TWI595583B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI595583B
TWI595583B TW105124984A TW105124984A TWI595583B TW I595583 B TWI595583 B TW I595583B TW 105124984 A TW105124984 A TW 105124984A TW 105124984 A TW105124984 A TW 105124984A TW I595583 B TWI595583 B TW I595583B
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西山耕二
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Description

基板處理裝置
本發明係有關於一種基板處理裝置。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板或者光罩用基板等各種基板進行各種處理，係使用基板處理裝置。
在基板處理裝置中，例如對藉由自轉夾具(spin chuck)而旋轉之基板的表面(上表面)供給處理液。以圍繞被自轉夾具保持的基板之方式設置有飛散防止構件。所供給的處理液中從基板飛散之處理液係被飛散防止構件接住。此時，有從基板飛散的處理液之飛沫及霧氣(mist)附著至基板的背面(下表面)之可能性。
因此，在日本特開平3-175617號公報所揭示的旋轉式表面處理裝置中，於自轉夾具的下方設置有具有傾斜整流面之圓形的整流構件。此外，以圍繞飛散防止罩(飛散防止構件)之方式設置有外罩。於飛散防止罩與外罩之間形成有使來自上方的氣流流通之迂迴路徑。迂迴路徑係連通於被自轉夾具保持之基板的背面與整流構件的傾斜整流面之間 的空間。
在此情形中，藉由處理室內的下降氣流而流入至飛散防止罩與外罩之間的氣體係通過迂迴路徑而被導入至基板的背面與整流構件的傾斜整流面之間。被導入的氣體係在基板的下方以從基板的中心朝向周緣部之方式流動。藉此，防止處理液的飛沫及霧氣繞至基板的背面。
形成於處理室內之下降氣流的狀態並不限定於在處理室的內部空間中均勻且固定地維持。當流入至飛散防止罩與外罩之間的氣體的流量較小時，無法充分地產生用以防止處理液的飛沫及霧氣繞至基板的下方之氣流。此外，當從被自轉夾具保持的基板上流入至飛散防止罩的內側之氣體的流量較大時，於基板的外周端部周邊產生亂流。當從基板的外周端部朝外側飛散之處理液的飛沫及霧氣藉由所產生的亂流返回至基板的下表面側的空間時，處理液會再次附著至基板的下表面。
本發明的目的在於提供一種可防止處理液再次附著至基板的下表面之基板處理裝置。
(1)本發明第一實施方式的基板處理裝置係具備有：基板保持裝置，係一邊保持基板一邊使基板繞著鉛直軸旋轉；處理液供給部，係對被基板保持裝置保持之基板供給處理液；飛散防止構件，係以接住從旋轉中的基板朝周圍飛散的處理液之方式構成；收容構件，係收容飛散防止構 件的下部；驅動裝置，係使飛散防止構件相對於收容構件相對性地於上下方向移動；以及排氣系統；飛散防止構件係包含有：第一內壁構件，係以圍繞被基板保持裝置保持的基板以及包含比該基板還下方的區域的內部空間之方式設置；第一外壁構件，係以圍繞第一內壁構件的外側之方式設置；連結構件，係以於第一內壁構件與第一外壁構件之間形成有第一環狀空間之方式連結第一內壁構件與第一外壁構件；以及外側上構件，係以覆蓋第一環狀空間的上部之方式連接於第一外壁構件；於第一內壁構件與外側上構件之間形成有可與被基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向之環狀開口；收容構件係包含有：第二內壁構件，係以圍繞內部空間之方式設置；第二外壁構件，係以圍繞第二內壁構件的外側之方式設置；以及底構件，係以於第二內壁構件與第二外壁構件之間形成有第二環狀空間之方式連結第二內壁構件與第二外壁構件；飛散防止構件的下部係以可於上下方向移動之方式收容於收容構件的第二環狀空間，從而連通飛散防止構件的第一環狀空間與第二環狀空間；排氣系統係以在環狀開口與被基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向的狀態下通過環狀開口、第一環狀空間及第二環狀空間吸引內部空間的氣體並從第二環狀空間排出之方式設置。
在該基板處理裝置的飛散防止構件中，連結構件係連結第一內壁構件與第一外壁構件，藉此於第一內壁構件與第一外壁構件之間形成有第一環狀空間。第一環狀空間的 上部係被連接於第一外壁構件之環狀的外側上構件覆蓋。於第一內壁構件與外側上構件之間形成有可與被基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向的環狀開口。
此外，在收容構件中，底構件係連結第二內壁構件與第二外壁構件，藉此於第二內壁構件與第二外壁構件之間形成有第二環狀空間。飛散防止構件的下部係可於上下方向移動地收容於第二環狀空間，從而連通第一環狀空間與第二環狀空間。
於基板處理時，飛散防止構件係相對於收容構件於上下方向移動，藉此環狀開口係與被基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向。在此狀態下，對繞著鉛直軸旋轉中的基板供給處理液。此時，內部空間的氣體係通過環狀開口、第一環狀空間及第二環狀空間被排氣系統吸引。藉此，形成有從旋轉中的基板的外周端部朝向環狀開口之氣體的流動。此時，由於通過基板的外周端部與環狀開口之間朝向基板的下方之氣體的流動被阻斷，因此防止於內部空間產生亂流。從旋轉中的基板的外周端部朝外側飛散之處理液的飛沫及霧氣係與氣體一起從環狀開口被吸入至第一環狀空間內，並通過第二環狀空間被導引至排氣系統。在此情形中，由於內部空間係被第一內壁構件及第二內壁構件圍繞，因此防止被導引至排氣系統的氣體與處理液的飛沫及霧氣返回至基板的下表面側的空間。再者，由於在用以形成第一環狀空間之飛散防止構件的下部已收容至用以形成第二環狀空間之收容構件的狀態下飛散防止構件能於上 下方向移動，因此防止氣體與處理液的飛沫及霧氣從第一環狀空間與第二環狀空間之間的交界部分漏出。結果，防止從基板飛散的處理液再次附著至基板的下表面。
(2)連結構件係包含有：環狀板構件，係連結第一內壁構件的下端與第一外壁構件的下端；環狀板構件亦可具有：一個或複數個連通開口，係使第一環狀空間與第二環狀空間連通。
在此情形中，能以簡單的構成連結第一內壁構件與第一外壁構件，並使第一環狀空間與第二環狀空間連通。
(3)一個或複數個連通開口亦可包含有：複數個連通孔，係分散地配置於周方向。
在此情形中，第一環狀空間內的氣體與處理液的飛沫及霧氣係大致均勻地被導引至第二環狀空間的整體。藉此，在環狀開口的氣體的吸引力係被分散至周方向。結果，從基板的全周飛散之處理液的飛沫及霧氣係從環狀開口被吸入至第一環狀空間內。
(4)排氣系統係以在收容構件的一部分中連通於第二環狀空間之方式設置；複數個連通孔亦可以彼此相鄰的連通孔的間隔隨著遠離收容構件的一部分而變小之方式配置。
在此情形中，在第二環狀空間中之排氣系統所為之吸引力係隨著遠離排氣系統而降低。因此，在上述構成中，隨著遠離排氣系統，彼此相鄰的連通孔的間隔係變小。藉此，無須將排氣系統設置於複數個部位，可從第一環狀空 間將氣體與處理液的飛沫及霧氣大致均勻地導引至第二環狀空間的整體。
(5)基板處理裝置係進一步具備有：排氣空間形成構件，係以將接觸於第二外壁構件的外周面的部分區域之空間作為排氣空間予以圍繞之方式形成；以及排液系統；於第二外壁構件的部分區域設置有使第二環狀空間與排氣空間連通之第一開口；於排氣空間形成構件設置有使排氣空間與排氣系統連通之第二開口；第二開口係位於比第一開口還高的位置；於收容構件的底構件設置有使第二環狀空間與排液系統連通之排液口。
在此情形中，被導引至第二環狀空間之處理液的飛沫及霧氣的大部分係藉由重力而被導引至收容構件的底構件的排液口。另一方面，被導引至第二環狀空間的氣體係通過第一開口被導引至排氣空間，並進一步通過第二開口被導引至排氣系統。在上述構成中，由於第二開口位於比第一開口還高的位置，因此降低氣體與被導引至排氣系統之處理液的飛沫及霧氣的量。因此，能有效率地回收處理液。
(6)外側上構件亦可從第一外壁構件的上端朝外側及上方彎曲，並進一步朝內側彎曲而覆蓋第一環狀空間的上部，且形成環狀開口的上緣。
在此情形中，從環狀開口被吸入至第一環狀空間之氣體與處理液的飛沫及霧氣係沿著外側上構件的內周面順暢地被導引至下方。此外，由於面向環狀開口之外側上構件的內周面係以朝外側膨脹之方式彎曲，因此已碰撞至外側 上構件的內周面之氣體與處理液的飛沫及霧氣係被彎曲的內周面接住，不會反射至返回環狀開口之方向。因此，防止被吸入至環狀開口內之氣體與處理液的飛沫及霧氣從環狀開口漏出。
(7)飛散防止構件亦可進一步包含有：內側上構件，係從第一內壁構件朝外側及上方彎曲，並進一步朝內側彎曲而形成環狀開口的下緣。
在此情形中，藉由外側上構件及內側上構件形成有從環狀開口的上緣及下緣與基板略平行地延伸並連接於第一環狀空間之通路。藉此，容易以基板的外周端部朝向環狀開口之方式形成與基板平行的氣體的流動。
(8)基板保持裝置亦可包含有：吸附保持部，係構成為可繞著鉛直軸旋轉，用以吸附基板的下表面中央部；以及第一旋轉驅動部，係使吸附保持部旋轉。
依據此構成，在基板的下表面中央部被吸附而被保持的狀態下對基板的上表面供給處理液之情形中，能防止處理液再次附著至基板的下表面。
(9)基板保持裝置亦可包含有：旋轉構件，係構成為可繞著鉛直軸旋轉；第二旋轉驅動部，係使旋轉構件旋轉；以及抵接保持部，係配置於旋轉構件的下方，並抵接至基板的外周端部。
依據此構成，在藉由抵接保持部抵接至基板的外周端部而在旋轉構件的下方保持基板的狀態下對基板的下表面供給處理液之情形中，能防止處理液的飛沫附著至基板的 下表面。
11‧‧‧索引區
12‧‧‧第一處理區
13‧‧‧第二處理區
14‧‧‧介面區
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區
14B‧‧‧搬入搬出區
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21、22、23、24、32、34‧‧‧塗布處理室
25、35、400、600‧‧‧自轉夾具
27、37‧‧‧罩
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬運機構
