JPWO2005119748A1 - 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理する工程と、
前記基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有し、
前記リンス処理工程では、前記純水の前記基板への供給ポイントを前記基板の径方向で移動させる基板洗浄方法、を提供する。
すなわち、本発明の第3の観点では、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、(a)基板を略水平姿勢で回転させながら2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水を供給して前記基板を処理し、(b)前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給を停止した後に純水によるリンス処理を経ることなく、前記基板を前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給時よりも高速で回転させて前記基板を乾燥させる処理を実行して、前記基板を洗浄するように洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体、を提供する。
前記制御プログラムは、実行時に、(a)基板を所定の洗浄液で処理し、(b)基板を略水平姿勢で回転させながら、かつ、純水を前記基板へ供給するポイントを前記基板の径方向で移動させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理し、(c)前記基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる処理を実行して、前記基板を洗浄するように洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体、を提供する。
図1に洗浄処理装置10の概略構造を示す平面図を示し、図2にそのZ−X断面図を示し、図3にそのY−Z断面図を示す。ここで、X方向とY方向は水平面内で直交しており、また、Z方向は鉛直方向である。
基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を基板へ供給してリンス処理する工程と、
基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有し、
前記リンス処理工程では、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くする基板洗浄方法、を提供する。
従来のリンス処理は、回転する基板の中心に純水を供給することにより行われていたが、この場合には、基板の中心部での帯電電圧の絶対値が大きくなることを、発明者は知見した。そこで、上記第2の観点に係る基板洗浄方法のように、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くすることにより、基板に局所的に絶対値の大きい帯電電圧が発生することを防止し、基板全体で均一かつ低レベルな帯電に抑えることができる。
基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理する工程と、
基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有し、
前記リンス処理工程では、純水の基板への供給ポイントを基板の径方向で移動させ、基板の単位面積当たりの処理時間が同じとなるように、基板の回転数を純水の供給ポイントが基板の外周部にあるときよりも中心部にあるときに速くする基板洗浄方法、を提供する。
これにより、上記効果をより大きくすることができる。
前記制御プログラムは、実行時に、基板を略水平姿勢で回転させながら2流体洗浄液を供給して基板を処理し、2流体洗浄液の供給を停止した後に純水によるリンス処理を経ることなく、基板を前記2流体洗浄液供給時よりも高速で回転させて基板を乾燥させる基板洗浄方法が行われるように洗浄装置を制御させる、コンピュータ読取可能な記憶媒体、を提供する。
前記制御プログラムは、実行時に、基板を所定の薬液で処理する工程と、基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を基板へ供給してリンス処理する工程と、基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有する基板処理方法であって、前記リンス処理工程では、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くする基板洗浄方法が行われるように洗浄装置を制御させる、コンピュータ読取可能な記憶媒体、を提供する。
前記制御プログラムは、実行時に、基板を所定の薬液で処理する工程と、基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理する工程と、基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有する基板洗浄装置であって、前記リンス処理工程では、純水の基板への供給ポイントを基板の径方向で移動させ、基板の単位面積当たりの処理時間が同じとなるように、基板の回転数を純水の供給ポイントが基板の外周部にあるときよりも中心部にあるときに速くする基板洗浄方法が行われるように洗浄装置を制御させる、コンピュータ読取可能な記憶媒体、を提供する。
Claims (11)
- 基板を略水平姿勢で回転させながら2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水を供給して前記基板を処理し、前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給を停止した後に純水によるリンス処理を経ることなく、前記基板を前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給時よりも高速で回転させて前記基板を乾燥させる基板洗浄方法。
- 請求項1に記載の基板洗浄方法において、前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給時における前記基板の回転数を100〜900rpmとする、基板洗浄方法。
- 請求項1に記載の基板洗浄方法において、前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の前記基板への供給ポイントを前記基板の径方向で移動させ、その際に前記基板の単位面積あたりの処理時間が同じとなるように、前記供給ポイントの移動速度を前記基板の外周部よりも中心部で速くする、基板洗浄方法。
- 請求項1に記載の基板洗浄方法において、前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の前記基板への供給ポイントを前記基板の径方向において一定速度で移動させ、その際に前記基板の単位面積あたりの処理時間が同じとなるように、前記基板の回転数を前記供給ポイントが前記基板の外周部にあるときよりも中心部にあるときに速くする、基板洗浄方法。
- 基板を所定の洗浄液で処理する工程と、
基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理する工程と、
前記基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程と、を有し、
前記リンス処理工程では、前記純水の前記基板への供給ポイントを前記基板の径方向で移動させる基板洗浄方法。 - 請求項5に記載の基板洗浄方法において、前記リンス処理工程では、前記基板の単位面積あたりの処理時間が同じとなるように、前記純水の供給ポイントの移動速度を前記基板の外周部よりも中心部で速くする、基板洗浄方法。
- 請求項5に記載の基板洗浄方法において、前記リンス処理工程では、前記基板の単位面積あたりの処理時間が同じとなるように、前記基板の回転数を前記純水の供給ポイントが前記基板の外周部にあるときよりも中心部にあるときに速くする、基板洗浄方法。
- 請求項5に記載の基板洗浄方法において、前記リンス処理工程において、前記基板の回転数を100〜900rpm、純水供給流量を0.3〜1.5L/分とする、基板洗浄方法。
- 請求項5に記載の基板洗浄方法において、前記リンス処理工程においては、純水に炭酸ガスを溶解させたものを用いる、基板洗浄方法。
- コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、(a)基板を略水平姿勢で回転させながら2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水を供給して前記基板を処理し、(b)前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給を停止した後に純水によるリンス処理を経ることなく、前記基板を前記2流体または高圧ジェット水またはメガソニック水の供給時よりも高速で回転させて前記基板を乾燥させる処理を実行して、前記基板を洗浄するように洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体。 - コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、(a)基板を所定の洗浄液で処理し、(b)基板を略水平姿勢で回転させながら、かつ、純水を前記基板へ供給するポイントを前記基板の径方向で移動させながら、純水を前記基板へ供給してリンス処理し、(c)前記基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる処理を実行して、前記基板を洗浄するように洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体。
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JP6069398B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2017-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
JP5597602B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体 |
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JP6990034B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2022-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6887912B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2021-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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CN109647791A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-19 | 元亮科技有限公司 | 一种蓝玻璃ircf组件超声波清洗工艺 |
CN110624893B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-06-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用 |
KR20230102300A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS54125981A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Nec Corp | Semiconductor washing device |
JPS5627931A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-18 | Toshiba Corp | Surface treatment of semiconductor wafer |
JPH08148459A (ja) | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JP3691227B2 (ja) * | 1996-10-07 | 2005-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及びその装置 |
US5997653A (en) * | 1996-10-07 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Method for washing and drying substrates |
JPH11102854A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
US6260562B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
JPH11307492A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2000012500A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
JP3908443B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
JP3824473B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2006-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理方法 |
US6589359B2 (en) * | 2000-07-11 | 2003-07-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning apparatus for substrate |
JP2002045800A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Ebara Corp | 洗浄装置及び洗浄方法 |
US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP3701188B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2005-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法およびその装置 |
US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
WO2002086174A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Phifer Smith Corporation | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution ii |
US6730176B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-05-04 | Birol Kuyel | Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus |
JP2003031536A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nec Corp | ウエハの洗浄方法 |
JP2003059883A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Nec Corp | 裏面洗浄方法および装置、動作制御方法および装置、コンピュータプログラム |
JP3834542B2 (ja) | 2001-11-01 | 2006-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2003168670A (ja) | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Sony Corp | ウェハの洗浄方法 |
US20030104703A1 (en) | 2001-12-05 | 2003-06-05 | Jeng-Wei Yang | Cleaning composition and method of washing a silicon wafer |
JP2003243349A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法 |
JP2004140196A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および基板洗浄装置 |
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