TWI789842B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI789842B
TWI789842B TW110127296A TW110127296A TWI789842B TW I789842 B TWI789842 B TW I789842B TW 110127296 A TW110127296 A TW 110127296A TW 110127296 A TW110127296 A TW 110127296A TW I789842 B TWI789842 B TW I789842B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
mounting table
nozzle
cooling
Prior art date
Application number
TW110127296A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202213486A (zh
Inventor
出村健介
松嶋大輔
神谷将也
Original Assignee
日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021113228A external-priority patent/JP7203158B2/ja
Application filed by 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 filed Critical 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW202213486A publication Critical patent/TW202213486A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI789842B publication Critical patent/TWI789842B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0405—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with reciprocating or oscillating spray heads
    • B05B13/041—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with reciprocating or oscillating spray heads with spray heads reciprocating along a straight line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0426—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with spray heads moved along a closed path
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Paper (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種可將基板之正面及背面依次洗淨之基板處理裝置。 實施形態之基板處理裝置具備：載置台，其呈大致圓板狀，於中央部分具有孔；輥，其與前述載置台之側面接觸，使前述載置台旋轉；複數個保持銷，其等設置於前述載置台，保持基板；第1液體噴嘴，其朝前述基板之與前述載置台側為相反側之第1面供給第1液體；第1驅動部，其使前述第1液體噴嘴之位置移動；第2液體噴嘴，其自前述載置台之前述孔朝前述基板之前述載置台側之第2面供給第2液體；第2驅動部，其使前述第2液體噴嘴之位置移動；冷卻噴嘴，其自前述載置台之前述孔朝前述第2面供給冷卻氣體；第3驅動部，其使前述冷卻噴嘴之位置移動；及控制器，其控制前述第1驅動部、前述第2驅動部、及前述第3驅動部。當要朝前述第2面供給前述冷卻氣體時，前述控制器控制前述第3驅動部，將前述冷卻噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第2驅動部，使前述第2液體噴嘴移動至前述第2液體噴嘴之退避位置。或者，當要朝前述第2面供給前述第2液體時，前述控制器控制前述第2驅動部，將前述第2液體噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第3驅動部，使前述冷卻噴嘴移動至前述冷卻噴嘴之退避位置。

Description

基板處理裝置
本發明之實施形態係關於一種基板處理裝置。
於壓印用模板、光微影術用遮罩基板、半導體晶圓等之基板之正面設置有細微之凹凸部。 此處，作為去除附著基板之正面之微粒等污染物之方法，業已知悉超音波洗淨法或雙流體噴霧洗淨法等。然而，若朝基板施加超音波，或朝基板之正面噴射流體，則有形成於基板之正面之細微之凹凸部破損之虞。又，近年來凹凸部之細微化日新月異，凹凸部更容易破損。
為此，作為去除附著基板之正面之污染物之裝置，曾提案凍結洗淨裝置(例如，參照專利文獻1)。 於如此之凍結洗淨裝置設置有：圓板狀構件，其吸附保持基板；純水供給噴嘴，其朝由圓板狀構件保持之基板之正面供給純水；及冷卻噴嘴，其朝圓板狀構件之於供保持基板之側為相反側之面供給冷卻媒體。該情形下，進行凍結洗淨的是被供給純水之基板之正面，不被供給純水之基板之背面不進行凍結洗淨。
近年來，謀求亦去除附著於基板之背面之微粒等污染物。該情形下，若於將基板之正面凍結洗淨之後，使基板反轉，將基板之背面凍結洗淨，則亦可去除附著於基板之背面之微粒等污染物。且說，若如上述般，則裝置之構成變複雜，且基板之洗淨所需之時間變長。 為此，期望開發可將基板之正面及背面依次洗淨之基板處理裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-31673號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明所欲解決之問題在於提供一種可將基板之正面及背面依次洗淨之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
實施形態之基板處理裝置具備：載置台，其呈大致圓板狀，於中央部分具有孔；輥，其與前述載置台之側面接觸，使前述載置台旋轉；複數個保持銷，其等設置於前述載置台，保持基板；第1液體噴嘴，其朝前述基板之與前述載置台側為相反側之第1面供給第1液體；第1驅動部，其使前述第1液體噴嘴之位置移動；第2液體噴嘴，其自前述載置台之前述孔朝前述基板之前述載置台側之第2面供給第2液體；第2驅動部，其使前述第2液體噴嘴之位置移動；冷卻噴嘴，其自前述載置台之前述孔朝前述第2面供給冷卻氣體；第3驅動部，其使前述冷卻噴嘴之位置移動；及控制器，其控制前述第1驅動部、前述第2驅動部、及前述第3驅動部。當要朝前述第2面供給前述冷卻氣體時，前述控制器控制前述第3驅動部，將前述冷卻噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第2驅動部，使前述第2液體噴嘴移動至前述第2液體噴嘴之退避位置。或者，當要朝前述第2面供給前述第2液體時下，前述控制器控制前述第2驅動部，將前述第2液體噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第3驅動部，使前述冷卻噴嘴移動至前述冷卻噴嘴之退避位置。 [發明之效果]
根據本發明之實施形態，提供一種可將基板之正面及背面依次洗淨之基板處理裝置。
以下，一面參照圖式，一面針對實施形態進行例示。此外，於各圖式中，對於同樣之構成組件賦予同一符號而適宜省略詳細之說明。 以下進行例示之基板100例如可設為用於半導體晶圓、壓印用模板、光微影術用遮罩基板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)之板狀體等。 惟，基板100之用途不限定於其等。
圖1係用於例示本實施形態之基板處理裝置1之示意圖。 如圖1所示，於基板處理裝置1設置有：載置部2、冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、殼體6、送風部7、排氣部8、及控制器9。
載置部2具有載置台21、保持銷22、升降部23、及旋轉部24。 載置台21於殼體6之內部可旋轉地設置。載置台21例如呈大致圓板狀，側面21c成為錐形面。於載置台21之中央部分設置有貫通載置台21之厚度方向之孔21a。
