JPWO2019009054A1 - 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体 - Google Patents

Abstract

実施形態に係る基板処理システムは、保持部と、剥離処理液供給部と、溶解処理液供給部とを備える。保持部は、有機溶媒に可溶なフェノール樹脂を含有する処理膜が形成された基板を保持する。剥離処理液供給部は、処理膜を基板から剥離させる剥離処理液を処理膜に対して供給する。溶解処理液供給部は、処理膜を溶解させる溶解処理液を処理膜に対して供給する。

Description

開示の実施形態は、基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体に関する。

従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板からパーティクルを除去するための各種の手法が提案されている。

例えば、特許文献１に記載の基板洗浄方法は、アクリル樹脂を成分とする成膜処理液を基板へ供給して基板上に処理膜を形成した後、処理膜に対して剥離処理液を供給して処理膜をパーティクルとともに基板から剥離させる。その後、特許文献１に記載の基板洗浄方法は、処理膜に対して溶解処理液を供給して処理膜を溶解させることによって処理膜およびパーティクルを基板上から除去する。かかる基板洗浄方法によれば、基板の表面に影響を与えることなく、基板に付着したパーティクルを除去することができる。

特開２０１６−０３６０１２号公報

実施形態の一態様は、基板に付着したパーティクルの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる技術を提供する。

実施形態の一態様に係る基板処理システムは、保持部と、剥離処理液供給部と、溶解処理液供給部とを備える。保持部は、有機溶媒に可溶なフェノール樹脂を含有する処理膜が形成された基板を保持する。剥離処理液供給部は、処理膜を基板から剥離させる剥離処理液を処理膜に対して供給する。溶解処理液供給部は、処理膜を溶解させる溶解処理液を処理膜に対して供給する。

実施形態の一態様によれば、基板に付着したパーティクルの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる。

図１Ａは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。 図１Ｂは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。 図１Ｃは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。 図１Ｄは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。 図１Ｅは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。 図２は、本実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。 図３は、本実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。 図４Ａは、第１液供給部に接続される処理液供給系の構成の一例を示す図である。 図４Ｂは、第２液供給部に接続される処理液供給系の構成の一例を示す図である。 図５は、本実施形態に係る基板洗浄システムが実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図６は、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の処理手順を示すフローチャートである。 図７は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の処理手順を示すフローチャートである。 図８は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の変形例（その１）を示すフローチャートである。 図９は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の変形例（その２）を示すフローチャートである。 図１０は、除去処理の変形例を示すフローチャートである。 図１１は、剥離処理液として希釈有機溶剤を用いる場合における除去処理の変形例を示すフローチャートである。 図１２Ａは、希釈有機溶剤供給処理の説明図（その１）である。 図１２Ｂは、希釈有機溶剤供給処理の説明図（その２）である。 図１２Ｃは、希釈有機溶剤供給処理の説明図（その３）である。 図１３は、その他の実施形態に係る基板洗浄システムが実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１４Ａは、第１の成膜促進処理の説明図である。 図１４Ｂは、第１の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システムの構成を示す模式図である。 図１５Ａは、第２の成膜促進処理の説明図（その１）である。 図１５Ｂは、第２の成膜促進処理の説明図（その２）である。 図１５Ｃは、第２の成膜促進処理の説明図（その３）である。 図１５Ｄは、第２の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システムの構成を示す模式図（その１）である。 図１５Ｅは、第２の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システムの構成を示す模式図（その２）である。 図１５Ｆは、第２の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システムの構成を示す模式図（その３）である。 図１６Ａは、第３の成膜促進処理の説明図である。 図１６Ｂは、第３の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システムの構成を示す模式図である。 図１７は、チャンバ洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図１８Ａは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その１）である。 図１８Ｂは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その２）である。 図１８Ｃは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その３）である。 図１８Ｄは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その４）である。 図１８Ｅは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その５）である。 図１８Ｆは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その６）である。 図１８Ｇは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その７）である。 図１８Ｈは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図（その８）である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示による基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体が限定されるものではない。

