TWI311336B - - Google Patents

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1311336 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種例如對於半導體晶圓等基板進行洗 淨處理之後，用來使其乾燥的基板處理方法、及基板處理 裝置。 【先前技術】 例如在半導體裝置的製程中，藉由旋轉夾盤保持半導 體晶圓（以下稱爲晶圓）’供給處理液而予以洗淨的處理裝 置。在使用該裝置的洗淨步驟中，對晶圓供給純水等處理 液之後’使晶圓旋轉’藉由離心力甩掉液滴，而進行使晶 圓乾燥的處理。 以往，做爲使晶圓乾燥的方法有：一面旋轉晶圓 面對晶圓噴上IPA(異丙醇，Isopropyl Alcohol)蒸氣 '噴

上霧狀的IP A、供給IP A液等的方法。又，從晶圓的旋轉 中心朝向半徑方向外側移動的噴嘴’對於晶圓供給純水， 而且從純水的供給位置在接近旋轉中心的位置，噴上IpA 等的蒸氣，而使晶圓乾燥的方法（日本特開平號 公報、日本特開2003 - 1 97590號公報）。 然而，在以往的處理方法中’當晶圓的離水性強時 在乾燥後的晶圓表面會產生微粒。特別是在大口徑晶圓中 ，要抑制在晶圓的周緣部附近所產生的微粒（因藥液等的 析出而產生節理狀的水痕等），相當困難。又’雖亦可考 慮藉著增加IPA等的乾燥用的流體的供給量，而防止微粒 '5- 1311336 、 (2) 的產生的方法’但此時’亦有流體的成本提高的問題。 【發明內容】 [發明之揭示] 本發明的目的在於，提供一種可以防止在乾燥後的 板產生微粒，而且可降低乾燥用的流體的使用量的基板 理方法、以及基板處理裝置。 φ 爲了解決上述課題，根據本發明，係提供一種基板 理方法，其特徵爲具備有： 藉由處理液處理基板的步驟； 將揮發性比前述處理液高的第1流體供給至前述基 的上面，而形成液膜之步驟；以及 一面旋轉前述基板，一面將揮發性比前述處理液高 第2流體供給至前述基板的上面之步驟， 於供給前述第2流體的步驟中，使前述第2流體對於 • 述基板的供給位置與前述基板的旋轉中心相對，朝向半 方向外側移動。 在該基板處理方法中，亦可在藉由前述處理液體處 前述基板的步驟之前，更具備：藉由藥液處理前述基板 藥液處理步驟。 在形成前述液膜的步驟中，藉由一面使前述基板旋 ，一面使前述第1流體對於前述基板的供給位置與前述 板的旋轉中心相對，朝向半徑方向外側移動，來形成前 液膜亦可。 基 處 處 板 的 前 徑 理 的 轉 基 述 -6 - (3) 1311336 在供給前述第2流體的步驟中，更對於前述基板的上 面供給乾燥用氣體，並且一面使前述乾燥用氣體的對前述 基板之供給位置，保持在比前述第2流體的對前述基板之 供給位置更接近基板的旋轉中心，一面使前述乾燥用氣體 的供給位置及前述第2流體的供給位置與前述基板的旋轉 中心相對，朝向半徑方向外側移動亦可。 供給前述第2流體的步驟，係一面吸引前述基板的上 φ 面附近的環境氣體，一面進行亦可。 形成前述液膜的步驟、和供給前述第2流體的步驟之 至少一方，係比藉由前述處理液來處理基板的步驟，更減 少前述基板周圔的溼度的狀態下來進行亦可。 又，根據本發明，係提供一種儲存用來實行基板處理 方法的程式的記錄媒體，係可藉由基板處理裝置的控制器 來實行的程式，其特徵爲具備有： 藉由處理液處理基板的步驟； • 將揮發性比前述處理液高的第1流體供給至前述基板 的上面，而形成液膜之步驟；以及 一面旋轉前述基板，一面將揮發性比前述處理液高的 第2流體供給至前述基板的上面之步驟， 於供給前述第2流體的步驟中，使前述第2流體對於前 述基板的供給位置與前述基板的旋轉中心相對，朝向半徑 方向外側移動。 又，根據本發明，係提供一種基板處理裝置，其特徵 爲具備有： -7 - (4) 1311336 (a) 保持基板並使其旋轉的旋轉夾頭； (b) 將處理液供給至保持在該旋轉夾頭的前述基板上 面的處理液供給系統； (c) 具有第1流體噴嘴，且從該第1流體噴嘴供給揮發 性比前述處理液高的第1流體至前述基板的上面的第1流體 供給系統； (d) 具有第2流體噴嘴，且從該第2流體噴嘴供給揮發 • 性比前述處理液高的第2流體至前述基板的上面的第2流體 供給系統； (e) 使前述第2流體噴嘴與前述基板的旋轉中心相對， 朝向半徑方向外側移動的噴嘴移動機構；及 (f) 控制器，係用來控制前述旋轉夾頭、前述處理液 供給系統' 前述第1流體供給系統、第2流體供給系統、及 前述噴嘴移動機構， 該控制器係從前述供給系統將前述處理液供給至前述 # 基板的上面， 從前述第1流體噴嘴將前述第1流體供給至前述基板的 上面， 藉由前述旋轉夾頭旋轉前述基板的同時，藉由前述噴 嘴移動機構，一面使前述第2流體噴嘴移動，一面從前述 第2流體噴嘴供給前述第2流體至前述基板的上面。 在該基板處理裝置中，更具備有：供給乾燥用氣體至 前述基板的上面的乾燥用氣體噴嘴， 前述噴嘴移動機構係一面保持前述乾燥用氣體噴嘴比 (5) 1311336 前述第2流體噴嘴更接近前述基板的旋轉中心，一面使前 述乾燥用氣體噴嘴及前述第2流體噴嘴相對於前述基板的 旋轉中心，朝向半徑方向外側移動而構成亦可。 又，更具備有：吸引前述基板的上面附近的環境氣體 '的吸引噴嘴， * 前述噴嘴移動機構係一面保持前述吸引噴嘴比前述第 2流體噴嘴更遠離前述基板的旋轉中心，一面使前述吸引 φ 噴嘴及前述第2流體噴嘴相對於前述基板的旋轉中心，朝 向半徑方向外側移動而構成亦可。 又，更具備有：用來調節保持於前述旋轉夾頭的前述 基板的周圍的溼度的溼度調節系統亦可。 前述乾燥用氣體例如爲惰性氣體或乾燥空氣。又，前 述處理液例如爲純水等的沖洗液。再者，前述第1流體和 第2流體的至少一方，係從I P A液、IP A溶液、I P A液的 霧氣' IPA溶液的霧氣' IPA蒸氣、及IPA溶液的蒸氣之 φ 群組中加以選擇。亦即，在本發明中，所謂「揮發性比處 理液高的流體」，係除了揮發性比處理液高的液體之外， 另包含這種液體的蒸氣之槪念。 根據本發明，首先，將揮發性比處理液高的第1流體 供給至基板的上面，而形成液膜。然後，一面旋轉基板， 一面將揮發性比處理液高的第2流體供給至基板的上面。 