JP2002045800A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

洗浄装置及び洗浄方法

Info

Publication number
JP2002045800A
JP2002045800A JP2000231673A JP2000231673A JP2002045800A JP 2002045800 A JP2002045800 A JP 2002045800A JP 2000231673 A JP2000231673 A JP 2000231673A JP 2000231673 A JP2000231673 A JP 2000231673A JP 2002045800 A JP2002045800 A JP 2002045800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
water
nozzle
substrate
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000231673A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihiko Shirakashi
充彦 白樫
Manabu Tsujimura
学 辻村
Toshimi Hamada
聡美 濱田
Naoto Miyashita
直人 宮下
Masako Kodera
雅子 小寺
Soichi Nadahara
壮一 灘原
Hiroshi Tomita
寛 富田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2000231673A priority Critical patent/JP2002045800A/ja
Publication of JP2002045800A publication Critical patent/JP2002045800A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄ノズル先端部の壊食や腐食が助長される
のを防止し、しかも薬液、機能水或いはガス溶解水の効
果を十分に反映しつつ基板の洗浄面を効果的に洗浄でき
るようにする。 【解決手段】 基板を保持する基板保持部10と、同心
状に配置された2種類以上のノズル部28,30から基
板Wの洗浄面に向けて2種類以上の液体を同時に噴射す
る洗浄ノズル16とを備え、2種類以上の液体の少なく
とも1つとして、薬液、機能水またはガス溶解水を使用
するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄装置及び洗浄
方法に関し、特に、半導体基板、ガラス基板、液晶パネ
ル等の高度の清浄度が要求される基板を洗浄するのに好
適な洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて半導体基板上の回路の配線が微細化し、配線間
距離もより狭くなりつつある。特に、配線間距離が0.
5μm以下の光リソグラフィの場合は、焦点深度が浅く
なるためにステッパの結像面の高い平坦度を必要とす
る。また、基板上に配線間距離より大きなパーティクル
が存在すると、配線がショートするなどの不具合が生じ
るので、基板の処理においては、平坦化とともに清浄化
を図ることが重要となる。このような事情は、マスク等
に用いるガラス基板、或いは液晶パネル等の基板のプロ
セス処理においても同様である。このような要求に伴
い、より微細なサブミクロンレベルのパーティクルを半
導体基板等から落とす洗浄技術が必要とされている。
【0003】ここで、基板の洗浄は、接触物理力を利用
したスクラブ洗浄と、非接触物理力を使用したジェット
洗浄に大別されるが、例えば、CMP(化学機械研磨)
後の洗浄等、図4に示すように、基板Wの表面に凹部H
が存在すると、この凹部Hの内部に存在するパーティク
ルP等をスクラブ洗浄で除去することが物理的に不可能
となって、ジェット洗浄が行われる。
【0004】従来、この種のジェット洗浄としては、図
5(a)に示すように、高圧水配管100に接続した洗
浄ノズル102から高圧ジェット水を基板Wの洗浄面に
向けて噴射し、この高圧ジェット水の物理力で基板Wの
洗浄面を洗浄するようにしたもの(ウォータジェット洗
浄)、図5(b)に示すように、洗浄ノズル102に超
音波発生装置104を取付け、この超音波発生装置10
4により超音波振動を与えた高圧ジェット水の物理力で
基板Wの洗浄面を洗浄するようにしたもの(超音波ジェ
ット洗浄)、及び図5(c)に示すように、高圧水配管
100に接続した高圧ノズル部106aと低圧水配管1
08に接続した低圧ノズル部106bの2つのノズル部
106a,106bを同心状に有する洗浄ノズル110
の高圧ノズル部106aから高圧ジェット水を、低圧ノ
ズル部106bから低圧ジェット水をそれぞれ基板Wに
向けて同時に噴射し、この間で発生するキャビテーショ
ンを利用して基板Wの洗浄面を洗浄するようにしたもの
(キャビジェット洗浄)等が一般に知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ジェット洗浄にあっては、機能を高める目的で、高圧ジ
ェット水としてオゾン水やイオン水のような機能水を使
用したり、或いはフッ酸やアンモニア水等の薬液を使用
すると、高圧ジェット水の流速が高いために、図6に示
すように、機能水や薬液によって、洗浄ノズル102や
高圧ノズル部106aの先端部内周面Tの壊食や腐食が
助長されてしまうという問題があった。
【0006】また、超純水を使用した高圧ジェット水に