特許文献１に記載の基板洗浄方法は、アクリル樹脂を成分とする成膜処理液を基板へ供給して基板上に処理膜を形成した後、処理膜に対して剥離処理液を供給して処理膜をパーティクルとともに基板から剥離させる。その後、特許文献１に記載の基板洗浄方法は、処理膜に対して溶解処理液を供給して処理膜を溶解させることによって処理膜およびパーティクルを基板上から除去する。かかる基板洗浄方法によれば、基板の表面に影響を与えることなく、基板に付着したパーティクルを除去することができる。しかしながら、特許文献１に記載の基板洗浄方法には、処理膜の厚膜化を安価に実現するという点でさらなる改善の余地がある。

例えば、アクリル樹脂を成分とする成膜処理液は厚膜化が難しく、基板上に形成されるパターンの深さによっては、パターンの上部が処理膜から露出することで、パターンの上部に付着したパーティクルが適切に除去されないおそれがある。また、厚膜化できたとしても、処理膜を厚くするほど成膜処理液中のアクリル樹脂の含有量が増えるため、処理コストが増加するおそれがある。そこで、基板に付着したパーティクルの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる技術の提供が期待されている。

＜基板洗浄方法の内容＞
まず、本実施形態に係る基板洗浄方法の内容について図１Ａ〜図１Ｅを用いて説明する。図１Ａ〜図１Ｅは、本実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。

図１Ａに示すように、本実施形態に係る基板洗浄方法では、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板（以下、「ウェハＷ」と記載する場合もある）のパターン形成面に対し、「成膜処理液」を供給する。本実施形態に係る成膜処理液は、［Ａ］溶媒と、［Ｂ］フェノール樹脂とを含有する。

ウェハＷのパターン形成面に供給された成膜処理液は、固化または硬化して処理膜となる。これにより、ウェハＷ上に形成されたパターンやパターンに付着したパーティクルＰがこの処理膜に覆われた状態となる（図１Ｂ参照）。なお、ここでいう「固化」とは、固体化することを意味し、「硬化」とは、分子同士が連結して高分子化すること（例えば架橋や重合等）を意味する。

つづいて、図１Ｂに示すように、ウェハＷ上の処理膜に対して剥離処理液が供給される。剥離処理液とは、前述の処理膜をウェハＷから剥離させる処理液である。

剥離処理液は、処理膜上に供給された後、処理膜中に浸透していき処理膜とウェハＷとの界面に到達する。このように、処理膜とウェハＷとの界面に剥離処理液が入り込むことで、処理膜は「膜」の状態でウェハＷから剥離し、これに伴い、パターン形成面に付着したパーティクルＰが処理膜とともにウェハＷから剥離する（図１Ｃ参照）。

つづいて、図１Ｄに示すように、ウェハＷから剥離された処理膜に対し、処理膜を溶解させる溶解処理液が供給される。これにより、処理膜は溶解し、処理膜に取り込まれていたパーティクルＰは、溶解処理液中に浮遊した状態となる。その後、溶解処理液や溶解した処理膜を純水等で洗い流すことにより、パーティクルＰは、ウェハＷ上から除去される（図１Ｅ参照）。

このように、本実施形態に係る基板洗浄方法では、ウェハＷ上に形成された処理膜をウェハＷから「膜」の状態で剥離させることで、パターン等に付着したパーティクルＰを処理膜とともにウェハＷから除去することとした。

したがって、本実施形態に係る基板洗浄方法によれば、化学的作用を利用することなくパーティクル除去を行うため、エッチング作用等による下地膜の侵食を抑えることができる。

また、本実施形態に係る基板洗浄方法によれば、従来の物理力を利用した基板洗浄方法と比較して弱い力でパーティクルＰを除去することができるため、パターン倒れを抑制することもできる。

さらに、本実施形態に係る基板洗浄方法によれば、従来の物理力を利用した基板洗浄方法では除去が困難であった、粒子径が小さいパーティクルＰを容易に除去することが可能となる。

上述したように、本実施形態に係る成膜処理液は、［Ａ］溶媒と、［Ｂ］フェノール樹脂とを含有する。［Ｂ］フェノール樹脂は、従来の成膜処理液に用いられるアクリル樹脂と比較して安価である。また、［Ｂ］フェノール樹脂を成分とする本成膜処理液は、従来のアクリル樹脂を成分とする成膜処理液と比較して厚膜化が容易である。したがって、本実施形態に係る基板洗浄方法によれば、ウェハＷに付着したパーティクルＰの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる。処理膜を厚膜化することで、パターンの上部が処理膜から露出しにくくなるため、パターンの上部に付着したパーティクルＰが除去されずに残存することを防止することができる。