又，設置有貫通載置台21之厚度方向之複數個孔21b。例如，複數個孔21b可沿基板100之周緣設置。例如，於基板100之平面形狀為圓之情形下，可於以基板100之中心為中心之圓周上等間隔設置複數個孔21b。例如，於基板100之平面形狀為四角形之情形下，可於基板100之角部之附近設置孔21b。
複數個孔21b可設為基板100側之開口直徑大於與基板100側為相反側之開口直徑之凸肩孔。於孔21b之內部，保持銷22可移動地設置。
保持銷22設置有複數個，可與基板100之側面100a、及基板100之背面100b(相當於第2面之一例)之緣接觸。亦即，複數個保持銷22設置於載置台21，且保持基板100。於使複數個保持銷22保持基板100時，基板100之正面100c(相當於第1面之一例)朝向與載置台21側為相反之方。
保持銷22呈柱狀，可具有導引部22a、支持部22b、保持部22c、及緩衝部22d。導引部22a、支持部22b、及保持部22c可一體地形成。導引部22a、支持部22b、及保持部22c例如可包含不銹鋼等金屬。
導引部22a呈圓柱狀，可設置於孔21b之內部。於導引部22a、與孔21b之與基板100側為相反側之部分之內壁之間設置略微的間隙，導引部22a(保持銷22)可沿孔21b移動。
支持部22b呈圓柱狀，可設置於導引部22a之一端部。支持部22b之直徑尺寸可大於導引部22a之直徑尺寸。支持部22b之與導引部22a側為相反側之端部成為錐形面。若支持部22b之端部成為錐形面，則保持銷22容易與基板100之背面100b之緣接觸，且不與基板100之背面100b接觸。
保持部22c呈圓柱狀，可設置於支持部22b之與導引部22a側為相反側之端部。保持部22c之直徑尺寸可小於支持部22b之直徑尺寸。保持部22c之前端成為錐形面。若保持部22c之前端成為錐形面，則容易朝設置有複數個保持銷22之區域自上方插入基板100。
緩衝部22d呈圓柱狀，設置於導引部22a之與支持部22b側為相反側之端部。緩衝部22d之前端例如可設為半球狀。緩衝部22d例如可包含矽橡膠等彈性體。緩衝部22d例如可接著於導引部22a之端部。
於將保持銷22安裝於孔21b之內部時，支持部22b之導引部22a側之端部與孔21b之凸肩部分之底面接觸。因此，複數個保持銷22相對於載置台21之位置、甚至基板100相對於載置台21之位置成為大致一定。又，由於複數個保持銷22(保持部22c)與基板100之側面100a接觸，故於基板100旋轉時，可藉由離心力來抑制基板100之位置偏移。
升降部23可具有推桿23a、及驅動部23b。 推桿23a可設置於殼體6之內部。推桿23a可設置於與複數個保持銷22對向之位置。推桿23a例如可設為平面形狀為環狀之板狀體。如前述般，複數個保持銷22之配置相應於基板100之平面形狀及平面尺寸而變更。因此，推桿23a之平面形狀及平面尺寸可相應於基板100之平面形狀及平面尺寸(複數個保持銷22之配置)而變更。例如，於基板100之平面形狀為圓之情形下，推桿23a之平面形狀可設為圓環狀。例如，於基板100之平面形狀為四角形之情形下，推桿23a之平面形狀可設為四角形之環狀。
驅動部23b可設置於殼體6之外部。驅動部23b使升降方向之推桿23a之位置移動。驅動部23b只要為可使推桿23a升降者，則無特別限定。驅動部23b例如可設為具備氣缸或伺服馬達等機器與導引機構等者。
例如，當於未圖示之搬送裝置與載置部2之間進行基板100之交接時，如後述之圖5所示，藉由驅動部23b使推桿23a上升。若推桿23a上升，則藉由推桿23a，將複數個保持銷22舉起，基板100與載置台21之間之距離變大。若基板100與載置台21之間之距離變大，則未圖示之搬送裝置與載置部2之間之基板100之交接為容易。
例如，於為了進行後述之凍結洗淨等，使基板100旋轉時，藉由驅動部23b使推桿23a下降。若推桿23a下降，則複數個保持銷22下降，基板100被保持於載置台21之上之特定位置。此時，如圖1所示，於保持銷22與推桿23a之間設置特定間隙。因此，於載置台21(基板100)旋轉時，保持銷22與推桿23a不會干涉。
旋轉部24以載置台21之中心軸為中心地使載置台21旋轉。如前述般，基板100由設置於載置台21之複數個保持銷22保持。因此，旋轉部24經由載置台21及複數個保持銷22使基板100旋轉。由於如此可使基板100間接旋轉，故可抑制於基板100之側面等產生擦刮等損傷。又，僅憑藉變更複數個保持銷22之數量及配置，便可對應於平面形狀或平面尺寸不同之各種基板100。又，旋轉部24支持載置台21。
旋轉部24具有輥24a、驅動部24b、及支持部24c。 輥24a與載置台21之側面21c接觸，使載置台21旋轉。例如，輥24a可於以載置台21之中心軸為中心之圓周上設置複數個。例如，複數個輥24a可等間隔地設置。輥24a例如可具有側面之中央附近凹入之形狀(例如鼓狀)。輥24a之側面之形狀可與載置台21之側面21c之形狀適合。由於如此可增大輥24a之側面與載置台21之側面21c之接觸部分，故可有效地將輥24a之旋轉力傳遞至載置台21。
驅動部24b可設置於殼體6之外部。驅動部24b可與複數個輥24a中之1個連接。該情形下，可將連接有驅動部24b之輥24a設為驅動輥，將另一輥24a設為導引輥。又，亦可藉由正時皮帶等傳導構件將連接有驅動部24b之輥24a、與另一輥24a之至少一部分連結。驅動部24b可具有馬達等旋轉機器。驅動部24b不僅進行旋轉之開始與旋轉之停止，亦可使轉速(旋轉速度)變化。驅動部24b例如可設為具備伺服馬達等控制馬達者。另一輥24a可旋轉地由支持部24c支持。
支持部24c係將輥24a支持為可旋轉之構件。例如，為於一端部安裝有凸緣之圓柱。安裝有凸緣之支持部24c之一端部固定於殼體6。支持部24c之另一端部以輥24a之旋轉軸與支持部24c之中心軸一致之方式與輥24a之下表面連接。支持部24c之材質例如可設為SUS或鋁等金屬。然而，不限定於該等材質。若具備不會因載置台21之荷重而折斷之強度，則可利用樹脂或陶瓷等。
於支持部24c與輥24a一起旋轉之情形下，支持部24c之一端部與凸緣可旋轉地連接。例如，經由滾珠軸承與凸緣連接。於支持部24c不與輥24a一起旋轉之情形下，支持部24c之另一端部與輥24a之下表面可旋轉地連接。例如，經由滾珠軸承與輥24a之下表面連接。 藉由輥24a可旋轉地由驅動部及支持部24c支持，而輥24a可將載置台21支持為可旋轉。即，旋轉部24經由輥24a將載置台21支持為可旋轉。
圖2係用於例示冷卻部3、第1液體供給部4、及第2液體供給部5之構成與配置之示意俯視圖。 冷卻部3朝基板100之背面100b直接供給冷卻氣體3a。 如圖1及圖2所示，冷卻部3具有：冷卻液部31、過濾器32、流量控制部33、冷卻噴嘴34、驅動部35(相當於第3驅動部之一例)、及配管36。冷卻液部31、過濾器32、及流量控制部33設置於殼體6之外部。
冷卻液部31進行冷卻液之收納、及冷卻氣體3a之產生。冷卻液係將冷卻氣體3a液化而成者。冷卻氣體3a只要為難以與基板100之材料反應之氣體，則無特別限定。冷卻氣體3a例如可設為氮氣、氦氣、氬氣等惰性氣體。該情形下，若利用高比熱之氣體，則可縮短基板100之冷卻時間。例如，若利用氦氣，則可縮短基板100之冷卻時間。又，若利用氮氣，則可降低基板100之處理費用。
冷卻液部31具有：收納冷卻液之槽、及使收納於槽之冷卻液氣化之氣化部。於槽設置有用於維持冷卻液之溫度之冷卻裝置。氣化部使冷卻液之溫度上升，自冷卻液產生冷卻氣體3a。冷卻氣體3a之溫度只要為可將液體101(相當於第1液體之一例)冷卻至凝固點以下之溫度而設為過冷卻狀態之程度之溫度即可。例如，冷卻氣體3a之溫度只要為液體101之凝固點以下之溫度即可。例如，冷卻氣體3a之溫度可設為-170℃。
過濾器32經由配管連接於冷卻液部31。過濾器32抑制冷卻液中包含之微粒等污染物朝基板100側流出。
流量控制部33經由配管連接於過濾器32。流量控制部33控制冷卻氣體3a之流量。於冷卻液部31中自冷卻液產生之冷卻氣體3a之溫度大致成為特定溫度。因此，流量控制部33藉由控制冷卻氣體3a之流量，而可控制基板100之溫度、甚至基板100之上之液體101之溫度。
流量控制部33例如可設為MFC(Mass Flow Controller，質流控制器)等。又，流量控制部33可為藉由控制冷卻氣體3a之供給壓力，而間接控制冷卻氣體3a之流量者。該情形下，流量控制部33例如可設為APC(Auto Pressure Controller，壓力自動控制器)等。
冷卻噴嘴34自載置台21之孔21a朝基板100之背面100b供給冷卻氣體3a。冷卻噴嘴34之一端部經由配管36連接於流量控制部33。冷卻噴嘴34將流量受流量控制部33控制後之冷卻氣體3a直接供給至基板100之背面100b。
