CN110783226A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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碛本荣一
岩永和也
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Abstract

本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体供给单元；对被上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部通过从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1中记载的液体处理系统包括：对基片供给处理液来进行液体处理的液体处理装置；和控制液体处理装置的控制部。液体处理装置包括：保持基片的基片保持部；对由基片保持部保持的基片的正面供给挥发性流体的第1供给部；和对由基片保持部保持的基片的背面供给加热流体的第2供给部。作为挥发性流体，例如使用IPA(异丙醇)。IPA被供给到基片的图案形成面。作为加热流体，例如使用加热后的纯水。控制部在液体处理装置中进行挥发性流体供给处理、露出处理和加热流体供给处理。挥发性流体供给处理是从第1供给部对基片的正面供给挥发性流体而在基片正面形成液膜的处理。露出处理是使基片的正面从挥发性流体露出的处理。加热流体供给处理是先于露出处理开始，在与露出处理重叠的期间从第2供给部对基片的背面供给加热流体的处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-90015号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明的一个方式提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置，包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对由上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的至少凹部形成液膜的液体供给单元；对由上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部控制上述加热单元，以使从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，从而使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。
发明效果
根据本发明的一个方式，能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基片处理装置的图。
图2是表示第1实施方式的基片保持部和加热单元的图，是将图1的一部分放大的图。
图3是表示第1实施方式的激光光线的功率分布的图。
图4是表示第1实施方式的控制部的构成要素的功能块的图。
图5是表示第1实施方式的基片处理方法的流程图。
图6是表示第1实施方式的基片的处理的一部分的图。
图7是表示第1实施方式的基片的处理的另一部分的图。
图8是表示第1实施方式的露出部与覆盖部的边界部的图，是将图7的(b)的一部分放大的图。
图9是表示第1实施方式的旋转驱动部、干燥液排出喷嘴、加热头、垂直喷嘴和倾斜喷嘴各自的动作的时序图。
图10是表示第2实施方式的基片的处理的一部分的图。
图11是表示第2实施方式的旋转驱动部、干燥液排出喷嘴、加热头、垂直喷嘴和倾斜喷嘴各自的动作的时序图。
图12是表示第3实施方式的基片保持部和加热单元的图。
图13是表示第4实施方式的基片的处理的一部分的立体图，是与图14的(b)相当的立体图。
图14是表示第4实施方式的基片的处理的一部分的侧视图。
附图标记说明
1 基片处理装置
2 基片
4 凹凸图案
5 凹部
6 露出部
7 覆盖部
8 边界部
10 基片保持部
20 旋转驱动部
30 液体供给单元
70 加热单元
71 光源
72 加热头
80 照射点移动机构
81 加热头移动机构
90 控制部
95 旋转控制部
96 液体控制部
97 气体控制部
98 加热控制部
L1 清洗液(处理液)
L2 冲洗液(处理液)
L3 干燥液(处理液)。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在各附图中，对于相同或对应的结构，标注相同或对应的附图标记，有时省略说明。在本说明书中，下方是指铅垂方向下方，上方是指铅垂方向上方。
图1是表示第1实施方式的基片处理装置的图。图2是表示第1实施方式的基片保持部和加热单元的图，是将图1的一部分放大的图。如图1所示，基片处理装置1例如具有：基片保持部10、旋转驱动部20、液体供给单元30、气体供给单元50、加热单元70和控制部90。
基片保持部10以基片2的形成有凹凸图案4(参照图8)的面2a向上的方式将基片2保持水平。基片2例如是硅晶片等半导体基片。凹凸图案4例如通过光刻法形成。光刻法以外也可以使用蚀刻法。凹凸图案4通过蚀刻形成例如形成于基片2的膜(例如硅氮化膜)。凹凸图案4具有向上开放的凹部5。
基片保持部10具有圆盘状的板部11和配置于板部11的外周部的爪部12。爪部12在周向上隔开间隔配置有多个，并保持基片2的外周缘，由此，以基片2从板部11浮起的方式保持基片2。在基片2与板部11之间形成有间隙空间13。
另外，基片保持部10具有从板部11的中央向下方延伸的旋转轴部14。旋转轴部14可旋转地由轴承15支承。在板部11的中央形成有贯通孔16，旋转轴部14形成为筒状。旋转轴部14的内部空间经由贯通孔16与间隙空间13连通。
旋转驱动部20使基片保持部10旋转。旋转驱动部20以基片保持部10的旋转轴部14为中心使基片保持部10旋转。伴随基片保持部10的旋转，使被基片保持部10保持的基片2旋转。
旋转驱动部20具有：旋转电动机21；和将旋转电动机21的旋转运动传递到旋转轴部14的传递机构22。传递机构22例如包括滑轮23和同步带(timing belt)24。滑轮23安装于旋转电动机21的输出轴，与该输出轴一起旋转。同步带24张挂在滑轮23和旋转轴部14上。传递机构22将旋转电动机21的旋转运动传递到旋转轴部14。另外，传递机构22也可以替代滑轮23和同步带24包含多个齿轮。
液体供给单元30从上方对被基片保持部10保持的基片2供给处理液。液体供给单元30可以供给多种处理液，可以供给与基片2的处理阶段相应的处理液。作为液体供给单元30供给的处理液，可举出例如清洗液L1(参照图6的(a))、冲洗液L2(参照图6的(b))和干燥液L3(参照图6的(c))。其中，清洗液也被称为化学液体。
液体供给单元30具有排出处理液的液体排出喷嘴。液体供给单元30作为液体排出喷嘴具有例如清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32、干燥液排出喷嘴33。清洗液排出喷嘴31排出清洗液L1，冲洗液排出喷嘴32排出冲洗液L2，干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3。另外，也可以一个液体排出喷嘴排出多种处理液。另外，液体排出喷嘴也可以排出混合了气体的处理液。
清洗液排出喷嘴31经由开闭阀34和流量调节阀35与供给源36连接。当开闭阀34打开清洗液L1的流路时，从清洗液排出喷嘴31排出清洗液L1。另一方面，当开闭阀34关闭清洗液L1的流路时，停止从清洗液排出喷嘴31排出清洗液L1。流量调节阀35调节清洗液排出喷嘴31排出的清洗液L1的流量。供给源36将清洗液L1供给到清洗液排出喷嘴31。
作为清洗液L1，没有特别限定，可使用例如DHF(稀氢氟酸)。
清洗液L1的温度可以为室温，也可以为比室温高且比清洗液L1的沸点低的温度。
另外，清洗液L1只要为可用于半导体基片的清洗的一般清洗液即可，并不限定于DHF。例如，清洗液L1可以为SC-1(包含氢氧化铵和双氧水的水溶液)或SC-2(包含氯化氢和双氧水的水溶液)。也可以使用多种清洗液L1。
冲洗液排出喷嘴32经由开闭阀37和流量调节阀38与供给源39连接。当开闭阀37打开冲洗液L2的流路时，从冲洗液排出喷嘴32排出冲洗液L2。另一方面，当开闭阀37关闭冲洗液L2的流路时，停止从冲洗液排出喷嘴32排出冲洗液L2。流量调节阀38调节冲洗液排出喷嘴32排出的冲洗液L2的流量。供给源39将冲洗液L2供给到冲洗液排出喷嘴32。
作为冲洗液L2，没有特别限定，可使用例如DIW(去离子水)。冲洗液L2的温度可以为室温，也可以为比室温高且比冲洗液L2的沸点低的温度。冲洗液L2的温度越高，冲洗液L2的表面张力越低。
干燥液排出喷嘴33经由开闭阀40和流量调节阀41与供给源42连接。当开闭阀40打开干燥液L3的流路时，从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3。另一方面，当开闭阀40关闭干燥液L3的流路时，停止从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3。流量调节阀41调节干燥液排出喷嘴33排出的干燥液L3的流量。供给源42将干燥液L3供给到干燥液排出喷嘴33。