また、［Ｂ］フェノール樹脂を含有する本実施形態に係る処理膜は、アクリル樹脂を含有する従来の処理膜と比べて、溶解処理液としての有機溶剤（後述するシンナーやＩＰＡなど）に溶けにくい。このため、［Ｂ］フェノール樹脂を含有する本実施形態に係る処理膜は、有機溶剤が供給された後、「膜」の状態が保たれる時間が従来の処理膜よりも長い。このため、本実施形態に係る処理膜を用いることで、従来の処理膜を用いた場合と比べ、処理膜をより「膜」の状態のままウェハＷから剥離させることができる。すなわち、図１Ｃに示す状態を長く継続させることができる。これにより、剥離力が向上するため、パーティクルをより確実にウェハＷから除去することができる。

なお、本実施形態に係る基板洗浄方法において、処理膜は、ウェハＷに成膜された後、パターン露光を行うことなくウェハＷから全て除去される。したがって、洗浄後のウェハＷは、成膜処理液を塗布する前の状態、すなわち、パターン形成面が露出した状態となる。

成膜処理液は、さらに低分子有機酸（以下、単に「［Ｃ］有機酸」ともいう）を含有することができる。ここで低分子有機酸とは一分子内に１つ以上の炭素原子を含み、かつ重合または縮合反応により生ずる繰り返し構造を有しない酸をいう。分子量は限定されないが、一般的には４０以上２０００以下である。成膜処理液は、［Ｃ］有機酸を含有することにより、ウェハＷ表面からのパーティクルＰの除去がさらに容易となる。

成膜処理液は［Ａ］〜［Ｃ］成分以外に、本開示による効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。
以下、各成分について説明する。

＜［Ａ］溶媒＞
［Ａ］溶媒は、［Ｂ］フェノール樹脂を溶解する成分である。［Ｃ］有機酸を添加する場合、［Ｃ］有機酸を溶解するものであることが好ましい。

［Ａ］溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等の有機溶媒；水等が挙げられる。

アルコール系溶媒の例としては、たとえば、炭素数１〜１８の１価のアルコールが挙げられる。炭素数１〜１８の１価のアルコールとしては、たとえば、エタノール、イソプロピルアルコール、アミルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール、シクロヘキサノール等が挙げられる。また、炭素数１〜１８の１価のアルコールとしては、たとえば、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、フルフリルアルコール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等が挙げられる。また、アルコール系溶媒の例としては、たとえば、炭素数２〜１２の２価のアルコールが挙げられる。炭素数２〜１２の２価のアルコールとしては、たとえば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等が挙げられる。また、アルコール系溶媒の例としては、炭素数１〜１８の１価のアルコールまたは炭素数２〜１２の２価のアルコールの部分エーテルなどが挙げられる。

エーテル系溶媒の例としては、たとえば、ジアルキルエーテル系溶媒が挙げられる。ジアルキルエーテル系溶媒としては、たとえば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル等が挙げられる。また、エーテル系溶媒の例としては、たとえば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒、ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。

ケトン系溶媒の例としては、たとえば、鎖状ケトン系溶媒が挙げられる。鎖状ケトン系溶媒としては、たとえば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン等が挙げられる。また、鎖状ケトン系溶媒としては、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、２−ヘプタノン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン等が挙げられる。また、ケトン系溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。

アミド系溶媒の例としては、たとえば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒が挙げられる。また、アミド系溶媒の例としては、たとえば、鎖状アミド系溶媒が挙げられる。鎖状アミド系溶媒としては、たとえば、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド等が挙げられる。

エステル系溶媒の例としては、たとえば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、乳酸エチル等の１価アルコールカルボキシレート系溶媒が挙げられる。また、エステル系溶媒の例としては、たとえば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルのモノカルボキシレート、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルのモノカルボキシレート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒が挙げられる。また、エステル系溶媒の例としては、たとえば、ブチロラクトン等の環状エステル系溶媒、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒、シュウ酸ジエチル、フタル酸ジエチル等の多価カルボン酸アルキルエステル系溶媒等が挙げられる。

