JP2007310111A - 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散して現像処理が不均一となることを防止して、パターン寸法の均一性を向上させることができる基板の現像処理方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する場合に、現像液として、水溶性樹脂を含む混合薬液を使用する。基板表面のレジスト膜上に塗布された現像液中に含まれる水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することを抑制する。
【選択図】なし
【解決手段】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する場合に、現像液として、水溶性樹脂を含む混合薬液を使用する。基板表面のレジスト膜上に塗布された現像液中に含まれる水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することを抑制する。
【選択図】なし
Description
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の表面に形成された露光後のフォトレジスト膜に現像液を供給して現像処理を行う基板の現像処理方法および現像処理装置に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、レジスト塗布、露光、露光後ベーク、現像といった各工程を行うことにより基板の表面に微細パターンを形成している。このうち現像処理では、従来、現像液として例えばTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)の2.38%水溶液を使用している。また、現像処理形態としては、基板を液槽内の現像液中に浸漬させるディップ現像、基板の表面にミスト状の現像液を吹き付けるスプレー現像、基板の表面中心部に現像液を吐出して基板を回転させるスピン現像などがあるが、近年では、現像液の消費量を低減させ、また、レジストパターンの線幅均一性を向上させるために、表面張力を利用して基板上へ現像液を液盛りするパドル現像(スリットスキャン現像とも呼ばれる)が一般的となっている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2003−264132号公報(第3−5頁、図1)
しかしながら、パドル現像では、現像液は基板上に液盛りされたまま流動することがないので、現像によってレジストから溶出した成分により、更なる現像の進行が阻害される(ローディング効果)。そして、レジストの溶出成分が現像液中で拡散するため、パターン形成部の周辺近傍のパターン非形成部の状態などによってパターン寸法の不均一性を生じる。例えば、図6の(a)に示すように、パターン形成部Aの周辺のパターン非形成部B1が露光部(現像による溶出部分)であるときは、現像によってパターン非形成部B1のレジストから多量に溶出する成分が現像液中で拡散する。この結果、パターン形成部Aにおける現像の進行が抑制され、図7の(a)に示すように、現像工程後に基板Wの表面に形成されるレジストパターンC1の線幅が比較的大きくなる。一方、図6の(b)に示すように、パターン形成部Aの周辺のパターン非形成部B2が未露光部であるときは、現像によってパターン非形成部B2のレジストから溶出して現像液中で拡散する成分が少なくなる。このため、パターン形成部Aにおける現像の進行が促進され、図7の(b)に示すように、現像処理後に基板Wの表面に形成されるレジストパターンC2の線幅が小さくなる。このように、現像によってレジストから溶出する成分によりパターン寸法の不均一性を生じる、といった問題点がある。
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散して現像処理が不均一となることを防止して、パターン寸法の均一性を向上させることができる基板の現像処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板の現像処理装置を提供することを目的とする。
請求項1に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する基板の現像処理方法において、前記現像液として、水溶性樹脂を含む混合薬液を使用することを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の現像処理方法において、水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオールおよびポリエーテルポリオールからなる群より選ばれた樹脂を使用することを特徴とする。
請求項3に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段とを備えた基板の現像処理装置において、前記現像液供給手段により前記吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液を供給するようにしたことを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項3に記載の現像処理装置において、基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズルを備えたことを特徴とする。