作为干燥液L3，没有特别限定，可使用例如IPA(异丙醇)。IPA具有比DIW低的表面张力。干燥液L3的温度可以为室温，也可以为比室温高且比干燥液L3的沸点低的温度。干燥液L3的温度越高，干燥液L3的表面张力越低。
另外，干燥液L3只要为具有比冲洗液L2低的表面张力的清洗液即可，并不限定于IPA。例如，干燥液L3可以为HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮或反1,2-二氯乙烯。
液体供给单元30例如对与基片保持部10一起旋转着的基片2的中心部供给清洗液L1、冲洗液L2和干燥液L3等处理液。供给到旋转着的基片2的中心部的处理液，因离心力而润湿扩展到基片2的上表面2a整体，在基片2的外周缘被甩开。被甩开的处理液的液滴，被回收到杯17。
杯17保持以基片保持部10可旋转的方式支承基片保持部10的轴承15，不与基片保持部10一起旋转。在杯17的底部设置有排液管18和排气管19。排液管18排出杯17内的液体，排气管19排出杯17内的气体。
液体供给单元30具有液体排出喷嘴移动机构45。液体排出喷嘴移动机构45使清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33在水平方向移动。液体排出喷嘴移动机构45使清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33在基片2的中心部的正上方的位置与基片2的外周部的正上方的位置之间移动。另外，清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33也可以进一步移动至比基片2的外周部靠基片2的径向外侧的待机位置。
例如，液体排出喷嘴移动机构45具有回旋臂46和使回旋臂46回旋的回旋机构47。回旋臂46水平配置，在其前端部以清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33各自的排出口31a、32a、33a(参照图6)向下的方式保持清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33。回旋机构47以从回旋臂46的根端部向下方延伸的回旋轴48为中心使回旋臂46回旋。液体排出喷嘴移动机构45通过使回旋臂46回旋，使清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33在水平方向移动。
另外，液体排出喷嘴移动机构45也可以替代回旋臂46和回旋机构47具有引导轨道和直线运动机构。引导轨道水平配置，直线运动机构沿引导轨道使清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33移动。另外，液体排出喷嘴移动机构45在本实施方式中使清洗液排出喷嘴31、冲洗液排出喷嘴32和干燥液排出喷嘴33同时在相同方向以相同速度移动，但也可以各自单独移动。
气体供给单元50从上方对被基片保持部10保持的基片2供给气体。供给到基片2的气体，推压形成于基片2的液膜，由此推压图8所示的露出部6和覆盖部7的边界部8。
露出部6是凹凸图案4中的凹部5的深度方向整体从干燥液L3露出的部分。由于在露出部6不存在干燥液L3，所以干燥液L3的表面张力不作用于露出部6。
覆盖部7是凹凸图案4中的凹部5的深度方向整体被干燥液L3充满的部分。在覆盖部7中，干燥液L3的液面LS3的高度比凹部5的上端5A的高度高。因此，干燥液L3的表面张力不作用于覆盖部7。
边界部8是凹凸图案4中仅凹部5的深度方向一部分与干燥液L3接触的部分。在边界部8中，干燥液L3的液面LS3的高度比凹部5的上端5A的高度低且比凹部5的下端5B的高度高。在边界部8中，凹部5的侧壁面与液面LS3接触，干燥液L3的表面张力作用于边界部8。
气体供给单元50具有排出气体的气体排出喷嘴。气体供给单元50作为气体排出喷嘴具有例如垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52。垂直喷嘴51在铅垂方向上排出气体G1(参照图6)。倾斜喷嘴52相对于铅垂方向倾斜地排出气体G2(参照图7)。
垂直喷嘴51经由开闭阀53和流量调节阀54与供给源55连接。当开闭阀53打开气体G1的流路时，从垂直喷嘴51排出气体G1。另一方面，当开闭阀53关闭气体G1的流路时，停止从垂直喷嘴51排出气体G1。流量调节阀54调节垂直喷嘴51排出的气体G1的流量。供给源55将气体G1供给到垂直喷嘴51。
作为气体G1，没有特别限定，可使用例如氮气或干燥空气等。气体G1的温度可以为室温，也可以为比室温高的温度，在后者的情况下可以为比干燥液L3的沸点低的温度。
倾斜喷嘴52经由开闭阀56和流量调节阀57与供给源58连接。当开闭阀56打开气体G2的流路时，从倾斜喷嘴52排出气体G2。另一方面，当开闭阀56关闭气体G2的流路时，停止从倾斜喷嘴52排出气体G2。流量调节阀57调节倾斜喷嘴52排出的气体G2的流量。供给源58将气体G2供给到倾斜喷嘴52。
作为气体G2，没有特别限定，可使用例如氮气或干燥空气等。气体G2的温度可以为室温，也可以为比室温高的温度，在后者的情况下可以为比干燥液L3的沸点低的温度。另外，在气体G1和气体G2为相同气体的情况下，可以将供给源55和供给源58设置成一体。
气体供给单元50具有气体排出喷嘴移动机构60。气体排出喷嘴移动机构60使垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52在水平方向移动。气体排出喷嘴移动机构60使垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52在基片2的中心部的正上方的位置与基片2的外周部的正上方的位置之间移动。另外，垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52也可以进一步移动至比基片2的外周部靠基片2的径向外侧的待机位置。
例如，气体排出喷嘴移动机构60具有回旋臂61和使回旋臂61回旋的回旋机构62。回旋臂61水平配置，在其前端部以垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52各自的排出口51a、52a(参照图7)向下的方式保持垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52。回旋机构62以从回旋臂61的根端部向下方延伸的回旋轴63为中心使回旋臂61回旋。气体排出喷嘴移动机构60通过使回旋臂61回旋，使垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52在水平方向移动。
另外，气体排出喷嘴移动机构60也可以替代回旋臂61和回旋机构62具有引导轨道和直线运动机构。引导轨道水平配置，直线运动机构沿引导轨道使垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52移动。另外，气体排出喷嘴移动机构60在本实施方式中使垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52同时在相同方向以相同速度移动，但也可以各自单独移动。
加热单元70具有对干燥液L3的液膜LF3进行加热的激光光线LB的光源71。光源71可以配置于旋转轴部14的外部。由于可使光源71不与旋转轴部14一起旋转，所以能够减小使旋转轴部14旋转的驱动力。另外，光源71可以配置于后述的加热头72的外部。由于可使光源71不与加热头72一起移动，所以能够减小使加热头72移动的驱动力。光源71可以为使激光光线LB脉冲振荡的光源，也可以为使激光光线LB连续振动的光源。
激光光线LB与卤素灯光线、LED光线和加热流体(例如热水或高温气体)等相比，能够赋予液膜LF3大量的加热能量，能够急速且高温地加热液膜LF3，所以能够缩短液膜LF3的干燥时间。另外，激光光线LB与卤素灯光线、LED光线和加热流体等相比，能够急速加热液膜LF3，所以能够局部地加热液膜LF3。
激光光线LB可以直接加热液膜LF3，但本实施方式中通过加热基片2来加热液膜LF3。基片2与干燥液L3不同不具有流动性，所以在基片2的旋转期间基片2的被加热了部分不会因离心力而流动，能够局部地加热基片2的径向的特定位置。
作为激光光线LB，可使用对基片2具有高吸收性的激光光线。在基片2为硅晶片的情况下，激光光线LB的波长为红外线波长(例如800nm～1200nm)。
加热单元70具有在被基片保持部10保持的基片2上形成激光光线LB的照射点P的加热头72。加热头72配置于例如基片2的下方，在基片2的下表面2b形成激光光线LB的照射点P。基片2的下表面2b是激光光线LB的照射面。