31、33‧‧‧顯像處理室
38‧‧‧顯像噴嘴
39‧‧‧移動機構
50、60‧‧‧流體箱部
81、82、83、84、91、92、93、94、95‧‧‧洗淨乾燥處理室
98‧‧‧供氣單元
99‧‧‧排氣單元
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧承載器載置部
112、122、132、163‧‧‧搬運部
113‧‧‧承載器
114‧‧‧控制部
115、127、128、137、138、141、142、146‧‧‧搬運機構
116‧‧‧手部
121‧‧‧塗布處理部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬運室
126、136‧‧‧下段搬運室
129‧‧‧塗布處理單元
131‧‧‧塗布顯像處理部
139‧‧‧顯像處理單元
161、162‧‧‧洗淨乾燥處理部
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
410、611‧‧‧自轉馬達
420、611a‧‧‧旋轉軸
430‧‧‧吸附保持部
490‧‧‧馬達蓋
510‧‧‧第一背面洗淨機構
511‧‧‧升降驅動部
512‧‧‧升降軸
513‧‧‧電刷馬達
514、524‧‧‧刷子
514S、524S‧‧‧洗淨面
515、525、544、545‧‧‧噴嘴
520‧‧‧第二背面洗淨機構
521、541‧‧‧升降旋轉驅動部
522、524‧‧‧升降旋轉軸
523、543‧‧‧手臂
540‧‧‧表面洗淨機構
610a‧‧‧液體供給管
612‧‧‧自轉板
613‧‧‧板支撐構件
614‧‧‧磁鐵板
615‧‧‧夾具銷
615a‧‧‧軸部
615b‧‧‧銷支撐部
615c‧‧‧保持部
616‧‧‧磁鐵
617‧‧‧磁鐵升降裝置
720‧‧‧授受機構
721‧‧‧升降驅動部
722‧‧‧銷支撐構件
723‧‧‧升降銷
810、910、920‧‧‧飛散防止罩
810A、910A‧‧‧環狀開口
810S‧‧‧第一環狀空間
811a‧‧‧第一內壁構件
811b‧‧‧內側上構件
811e、812e‧‧‧上端部內緣
812a‧‧‧第一外壁構件
812b‧‧‧外側上構件
813‧‧‧環狀板構件
814‧‧‧連通孔
820‧‧‧收容構件
820S‧‧‧第二環狀空間
821‧‧‧第二內壁構件
822‧‧‧第二外壁構件
822P‧‧‧第一開口
823‧‧‧底板
830‧‧‧罩升降裝置
880‧‧‧排氣空間形成構件
880S‧‧‧排氣空間
881‧‧‧排液口
882‧‧‧第二開口
885‧‧‧第一板構件
886‧‧‧第二板構件
887‧‧‧第三板構件
891‧‧‧排液管
892‧‧‧排氣管
910S‧‧‧環狀空間
911‧‧‧內壁構件
912、921‧‧‧外壁構件
B‧‧‧磁力線
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
L1、L2、L3‧‧‧高度
PASS1至PASS9‧‧‧基板載置部
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
SD1、SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
W‧‧‧基板
WC‧‧‧旋轉中心
圖1係本發明的實施形態之一的基板處理裝置的示意性俯視圖。
圖2係主要用以顯示圖1的塗布處理部、塗布顯像處理部以及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性側視圖。
圖3係主要用以顯示圖1的熱處理部以及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性側視圖。
圖4係主要用以顯示圖1的搬運部之側視圖。
圖5係顯示洗淨乾燥處理單元的構成之側視圖。
圖6係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元之下部自轉夾具及其周邊構件的構成之概略俯視圖。
圖7係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元之上部自轉夾具的構成之概略俯視圖。
圖8係用以顯示飛散防止罩、收容構件以及排氣空間形成構件的構造之局部剖視立體圖。
圖9係用以顯示飛散防止罩、收容構件以及排氣空間形成構件的構造之局部剖視立體圖。
圖10係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖11係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖12係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖13係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖14係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖15係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖16係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖17係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖18係顯示藉由下部自轉夾具旋轉基板時之內部空間的氣體的流動之示意圖。
圖19係顯示在使用了第一比較例的飛散防止罩之情形中藉由下部自轉夾具旋轉基板時之內部空間的氣體的流動之示意圖。
圖20係顯示藉由上部自轉夾具旋轉基板時之內部空間的氣體的流動之示意圖。
圖21係顯示在使用了第二比較例的飛散防止罩之情形中藉由上部自轉夾具旋轉基板時之內部空間的氣體的流動之示意圖。
以下使用圖式說明本發明的實施形態之一的基板處理裝置。此外，在以下的說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等。
(1)基板處理裝置的構成
圖1係本發明的實施形態之一的基板處理裝置的示意性俯視圖。
為了明確位置關係，於圖1與圖2及之後預定的圖式中附上用以顯示彼此正交之X方向、Y方向以及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係相當於在水平面內彼此正交之方向，Z方向係相當於鉛直方向。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備有索引區(indexer block)11、第一處理區12、第二處理區13、洗淨乾燥處理區14A以及搬入搬出區14B。藉由洗淨乾燥處理區14A及搬入搬出區14B構成介面區(interface block)14。以與搬入搬出區14B鄰接之方式配置有曝光裝置15。在曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。此外，在曝光裝置15中，亦可不使用液體地進行基板W的曝光處理。
如圖1所示，索引區11係包含有複數個承載器(carrier)載置部111以及搬運部112。於各個承載器載置部111載置有用以多段地收容複數個基板W之承載器113。
於搬運部112設置有控制部114及搬運機構115。控制部114係控制基板處理裝置100的各種構成要素。搬運機 構115係具有用以保持基板W之手部(hand)116。搬運機構115係一邊藉由手部116保持基板W一邊搬運該基板W。
第一處理區12係包含有塗布處理部121、搬運部122以及熱處理部123。塗布處理部121及熱處理部123係以隔著搬運部122而相對向之方式設置。於搬運部122與索引區11之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS1以及後述之基板載置部PASS2至PASS4(參照圖4)。於搬運部122設置有用以搬運基板W之搬運機構127以及後述之搬運機構128(參照圖4)。
第二處理區13係包含有塗布顯像處理部131、搬運部132以及熱處理部133。塗布顯像處理部131及熱處理部133係以隔著搬運部132而相對向之方式設置。於搬運部132與搬運部122之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS5以及後述之基板載置部PASS6至PASS8(參照圖4)。於搬運部132設置有用以搬運基板W之搬運機構137以及後述之搬運機構138(參照圖4)。
洗淨乾燥處理區14A係包含有洗淨乾燥處理部161、162以及搬運部163。洗淨乾燥處理部161、162係以隔著搬運部163而相對向之方式設置。於搬運部163設置有搬運機構141、142。
於搬運部163與搬運部132之間設置有載置兼緩衝部P-BF1以及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖4)。
此外，在搬運機構141、142之間，以與搬入搬出部14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及後述之載置 兼冷卻部P-CP(參照圖4)。在載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適合曝光處理的溫度。
於搬入搬出區14B設置有搬運機構146。搬運機構146係對曝光裝置15進行基板W的搬入及搬出。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a以及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗布處理部及塗布顯像處理部的構成
圖2係主要用以顯示圖1的塗布處理部121、塗布顯像處理部131以及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100的示意性側視圖。
如圖2所示，於塗布處理部121階層式地設置有塗布處理室21、22、23、24。於塗布處理室21至24各者設置有塗布處理單元129。於塗布顯像處理部131階層式地設置有顯像處理室31、33以及塗布處理室32、34。於顯像處理室31、33各者設置有顯像處理單元139，於塗布處理室32、34各者設置有塗布處理單元129。