冷卻噴嘴34呈筒狀，具有內徑隨著朝向基板100之側而漸增之錐形形狀。冷卻噴嘴34例如可設為呈漏斗狀者。該情形下，若過於增大冷卻噴嘴34之錐形部分之角度θ，則冷卻氣體3a之流動自錐形部分之內壁離開，產生紊流。若產生紊流，則捲入位於基板100與載置台21之間之空氣，有冷卻氣體3a之溫度上升、或於基板100之溫度產生面內分佈之虞。另一方面，若過度減小冷卻噴嘴34之錐形部分之角度θ，則基板100之背面100b被局部冷卻，容易於基板100之溫度產生面內分佈。根據本發明者得到之見解，冷卻噴嘴34之錐形部分之角度θ較佳為設為大於0ﾟ、8ﾟ以下。
驅動部35使冷卻噴嘴34相對於基板100之位置移動。如圖2所示，例如，驅動部35可設為多關節機器人等。惟，驅動部35不限定於多關節機器人，只要為可將冷卻噴嘴34於基板100之下方在供給冷卻氣體3a供給之位置、與基板100之外側之退避位置之間移動者即可。
配管36係以熱傳導性良好之材質形成之配管。配管36例如包含SUS或銅等金屬。又，配管36成為配管之一部分成為波紋之形狀。配管36連接於驅動部35。配管36由於配管之一部分成為波紋形狀，故可追隨驅動部35之動作。此外，配管36可由絕熱材覆蓋。
第1液體供給部4朝基板100之正面100c(與載置台21側為相反側之面)供給液體101。液體101例如可設為水(例如，純水或超純水等)、或以水為主成分之液體等。以水為主成分之液體例如可設為水與乙醇之混合液、水與酸性溶液之混合液、水與鹼性溶液之混合液等。該情形下，若水以外之成分過多，則難以利用後述之伴隨著體積增加之物理力。因此，水以外之成分之濃度較佳為設為5 wt%以上、30 wt%以下。又，亦可於液體101中溶解氣體。氣體例如可設為碳酸氣、臭氧氣體、氫氣等。液體101之溫度例如可設為常溫(20℃)左右。
如圖1所示，第1液體供給部4具有：液體收納部41、供給部42、流量控制部43、液體噴嘴44(相當於第1液體噴嘴之一例)、驅動部45、及配管46。液體收納部41、供給部42、及流量控制部43可設置於殼體6之外部。
液體收納部41收納液體101。 供給部42經由配管46連接於液體收納部41。供給部42朝向液體噴嘴44供給被收納於液體收納部41之液體101。 流量控制部43經由配管連接於供給部42。流量控制部43控制由供給部42供給之液體101之流量。流量控制部43例如可設為流量控制閥。又，流量控制部43亦可進行液體101之供給之開始與供給之停止。
液體噴嘴44設置於殼體6之內部。液體噴嘴44朝基板100之正面100c供給液體101。液體噴嘴44呈筒狀。液體噴嘴44之一端部經由配管連接於流量控制部43。於朝基板100之正面100c供給液體101時，液體噴嘴44之另一端部與載置於載置台21之基板100之正面100c相對。該情形下，液體噴嘴44之另一端部(液體101之噴出口)可與基板100之正面100c之大致中央相對。
驅動部45使液體噴嘴44相對於基板100之位置移動。如圖2所示，例如，驅動部45可設為多關節機器人等。惟，驅動部45不限定於多關節機器人，只要為可將液體噴嘴44於基板100之上方在供給液體101之位置、與基板100之外側之退避位置之間移動者即可。
配管46係撓性之配管。配管46例如係包含樹脂之導管。例如，可設為PU(聚氨酯)、耐隆、PVC(聚氯乙烯)、PP(聚丙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、CTFE(三氟氯乙烯)或聚烯烴等。配管46以追隨驅動部45之動作之方式連接於驅動部45。
第2液體供給部5朝基板100之背面100b供給液體102(相當於第2液體之一例)。液體102於後述之背面洗淨步驟中利用。因此，液體102只要為難以與基板100之材料反應、且於後述之乾燥步驟中難以殘留於基板100者，則無特別限定。液體102例如可設為水(例如，純水或超純水等)、或水與乙醇之混合液等。液體102之溫度例如可設為常溫(20℃)左右。
如圖1所示，第2液體供給部5具有：液體收納部51、供給部52、流量控制部53、液體噴嘴54(相當於第2液體噴嘴之一例)、驅動部55(相當於第2驅動部之一例)、及配管56。 液體收納部51可設為與前述之液體收納部41同樣。供給部52可設為與前述之供給部42同樣。流量控制部53可設為與前述之流量控制部43同樣。液體噴嘴54可設為與前述之液體噴嘴44同樣。惟，液體噴嘴54自載置台21之孔21a朝基板100之背面100b供給液體102。
驅動部55使液體噴嘴54相對於基板100之位置移動。如圖2所示，例如，驅動部55可設為多關節機器人等。惟，驅動部55不限定於多關節機器人，只要為可將液體噴嘴54於基板100之下方在供給液體102之位置、與基板100之外側之退避位置之間移動者即可。
此外，於液體102與液體101相同之情形下，例如，省略液體收納部51、供給部52、及流量控制部53，只要經由切換閥將流量控制部43與液體噴嘴54連接即可。
此處，如後述般，於將基板100之正面100c凍結洗淨時，執行預備步驟、液膜之形成步驟、冷卻步驟、及解凍步驟。又，於該凍結洗淨之後，執行基板100之背面100b之洗淨步驟。又，於基板100之背面100b之洗淨之後執行乾燥步驟。此外，亦可於基板100之背面100b之洗淨之後，將基板100之正面100c凍結洗淨。又，進而，執行將洗淨前之基板100交接至載置部2之搬入步驟、及自載置部2接收完成洗淨之基板100之搬出步驟。
該情形下，必須將冷卻噴嘴34、液體噴嘴44、及液體噴嘴54相應於該等步驟之內容而配置於適切之位置。因此，如前述般，將冷卻噴嘴34設為可藉由驅動部35而移動，將液體噴嘴44設為可藉由驅動部45而移動，將液體噴嘴54設為可藉由驅動部55而移動。此外，與各步驟之內容及各步驟之噴嘴之配置相關之詳細之說明於後文描述。
殼體6呈箱狀。可於殼體6之內部設置罩61。罩61承接因基板100旋轉而被排出至基板100外側之液體101與液體102。若設置罩61，則可有效地進行液體101與液體102之捕集。可於殼體6之底面，設置用於將所捕集之液體101與液體102朝殼體6之外部排出之排水管63。
送風部7設置於殼體6之頂面。此外，送風部7亦可設置於殼體6之頂側之側面。送風部7可設為具備風扇等送風機及過濾器者。若設置送風部7，則殼體6之內部之壓力會高於外部之壓力。其結果，容易將使用過之冷卻氣體3a導引至排出口62。又，可抑制微粒等污染物侵入殼體6之內部。
排氣部8連接於設置於殼體6之底面側之排出口62。排氣部8將使用過之冷卻氣體3a、與自送風部7供給之空氣自排出口62朝殼體6之外部排出。排氣部8例如可設為鼓風機等。
控制器9控制設置於基板處理裝置1之各組件之動作。控制器9例如可具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算元件、及半導體記憶體等記憶元件。控制器9例如可設為電腦。可於記憶元件儲存控制設置於基板處理裝置1之各組件之動作之控制程式。運算元件使用儲存於記憶元件之控制程式、由操作者輸入之資料等，控制設置於基板處理裝置1之各組件之動作。
例如，液體101之冷卻速度與液膜之厚度存在相關關係。例如，液膜之厚度越薄，液體101之冷卻速度越快。相反，液膜之厚度越厚，液體101之冷卻速度越慢。因此，控制器9可基於液體101之厚度(液膜之厚度)控制冷卻部3，而控制冷卻氣體3a之流量、乃至液體101之冷卻速度。該情形下，液體101之冷卻速度與液膜之厚度之相關關係可藉由預先進行實驗或模擬而求得。
其次，針對基板處理裝置1之作用進行例示。 圖3係用於例示基板處理裝置1之作用之時序圖。 圖4係用於例示凍結洗淨步驟(正面洗淨步驟)、背面洗淨步驟、及乾燥步驟之溫度變化之圖。 此外，圖3及圖4係基板100為6025石英(Qz)基板(152 mm×152 mm×6.35 mm)、液體101及液體102為純水之情形。 圖5係用於例示進行搬入步驟、及搬出步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖6係用於例示進行凍結洗淨步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖7係用於例示進行背面洗淨步驟之噴嘴之配置之示意圖。 圖8係用於例示進行乾燥步驟時之噴嘴之配置之示意圖。
首先，經由殼體6之未圖示之搬入搬出口將基板100搬入至殼體6之內部。於搬入步驟中，如圖5所示般，控制器9控制驅動部23b，使推桿23a上升。由於若推桿23a上升，則將複數個保持銷22舉起，故基板100向複數個保持銷22之載置位置、與載置台21之間之距離變大。因此，容易進行未圖示之搬送裝置與載置部2之間之基板100之交接。
繼而，控制器9控制驅動部23b，使推桿23a下降。若推桿23a下降，則複數個保持銷22下降，將基板100保持於載置台21之上方之特定位置。
其次，如圖6所示，控制器9控制驅動部45，將液體噴嘴44配置於基板100之正面100c之大致中心之上方。又，控制器9控制驅動部35，將冷卻噴嘴34配置於基板100之背面100b之大致中心之下方。如圖6所示，設置有冷卻噴嘴34之部分之尺寸L2小於保持銷22與升降部23之間之間隙尺寸L1。因此，冷卻噴嘴34可通過保持銷22與升降部23之間之間隙。