炭化水素系溶媒としては、たとえば、脂肪族炭化水素系溶媒が挙げられる。脂肪族炭化水素系溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｉｓｏ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉｓｏ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉｓｏ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉｓｏ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等が挙げられる。また、炭化水素系溶媒としては、芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。芳香族炭化水素系溶媒としては、たとえば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン等が挙げられる。また、芳香族炭化水素系溶媒としては、たとえば、ｉｓｏ−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｉｓｏ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉｓｏ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン等が挙げられる。

これらの中で、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、モノアルコール系溶媒、ジアルキルエーテル系溶媒がより好ましい。また、有機溶媒としては、４−メチル−２−ペンタノール、ジイソアミルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エトキシプロパノール、乳酸エチルがさらに好ましい。

［Ａ］溶媒中の水の含有率としては、２０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。［Ａ］溶媒中の水の含有率を上記上限以下とすることで、形成される処理膜の強度をより適度に低下させることができ、その結果パーティクル除去性能を向上させることができる。

［Ａ］溶媒の含有量の下限としては、５０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、７０質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、９９．９質量％が好ましく、９９質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましい。［Ａ］溶媒の含有量を上記下限と上限との間とすることで、成膜処理液は、窒化ケイ素基板に対するパーティクル除去性能がより向上する。成膜処理液は、［Ａ］溶媒を１種又は２種以上含有していてもよい。

＜［Ｂ］フェノール樹脂＞
［Ｂ］フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中で、ノボラック型フェノール樹脂（以下、ノボラック樹脂と記載する）が好ましい。ノボラック樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。

＜［Ｃ］有機酸＞
成膜処理液は、さらに［Ｃ］有機酸を含むことができる。［Ｃ］有機酸を加えることにより、基板表面に形成された処理膜の除去がより容易となる。［Ｃ］有機酸の分子量の上限としては、例えば、５００であり、４００が好ましく、３００がより好ましい。［Ｃ］有機酸の分子量の下限としては、例えば、５０であり、５５が好ましい。

［Ｃ］有機酸としては、たとえば、モノカルボン酸が挙げられる。モノカルボン酸としては、たとえば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキシル酢酸、１−アダマンタンカルボン酸、安息香酸、フェニル酢酸等が挙げられる。また、［Ｃ］有機酸としては、たとえば、フッ素原子含有モノカルボン酸が挙げられる。フッ素原子含有モノカルボン酸としては、たとえば、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、ヘプタフルオロブタン酸、フルオロフェニル酢酸、ジフルオロ安息香酸等が挙げられる。また、［Ｃ］有機酸としては、たとえば、ヘテロ原子含有モノカルボン酸が挙げられる。ヘテロ原子含有モノカルボン酸としては、たとえば、１０−ヒドロキシデカン酸、チオール酢酸、５−オキソヘキサン酸、３−メトキシシクロヘキサンカルボン酸、カンファーカルボン酸、ジニトロ安息香酸、ニトロフェニル酢酸等が挙げられる。また、［Ｃ］有機酸としては、たとえば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸等の二重結合含有モノカルボン酸などのモノカルボン酸が挙げられる。また、［Ｃ］有機酸としては、たとえば、ポリカルボン酸が挙げられる。ポリカルボン酸としては、たとえば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ドデカンジカルボン酸、プロパントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸等が挙げられる、また、ポリカルボン酸としては、たとえば、ヘキサフルオログルタル酸、シクロヘキサンヘキサカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。また、［Ｃ］有機酸としては、たとえば、上記ポリカルボン酸の部分エステル化物などが挙げられる。

［Ｃ］有機酸の２５℃における水に対する溶解度の下限としては、５質量％が好ましく、７質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましい。上記溶解度の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。上記溶解度を上記下限と上記上限の間とすることで、形成される処理膜の除去をより容易にすることができる。

［Ｃ］有機酸は、２５℃において固体であることが好ましい。［Ｃ］有機酸が２５℃において固体であると、成膜処理液から形成された処理膜中に固体状の［Ｃ］有機酸が析出すると考えられ、除去性がより向上する。