請求項5に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、下端部にスリット状吐出口を有し、前記基板保持手段によって保持された基板に対して相対的に水平方向へ移動しつつ前記スリット状吐出口から基板表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する吐出ノズルと、前記基板保持手段によって保持された基板に対して前記吐出ノズルを相対的に水平方向へ移動させる水平移動手段と、前記吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段とを備えた基板の現像処理装置において、前記現像液供給手段により前記吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液を供給するようにしたことを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項5に記載の現像処理装置において、基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズル、および、基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段を備えたことを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項3ないし請求項6のいずれかに記載の現像処理装置において、水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオールおよびポリエーテルポリオールからなる群より選ばれた樹脂を使用することを特徴とする。
請求項1に係る発明の現像処理方法によると、基板表面のレジスト膜上に塗布された現像液中に含まれている水溶性樹脂により、レジストから現像液中への成分の溶出が抑え込まれ、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することが抑制される。そして、現像液中の現像に必要な成分がレジスト膜に染み込み、レジスト膜の現像を進行させる。したがって、レジストの溶出成分が現像液中で拡散して現像処理が不均一となることが防止されるため、パターン寸法の均一性を向上させて、製品の歩留まりを高めることができる。
請求項2に係る発明の現像処理方法では、水溶性樹脂であるポリビニルピロリドン等が現像液中に含まれていることにより、レジストの溶出成分が現像液中で拡散することが抑制されるので、請求項1に係る発明の上記効果が確実に得られる。
請求項3に係る発明の現像処理装置を使用すると、現像液供給手段により吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液が供給され、その現像液が吐出ノズルから基板表面のレジスト膜上へ吐出されて、レジスト膜の表面に水溶性樹脂を含んだ現像液が塗布されるので、現像液中の水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することが抑制される。したがって、請求項1に係る発明の現像処理方法を好適に実施することができ、上記した効果が得られる。
請求項4に係る発明の現像処理装置では、基板表面のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズルを備えていることにより、同一のユニット内で基板上への現像液の塗布と水洗とを行うことができる。
請求項5係る発明の現像処理装置を使用すると、現像液供給手段により吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液が供給され、吐出ノズルが基板に対して相対的に水平方向へ移動しつつ現像液が吐出ノズルのスリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ吐出されて、レジスト膜の表面に水溶性樹脂を含んだ現像液が塗布され液盛りされるので、現像液中の水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することが抑制される。したがって、請求項1に係る発明の現像処理方法を好適に実施することができ、上記した効果が得られる。
請求項6に係る発明の現像処理装置では、基板表面のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズルを備えていることにより、同一のユニット内で基板上への現像液の液盛りと水洗とを行うことができる。
請求項7に係る発明の現像処理装置では、現像液供給手段により吐出ノズルへ供給され吐出ノズルから基板表面のレジスト膜上へ吐出されてレジスト膜の表面に塗布される現像液中に水溶性樹脂であるポリビニルピロリドン等が含まれていることにより、レジストの溶出成分が現像液中で拡散することが抑制され、請求項3および請求項5に係る各発明の上記効果が確実に得られる。
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
最初に、基板の現像処理装置を含む基板処理装置の全体構成の1例について、平面配置図を示す図5に基づいて簡単に説明する。
最初に、基板の現像処理装置を含む基板処理装置の全体構成の1例について、平面配置図を示す図5に基づいて簡単に説明する。