よる洗浄では、一般に被洗浄物が静電気で帯電して所謂
「静電破壊」を起こす可能性がある。洗浄力はジェット
圧が高いほど良いにも拘わらず、静電破壊はジェット圧
が高いほど発生しやすく、この対策として、超純水に炭
酸ガスのような導電性ガスを注入していた。そして、導
電性ガスを注入した導電性ガス溶解水と上記薬液や機能
水とを同時に基板に向けて噴射する時には、図7に示す
ように、高圧ジェット水(導電性ガス溶解水)を噴射す
る洗浄ノズル102の他に、薬液や機能水を流す低圧水
配管108に接続して薬液や機能水を噴射する別の洗浄
ノズル112を設けるようにしていた。しかし、これで
は導電性ガス溶解水と薬液や機能水とが互いに干渉しあ
って、薬液や機能水の効果がジェット洗浄液として十分
反映できないという問題があった。
【0007】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、洗浄ノズル先端部の壊食や腐食が助長されるのを防
止し、しかも薬液、機能水或いはガス溶解水の効果を十
分に反映しつつ基板の洗浄面を効果的に洗浄できるよう
にした洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を保持する基板保持部と、同心状に配置された
2種類以上のノズル部から基板の洗浄面に向けて2種類
以上の液体を同時に噴射する洗浄ノズルとを備え、前記
2種類以上の液体の少なくとも1つとして、薬液、機能
水またはガス溶解水を使用するようにしたことを特徴と
する洗浄装置である。
【0009】これにより、少なくとも1つが薬液、機能
水またはガス溶解水からなる2種類以上の液体を単一の
洗浄ノズルから基板の洗浄面に向けて同心状に同時に噴
射して洗浄することで、これらの効果を十分に反映しつ
つ基板の洗浄面を効果的に洗浄することができる。しか
も、例えば液体の流速により洗浄ノズルの壊食や腐食を
助長させる恐れのある薬液や機能水等を低圧で噴射し、
それ以外を高圧で噴射することで、洗浄ノズルの壊食や
腐食が薬液や機能水等で助長されるのを防止することが
できる。ここで、基板保持部を回転させ、洗浄ノズルは
揺動アームの先端に取り付けて揺動させて、相対移動量
を大きくすることが好ましい。
【0010】請求項2に記載の発明は、前記洗浄ノズル
のノズル部の少なくとも1つに、多方向弁を介して複数
の洗浄液の中の少なくとも1つを選択的に供給するよう
にしたことを特徴とする請求項1記載の洗浄装置であ
る。これにより多種類の洗浄液を必要な洗浄レシピに合
わせて供給できる。
【0011】請求項3に記載の発明は、前記液体のそれ
ぞれの圧力と流量を個別に制御するようにしたことを特
徴とする請求項1または2記載の洗浄装置である。この
圧力と流量は、洗浄ノズルに供給される洗浄液、つまり
超純水、各種薬液、各種機能水或いは各種導電性ガス溶
解水の種類等に応じて決定される。
【0012】請求項4に記載の発明は、基板を洗浄する
ための洗浄装置において、洗浄液を供給するための洗浄
ノズルの内周の少なくとも一部がセラミックスで構成さ
れていることを特徴とする洗浄装置である。これによ
り、キャビテーション発生に伴う壊食によって洗浄ノズ
ルがダメージを受けることを防止することが出来る。
【0013】請求項5に記載の発明は、少なくとも1つ
が薬液、機能水またはガス溶解水からなる2種類以上の
液体を基板の洗浄面に向けて単一の洗浄ノズルから同心
状に同時に噴射して洗浄することを特徴とする洗浄方法
である。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1乃至図3を参照しながら説明する。図1は本発
明の洗浄装置の全体構成を示す斜視図である。図1に示
すように、この洗浄装置は、被洗浄物としての半導体基
板Wを水平に保持し、所要の回転数で回転させるスピン
チャック10を備えている。基板Wは、このスピンチャ
ック10に洗浄面を上向きにして保持される。一方、ス
ピンチャック10の側方には、上端に水平方向に延びる
揺動アーム14を取付けた支持軸12が上下動及び回転
自在に配置されている。揺動アーム14の先端には、略
円筒状の洗浄ノズル16が保持され、この洗浄ノズル1
6に高圧水配管18と低圧水配管20がそれぞれ接続さ
れている。
【0015】図2は洗浄ノズル16の拡大断面図であ
る。図2に示すように、洗浄ノズル16は、円柱状のノ
ズル本体22と、このノズル本体22の下端に連結した
円筒状のノズルキャップ24とから主に構成されてい
る。そして、ノズル本体22の中心部には、高圧水配管
18に連通する高圧水流路26が形成され、この高圧水
流路26は、ノズル本体22から下方に突出する高圧ノ
ズル部28に連通している。一方、ノズル本体22及び
ノズルキャップ24の内部には、低圧水配管20に連通
する低圧水流路30が形成され、この低圧水流路30
は、ノズルキャップ24の内周面で区画形成される低圧
ノズル部32に連通している。これによって、洗浄ノズ
ル16には、高圧ノズル部28と該高圧ノズル部28の
周囲を同心状に囲繞する低圧ノズル部32が備えられて
いる。
【0016】更にこの低圧ノズル部32の下部には、下
方に向けて徐々に絞ったノズルジェット部32aが形成
され、このノズルジェット部32aの周囲は、セラミッ
ク製のノズル口34で包囲されている。
【0017】ここで、高圧水流路26には、例えば5M
Pa(50kgf/cm)程度に加圧された高圧水
が、0.1リットル/min程度の流量で流れて高圧ノ
ズル部28から高圧ジェット水として下方に向けて噴射
され、低圧水流路30には、例えば0.2MPa(2k
gf/cm)程度に加圧された低圧水が、1リットル
/min程度の流量で流れて低圧ノズル部32から低圧