繼而，如圖3所示般進行包含預備步驟、液膜之形成步驟、冷卻步驟、及解凍步驟之凍結洗淨步驟。
首先，如圖3及圖4所示般執行預備步驟。於預備步驟中，控制器9控制供給部42及流量控制部43，朝基板100之正面100c供給特定流量之液體101。又，控制器9控制流量控制部33，朝基板100之背面100b供給特定流量之冷卻氣體3a。又，控制器9控制驅動部24b，使基板100以特定轉速旋轉。
此時，控制器9可控制驅動部45，使供液體101噴出之液體噴嘴44沿基板100之正面100c擺動。由於如此可朝基板100之正面100c之更寬廣之區域供給液體101，故容易形成均一之厚度之液膜。
又，控制器9可控制驅動部35，使冷卻氣體3a噴出之冷卻噴嘴34沿基板100之背面100b擺動。由於如此可朝基板100之背面100b之更寬廣之區域供給冷卻氣體3a，故可更均一地冷卻基板100，甚至可於基板100之正面100c之更寬廣之區域中均一地冷卻液體101。
此外，於藉由冷卻氣體3a之供給，將殼體6之內部之氣氛冷卻時，氣氛中之包含灰塵之霜附著於基板100，有可能成為污染之原因。於預備步驟中，由於朝基板100之正面100c持續供給液體101，故可均一地冷卻基板100，且防止霜向基板100之正面100c之附著。
例如，於圖3所例示者之情形下，可將第2轉速設為20 rpm~500 rpm左右，將液體101之流量設為0.1 L/min~1.0 L/min左右，將冷卻氣體3a之流量設為40 NL/min~200 NL/min左右，將預備步驟之步驟時間設為1800秒左右。此外，預備步驟之步驟時間只要為基板100之面內溫度成為大致均一之時間即可，藉由進行實驗或模擬而適宜決定。
預備步驟之液膜之溫度由於液體101為流動狀態，故與所供給之液體101之溫度成為大致相同。例如，於所供給之液體101之溫度為常溫(20℃)左右之情形下，液膜之溫度成為常溫(20℃)左右。
其次，如圖3及圖4所示般執行液膜之形成步驟。液膜之形成步驟之基板100之轉速設為液膜成為獲得高去除率之特定厚度之轉速(第1轉速)。例如，第1轉速為0 rpm~100 rpm。即，控制器9以較預備步驟時之轉速為小之轉速使基板100旋轉。而後，如圖4所例示般，停止於預備步驟中供給之液體101之供給。第1轉速只要為可抑制液膜之厚度因離心力而不均之轉速即可。此外，於液膜之形成步驟之間，冷卻氣體3a之流量被維持為與預備步驟相同之供給量。藉此，可維持將基板100之面內溫度設為大致均一之狀態。
此外，可自預備步驟起設為第1轉速。該情形下，於液膜形成步驟中，只要維持與預備步驟相同之轉速即可。又，可將第2轉速設為第1轉速以下之轉速。
又，於自預備步驟移至液膜之形成步驟時，可於停止液體101之供給之後，藉由以高速使基板100旋轉，而排出於預備步驟中供給之液體101。該情形下，只要於液體101之排出後，在使基板100之轉速為維持均一之厚度之液膜之程度之轉速(50 rpm)以下、或在使基板100之旋轉停止之後，朝基板100供給特定量之液體101即可。如此，可容易形成具有特定厚度之液膜。
例如，進行冷卻步驟時之液膜之厚度可設為30 μm~1300 μm左右。該情形下，控制器9控制液體101之供給量及基板100之轉速，將位於基板100之正面100c之上之液膜之厚度設為30 μm~1300 μm左右。
其次，如圖3及圖4所示般執行冷卻步驟。此外，於本實施形態中，冷卻步驟中，將至成為過冷卻狀態之液體101之凍結開始前之間稱為「過冷卻步驟」，將過冷卻狀態之液體101之凍結開始且至凍結完全完成前之間稱為「凍結步驟(固液相)」，將至凍結之液體101進一步冷卻產生裂紋為止之間稱為「凍結步驟(固相)」。於過冷卻步驟中，在基板100之正面100c僅存在液體101。於凍結步驟(固液相)中，於基板100之正面100c存在液體101與液體101凍結而成者。於凍結步驟(固相)中，於基板100之正面100c僅存在液體101凍結而成者。 此外，固液相意指液體101與液體101凍結而成者同時存在之狀態。
首先，於過冷卻步驟中，藉由朝基板100之背面100b持續供給之冷卻氣體3a，而基板100上之液膜之溫度較液膜之形成步驟之液膜之溫度進一步降低，成為過冷卻狀態。
此處，若液體101之冷卻速度變得過快，則液體101立即凍結，而不成為過冷卻狀態。因此，控制器9藉由控制基板100之轉速、冷卻氣體3a之流量、及液體101之供給量之至少任一者，而基板100之正面100c之液體101成為過冷卻狀態。
液體101成為過冷卻狀態之控制條件受基板100之大小、液體101之黏度、冷卻氣體3a之比熱等影響。因此，液體101成為過冷卻狀態之控制條件較佳為藉由進行實驗或模擬而適宜決定。
於過冷卻狀態下，例如，因液膜之溫度、微粒等污染物之存在、振動等，而液體101之凍結開始。例如，於存在微粒等污染物之情形下，於液體101之溫度T成為-35℃以上、-20℃以下時，液體101之凍結開始。
於過冷卻狀態之液體101之凍結開始時，自過冷卻步驟移至凍結步驟(固液相)。於凍結步驟(固液相)中，在基板100之正面100c存在液體101與液體101凍結而成者。如前述般，於過冷卻狀態之液體101中，有污染物成為凍結開始之起點之情形，認為污染物被擷取入固體。且，認為藉由伴隨著液體101變化成固體時之體積變化之壓力波、及伴隨著體積增加之物理力等，將附著於基板100之正面100c之污染物分離。因此，認為將污染物擷取入固體，或藉由在液體101之一部分凍結時產生之壓力波及物理力等，將附著於基板100之正面100c之污染物分離，而進行洗淨。
於基板100之正面100c之液膜完全凍結時，自凍結步驟(固液相)移至凍結步驟(固相)。於凍結步驟(固相)中，基板100之正面100c之凍結膜之溫度進一步降低。此處，於液體101中主要包含水。因此，基板100之正面100c之液膜完全凍結而形成凍結膜，若凍結膜之溫度進一步降低，則凍結膜之體積縮小，於凍結膜產生應力。
該情形下，例如，於凍結膜之溫度成為-50℃以下時，於凍結膜產生裂紋。若於凍結膜產生裂紋，則附著於基板100之正面100c之污染物容易進一步自基板100之正面100c分離。
其次，於在凍結膜產生裂紋之後，如圖3及圖4所示般執行解凍步驟。裂紋之產生例如可藉由未圖示之感測器檢測出。此外，於圖3及圖4中進行例示的是藉由第1液體供給部4供給液體101並進行凍結膜之解凍之情形。因此，控制器9控制供給部42及流量控制部43，朝基板100之正面100c供給特定流量之液體101。
又，控制器9控制流量控制部33，使冷卻氣體3a之供給停止。又，控制器9控制驅動部24b，將基板100之轉速設為第3轉速。第3轉速例如為200 rpm~700 rpm。若基板100之旋轉變快，則可以離心力甩掉液體101。因此，可自基板100之正面100c排出液體101。此時，自基板100之正面100c分離之污染物亦與液體101一起被排出。 此外，液體101之供給量只要可進行解凍，則無特別限定。又，基板100之轉速只要可排出液體101及污染物，則無特別限定。
其次，如圖3及圖4所示，執行背面洗淨步驟。 於背面洗淨步驟中，如圖7所示般，控制器9控制驅動部45，使液體噴嘴44移動至基板100之外側之退避位置。控制器9控制驅動部35，使冷卻噴嘴34移動至基板100之外側之退避位置。而後，控制器9控制驅動部55，將液體噴嘴54配置於基板100之背面100b之大致中心之下方。
繼而，如圖3所示，控制器9控制供給部52及流量控制部53，朝基板100之背面100b供給特定流量之液體102。又，控制器9控制驅動部24b，使基板100以特定轉速旋轉。
此時，控制器9可控制驅動部55，使供液體102噴出之液體噴嘴54沿基板100之背面100b擺動。由於如此可朝基板100之背面100b之更寬廣之區域供給液體102，故可將基板100之背面100b更均一地洗淨。
此外，作為一例，將液體102之流量設為0.1 L/min~1.0 L/min左右，將基板100之轉速設為20 rpm~500 rpm左右，但不限定於其等。液體102之流量、基板100之轉速、及洗淨時間等可相應於基板100之大小、基板100之背面100b之污染之程度、液體102之成分等適宜變更。
其次，如圖3及圖4所示，執行乾燥步驟。 於乾燥步驟中，控制器9控制供給部52及流量控制部53，使液體102之供給停止。繼而，如圖8所示，控制器9控制驅動部55，使液體噴嘴54移動至基板100之外側之退避位置。
而後，控制器9控制驅動部24b，使基板100之轉速增加至較第3轉速為快之第4轉速。若基板100之旋轉變快，則可迅速進行基板100之乾燥。此外，基板100之轉速只要可實現乾燥，則無特別限定。