この基板処理装置は、インデクサブロック1、反射防止膜処理ブロック2、レジスト塗布処理ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5をこの順で連設して構成されている。また、基板処理装置には、各処理ブロック2、3、4間で基板Wを搬送するための基板搬送路6が設けられている。そして、インターフェイスブロック5には、この基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置7が並設される。
インデクサブロック1は、複数枚の基板Wを複数段に並べて収納するカセットCを複数個、並べて載置するカセット載置台50を備えている。また、カセット載置台50上のカセットCから未処理の基板Wを1枚ずつ順に取り出すとともに、処理済みの基板Wを1枚ずつ順にカセットC内へ収納するインデクサ用搬送機構52を備えている。インデクサ用搬送機構52は、カセット載置台50に沿って移動可能な可動台52a、および、この可動台52aに搭載され基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム52bを有している。保持アーム52bは、可動台52a上に昇降移動、水平面内での旋回移動および旋回半径方向への進退移動可能に支持されている。
インデクサブロック1に隣接して反射防止膜処理ブロック2が設けられており、インデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との境界部に、インデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部54が配設されている。また、基板搬送路6に、各処理ブロック2、3、4間において基板Wの搬送を行うとともに各処理ブロック2、3、4に対して基板Wの受け渡しを行う主搬送機構56を備えている。主搬送機構56は、処理ブロック2、3、4の連設方向に沿って移動可能な可動台56a、および、この可動台56aに搭載され基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム56bを有している。保持アーム56bは、可動台56a上に昇降移動、水平面内での旋回移動および旋回半径方向への進退移動可能に支持されている。
反射防止膜処理ブロック2は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためにレジスト膜の下部に設けられる反射防止膜を塗布形成する部分である。この反射防止膜処理ブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成する塗布処理部58、および、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Wを熱処理する熱処理部60を備えており、これらの塗布処理部58と熱処理部60とが基板搬送路6を挟んで対向するように配置されている。
反射防止膜処理ブロック2に隣接して設けられたレジスト塗布処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジスト膜を塗布形成する部分である。このレジスト塗布処理ブロック3は、基板Wの表面に形成された反射防止膜上にレジスト膜を塗布形成する塗布処理部62、および、レジスト膜の塗布形成に関連して基板Wを熱処理する熱処理部64を備えており、これらの塗布処理部62と熱処理部64とが基板搬送路6を挟んで対向するように配置されている。
レジスト塗布処理ブロック3に隣接して設けられた現像処理ブロック4は、基板Wの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する部分である。この現像処理ブロック4は、基板W表面の露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理をする現像処理部66、および、現像処理に関連して基板を熱処理する熱処理部68を備えており、これらの現像処理部66と熱処理部68とが基板搬送路6を挟んで対向するように配置されている。
現像処理ブロック4に隣接してインターフェイスブロック5が設けられており、現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5との境界部に、現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部70が配設されている。インターフェイスブロック5は、この基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置7に対して基板Wの受け渡しをする部分である。このインターフェイスブロック5は、露光装置7との間で基板Wの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構72を備えている。インターフェイス用搬送機構72は、インターフェイスブロック5の長手方向に沿って移動可能な可動台72a、および、この可動台72aに搭載され基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム72bを有している。保持アーム72bは、可動台72a上に昇降移動、水平面内での旋回移動および旋回半径方向への進退移動可能に支持されている。
上記した構成を有する基板処理装置において、一連の基板処理は以下のようにして行われる。