ジェット水として下方に向けて噴射されるようになって
いる。
【0018】そして、この例では、高圧ジェット水とし
て、超純水、電解イオン水のような腐食性を有さない機
能水、或いは炭酸ガスのような導電性ガスを注入した導
電性ガス溶解水が、低圧ジェット水として、オゾン水や
イオン水のような機能水、フッ酸やアンモニア水のよう
な薬液、或いは前記導電性ガス溶解水が使用されるよう
になっている。
【0019】次に、上記のように構成された洗浄装置の
使用方法を説明する。先ず、ロボットのアーム等で基板
Wをスピンチャック10上に搬送し、スピンチャック1
0で基板Wを保持して所定の回転数で回転させる。次
に、揺動アーム14を上昇させた状態で揺動アーム14
を基板Wのほぼ中心位置まで揺動させる。
【0020】この状態で、揺動アーム14を下降させ、
高圧ノズル部28から高圧ジェット水を、低圧ノズル部
32から低圧ジェット水を基板Wに向けて同時に噴射す
る。そして、揺動アーム14を揺動させて、洗浄ノズル
16が基板Wの中心部分を所定速度で通過するように両
外縁部の間を揺動させ、この揺動を所定回数繰り返す。
【0021】この時、高圧ノズル部28からの高圧ジェ
ット水が基板Wの表面を直撃して、図4に示す表面の凹
部H中に存在するパーティクルPを洗い出し、同時に、
高圧ノズル部28から噴出する高圧ジェット水と低圧ノ
ズル部32から噴射する低圧ジェット水との界面付近
に、大きな速度差による摩擦で気泡が発生するいわゆる
キャビテーションが生じ、このキャビテーションによる
気泡が基板W面近傍で潰れることで、洗浄液の微粒子除
去及び洗浄能力が増大する。
【0022】所定時間の洗浄を終えた後、揺動アーム1
4の揺動と高圧水及び低圧水の供給を停止し、揺動アー
ム14を上昇させて基板W上から待避させた後、スピン
チャック10を高速回転させてスピン乾燥させる。次の
洗浄工程を行う場合は、基板Wの回転を停止させ、基板
Wの被洗浄面が乾燥しないように次工程へ搬送する。
【0023】ここで、例えば、洗浄機能を高める目的
で、ジェット洗浄液にオゾンやイオン水のような機能
水、或いはフッ酸やアンモニアのような薬液を注入する
場合には、低圧ジェット水としてこれらの機能水または
薬液を使用し、高圧ジェット水として超純水を使用す
る。これにより、機能水や薬液の注入を容易に行いなが
ら洗浄機能を高め、しかも、機能水や薬液の流速を低下
させて、洗浄ノズル16の先端内周面の壊食や腐食が助
長されるのを防止することができる。
【0024】しかも、低圧ノズル部32の下部に形成し
たノズルジェット部32aの周囲をセラミック製のノズ
ル口34で包囲することで、ここがキャビテーション発
生に伴う壊食によってダメージを受けることを低減する
ことができる。
【0025】また、例えば静電破壊を防止するために、
ジェット洗浄液に導電性ガスを注入する場合には、低圧
ジェット水として導電性ガス溶解水を使用し、高圧ジェ
ット水として超純水を使用する。これにより、導電性ガ
スの注入を容易に行いながら、静電破壊を防止すること
ができる。
【0026】更に、洗浄機能を高め、かつ静電破壊を防
止する場合には、低圧ジェット水として機能水または薬
液を使用し、高圧ジェット水として導電性ガス溶解水を
使用する。なお、腐食性を有さないイオン水のような機
能水を使用する場合には、この機能水を高圧ジェット水
に使用し、導電性ガス溶解水を低圧ジェット水に使用し
ても良い。これにより、導電性ガス溶解水と機能水とが
互いに干渉し合うのを防止して、薬液や機能水の効果を
ジェット洗浄液に十分反映させることができる。
【0027】なお、図4に示す基板Wの平坦な表面に付
着したパーティクルPの除去に対しては、ロール洗浄な
どの接触物理力を利用したスクラブ洗浄の方が一般に性
能が優れているので、研磨後のウエハに対して、スポン
ジ等によるスクラブ(接触)洗浄の後に本発明のキャビ
ジェット洗浄を行うとよい。例えば、ロール洗浄後に上
記洗浄を行ったり、ロール洗浄及びペン洗浄後に上記洗
浄を行うことで、凹部を含めた基板Wの全面の洗浄を行
うことができる。
【0028】図3は、他の実施の形態の洗浄装置を示す
もので、これは、高圧水配管18及び低圧水配管20を
通じて、洗浄ノズル16の高圧ノズル部28及び低圧ノ
ズル部32(図2参照)から複数の洗浄液の中の任意の
1つを選択的に基板に向けて噴射するようにしたもので
ある。
【0029】つまり、この例は、高圧水配管18側にあ
っては、多方向弁36aを介して、超純水、各種薬液、
各種機能水或いは各種導電性ガス溶解水等の複数の洗浄
液と接続し、この多方向弁36aの一つを開き他を閉じ
ることで、高圧水配管18に任意の洗浄液を流し、低圧
水配管20側にあってもほぼ同様に、多方向弁36bを
介して複数の洗浄液と接続し、この多方向弁36bの一
つを開き他を閉じることで、低圧水配管20に任意の洗
浄液を流すようにしている。
【0030】更に、高圧水配管18に配置したポンプ3
8aと流量制御弁40a、及び低圧水配管20に配置し
たポンプ38bと流量制御弁40bを制御部42で制御
することで、高圧水配管18及び低圧水配管20を流れ
る洗浄液の圧力と流量を各洗浄液に種類に応じて決定す
るようになっている。
【0031】これにより、洗浄レシピで数種類の洗浄液
が必要な場合に、多方向弁36a,36bを切替えて任
意の洗浄液を選択することで、洗浄レシピに合った必要
な洗浄液を各洗浄液に必要な圧力と流量で洗浄ノズル1
6に供給することができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
少なくとも1つが薬液、機能水またはガス溶解水からな