其次，乾燥步驟結束後之基板100藉由未圖示之搬送裝置經由殼體6之未圖示之搬入搬出口而被搬出至殼體6之外部。於搬出步驟中，如圖5所示般，控制器9控制驅動部23b，使推桿23a上升。由於若推桿23a上升，則經由複數個保持銷22，將基板100舉起，故基板100與載置台21之間之距離變大。因此，容易進行未圖示之搬送裝置與載置部2之間之基板100之交接。
藉此，可將基板100之正面100c與基板100之背面100b一次洗淨。此外，正面100c之洗淨及背面100b之洗淨可分別進行複數次。該情形下，正面100c之洗淨次數、與背面100b之洗淨次數可相同，亦可不同。又，亦可將前述之一些列之步驟進行複數次。
如以上所說明般，於朝基板100之背面100b供給冷卻氣體3a之情形下，控制器9可控制驅動部35，將冷卻噴嘴34配置於基板100之背面100b之下方，且控制驅動部55，使液體噴嘴54移動至液體噴嘴54之退避位置。 又，於朝基板100之背面100b供給液體102之情形下，控制器9可控制驅動部55，將液體噴嘴54配置於基板100之背面100b之下方，且控制驅動部35，使冷卻噴嘴34移動至冷卻噴嘴34之退避位置。
於朝基板100之背面100b供給冷卻氣體3a之情形下，控制器9可控制驅動部45，將液體噴嘴44配置於基板100之正面100c之上方。 該情形下，控制器9可控制驅動部45，使配置於基板100之正面100c之上方且噴出液體101之液體噴嘴44沿基板100之正面100c擺動。
又，於朝基板100之背面100b供給冷卻氣體3a之情形下，控制器9可控制驅動部35，使噴出冷卻氣體3a之冷卻噴嘴34沿基板100之背面100b擺動。
又，於朝基板100之背面100b供給液體102之情形下，控制器9可控制驅動部55，使噴出液體102之液體噴嘴54沿基板100之背面100b擺動。
圖9係用於例示另一實施形態之基板處理裝置1a之示意剖視圖。 於基板處理裝置1a設置有載置部202、冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、殼體6、送風部7、排氣部8、及控制器9。 此外，為了避免變繁雜，而於圖9中，適宜省略冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、送風部7、排氣部8、及控制器9等而描繪。 圖10(a)係載置部202之示意俯視圖。 圖10(b)係另一實施形態之保持銷罩26a之示意俯視圖。
如圖9、及圖10(a)所示，載置部202具有載置台21、保持銷222、升降部223、旋轉部24、輥罩25、及保持銷罩26。 被供給至基板100之液體101、102自載置台21之上表面、或開口21a流經載置台21之下表面，且自載置台21之周緣朝外部排出。且說，於載置台21之周緣設置旋轉部24，以貫通載置台21之正面與背面之方式設置有支持部22。因此，有於輥24a、支持部24c及支持部22之至少任一者附著液體101、102之虞。有藉由自冷卻部3供給之冷卻氣體3a、或由冷卻氣體3a冷卻之載置台21，而附著於輥24a、支持部24c及支持部22之至少任一者之液體101、102凍結之情形。或，有位於載置台21之上表面或下表面之液體101、102凍結，且自載置台21之上表面或下表面剝離，而與輥24a、支持部24c及支持部22之至少任一者碰撞之情形。
為此，以液體101、102不與旋轉部24之輥24a、支持部24c、及保持銷22接觸之方式，於載置部202設置有輥罩25。
如圖9所示，輥罩25例如具有上部輥罩25a、及下部輥罩25b。 上部輥罩25a係用於覆蓋載置台21之上表面之周緣附近、輥24a之上表面、及輥24a之載置台21側之構件。上部輥罩25a設置於載置台21之上表面。上部輥罩25a例如係於一端部具有凸緣之圓柱形狀。上部輥罩25a之圓柱形狀之部分之直徑為了防止與輥24a之接觸，而小於載置台21之直徑。上部輥罩25a之另一端部與載置台21接觸。又，可於上部輥罩25a設置與載置台21之開口21a對應之開口。該開口只要設為與開口21a相同之形狀、相同之大小即可。又，可設置供保持銷222之導引部22a與支持部22b插入之孔。此外，保持銷222設置為貫通上部輥罩25a及載置台21。因此，與保持部22比較，導引部22a之長度更長。
上部輥罩25a例如可包含不銹鋼等金屬。 又，可以疏液材料對供保持銷222之導引部22a與支持部22b插入之孔之內部予以塗佈。藉此，即便附著於保持銷222之液體101、102凍結，保持銷222亦容易自上部輥罩25a剝離。 上部輥罩25a可利用螺釘等緊固構件而固定於載置台21，亦可與載置台21一體地形成。
如前述般，有液體101、102自載置台21之開口21a流向載置台21之下表面，且液體101、102自載置台21之下表面之周緣附近附著於輥24a或支持部24c之虞。下部輥罩25b具有防止液體101、102向輥24a及支持部24c之附著之作用。
下部輥罩25b例如為圓筒形狀，覆蓋載置台21之下表面之周緣附近、輥24a之載置台21側、及支持部24c之載置台21側。 下部輥罩25b設置於載置台21之下表面之周緣附近。下部輥罩25b之直徑為了防止與輥24a之接觸，而小於載置台21之直徑。 下部輥罩25b之下端(與載置台21側為相反側之端部)較佳為位於較輥24a之下端靠下方。更佳為，位於較支持部24c之下端靠下方。
下部輥罩25b例如可包含不銹鋼等金屬。 下部輥罩25b可利用螺釘等緊固構件而固定於載置台21，亦可與載置台21一體地形成。
若設置輥罩25，則可於載置台21之周緣附近、輥24a、及支持部24c中，抑制液體101、102之凍結產生。因此，藉由液體101、102之凍結，而可防止妨礙載置台21之旋轉。
如前述般，有液體101、102自載置台21之開口21a流向載置台21之下表面之虞。又，以貫通載置台21及上部輥罩25a之方式，將保持銷222設置於上部輥罩25a。因此，於導引部22a中，若液體101、102凍結，則有無法進行保持銷222之升降之虞。為此，於載置部202設置有保持銷罩26。
保持銷罩26設置於載置台21之下表面之保持銷222之附近。保持銷罩26可設置於下部輥罩25b之內側。保持銷罩26覆蓋自載置台21之下表面突出之導引部22a之側面。保持銷罩26呈筒狀，可就每一保持銷222設置(參照圖10(b))。 又，保持銷罩26可設置為覆蓋複數個保持銷222。例如，如圖10(a)所示，保持銷罩26由於覆蓋相鄰之2個保持銷222之導引部22a之側面，故呈具有如圓與圓重疊之剖面之筒狀。 又，保持銷罩26可具有：設置於複數個保持銷222之內側之四角之環狀凸部、及設置於複數個保持銷222之外側之四角之環狀凸部。 例如，設置於複數個保持銷222之內側之環狀凸部沿載置台21之開口21a設置。又，設置於複數個保持銷222之外側之環狀凸部係與設置於複數個保持銷222之內側之環狀凸部相似形狀之環狀凸部，設置為自外側包圍複數個保持銷222。 又，如圖10(b)所示，保持銷罩26a亦可就相鄰之2個保持銷222之每一者設置，使保持銷罩26a彼此不致重疊。
保持銷罩26例如可包含不銹鋼等金屬。 保持銷罩26可利用螺釘等緊固構件而固定於載置台21，亦可與載置台21一體地形成。 保持銷罩26之下端(與載置台21側為相反側之端部)位於較朝基板100供給冷卻氣體、或液體101、102時之冷卻噴嘴34之噴出口之位置、液體噴嘴54之噴出口之位置、及導引部22a之下端靠下方。
若設置保持銷罩26，則可於導引部22a中，抑制液體101、102之凍結產生。 此外，於載置台21之上表面側，由上部輥罩25a覆蓋保持銷222之導引部22a與支持部22b。因此，可藉由上部輥罩25a，防止保持銷222之凍結。
升降部223具有推桿23a、驅動部23b、及凸部23c。 凸部23c呈柱狀，於推桿23a之上表面設置有複數個。凸部23c設置於與保持銷222之導引部22a對向之位置。凸部23c之剖面尺寸小於保持銷罩26之內部尺寸。因此，於推桿23a上升時，可將凸部23c插入保持銷罩26之內部。只要可將凸部23c插入保持銷罩26之內部，則可按壓位於保持銷罩26之內部之導引部22a之下端。 此外，控制器9監視載置台21之旋轉位置。因此，於控制器9使載置部21之旋轉停止時，以保持銷222成為與凸部23c對向之位置之方式停止。
若如以上所說明般，設置輥罩25及保持銷罩26，則可抑制於預備步驟、液膜之形成步驟、解凍步驟及背面洗淨步驟中，液體101、102附著於輥24a及保持銷222等。因此，可抑制輥24a及保持銷222等凍結。
有於基板100之搬入搬出步驟、液膜之形成步驟、及冷卻步驟等中，載置台21之旋轉停止之情形。若載置台21之旋轉停止，則液體101、102容易停留於載置台21。因此，於載置台21之旋轉停止之情形下，容易產生輥24a及保持銷222等之凍結。若設置輥罩25及保持銷罩26，則即便載置台21之旋轉停止，亦可抑制輥24a及保持銷222等凍結。 又，亦可防止於載置台21之表面被凍結之液體101、102自載置台21之表面剝離、與輥24a碰撞而妨礙載置台21旋轉。