［Ｃ］有機酸としては、処理膜の除去をより容易とする観点から、多価カルボン酸が好ましく、シュウ酸、リンゴ酸、クエン酸がより好ましい。

成膜処理液中の［Ｃ］有機酸の含有量の下限としては、０．０１質量％が好ましく、０．０５質量％がより好ましく、０．１質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、３０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、５質量％がさらに好ましい。
成膜処理液中の全固形分に対する［Ｃ］有機酸の含有量の下限としては、０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、３質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、３０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、５質量％がさらに好ましい。
［Ｃ］有機酸の含有量を上記下限と上記上限との間とすることで、処理膜の除去をより容易とすることができる。具体的には、［Ｃ］有機酸の含有量を０．１質量％以上とすることで、処理膜中への剥離処理液の浸透性を高めることができ、処理膜をより「膜」の状態のままウェハＷから剥離させることができる。つまり、剥離力を向上させることができる。また、［Ｃ］有機酸の含有量を５質量％以下とすることで、処理膜の強度が低下することによる剥離力の低下を抑えることができる。

＜任意成分＞
成膜処理液は、上記［Ａ］〜［Ｃ］成分以外の任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、例えば、界面活性剤等が挙げられる。

上記界面活性剤としては、たとえば、ノニオン系界面活性剤が挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル等が挙げられる。また、ノニオン系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等が挙げられる。
上記界面活性剤の含有量としては、通常、２質量％以下であり、１質量％以下が好ましい。

＜基板洗浄システムの構成＞
次に、本実施形態に係る基板洗浄システムの構成について図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図２に示すように、基板洗浄システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウェハＷを水平状態で収容可能な複数の搬送容器（以下、「キャリアＣ」と記載する）が載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、基板搬送装置１２１と、受渡部１２２とが設けられる。

基板搬送装置１２１は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１２１は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１２２との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１３と、複数の基板洗浄装置１４とを備える。複数の基板洗浄装置１４は、搬送部１３の両側に並べて設けられる。

搬送部１３は、内部に基板搬送装置１３１を備える。基板搬送装置１３１は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３１は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１２２と基板洗浄装置１４との間でウェハＷの搬送を行う。

基板洗浄装置１４は、上述した基板洗浄方法に基づく基板洗浄処理を実行する装置である。かかる基板洗浄装置１４の具体的な構成については、後述する。

また、基板洗浄システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、基板洗浄システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置４は、例えばコンピュータであり、制御部１５と記憶部１６とを備える。記憶部１６には、基板洗浄処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１５は、記憶部１６に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板洗浄システム１の動作を制御する。制御部１５は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processor Unit）等であり、記憶部１６は、例えばＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等である。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１６にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板洗浄システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１２１が、キャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１２２に載置する。受渡部１２２に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１３１によって受渡部１２２から取り出されて基板洗浄装置１４へ搬入され、基板洗浄装置１４によって基板洗浄処理が施される。洗浄後のウェハＷは、基板搬送装置１３１により基板洗浄装置１４から搬出されて受渡部１２２に載置された後、基板搬送装置１２１によってキャリアＣに戻される。

＜基板洗浄装置の構成＞
次に、基板洗浄装置１４の構成について図３、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。図３は、本実施形態に係る基板洗浄装置１４の構成を示す模式図である。また、図４Ａは、第１液供給部に接続される処理液供給系の構成の一例を示す図であり、図４Ｂは、第２液供給部に接続される処理液供給系の構成の一例を示す図である。

図３に示すように、基板洗浄装置１４は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と液供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

ＦＦＵ２１は、バルブ２２を介してダウンフローガス供給源２３に接続される。ＦＦＵ２１は、ダウンフローガス供給源２３から供給されるダウンフローガス（例えば、ドライエア）をチャンバ２０内に吐出する。

基板保持機構３０は、回転保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。回転保持部３１は、チャンバ２０の略中央に設けられる。回転保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって回転保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。

支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。

かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された回転保持部３１を回転させ、これにより、回転保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

液供給部４０は、第１液供給部４０＿１と、第２液供給部４０＿２とを含む。第１液供給部４０＿１は、基板保持機構３０に保持されたウェハＷに対して各種の処理液を供給する。かかる第１液供給部４０＿１は、ノズル４１＿１〜４１＿３と、ノズル４１＿１〜４１＿３を水平に支持するアーム４２＿１と、アーム４２＿１を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３＿１とを備える。