インデクサブロック1において、インデクサ用搬送機構52により、カセット載置台50上に載置されたカセットCから未処理の基板Wが1枚ずつ取り出され、取り出された基板Wが基板載置部54上に載置される。基板載置部54上に載置された基板Wは、基板搬送路6に設置された主搬送機構56によって反射防止膜処理ブロック2へ搬送され、反射ブロック2に設けられた塗布処理部58および熱処理部60において基板Wの表面に反射防止膜が塗布形成される。表面に反射防止膜が形成された基板Wは、主搬送機構56によって反射防止膜処理ブロック2からレジスト塗布処理ブロック3へ搬送され、レジスト塗布処理ブロック3に設けられた塗布処理部62および熱処理部64において基板W上にレジスト膜が塗布形成される。表面にレジスト膜が形成された基板Wは、主搬送機構56によってレジスト塗布処理ブロック3からインターフェイスブロック5の方へ搬送され、基板載置部70上に載置される。基板載置部70上に載置された基板Wは、インターフェイス用搬送機構72によって露光装置7へ搬送され、露光装置7において基板Wの表面のレジスト膜が露光される。
インデクサブロック1において、インデクサ用搬送機構52により、カセット載置台50上に載置されたカセットCから未処理の基板Wが1枚ずつ取り出され、取り出された基板Wが基板載置部54上に載置される。基板載置部54上に載置された基板Wは、基板搬送路6に設置された主搬送機構56によって反射防止膜処理ブロック2へ搬送され、反射ブロック2に設けられた塗布処理部58および熱処理部60において基板Wの表面に反射防止膜が塗布形成される。表面に反射防止膜が形成された基板Wは、主搬送機構56によって反射防止膜処理ブロック2からレジスト塗布処理ブロック3へ搬送され、レジスト塗布処理ブロック3に設けられた塗布処理部62および熱処理部64において基板W上にレジスト膜が塗布形成される。表面にレジスト膜が形成された基板Wは、主搬送機構56によってレジスト塗布処理ブロック3からインターフェイスブロック5の方へ搬送され、基板載置部70上に載置される。基板載置部70上に載置された基板Wは、インターフェイス用搬送機構72によって露光装置7へ搬送され、露光装置7において基板Wの表面のレジスト膜が露光される。
露光が終わった基板Wは、露光装置7からインターフェイスブロック5へ戻され、再びインターフェイス用搬送機構72により搬送されて基板載置部70上に載置される。基板載置部70上に載置された基板Wは、主搬送機構56によって現像処理ブロック4へ搬送され、現像処理ブロック4の熱処理部68において露光後ベーク(PEB)処理される。露光後ベーク後の基板Wは、後に詳しく説明するように現像処理部66において現像処理され水洗処理される。現像処理が終了した基板Wは、主搬送機構56によって現像処理ブロック4からインデクサブロック1の方へ搬送され、基板載置部54上に載置される。そして、インデクサ用搬送機構52により、処理済みの基板Wがカセット載置台50上のカセットC内へ挿入されて収納される。
なお、上記した一連の基板処理操作は1例であり、例えば、インターフェイスブロック5にエッジ露光部を設けて、基板Wの表面に形成されたレジスト膜の周縁部を露光する工程を含めたり、トップコート塗布工程を含めるなどしてもよい。また、反射防止膜の塗布形成工程を省略してもよい。
次に、上記した現像処理部66に設置される基板の現像処理装置について説明する。
図1および図2は、この発明に係る基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の構成の1例を示し、図1は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は、その概略縦断面図である。
図1および図2は、この発明に係る基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の構成の1例を示し、図1は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は、その概略縦断面図である。
この現像処理装置は、基板Wの現像処理が行われる装置中央部に、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック10、上端部にスピンチャック10が固着され鉛直に支持された回転支軸12、および、回転支軸12に回転軸が連結されスピンチャック10および回転支軸12を鉛直軸回りに回転させる回転モータ14が配設されている。スピンチャック10の周囲には、スピンチャック10上の基板Wを取り囲むように円形のカップ16が配設されており、カップ16は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されている。
カップ16の手前側近傍には、先端の吐出口から現像液を基板W上へ吐出する現像液吐出ノズル18が配設されている。現像液吐出ノズル18は、図示しない現像液供給管を通して現像液供給源に流路接続されている。この現像液吐出ノズル18は、矢印Aで示す方向へ水平面内で回動可能にノズル保持部20に保持されており、図1に示した待機位置と先端の吐出口が基板Wの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。現像液吐出ノズル18へ供給される現像液は、一般に使用されている現像薬液、例えばTMAH水溶液(2.38%水溶液)、コリン(水酸化2−ヒドロキシエチルメチルアンモニウム)水溶液などと水溶性樹脂、例えばポリビニルピロリドン(PVP)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオールなどとの混合薬液である。なお、基板Wの表面に形成されたレジスト膜に対する塗布性を高めるために、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等の界面活性剤を現像液中に添加するようにしてもよい。