此時，使第2流體的供給位置對於基板的旋轉中心，朝向 半徑方向外側移動。藉此，使用第1及第2流體，在已被乾 燥之後的基板，可防止微粒產生。 -9 - (6) 1311336 又’在供給第2流體之際，更於將乾燥用氣體供給至 基板的上面之同時’使乾燥用氣體對於基板的供給位置比 第2流體對於基板的供給位置，保持更接近基板的旋轉中 心，且使兩者的供給位置對於基板的旋轉中心，朝向半徑 方向外側移動。藉此，利用乾燥用氣體，促進基板的乾燥 ，使乾燥用的第2流體的使用量相對降低。 φ 【實施方式】 依據洗淨處理做爲基板的略圓板形的矽晶圓W的上 面的基板處理裝置，說明本發明的較佳實施形態。 如第1圖所示，在本實施形態的基板處理裝置1的處理 谷器2內’具備有略水平保持晶圓W，且使其旋轉的旋轉 夾盤3。又’具備有對於晶圓W供給例如D H F (氫氟酸）做 爲洗淨用的藥液’並且供給例如純水（D I W )作爲沖洗液（處 理液）的液體噴嘴5。該液體噴嘴5藉由第1支持臂6加以支 φ 持。再者’具備有：例如供給IΡ Α (異丙醇）液做爲揮發 性比沖洗液即純水高的第1流體及第2流體的流體噴嘴1 2 ; 以及例如供給氮（N2)氣等的惰性氣體做爲乾燥用氣體的乾 燥用氣體噴嘴13。流體噴嘴12和乾燥用氣體噴嘴13，係藉 由第2支持臂15加以支持。具備有具有用來控制基板處理 裝置1的各部的CPU之控制器1 6。 如第2圖所示，在處理容器2設置有用來將晶圓W搬 入 '搬出到內部的處理空間S的搬入出口 1 7。藉由關閉該 搬入出口 1 7，而可將處理空間S設爲密閉狀態。 -10 - (7) 1311336 如第1圖及第2圖所示，在旋轉夾盤3的上部設置有3個 保持構件18，而使此等保持構件18分別抵接於晶圓W的 周緣3處’略水平的保持晶圓W。在旋轉夾盤3的下部經由 垂直的旋轉軸，安裝有旋轉旋轉夾盤3的電動機20。以該 電動機20旋轉旋轉夾盤3，以晶圓W的中心Po做爲旋轉 中心，而在與旋轉夾盤3 —體的水平面內旋轉晶圓 W。電 動機20的驅動係藉由控制器1 6加以控制。 第1支持臂6係配置於被支持在旋轉夾盤3的晶圓W的 上方。第1支持臂6的基端部係沿著略水平地被配置的導引 軌3 1 ’而移動自如的被支持著。又，具備有沿著導引軌3 j 使第1支持臂6移動的驅動機構3 2。如第2圖所示，隨著驅 動機構32的驅動而使第1支持臂6移動，使液體噴嘴5對於 晶圓W的旋轉中心p 〇 ’朝向半徑方向移動至晶圓w的外 側。驅動機構3 2的驅動係藉由控制器丄6 (第1圖）加以控制 〇 如第1圖所示’液體噴嘴5係安裝於從固定在第1支持 臂6的則端的升降機構3 5突出於下方的升降軸3 6的下端。 升降軸36係藉由升降機構35而成爲升降自如，藉此，液體 噴嘴5可升降至任意的高度。升降機構μ的驅動係藉由控 制器1 6加以控制。 液體噴嘴5係經由藥液供給路42與藥液（DHF)供給源4 1 連接，經由沖洗液供給路44與沖洗液（DIW)供給源43連接 。藥液供給路42以及沖洗液供給路44，係分別介在裝設有 開關閥45及46。各開關閥G、46的開關動作，係藉由控制 -11 - 1311336 ⑻ 器1 6加以控制。其中，藉由液體噴嘴5、藥液供給源4 i、 藥液供給路42、及開關閥45，構成藥液供給系統。又，藉 由液體噴嘴5、沖洗液供給源43、沖洗液供給路44、以及 開關閥4 6 ’來構成沖洗液（處理液）供給系統。 第2支持臂1 5係配置在旋轉夾盤3所支持的晶圓W的 上方。第2支持臂1 5的基端部係沿著略水平的配置的導引 軌5 1，而移動自如的被支持。又，具備有沿著導引軌5 J而 • 移動支持臂15的驅動機構52。藉此，構成使流體噴嘴12以 及乾燥用氣體噴嘴1 3朝向水平方向移動的噴嘴移動機構。 如第2圖所不’隨著驅動機構5 2的驅動而使第2支持臂1 5移 動’使流體噴嘴1 2以及乾燥用氣體噴嘴1 3對於旋轉中心 P〇 ’朝向半徑方向水平的移動到晶圓W的外側。驅動機 構5 2的驅動係藉由控制器1 6 (第1圖）加以控制。 如第1圖所示’在第2支持臂I5的前端固定有具備升降 軸54的升降機構55。升降軸54係以突出至升降機構55的下 φ 方之方式配置’在該升降軸54的下端安裝有流體噴嘴12以 及乾燥用氣體噴嘴13。升降軸54係藉由升降機構55的驅動 而伸縮，藉此’一體升降流體噴嘴1 2以及乾燥用氣體噴嘴 13。升降機構55的驅動係藉由控制器16加以控制。亦即， 藉由控制器1 6的命令而控制驅動機構5 2的驅動，而使第2 支持臂15、流體噴嘴12以及乾燥用氣體噴嘴13朝向水平方 向移動（噴嘴移動方向D) ’並且控制升降機構5 5的驅動， 以調節流體噴嘴1 2以及乾燥用氣體噴嘴1 3的垂直方向的位 置。 -12 - 1311336 Ο) 第3圖及第4圖所示，流體噴嘴1 2和乾燥用氣體噴嘴1 3 ，係對於晶圓W的旋轉中心P〇，在與液體噴嘴5相反側的 半徑方向（噴嘴移動方向D )並列，而彼此鄰接配置。亦即 ，沿著噴嘴移動方向D，乾燥用氣體噴嘴1 3比流體噴嘴1 2 配置在更接近晶圓W的旋轉中心Po (嚴格來說，比流體噴 嘴1 2的旋轉中心P〇的半徑方向位置，更接近噴嘴1 2、1 3 之間的間隔的狀態下）（參照第3圖），成爲與其相反的關係） •。 流體噴嘴12係經由流體供給路67，與儲存IPA液的槽 等流體供給源66連接。在流體供給路67介在裝設有開關閥 6 8。開關閥6 8的開關動作係藉由控制器1 6加以控制。藉由 此等的流體噴嘴12、流體供給源66、流體供給路67以及開 關閥6 8，來構成液體供給系統。 乾燥用氣體噴嘴13係經由惰性氣體供給路72與惰性氣 體（N2 )供給源71連接。在惰性氣體供給路72介在裝設有 φ 開關閥73。開關閥73的開關動作，係藉由控制器16加以控 制。藉由此等的氣體噴嘴1 3、氣體供給源7 1、氣體供給路 72以及開關閥73，來構成乾燥用氣體供給系統。 基板處理裝置1的各功能要素，係在用來自動控制基 板處理裝置1全體的動作的控制器1 6，經由信號線加以連 接。在此’所謂功能要素，意味著例如：用來實行前述的 電動機2 〇 '驅動機構3 2、升降機構3 5、驅動機構5 2、升降 機構5 5、開關閥4 5、4 6 ' 6 8 ' 7 3等的特定處理之動作的全 部的要素。控制器1 6係典型依存於所實行的程式，而可實 -13 - (10) 1311336 現任意功能的通用電腦。 