各個塗布處理單元129係具備有：自轉夾具25，係用以保持基板W；以及罩27，係以覆蓋自轉夾具25的周圍之方式設置。在本實施形態中，於各個塗布處理單元129設置有兩組自轉夾具25以及罩27。自轉夾具25係被未圖示的驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。此外，如圖1所示，各個塗布處理單元129係具備有用以噴出處理液之複數個處理液噴嘴28以及用以搬運該處理液噴嘴28之噴嘴搬運機構29。
在塗布處理單元129中，自轉夾具25係藉由未圖示的驅動裝置而旋轉，且複數個處理液噴嘴28中的任一個處理液噴嘴28係藉由噴嘴搬運機構29而移動至基板W的上方，並從該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，對基板W上塗布處理液。此外，從未圖示的邊緣清洗(edge rinse)噴嘴對基板W的周緣部噴出清洗液。藉此，去除附著於基板W的周緣部之處理液。
在塗布處理室22、24的塗布處理單元129中，反射防止膜用的處理液係從處理液噴嘴28供給至基板W。在塗布處理室21、23的塗布處理單元129中，阻劑膜用的處理液係從處理液噴嘴28供給至基板W。在塗布處理室32、34的塗布處理單元129中，阻劑覆蓋膜用的處理液係從處理液噴嘴28供給至基板W。
與塗布處理單元129同樣地，顯像處理單元139係具備有自轉夾具35及罩37。此外，如圖1所示，顯像處理單元139係具備有用以噴出顯像液之兩個顯像噴嘴38以及用以使該顯像噴嘴38於X方向移動之移動機構39。
在顯像處理單元139中，藉由未圖示的驅動裝置使自轉夾具35旋轉，一方的顯像噴嘴38一邊朝X方向移動一邊對各個基板W供給顯像液，之後，另一方的顯像噴嘴38一邊移動一邊對各個基板W供給顯像液。在此情形中，對基板W供給顯像液，藉此進行基板W的顯像處理。此外，在本實施形態中，從兩個顯像噴嘴38噴出彼此不同的顯像液。藉此，能對各個基板W供給兩種類的顯像液。
於洗淨乾燥處理部161階層式地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。於洗淨乾燥處理室81至84各者設置有洗淨乾燥處理單元SD1。在洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前的基板W的洗淨及乾燥處理。洗淨乾燥處理單元SD1的詳細說明係容後述。
於塗布處理室21至24、32、34、顯像處理室31、33以及洗淨乾燥處理室81至84各者設置有供氣單元98以及排氣單元99。供氣單元98係設置於處理室的頂板或頂板附近，用以對處理室內供給已調整過溫度及濕度之清淨的空氣。以供氣單元98而言，例如能使用風扇過濾器單元(fan filter unit)。排氣單元99係設置於處理室的底部或處理室的底部附近，用以將處理室內的氛圍導引至工廠內的排氣設備。從供氣單元98供給至處理室內的空氣係從排氣單元99排氣，藉此於處理室內形成有清淨的空氣的下降流。
如圖1及圖2所示，在塗布處理部121中，以與塗布顯像處理部131鄰接之方式設置有流體箱部50。同樣地，在塗布顯像處理部131中，以與洗淨乾燥處理區14A鄰接之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內收容有流體關連機器，該流體關連機器係有關於對塗布處理單元129及顯像處理單元139供給處理液及顯像液以及從塗布處理單元129及顯像處理單元139進行排液及排氣等。流體關連機器係包含有導管、接頭、閥、流量計、調節器(regulator)、泵(pump)、溫度調節器等。
(3)熱處理部的構成
圖3係主要用以顯示圖1的熱處理部123、133以及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100的示意性側視圖。如圖3所示，熱處理部123係具備有設置於上方之上段熱處理部301以及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP以及複數個冷卻單元CP。
在熱處理單元PHP中，進行基板W的加熱處理。在密著強化處理單元PAHP中，進行用以使基板W與反射防止膜之間的密著性提升之密著強化處理。具體而言，在密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗布有HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)等密著強化劑，並對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中，進行基板W的冷卻處理。
熱處理部133係具備有設置於上方之上段熱處理部303以及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP、以及邊緣曝光部EEW。
在邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上的阻劑膜的周緣部的一定寬度的區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。在上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與洗淨乾燥處理區14A鄰接之方式設置的熱處理單元PHP係構成為可從洗淨乾燥處理區14A搬入基板W。
於洗淨乾燥處理部162階層式地設置有洗淨乾燥處理 室91、92、93、94、95。於洗淨乾燥處理室91至95各者設置有洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2係具有與洗淨乾燥處理單元SD1相同的構成。在洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後的基板W的洗淨及乾燥處理。與上述洗淨乾燥處理室81至84同樣地，於洗淨乾燥處理室91至95各者設置有供氣單元98及排氣單元99。藉此，於處理室內形成有清淨的空氣的下降流。
(4)搬運部的構成
圖4係主要用以顯示圖1的搬運部122、132、163之側視圖。如圖4所示，搬運部122係具備有上段搬運室125以及下段搬運室126。搬運部132係具備有上段搬運室135以及下段搬運室136。於上段搬運室125設置有搬運機構127，於下段搬運室126設置有搬運機構128。此外，於上段搬運室135設置有搬運機構137，於下段搬運室136設置有搬運機構138。
於搬運部112與上段搬運室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬運部112與下段搬運室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬運室125與上段搬運室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬運室126與下段搬運室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬運室135與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬運室136與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。在搬運部163中，以與搬入搬出區 14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬運機構127係構成為可於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗布處理室21、22(圖2)以及上段熱處理部301(圖3)之間搬運基板W。搬運機構128係構成為可於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗布處理室23、24(圖2)以及下段熱處理部302(圖3)之間搬運基板W。
搬運機構137係構成為可在基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯像處理室31(圖2)、塗布處理室32(圖2)以及上段熱處理部303(圖3)之間搬運基板W。搬運機構138係構成為可在基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯像處理室32(圖2)、塗布處理室34(圖2)以及下段熱處理部304(圖3)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運機構141(圖1)係構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2以及洗淨乾燥處理部161(圖2)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運機構142(圖1)係構成為可於載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖3)、上段熱處理部303(圖3)以及下段熱處理部304(圖3)之間搬運基板W。
(5)基板處理裝置的動作
參照圖1至圖4說明基板處理裝置100的動作。於索引區11的承載器載置部111(圖1)載置有已收容有未處理的 基板W之承載器113。搬運機構115係從承載器113將未處理的基板W搬運至基板載置部PASS1、PASS3(圖4)。此外，搬運機構115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之已處理完畢的基板W搬運至承載器113。
在第一處理區12中，搬運機構127(圖4)係將載置於基板載置部PASS1的基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室22(圖2)。接著，搬運機構127係將藉由塗布處理室22形成有反射防止膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室21(圖2)。接著，搬運機構127係將藉由塗布處理室21形成有阻劑膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS5(圖4)。