図４Ａに示すように、ノズル４１＿１は、流量調整器４６ａおよびバルブ４４ａを介して酸系処理液供給源４５ａに接続される。

かかるノズル４１＿１からは、酸系処理液供給源４５ａから供給される酸系処理液が吐出される。酸系処理液は、例えば、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）である。

ノズル４１＿２は、流量調整器４６ｂおよびバルブ４４ｂを介してアルカリ系処理液供給源４５ｂに接続され、アルカリ系処理液供給源４５ｂから供給されるアルカリ系処理液を吐出する。アルカリ系処理液は、例えば、ＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）である。

ノズル４１＿３は、流量調整器４６ｃおよびバルブ４４ｃを介して前処理液供給源４５ｃに接続され、前処理液供給源４５ｃから供給される前処理液を吐出する。前処理液は、例えば成膜処理液に含まれる［Ａ］溶媒である。［Ａ］溶媒は、ウェハＷ上に成膜処理液を広げ易くするために、成膜処理液が供給される前のウェハＷに供給される。また、前処理液は、例えばオゾン水であってもよい。オゾン水は、ウェハＷの表面を親水化する親水化処理に用いられる。

また、ノズル４１＿３は、流量調整器４６ｄおよびバルブ４４ｄを介してＡ＋Ｂ供給源４５ｄに、流量調整器４６ｅおよびバルブ４４ｅを介してＣ供給源４５ｅに、それぞれ接続される。

Ａ＋Ｂ供給源４５ｄからは、［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液が供給され、Ｃ供給源４５ｅからは［Ｃ］有機酸が供給される。［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液と［Ｃ］有機酸とは、ノズル４１＿３へ至る流路内で混合されて成膜処理液となりノズル４１＿３から吐出される。［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液と［Ｃ］有機酸との混合比率は、制御部１５が流量調整器４６ｄ，４６ｅを制御することによって調整される。

［Ａ］溶媒、［Ｂ］フェノール樹脂および［Ｃ］有機酸をはじめから混合しておくと、経時変化によって［Ｃ］有機酸が析出する可能性がある。このため、上記のように［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液と［Ｃ］有機酸とをノズル４１＿３から吐出する直前に混合する構成とすることで、［Ｃ］有機酸の析出を抑えることができる。

なお、上記流路の中途部に混合槽を設け、この混合槽内で［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液と［Ｃ］有機酸とを混合させてもよい。

第２液供給部４０＿２は、ノズル４１＿４〜４１＿６と、ノズル４１＿４〜４１＿６を水平に支持するアーム４２＿２と、アーム４２＿２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３＿２とを備える。

図４Ｂに示すように、ノズル４１＿４は、流量調整器４６ｆおよびバルブ４４ｆを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続される。また、ノズル４１＿４は、流量調整器４６ｇおよびバルブ４４ｇを介してアルカリ水溶液供給源４５ｇに接続される。また、ノズル４１＿４は、流量調整器４６ｈおよびバルブ４４ｈを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

かかるノズル４１＿４からは、ＤＩＷ供給源４５ｆから供給されるＤＩＷ、アルカリ水溶液供給源４５ｇから供給されるアルカリ水溶液または有機溶剤供給源４５ｈから供給される有機溶剤が吐出される。また、例えばバルブ４４ｆとバルブ４４ｇとが開くことにより、ＤＩＷとアルカリ水溶液との混合液すなわち希釈されたアルカリ水溶液がノズル４１＿４から吐出される。また、例えばバルブ４４ｆとバルブ４４ｈとが開くことにより、ＤＩＷと有機溶剤との混合液すなわち希釈された有機溶剤がノズル４１＿４から吐出される。これらの混合比率は、制御部１５が流量調整器４６ｆ〜４６ｈを制御することによって調整される。

ＤＩＷは、処理膜をウェハＷから剥離させる剥離処理液の一例である。アルカリ水溶液は、処理膜を溶解させる溶解処理液の一例である。アルカリ水溶液は、例えばアルカリ現像液である。アルカリ現像液としては、例えばアンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）等の４級水酸化アンモニウム水溶液、コリン水溶液、の少なくとも一つを含んでいればよい。

有機溶剤は、処理膜を溶解させる溶解処理液の他の一例である。有機溶剤としては、例えばシンナー、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＭＩＢＣ（４−メチル−２−ペンタノール）、トルエン、酢酸エステル類、アルコール類、グリコール類（プロピレングリコールモノメチルエーテル）などを用いることができる。