如第1圖所示，控制器1 6係具有：具備c P U (中央運算 裝置）的運算部16a、與運算部16a連接的輸入出部16b '以 及儲存透過輸入出部1 6b來讀取的控制程式的記錄媒體 16c。在該記錄媒體16c記錄有：藉由控制器16進行，而 在基板處理裝置1進行後述特定的基板處理方法的控制程 式。控制器1 6係藉由進行該控制程式，而藉由特定的處理 φ 程式所定義的各種處理條件（例如電動機2 0的旋轉速度等） 之方式，來控制基板處理裝置1的各功能要素。此外，在 依據該控制程式的基板處理方法中，如後之詳細說明，依 序進行藥液處理步驟、沖洗處理步驟、液膜形成步驟、以 及乾燥步驟。 記錄媒體1 6 c亦可固定的設置在控制器i 6。或是，記 錄媒體1 6 c可裝卸自如的裝設在設置於控制器1 6的未圖示 的讀取裝置中’可藉由該讀取裝置來讀取。最典型的記錄 Φ 媒體1 6C，係藉由基板處理裝置i之廠商的業務員，安裝控 制程式的硬碟驅動器。其他的記錄媒體1 6 c爲可寫入控制 程式的CD-ROM或DVD-ROM的可攜式硬碟。這種可攜式 硬碟’係藉由設置在控制器1 6的未圖示的光學讀取裝置加 以讀取。又，記錄媒體16c亦可爲RAMQandom access memory)或 R〇M(read only memory)中的任一種形式。再 者’記錄媒體16c亦可爲匣式的R〇M。主要爲，使用在電 腦的技術領域中周知之可任意一種做爲記錄媒體16c。此 外，在配置有複數個基板處理裝置1的工廠中，在統一控 -14 - (11) 1311336 制各基板處理裝置1的控制器1 6的管理電腦中’儲存控制 程式亦可。此時’各基板處理裝置1經由通訊電線’藉由 管理電腦加以操作’而實行特定的處理。 然後，說明使用如以上方式所構成的基板處理裝置1 的晶圓W的處理方法。 首先’藉由未圖不的搬送手臂’將未洗淨的晶圓 w 搬入處理容器2內，如第1圖所示，以旋轉夾盤3保持晶圓 φ W。當將晶圓W送到旋轉夾盤3時，在第2圖中，以二點鎖 線表示，使第1及第2支持手臂6、1 5，後退到位於旋轉夾 盤3的外側的待機位置。 若以旋轉夾盤3保持晶圓W，則藉由第1圖所示的電動 機2 0的驅動，使旋轉夾盤旋轉，而開始晶圓W的旋轉。 然後’開始藥液處理步驟。首先，在第2圖以一點鎖線表 示’以使液體噴嘴5位於晶圓W的旋轉中心p〇上之方式 ’使第1支持臂6移動。然後，朝向晶圓W的旋轉中心Po φ ’從液體噴嘴5供給藥液。被供給至旋轉中心Po的藥液， 藉由離心力擴散到晶圓W的上面全體。藉此，在晶圓w 的上面形成藥液的液膜。此外，藥液供給時的晶圓w的 旋轉速度’例如設爲約5 0 0 r p m左右。若形成藥液的液膜 ’則停止來自液體噴嘴5的藥液供給。然後，藉著放置特 定時間，藉由藥液的液膜來處理晶圓W的上面。此外， 當進行該藥液處理時’晶圓W的上面的離水性，比藥液 處理之前要強。 若結束藥液處理’則接著進行沖洗處理步驟，在沖洗 -15 - (12) 1311336 處理步驟中，一面旋轉晶圓W，一面從液體噴嘴5朝向晶 圓W的旋轉中心p0供給純水，所供給的純水藉由離心力 ’擴散到晶圓W的上面全體。附著在晶圓w上面的藥液 ’藉由純水被從晶圓 W洗掉。此外，沖洗處理時的晶圓 W的旋轉速度，以比藥液供給時的速度快較爲理想，例如 設爲約1 0 0 0 r p m左右。若晶圓W藉由純水充份的沖洗處 理’則停止從液體噴嘴5供給純水。然後，使支持臂6從晶 Φ 圓W的上方後退，返回到待機位置。 在該沖洗處理步驟之後，對於晶圓W進行用來形成 IPA液之液膜的液膜形成步驟。首先，在第2圖以一點鎖 線表示’使流體噴嘴12位於晶圓W的旋轉中心P〇上，而 使第2支持臂15移動。然後，如第3圖所示，朝向以特定的 旋轉速度旋轉的晶圓W的旋轉中心P 〇，從流體噴嘴1 2供 給IP A液（第1流體）。所供給的I p A液藉由離心力擴散到 晶圓W的上面全體，而在晶圓W的上面全體形成IPA液 φ 的液膜。如此，藉由形成液膜，在晶圓W的上面全體上 ’附著於晶圓W上的純水確實的進入IPA液中。又，可 防止晶圓W的上面自然乾燥。此外，液膜形成步驟的晶 圓W的旋轉速度，以比沖洗處理時的速度慢爲佳，例如 設爲約3 0 0 r p m左右。 如此，在晶圓W的上面形成IP A液的液膜之後，對 於晶圓W供給IPA液（第2流體）和氮氣（乾燥用氣體），而 進行使晶圓乾燥的乾燥步驟。首先，在將流體噴嘴12和乾 燥用氣體噴嘴13配置在晶圓W的旋轉中心P〇附近上的狀 -16 - (13) 1311336 態下’開始從流體噴嘴1 2供給IPA液、以及從乾燥用氣體 噴％ 1 3供給氮氣。然後’如第4圖所示，從各噴嘴i 2、J 3 ’將IPA液和氮氣供給到旋轉中的晶圓w的上面，而使 第2支持臂1 5朝向噴嘴移動方向d移動。藉此，如第4圖 所示’從流體噴嘴12對於晶圓上面的IPA液的供給位置 S f、以及從乾燥用氣體噴嘴1 3供給氮氣的供給位置s η， 係從晶圓W的旋轉中心ρ〇朝向半徑方向外側移動。藉著 鲁一面旋轉晶圓W，一面進行此移動，可將ΙΡΑ液和氮氣 供給到晶圓W的上面全體。 此外’同時開始供給ΙΡΑ液和氮氣亦可。例如，藉著 流體噴嘴1 2移動到晶圓w的旋轉中心Ρ 〇上時，藉著開始 供給ΙΡΑ液及氮氣，從晶圓W的旋轉中心ρ〇開始供給 IΡ Α液’對於噴嘴移動方向d，對於移動方向從旋轉中心 p〇向後方些微偏移的位置上，開始供給氮氣亦可。又， 氮氣的供給在開始I Ρ A液的供給之後，當乾燥用氣體噴嘴 9 13移動到晶圓W的旋轉中心Ρ 〇上時開始，從晶圓w的 旋轉中心Ρ 〇開始供給氮氣亦可。又，1 ρ A液以及氮氣的 供給’皆對於噴嘴移動方向D，從旋轉中心p〇朝向後方 些微偏移的位置上開始亦可。 供給到旋轉的晶圓W上面的IPA液，係藉由離心力 朝向晶圓W的半徑方向外側流動。又，在I p a液的供給 位置S f ’移動到噴嘴移動方向D之期間，乾燥用氣體的 供給位置Sn與IPA液的供給位置Sf鄰接，而且保持於比 該供給位置Sf，更接近晶圓W的旋轉中心p〇。此時，氮 -17 - (14) 1311336 氣的供給位置S π，係位於旋轉中心P 〇和供給位置S f之 間。因而，供給至晶圓w上面的1 p A液直接藉由氮氣推 流，而促進晶圓w的乾燥。