また、カップ16の側方側近傍には、先端の吐出口から純水を基板W上へ吐出する純水吐出ノズル22が配設されている。純水吐出ノズル22は、図示しない純水供給管を通して純水供給源に流路接続されている。この純水吐出ノズル22は、矢印Bで示す方向へ水平面内で回動可能にノズル保持部24に保持されており、図1に示した待機位置と先端の吐出口が基板Wの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。
次に、上記したような構成を備えた現像処理装置による処理動作の1例について説明する。
表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Wが現像処理装置内へ搬入されて、スピンチャック10に基板Wが保持されると、現像液吐出ノズル18を回動させて、現像液吐出ノズル18の先端吐出口を基板Wの中心部直上位置へ移動させる。そして、基板Wを低速で回転させながら、現像液吐出ノズル18の先端吐出口から所定量の現像液を基板Wの中心部へ滴下して供給する。基板W上へ供給された現像液は、基板Wの全面に拡がって、レジスト膜の表面全体を覆うようにレジスト膜上に塗布される。現像液がレジスト膜上に塗布されると、現像液中に含まれている水溶性樹脂成分によってレジストから液中への成分の溶出が抑え込まれ、斯かる溶出した成分が現像液中に拡散することが抑制される。この一方、現像に必要な成分がレジスト膜に染み込み、レジスト膜の現像が進行する。現像液の塗布が終わると、現像液吐出ノズル18は、図1に示した元の位置へ回動して戻される。この後、基板Wは、スピンチャック10上から取り去られて現像処理装置内から搬出され、熱処理部(図5に示した現像処理ブロック4の熱処理部68)において加熱処理される。この加熱処理は、現像液中におけるTMAHの拡散を促進させるために行われ、この際の加熱温度は、露光後ベークのときの加熱温度(例えば100℃以上)より低い温度(例えば70℃〜80℃以下)とする。
表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Wが現像処理装置内へ搬入されて、スピンチャック10に基板Wが保持されると、現像液吐出ノズル18を回動させて、現像液吐出ノズル18の先端吐出口を基板Wの中心部直上位置へ移動させる。そして、基板Wを低速で回転させながら、現像液吐出ノズル18の先端吐出口から所定量の現像液を基板Wの中心部へ滴下して供給する。基板W上へ供給された現像液は、基板Wの全面に拡がって、レジスト膜の表面全体を覆うようにレジスト膜上に塗布される。現像液がレジスト膜上に塗布されると、現像液中に含まれている水溶性樹脂成分によってレジストから液中への成分の溶出が抑え込まれ、斯かる溶出した成分が現像液中に拡散することが抑制される。この一方、現像に必要な成分がレジスト膜に染み込み、レジスト膜の現像が進行する。現像液の塗布が終わると、現像液吐出ノズル18は、図1に示した元の位置へ回動して戻される。この後、基板Wは、スピンチャック10上から取り去られて現像処理装置内から搬出され、熱処理部(図5に示した現像処理ブロック4の熱処理部68)において加熱処理される。この加熱処理は、現像液中におけるTMAHの拡散を促進させるために行われ、この際の加熱温度は、露光後ベークのときの加熱温度(例えば100℃以上)より低い温度(例えば70℃〜80℃以下)とする。
基板Wの加熱処理が終わると、基板Wは、再び現像処理装置内へ搬入される。そして、スピンチャック10に基板Wが保持されると、純水吐出ノズル22を回動させて、純水吐出ノズル22の先端吐出口を基板Wの中心部直上位置へ移動させ、純水吐出ノズル22の先端吐出口から純水を基板Wの中心部へ供給する。これにより、基板Wの表面上のレジスト膜の現像反応が停止するとともに、現像が完了したレジスト溶解部分が斯かる純水によって基板Wの表面上から一気に取り除かれる。純水吐出ノズル22は、純水の吐出が終わると、再び図1に示した元の位置へ回動して戻される。そして、純水の吐出後に、基板Wを回転させて、遠心力により基板W上から純水を飛散させて除去し、基板Wを乾燥させる。この際、内側カップ16を上昇させておく。基板Wの乾燥処理が終了すると、基板Wは、スピンチャック10上から取り去られて現像処理装置内から搬出される。
次に、図3および図4は、この発明に係る基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の別の構成例を示し、図3は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図4は、図3のIV−IV矢視断面図である。
この現像処理装置は、図1および図2に示した装置と同様に、基板Wの現像処理が行われる装置中央部に、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック26、上端部にスピンチャック26が固着され鉛直に支持された回転支軸28、および、回転支軸28に回転軸が連結されスピンチャック26および回転支軸28を鉛直軸回りに回転させる回転モータ30が配設されている。スピンチャック26の周囲には、スピンチャック26上の基板Wを取り囲むように円形の内側カップ32が配設されており、内側カップ32は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されている。内側カップ32の周囲には、矩形状の外側カップ34が配設されている。