在此情形中，在密著強化處理單元PAHP中，對基板W進行密著強化處理後，在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合反射防止膜的形成之溫度。接著，在塗布處理室22中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成有反射防止膜。接著，在熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理後，在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合阻劑膜的形成之溫度。接著，在塗布處理室21中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成有阻劑膜。之後，在熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
此外，搬運機構127係將已載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯像處理後的基板W搬運至基板載置部 PASS2(圖4)。
搬運機構128(圖4)係將已載置於基板載置部PASS3的基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室24(圖2)。接著，搬運機構128係將已藉由塗布處理室24形成有反射防止膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室23(圖2)。接著，搬運機構128係將已藉由塗布處理室23形成有阻劑膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS7(圖4)。
此外，搬運機構128(圖4)係將已載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯像處理後的基板W搬運至基板載置部PASS4(圖4)。塗布處理室23、24(圖2)以及下段熱處理部302(圖3)中的基板W的處理內容係與上述塗布處理室21、22(圖2)以及上段熱處理部301(圖3)中的基板W的處理內容同樣。
在第二處理區13中，搬運機構137(圖4)係將已載置於基板載置部PASS5之阻劑膜形成後的基板W依序搬運至塗布處理室32(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)以及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。在此情形中，在塗布處理室32中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成有阻劑覆蓋膜。之後，在熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，並將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW。接著，在邊緣曝光部EEW中，對基板W進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後的基板W係載置於載置兼緩衝部 P-BF1。
此外，搬運機構137(圖4)係從與洗淨乾燥處理區14A鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出藉由曝光裝置15進行曝光處理後且進行熱處理後的基板W。搬運機構137係將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯像處理室31(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS6(圖4)。
在此情形中，在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合顯像處理的溫度後，在顯像處理室31中，藉由顯像處理單元139去除阻劑覆蓋膜並進行基板W的顯像處理。之後，在熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬運機構138(圖4)係將已載置於基板載置部PASS7之阻劑膜形成後的基板W依序搬運至塗布處理室34(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)以及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。
此外，搬運機構138(圖4)係從與洗淨乾燥處理區14A鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出藉由曝光裝置15進行曝光處理後且進行熱處理後的基板W。搬運機構138係將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯像處理室33(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS8(圖4)。顯像處理室33、塗布處理室34以及下段熱處理部304中的基板W的處理內容係與上述顯像處理室31、塗布處理室32(圖2)以及上段熱處理部303(圖3)中的基板W的處理內容同樣。
在洗淨乾燥處理區14A中，搬運機構141(圖1)係將已載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)之基板W搬運至洗淨乾燥處理部161的洗淨乾燥處理單元SD1(圖2)。接著，搬運機構141係將基板W從洗淨乾燥處理單元SD1搬運至載置兼冷卻部P-CP(圖4)。在此情形中，在洗淨乾燥處理單元SD1中進行基板W的洗淨及乾燥處理後，在載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)中的曝光處理之溫度。
搬運機構142(圖1)係將已載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後的基板W搬運至洗淨乾燥處理部162的洗淨乾燥處理單元SD2(圖3)。此外，搬運機構142係將洗淨及乾燥處理後的基板W從洗淨乾燥處理單元SD2搬運至上段熱處理部303的熱處理單元PHP(圖3)或下段熱處理部304的熱處理單元PHP(圖3)。在該熱處理單元PHP中，進行曝光後烘烤(PEB；Post Exposure Bake)處理。
在搬入搬出區14B中，搬運機構146(圖1)係將已載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前的基板W搬運至曝光裝置15的基板搬入部15a(圖1)。此外，搬運機構146(圖1)係從曝光裝置15的基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後的基板W，並將該基板W搬運至基板載置部PASS9(圖4)。
此外，在曝光裝置15無法接受基板W的情形中，曝光處理前的基板W係暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。此外，在第二處理區13的顯像處理單元139(圖2)無法接受曝光處理後的基板W的情形中，曝光處理後的基 板W係暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
在本實施形態中，能並行地進行設置於上段之塗布處理室21、22、32、顯像處理室31及上段熱處理部301、302中之基板W的處理以及設置於下段之塗布處理室23、24、34、顯像處理室33及下段熱處理部302、304中之基板W的處理。藉此，無須增加底面積(footprint)，且能提升產量(throughput)。
(6)洗淨乾燥處理單元的構成
在本發明中，所謂基板W的上表面係指朝向上方之基板W的面；所謂基板W的下表面係指朝向下方之基板W的面。此外，所謂基板W的表面係指形成有反射防止膜、阻劑膜以及阻劑覆蓋膜之面(主面)；所謂基板W的背面係指該主面的相反側之面。在本實施形態的基板處理裝置100的內部中，在基板W的表面朝向上方的狀態下，對基板W進行上述各種處理。因此，在本實施形態中，基板W的表面係相當於本發明的基板的上表面，基板W的背面係相當於本發明的基板的下表面。
圖5係顯示洗淨乾燥處理單元SD1的構成之側視圖，圖6係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元SD1之下部自轉夾具400及其周邊構件的構成之概略俯視圖。在圖5及圖6中，以粗的二點鍊線顯示被下部自轉夾具400保持的基板W。圖7係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元SD1之上部自轉夾具600的構成之概略俯視圖。在圖7中，示意性地顯示上部自轉夾具600的局部的構成要素， 並以粗的二點鍊線顯示被上部自轉夾具600保持的基板W。
如圖5所示，洗淨乾燥處理單元SD1係設置於供氣單元98的下方。藉此，如圖5中以白色中空箭頭所示，於圍繞洗淨乾燥處理單元SD1之空間內形成有清淨的空氣的下降流。此外，洗淨乾燥處理單元SD1係包含有下部自轉夾具400以及上部自轉夾具600。上部自轉夾具600係設置於下部自轉夾具400的上方。
下部自轉夾具400係包含有自轉馬達(spin motor)410以及吸附保持部430。自轉馬達410係例如設置於洗淨乾燥處理單元SD1的底部。在自轉馬達410中，以朝上方延伸之方式設置有旋轉軸420。於旋轉軸420的上端部設置有吸附保持部430。吸附保持部430係構成為可吸附基板W的背面中央部。吸附保持部430係吸附基板W的背面中央部，藉此保持基板W。
如圖5及圖6所示，於下部自轉夾具400的外側設置有第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520、表面洗淨機構540以及授受機構720。
以接近下部自轉夾具400之方式設置有授受機構720。授受機構720係包含有升降驅動部721、銷支撐構件722以及複數個(在本例中為三個)升降銷723。於升降驅動部721安裝有銷支撐構件722。升降驅動部721係將銷支撐構件722以可於鉛直方向移動之方式支撐。於銷支撐構件722以複數個升降銷723分別於鉛直方向延伸之方式設 置。複數個升降銷723係以等間隔圍繞下部自轉夾具400之方式配置。複數個升降銷723的上端部係抵接至基板W的背面中央部與背面周緣部之間的區域，藉此以水平姿勢支撐基板W。
