばカセット搬入出部１０は、塗布現像装置１のＹ方向負側（図１の左側）の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、塗布現像装置１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
ウェハ搬送部１１には、ウェハＷを搬送する搬送モジュール２０が設けられている。搬送モジュール２０は、Ｘ方向に延びる搬送路２１を移動自在に構成されている。搬送モジュール２０は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しモジュールとの間でウェハＷを枚葉で搬送できる。

処理ステーション３には、各種モジュールを備えた複数の、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。

第１のブロックＧ１には、図２に示すように、複数の液処理モジュール、例えば現像モジュール３０、レジスト塗布モジュール、平坦化膜形成／除去モジュール３２が下からこの順に配置されている。

レジスト塗布モジュール３１は、ウェハＷ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する。
現像モジュール３０は、露光処理後のレジスト膜に現像液を供給してレジストパターンを形成する。
平坦化膜形成／除去モジュール３２は、露光処理前に、ウェハＷの裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成し、且つ、露光処理後に、平坦化膜を除去する。

これら現像モジュール３０、レジスト塗布モジュール３１、平坦化膜形成／除去モジュール３２では、例えば回転塗布法によりウェハＷ上に所定の処理液を吐出する。回転塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。

また、平坦化膜形成／除去モジュール３２が形成する平坦化膜は、例えば、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜またはＳＯＣ（Spin On Carbon）膜である。上記平坦化膜は、ハードマスク用に用いられる金属含有ハードマスク膜（例えばジルコニアオキサイド膜）であってもよい。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すように、ウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理モジュール４０が上下方向と水平方向に並べて設けられている。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しモジュール５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しモジュール６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えば搬送モジュール７０が配置されている。搬送モジュール７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。搬送モジュール７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のモジュールにウェハＷを搬送できる。搬送モジュール７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定のモジュールにウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送モジュール８０が設けられている。

シャトル搬送モジュール８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送モジュール８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５２と第４のブロックＧ４の受け渡しモジュール６２との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正側には、搬送モジュール９０が設けられている。搬送モジュール９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送モジュール９０ａを有している。搬送モジュール９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しモジュールにウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション５には、搬送モジュール１００と受け渡しモジュール１０１が設けられている。搬送モジュール１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。搬送モジュール１００は、例えば搬送アーム１００ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しモジュール、受け渡しモジュール１０１及び露光装置４の間でウェハＷを搬送できる。

以上の塗布現像装置１には、制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。このプログラム格納部には、後述のウェハ処理のための指令を含むプログラム等が格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。

＜平坦化膜形成／除去モジュール３２＞
次に、平坦化膜形成／除去モジュール３２の構成について説明する。図４及び図５はそれぞれ、平坦化膜形成／除去モジュール３２の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。図６は、後述の搬送アーム、回動機構及び搬送機構の斜視図である。図７は、ウェハＷを保持した搬送アームの側面図である。

図４及び図５に示すように、平坦化膜形成／除去モジュール３２は、内部を閉鎖可能な処理容器１１０を有している。処理容器１１０における、ウェハ搬送領域Ｄに臨む側面に、ウェハＷの搬入出口１１１が形成され、搬入出口１１１には、開閉シャッタ１１２が設けられている。

処理容器１１０の内部には、当該処理容器１１０に対するウェハＷの搬入出時にウェハＷが載置されるウェハ受け渡し台１６８が設けられている。ウェハ受け渡し台１６８上には、ウェハＷを支持する支持ピン１６８ａが例えば３個設けられている。

また、処理容器１１０の内部には、搬送アーム１６０が設けられている。本実施形態において、搬送アーム１６０は、ウェハ受け渡し台１６８と後述のスピンチャック１２０との間でウェハＷを搬送する。搬送アーム１６０は、図６に示すように接近、離隔することができる一対のチャック部１６１、１６１を有している。チャック部１６１は１／４円環状に構成されたフレーム部１６１ａと、このフレーム部１６１ａと一体に形成され、かつフレーム部１６１ａを支持するためのアーム部１６１ｂと、を有している。フレーム部１６１ａ、１６１ａには、それぞれウェハ挟持部１６２、１６２が設けられ、ウェハ挟持部１６２の側面には、図７に示すようにテーパ溝１６２ａが形成されている。そして一対の離隔したチャック部１６１、１６１が相互に接近することによって、ウェハＷの周縁部がテーパ溝１６２ａ、１６２ａに挿入されてウェハＷは支持される。

搬送アーム１６０は、図６に示すように回動機構１６３に支持されている。回動機構１６３は内部にモータ等の駆動部（図示せず）を有する。この回動機構１６３により、搬送アーム１６０は、水平軸周り（Ｘ軸周り）に回動でき、そのため、搬送アーム１６０で保持されたウェハＷの表裏面を反転させることができる。すなわち、搬送アーム１６０及び回動機構１６３は、ウェハＷを反転させる反転機構を構成する。また、回動機構１６３により、搬送アーム１６０は、水平方向（Ｘ方向）に伸縮でき、そのため、搬送アーム１６０で保持されたウェハＷを水平方向（Ｘ方向）に移動させることができる。回動機構１６３の下面にはシャフト１６４が設けられ、シャフト１６４の下端部は昇降機構１６５に接続されている。昇降機構１６５はその内部にモータ等の駆動部（図示せず）を有する。この昇降機構１６５により回動機構１６３及び搬送アーム１６０は昇降できる。昇降機構１６５は搬送機構１６６に支持されている。搬送機構１６６は内部にモータ等の駆動部（図示せず）を有する。この搬送機構１６６により、回動機構１６３及び搬送アーム１６０は、図５に示すように処理容器１１０内に水平方向（Ｘ方向）に沿って設けられたガイドレール１６７に沿って移動することができる。そのため、搬送アーム１６０に支持されたウェハＷを、処理容器１１０内において水平方向（Ｘ方向）に沿って、移動させることができる。