藉此’可以少許的IPA液’ 有效率的使晶圓W乾燥’可抑制IpA液的使用量。更由 於可降低水印的產生原因的氧濃度，因此可防止水印的產 生。 乾燥步驟的晶圓W的旋轉速度，例如約爲500rpm至 φ 800rpm左右，IPA液的供給位置Sf和氮氣的供給位置Sn 的移動方向D的移動速度，例如約爲150xnm/SeC左右。又 ，因應對於晶圓W的供給位置Sf、Sn的半徑方向位置， 而變化晶圓W的旋轉速度亦可。例如，供給位置s f、S η 位於晶圓W的半徑方向內側時，提高旋轉速度，位於半 徑方向外側時’降低旋轉速度亦可。例如，在直徑約 3 0 0 m m的晶圓W中’供給位置s f、S η從晶圓W的旋轉 中心Ρ 〇 ’位於半徑約9 0 m m以內時’將晶圓w的旋轉速 # 度設爲約800rPm ’當供給位置Sf、Sn位於比其更外側時 ’可將晶圓W的旋轉設爲約5 〇〇mm。 又，因應對於晶圓W的供給位置S f、s η的半徑方向 位置’而變化噴嘴移動方向D的供給位置Sf、Sn的移動 速度亦可。例如，供給位置Sf、Sn位於晶圓w的半徑方 向內側時’加快移動速度，位於半徑方向外側時，減慢移 動速度。例如，在直徑約3 〇 〇 m m的晶圓W中，供給位置 Sf、Sn從晶圓w的旋轉中心Po，位於半徑約9〇mm以內 時’將供給位置sf' Sn的移動速度設爲約7mm/sec，供給 -18 - (15) 1311336 位置 Sf、Sn位於比其更外側時，將移動速度設爲約 3mm/ sec 亦可 ° 當IP A液的供給位置s f來到晶圓W的周緣上，則停 止從流體噴嘴1 2供給ip A液。又，當氮氣的供給位置Sn 來到晶圓 W的周緣上，則停止從乾燥用氣體噴嘴1 3供給 氮氣。如此，結束乾燥步驟。此外，在晶圓W的周緣上 ，暫時停止氮氣的供給位置S η之移動，不久之後，持續 φ 的將氮氣供給到周緣之後，停止供給亦可。如此，可更確 實乾燥。

在乾燥步驟之後，停止旋轉夾盤3的旋轉，使未圖示 的搬送手臂進入處理容器2內，由旋轉夾盤3接受晶圓W， 再從處理容器2搬出。如此，結束基板處理裝置1的晶圓W 的一連串的處理。 如以上所說明，根據本實施形態，在供給純水之後， 在晶圓W的上面形成ΙΡΑ液（第1流體）的液膜，而可確實 Φ 的將附著於晶圓W上面的純水取入至ΙΡΑ液中。又，藉 由以液膜覆蓋，可防止晶圓W的上面特別是上面周緣部 自然乾燥，也可防止在晶圓W的上面產生微粒。即使晶 圓 w上面的離水性較強時，亦可有效的防止微粒的產生 〇 又，在ΙΡΑ液的液膜形成之後，從晶圓W的旋轉中 心Ρ 0，於朝向半徑方向外側的移動方向D，一面移動供 給位置Sf，一面將ΙΡΑ液（第2流體）供給至晶圓W，而取 入純水的IPA液（第1流體）的液膜，被推流而除去。藉此 -19· (16) 1311336 ，可沒有斑點的 '有效率的使晶圓W的上面乾燥。再者 ，藉著對於移動方向D從IPA液的供給位置Sf，在後方 的供給位置S η供給乾燥用的氮氣，而使殘留在晶圓W上 的液體（主要爲IPΑ液）朝向周緣部推流，而可促進晶圓w 的乾燥。藉此，可相對的降低乾燥用的IP A液（第2流體） 的使用量。又，可防止因爲I P A和純水的揮發性的差而產 生的微粒，而使晶圓W的品質提升。 φ 以上，雖然表示本發明的較佳實施形態，但是本發明 並不限定於在此所說明的形態。例如，基板不限定爲半導 體晶圓，亦可爲其他的LCD用玻璃基板或CD基板、印刷 基板、陶瓷基板等。 又’雖然說明對於晶圓W進行藥液處理步驟、沖洗 處理步驟' 液膜形成步驟、以及乾燥步驟的方法，但本發 明並不限於此，而可應用在各樣的處理。又，在藥液處理 步驟所使用的藥液的種類，不限定用於晶圓W的洗淨。 φ 例如，藥液處理步驟亦可爲將HF(氟化氫）等的蝕刻用的 藥液供給至晶圓W而蝕刻處理的步驟。又，亦可爲進行 抗蝕劑除去處理或除去蝕刻殘渣的處理等的步驟。此外， 例如使電刷或泡棉等的沖刷具與晶圓W接觸而沖刷洗淨 之後，進行沖洗處理步驟、液膜形成步驟、以及乾燥步驟 亦可。又’雖然例示處理液的沖洗液爲純水，但處理液不 限定於此。 又’雖然藥液和沖洗液（處理液）係從相同的液體噴嘴 5所供給的構成。但是，當然此等的液體亦可從彼此不同 -20 - (17) 1311336 的噴嘴所供給的構成。此時，供給藥液的噴嘴和沖洗液的 噴嘴’支持在彼此不同的支持手臂亦可。又，亦可將供給 沖洗液的噴嘴’支持在和流體噴嘴〗2及乾燥用氣體噴嘴χ 3 相问的第2支持臂1 5。 又’在液膜形成步驟中，雖說明對於晶圓 W的旋轉 中心P〇供給IPA液（第1流體），而利用晶圓W的旋轉的 離心力形成液膜之情況，但是，液膜的形成方法不限定於 Φ 此。例如’亦可一面旋轉晶圓W，一面在晶圓W上於晶 圓w的旋轉中心P 〇和周緣部之間，移動ϊ P A液的供給位 置。此時可較佳的形成液膜。此時，IPA液的供給位置與 旋轉中心P 〇相對’朝向半徑方向的外側或內側的1個方向 僅移動1次亦可，對於旋轉中心P 〇，朝向半徑方向來回移 動1次以上亦可。此外，在液膜形成步驟的IPA液（第1流 體）的供給位置的移動速度，係比乾燥步驟的IP A液（第2 流體）的供給位置S f的移動速度快爲佳。如此，可迅速的 Φ 形成液膜。在液膜形成步驟中，IPA液的供給位置的移動 速度，例如約爲15〇mm/Sec，晶圓 W的旋轉速度例如約 3 00rpm。此外’液膜形成步驟的晶圓 W的旋轉速度，以 低於乾燥步驟的晶圓W的旋轉速度爲佳。如此，液膜不 會因爲離心力而崩開，可確實的形成。另外，在乾燥步驟 中，藉由提高旋轉速度而可迅速的使晶圓W乾燥。 又，比沖洗液（處理液）揮發性高的第1流體和第2流體 ，不限定爲IP A被。亦可使用例如包含以純水等稀釋的 IPA的IPA溶液，來取代IPA液做爲第1流體和第2流體至 -21 - (18) 1311336 少一方（以下稱爲乾燥用流體）。此時，可降低乾燥用流體 的使用量’更可謀求低成本化。又，乾燥用流體除了液體 狀之外’亦可爲霧狀、噴流、氣體狀等。例如，使用IP A 液的霧' IP A溶液的霧、I P A蒸氣或I p A溶液的蒸氣（混合 IPA蒸氣和水蒸氣的混合蒸氣）等做爲乾燥用流體。再者 ’使用於此等的霧或蒸氣等中混合氮氣等的氣體，做爲乾 燥用流體亦可。又’乾燥用流體例如亦可使用包含H F E ( φ 氫氟醚溶劑）或丙酮等的有機溶劑，或是含有界面活性劑 的液體等’亦可使用將此等設爲霧狀、噴流或蒸氣者。