る2種類以上の液体を単一の洗浄ノズルから基板の洗浄
面に向けて同心状に同時に噴射して洗浄することで、こ
れらの効果を十分に反映しつつ基板の洗浄面を効果的に
洗浄することができる。しかも、例えば液体の流速によ
り洗浄ノズルの壊食や腐食を助長させる恐れのある薬液
や機能水等を低圧で噴射し、それ以外を高圧で噴射する
ことで、洗浄ノズルの壊食や腐食が薬液や機能水等で助
長されるのを防止することができる
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の洗浄装置の概要を示す斜
視図である。
【図2】図1の洗浄ノズルの要部を拡大して示す要部拡
大断面図である。
【図3】本発明の他の実施の形態の洗浄装置の洗浄液供
給系を示す図である。
【図4】洗浄前の基板の一部を拡大して示す断面図であ
る。
【図5】従来のそれぞれ異なるジェット洗浄の説明に付
する図である。
【図6】同じく、機能水や薬液によって壊食や腐食が助
長される状態の説明に付する図である。
【図7】同じく、導電性ガス溶解水と薬液や機能水とを
同時に基板に向けて噴射する状態の説明に付する図であ
る。
【符号の説明】
10 スピンチャック 12 支持軸 14 揺動アーム 16 洗浄ノズル 18 高圧水配管 20 低圧水配管 22 ノズル本体 24 ノズルキャップ 26 高圧水流路 28 高圧ノズル部 30 低圧水流路 32 低圧ノズル部 32a ノズルジェット部 34 ノズル口 36a,36b 多方向弁 38a,38b ポンプ 40a,40b 流量制御弁 42 制御部 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 648 H01L 21/304 648G (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 濱田 聡美 神奈川県藤沢市本藤沢4丁目2番1号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 宮下 直人 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 灘原 壮一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 富田 寛 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB32 BB45 BB90 BB92 BB93 BB96 BB98 CB12 CD24

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持する基板保持部と、 同心状に配置された2種類以上のノズル部から基板の洗
    浄面に向けて2種類以上の液体を同時に噴射する洗浄ノ
    ズルとを備え、 前記2種類以上の液体の少なくとも1つとして、薬液、
    機能水またはガス溶解水を使用するようにしたことを特
    徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄ノズルのノズル部の少なくとも
    1つに、多方向弁を介して複数の洗浄液の中の少なくと
    も1つを選択的に供給するようにしたことを特徴とする
    請求項1記載の洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記液体のそれぞれの圧力と流量を個別
    に制御するようにしたことを特徴とする請求項1または
    2記載の洗浄装置。
  4. 【請求項4】 基板を洗浄するための洗浄装置におい
    て、 洗浄液を供給するための洗浄ノズルの内周の少なくとも
    一部がセラミックスで構成されていることを特徴とする
    洗浄装置。
  5. 【請求項5】 少なくとも1つが薬液、機能水またはガ
    ス溶解水からなる2種類以上の液体を基板の洗浄面に向
    けて単一の洗浄ノズルから同心状に同時に噴射して洗浄
    することを特徴とする洗浄方法。
JP2000231673A 2000-07-31 2000-07-31 洗浄装置及び洗浄方法 Pending JP2002045800A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000231673A JP2002045800A (ja) 2000-07-31 2000-07-31 洗浄装置及び洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000231673A JP2002045800A (ja) 2000-07-31 2000-07-31 洗浄装置及び洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002045800A true JP2002045800A (ja) 2002-02-12

Family

ID=18724476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000231673A Pending JP2002045800A (ja) 2000-07-31 2000-07-31 洗浄装置及び洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002045800A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005119748A1 (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Tokyo Electron Limited 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2006000797A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Honda Electronic Co Ltd 超音波洗浄装置