圖11係用於例示又一實施形態之基板處理裝置1b之示意剖視圖。 於基板處理裝置1b設置有載置部302、冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、殼體6、送風部7、排氣部8、及控制器9。 此外，為了避免變繁雜，而於圖11中，適宜省略冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、送風部7、排氣部8、及控制器9等而進行描繪。
如圖11所示，載置部302具有載置台21、保持銷222、升降部223、旋轉部24、輥罩325、及保持銷罩26。 輥罩325例如具有上部輥罩25c及下部輥罩25b。
上部輥罩25c設置於載置台21之上表面之周緣附近。上部輥罩25c覆蓋載置台21之上表面之周緣附近、輥24a之上表面、及輥24a之載置台21側。上部輥罩25c設置於保持銷222之外側。上部輥罩25c例如呈圓筒狀，具有上端之外緣側較輥24a更朝外側伸出之形狀。又，上部輥罩25c之內緣側之厚度小於外緣側之厚度。因此，上部輥罩25c之內緣自下端朝向上端擴徑。即，內緣側之端部形成為自外緣側之上端朝向內緣側之下端之傾斜面。因此，上部輥罩25c之上表面具有與載置台21之正面平行之面及傾斜面。
上部輥罩25c例如可由不銹鋼等金屬形成。 上部輥罩25c可利用螺釘等緊固構件而固定於載置台21，亦可與載置台21一體地形成。
若設置輥罩325及保持銷罩26，則與前述之輥罩25及保持銷罩26同樣地，即便載置台21停止旋轉，亦可抑制輥24a及保持銷222等凍結。又，亦可防止於載置台21之表面被凍結之液體101、102自載置台21之正面剝離、與輥24a碰撞而妨礙載置台21旋轉。
又，上部輥罩25c之內緣側之厚度小於外緣側之厚度。因此，上部輥罩25c之上表面具有傾斜面。若上部輥罩25c之上表面具有自開口21a朝向輥24a傾斜之傾斜面，則容易將位於上部輥罩25c之內側之液體101藉由離心力朝上部輥罩25c之外側排出。 又，與上部輥罩25a相比，可減輕重量。
圖12係用於例示再一實施形態之基板處理裝置1c之示意剖視圖。於基板處理裝置1c設置有載置部402、冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、殼體6、送風部7、排氣部8、及控制器9。 此外，為了避免變繁雜，而於圖12中，適宜省略冷卻部3、第1液體供給部4、第2液體供給部5、送風部7、排氣部8、及控制器9等而進行描繪。 圖13(a)係載置部402之示意俯視圖。 圖13(b)係另一實施形態之保持銷罩26a之示意俯視圖。
如圖12、及圖13(a)所示，載置部402具有載置台21、保持銷222、升降部223、旋轉部24、輥罩425、及保持銷罩26。 輥罩425例如具有上部輥罩25d、及下部輥罩25b。
上部輥罩25d設置於載置台21之上表面之周緣附近。上部輥罩25d覆蓋載置台21之上表面之周緣附近、輥24a之上表面、及輥24a之載置台21側。上部輥罩25d例如呈圓筒狀，於上端具有朝載置台21之外側伸出之板狀體。板狀體覆蓋輥24a之上表面。上部輥罩25d設置於保持銷222之外側。
上部輥罩25d例如可包含不銹鋼等金屬。 上部輥罩25d可利用螺釘等緊固構件而固定於載置台21，亦可與載置台21一體地形成。
若設置輥罩425及保持銷罩26，則與前述之輥罩25及保持銷罩26同樣地，即便載置台21之旋轉停止，亦可抑制輥24a及保持銷222等凍結。
如前述般，上部輥罩25d呈圓筒狀，於上端具有朝載置台21之外側伸出之板狀體。板狀體覆蓋輥24a之上表面。 若設為具有如此之構成之上部輥罩25d，則與上部輥罩25a、25c相比，可減輕重量。
又，可於載置台21設置至少1個孔21d。孔21d將載置台21之上表面與下表面之間貫通。孔21d之載置台21之上表面側之端部於上部輥罩25d之內側面之附近開口。孔21d之載置台21之下表面側之端部於下部輥罩25b與保持銷罩26之間開口。
若設置孔21d，則可將位於上部輥罩25d之內側之液體101朝載置台21之下方排出。該情形下，由於液體101朝下部輥罩25b與保持銷罩26之間排出，故可抑制所排出之液體101附著於輥24a及支持部24c。 又，與前述之輥罩25及保持銷罩26同樣地，即便載置台21之旋轉停止，亦可抑制輥24a及保持銷222等凍結。又，亦可防止於載置台21之正面被凍結之液體101、102自載置台21之正面剝離，與輥24a碰撞，抑制載置台21之旋轉。
又，如圖13(a)所示，本實施形態之保持銷罩26由於覆蓋相鄰之2個保持銷222之導引部22a之側面，故具有如圓與圓重疊之剖面。 又，如圖13(b)所示，保持銷罩26a就相鄰之2個保持銷222之每一者設置，使保持銷罩26a彼此不致重疊。
以上，針對實施形態進行了例示。然而，本發明不限定於該等記述。 關於前述之實施形態，熟悉此項技術者適宜施加設計變更而成者亦只要具備本發明之特徵，則包含於本發明之範圍。 例如，基板處理裝置1具備之各組件之形狀、尺寸、數量、配置等可適宜變更，而非係限定於已進行例示者。
例如，於前述之實施形態中，採用藉由使冷卻液氣化而產生冷卻氣體3a之冷卻液部31，但例如，冷卻液部可為藉由冷卻器循環而將常溫之氣體冷卻者。
例如，凍結步驟(固相)可於在凍結膜出現皸裂之前進行解凍步驟。 例如，可於凍結步驟(固液相)之後，不執行凍結步驟(固相)，而進行解凍步驟。
1,1a,1b,1c:基板處理裝置 2,202,302,402:載置部 3:冷卻部 3a:冷卻氣體 4:第1液體供給部 5:第2液體供給部 6:殼體 7:送風部 8:排氣部 9:控制器 21:載置台 21a:孔/開口 21b,21d:孔 21c,100a:側面 22:保持銷/支持部 22a:導引部 22b,24c:支持部 22c:100a 22d:緩衝部 23,223:升降部 23a:推桿 23b,24b,35,45,55:驅動部 23c:凸部 24:旋轉部 24a:輥 25,325,425:輥罩 25a,25c,25d:上部輥罩 25b:下部輥罩 26,26a:保持銷罩 31:冷卻液部 32:過濾器 33,43,53:流量控制部 34:冷卻噴嘴 36,46,56:配管 41,51:液體收納部 42,52:供給部 44,54:液體噴嘴 61:罩 62:排出口 63:排水管 100:基板 100b:背面 100c:正面 101,102:液體 222:保持銷 L1:間隙尺寸 L2:尺寸 T:溫度 θ:角度
圖1係用於例示本實施形態之基板處理裝置之示意圖。 圖2係用於例示冷卻部、第1液體供給部、及第2液體供給部之構成與配置之示意俯視圖。 圖3係用於例示基板處理裝置之作用之時序圖。 圖4係用於例示凍結洗淨步驟(正面洗淨步驟)、背面洗淨步驟、及乾燥步驟之溫度變化之圖。 圖5係用於例示進行搬入步驟、及搬出步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖6係用於例示進行凍結洗淨步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖7係用於例示進行背面洗淨步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖8係用於例示進行乾燥步驟時之噴嘴之配置之示意圖。 圖9係用於例示另一實施形態之基板處理裝置之示意剖視圖。 圖10(a)係載置部之示意俯視圖。(b)係另一實施形態之保持銷罩之示意俯視圖。 圖11係用於例示又一實施形態之基板處理裝置之示意剖視圖。 圖12係用於例示再一實施形態之基板處理裝置之示意剖視圖。 圖13(a)係載置部之示意俯視圖。(b)係又一實施形態之保持銷罩之示意俯視圖。
1:基板處理裝置
2:載置部
3:冷卻部
3a:冷卻氣體
4:第1液體供給部
5:第2液體供給部
6:殼體
7:送風部
8:排氣部
9:控制器
21:載置台
21a:孔/開口
21b:孔
21c,100a:側面
22:保持銷/支持部
22a:導引部
22b,24c:支持部
22c:100a
22d:緩衝部
23:升降部
23a:推桿
23b,24b,35,45,55:驅動部
24:旋轉部
24a:輥
31:冷卻液部
32:過濾器
33,43,53:流量控制部
34:冷卻噴嘴
36,46,56:配管
41,51:液體收納部
42,52:供給部
44,54:液體噴嘴
61:罩
62:排出口
63:排水管
100:基板
100b:背面
100c:正面
101:液體
θ:角度