使 用此等流體做爲第2流體時，藉由同時供給氮氣等的乾燥 用氣體可促進乾燥，因此可降低第2流體的使用量，而可 謀求低成本化。 又’第1流體和第2流體亦可爲相同的流體。例如，做 爲第1流體使用的IΡ Α溶液中的I Ρ Α濃度、和做爲第2流 體使用的IPA溶液中的IPA濃度，互爲不同亦可。又， # 第1流體和第2流體爲互爲不同的狀態（相）亦可。例如，使 用IPA液等的液體做爲第}流體，使用IPA蒸氣等氣體、 或IPA液等的霧做爲第2流體亦可。 又，雖說明從單一的流體噴嘴12供給第1流體和第2流 體之情況，但亦可從彼此不同的噴嘴來供給此等流體。例 如，分別以第2支持臂〗5支持：供給第1流體的第〗流體噴 嘴、和供給第2流體的第2流體噴嘴，而使第1流體噴嘴、 第2流體噴嘴、以及乾燥用氣體噴嘴13—體移動亦可。 做爲用來供給乾燥用流體的噴嘴，亦可使用雙流體噴 -22- (19) 1311336 嘴。例如’藉著在雙流體噴嘴的內部混合I P A液或1 p A 溶液等的液體、和氮氣等的氣體，而將IPA液或IPA溶 液設爲由無數個微粒子狀的液滴所構成的噴流，一面藉由 氣體加速一面噴射液滴。又，雙流體噴嘴的構造，不限定 爲內部混合型，例如，亦可爲在外部混合液體和氣體的外 部混合型的構造。 然後，說明第5圖所示的基板處理裝置的又一實施形 φ 態。該實施形態係在乾燥步驟中，氮氣的對晶圓 W之供 給位置S η (乾燥用氣體噴嘴1 3 )，比I P A液（第2流體）的對 晶圓W之供給位置Sf(流體噴嘴12)，更位於晶圓W的旋 轉方向（CCW)前方處。此外，在第5圖中，分別以虛線的 圓Af、An表示，從各噴嘴12' 13供給的IPA液及氮氣的 供給區域，將各供給區域Af、An的中心分別設爲供給位 置S f、S η。此時’各供給位置S f、S η和連結晶圓W的旋 轉中心Ρο的直線分別設爲Lf、Ln時，直線Ln從直線Lf % 朝向晶圓W的旋轉方向，僅偏離未滿90°的角度θ η。藉此 ’不僅在晶圓 W的半徑方向亦於旋轉方向上，經常接續 IPΑ液（第2流體）而供給氮氣（乾燥用氣體）。因而，藉由乾 無用氣體，迅速的推流晶圓W上的IP A液，而可乾燥。 然後’說明如第6圖所示的基板處理裝置的其他實施 形態。該實施形態係在與噴嘴移動方向D垂直的方向上（ 在此，特別是指和晶圓W表面平行的方向），將乾燥用氣 體噴嘴13的開口尺寸Bn設爲比流體噴嘴12的開口尺寸Bf 大。具體而言，對於流體噴嘴1 2具有圓形開口 1 2 a，乾燥 -23 - (20) 1311336 用氣體噴嘴1 3具有的長邊的長度比圓形開口 的長方形開口 1 3 a。藉此，在與噴嘴移動方[ΐ 向上，乾燥用氣體的供給區域An的尺寸 體（I P A液等）的供給區域 A f的尺寸大。如 向D上，對供給位置S f的後方充份的供給 氣有效的推流IP A液。藉此，可更有效率而 W乾燥。 乾燥步驟的乾燥用氣體不限定爲氮氣， 性氣體。又，上述乾燥用氣體不限定爲惰性 可爲空氣等。此時，亦推流供給至晶圓W _ (IPA液等），可促進晶圓W的乾燥。再者， 溼度，也可強制性的降低至比一般狀態更低 亦可爲乾燥氣體等。如此，可降低晶圓W 度’促進附著於晶圓W的IPA液等液體的 效的促進晶圓W的乾燥。乾燥用氣體的濕 ’例如lg/m3以下。 然後’說明第7圖所示的基板處理裝置 態。該實施形態更具備有：加熱應從流體噴 2流體（IP A液等）的流體加熱器6 7 a ;加熱應 噴嘴1 3供給的乾燥用氣體的乾燥用氣體加| 加熱器67a係介在裝設於流體供給路67 ’並 加以控制。又’乾燥用氣體加熱器7 2 a係介 氣體供給路72 ’並藉由控制器1 6加以控制。 熱器亦可設置於流體供給源66的槽。 1 2 a的直徑大 旬D垂直的方 ，變爲比第2流 此，在移動方 氮氣，藉由氮 確實的使晶圓 亦可爲其他惰 氣體，例如亦 _h面的第2流體 乾燥用氣體的 的氣體，例如 上面附近的溼 蒸發，可更有 度爲絕對濕度 的其他實施形 嘴12供給的第 從乾燥用氣體 热器7 2 a。流體 藉由控制器1 6 在裝設於惰性 此外，流體加 • 24- (21) 1311336 藉著從流體噴嘴1 2供給藉由流體加熱器6 7 a強制加熱 至比常溫高的第2流體，來促進供給到晶圓W的第1流體 或第2流體的蒸發，而可更有效率的使晶圓W乾燥。又， 藉著從乾燥用氣體噴嘴1 3供給強制加熱至比常溫高的乾燥 用氣體，而促進供給至晶圓 W的第1流體或第2流體的蒸 發，可更有效率的使晶圓W乾燥。 然後，說明第8圖所示的基板處理裝置的其他實施形 φ 態。該實施形態更具備有：用來吸引晶圓W上面附近的 環境氣體的吸引噴嘴80。具體而言，具有吸引口 80a的吸 引噴嘴80，係以與流體噴嘴12及乾燥用氣體噴嘴13—體移 動的方式’被安裝於第2支持臂1 5。此時，在第2流體的供 給位置Sf(流體噴嘴12)移動到噴嘴移動方向d的期間，吸 引噴嘴8 0的吸引口 8 0 a與IP A液的供給位置s f鄰接，並 且保持爲比該供給位置Sf更遠離晶圓W的旋轉中心Po。 此外’吸引噴嘴80連接有未圖示的泵浦等吸引器，上述吸 4^ 引器的作動係藉由控制器1 6加以控制，來控制吸引噴嘴8 0 的吸引動作。 在上述構成中，於乾燥步驟，一面朝向移動方向〇 移動流體噴嘴12 ’ 一面供給第2流體（IPa液等）時，藉由吸 引噴嘴8 0可吸引供給位置S f附近的環境氣體中的水份。 藉此’可防止處理空間S中的水份溶入到供給至晶圓w 上的供給位置S f的2個流體中。藉此，可適當的使晶圓％ 乾燥。特別是在移動方向D上’藉著在比第2流體的供給 位置Sf更前方進行吸引，可更提升其效果。 -25 - (22) 1311336 然後’說明桌9圖所ττ；的基板處理裝置的其他實施形 態。該實施形態係在第8圖所示的實施形態中，吸引噴嘴 80的吸引口 80a中心位置相對於晶圓W，位於比第2流體 (I P A液等）的供給位置S f (流體噴嘴1 2)相對於晶圓w， 更位於晶圓W的旋轉方向前方（CCW)。此外，即使在第9 圖中，與第5圖相同，分別以虛線的圓Af、An表示各噴 嘴12、13的第2流體、及乾燥用氣體的供給區域，將各供 φ 給區域Af、An的中心分別設爲供給位置Sf、Sn，此時， 當將連結第2流體的供給位置Sf、及吸引口 80a的中心' 和晶圓W的旋轉中心Po的直線，分別設爲Lf以及La時 ，直線La從直線Lf朝向晶圓W的旋轉方向，僅偏移未 滿9 0°的角度0a。