JP2009543345A (ja) * 2006-07-07 2009-12-03 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド 液体エーロゾル式パーティクル除去方法
CN113798240A (zh) * 2021-08-19 2021-12-17 南京智慧阳光科技有限公司 一种适用于机械壳体的清洗机器人及其清洗方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005119748A1 (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Tokyo Electron Limited 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US8147617B2 (en) 2004-06-04 2012-04-03 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and computer readable storage medium
JP2006000797A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Honda Electronic Co Ltd 超音波洗浄装置
JP4669926B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-13 本多電子株式会社 超音波洗浄装置
JP2009543345A (ja) * 2006-07-07 2009-12-03 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド 液体エーロゾル式パーティクル除去方法
CN113798240A (zh) * 2021-08-19 2021-12-17 南京智慧阳光科技有限公司 一种适用于机械壳体的清洗机器人及其清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102635712B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 장치 및 기판 건조 장치
US6889698B2 (en) Apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks
JP3772056B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
KR100563843B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
JP2019145734A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2013179341A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
JP2006066501A (ja) スピン洗浄乾燥装置及びスピン洗浄乾燥方法
TWI797159B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP2002045800A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
US9640384B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2004214587A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20110077705A (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
TW201945867A (zh) 顯影方法
CN206961798U (zh) 基板处理装置和喷头清洗装置
TWI567847B (zh) 晶圓清洗裝置及晶圓清洗方式
US20090255555A1 (en) Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation
KR20210062562A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102566659B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102652480B1 (ko) 자가 세척 기능을 가지는 연마 후 세정용 버핑 장치
KR20220009343A (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 노즐
JP2023155151A (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
KR20030093791A (ko) 스핀 스크러버

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051018

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060228