処理容器１１０の内部には、図４に示すように基板保持部としてのスピンチャック１２０が設けられている。スピンチャック１２０は、ウェハＷの裏面を上側に向けてウェハＷを水平に保持する。このスピンチャック１２０は、モータ等の駆動部（図示せず）を有する回転駆動部１２１により、鉛直軸周りに回転でき、且つ、昇降できる。スピンチャック１２０の上面には、ウェハＷの周縁部を保持する保持ピン（図示せず）がウェハＷの周縁部に沿って複数個（例えば８個）設けられている。スピンチャック１２０は例えば所謂ベルヌーイチャックである。

スピンチャック１２０の周囲には、図４に示すようにカップ体１２６が設けられている。カップ体１２６は、ウェハＷ上から零れ落ちる等した処理液を回収する。カップ体１２６の上面には、ウェハＷを保持した状態のスピンチャック１２０が昇降できるようにウェハＷ及びスピンチャック１２０よりも大きい開口部が形成されている。カップ体１２６の底部には、当該カップ体１２６に回収された処理液を排出するための排液口１２７が形成されており、この排液口１２７には排液管１２８が接続されている。

さらに、処理容器１１０の内部には、吐出ノズル１３０、１４０が設けられている。

吐出ノズル１３０は、スピンチャック１２０に保持されたウェハＷの裏面に平坦化膜形成用の処理液を吐出する。吐出ノズル１３０は、供給管１３１を介して平坦化膜形成用の処理液の供給源１３２に接続されている。供給管１３１にはバルブや流量調整部等を含む供給制御群１３３が介設されている。

吐出ノズル１３０は、図５に示すようにアーム１３４を介して移動機構１３５に接続されている。移動機構１３５は内部にモータ等の駆動部（図示せず）を有する。この移動機構１３５により、アーム１３４は、処理容器１１０内に水平方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール１３６に沿って移動自在である。これにより、吐出ノズル１３０は、カップ体１２６の一端側（図５では右側）の外側に設けられた待機領域１３７から他端側に向かって移動できる。また、移動機構１３５により、アーム１３４は上下方向に移動できる。これにより、吐出ノズル１３０の高さを調節できる。なお、待機領域１３７は、吐出ノズル１３０を収納できるように構成されていると共に、吐出ノズル１３０の先端部を洗浄できる洗浄部１３７ａが設けられている。

吐出ノズル１４０は、スピンチャック１２０に保持されたウェハＷの裏面に平坦化膜を除去する除去液を処理液として吐出する。吐出ノズル１４０は、供給管１４１を介して除去液の供給源１４２に接続されている。供給管１４１にはバルブや流量調整部等を含む供給制御群１４３が介設されている。供給源１４２から供給される除去液は、平坦化膜が金属を含有しない場合、例えば希釈フッ酸であり、平坦化膜が金属を含有する場合、例えば酸系薬液またはアルカリ系薬液である。なお、酸系薬液の具体例としては、ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ）が挙げられ、アルカリ系薬液の具体例としてはＳＣ１（ＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ）が挙げられる。

吐出ノズル１４０は、アーム１４４を介して移動機構１４５に接続されている。移動機構１４５は内部にモータ等の駆動部（図示せず）を有する。この移動機構１４５により、アーム１４４は、前述のガイドレール１３６に沿って移動自在である。これにより、吐出ノズル１４０は、カップ体１２６の他端側（図５では左側）の外側に設けられた待機領域１４６から一端側に向かって移動できる。また、移動機構１４５により、アーム１４４は上下方向に移動できる。これにより、吐出ノズル１４０の高さを調節できる。なお、待機領域１４６は、吐出ノズル１４０を収納できるように構成されていると共に、吐出ノズル１３０の先端部を洗浄できる洗浄部１３７ａが設けられている。

＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像装置１を用いた、レジストパターンを形成するための一連の処理を含むウェハ処理の一例について説明する。図８は、塗布現像装置１を用いた上記ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。なお、以下の各工程は、露光工程における露光処理を除き、制御部Ｕの制御により、塗布現像装置１が実行する。

図８に示すように、まず、塗布現像装置１内にウェハＷが搬入される（ステップＳ１）。
具体的には、例えば、まず、塗布現像装置１のカセットステーション２に搬入され載置板１３に載置されたカセットＣから、搬送モジュール２０により、ウェハＷが取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５３に搬送される。

次に、ウェハＷの裏面に平坦化膜が形成される（ステップＳ２）。

具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、第２のブロックＧ２の熱処理モジュール４０に搬送され温度調節処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール７０によって、第１のブロックＧ１の平坦化膜形成／除去モジュール３２の処理容器１１０内に、搬入出口１１１を介して、搬入される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール７０によって、ウェハ受け渡し台１６８に載置される。次いで、搬送アーム１６０が、回動機構１６３によって、ウェハ受け渡し台１６８の位置まで延伸される。続いて、搬送アーム１６０の一対の離隔したチャック部１６１、１６１が互いに接近され、テーパ溝１６２ａ内にウェハＷが保持される。