外側カップ34の左右両側には、それぞれ待機ポット36、36が配設されている。外側カップ34および待機ポット36、36の一方の側部には、外側カップ34および待機ポット36、36の連接方向と平行にガイドレール38が配設されている。ガイドレール38には、アーム駆動部40が摺動自在に係合しており、アーム駆動部40にノズルアーム42が保持されている。ノズルアーム42には、現像液吐出ノズル44が水平姿勢で吊着されている。現像液吐出ノズル44は、詳細な構造の図示を省略しているが、下端面に長手方向に延びるスリット状吐出口を有している。現像液吐出ノズル44には、現像液供給源に流路接続された現像液供給管(図示せず)が連通接続されている。この現像液吐出ノズル44は、ガイドレール38と直交する方向に配置されている。そして、アーム駆動部40により、ノズルアーム42をガイドレール38に沿って水平方向へ直線的に往復移動させて、現像液吐出ノズル44を矢印Cで示す方向に走査し、その逆方向に戻すことができる構成となっている。現像液吐出ノズル44へ供給される現像液は、TMAH水溶液、コリン水溶液等の現像薬液とPVP、PVA、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等の水溶性樹脂との混合薬液であり、レジスト膜に対する塗布性を高めるために界面活性剤を現像液中に添加するようにしてもよい。
また、外側カップ34の後方側近傍には、先端の吐出口から純水を基板W上へ吐出する純水吐出ノズル46が配設されている。純水吐出ノズル46は、図示しない純水供給管を通して純水供給源に流路接続されている。この純水吐出ノズル46は、矢印Dで示す方向へ水平面内で回動可能にノズル保持部48に保持されており、図3に示した待機位置と先端の吐出口が基板Wの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。
図3および図4に示した現像処理装置による処理動作の1例について説明する。
表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Wが現像処理装置内へ搬入されて、スピンチャック26に基板Wが保持されると、現像液吐出ノズル44のスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、アーム駆動部40によって現像液吐出ノズル44を矢印Cで示す方向に走査する。これにより、基板W上に現像液が供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル44が右側の待機ポット36の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部40により現像液吐出ノズル44を矢印Cで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル44を元の左側の待機ポット36の位置まで戻す。この後、図1および図2に示した装置における場合と同様に、基板Wは、スピンチャック26上から取り去られて現像処理装置内から搬出され、熱処理部(図5に示した現像処理ブロック4の熱処理部68)において加熱処理される。
表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Wが現像処理装置内へ搬入されて、スピンチャック26に基板Wが保持されると、現像液吐出ノズル44のスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、アーム駆動部40によって現像液吐出ノズル44を矢印Cで示す方向に走査する。これにより、基板W上に現像液が供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル44が右側の待機ポット36の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部40により現像液吐出ノズル44を矢印Cで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル44を元の左側の待機ポット36の位置まで戻す。この後、図1および図2に示した装置における場合と同様に、基板Wは、スピンチャック26上から取り去られて現像処理装置内から搬出され、熱処理部(図5に示した現像処理ブロック4の熱処理部68)において加熱処理される。
基板Wの加熱処理が終わると、基板Wは、再び現像処理装置内へ搬入される。そして、スピンチャック26に基板Wが保持されると、純水吐出ノズル46を回動させて、純水吐出ノズル46の先端吐出口を基板Wの中心部直上位置へ移動させ、純水吐出ノズル46の先端吐出口から純水を基板Wの中心部へ供給する。これにより、基板Wの表面上のレジスト膜の現像反応が停止する。純水吐出ノズル46は、純水の吐出が終わると、再び図3に示した元の位置へ回動して戻される。そして、純水の吐出後に、基板Wを回転させて、遠心力により基板W上から純水を飛散させて除去し、基板Wを乾燥させる。この際、内側カップ32を上昇させておく。基板Wの乾燥処理が終了すると、基板Wは、スピンチャック26上から取り去られて現像処理装置内から搬出される。
この発明に係る現像処理方法では、上記したように現像液中に水溶性樹脂が含まれているので、基板表面のレジスト膜上に現像液を塗布して現像処理したときに、現像液中に含まれている水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することが抑制される。このため、レジストの溶出成分が現像液中で拡散して現像処理が不均一になる、といったことが防止され、パターン寸法の均一性が向上することとなる。