ノズル４１＿５は、流量調整器４６ｉおよびバルブ４４ｉを介してＤＩＷ供給源４５ｉに接続され、ＤＩＷ供給源４５ｉから供給されるＤＩＷを吐出する。ノズル４１＿５から吐出されるＤＩＷは、後述するリンス処理において用いられるリンス処理液の一例である。

ノズル４１＿６は、流量調整器４６ｊおよびバルブ４４ｊを介してＩＰＡ供給源４５ｊに接続され、ＩＰＡ供給源４５ｊから供給されるＩＰＡを吐出する。ノズル４１＿６から吐出されるＩＰＡは、後述する乾燥処理において用いられる乾燥溶媒の一例である。

ノズル４１＿４、アーム４２＿２、旋回昇降機構４３＿２、バルブ４４ｆ、流量調整器４６ｆおよびＤＩＷ供給源４５ｆは、「剥離処理液供給部」の一例である。また、ノズル４１＿４、アーム４２＿２、旋回昇降機構４３＿２、バルブ４４ｇ（バルブ４４ｈ）、流量調整器４６ｇ（流量調整器４６ｈ）およびアルカリ水溶液供給源４５ｇ（有機溶剤供給源４５ｈ）は、「溶解処理液供給部」の一例である。

また、ノズル４１＿３、アーム４２＿１、旋回昇降機構４３＿１、バルブ４４ｄ，４４ｅ、Ａ＋Ｂ供給源４５ｄ、Ｃ供給源４５ｅおよび流量調整器４６ｄ，４６ｅは、「成膜処理液供給部」の一例である。

ここでは、第１液供給部４０＿１が複数のノズル４１＿１〜４１＿３を備え、第２液供給部４０＿２が複数のノズル４１＿４〜４１＿６を備えることとしたが、第１液供給部４０＿１および第２液供給部４０＿２は、それぞれノズルを１つずつ備えてもよい。また、複数のノズル４１＿１〜４１＿６は、１つのアームに設けられてもよい。

回転保持部３１の周縁部には、回転保持部３１とともに一体的に回転する第１、第２回転カップ１０１，１０２が設けられる。図３に示すように、第２回転カップ１０２は、第１回転カップ１０１よりも内側に配置される。

これら第１回転カップ１０１や第２回転カップ１０２は、全体的にはリング状に形成される。第１、第２回転カップ１０１，１０２は、回転保持部３１とともに回転させられると、回転するウェハＷから飛散した処理液を回収カップ５０へ案内する。

回収カップ５０は、回転保持部３１によって保持され回転するウェハＷの回転中心に近い内側から順に、第１カップ５０ａと、第２カップ５０ｂと、第３カップ５０ｃとを備える。また、回収カップ５０は、第１カップ５０ａの内周側に、ウェハＷの回転中心を中心とする円筒状の内壁部５４ｄを備える。

第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃおよび内壁部５４ｄは、回収カップ５０の底部５３の上に設けられる。具体的には、第１カップ５０ａは、第１周壁部５４ａと、第１液受部５５ａとを備える。

第１周壁部５４ａは、底部５３から立設されるとともに、筒状（例えば円筒状）に形成される。第１周壁部５４ａと内壁部５４ｄとの間には空間が形成され、かかる空間は、処理液などを回収して排出するための第１排液溝５０１ａとされる。第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１の上方に設けられる。

また、第１カップ５０ａは、第１昇降機構５６を備え、かかる第１昇降機構５６によって昇降可能に構成される。詳しくは、第１昇降機構５６は、第１支持部材５６ａと、第１昇降駆動部５６ｂとを備える。

第１支持部材５６ａは、複数（例えば３本。図３では１本のみ図示）の長尺状の部材である。第１支持部材５６ａは、第１周壁部５４ａ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第１支持部材５６ａとしては、例えば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限定されるものではない。

第１支持部材５６ａは、上端が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１から露出するように位置されるとともに、第１液受部５５ａの下面に接続されて第１液受部５５ａを下方から支持する。一方、第１支持部材５６ａの下端には、第１昇降駆動部５６ｂが接続される。