次に、搬送アーム１６０で保持されたウェハＷが、回動機構１６３によって反転回動され、ウェハＷの裏面が上側に向けられる。この状態で、ウェハＷが、搬送機構１６６によって、スピンチャック１２０の上方に移動される。次いで、スピンチャック１２０が上昇されると共に、搬送アーム１６０の一対のチャック部１６１、１６１が離隔され、搬送アーム１６０からスピンチャック１２０にウェハＷが受け渡される。その後、搬送アーム１６０がスピンチャック１２０の上方から退避される。また、ウェハＷがスピンチャック１２０により水平に保持される。次いで、スピンチャック１２０が下降され、ウェハＷが所定の位置まで下降される。

次に、ウェハＷが回転駆動部１２１によって回転されると共に、吐出ノズル１３０がウェハＷの中心部上方まで移動される。そして、吐出ノズル１３０からウェハＷの裏面の中心部に平坦化膜形成用の処理液が吐出される。吐出された処理液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの裏面上を拡散する。これにより、ウェハＷの裏面上に膜表面（ひょうめん）が平坦な平坦化膜が形成される。なお、平坦化膜の表面すなわち平坦化膜形成後のウェハＷの裏面は完全に平坦になっている必要はなく、少なくとも平坦化膜形成前のウェハＷの裏面の凹凸より小さく且つその後の露光処理時のデフォーカス量及びオーバレイ不良等が許容範囲となる凹凸であれば、平坦化膜形成後のウェハＷの裏面は凹凸を有していてもよい。

吐出ノズル１３０からの処理液の吐出は、所定時間経過後に停止される。その後、吐出ノズル１３０がウェハＷの中心部上方から待機領域１３７に移動される。処理液の吐出の停止後も、ウェハＷの回転は所定時間継続される。これにより、平坦化膜が乾燥する。

ウェハＷの回転が停止されると、スピンチャック１２０が上昇され、ウェハＷが所定の位置まで上昇される。また、搬送アーム１６０が延伸されてスピンチャック１２０の上方に移動される。次いで、スピンチャック１２０から搬送アーム１６０にウェハＷが受け渡される。

次に、搬送アーム１６０で保持されたウェハＷが、回動機構１６３によって反転回動され、ウェハＷの表面が上側に向けられる。この状態で、ウェハＷが、搬送機構１６６によって、ウェハ受け渡し台１６８の上方に移動され、ウェハ受け渡し台１６８に受け渡される。その後、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、処理容器１１０から搬出され、第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５３に戻される。また、ウェハＷは、搬送モジュール９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５４に搬送される。

本工程でウェハＷの裏面に形成される平坦化膜の厚さは、後段の露光処理時において、少なくとも、ウェハＷの裏面の、異物や凹凸等の欠陥の大きさより大きければよく、例えば上記欠陥の大きさの２倍以上である。好ましくは、上記平坦化膜の厚さは、上記欠陥の大きさが５倍以上、具体的には、上記欠陥の大きさが１００ｎｍの場合は、上記平坦化膜の厚さは、５００ｎｍ以上である。なお、上記欠陥の大きさの最大値は例えば１μｍである。

次に、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成される（ステップＳ３）。

具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送モジュール７０によってレジスト塗布モジュール３１に搬送され、ウェハＷの表面上にレジスト膜が形成される。次いで、ウェハＷが、搬送モジュール７０によってＰＡＢ処理用の熱処理モジュール４０に搬送されて、ＰＡＢ処理が施される。次いで、ウェハＷは、搬送モジュール７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５５に搬送される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール９０によって受け渡しモジュール５２に搬送され、シャトル搬送モジュール８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しモジュール６２に搬送される。

次いで、ウェハＷに露光処理が施される（ステップＳ４）
具体的には、例えば、ウェハＷが、インターフェイスステーション５の搬送モジュール１００によって露光装置４に搬送され、所定のパターンで露光される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール１００によって第４のブロックＧ４の受け渡しモジュール６０に搬送される。

続いて、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される（ステップＳ５）。
具体的には、ウェハＷが、例えば、まず、搬送モジュール７０によって、ＰＥＢ処理用の熱処理モジュール４０に搬送されて、ＰＥＢ処理が施される。次いで、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって現像モジュール３０に搬送され、現像処理が施され、レジストパターンがウェハＷの表面上に形成される。続いて、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、ポストベーキング処理用の熱処理モジュール４０に搬送され、ポストベーキング処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５６に搬送される。

次に、平坦化膜が除去される（ステップＳ６）。

具体的には、例えば、ステップＳ２の平坦化膜形成工程と同様に、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、平坦化膜形成／除去モジュール３２の処理容器１１０内に搬入される。次いで、ウェハＷが、搬送アーム１６０に保持され、回動機構１６３によって反転回動され、ウェハＷの裏面が上側に向けられた後、スピンチャック１２０に受け渡される。その後、搬送アーム１６０がスピンチャック１２０の上方から退避される。また、ウェハＷがスピンチャック１２０により水平に保持される。次いで、スピンチャック１２０が下降され、ウェハＷが所定の位置まで下降される。