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：載置台，其呈大致圓板狀，於中央部分具有第1孔，且具有以沿著所載置之基板之周緣之方式設置且於厚度方向貫通之複數個第2孔；輥，其與前述載置台之側面接觸，使前述載置台旋轉；複數個保持銷，其等設置於前述載置台之前述第2孔之內部，可沿著前述第2孔個別地移動，且保持前述基板；第1液體噴嘴，其朝前述基板之與前述載置台側為相反側之第1面供給第1液體；第1驅動部，其使前述第1液體噴嘴之位置移動；第2液體噴嘴，其自前述載置台之前述第1孔朝前述基板之前述載置台側之第2面供給第2液體；第2驅動部，其使前述第2液體噴嘴之位置移動；冷卻噴嘴，其自前述載置台之前述第1孔朝前述第2面供給冷卻氣體；第3驅動部，其使前述冷卻噴嘴之位置移動；控制器，其控制前述第1驅動部、前述第2驅動部、及前述第3驅動部；及升降部，其與前述複數個保持銷個別地設置，使前述複數個保持銷沿著前述第2孔一併地移動；且當要朝前述第2面供給前述冷卻氣體時，前述控制器控制前述第3驅動部，將前述冷卻噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第2驅動部， 使前述第2液體噴嘴移動至前述第2液體噴嘴之退避位置，或者，當要朝前述第2面供給前述第2液體時，前述控制器控制前述第2驅動部，將前述第2液體噴嘴配置於前述第2面之下方，且控制前述第3驅動部，使前述冷卻噴嘴移動至前述冷卻噴嘴之退避位置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述複數個保持銷具備朝前述載置台之與保持前述基板之側的相反側突出之導引部；且前述升降部可與前述複數個保持銷之前述導引部接觸分開地移動。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述冷卻噴嘴及前述第2液體噴嘴於前述保持銷之前述導引部之端部與前述升降部之間移動。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中當要朝前述第2面供給前述冷卻氣體時，前述控制器控制前述第1驅動部，將前述第1液體噴嘴配置於前述第1面之上方。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中前述控制器控制前述第1驅動部，使配置於前述第1面之上方且噴出前述第1液體之前述第1液體噴嘴沿前述第1面擺動。
  6. 如請求項4之基板處理裝置，其中當要朝前述第2面供給前述冷卻氣 體時，前述控制器控制前述第3驅動部，使正在噴出前述冷卻氣體之前述冷卻噴嘴沿前述第2面擺動。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中當要朝前述第2面供給前述冷卻氣體時，前述控制器控制前述第3驅動部，使正在噴出前述冷卻氣體之前述冷卻噴嘴沿前述第2面擺動。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中當要朝前述第2面供給前述第2液體時，前述控制器控制前述第2驅動部，使正在噴出前述第2液體之前述第2液體噴嘴沿前述第2面擺動。
  9. 如請求項7之基板處理裝置，其中當要朝前述第2面供給前述第2液體時，前述控制器控制前述第2驅動部，使正在噴出前述第2液體之前述第2液體噴嘴沿前述第2面擺動。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中前述冷卻噴嘴具有內徑隨著朝向前述基板之側而漸增之錐形形狀，且錐形部分之角度為大於0°、8°以下。
  11. 如請求項1至10中任一項之基板處理裝置，其更具備上部輥罩，該上部輥罩設置於前述載置台之保持前述基板之側之面，覆蓋前述輥之上表面、及前述輥之前述載置台側。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中前述上部輥罩具有供前述複數個 保持銷插入之孔。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中前述上部輥罩呈圓筒狀，具有上端之外緣側較前述輥更朝外側伸出之形狀；且前述上部輥罩之內緣側之端部形成為自前述端部之外緣側之上端朝向內緣側之下端之傾斜面。
  14. 如請求項11之基板處理裝置，其中前述上部輥罩呈圓筒狀，於上端具有朝前述載置台之外側伸出之板狀體；且前述板狀體覆蓋前述輥之上表面。
  15. 如請求項11之基板處理裝置，其更具備下部輥罩，該下部輥罩設置於前述載置台之與保持前述基板之側為相反側之面之周緣附近，覆蓋前述輥之前述載置台側。
  16. 如請求項12之基板處理裝置，其更具備下部輥罩，該下部輥罩設置於前述載置台之與保持前述基板之側為相反側之面之周緣附近，覆蓋前述輥之前述載置台側。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其更具備保持銷罩，該保持銷罩設置於前述載置台之與保持前述基板之側為相反側之面，覆蓋前述複數個保持銷之、朝前述載置台之保持前述基板之側的相反側突出之導引部之側面；且前述升降部更具有設置於與前述導引部對向之位置的凸部。
  18. 如請求項16之基板處理裝置，其更具備保持銷罩，該保持銷罩設置於前述載置台之與保持前述基板之側為相反側之面，覆蓋前述複數個保持銷之、朝前述載置台之保持前述基板之側的相反側突出之導引部之側面；且前述升降部更具有設置於與前述導引部對向之位置的凸部。
TW110127296A 2020-09-11 2021-07-26 基板處理裝置 TWI789842B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020153171 2020-09-11
JP2020-153171 2020-09-11
JP2021113228A JP7203158B2 (ja) 2020-09-11 2021-07-08 基板処理装置
JP2021-113228 2021-07-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202213486A TW202213486A (zh) 2022-04-01
TWI789842B true TWI789842B (zh) 2023-01-11

Family

ID=80476628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110127296A TWI789842B (zh) 2020-09-11 2021-07-26 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220080468A1 (zh)
KR (1) KR102632770B1 (zh)
CN (1) CN114160474B (zh)
TW (1) TWI789842B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201833997A (zh) * 2017-01-12 2018-09-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1131673A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
EP0898301B1 (en) * 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of a substrate
JP4482188B2 (ja) * 1999-12-24 2010-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 矩形基板の処理装置
JP4421611B2 (ja) * 2003-08-07 2010-02-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置
WO2006076005A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-20 Boc, Inc. System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant
KR101190169B1 (ko) * 2005-02-07 2012-10-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 연마장치, 무전해 도금장치 및 제어프로그램
JP4757126B2 (ja) * 2005-10-11 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4767138B2 (ja) * 2006-09-13 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法