藉此，不僅在晶圓W的半徑方向上，在 旋轉方向上，亦將從流體噴嘴1 2供給到晶圓W上面的第2 流體的上方的環境氣體，從先行的吸引口 80a吸引到正前 方。因此，可有效的防止處理空間S中的水份，溶入到供 φ 給至晶圓W的IPA液。 在本實施形態中，藉由一體的支持臂15支持流體噴嘴 12和乾燥用氣體噴嘴13，與支持臂15—體設爲移動流體噴 嘴1 2和乾燥用氣體噴嘴1 3的構成，但是亦可藉由個別不同 的支持手臂，來支持流體噴嘴12和乾燥用氣體噴嘴13。 又，在本實施形態中，在將第2流體供給到晶圓W的 期間，使流體噴嘴12和乾燥用氣體噴嘴13朝向與晶圓W 相對相同的移動方向D移動，但是亦可使流體噴嘴12和 乾燥用氣體噴嘴13移動到彼此不同的方向。 -26 - (23) 1311336 然後，說明第10圖所示的基板處理裝置的其他實施形 態。本實施形態與第1圖至第4圖所示的實施形態相對，係 將流體噴嘴1 2和乾燥用氣體噴嘴13支持在各別的不同的支 持手臂。又，在本實施形態中’使流體噴嘴1 2以及乾燥用 氣體噴嘴13朝向彼此不同的方向的半徑方向移動。具體而 言’個別的設置支持流體噴嘴1 2的支持手臂和支持乾燥用 氣體噴嘴1 3的支持手臂。然後，在乾燥步驟中，藉由控制 φ 器16(第1圖）的控制，使各支持手臂分別朝向180°不同的 半徑方向移動。藉此，使流體噴嘴12和乾燥用氣體噴嘴13 分別從晶圓W的旋轉中心Ρ 〇，朝向1 8 0°不同的半徑方向 外側移動。此時，乾燥用氣體的供給位置S η，只要保持 比第2流體的供給位置Sf，更爲靠近晶圓 W的旋轉中心 P 〇即可。亦即，乾燥用氣體的供給位置S η和旋轉中心P 〇 之間的距離，可控制在經常性比第2流體的供給位置Sf和 旋轉中心Po之間的距離更短即可。此時，在供給位置Sf φ 上，供給到晶圓w上面的第2流體，旋轉移動到乾燥用氣 體的供給位置S π側時，藉由從旋轉中心Po側所供給的乾 燥用氣體，一面吹散至晶圓W的外周，一面使之乾燥。 因而，可更有效率的使晶圓W乾燥。 此外，如前所述，將流體噴嘴1 2分爲第1流體噴嘴和 第2流體噴嘴的2個噴嘴時，即使在設置第8圖所示的吸引 噴嘴80時，亦可藉由彼此不同的支持手臂，支持任意個噴 嘴。又，亦可使任意個噴嘴朝向不同的方向移動。 然後，說明第11圖所示的基板處理裝置的其他實施形 -27- (24) 1311336 態。該實施形態係更具備安裝在處理容器2的天井的濕度 調節器8 5 ’做爲用來調節保持於旋轉夾盤3的晶圓w周圍 的濕度的濕度調節系統。藉由該濕度調節器8 5，可調節處 理容器2內的處理空間S全體的濕度。藉此，在進行液膜 形成步驟和乾燥步驟的至少一方時，可比進行藥液處理步 驟或沖洗處理步驟時，更減少處理容器2內的濕度。藉此 ’在供給至晶圓W上的第1及第2流體的至少一方，可防 • 止處理空間S中的水份溶入。因而，可防止乾燥後的晶圓 W產生微粒。又，在乾燥步驟中，可促進晶圓 W的乾燥 〇 然後’說明如第12圖所示之具備濕度調節系統的基板 處理裝置的其他實施形態。該實施形態對於處理容器2內 的處理空間S ’從上部供給已調節濕度的氣體，藉由從下 部排氣的構造，構築濕度調節系統1 〇〇。 具體而言’如第12圖所示，本實施形態的濕度調節系 # 統100係具備有：將濕度調節用的惰性氣體供給到處理容 器2內的氣體供給容器9 i。氣體供給容器9 i設置在處理容 器2的天井部。在氣體供給容器91和處理容器2之間，設置 具有複數個氣體供給口 94的整流板93。氣體供給口 94均勻 的分布在整流板93全體上而形成。氣體供給容器9 1經由氣 體導入路95與氣體供給源96連接。在氣體導入路95介在裝 設有：用來調節從氣體供給源96所供給的惰性氣體的濕度 的濕度調整機構92。濕度調整機構92藉由控制器16的控制 命令加以控制，而可將惰性氣體中的水份含有量調整爲任 -28 - (25) 1311336 意値。從氣體供給容器9 1供給到處理容器2內的惰性氣體 ’從保持在旋轉夾盤3的晶圓w上方供給到處理空間S內 ，通過設置於處理容器2下部的排氣口 98而排氣。藉此， 在處理空間S內’已調節濕度的惰性氣體形成向下吹送， 而可較佳的控制處理空間S內的濕度。 此外’從氣體供給源9 6所供給的濕度調節用氣體，不 限定爲惰性氣體’亦可爲其他的氣體，例如空氣等。如此 φ ，在使用空氣時，亦可較佳的控制處理空間S的濕度。 此外’一般設置有基板處理裝置的乾淨室內的溫度爲 常溫（約2 3 ° C左右）’相對濕度爲約4 〇 %至45 %左右。然後 ’將液膜形成步驟、和乾燥步驟的至少一方的處理空間s 中的濕度，降低爲比上述乾淨室的相對濕度要低。如此， 可更提升晶圓W的乾燥性能。此時，處理空間s中的擦 度，亦可設爲例如約2 5 %以下左右（約2 3。C的相對濕度）。 或是’處理空間S中的絕對濕度，設爲例如約5g/m3以卞 •。 處理空間S的濕度的調節，不限定於僅在液膜形成歩 驟和乾燥步驟的至少一方進行。例如，在藥液處理步驟钱 沖洗處理步驟之期間等’亦可進行處理空間s的濕度的言周 節。又，亦可經常調節處理空間S的濕度。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明的基板處理裝置的一實施形態的 模式圖。 -29 - (26) 1311336 第2圖係表示第丨圖所示的基板處理裝置的主要部分的 水平剖面圖。 第3圖係表示第1圖所示的基板處理裝置於液膜形成步 驟的流體噴嘴的配置之斜視圖。 第4圖係用來說明第1圖所示的基板處理裝置於乾燥步 驟的流體噴嘴、和乾燥用氣體噴嘴的動作的斜視圖。 第5圖係用來說明本發明的基板處理裝置的又一實施 φ 形態之流體噴嘴、和乾燥用氣體噴嘴的配置關係的平面圖 〇 第6圖係用來說明本發明的基板處理裝置的其他實施 形態的流體噴嘴、和惰性氣體噴嘴的開口尺寸（形狀）的不 同之斜視圖。 第7圖係表示具備本發明的流體加熱器、及乾燥用氣 體加熱器的基板處理裝置的實施形態之模式圖。 第8圖係表示用來說明本發明的處理基板裝置的其他 Φ 實施形態的吸引噴嘴、流體噴嘴、以及乾燥用氣體噴嘴的 動作的斜視圖。 