另外，加热头72在图1和图2中配置于基片2的下方，但也可以配置于基片2的上方。在这种情况下，加热头72在干燥液L3的液膜LF3上形成照射点P。液膜LF3的液面LS3是激光光线LB的照射面。激光光线LB透射干燥液L3的液膜LF3，被基片2吸收，对基片2进行加热。加热头72可以配置于基片2的上下两侧。
加热头72包含向基片2照射激光光线LB的光学系统73。光学系统73具有例如向基片2聚光激光光线LB的聚光透镜74。聚光透镜74可升降。通过使聚光透镜74升降，能够改变照射点P的大小。
光学系统73可以具有使在基片2的径向上传递的激光光线LB在与基片2垂直的方向反射的反射镜75。由反射镜75反射后的激光光线LB，通过聚光透镜74向基片2照射。在加热头72在基片2的径向移动的情况下，与加热头72的位置无关地，装载于加热头72的反射镜75能够使激光光线LB朝向聚光透镜74。
加热头72包括收纳光学系统73的壳体76。壳体76保护光学系统73不受绕入到基片2的下表面的干燥液L3等处理液的影响。壳体76具有使激光光线LB透射的透射窗。透射窗防止干燥液L3等处理液侵入。
加热单元70具有均质器77。均质器77设置于从光源71至加热头72的激光光线LB的光路的中途，将激光光线LB的功率分布从高斯分布(参照图3的(a))转换为平顶(top hat)分布(参照图3的(b))。均质器77也能够形成高斯分布与平顶分布之间的中间的分布。
图3是表示第1实施方式的激光光线的功率分布的图。图3的(a)是表示第1实施方式的高斯分布的图。图3的(b)是表示第1实施方式的平顶分布的图。
高斯分布是离激光光线LB的光轴的距离越大功率(单位：W)越低的分布，是功率在光轴的周向上几乎不变化的分布。
平顶分布是不论在与光轴正交的方向上还是在光轴的周向上功率都几乎不变化的分布，是均匀的分布。
根据图3可知，在高斯分布的情况下，与平顶分布的情况相比，功率为阈值T以上的范围A较窄。因此，详情后述，如果将功率分布从平顶分布改变为高斯分布，则能够获得与缩小照射点P的大小相同的效果。
如图2所示，加热单元70具有反射镜78、79。反射镜78使激光光线LB在与基片2的旋转中心线平行的方向反射，使之通过筒状的旋转轴部14的内部空间。反射镜79将通过了筒状的旋转轴部14的内部空间的激光光线LB在基片2的径向反射，将其引导至加热头72。
加热单元70具有照射点移动机构80。照射点移动机构80在激光光线LB照射的照射面(例如基片2的下表面2b)上使照射点P移动。详情后述，能够在铅垂方向看时使照射点P与边界部8重叠着使照射点P在边界部8的移动方向上移动。边界部8的移动方向是使露出部6扩大的方向。
照射点移动机构80例如使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动。在旋转驱动部20使基片保持部10旋转的情况下，能够使边界部8从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动以使得不会抵抗离心力。
照射点移动机构80包括加热头移动机构81。加热头移动机构81通过使加热头72移动，使照射点P移动。由于能够利用一个加热头72加热在照射点P的移动方向上离开的多个部位，所以能够减少加热头72的设置个数。加热头72例如在形成于基片2与板部11之间的间隙空间13，可移动地配置在基片2的中心部的正下方的位置与基片2的外周部的正下方的位置之间。
加热头移动机构81例如具有引导轨道82和直线运动机构83。引导轨道82将加热头72在基片2的径向上引导。引导轨道82水平配置在例如形成于基片2与板部11之间的间隙空间13。直线运动机构83沿引导轨道82使加热头72移动。直线运动机构83包括例如旋转电动机和将旋转电动机的旋转运动转换为加热头72的直线运动的滚珠丝杠。
控制部90例如由计算机构成，包括CPU(中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中保存有用于控制要在基片处理装置1中执行的各种的处理的程序。控制部90通过使CPU91执行存储于存储介质92中的程序，来控制基片处理装置1的动作。另外，控制部90包括输入接口93和输出接口94。控制部90利用输入接口93接收来自外部的信号，利用输出接口94将信号发送到外部。
所述程序可以存储于可由计算机读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制部90的存储介质92中。作为可由计算机读取的存储介质，例如能够举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。另外，程序也可以经由互联网从服务器下载后安装到控制部90的存储介质92。
图4是表示第1实施方式的控制部的构成要素的功能块的图。图4所图示的各功能块只是概念性地表示，并不一定需要物理上像图示那样构成。能够以任意的单位功能上或物理上地分散、统合各功能块的全部或一部分来构成。用各功能块实现的各处理功能，其全部或任意的一部分可由用CPU执行的程序来实现，或者可作为基于有线逻辑的硬件来实现。
控制部90包括：旋转控制部95、液体控制部96、气体控制部97和加热控制部98。旋转控制部95控制旋转驱动部20。液体控制部96控制液体供给单元30。气体控制部97控制气体供给单元50。加热控制部98控制加热单元70。具体的控制在后面叙述。
图5是表示第1实施方式的基片处理方法的流程图。图6是表示第1实施方式的基片的处理的一部分的图。图6的(a)是表示第1实施方式的形成有清洗液的液膜时的状态的图。图6的(b)是表示第1实施方式的形成有冲洗液的液膜时的状态的图。图6的(c)是表示第1实施方式的形成有干燥液的液膜时的状态的图。图6的(d)是表示第1实施方式的在干燥液的液膜的中心部形成有露出部时的状态的图。图7是表示第1实施方式的基片的处理的另一部分的图。图7的(a)是表示第1实施方式的露出部扩大开始时的状态的图。图7的(b)是表示第1实施方式的露出部扩大中途的状态的图。图7的(c)是表示第1实施方式的干燥液排出完成时的状态的图。图7的(d)是表示第1实施方式的露出部扩大即将完成时的状态的图。图8是表示第1实施方式的露出部与覆盖部的边界部的图，是将图7的(b)的一部分放大的图。图9是表示第1实施方式的旋转驱动部、干燥液排出喷嘴、加热头、垂直喷嘴和倾斜喷嘴各自的动作的时序图。
基片处理方法具有将处理前的基片2搬入到基片处理装置1的内部的步骤S101(参照图5)。基片处理装置1利用基片保持部10保持由未图示的输送装置搬入的基片2。基片保持部10以形成于基片2的凹凸图案4向上的方式将基片2保持水平。
基片处理方法具有从上方对被基片保持部10保持的基片2供给清洗液L1，形成覆盖凹凸图案4的清洗液L1的液膜LF1的步骤S102(参照图5)。在该步骤S102中，在基片2的中心部的正上方配置有清洗液排出喷嘴31(参照图6的(a))。清洗液排出喷嘴31从上方对与基片保持部10一起旋转着的基片2的中心部供给清洗液L1。所供给的清洗液L1因离心力而润湿扩展到基片2的上表面2a整体，形成液膜LF1。为了清洗凹凸图案4的整体，设定基片保持部10的转速和清洗液L1的供给流量以使得清洗液L1的液面LS1的高度比凹部5的上端5a(参照图8)的高度高。
基片处理方法具有将预先形成的清洗液L1的液膜LF1置换为冲洗液L2的液膜LF2的步骤S103(参照图5)。在该步骤S103中，在基片2的中心部的正上方替代清洗液排出喷嘴31而配置有冲洗液排出喷嘴32(参照图6的(b))。在停止从清洗液排出喷嘴31排出清洗液L1的同时，开始从冲洗液排出喷嘴32排出冲洗液L2。冲洗液L2被供给到与基片保持部10一起旋转着的基片2的中心部，因离心力而润湿扩展到基片2的上表面2a整体，形成液膜LF2。由此，将残留于凹凸图案4的清洗液L1置换为冲洗液L2。设定基片保持部10的转速和冲洗液L2的供给流量，以将在从清洗液L1置换到冲洗液L2的期间液面LS1、LS2的高度维持得比凹部5的上端5a(参照图8)的高度高。能够抑制液面LS1、LS2的表面张力所致的图案崩溃。
基片处理方法具有将预先形成的冲洗液L2的液膜LF2置换为干燥液L3的液膜LF3的步骤S104(参照图5)。在该步骤S104中，在基片2的中心部的正上方替代冲洗液排出喷嘴32而配置有干燥液排出喷嘴33(参照图6的(c))。在停止从冲洗液排出喷嘴32排出冲洗液L2的同时，开始从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3。干燥液L3被供给到与基片保持部10一起旋转着的基片2的中心部，因离心力而润湿扩展到基片2的上表面2a整体，形成液膜LF3。由此，将残留于凹凸图案4的冲洗液L2置换为干燥液L3。设定基片保持部10的转速和干燥液L3的供给流量，以将在从冲洗液L2置换到干燥液L3的期间液面LS2、LS3的高度维持得比凹部5的上端5a(参照图8)的高度高。能够抑制液面LS2、LS3的表面张力所致的图案崩溃。
基片处理方法具有形成凹凸图案4的露出部6的步骤S105(参照图5)。在该步骤S105中，不仅形成露出部6，还形成露出部6与覆盖部7的边界部8。因此，在该步骤S105中，形成露出部6、覆盖部7和边界部8。在该步骤S105中，首先，从图9所示的时刻t0至时刻t1，干燥液排出喷嘴33一边排出干燥液L3，一边从基片2的中心部的正上方向径向外侧移动。