上記した各構成による処理動作においては、現像液を基板W上に塗布した後、熱処理部68にて加熱処理を行うようにしているが、これに限られるものではなく、基板W上への現像液の塗布後に特に加熱処理を行わず、スピンチャック10、26上に基板Wをそのまま所定時間静止状態で保持してTMAHの拡散を生じさせ、続いて上記各構成による処理動作と同様に、純水吐出ノズル22、46の先端吐出口から基板Wの中心部へ純水を供給して現像反応を停止させ、その後に基板Wを回転させて乾燥させるようにしてもよい。
10、26 スピンチャック
12、28 回転支軸
14、30 回転モータ
16 カップ
18、44 現像液吐出ノズル
20 現像液吐出ノズルのノズル保持部
22、46 純水吐出ノズル
24、48 純水吐出ノズルのノズル保持部
32 内側カップ
34 外側カップ
36 待機ポット
38 ガイドレール
40 アーム駆動部
42 ノズルアーム
W 基板
12、28 回転支軸
14、30 回転モータ
16 カップ
18、44 現像液吐出ノズル
20 現像液吐出ノズルのノズル保持部
22、46 純水吐出ノズル
24、48 純水吐出ノズルのノズル保持部
32 内側カップ
34 外側カップ
36 待機ポット
38 ガイドレール
40 アーム駆動部
42 ノズルアーム
W 基板
Claims (7)
- 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する基板の現像処理方法において、
前記現像液として、水溶性樹脂を含む混合薬液を使用することを特徴とする基板の現像処理方法。 - 前記水溶性樹脂は、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオールおよびポリエーテルポリオールからなる群より選ばれた樹脂である請求項1に記載の基板の現像処理方法。
- 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する吐出ノズルと、
この吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
を備えた基板の現像処理装置において、
前記現像液供給手段により前記吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液を供給するようにしたことを特徴とする基板の現像処理装置。 - 前記基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズルを備えた請求項3に記載の基板の現像処理装置。
- 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
下端部にスリット状吐出口を有し、前記基板保持手段によって保持された基板に対して相対的に水平方向へ移動しつつ前記スリット状吐出口から基板表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する吐出ノズルと、
前記基板保持手段によって保持された基板に対して前記吐出ノズルを相対的に水平方向へ移動させる水平移動手段と、
前記吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
を備えた基板の現像処理装置において、
前記現像液供給手段により前記吐出ノズルへ水溶性樹脂を含む混合薬液からなる現像液を供給するようにしたことを特徴とする基板の現像処理装置。 - 前記基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ純水を吐出する純水吐出ノズル、および、前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段を備えた請求項5に記載の基板の現像処理装置。
- 前記水溶性樹脂は、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオールおよびポリエーテルポリオールからなる群より選ばれた樹脂である請求項3ないし請求項6のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006138561A JP2007310111A (ja) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006138561A JP2007310111A (ja) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007310111A true JP2007310111A (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=38843032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006138561A Pending JP2007310111A (ja) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007310111A (ja) |
-
2006
- 2006-05-18 JP JP2006138561A patent/JP2007310111A/ja active Pending
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