次に、ウェハＷが回転駆動部１２１によって回転されると共に、吐出ノズル１４０がウェハＷの中心部上方まで移動される。そして、吐出ノズル１４０からウェハＷの裏面の中心部に除去液が吐出される。吐出された除去液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの裏面上を拡散する。これにより、ウェハＷの裏面上の略全体に形成された平坦化膜が除去される。吐出ノズル１４０からの除去液の吐出は、所定時間経過後に停止される。その後、吐出ノズル１４０がウェハＷの中心部上方から待機領域１４６に移動される。除去液の吐出の停止後も、ウェハＷの回転は所定時間継続される。これにより、ウェハＷの裏面が乾燥する。なお、除去液のリンス液用の吐出ノズルを平坦化膜形成／除去モジュール３２に設け、除去液の吐出終了後、当該吐出ノズルからウェハＷの裏面にリンス液を吐出し、除去液を洗い流すようにしてもよい。

ウェハＷの回転が停止されると、ウェハＷは、ステップＳ２の平坦化膜形成工程と同様に、搬送アーム１６０で保持され、回動機構１６３によって反転回動され、ウェハＷの裏面が上側に向けられた後、ウェハ受け渡し台１６８に受け渡される。その後、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、処理容器１１０から搬出され、第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５１に搬送される。
なお、ステップＳ２の平坦化膜形成工程とステップＳ３の平坦化膜形成工程とで、用いられる平坦化膜形成／除去モジュール３２は同じであってもよいし異なっていてもよい。

そして、ウェハＷが塗布現像装置１から搬出される（ステップＳ７）。
具体的には、ウェハＷが、ステップＳ１とは逆の手順でカセットＣに戻される。
これで、塗布現像装置１を用いたウェハ処理が完了する。
このように、上記ウェハ処理では、レジスト膜を形成する工程、現像する工程、平坦化膜を形成する工程及び平坦化膜を除去する工程が、同一の塗布現像装置１を用いて行われる。すなわち、上記の４つの工程が、一度も塗布現像装置１から搬出されずに、当該塗布現像装置１により行われる。

＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、塗布現像装置１は、ウェハＷに対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行うものであり、制御部Ｕの制御により、一連の処理と共に行われる露光処理前に、ウェハＷの裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程を実行する。そのため、平坦化膜形成前においてウェハＷの裏面が凹凸を有する場合でも、当該凹凸の大小によらず、当該凹凸が平坦化膜で覆われるため、ウェハＷの裏面を平坦にすることができる。したがって、露光処理の際には、ウェハＷの裏面が平坦になっているため、露光装置４内のチャックによって保持されたウェハＷの表面も平坦にすることができ、その結果、露光処理においてデフォーカスやオーバレイ不良等の不良が生じるのを抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、ウェハＷの裏面の凹凸に起因する露光処理時の不良を抑制することができる。
また、露光処理時の不良を抑制することができるため、リワークを行う回数を減らすことができるので、生産性すなわちスループットを改善することができる。なお、リワークとは、ウェハＷ上のレジストパターンを除去した後に再度ウェハＷ上にレジストパターンを形成することをいう。

さらに、塗布現像装置１は、制御部Ｕの制御により、露光処理後に平坦化膜を除去する工程を実行する。すなわち、本実施形態では、塗布現像装置１により処理されたウェハＷの裏面には平坦化膜は残っていない。本実施形態と異なり、塗布現像装置１により処理されたウェハＷの裏面に平坦化膜が残っていると、当該ウェハＷに、成膜処理やエッチング処理等の処理を重ねていったときに平坦化膜が悪影響を及ぼすおそれがある。例えば、平坦化膜がウェットエッチングにより除去されやすいＳＯＧ膜の場合、以下のような影響が想定される。すなわち、ウェハＷの裏面のＳＯＧ膜（平坦膜）の上に成膜処理により所定の膜が形成された後、ＳＯＧ膜及び所定の膜とは異なる膜を除去するためにウェットエッチングが行われたときに、ＳＯＧ膜ごと所定の膜が除去されてしまい、上記所定の膜がウェハＷに対する異物となることが想定される。それに対し、本実施形態では、上述のように、塗布現像装置１により処理されたウェハＷの裏面には平坦化膜は残っていないため、塗布現像装置１により処理されたウェハＷに対しさらに処理を重ねていったときに、平坦化膜が悪影響を及ぼすおそれがない。

また、本実施形態では、塗布現像装置１が、制御部Ｕの制御により、露光処理後のウェハＷの表面上のレジスト膜を現像する工程を実行した後に、平坦化膜を除去する工程を行う。したがって、平坦化膜の除去に要する時間が、ウェハＷに対する露光処理終了から現像までの時間に影響を及ぼすことがない。ウェハＷに対する露光処理終了から現像までの時間は、レジストパターンの状態（例えば寸法等）を決定する重要な要因である。

さらに、本実施形態では、平坦化膜を形成する平坦化膜形成モジュールと平坦化膜を除去する平坦化膜除去モジュールとが一体化され平坦化膜形成／除去モジュール３２とされている。具体的には、平坦化膜形成モジュールと平坦化膜除去モジュールとで、処理液を回収するカップ体１２６を共有している。そして、平坦化膜の形成と平坦化の除去には、この平坦化膜形成／除去モジュール３２が用いられ、すなわち、同じモジュールが用いられる。したがって、平坦化膜の形成と平坦化の除去のために塗布現像装置１が大型化するのを抑制することができる。

（第２実施形態）
＜塗布現像装置＞
図９は、第２実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。
図９に示すように、塗布現像装置１Ａは、第１実施形態にかかる塗布現像装置１が有する平坦化膜形成／除去モジュール３２に代えて、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａが、第１のブロックＧ１に設けられている。