接着，从图9所示的时刻t1至时刻t2，在基片2的中心部的正上方，替代干燥液排出喷嘴33而配置有垂直喷嘴51，垂直喷嘴51排出气体G1(参照图6的(d))。气体G1向基片2排出之后，沿基片2辐射状均等地扩散。由此，在基片2的中心部形成与基片2同心圆状的露出部6。
另外，从图9所示的时刻t1至时刻t2，在基片2的中心部的正下方配置有加热头72，加热头72对基片2的中心部照射激光光线LB(参照图6的(d))。激光光线LB对基片2的中心部进行加热，所以能够形成与基片2同心圆状的露出部6。
垂直喷嘴51和加热头72协同工作从而在基片2的中心部形成与基片2同心圆状的露出部6。其中，露出部6的形成也可以仅用垂直喷嘴51和加热头72中的任一者。
另外，垂直喷嘴51开始气体G1的排出的时刻，在图9中与干燥液排出喷嘴33结束暂时的移动的时刻t1相同，但也可以比时刻t1早，也可以比干燥液排出喷嘴33的暂时的移动开始的时刻t0晚。只要在基片2的中心部的正上方存在配置垂直喷嘴51的空间即可。
另外，加热头72开始激光光线LB的照射的时刻，在图9中与干燥液排出喷嘴33结束暂时的移动的时刻t1相同，但也可以比时刻t1早，还可以与上述时刻t0相同或比上述时刻t0早。
基片处理方法具有通过使边界部8移动来扩大露出部6的步骤S106(参照图5)。在该步骤S106中，液体控制部96从图9所示的时刻t2至时刻t4，一边从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3，一边使干燥液排出喷嘴33从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动(参照图7的(a)和图7的(b))。干燥液L3被供给到基片2之后，因离心力而润湿扩展到基片2的径向外侧，从基片2的外周缘被甩开。从时刻t2至时刻t4，液体控制部96将干燥液L3从干燥液排出喷嘴33供给到基片2，所以能够利用干燥液L3覆盖基片2的外周部。另外，从时刻t2至时刻t4，液体控制部96使干燥液排出喷嘴33从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，所以能够使边界部8从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动。边界部8形成在比干燥液排出喷嘴33的排出口33a靠基片2的径向内侧。
气体控制部97从图9所示的时刻t2至时刻t3，通过从垂直喷嘴51排出气体G1，一边推压边界部8，一边使垂直喷嘴51从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动(参照图7的(a))。另外，气体控制部97从图9所示的时刻t3至时刻t4，通过替代垂直喷嘴51而从倾斜喷嘴52排出气体G2，一边推压边界部8，一边使倾斜喷嘴52从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动(参照图7的(b))。
通过替代垂直喷嘴51而利用倾斜喷嘴52来推压边界部8，能够高效地推压边界部8。从倾斜喷嘴52排出的气体G2，不仅具有铅垂成分还具有水平成分，所以能够高效地推压边界部8。
另外，气体控制部97在图9所示的时刻t3同时实施停止从垂直喷嘴51排出气体G1和开始从倾斜喷嘴52排出气体G2，但也可以在停止从垂直喷嘴51排出气体G1之前开始从倾斜喷嘴52排出气体G2。通过利用气体G1和气体G2推压边界部8，能够连续地推压边界部8。气体控制部97只要在开始从垂直喷嘴51排出气体G1之后，即形成有与基片2同心圆状的露出部6之后，开始从倾斜喷嘴52排出气体G2即可。
加热控制部98从图9所示的时刻t2至时刻t4，在基片2形成激光光线LB的照射点P，并且使照射点P在铅垂方向看时与边界部8重叠着在边界部8的移动方向上使照射点P移动(参照图7的(a)和图7的(b))。加热控制部98可以通过使加热头72移动，使照射点P移动。
加热头72在图9所示的时刻t2至时刻t4，与干燥液排出喷嘴33、垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52同时以相同的速度在边界部8的移动方向、例如基片2的径向上移动。
加热头72、干燥液排出喷嘴33、垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52，只要能在基片2的径向上移动即可，可以从基片2的中心向不同的方位移动，也可以向相同的方位移动。
另外，加热头72、干燥液排出喷嘴33、垂直喷嘴51和倾斜喷嘴52，只要能同时以相同速度移动即可，它们的移动速度可以随着时间经过而变化。详情在后面叙述。
当刚刚图9所示的时刻t4前干燥液排出喷嘴33到达基片2的外周部的正上方时，在时刻t4，液体控制部96停止从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3。于是，从时刻t4至时刻t5，气体控制部97通过从倾斜喷嘴52排出气体G2，一边推压边界部8，一边使倾斜喷嘴52在边界部8的移动方向上移动(参照图7的(c))。另外，从时刻t4至时刻t5，加热控制部98在基片2形成激光光线LB的照射点P，并且使照射点P在铅垂方向看时与边界部8重叠着在边界部8的移动方向上使加热头72移动(参照图7的(c))。由此，露出部6进一步扩大。
另外，气体控制部97可以不仅在从图9所示的时刻t2至时刻t3，而且在从时刻t3至时刻t5，通过从垂直喷嘴51排出气体G1，一边推压边界部8，一边使垂直喷嘴51在边界部8的移动方向上移动。
在刚刚图9所示的时刻t5前，加热头72到达基片2的外周部的正下方时，倾斜喷嘴52越从上方向下方去，越在基片2的外周部的上方形成从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧去的气流(参照图7的(d))。
在图9所示的时刻t5，加热控制部98停止从加热头72照射激光光线LB，并且气体控制部97停止从倾斜喷嘴52排出气体G2。
基片处理方法具有将处理后的基片2搬出到基片处理装置1的外部的步骤S107(参照图5)。基片保持部10解除基片2的保持，未图示的输送装置从基片保持部10接收基片2，并将其搬出到基片处理装置1的外部。
如以上说明的那样，根据本实施方式，加热控制部98能够在铅垂方向看时使照射点P与边界部8重叠着使照射点P在边界部8的移动方向上移动。例如，加热控制部98以加热头72和边界部8在铅垂方向看时重叠的方式，使加热头72在边界部8的移动方向移动。其结果是，能够与边界部8的到达位置无关地集中加热边界部8。露出部6和覆盖部7几乎不由激光光线LB加热。对其效果分开下述(1)的情况和下述(2)的情况进行说明。
(1)在干燥液排出喷嘴33排出的干燥液L3的温度设定得比室温高时，可获得以下效果。由于能够将加热能量集中在存在于边界部8的干燥液L3中，所以能够填补被边界部8中的干燥液L3的气化夺走的热，能够抑制边界部8中的干燥液L3的温度下降。由此，能够抑制边界部8中的干燥液L3的表面张力的下降，能够抑制图案崩溃。
(2)在干燥液排出喷嘴33排出的干燥液L3的温度设定为室温时，可获得以下效果。由于能够将加热能量集中在存在于边界部8的干燥液L3中，所以能够增大边界部8与覆盖部7(特别是基片2的外周部)的温度差。在边界部8中，能够使干燥液L3的温度比室温高，所以能够降低干燥液L3的表面张力，能够抑制图案崩溃。另一方面，在基片2的外周部，能够将边界部8到达基片2的外周部前的阶段的干燥液L3的温度维持为室温，所以能够抑制干燥液L3的气化。
在基片2的外周部，与基片2的中心部相比，基片2的周速较大，离心力较大，所以干燥液L3的液膜LF3较薄。因此，抑制基片2的外周部中的干燥液L3的气化，在抑制边界部8到达基片2的外周部前的阶段的、基片2的外周部非意图地从干燥液L3的露出方面是很重要的。这是因为，如果在边界部8到达基片2的外周部前的阶段，基片2的外周部从干燥液L3露出，则微粒会附着于基片2的外周部。微粒是因干燥液L3的喷雾等而形成的。根据本实施方式，能够抑制边界部8到达基片2的外周部前的阶段的、基片2的外周部非意图地从干燥液L3的露出，所以能够抑制微粒的附着。另外，根据本实施方式，能够抑制边界部8到达基片2的外周部前的阶段的、基片2的外周部非意图地从干燥液L3的露出，所以能够抑制图案崩溃。如果基片2的外周部非意图地干燥而使干燥液L3不均匀地存在，则干燥液L3的表面张力会作用于边界部8，有可能发生图案崩溃。
如上所述，为了抑制微粒的附着，应该增大边界部8与覆盖部7(特别是基片2的外周部)的温度差，干燥液排出喷嘴33可以排出室温的干燥液L3。在现有技术中，为了抑制干燥时的图案崩溃，干燥液排出喷嘴33排出比温度比室温高的干燥液L3。这是因为，干燥液L3的温度越高，干燥液L3的表面张力越低，作用于凹凸图案4的应力越低。与之相对地，公开了为了在抑制图案崩溃的同时抑制微粒的附着，在局部加热边界部8的同时从干燥液排出喷嘴33排出室温的干燥液L3的技术。