TW200739710A (en) * 2006-04-11 2007-10-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008130893A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP4895774B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008135557A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4985082B2 (ja) * 2007-05-07 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体
TWI373804B (en) * 2007-07-13 2012-10-01 Lam Res Ag Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
EP2051285B1 (en) * 2007-10-17 2011-08-24 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus
JP5136103B2 (ja) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP5243165B2 (ja) * 2008-09-25 2013-07-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5140641B2 (ja) * 2009-06-29 2013-02-06 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理装置
JP5497599B2 (ja) * 2010-09-16 2014-05-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN103187340B (zh) * 2011-12-28 2016-08-03 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
JP2013138074A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5866227B2 (ja) * 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6001896B2 (ja) * 2012-03-27 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2014082470A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Ebara Corp 基板処理装置
WO2014113220A1 (en) * 2013-01-15 2014-07-24 Applied Materials, Inc Cryogenic liquid cleaning apparatus and methods
TWI563560B (en) * 2013-07-16 2016-12-21 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6210935B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 研磨洗浄機構、基板処理装置及び基板処理方法
CN105723496B (zh) * 2013-11-18 2019-01-11 佳能安内华股份有限公司 基板处理装置和基板处理方法
JP6491900B2 (ja) * 2015-02-12 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20170003026A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6592303B2 (ja) * 2015-08-14 2019-10-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP6543534B2 (ja) * 2015-08-26 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6557625B2 (ja) * 2016-03-23 2019-08-07 東芝メモリ株式会社 基板の生産方法、および基板の生産システム
JP6738235B2 (ja) * 2016-08-09 2020-08-12 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7117392B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201833997A (zh) * 2017-01-12 2018-09-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114160474B (zh) 2023-08-29
US20220080468A1 (en) 2022-03-17
KR20220034675A (ko) 2022-03-18
KR102632770B1 (ko) 2024-02-01
CN114160474A (zh) 2022-03-11
TW202213486A (zh) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6589359B2 (en) Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
US10518382B2 (en) Substrate processing system
JP3343013B2 (ja) 基板洗浄方法及びその装置
US7867337B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI538044B (zh) 用來清洗基板處理裝置的清洗治具及清洗方法、與基板處理系統
TWI656570B (zh) Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium
JP5698487B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20070221254A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20170117135A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US8251077B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP5114278B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201919779A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JPH1131673A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US20040216841A1 (en) Substrate processing apparatus
TWI789842B (zh) 基板處理裝置
JP7203158B2 (ja) 基板処理装置
JP2003197718A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20080029123A1 (en) Sonic and chemical wafer processor
TWI700740B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2003332284A (ja) 液処理装置および液処理方法
TWI794927B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6555706B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20240100577A1 (en) Cleaning apparatus
JP2008159656A (ja) 凍結処理装置、基板処理装置および凍結処理方法
JP5358468B2 (ja) 基板処理装置