平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａは、平坦化膜形成／除去モジュール３２と同様、露光処理前に、ウェハＷの裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成し、且つ、露光処理後に、平坦化膜を除去する。それに加えて、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａは、露光処理前に平坦化膜を硬化する。すなわち、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａは、露光処理前に平坦化膜を硬化する硬化モジュールが一体化されている。例えば、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａは、加熱により平坦化膜を硬化する。

＜平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａ＞
次に、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａの構成について、平坦化膜形成／除去モジュール３２との相違点を中心に、説明する。図１０及び図１１はそれぞれ、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａの構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。

図１０及び図１１に示すように、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａの処理容器１１０Ａの内部には、当該内部を第１の処理室Ｒ１と第２の処理室Ｒ２とに区画する仕切部材１１３が設けられている。第１の処理室Ｒ１と第２の処理室Ｒ２はそれぞれ内部を閉鎖可能である。仕切部材１１３には、搬送アーム１６０、回動機構１６３、搬送機構１６６が通過することができる通過口１５４が形成され、通過口１５４には、開閉シャッタ１５５が設けられている。

第１の処理室の内部には、ウェハ受け渡し台１６８、スピンチャック１２０、カップ体１２６、吐出ノズル１３０、１４０等が設けられている。ウェハ受け渡し台１６８上には、ウェハＷを支持する支持ピン１４０ａが例えば３個設けられている。

また、処理容器１１０の内部Ａに設けられた搬送アーム１６０Ａは、ウェハ受け渡し台１６８と後述のスピンチャック１２０との間でウェハＷを搬送する他、スピンチャック１２０と第２の処理室Ｒ２との間及び第２の処理室Ｒ２との間で、ウェハＷを搬送する。

搬送アーム１６０Ａ及び回動機構１６３は、搬送機構１６６により、図１１に示すように処理容器１１０Ａ内に水平方向（Ｘ方向）に沿って設けられたガイドレール１６７に沿って、第１の処理室Ｒ１内、第１の処理室Ｒ１と第２の処理室Ｒ２との間、及び第２の処理室Ｒ２内を、移動することができる。そのため、搬送アーム１６０に支持されたウェハＷを、処理容器１１０内、第１の処理室Ｒ１内、第１の処理室Ｒ１と第２の処理室Ｒ２との間、及び第２の処理室Ｒ２内で、水平方向（Ｘ方向）に沿って、移動させることができる。

第２の処理室Ｒ２の上部には、図１０に示すように、ウェハＷに形成された平坦化膜を硬化するランプ加熱ユニット１７１が設けられている。ランプ加熱ユニット１７１は、光によりウェハＷを加熱し平坦化膜を硬化させる。

＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像装置１Ａを用いた、レジストパターンを形成するための一連の処理を含むウェハ処理の一例について、第１実施形態にかかる塗布現像装置１を用いた場合との相違点を中心に、説明する。なお、以下のウェハ処理は、露光工程における露光処理を除き、制御部Ｕの制御により、塗布現像装置１Ａが実行する。

塗布現像装置１Ａを用いたウェハ処理でも、塗布現像装置１を用いたウェハ処理と同様、まず、塗布現像装置１内にウェハＷが搬入され（ステップＳ１）、ウェハＷの裏面に平坦化膜が形成される（ステップＳ２）。

ただし、塗布現像装置１Ａを用いたウェハ処理では、ステップＳ２で平坦化膜が形成された後、当該平坦化膜が硬化される。

具体的には、例えば、ステップＳ２において、ウェハＷの裏面に平坦化膜が形成され、スピンチャック１２０から搬送アーム１６０ＡにウェハＷが受け渡された後、平坦化膜硬化工程において、まず、ウェハＷが、搬送機構１６６によって、第２の処理室Ｒ２内に移動される。そして、ウェハＷが、回動機構１６３、昇降機構１６５及び搬送機構１６６によって、図１０及び図１１において破線で示すように、ランプ加熱ユニット１７１の直下に移動される。その後、ウェハＷが、搬送アーム１６０Ａに保持された状態で、ランプ加熱ユニット１７１により加熱され、平坦化膜が硬化される。

硬化の後、搬送アーム１６０Ａで保持されたウェハＷが、搬送機構１６６によって、第１の処理室Ｒ１内に移動される。また、搬送アーム１６０Ａで保持されたウェハＷが、回動機構１６３によって反転回動され、ウェハＷの表面が上側に向けられる。この状態で、ウェハＷが、搬送機構１６６によって、ウェハ受け渡し台１６８の上方に移動され、ウェハ受け渡し台１６８に受け渡される。次いで、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、処理容器１１０Ａから搬出され、第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５３に戻される。また、ウェハＷは、搬送モジュール９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しモジュール５４に搬送される。

その後、塗布現像装置１Ａを用いたウェハ処理でも、塗布現像装置１を用いたウェハ処理と同様、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成され（ステップＳ３）、ウェハＷに露光処理が施され（ステップＳ４）、レジスト膜が現像され（ステップＳ５）、平坦化膜が除去され（ステップＳ６）、塗布現像装置１Ａから搬出される（ステップＳ７）。

＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態では、塗布現像装置１Ａが、制御部Ｕの制御により、露光処理前に平坦化膜を硬化する工程を実行する。したがって、平坦化膜が、露光装置４のチャックとの擦れにより、破損するのを抑制することができる。