另外，根据本实施方式，旋转控制部95使基片2与基片保持部10一起旋转，同时加热控制部98使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动。能够使边界部8从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动以使得不会抵抗离心力。
另外，边界部8形成为环状。因此，边界部8越从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，边界部8的圆周长越长。因此，照射点P越从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，对越长大的边界部8进行加热。
于是，加热控制部98在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，将照射面(例如基片2的下表面2b)的单位面积的总照射量(单位：J/mm2)控制为一定。在此，“一定”是指收于由上限值和下限值规定的允许范围。作为具体的控制，可举出下述(A)～(F)的控制。下述(A)～(F)的控制可以单独使用，也可以多个组合使用。
(A)加热控制部98越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，越减慢照射点P在基片2的径向上移动的速度。例如，加热控制部98越使加热头72从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，越减慢加热头72在基片2的径向上移动的速度。由此，能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
(B)加热控制部98越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，旋转控制部95越减小基片保持部10的转速。例如，加热控制部98越使加热头72从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，旋转控制部95越减小基片保持部10的转速。由此，能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
(C)加热控制部98越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，越增大光源71的输出(单位：W)。光源71的输出越大，照射点P的激光光线LB的功率(单位：W)越大。能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
(D)加热控制部98越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，越增大照射激光光线LB的时间(T1)占单位时间(T 0)的比例(T 1/T 0)即占空比。占空比为大于0小于等于1。加热控制部98在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，使光源71的输出在0与设定值之间反复变动，同时慢慢增大占空比。占空比越大，照射点P的激光光线LB的功率(单位：W)越大。能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
(E)加热控制部98越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，越减小照射点P的大小。照射点P的大小越小，单位面积的功率(单位：W/mm2)越大。能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
(F)加热控制部98以如下方式改变照射点P的激光光线LB的功率分布：越使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动，照射点P的激光光线LB的功率为阈值T以上的范围A越狭窄。激光光线LB的功率分布例如从平顶分布改变为高斯分布。通过改变激光光线LB的功率分布，可能够与减小照射点P的大小相同的效果。能够在基片2的径向整体使单位面积的总照射量均匀，能够抑制边界部8的圆周长的变化引起的边界部8的温度变化。
根据本实施方式，液体控制部96从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3，并且将干燥液排出喷嘴33的排出口33a配置在比边界部8靠基片2的径向外侧同时使干燥液排出喷嘴33在边界部8的移动方向上移动。由于干燥液L3不被供给到比边界部8靠基片2的径向内侧，所以能够防止边界部8移动到与扩大露出部6的方向相反的方向。另外，由于干燥液L3不被供给到比边界部8靠径向外侧，所以能够抑制边界部8到达基片2的外周部前的阶段的、基片2的外周部非意图地从干燥液L3的露出，所能够抑制图案崩溃并且能够抑制微粒的附着。
根据本实施方式、照射点移动机构80包括通过使加热头72移动来使照射点P移动的加热头移动机构81。由于能够利用一个加热头72加热在照射点P的移动方向上离开的多个部位，所以能够减少加热头72的设置个数。
图10是表示第2实施方式的基片的处理的一部分的图。图10的(a)是表示第2实施方式的停止供给干燥液时的状态的图。图10的(b)是表示第2实施方式的在干燥液的液膜的中心部形成有露出部时的状态的图。图10的(c)是表示第2实施方式的露出部扩大中途的状态的图。图10的(d)是表示第2实施方式的露出部扩大即将完成时的状态的图。图11是表示第2实施方式的旋转驱动部、干燥液排出喷嘴、加热头、垂直喷嘴和倾斜喷嘴各自的动作的时序图。以下主要说明本实施方式与上述第1实施方式的不同点。
在形成凹凸图案4的露出部6的步骤S105(参照图5)中，首先，在图11所示的时刻t0，液体控制部96停止从干燥液排出喷嘴33排出干燥液L3，停止对基片2供给干燥液L3。直到时刻t0之前干燥液排出喷嘴33排出室温的干燥液L3，在时刻t0形成室温的干燥液L3的液膜LF3。在时刻t0以后，旋转控制部95也使基片保持部10旋转以使室温的干燥液L3的液膜LF3覆盖基片2的上表面2a整体。基片保持部10的转速为例如200～1000rpm。
接着，从图11所示的时刻t1至时刻t2，在基片2的中心部的正下方配置有加热头72，加热头72对基片2的中心部照射激光光线LB(参照图10的(b))。基片2的中心部被加热，在基片2的中心部形成与基片2同心圆状的露出部6。此时，露出部6与覆盖部7的边界部8，因离心力而被向基片2的径向外侧推压以使其不向基片2的径向内侧移动。基片保持部10的转速为例如200～1000rpm。
另外，开始基片2的中心部的加热的时刻t1，在图11中为停止对基片2供给干燥液L3的时刻t0之后，但也可以与时刻t0同时，也可以在时刻t0之前。
在扩大露出部6的步骤S106(参照图5)中，从图11所示的时刻t2至时刻t3，加热控制部98使加热头72移动(参照图10的(c))。在这期间，旋转控制部95使基片保持部10旋转。
加热控制部98在基片2形成激光光线LB的照射点P，并且使照射点P在铅垂方向看时与边界部8重叠着在边界部8的移动方向上使加热头72移动(参照图10的(c))。此时，边界部8因离心力而被向径向外侧推压以使其不向径向内侧移动。基片保持部10的转速为例如200～1000rpm。
在刚要到图11所示的时刻t3前加热头72到达基片2的外周部的正上方时，边界部8到达基片2的外周部(参照图10的(d))。接着边界部8因干燥液L3的蒸发而消失，在时刻t3加热控制部98停止来自加热头72的激光光线LB的照射。
另外，在图11所示的时刻t3，旋转控制部95增大基片保持部10的转速。基片保持部10的转速为例如1000～2000rpm。由于基片2的转速变大，所以更大的离心力作用于残留在基片2的外周部的干燥液L3，干燥液L3从基片2的外周缘向基片2的径向外侧被甩出。之后，基片2被搬出到基片处理装置1的外部。
另外，开始基片保持部10的高速旋转的时刻，与边界部8到达基片2的外周部的时刻相同，但也可以为之后。在边界部8到达基片2的外周部之前，进行基片保持部10的低速旋转，以使得形成于基片2的干燥液L3的液膜LF3不会因离心力而丧失。
如以上说明的那样，根据本实施方式，与上述实施方式同样，加热控制部98能够在铅垂方向看时使照射点P与边界部8重叠着使照射点P在边界部8的移动方向上移动。例如，加热控制部98以加热头72和边界部8在铅垂方向看时重叠的方式，使加热头72在边界部8的移动方向移动。其结果是，能够与边界部8的到达位置无关地集中加热边界部8。露出部6和覆盖部7几乎不由激光光线LB加热。在本实施方式中，由于形成室温的干燥液L3的液膜LF3，所以能够获得与上述第1实施方式中形成室温的干燥液L3的液膜LF3的情况同样的效果。
即，由于能够将集中加热边界部8，所以能够增大边界部8与覆盖部7(特别是基片2的外周部)的温度差。在边界部8中，能够使干燥液L3的温度比室温高，所以能够降低干燥液L3的表面张力，能够抑制图案崩溃。另一方面，在基片2的外周部，能够抑制非意图的干燥液L3的气化，能够抑制非意图的露出，所以能够抑制图案崩溃并且抑制微粒的附着。