第9圖係表示用來說明本發明的處理基板裝置的其他 實施形態的吸引噴嘴、流體噴嘴、以及乾燥用氣體噴嘴的 配置關係的平面圖。 第1 0圖係表示用來說明本發明的處理基板裝置的其他 實施形態的乾燥步驟之流體噴嘴、和乾燥用氣體噴嘴的動 作的斜視圖。 第11圖係表示具備本發明的濕度調節系統的基板處理 -30 - (27) 1311336 裝置的實施形態之模式圖。 第1 2圖係表示具備本發明的濕度調節系統的基板處理 裝置的又一實施形態之模式圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板處理裝置 2 :處理容器 H 3 :旋轉夾盤 5 :液體噴嘴 6 :第1支持臂 1 2 :流體噴嘴 1 3 :乾燥用氣體噴嘴 15 :第2支持臂 16 :控制器 1 7 :搬入出口 φ 1 8 :保持構件 20 :電動機 16c :記錄媒體 16b :輸入出部 1 6 a :運算部 31 :導引軌 3 2 :驅動機構 . 35 :升降機構 3 6 :升降軸 4 2 :藥液供給路 -31 - 1311336 4 1 :藥液供給源 43 :沖洗液供給源 44 :沖洗液供給路 4 5、4 6 :開關閥 51 :導引軌 5 2 :驅動機構 5 4 :升降軸 55 :升降機構 6 7 :流體供給路 6 8 :開關閥 7 1 :隋性氣體供給源 7 2 :隋性氣體供給路 7 3 :開關閥 12a :圓形開口 80 :吸引噴嘴 80a :吸引口

85 :濕度調節器 9 1 :氣體供給容器 92 :濕度調整機構 93 :整流板 94 :氣體供給口 95 :氣體導入路 96 :氣體供給源 9 8 :排氣口 100 :濕度調節系統 -32 (29) (29)1311336 W :晶圓 S :處理空間 P 〇 · &E轉中心

Sf :第2流體的供給位置 5 η :乾燥用氣體的供給位置 A f、A η :供給領域 D :噴嘴移動方向 6 7 a :流體加熱器 7 2 a :乾燥用加熱器 66 :流體供給源

La 、 Lf :直線

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Claims (1)

1311336 (1) 十、申請專利範圍 1 . 一種基板處理方法，其特徵爲具備有： 藉由處理液處理基板的步驟； 將揮發性比前述處理液高的第1流體，供給至前述基 板的上面而形成液膜之步驟；以及 ~面旋轉前述基板，一面將揮發性比前述處理液高的 第2流體供給至前述基板的上面之步驟， 於供給前述第2流體的步驟中，使前述第2流體對於前 述基板的供給位置與前述基板的旋轉中心相對，朝向半徑 方向外側移動。 2 ·如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在 藉由前述處理液體處理前述基板的步驟之前，更具備：藉 由藥液處理前述基板的藥液處理步驟。 3 ·如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，藉 由前述藥液處理步驟，使前述基板上面的離水性更強。 4 .如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在 形成前述液膜的步驟中’藉由一面使前述基板旋轉，一面 使前述第〗流體對於前述基板的供給位置與前述基板的旋 轉中心相對，朝向半徑方向外側移動，來形成前述液膜。 5 .如申請專利範圍第4項之基板處理方法’其中，使 形成前述液膜的步驟之前述第1流體的供給位置的移動速 度，比前述供給前述第2流體之步驟的前述第2流體的供給 位置的移動速度快。 6 .如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，形 -34 - (2) 1311336 成前述液膜之步驟的前述基板的旋轉速度，係比供 第2流體的步驟之前述基板的旋轉速度低。 7 .如申請專利fe圍弟】項/基板處理方法，其 供給前述第2流體的步驟中’更對於前述基板的上 乾燥用氣體，並且一面使前述乾燥用氣體的對前述 供給位置，保持在比前述第2流體的對前述基板之 置更接近前述基板的旋轉中心，一面使前述乾燥用 φ 供給位置及前述第2流體的供給位置與前述基板的 心相對，並朝向半徑方向外側移動。 8 .如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其 述乾燥用氣體的對前述基板之供給位置，係配置於 板的旋轉中心和前述第2流體的供給位置之間。 9 .如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其 述乾燥用氣體的對前述基板之供給位置，係比前矣 體的對前述基板之供給位置，更位於前述基板的旋 馨前方。 ]0 _如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其 與前述供給位置的移動方向垂直的方向上，前述乾 體的對前述基板之供給區域的尺寸，成爲比前述| 的對前述基板之供給區域的尺寸大。 1 1 .如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其 述乾燥用氣體爲惰性氣體。 1 2 ·如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其 述乾燥用氣體爲乾燥空氣。 給前述 中，在 面供給 基板之 供給位 氣體的 旋轉中 中，則 前述基 中，前 g第2流 轉方向 中，在 燥用氣 € 2流體 中，前 中，前 -35- (3) 1311336 1 3 ·如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，係 供給已加熱的乾燥用氣體。 1 4 .如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，供 給前述第2流體的步驟，係一面吸引前述基板的上面附近 的環境氣體，一面進行。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之基板處理方法，其中， 前述環境氣體的吸引位置，係一面保持爲比前述第2流體 φ 的對前述基板之供給位置離前述基板的旋轉中心更遠，一 面使前述環境氣體的吸引位置及前述第2流體的供給位置 與前述基板的旋轉中心相對，朝向半徑方向外側移動。 