また、本実施形態では、平坦化膜の硬化を加熱により行っている。そのため、硬化するまでの間に平坦化膜を柔らかくし当該平坦化膜の流動性を高くすることができるため、平坦化膜の表面（ひょうめん）をより平坦にすることができる。

＜第２実施形態の変形例＞
以上の例において、平坦化膜形成／除去モジュール３２Ａは、露光処理前に平坦化膜を硬化する硬化モジュールが一体化されていた。しかし、上記硬化モジュールと、平坦化膜の形成及び除去を行うモジュールとは別体となっていてもよい。

（第３実施形態）
＜塗布現像装置＞
図１２は、第３実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。
図１２に示すように、塗布現像装置１Ｂは、現像モジュール３０、レジスト塗布モジュール３１及び平坦化膜形成／除去モジュール３２に加えて、保護膜形成／除去モジュール３３が、第１のブロックＧ１に設けられている。

保護膜形成／除去モジュール３３は、平坦化膜の形成前に、ウェハＷの表面に保護膜を形成し、且つ、レジスト塗布前に、保護膜を除去する。

保護膜形成／除去モジュール３３が形成する保護膜は、平坦化膜の形成時に処理液がカップ体１２６に衝突することにより生じるミストから、ウェハＷの表面を保護する。保護膜は、例えば有機膜である。保護膜として用いられる有機膜は、例えば、有機溶剤により溶解する膜である。また、保護膜として用いられる有機膜は、所定の剥離液によって溶解することなくウェハＷの表面から剥がれる膜、具体的には、所定の剥離液としての水によって溶解することなくウェハＷの表面から剥がれるトップコート膜であってもよい。なお、トップコート膜とは、通常、レジストへの液浸液の浸みこみを防ぐためにレジストの上面に塗布される保護膜である。また、液浸液とは、リソグラフィにおける液浸露光に用いられる液体である。

なお、保護膜形成／除去モジュール３３の構成は、公知のレジスト塗布モジュール３１の構成と略同一であり、少なくとも２つの吐出ノズル（図示せず）を有する。
保護膜形成／除去モジュール３３の一の吐出ノズルからは、保護膜形成用の処理液が吐出される。保護膜形成用の処理液は、具体的には、例えば、トップコート膜形成用のトップコート液であり、トップコート液には、アクリル樹脂が含まれている。
保護膜形成／除去モジュール３３の一の吐出ノズルからは、保護膜除去用の処理液すなわち除去液が吐出される。例えば、保護膜が有機溶剤により溶解する有機膜である場合、上記除去液として有機溶剤が用いられる。また、保護膜が所定の剥離液によって溶解することなくウェハＷの表面から剥がれる膜である場合、上記除去液として有機溶剤が用いられる。具体的には、保護膜が上記トップコート膜である場合、上記除去液として水が用いられる。

また、保護膜形成／除去モジュール３３は、平坦化膜形成／除去モジュール３２等と同様、例えば回転塗布法によりウェハＷ上に処理液を吐出する。

＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像装置１Ｂを用いた、レジストパターンを形成するための一連の処理を含むウェハ処理の一例について、第１実施形態にかかる塗布現像装置１を用いた場合との相違点を中心に、説明する。図１３は、塗布現像装置１Ｂを用いた上記ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。なお、以下のウェハ処理は、露光工程における露光処理を除き、制御部Ｕの制御により、塗布現像装置１Ｂが実行する。

塗布現像装置１Ｂを用いたウェハ処理では、図１３に示すように、塗布現像装置１内にウェハＷが搬入された後（ステップＳ１）、ウェハＷの表面に保護膜が形成される（ステップＳ１１）。

ステップＳ１１では、具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって、第２のブロックＧ２の熱処理モジュール４０に搬送され温度調節処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送モジュール７０によって保護膜形成／除去モジュール３３に搬送される。そして、ウェハＷの表面に保護膜が形成される。具体的には、回転するウェハＷの表面上に保護膜形成用の処理液が供給され、ウェハＷの表面上に保護膜が形成される。
なお、保護膜として、水によって溶解することなくウェハＷの表面から剥がれるトップコート膜が形成される場合、保護膜形成前に、ウェハＷの表面を親水化する親水化処理がウェハＷに施されてもよい。親水化処理は、親水化処理液（例えばオゾン水や過酸化水素水等）を用いたものや、ＵＶ照射によるもの等があげられる。

保護膜の形成の後、ウェハＷの裏面に平坦化膜が形成され（ステップＳ２）、次いで、保護膜が除去される（ステップＳ１２）。
具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送モジュール７０によって保護膜形成／除去モジュール３３に搬送される。そして、ウェハＷの表面上の保護膜が除去される。具体的には、回転するウェハＷの表面上に除去液として水（ＤＩＷ）が吐出され、保護膜としてのトップコート膜が溶解されずに剥離される。
なお、上述のように、保護膜が溶解されずに剥離される場合、ウェハＷの表面に、保護膜を溶解する処理液が吐出され、ウェハＷの周縁部に残った保護膜が溶解され除去されるようにしてもよい。
また、保護膜の除去後、いずれの処理液の吐出も行わずに、ウェハＷを回転させて、ウェハＷの表面を乾燥させてもよい。

その後、塗布現像装置１Ｂを用いたウェハ処理でも、塗布現像装置１を用いたウェハ処理と同様、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成され（ステップＳ３）、ウェハＷに露光処理が施され（ステップＳ４）、レジスト膜が現像され（ステップＳ５）、平坦化膜が除去され（ステップＳ６）、塗布現像装置１Ｂから搬出される（ステップＳ７）。

＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態では、塗布現像装置１Ｂが、制御部Ｕの制御により、平坦化膜を形成する工程前且つレジスト膜を形成する工程に保護膜を形成する工程と、平坦化膜を形成する工程後且つレジスト膜を形成する工程前に、保護膜を除去する工程と、を実行する。したがって、保護膜形成時に生じる保護膜形成用の処理液のミストにより、ウェハＷの表面（具体的にはレジスト塗布前のウェハＷの表面）が汚染されるのを抑制することができる。

また、保護膜が溶解されずに剥離されることにより、ウェハＷの表面に付着していた異物も除去される。したがって、ウェハＷの表面の清浄度を向上させることができる。

＜第１～第３実施形態の変形例＞
以上の例では、平坦化膜を形成する平坦化膜形成モジュールと平坦化膜を除去する平坦化膜除去モジュールとが一体化され、具体的には、両モジュールで処理液を回収するカップ体を共有していた。これに代えて、平坦化膜形成モジュールと平坦化膜除去モジュールとは別体となっていてもよく、具体的には、両モジュールが個別のカップ体を有していてもよい。

また、以上の例では、膜形成用の処理液をウェハＷに吐出して平坦化膜及び保護膜を形成していたが、平坦化膜及び保護膜の少なくともいずれか一方を、上記処理液を用いる方法以外の方法、例えば膜形成用の処理ガスを用いる方法で形成してもよい。

以上の例では、レジスト膜を形成する工程、現像する工程、平坦化膜を形成する工程及び平坦化膜を除去する工程が、同一の塗布現像装置を用いて行われていたが、平坦化膜を形成する工程は別の装置を用いて行われてもよい。

また、以上の例では、ウェハＷの表裏面を反転させる反転機構が、平坦化膜形成／除去モジュールに設けられていたが、別の位置、例えば第３のブロックＧ３または第４のブロックＧ４に設けられていてもよい。

以上の例では、ウェハＷの裏面に平坦化膜を形成する前に、ウェハＷの表裏面を反転させウェハＷの裏面を上側に向けていた。これに代えて、ウェハＷの裏面が下側に向いたままの状態で、ウェハＷの裏面に平坦化膜を形成してもよい。

以上の例では、平坦化膜を形成する工程後に、レジスト膜を形成する工程を行っていたが、レジスト膜を形成する工程後に、平坦化膜を形成する工程を行ってもよい。
この場合、第３実施形態では、レジスト膜を形成する工程後且つ平坦化膜を形成する工程前に、保護膜を形成する工程を行い、平坦化膜を形成する工程後に、保護膜を除去する工程を行ってもよい。また、形成する保護膜がレジスト膜と同種である場合は、保護膜を除去する工程は省略してもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法であって、
前記一連の処理と共に行われる露光処理前
に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、
前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む、基板処理方法。
（２）前記平坦化膜を形成する工程は、回転塗布法により前記平坦化膜を形成する、前記（１）に記載の基板処理方法。
（３）前記平坦化膜の厚さは、５００ｎｍ以上である、前記（１）または（２）に記載の基板処理方法。
（４）前記平坦化膜を除去する工程は、前記基板に除去液を吐出して前記平坦化膜を除去する、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（５）前記平坦化膜が金属を含有しない場合、前記除去液は希釈フッ酸であり、
前記平坦化膜が金属を含有する場合、前記除去液は酸系薬液またはアルカリ系薬液である、前記（４）に記載の基板処理方法。
（６）前記露光処理前に、前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程をさらに含み、
前記平坦化膜を形成する工程後、前記レジスト膜を形成する工程を行う、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（７）前記露光処理前に、前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程をさらに含み、
前記レジスト膜を形成する工程後、前記平坦化膜を形成する工程を行う、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。

（８）前記露光処理後の前記基板の表面上の前記レジスト膜を現像する工程をさらに含み、
前記平坦化膜を除去する工程を前記現像する工程後に行う、前記（６）または（７）に記載の基板処理方法。
（９）前記平坦化膜を形成する工程前に前記基板の表面に保護膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を形成する工程前に前記保護膜を除去する工程と、を含む、前記（６）に記載の基板処理方法。
（１０）前記保護膜を除去する工程は、当該保護膜を前記基板から溶解させることなく剥離させることにより除去する、前記（９）に記載の基板処理方法。
（１１）前記露光処理前に、前記平坦化膜を硬化する工程をさらに含む、前記（１）～（１０）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（１２）前記平坦化膜を形成する工程及び前記平坦化膜を除去する工程を、平坦化膜を形成するモジュールと平坦化膜を除去するモジュールとが一体化されたモジュールを用いて行う、前記（１）～（１）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（１３）前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記露光処理後の前記基板上の前記レジスト膜を現像する工程と、を含み、
前記レジスト膜を形成する工程、前記現像する工程及び前記平坦化膜を除去する工程を、同一の基板処理装置を用いて行う、前記（１）～（１２）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（１４）前記平坦化膜を形成する工程も前記同一の基板処理装置を用いて行う、前記（１３）に記載の基板処理方法。
（１５）基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する平坦化膜形成モジュールと、
前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する平坦化膜除去モジュールと、
制御部と、を備え、
前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記平坦化膜を形成する工程と、
前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を実行する、基板処理装置。
（１６）前記基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールと、
前記露光処理後の前記基板の表面上の前記レジスト膜を現像する現像モジュールと、をさらに備え、
前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
前記露光処理前に、前記レジスト膜を形成する工程と、
前記露光処理後に、前記レジスト膜を現像する工程と、をさらに実行し、
前記平坦化膜を除去する工程を前記現像する工程後に実行する、前記（１５）に記載の基板処理装置。
（１７）前記基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールと、
前記基板の表面に保護膜を形成する保護膜形成モジュールと、
前記保護膜を除去する保護膜除去モジュールと、をさらに備え、
前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
前記平坦化膜を形成する工程前に前記保護膜を形成する工程と、
前記平坦化膜を形成する工程後且つ前記レジスト膜を形成する工程前に、前記保護膜を除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程後、前記レジスト膜を形成する工程と、をさらに実行する、前記（１５）に記載の基板処理装置。
（１８）前記保護膜除去モジュールは、前記保護膜を前記基板から溶解させることなく剥離させることにより除去する、前記（１７）に記載の基板処理装置。
（１９）前記平坦化膜を硬化する硬化モジュールをさらに備え、
前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、前記露光処理前に、前記平坦化膜を硬化する工程をさらに実行する、前記（１５）～（１８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（２０）基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法を、基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作させるプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、
前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。