根据本实施方式，与上述第1实施方式同样，旋转控制部95使基片2与基片保持部10一起旋转，同时加热控制部98使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动。能够使边界部8从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动使得不会抵抗离心力。
加热控制部98在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，将照射面(例如基片2的下表面2b)的单位面积的总照射量(单位：J/mm2)控制为一定。作为具体的控制，可举出上述(A)～(F)的控制。上述(A)～(F)的控制可以单独使用，也可以多个组合使用。
根据本实施方式，与上述第1实施方式不同，在加热控制部98使照射点P移动的期间，液体控制部96停止从干燥液排出喷嘴33排出室温的干燥液L3。由于停止了对基片2供给干燥液L3，所以不需要将干燥液排出喷嘴33的排出口33a配置在比边界部8靠基片2的径向外侧同时使干燥液排出喷嘴33在边界部8的移动方向上移动的操作。不使干燥液排出喷嘴33和照射点P连动地移动即可，能够高精度地控制边界部8的位置。这是因为，照射点P的位置成为边界部8的位置。边界部8因离心力而被向径向外侧推压以使其不向径向内侧移动，并且以与照射点P的位置不重叠的方式移动。另外，为了更高精度地控制边界部8的位置，在边界部8的移动期间停止从气体供给单元50排出气体G1、G2(参照图11)。
根据本实施方式，与上述第1实施方式不同，在边界部8的移动期间，停止对基片2供给干燥液L3，不补给干燥液L3。因此，抑制边界部8到达基片2的外周部前的阶段的、基片2的外周部的干燥液L3的气化是很重要的。从抑制干燥液L3的气化的观点出发，使用室温的干燥液L3。
根据本实施方式，与上述第1实施方式同样，照射点移动机构80包括通过使加热头72移动来使照射点P移动的加热头移动机构81。由于能够利用一个加热头72加热在照射点P的移动方向上离开的多个部位，所以能够减少加热头72的设置个数。
图12是表示第3实施方式的基片保持部和加热单元的图。以下主要说明本实施方式与上述第1～第2实施方式的不同点。本实施方式的加热单元70A替代上述第1～第2实施方式加热单元70使用。
本实施方式的加热单元70A具有光源71A、多个加热头72A和照射点移动机构80A。多个加热头72A对与边界部8(参照图8)的移动方向不同的位置。多个加热头72A例如排列在基片2的径向，从基片2的中心部加热至基片2的外周部。
多个加热头72A各自包含向基片2照射激光光线LB的光学系统73A。光学系统73A具有向基片2聚光激光光线LB的聚光透镜74A。另外，多个加热头72A各自包括收纳光学系统73A的壳体76A。
照射点移动机构80A包括切换机构81A。切换机构81A通过切换多个加热头72A各自的作动状态和停止状态，使照射点P移动。加热头72A在作动状态下局部加热基片2，在停止状态下停止加热。
根据本实施方式，不必为了使照射点P移动而使加热头72A移动，所以容易将激光光线LB引导至加热头72A。多个加热头72A配置且固定在形成于基片2与板部11之间的间隙空间13。
切换机构81A例如具有将激光光线LB的1个光路分支为多个光路的分支部82A和独立开闭分支出的多个光路的开闭部83A。分支部82A例如由分束器等构成。开闭部83A例如由光闸(beam shutter)等构成。通过了开闭部83A的激光光线，例如由光纤导光到加热头72A，从加热头72A照射到基片2。另外，也可以在开闭部83A与光源71A之间设置均质器77A和反射镜78A。
加热控制部98(参照图4)能够在铅垂方向看时使照射点P与边界部8重叠着使照射点P在边界部8的移动方向上移动。例如，加热控制部98通过使在基片2的径向排列的多个加热头72A依次工作，使照射点P在边界部8的移动方向移动。其结果是，能够与边界部8的到达位置无关地集中加热边界部8。露出部6和覆盖部7几乎不由激光光线LB加热。因此，能够获得与上述第1～第2实施方式同样的效果。
加热控制部98可以禁止多个加热头72A同时工作而使多个加热头72A依次工作。加热控制部98可以在使一个加热头72A处于作动状态时使其他所有加热头72A处于停止状态。能够更集中地加热边界部8。
加热控制部98在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，将照射面(例如基片2的下表面2b)的单位面积的总照射量(单位：J/mm2)控制为一定。作为具体的控制，可举出上述(A)～(F)的控制。上述(A)～(F)的控制可以单独使用，也可以多个组合使用。
另外，在上述(A)的控制中，例如，加热控制部98在每次将作动状态的加热头72A从基片2的径向内侧的加热头切换到基片2的径向外侧的加热头时延长其切换的间隔。即，加热控制部98使基片2的径向外侧的加热头72A工作得比基片2的径向内侧的加热头72A长。
图13是表示第4实施方式的基片的处理的一部分的立体图，是与图14的(b)相当的立体图。图14是表示第4实施方式的基片的处理的一部分的图。图14的(a)是表示第4实施方式的在干燥液的液膜的一端形成有露出部时的状态的图。图14的(b)是表示第4实施方式的露出部扩大中途的状态的图。图14的(c)是表示第4实施方式的露出部扩大即将完成时的状态的图。以下主要说明本实施方式与上述第1～第3实施方式的不同点。
在形成凹凸图案4的露出部6的步骤S105(参照图5)和扩大露出部6的步骤S106(参照图5)中，基片2不旋转而静止。因此，无法将离心力用于边界部8的推压，所以将来自气体供给单元50B的气体G2的压力用于边界部8的推压。
气体供给单元50B作为排出气体的气体排出喷嘴也可以具有垂直喷嘴，但本实施方式中具有倾斜喷嘴52B。倾斜喷嘴52B相对于铅垂方向倾斜地排出气体G2。气体G2不仅具有铅垂成分还具有水平成分，所以能够高效地推压边界部8。
气体供给单元50B具有水平配置的直线状的棒(bar)69B。棒69B用于固定多个倾斜喷嘴52B。多个倾斜喷嘴52B排列在棒69B的长边方向。多个倾斜喷嘴52B同时排出具有作用于与边界部8的移动方向相同方向(例如图14中右方)的水平成分的气体G2。多个倾斜喷嘴52B同时形成的气体G2的气流，遍及与基片2的直径相同程度以上的范围形成。
气体供给单元50B具有气体排出喷嘴移动机构60B。气体排出喷嘴移动机构60B使棒69B在与棒69B的长边方向正交的方向移动，使多个倾斜喷嘴52B在边界部8的移动方向移动。在边界部8的移动期间，能够用气体G2的压力推压边界部8。
加热单元70B具有水平配置的直线状的棒89B。加热单元70B的棒89B与气体供给单元50B的棒69B平行地配置。加热单元70B的棒89B用于固定多个加热头72B。多个加热头72B排列在棒89B的长边方向。多个加热头72B同时形成的多个照射点P，遍及与基片2的直径相同程度以上的范围形成。
加热单元70B具有使照射点P移动的照射点移动机构80B。照射点移动机构80B具有使棒89B在与棒89B的长边方向正交的宽度方向移动，使多个加热头72B在边界部8的移动方向移动的加热头移动机构81B。多个加热头72B同时形成的多个照射点P，以横穿基片2的方式连续地形成，以在铅垂方向看时与边界部8重叠的方式移动。
在形成凹凸图案4的露出部6的步骤S105(参照图5)中，加热控制部98(参照图4)在基片2的一端照射激光光线LB，并且气体供给单元50B在基片2的一端吹送气体G2(参照图14的(a))。由此，在基片2的一端形成露出部6。
在扩大露出部6的步骤S106(参照图5)中，加热控制部98通过使棒89B移动来使加热头72B移动，并且气体控制部97(参照图4)通过使棒69B移动来使倾斜喷嘴52B移动(参照图14的(b)和图14的(c))。
加热控制部98在基片2形成激光光线LB的照射点P，并且使照射点P在铅垂方向看时与边界部8重叠着在边界部8的移动方向上使加热头72B移动。另外，气体控制部97一边利用气体G2推压边界部8，一边使倾斜喷嘴52B在边界部8的移动方向上移动。
另外，本实施方式的照射点移动机构80B具有加热头移动机构81B，但照射点移动机构80B也可以与上述第3实施方式同样具有切换机构。切换机构通过将在边界部8的移动方向排列的多个加热头72B的各个加热头在作动状态和停止状态之间切换，使照射点P在边界部8的移动方向移动。在这种情况下，加热头72B为了加热基片2的整体，不仅在边界部8的移动方向而且在与边界部8的移动方向正交的方向也排列有多个。
以上，对本发明的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。在专利权利要求书记载的范围内能够进行各种的变更、修正、置换、附加、删除和组合。这些当然也包括在本发明的技术范围内。
上述实施方式的加热控制部98，在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，将照射面的表的单位面积的总照射量控制为一定。另一方面，本发明的技术并不限定于此。例如，加热控制部98，可以在使照射点P从基片2的径向内侧向基片2的径向外侧移动的期间，将照射面的表的单位面积的总照射量控制为慢慢增大。随着时间经过，加热量会超过使凹部5的深度方向整体从处理液露出所需的量，但加热量多余出于抑制图案崩溃的观点并不成为问题。