授受機構720係被圖1的控制部114控制。藉由授受機構720動作而使銷支撐構件722於鉛直方向移動。藉此，複數個升降銷723的上端部係於後述的三個高度L1、L2、L3(參照圖10)之間移動。
第一背面洗淨機構510係包含有升降驅動部511、升降軸512、電刷馬達(brush motor)513、刷子(brush)514以及噴嘴515。於升降驅動部511安裝有於鉛直方向延伸之升降軸512。升降驅動部511係將升降軸512以可於鉛直方向移動之方式支撐。於升降軸512的上端部設置有電刷馬達513。於電刷馬達513安裝有刷子514。電刷馬達513係將刷子514以可繞著鉛直軸旋轉之方式支撐。刷子514係具有朝向上方之洗淨面514S。
升降驅動部511係使升降軸512於鉛直方向移動。藉此，刷子514的高度係變化。此外，電刷馬達513係驅動刷子514。藉此，刷子514係繞著鉛直軸旋轉。於噴嘴515連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴515係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝刷子514噴出。
如圖6所示，從上方觀視下部自轉夾具400時，第一背面洗淨機構510係以刷子514的洗淨面514S與被下部自轉夾具400保持之基板W的外周緣部及外周端部重疊之方 式配置。第一背面洗淨機構510係被圖1的控制部114控制。
如圖5及圖6所示，第二背面洗淨機構520係包含有升降旋轉驅動部521、升降旋轉軸522、手臂(arm)523、刷子524以及噴嘴525。於升降旋轉驅動部521以於鉛直方向延伸之方式安裝有升降旋轉軸522。升降旋轉驅動部521係將升降旋轉軸522以可於鉛直方向移動且可繞著鉛直軸旋轉之方式支撐。於升降旋轉軸522的上端部以於水平方向延伸之方式連結有手臂523。於手臂523的前端部安裝有刷子524。刷子524係具有朝向上方之洗淨面524S。
升降旋轉驅動部521係使升降旋轉軸522於鉛直方向移動。藉此，刷子524的高度係變化。此外，升降旋轉驅動部521係使升降旋轉軸522旋轉。藉此，刷子524係例如於吸附保持部430的旋轉中心WC的上方位置與下部自轉夾具400的外側位置之間移動。
於手臂523的前端部附近安裝有噴嘴525。於噴嘴525連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴525係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝刷子524噴出。第二背面洗淨機構520係被圖1的控制部114控制。
以上述刷子514、524而言，例如能使用由聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)所構成的海棉刷(sponge brush)。
如圖5及圖6所示，表面洗淨機構540係包含有升降旋轉驅動部541、升降旋轉軸542、手臂543以及噴嘴544、545。於升降旋轉驅動部541以於鉛直方向延伸之方式安裝 有升降旋轉軸542。升降旋轉驅動部541係將升降旋轉軸542以可於鉛直方向移動且可繞著鉛直軸旋轉之方式支撐。於升降旋轉軸542的上端部以於水平方向延伸之方式連結有手臂543。於手臂543的前端部安裝有噴嘴544、545。
升降旋轉驅動部541係使升降旋轉軸542於鉛直方向移動。藉此，噴嘴544、545的高度係變化。此外，升降旋轉驅動部541係使升降旋轉軸542旋轉。藉此，在水平面內，噴嘴544、545係於吸附保持部430的旋轉中心WC的上方位置與下部自轉夾具400的外側位置之間移動。
於噴嘴544連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴544係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝下方噴出。於噴嘴545連接有未圖示的氣體供給系統。噴嘴545係構成為可將從氣體供給系統所供給的氣體朝下方噴出。在此，以供給至噴嘴545的氣體而言，能使用氮氣等惰性氣體。表面洗淨機構540係被圖1的控制部114控制。
如圖5及圖7所示，上部自轉夾具600係包含有自轉馬達611、圓板狀的自轉板(spin plate)612、板支撐構件613、磁鐵板(magnet plate)614以及複數個夾具銷(chuck pin)615。
自轉馬達611係在下部自轉夾具400的上方的位置被未圖示的支撐構件支撐。在自轉馬達611中，以於下方延伸之方式設置有旋轉軸611a。於旋轉軸611a的下端部安裝有板支撐構件613。藉由板支撐構件613水平地支撐自轉板612。自轉馬達611係使旋轉軸611a旋轉。藉此，自轉板612係繞著鉛直軸旋轉。在此，上部自轉夾具600的旋 轉軸611a係配置於下部自轉夾具400的旋轉軸420的延長線上。
於自轉馬達611、旋轉軸611a以及板支撐構件613插通有液體供給管610a。能經由液體供給管610a將洗淨液噴出至被上部自轉夾具600保持之基板W的表面上。
於自轉板612的周緣部等角度間隔地相對於旋轉軸611a設置有複數個(在本例中為五個)夾具銷615。夾具銷615的個數較佳為五個以上。
各個夾具銷615係包含有軸部615a、銷支撐部615b、保持部615c以及磁鐵616。以貫通自轉板612之方式設置有軸部615a，並於軸部615a的下端部連接有於水平方向延伸的銷支撐部615b。以從銷支撐部615b的前端部朝下方突出之方式設置有保持部615c。此外，在自轉板612的上表面側，於軸部615a的上端部安裝有磁鐵616。
各個夾具銷615係可將軸部615a作為中心繞著鉛直軸旋轉，並可切換成保持部615c抵接於基板W的外周端部之閉狀態以及保持部615c從基板W的外周端部離開之開狀態。此外，在本例中，在磁鐵616的N極位於內側之情形中，各個夾具銷615成為閉狀態；在磁鐵616的S極位於內側之情形中，各個夾具銷615係成為開狀態。
於自轉板612的上方，沿著以旋轉軸611a作為中心的周方向配置有圓環狀的磁鐵板614。磁鐵板614係於外側具有S極，於內側具有N極。磁鐵板614係藉由磁鐵升降裝置617進行升降，而在比夾具銷615的磁鐵616還高的 上方位置以及與夾具銷615的磁鐵616大致相等的高度之下方位置之間移動。
藉由磁鐵板614的升降，各個夾具銷615係被切換成開狀態與閉狀態。具體而言，在磁鐵板614位於上方位置的情形中，各個夾具銷615係成為開狀態。另一方面，在磁鐵板614位於下方位置的情形中，各個夾具銷615係成為閉狀態。
以從上述噴嘴515、525、544以及液體供給管610a噴出的洗淨液而言，例如能使用純水、已將錯合物溶解於純水之液體、或者氟系藥液等。此外，以洗淨液而言，亦可使用在曝光裝置15中於曝光處理時所使用的液浸液。
如圖5及圖6所示，於下部自轉夾具400、第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520以及授受機構720的外側設置有飛散防止罩810、收容構件820、罩升降裝置830以及排氣空間形成構件880。
如圖6及圖7所示，飛散防止罩810係以圍繞包含有被下部自轉夾具400或者上部自轉夾具600保持的基板W之空間的方式設置。在以下的說明中，將被下部自轉夾具400或者上部自轉夾具600保持的基板W以及比該基板W還下方的空間稱為內部空間。
如圖5所示，飛散防止罩810的下部係收容於可於上下方向移動的收容構件820。罩升降裝置830係使飛散防止罩810相對於收容構件820相對性地於上下方向移動。排氣空間形成構件880係一體性地設置於收容構件820的 側部。飛散防止罩810、收容構件820以及排氣空間形成構件880的詳細說明係容後述。
於收容構件820的底部連接有排液管891的一端。排液管891的另一端係連接至工廠內的排液設備。於排氣空間形成構件880連接有排氣管892的一端。排氣管892的另一端係連接至工廠內的排氣設備。
(7)飛散防止罩及收容構件的構造的詳細說明
圖8及圖9係用以顯示飛散防止罩810、收容構件820以及排氣空間形成構件880的構造之局部剖視立體圖。在圖8中，顯示飛散防止罩810及收容構件820已彼此分離的狀態。在圖9中，顯示飛散防止罩810的下部已收容於收容構件820的狀態。
如圖8所示，飛散防止罩810主要係由第一內壁構件811a、內側上構件811b、第一外壁構件812a、外側上構件812b以及環狀板構件813所構成。
第一內壁構件811a係具有於鉛直方向延伸的圓筒形狀。第一內壁構件811a的內徑係比基板W的直徑還大。第一外壁構件812a係具有於鉛直方向延伸的圓筒形狀，且以圍繞第一內壁構件811a的外側之方式設置。
環狀板構件813係具有與第一內壁構件811a的內徑相同的內徑，並具有與第一外壁構件812a的外徑相同的外徑。於環狀板構件813的周方向分散性地配置有複數個連通孔814。環狀板構件813係以於第一內壁構件811a與第一外壁構件812a之間形成有第一環狀空間810S之方式連 結第一內壁構件811a的下端與第一外壁構件812a的下端。在此狀態下，第一外壁構件812a的上端係位於比第一內壁構件811a的上端還下方。
於第一外壁構件812a的內周面的一部分接合有環狀的外側上構件812b的下部。外側上構件812b係以從第一外壁構件812a的上端朝外側及上方彎曲且進一步朝內側彎曲而覆蓋第一環狀空間810S的上部之方式形成。外側上構件812b的上端部內緣812e係位於第一內壁構件811a的上方。
於第一內壁構件811a的外周面的一部分接合有環狀的內側上構件811b的下部。內側上構件811b係從第一內壁構件811a的外周面中之與第一外壁構件812a的上端相對向之部分朝外側及上方彎曲，且進一步朝內側彎曲。內側上構件811b的上端部內緣811e係接合至第一內壁構件811a的上端。
在飛散防止罩810中，於外側上構件812b的上端部內緣812e與內側上構件811b的上端部內緣811e之間形成有環狀開口810A。在此情形中，外側上構件812b的上端部內緣812e係形成環狀開口810A的上緣，內側上構件811b的上端部內緣811e係形成環狀開口810A的下緣。
環狀開口810A係以形成為可與被下部自轉夾具400或上部自轉夾具600保持之基板W的外周端部相對向，並使包含基板W之內部空間與第一環狀空間810S連通。