１、１Ａ、１Ｂ 塗布現像装置
３２、３２Ａ 平坦化膜形成／除去モジュール
Ｈ 記憶媒体
Ｕ 制御部
Ｗ ウェハ

Claims (20)

1. 基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法であって、
   前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、
   前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む、基板処理方法。
2. 前記平坦化膜を形成する工程は、回転塗布法により前記平坦化膜を形成する、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記平坦化膜の厚さは、５００ｎｍ以上である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記平坦化膜を除去する工程は、前記基板に除去液を吐出して前記平坦化膜を除去する、請求項１または２に記載の基板処理方法。
5. 前記平坦化膜が金属を含有しない場合、前記除去液は希釈フッ酸であり、
   前記平坦化膜が金属を含有する場合、前記除去液は酸系薬液またはアルカリ系薬液である、請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記露光処理前に、前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程をさらに含み、
   前記平坦化膜を形成する工程後、前記レジスト膜を形成する工程を行う、請求項１に記載の基板処理方法。
7. 前記露光処理前に、前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程をさらに含み、
   前記レジスト膜を形成する工程後、前記平坦化膜を形成する工程を行う、請求項１に記載の基板処理方法。
8. 前記露光処理後の前記基板の表面上の前記レジスト膜を現像する工程をさらに含み、
   前記平坦化膜を除去する工程を前記現像する工程後に行う、請求項６または７に記載の基板処理方法。
9. 前記平坦化膜を形成する工程前に前記基板の表面に保護膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜を形成する工程前に前記保護膜を除去する工程と、を含む、請求項６に記載の基板処理方法。
10. 前記保護膜を除去する工程は、当該保護膜を前記基板から溶解させることなく剥離させることにより除去する、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記露光処理前に、前記平坦化膜を硬化する工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
12. 前記平坦化膜を形成する工程及び前記平坦化膜を除去する工程を、平坦化膜を形成するモジュールと平坦化膜を除去するモジュールとが一体化されたモジュールを用いて行う、請求項１または２に記載の基板処理方法。
13. 前記基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記露光処理後の前記基板上の前記レジスト膜を現像する工程と、を含み、
    前記レジスト膜を形成する工程、前記現像する工程及び前記平坦化膜を除去する工程を、同一の基板処理装置を用いて行う、請求項１または２に記載の基板処理方法。
14. 前記平坦化膜を形成する工程も前記同一の基板処理装置を用いて行う、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理装置であって、
    前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する平坦化膜形成モジュールと、
    前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する平坦化膜除去モジュールと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
    前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記平坦化膜を形成する工程と、
    前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を実行する、基板処理装置。
16. 前記基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールと、
    前記露光処理後の前記基板の表面上の前記レジスト膜を現像する現像モジュールと、をさらに備え、
    前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
    前記露光処理前に、前記レジスト膜を形成する工程と、
    前記露光処理後に、前記レジスト膜を現像する工程と、をさらに実行し、
    前記平坦化膜を除去する工程を前記現像する工程後に実行する、請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールと、
    前記基板の表面に保護膜を形成する保護膜形成モジュールと、
    前記保護膜を除去する保護膜除去モジュールと、をさらに備え、
    前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、
    前記平坦化膜を形成する工程前に前記保護膜を形成する工程と、
    前記平坦化膜を形成する工程後且つ前記レジスト膜を形成する工程前に、前記保護膜を除去する工程と、
    前記保護膜を除去する工程後、前記レジスト膜を形成する工程と、をさらに実行する、請求項１５に記載の基板処理装置。
18. 前記保護膜除去モジュールは、前記保護膜を前記基板から溶解させることなく剥離させることにより除去する、請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 前記平坦化膜を硬化する硬化モジュールをさらに備え、
    前記制御部の制御により、当該基板処理装置が、前記露光処理前に、前記平坦化膜を硬化する工程をさらに実行する、請求項１５～１８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
20. 基板に対してレジストパターンを形成するための一連の処理を行う基板処理方法を、基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作させるプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記基板処理方法は、
    前記一連の処理と共に行われる露光処理前に、前記基板の裏面を平坦化させるための平坦化膜を形成する工程と、
    前記露光処理後に、前記平坦化膜を除去する工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。

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