上述实施方式的加热控制部98，使激光光线LB的照射点P在铅垂方向看时与边界部8重叠着在边界部8的移动方向上使加热头72B移动。另一方面，本发明的技术并不限定于此。激光光线LB与卤素灯光线、LED光线和加热流体(例如热水或高温气体)等相比，能够赋予液膜LF3大量的加热能量，能够急速且高温地加热液膜LF3，所以能够缩短液膜LF3的干燥时间。因此，通过在覆盖部7直接形成照射点P，也能够形成露出部6。即，在铅垂方向看时，照射点P可以不与边界部8重叠，也可以从边界部8离开。
上述实施方式的加热控制部98，通过使基片2或液膜LF3的照射点P的位置移动，来扩大凹凸图案4从处理液露出的露出部6。另一方面，本发明的技术并不限定于此。例如，加热控制部98可以通过对基片2的整体或液膜LF3的整体同时照射激光光线LB，在基片2的整体同时形成露出部6。激光光线LB与卤素灯光线、LED光线和加热流体(例如热水或高温气体)等相比，能够赋予液膜LF3大量的加热能量，能够急速且高温地加热液膜LF3，所以能够缩短液膜LF3的干燥时间。因此，能够缩短液膜LF3的表面张力作用于凹凸图案4的时间，能够抑制图案崩溃。
在上述实施方式中，将本发明的技术用于干燥液L3的液膜LF3的干燥，但本发明的技术也能够用于冲洗液L2的液膜LF2的干燥。在后者的情况下，在冲洗液L2的液膜LF2形成露出部，使该露出部扩大。在不将冲洗液L2的液膜LF2置换为干燥液L3的液膜LF3就结束基片2的清洗的情况下，本发明的技术适用于冲洗液L2的液膜LF2的干燥。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持所述基片的基片保持部；
通过对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液，在所述凹凸图案的至少凹部形成液膜的液体供给单元；
对由所述基片保持部保持的所述基片或所述液膜照射用于加热所述液膜的激光光线的加热单元；和
控制所述加热单元的加热控制部，
所述加热控制部控制所述加热单元，以使从所述加热单元对所述基片或所述液膜照射所述激光光线，从而使所述凹部的深度方向整体从所述处理液露出。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热单元包括：所述激光光线的光源；在由所述基片保持部保持的所述基片或所述液膜上形成所述激光光线的照射点的加热头；和使所述照射点移动的照射点移动机构，
所述加热控制部控制所述加热单元，以使所述基片或所述液膜上的所述照射点的位置移动，来扩大所述凹凸图案从所述处理液露出的露出部。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述照射点移动机构包括通过使所述加热头移动来使所述照射点移动的加热头移动机构。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热头在所述基片的径向上排列有多个，
所述照射点移动机构包括切换机构，该切换机构通过将多个所述加热头各自在作动状态和停止状态之间切换，使所述照射点在所述基片的径向移动。
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
使所述基片保持部旋转的旋转驱动部；和
控制所述旋转驱动部的旋转控制部，
所述旋转控制部控制所述旋转驱动部，以使所述基片与所述基片保持部一起旋转，并且所述加热控制部控制所述加热单元，以使所述照射点从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热控制部越使所述照射点从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动，越增大所述光源的输出。
7.如权利要求5或6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热控制部越使所述照射点从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动，越增大占空比，该占空比是照射所述激光光线的时间占单位时间的比例。
8.如权利要求5～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热控制部越使所述照射点从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动，越减小所述照射点的大小。
9.如权利要求5～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述加热控制部以如下方式改变所述照射点的所述激光光线的功率分布：越使所述照射点从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动，所述照射点的所述激光光线的功率为阈值以上的范围越狭窄。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述液体供给单元包括排出所述处理液的液体排出喷嘴和使所述液体排出喷嘴移动的液体排出喷嘴移动机构，
所述基片处理装置包括控制所述液体供给单元的液体控制部，
所述液体控制部控制所述液体供给单元，以使从所述液体排出喷嘴排出所述处理液，并且使所述液体排出喷嘴从所述基片的径向内侧向所述基片的径向外侧移动。
11.如权利要求1～10中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述液体供给单元包括将室温的所述处理液排出到所述基片的液体排出喷嘴。
12.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持所述基片，并且从上方对所述基片供给处理液，由此在所述凹凸图案的至少凹部形成液膜的步骤；和
形成所述凹部的深度方向整体从所述处理液露出的露出部的步骤，
形成所述露出部的步骤包括通过对所述基片或所述液膜照射用于加热所述液膜的激光光线，使所述凹部的深度方向整体从所述处理液露出的步骤。
13.如权利要求12所述的基片处理方法，其特征在于：
形成所述露出部的步骤包括在所述基片或所述液膜上形成所述激光光线的照射点的步骤，
所述基片处理方法包括通过使所述基片或所述液膜上的所述照射点的位置移动，来扩大所述露出部的步骤。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200122486A (ko) * 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
KR102270780B1 (ko) * 2019-04-30 2021-06-30 세메스 주식회사 막질 제거 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7406404B2 (ja) 2020-02-28 2023-12-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7465164B2 (ja) 2020-07-08 2024-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334902B1 (en) * 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
JP2006019568A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Tokyo Electron Ltd 周辺露光方法及びその装置
JP2008128567A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
US20100273333A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Shinichi Kato Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation
JP2011233574A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US20120160274A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Tokyo Electron Limited Liquid Processing Apparatus, Liquid Processing Method, and Recording Medium Having Program for Executing Liquid Processing Method Recorded Therein
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus
TW201517116A (zh) * 2013-07-19 2015-05-01 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體
US20150270146A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20160025409A1 (en) * 2013-03-07 2016-01-28 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016136599A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20170226639A1 (en) * 2016-02-05 2017-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method and Storage Medium
US20170287741A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20170345681A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP2017216416A (ja) * 2016-06-02 2017-12-07 株式会社ディスコ 洗浄装置
US20180061633A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
US20180090342A1 (en) * 2016-09-26 2018-03-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
KR20180046034A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 웨이퍼 표면 건조 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330300B2 (ja) * 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
KR20120034948A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법
JP5705666B2 (ja) * 2011-07-07 2015-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5852871B2 (ja) 2011-12-12 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5632860B2 (ja) 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP6017922B2 (ja) 2012-10-29 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法、液処理システムおよび記憶媒体
JP6255650B2 (ja) * 2013-05-13 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102343226B1 (ko) * 2014-09-04 2021-12-23 삼성전자주식회사 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6588819B2 (ja) 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101965349B1 (ko) * 2016-10-07 2019-08-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6811619B2 (ja) 2017-01-12 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10658204B2 (en) * 2017-08-08 2020-05-19 Lam Research Ag Spin chuck with concentrated center and radial heating

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334902B1 (en) * 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
JP2006019568A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Tokyo Electron Ltd 周辺露光方法及びその装置
JP2008128567A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
US20100273333A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Shinichi Kato Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation
JP2011233574A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US20120160274A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Tokyo Electron Limited Liquid Processing Apparatus, Liquid Processing Method, and Recording Medium Having Program for Executing Liquid Processing Method Recorded Therein
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20160025409A1 (en) * 2013-03-07 2016-01-28 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201517116A (zh) * 2013-07-19 2015-05-01 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體
US20150270146A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016136599A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20170226639A1 (en) * 2016-02-05 2017-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method and Storage Medium
US20170287741A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20170345681A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP2017216416A (ja) * 2016-06-02 2017-12-07 株式会社ディスコ 洗浄装置
US20180061633A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
US20180090342A1 (en) * 2016-09-26 2018-03-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
KR20180046034A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 웨이퍼 표면 건조 장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
温鹏;王威;谭向虎;单际国;王旭友;林尚扬;: "激光能量和辅助气体对切割能力影响的数值模拟", 焊接学报, no. 04, 25 April 2013 (2013-04-25), pages 57 - 58 *

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Publication number Publication date
TWI829725B (zh) 2024-01-21
US11469116B2 (en) 2022-10-11
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