此外，亦可不設置內側上構件811b。在此情形中，於 外側上構件812b的上端部內緣812e與第一內壁構件811a的上端之間形成有環狀開口810A。
收容構件820主要係由底板823的一部分、第二內壁構件821以及第二外壁構件822所構成。第二內壁構件821及第二外壁構件822係具有於鉛直方向延伸的圓筒形狀。第二內壁構件821的外徑係比飛散防止罩810的第一內壁構件811a的內徑稍小。第二外壁構件822的內徑係比飛散防止罩810的第一外壁構件812a的外徑稍大。
於底板823的略中央部安裝有馬達蓋490，該馬達蓋490係用以收容下部自轉夾具400(圖5)的自轉馬達410(圖5)。以圍繞該馬達蓋490之方式，於底板823上接合有第二內壁構件821的下端。以圍繞第二內壁構件821的外側之方式，於底板823上接合有第二外壁構件822的下端。在此狀態下，於第二內壁構件821與第二外壁構件822之間形成有第二環狀空間820S。
於底板823中之與第二環狀空間820S相對向之區域的一部分形成有排液口881。於排液口881連接有圖5的排液管891。
於第二外壁構件822的下部形成有第一開口822P。第一開口822P係以沿著第二外壁構件822的下緣於一定長度的周方向延伸之方式形成。
排氣空間形成構件880係以將與第二外壁構件822的外周面的部分區域鄰接之空間作為排氣空間880S予以圍繞之方式形成。具體而言，排氣空間形成構件880係包含 有一片第一板構件885、兩片第二板構件886以及一片第三板構件887。第一板構件885及第二板構件886係分別具有矩形狀。此外，在圖8及圖9中，僅顯示兩片第二板構件886中的一者。
第一板構件885係以與第一開口822P相對向且與鉛直方向成為平行之方式在第二外壁構件822的外側的位置接合至底板823上。兩片第二板構件886係以分別連接在第二外壁構件822的外周面的周方向中之夾著第一開口822P之兩個部分與第一板構件885的兩側部之方式接合至底板823上。
第三板構件887係以從上方閉塞被第一板構件855、第二板構件886以及第二外壁構件822的外周面圍繞的排氣空間880S之方式接合至第一板構件885、第二板構件886以及第二外壁構件822。
於第一板構件885中之比中央部還稍微上方的部分形成有第二開口882。第二開口882係位於比第一開口822P還高的位置。於第二開口882連接有圖5的排氣管892。
如圖9所示，在飛散防止罩810的下部收容於收容構件820的第二環狀空間820S的狀態下，飛散防止罩810係被圖5的罩升降裝置830可上下移動地支撐。在此狀態下，飛散防止罩810的第一環狀空間810S係通過環狀板構件813的複數個連通孔814連通至收容構件820的第二環狀空間820S。此外，第二環狀空間820S係通過第二外壁構件822的第一開口822P連通至排氣空間形成構件880的排氣 空間880S。
於基板W的洗淨處理時，在環狀開口810A與藉由下部自轉夾具400或上部自轉夾具600而旋轉之基板W的外周端部相對向之狀態下，保持飛散防止罩810。此外，對旋轉中的基板W供給洗淨液。
如上所述，圖5的排氣管892係連接排氣空間形成構件880的第二開口882與工廠內的排氣設備。在此情形中，如圖9中以中空箭頭所示，內部空間的氣體係通過環狀開口810A、第一環狀空間810S以及第二環狀空間820S而被圖5的排氣管892吸引。藉此，形成從旋轉中的基板W的外周端部朝向環狀開口810A之氣體的流動。此時，由於通過基板W的外周端部與環狀開口810A之間朝基板W的下方之氣體的流動係被阻斷，因此防止於內部空間產生亂流。
從旋轉中的基板W的外周端部朝外側飛散之洗淨液的飛沫及霧氣係與氣體一起從環狀開口810A被吸入至第一環狀空間810S，並通過第二環狀空間820S及排氣空間880S導引至圖5的排氣管892。在此情形中，由於內部空間係被第一內壁構件811a及第二內壁構件821圍繞，因此防止被吸入至第一環狀空間810S的洗淨液的飛沫及霧氣返回至基板W的背面側的空間。再者，由於在飛散防止罩810的下部已收容至收容構件820的狀態下飛散防止罩810係於上下方向移動，因此防止氣體與洗淨液的飛沫及霧氣從第一環狀空間810S與第二環狀空間820S之間的交界部 分漏出。結果，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。
此外，在基板W的洗淨處理時，被導引至第二環狀空間820S之洗淨液的飛沫及霧氣的大部分係藉由重力而從底板823的排液口881被導引至圖5的排液管891。另一方面，被導引至第二環狀空間820S的氣體係通過第一開口822P及第二開口882被導引至圖5的排氣管892。在上述構成中，由於第二開口882位於比第一開口822P還高的位置，因此降低氣體與被排氣管892導引之洗淨液的飛沫及霧氣的量。因此，可有效率地回收洗淨液。
(8)洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理及乾燥處理
針對進行基板W的洗淨處理時之洗淨乾燥處理單元SD1的一連串的動作。圖10至圖17係用以說明洗淨乾燥處理單元SD1所為之基板W的洗淨處理之側視圖。在以下的說明中，將比下部自轉夾具400的上端部還位於一定距離下方的高度稱為高度L1。此外，將下部自轉夾具400與上部自轉夾具600之間的預先設定的高度稱為高度L2。再者，將可藉由上部自轉夾具600保持基板W之高度稱為高度L3。
如圖10所示，在初始狀態中，飛散防止罩810的上端部係被保持於比上部自轉夾具600還低且比下部自轉夾具400還高的位置。此外，上部自轉夾具600的磁鐵板614位於上方位置。在此情形中，磁鐵板614的磁力線B係在 夾具銷615的磁鐵616的高度中從內側朝向外側。藉此，各個夾具銷615的磁鐵616的S極係被吸引至內側。因此，各個夾具銷615係成為開狀態。再者，授受機構720的複數個升降銷723的上端部係被保持於高度L1。
在基板W被搬入至洗淨乾燥處理單元SD1時，如圖10中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係移動至上方。藉此，如圖11所示，複數個升降銷723的上端部係被保持於高度L2。在此狀態下，藉由圖1的搬運機構141將基板W載置於複數個升降銷723上。
接著，如圖11中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係移動至下方。藉此，如圖12所示，基板W係從複數個升降銷723被傳遞至吸附保持部430上。此時，基板W的中心係以在水平面內與吸附保持部430的旋轉中心WC(圖6)一致之方式被定位。之後，藉由下部自轉夾具400保持基板W的背面中央部且旋轉基板W。授受機構720的複數個升降銷723的上端部係被保持於高度L1。此時，在環狀開口810A與基板W的外周端部相對向的狀態下保持飛散防止罩810。內部空間內的氣體係被吸引至環狀開口810A，藉此形成從旋轉中的基板W的外周端部朝向環狀開口810A之氣體的流動。
接著，如圖12中的粗的一點鍊線的箭頭所示，第一背面洗淨機構510的刷子514係移動至上方。此外，如圖12中的粗的虛線的箭頭所示，表面洗淨機構540的噴嘴544、545係從下部自轉夾具400的外側位置移動至基板W的上 方的位置。
藉此，如圖13所示，刷子514的洗淨面514S係接觸至基板W的背面周緣部。此時，刷子514係以基於預先設定的洗淨條件之壓力按壓至基板W的背面。此外，藉由電刷馬達513旋轉刷子514。再者，從噴嘴515對刷子514噴出洗淨液。藉此，藉由刷子514去除基板W的背面周緣部的污染物質。此外，藉由洗淨液沖洗被刷子514去除的污染物質。
此時，刷子514的洗淨面514S的一部分係接觸至基板W的外周端部。藉此，無須設置追加的刷子，能同時洗淨基板W的背面周緣部與外周端部。
此外，表面洗淨機構540的噴嘴544係被保持於基板W的中心的上方的位置。在此狀態下，從噴嘴544對旋轉中的基板W的表面噴出洗淨液。藉此，洗淨基板W的表面。從旋轉中的基板W飛散之洗淨液係與內部空間內的氣體一體被吸引至環狀開口810A。藉此，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。
當結束基板W的背面周緣部、基板W的外周端部以及基板W的表面的洗淨時，第一背面洗淨機構510係返回至初始狀態。具體而言，在第一背面洗淨機構510中，電刷馬達513停止旋轉，並停止從噴嘴515朝刷子514噴出洗淨液，且刷子514移動至下方。
另一方面，在表面洗淨機構540中，停止從噴嘴544朝基板W噴出洗淨液，且噴嘴545係被保持於基板W的 中心的上方的位置。在此狀態下，從噴嘴545朝基板W的表面噴出氣體。藉此，乾燥基板W的表面。即使在該乾燥時，從旋轉中的基板W飛散的洗淨液亦隨著內部空間內的氣體一起被吸引至環狀開口810A。藉此，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。
當基板W的背面及表面乾燥時，如圖13中以粗的虛線的箭頭所示，表面洗淨機構540的噴嘴544、545係從基板W的上方位置移動至下部自轉夾具400的外側位置。此外，停止基板W的旋轉。再者，在下部自轉夾具400中停止吸附基板W。
接著，如圖13中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係移動至上方。藉此，如圖14所示，基板W係從下部自轉夾具400的吸附保持部430傳遞至複數個升降銷723上。之後，複數個升降銷723的上端部被保持於高度L3。此時，基板W係位於上部自轉夾具600的複數個夾具銷615的保持部615c之間。
接著，如圖14中的粗的一點鍊線的箭頭所示，上部自轉夾具600的磁鐵板614係移動至下方位置。在此情形中，複數個夾具銷615的磁鐵616的N極係被吸引至內側。藉此，各個夾具銷615係成為閉狀態，且各個保持部615c係抵接至基板W的外周端部。藉此，如圖15所示，藉由複數個夾具銷615的保持部615c保持基板W的外周端部。
之後，如圖15中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係朝下方移動。此外，如圖15中的粗的虛線的 箭頭所示，飛散防止罩810係朝上方移動。藉此，如圖16所示，複數個升降銷723的上端部係被保持於高度L1。此時，在環狀開口810A與基板W的外周端部相對向的狀態下，保持飛散防止罩810。在此狀態下，旋轉基板W。內部空間內的氣體係被吸引至環狀開口810A，藉此形成從旋轉中的基板W的外周端部朝向環狀開口810A之氣體的流動。