1 6 ·如申請專利範圍第丨4項之基板處理方法’其中’ 前述環境氣體的吸引位置，係比前述第2流體的對前述基 板之供給位置，更位於前述基板的旋轉方向前方。 1 7.如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，形 成前述液膜的步驟、和供給前述第2流體的步驟之至少一 φ 方’係比藉由前述處理液來處理基板的步驟，在更減少前 述基板周圍的溼度的狀態下來進行。 1 8 .如申請專利範圍第〗項之基板處理方法’其中，前 述處理液爲純水。 1 9 .如申請專利範圍第I項之基板處理方法’其中’前 述第]流體和第2流體的至少—方，係從IPA液、IPA溶液 、IPA液的霧氣、；[PA溶液的霧氣、IPa蒸氣、及IPA溶 液的蒸氣之群組中加以選擇。 2 0 .如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中’前 -36- 1311336 (4) 述第1流體和第2流體爲相同。 2 I .如申請專利範圍第丨項之基板處理方法，其中，係 供給已加熱的第2流體。 22 -種儲存用來實行基板處理方法的程式的記錄媒 體’係可藉由基板處理裝置的控制器來實行的程式，其特 徵爲具備有： 藉由處理液處理基板的步驟； I 將揮發性比前述處理液高的第〗流體供給至前述基板 的上面’而形成液膜之步驟；以及 一面旋轉前述基板’一面將揮發性比前述處理液高的 第2流體供給至前述基板的上面之步驟， 於供給前述第2流體的步驟中，使前述第2流體對於前 述基板的供給位置與前述基板的旋轉中心相對，朝向半徑 方向外側移動。 2 3 . —種基板處理裝置，其特徵爲具備有： I U)保持基板並使其旋轉的旋轉夾盤； (b) 將氣理液供給至保持在該旋轉夾盤的前述基板上 面的處理液供給系統； (c) 具有第1流體噴嘴’且從該第1流體噴嘴供給揮發 性比前述處理液高的第1流體至前述基板的上面的第1流體 供給系統； (d) 具有第2流體噴嘴’且從該第2流體噴嘴供給揮發 性比前述處理液高的第2流體至前述基板的上面的第2流體 供給系統； -37- (5) 1311336 Ce)使前述第2流體噴嘴與前述基板的旋轉中心相對， 朝向半徑方向外側移動的噴嘴移動機構；及 (f)控制器’係用來控制前述旋轉夾盤、前述處理液 供給系統、前述第1流體供給系統、第2流體供給系統、及 前述噴嘴移動機構， 該控制器係從前述供給系統將前述處理液供給至前述 基板的上面， φ 從前述第I流體噴嘴將前述第1流體供給至前述基板的 上面， 藉由前述旋轉夾盤旋轉前述基板的同時，藉由前述噴 嘴移動機構，一面使前述第2流體噴嘴移動，一面從前述 第2流體噴嘴供給前述第2流體至前述基板的上面。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置，其中， 吏具備有：供給乾燥用氣體至前述基板的上面的乾燥用氣 鹪噴嘴，

前述噴嘴移動機構係一面保持前述乾燥用氣體噴嘴比 前述第2流體噴嘴更接近前述基板的旋轉中心，一面使前 述乾燥用氣體噴嘴及前述第2流體噴嘴相對於前述基板的 旋轉中心，朝向半徑方向外側移動而構成。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項之基板處理裝置，其中， 在與前述噴嘴移動機構的各噴嘴的移動方向垂直的方向上 ’前述乾燥用氣體噴嘴的開口尺寸，成爲比前述第2流體 噴嘴的開口尺寸大。 2 6 .如申請專利範圍第2 4項之基板處理裝置，其中， -38- (6) 1311336 前述乾燥用氣體爲惰性氣體。 2 7 .如申請專利範圍第2 4項之基板處理裝置，其中， 前述乾燥用氣體爲乾燥空氣。 2 8 .如申請專利範圍第2 4項之基板處理裝置，其中， 更具備有：加熱應從前述乾燥用氣體噴嘴所供給的乾燥用 氣體的乾燥用氣體加熱器。 2 9 ·如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置，其中’ 0 更具備有：吸引前述基板的上面附近的環境氣體的吸引噴 嘴， 前述噴嘴移動機構係一面保持前述吸引噴嘴比前述第 2流體噴嘴更遠離前述基板的旋轉中心，一面使前述吸引 噴嘴及前述第2流體噴嘴相對於前述基板的旋轉中心，朝 向半徑方向外側移動而構成。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之基板處理裝置，其中， 前述噴嘴移動機構，係一面保持前述吸引噴嘴比前述第2 Φ 流體噴嘴更位於前述基板的旋轉方向前側，一面使各噴嘴 移動而構成。 3 1 ·如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置，其中， 更具備有：用來調節保持於前述旋轉夾盤的前述基板的周 圍的溼度的溼度調節系統。 3 2 _如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置，其中， 具備有：作爲前述第1及第2流體噴嘴之單一的流體噴嘴。 3 3 .如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置，其中， 前述第1流體和第2流體互爲相同的流體。 -39- (7) 1311336 3 4 .如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置 前述處理液爲純水。 3 5 .如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置 前述第1流體和第2流體的至少一方，係從IP A液 液、IPA液的霧氣、IPA溶液的霧氣、IPA蒸氣 溶液的蒸氣之群組中加以選擇。 3 6 .如申請專利範圍第2 3項之基板處理裝置 φ 更具備有：加熱應從前述第2流體噴嘴所供給的 的流體加熱器。 ，其中， ，其中， 、IPA 溶 、及 IPA ，其中， 第2流體

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