接著，如圖16中的粗的一點鍊線的箭頭所示，第二背面洗淨機構520的刷子524係移動至上方。藉此，如圖17所示，刷子524的洗淨面524S係接觸至比基板W的背面周緣部還內側的區域。此時，以預先設定的洗淨條件將刷子524按壓至基板W的背面。此外，從噴嘴525對刷子524噴出洗淨液。再者，如圖17中的粗的一點鍊線的箭頭所示，刷子524係從基板W的中心與基板W的外周端部在與一定距離內側的部分之間移動。藉此，藉由刷子524去除基板W中之比背面周緣部還內側的區域的污染物質。此外，藉由洗淨液沖洗被刷子524去除的污染物質。因此，防止污染物質再次附著至基板W，並抑制刷子524的清淨度的降低。從旋轉中的基板W飛散的洗淨液係隨著內部空間的氣體一起被吸引至環狀開口810A。藉此，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。
此時，被刷子524去除之污染物質以及供給至刷子524之洗淨液的一部分係落下至下部自轉夾具400的吸附保持部430上。因此，在本實施形態中，藉由第二背面洗淨機 構520洗淨基板W的背面之期間旋轉吸附保持部430。藉此，落下至吸附保持部430上之污染物質以及洗淨液係藉由離心力而從吸附保持部430被甩離。因此，抑制污染物質附著至吸附保持部430。
此外，亦可於藉由第二背面洗淨機構520進行基板W的背面洗淨時，通過上部自轉夾具600的液體供給管610a將洗淨液供給至基板W上。在此情形中，洗淨基板W中之比背面周緣部還內側的區域以及基板W的表面。
當結束藉由第二背面洗淨機構520對於基板W的背面洗淨時，第二背面洗淨機構520係返回至初始狀態。之後，在一定期間內繼續旋轉基板W，藉此甩離附著至基板W的洗淨液。即使在此乾燥處理時，亦在環狀開口810A與基板W的外周端部相對向的狀態下保持飛散防止罩810。藉此，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。乾燥基板W的背面，藉此停止上部自轉夾具600對於基板W的旋轉。此外，以與上述相反的順序，將被上部自轉夾具600保持的基板W傳遞至授受機構720的複數個升降銷723上。最後，藉由圖1的搬運機構141承接洗淨後的基板W，並從洗淨乾燥處理單元SD1搬出。
(9)基板周邊的氣體的流動
本發明人係藉由模擬而解析在洗淨乾燥處理單元SD1中藉由下部自轉夾具400旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動。圖18係顯示藉由下部自轉夾具400旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動之示意圖。在圖18中，以點圖 案(dot pattern)顯示內部空間及其附近的空間中之於這些空間流動之氣體的速度比預定的臨限值還高的區域。此外，以粗的實線的箭頭顯示氣體的流動方向。
在飛散防止罩810的環狀開口810A與旋轉中的基板W的外周端部相對向的狀態下，內部空間的氣體係被吸引至環狀開口810A。在此情形中，如圖18所示，形成有從旋轉中的基板W的外周端部朝向環狀開口810A之氣體的流動。阻斷通過基板W的外周端部與環狀開口810A之間朝向基板W的下方之氣體的流動，藉此防止於內部空間產生亂流。
從環狀開口810A被吸引至第一環狀空間810S之氣體係沿著外側上構件812b的內周面順暢地被導引至下方。此外，在上述飛散防止罩810中，由於面向環狀開口810A之外側上構件812b的內周面以朝外側膨脹之方式彎曲，因此碰撞至外側上構件812b的內周面之氣體不會朝返回環狀開口810A的方向反射，而是被彎曲的內周面擋住。因此，在內部空間的氣體隨著洗淨液的飛沫及霧氣一起被吸引至環狀開口810A的情形中，防止被吸引至環狀開口810A內之氣體與洗淨液的飛沫及霧氣從環狀開口810A漏出。
再者，在上述飛散防止罩810中，藉由內側上構件811b及外側上構件812b，形成有從環狀開口810A的上緣及下緣與基板W略平行地延伸並與第一環狀空間810S連接之通路。藉此，以從基板W的外周端部朝向環狀開口810A之方向順暢地形成有與基板W平行之氣體的流動。因此， 防止從基板W飛散之洗淨液的飛沫及霧氣朝環狀開口810A的上方或下方流動。
本發明人係在使用第一比較例之習知的飛散防止罩取代上述飛散防止罩810之情形中，藉由模擬解析藉由下部自轉夾具400旋轉基板W時的內部空間的氣體的流動。圖19係顯示在使用了第一比較例的飛散防止罩之情形中藉由下部自轉夾具400旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動之示意圖。即使在圖19中，亦與圖18的例子同樣地，以點圖案顯示內部空間及其附近的空間中之在這些空間中流動的氣體的速度比預定的臨限值還高之區域。此外，以粗的實線的箭頭表示氣體的流動方向。
第一比較例的飛散防止罩910係具有內壁構件911及外壁構件912。內壁構件911為具有比基板W的直徑還小之外徑的圓環狀構件，且在被下部自轉夾具400保持之基板W的下方的位置圍繞下部自轉夾具400。
外壁構件912係以圍繞內壁構件911的外側之方式設置。外壁構件912的上部係以朝向內側之方式彎曲。於內壁構件911與外壁構件912之間形成有環狀空間910S。於內壁構件911的上端與外壁構件912的上端之間形成有朝向上方之環狀開口910A。
在從基板W的外周端部起之一定寬度的部分從上方閉塞飛散防止罩910的環狀開口910A的一部分之狀態下，內部空間的氣體係被吸引至環狀開口910A。在此情形中，在比基板W還上方的位置中，以從基板W的表面上朝向基 板W的外周端部與外壁構件912的上端部內緣之間的間隙之方式形成有氣體的流動。另一方面，在比基板W還下方的位置中，在環狀空間910S中之基板W的周緣部附近的區域形成有渦狀的亂流。該亂流係起因於通過基板W的外周端部與外壁構件912的上端部內緣之間流入至環狀空間910S之氣體的流動以及從基板W的背面與內壁構件911的上端之間的間隙流入至環狀空間910S之氣體的流動而產生。
因此，當內部空間的氣體與洗淨液的飛沫及霧氣一起被吸引至環狀開口910A時，被吸入至環狀開口910A內之洗淨液的飛沫及霧氣因為在基板W的下方的空間所產生的亂流而再次附著至基板W的背面之可能性變高。
如此，依據圖19的模擬結果，可知在第一比較例的飛散防止罩910中，無法在藉由下部自轉夾具400而旋轉之基板W的洗淨及乾燥處理時防止洗淨液再次附著至基板W的背面。
本發明人係進一步藉由模擬解析在洗淨乾燥處理單元SD1中藉由上部自轉夾具600旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動。圖20係顯示藉由上部自轉夾具600旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動之示意圖。即使在圖20中，亦與圖18的例子同樣地，以點圖案顯示內部空間及其附近的空間中之於這些空間流動之氣體的速度比預定的臨限值還高之區域。此外，以粗的實線的箭頭表示氣體的流動方向。
在飛散防止罩810的環狀開口810A與旋轉中的基板W的外周端部相對向的狀態下，內部空間的氣體係被吸引至環狀開口810A。依據圖20的模擬結果，即使在藉由上部自轉夾具600旋轉基板W之情形中，亦在內部空間及其附近的空間中形成有與圖18的例子同樣之氣體的流動。因此，可知在內部空間的氣體與洗淨液的飛沫及霧氣一起被吸引至環狀開口810A的情形中，防止被吸入至環狀開口810A內之氣體與洗淨液的飛沫及霧氣從環狀開口810A漏出。此外，可知防止從基板W飛散之洗淨液的飛沫及霧氣朝環狀開口810A的上方或下方流動。
本發明人係在使用第二比較例之習知的飛散防止罩取代上述飛散防止罩810之情形中，藉由模擬解析藉由上部自轉夾具600旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動。圖21係顯示在使用了第二比較例的飛散防止罩之情形中藉由上部自轉夾具600旋轉基板W時之內部空間的氣體的流動之示意圖。即使在圖21中，亦與圖18的例子同樣地，以點圖案表示內部空間及其附近的空間中之於這些空間流動之氣體的速度比預定的臨限值還高之區域。此外，以粗的實線的箭頭表示氣體的流動方向。
如圖21所示，第二比較例的飛散防止罩920係僅以具有略圓筒形狀之一個外壁構件921所構成。外壁構件921係具有比基板W的直徑以及自轉板612的直徑還大之內徑。外壁構件921的上部係以朝向內側之方式彎曲。
外壁構件921係以圍繞自轉板612並其上端部位於比 基板W還上方之位置之方式設置。於自轉板612與外壁構件921之間形成有一定的間隙。
當包含內部空間之外壁構件921的內側的氣體被吸引至下方時，在比基板W還上方的位置中，以從基板W的表面上朝向外壁構件921的內周面之方式形成有氣體的流動。另一方面，在比基板W還下方的位置中，在基板W的周緣部附近的區域形成有渦狀的亂流。該亂流係起因於通過基板W的外周端部與外壁構件921之間流入至基板W的下方之氣體的流動而產生。
因此，與圖19的例子同樣地，當內部空間的氣體與洗淨液的飛沫及霧氣一起被吸引至環狀開口910A時，被吸入至環狀開口910A內之洗淨液的飛沫及霧氣因為在基板W的下方的空間所產生的亂流而再次附著至基板W的背面之可能性變高。
如此，依據圖21的模擬結果，可知在第二比較例的飛散防止罩920中，無法在藉由上部自轉夾具600而旋轉之基板W的洗淨及乾燥處理時防止洗淨液再次附著至基板W的背面。
(10)飛散防止罩的環狀板構件
如上述，在飛散防止罩810的環狀板構件813中，複數個連通孔814係分散性地配置。藉此，以簡單的構成連結第一內壁構件811a與第一外壁構件812a，並連通第一環狀空間810S與第二環狀空間820S。
當內部空間的氣體被吸引至環狀開口810A時，在於 周方向分散的複數個位置中，第一環狀空間810S內的氣體係被導引至第二環狀空間820S。藉此，第一環狀空間810S內的氣體與洗淨液的飛沫及霧氣係被導引至第二環狀空間820S的整體。
在此，收容構件820的第二環狀空間820S中之氣體的吸引力係隨著從形成於第二外壁構件822的第一開口822P遠離而變小。因此，如圖8及圖9所示，在飛散防止罩810的環狀板構件813中，較佳為彼此相鄰之連通孔814的間隔以隨著第一開口822P遠離而變小之方式形成。
在此情形中，無須於第二外壁構件822設置複數個吸引用開口，而可將第一環狀空間810S內的氣體與洗淨液的飛沫及霧氣大致均勻地導引至第二環狀空間820S的整體。結果，從基板W的全周飛散之洗淨液的飛沫及霧氣係被大致均勻地吸引至環狀開口810A。
(11)功效
於基板W的洗淨及乾燥處理時，以環狀開口810A與基板W的外周端部相對向之方式，藉由罩升降裝置830支撐飛散防止罩810。在環狀開口810A與基板W的外周端部相對向的狀態下，通過環狀開口810A、第一環狀空間810S、第二環狀空間820S以及排氣空間形成構件880，藉由排氣管892吸引包含基板W之內部空間的氣體。藉此，形成有從旋轉中的基板W的外周端部朝向環狀開口810A之氣體的流動。此時，由於通過基板W的外周端部與環狀開口810A之間朝向基板W的下方之氣體的流動被阻斷， 因此防止於內部空間產生亂流。
從旋轉中之基板W的外周端部朝外側飛散之洗淨液的飛沫及霧氣係隨著氣體一起從環狀開口810A被吸入至第一環狀空間810S，並通過第二環狀空間820S被導引至排液管891。
在此情形中，由於內部空間係被第一內壁構件811a及第二內壁構件821圍繞，因此防止被吸入至第一環狀空間810S之洗淨液的飛沫及霧氣返回至基板W的背面側的空間。再者，由於在飛散防止罩810的下部收容於收容構件820的狀態下飛散防止罩810係於上下方向移動，因此防止氣體與洗淨液的飛沫及霧氣從第一環狀空間810S與第二環狀空間820S之間的交界部分漏出至內部空間。結果，防止從基板W飛散的洗淨液再次附著至基板W的背面。
(12)其他實施形態
(12-1)在上述實施形態中，雖然洗淨乾燥處理單元SD1、SD2係具有下部自轉夾具400及上部自轉夾具600，但本發明並未限定於此。
例如洗淨乾燥處理單元SD1、SD2亦可僅具有下部自轉夾具400及上部自轉夾具600中的下部自轉夾具400。在此情形中，在洗淨乾燥處理單元SD1、SD2中，藉由第一背面洗淨機構510洗淨基板W的背面周緣部與外周緣部，並藉由表面洗淨機構540洗淨基板W的表面。
再者，洗淨乾燥處理單元SD1、SD2亦可僅具有下部自轉夾具400及上部自轉夾具600中的上部自轉夾具600。 在此情形中，在洗淨乾燥處理單元SD1、SD2中藉由第二背面洗淨機構520洗淨基板W的背面。
(12-2)在上述實施形態中，雖然於飛散防止罩810的環狀板構件813形成有複數個具有圓形狀之連通孔814，但本發明並未限定於此。各個連通孔814亦可形成為矩形狀或橢圓形狀以取代圓形狀。此外，亦可於環狀板構件813僅形成有一個連通孔814。
(12-3)在上述實施形態中，作為用以將處理液供給至基板W的表面之塗布處理單元129及顯像處理單元139的罩27、37，亦可使用圖8及圖9的飛散防止罩810。在此情形中，於塗布處理單元129及顯像處理單元139各者設置圖8及圖9的收容構件820及排氣空間形成構件880，藉此於塗布處理時及顯像處理時處理液不會附著至基板W的背面。因此，防止因起於處理液附著至基板W的背面導致發生處理不良。
(12-4)雖然上述實施形態的飛散防止罩810係主要具有第一內壁構件811a、內側上構件811b、第一外壁構件812a、外側上構件812b以及環狀板構件813彼此接合的構成，但本發明並未限定於此。
在飛散防止罩810中，第一內壁構件811a、內側上構件811b、第一外壁構件812a、外側上構件812b以及環狀板構件813中的一部分或全部亦可藉由一體形成來製作。
(13)請求項的各個構成要素與實施形態的各部分之間的對應關係
以下說明請求項的各個構成要素與實施形態的各個構成要素之間的對應的例子，但本發明並未限定於下述例子。
在上述實施形態中，下部自轉夾具400及上部自轉夾具600為基板保持裝置的例子，第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520以及表面洗淨機構540為處理液供給部的例子，飛散防止罩810為飛散防止構件的例子，收容構件820為收容構件的例子，罩升降裝置830為驅動裝置的例子，排氣管892為排氣系統的例子。
此外，第一內壁構件811a為第一內壁構件的例子，第一外壁構件812a為第一外壁構件的例子，第一環狀空間810S為第一環狀空間的例子，環狀板構件813為連結構件及環狀板構件的例子，外側上構件812b為外側上構件的例子，內側上構件811b為內側上構件的例子，環狀開口810A為環狀開口的例子。
此外，第二內壁構件821為第二內壁構件的例子，第二外壁構件822為第二外壁構件的例子，第二環狀空間820S為第二環狀空間的例子，底板823為底構件的例子，洗淨乾燥處理單元SD1、SD2以及基板處理裝置100為基板處理裝置的例子。
再者，複數個連通孔814為一個或複數個連通開口以及複數個連通孔的例子，排氣空間形成構件880為排氣空間形成構件的例子，排液管891為排液系統的例子，第一開口822P為第一開口的例子，第二開口882為第二開口的例子，排液口881為排液口的例子。
此外，吸附保持部430為吸附保持部的例子，自轉馬達410為第一旋轉驅動部的例子，自轉板612以及板支撐構件613為旋轉構件的例子，自轉馬達611為第二旋轉驅動部的例子，複數個夾具銷615為抵接保持部的例子。
以請求項的各個構成要素而言，亦可使用具有請求項所記載之構成或功能之其他各種構成要素。
[產業可利用性]
本發明係能有效地利用於各種基板處理。
810‧‧‧飛散防止罩
810A‧‧‧環狀開口
810S‧‧‧第一環狀空間
811a‧‧‧第一內壁構件
811b‧‧‧內側上構件
811e、812e‧‧‧上端部內緣
812a‧‧‧第一外壁構件
812b‧‧‧外側上構件
813‧‧‧環狀板構件
814‧‧‧連通孔
820‧‧‧收容構件
820S‧‧‧第二環狀空間
821‧‧‧第二內壁構件
822‧‧‧第二外壁構件
822P‧‧‧第一開口
823‧‧‧底板
880‧‧‧排氣空間形成構件
880S‧‧‧排氣空間
881‧‧‧排液口
882‧‧‧第二開口
885‧‧‧第一板構件
886‧‧‧第二板構件
887‧‧‧第三板構件

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：基板保持裝置，係一邊保持基板一邊使基板繞著鉛直軸旋轉；處理液供給部，係對被前述基板保持裝置保持之基板供給處理液；飛散防止構件，係以接住從旋轉中的基板朝周圍飛散的處理液之方式構成；收容構件，係收容前述飛散防止構件的下部；驅動裝置，係使前述飛散防止構件相對於前述收容構件相對性地於上下方向移動；以及排氣系統；前述飛散防止構件係包含有：第一內壁構件，係以圍繞被前述基板保持裝置保持的基板以及包含比前述基板還下方的區域的內部空間之方式設置；第一外壁構件，係以圍繞前述第一內壁構件的外側之方式設置；連結構件，係以於前述第一內壁構件與前述第一外壁構件之間形成有第一環狀空間之方式連結前述第一內壁構件與前述第一外壁構件；以及外側上構件，係以覆蓋前述第一環狀空間的上部之方式連接於前述第一外壁構件； 於前述第一內壁構件與前述外側上構件之間形成有可與被前述基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向之環狀開口；前述收容構件係包含有：第二內壁構件，係以圍繞前述內部空間之方式設置；第二外壁構件，係以圍繞前述第二內壁構件的外側之方式設置；以及底構件，係以於前述第二內壁構件與前述第二外壁構件之間形成有第二環狀空間之方式連結前述第二內壁構件與前述第二外壁構件；前述飛散防止構件的下部係以可於上下方向移動之方式收容於前述收容構件的前述第二環狀空間，從而連通前述飛散防止構件前述的第一環狀空間與前述第二環狀空間；前述排氣系統係以在前述環狀開口與被前述基板保持裝置保持之基板的外周端部相對向的狀態下通過前述環狀開口、前述第一環狀空間及前述第二環狀空間吸引前述內部空間的氣體並從前述第二環狀空間排出之方式設置。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述連結構件係包含有：環狀板構件，係連結前述第一內壁構件的下端與前述第一外壁構件的下端； 前述環狀板構件係具有：一個或複數個連通開口，係使前述第一環狀空間與前述第二環狀空間連通。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述一個或複數個連通開口係包含有：複數個連通孔，係分散地配置於周方向。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述排氣系統係以在前述收容構件的一部分中連通於前述第二環狀空間之方式設置；前述複數個連通孔係以彼此相鄰的連通孔的間隔隨著遠離前述收容構件的前述一部分而變小之方式配置。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：排氣空間形成構件，係以將接觸於前述第二外壁構件的外周面的部分區域之空間作為排氣空間予以圍繞之方式形成；以及排液系統；於前述第二外壁構件的前述部分區域設置有使前述第二環狀空間與前述排氣空間連通之第一開口；於前述排氣空間形成構件設置有使前述排氣空間與前述排氣系統連通之第二開口；前述第二開口係位於比前述第一開口還高的位置； 於前述收容構件的前述底構件設置有使前述第二環狀空間與前述排液系統連通之排液口。
  6. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述外側上構件係從前述第一外壁構件的上端朝外側及上方彎曲，並進一步朝內側彎曲而覆蓋前述第一環狀空間的上部，且形成前述環狀開口的上緣。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述飛散防止構件係進一步包含有：內側上構件，係從前述第一內壁構件朝外側及上方彎曲，並進一步朝內側彎曲而形成前述環狀開口的下緣。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述基板保持裝置係包含有：吸附保持部，係構成為可繞著前述鉛直軸旋轉，用以吸附基板的下表面中央部；以及第一旋轉驅動部，係使前述吸附保持部旋轉。
  9. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述基板保持裝置係包含有：旋轉構件，係構成為可繞著鉛直軸旋轉；第二旋轉驅動部，係使前述旋轉構件旋轉；以及抵接保持部，係配置於前述旋轉構件的下方，並抵接至基板的外周端部。
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