第１昇降駆動部５６ｂは、第１支持部材５６ａを例えばＺ軸方向に昇降させ、これにより第１支持部材５６ａは、第１液受部５５ａを第１周壁部５４ａに対して昇降させる。なお、第１昇降駆動部５６ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第１昇降駆動部５６ｂは、制御装置４によって制御される。

第１昇降駆動部５６ｂによって駆動される第１液受部５５ａは、回転するウェハＷから飛散した処理液を受ける処理位置と、処理位置から下方側に退避した退避位置との間で移動させられることとなる。

詳しくは、第１液受部５５ａが処理位置にあるとき、第１液受部５５ａの上端の内側に開口が形成され、開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路が形成される。

他方、図３に示すように、内壁部５４ｄは、回転保持部３１の周縁部へ向けて傾斜するようにして延設される延設部５４ｄ１を備える。第１液受部５５ａは、退避位置にあるとき、内壁部５４ｄの延設部５４ｄ１に当接し、上端内側の開口が閉じて第１排液溝５０１ａへと通じる流路が閉塞される。

第２カップ５０ｂは、第１カップ５０ａと同様な構成とされる。具体的には、第２カップ５０ｂは、第２周壁部５４ｂと、第２液受部５５ｂと、第２昇降機構５７とを備え、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａ側に隣接して配置される。

第２周壁部５４ｂは、底部５３において第１周壁部５４ａの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第２周壁部５４ｂと第１周壁部５４ａとの間に形成される空間が、処理液などを回収して排出するための第２排液溝５０１ｂとされる。

第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａの外周側に位置されるとともに、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１の上方に設けられる。

第２昇降機構５７は、第２支持部材５７ａと、第２昇降駆動部５７ｂとを備える。第２支持部材５７ａは、複数（例えば３本。図３では１本のみ図示）の長尺状の部材であり、第２周壁部５４ｂ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第２支持部材５７ａとしては、例えば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限られない。

第２支持部材５７ａは、上端が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１から露出するように位置されるとともに、第２液受部５５ｂの下面に接続されて第２液受部５５ｂを下方から支持する。なお、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１は、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に対して鉛直方向において下方となるように位置される。

第２支持部材５７ａの下端には、第２昇降駆動部５７ｂが接続される。第２昇降駆動部５７ｂは、第２支持部材５７ａを例えばＺ軸方向に昇降させる。これにより、第２支持部材５７ａは、第２液受部５５ｂを第２周壁部５４ｂに対して昇降させる。

なお、第２昇降駆動部５７ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第２昇降駆動部５７ｂも、制御装置４によって制御される。

そして、第２液受部５５ｂも処理位置と退避位置との間で移動させられることとなる。詳しくは、第２液受部５５ｂが処理位置にあり、かつ、第１液受部５５ａが退避位置にあるとき、第２液受部５５ｂの上端の内側に開口が形成され、開口から第２排液溝５０１ｂへと通じる流路が形成される。

他方、図３に示すように、第２液受部５５ｂは、退避位置にあるとき、第１液受部５５ａに当接し、上端内側の開口が閉じて第２排液溝５０１ｂへと通じる流路が閉塞される。なお、上記では、退避位置の第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａに当接するようにしたが、これに限られず、例えば内壁部５４ｄに当接して上端内側の開口を閉じるようにしてもよい。

第３カップ５０ｃは、第３周壁部５４ｃと、第３液受部５５ｃとを備え、第２カップ５０ｂに対して第１カップ５０ａとは反対側に隣接して配置される。第３周壁部５４ｃは、底部５３において第２周壁部５４ｂの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第３周壁部５４ｃと第２周壁部５４ｂとの間の空間が、処理液などを回収して排出するための第３排液溝５０１ｃとされる。

第３液受部５５ｃは、第３周壁部５４ｃの上端から連続するように形成される。第３液受部５５ｃは、回転保持部３１に保持されたウェハＷの周囲を囲むとともに、第１液受部５５ａや第２液受部５５ｂの上方まで延びるように形成される。

第３液受部５５ｃは、図３に示すように、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂがともに退避位置にあるとき、第３液受部５５ｃの上端の内側に開口が形成され、開口から第３排液溝５０１ｃへと通じる流路が形成される。

一方、第３液受部５５ｃは、第２液受部５５ｂが上昇させられた位置にある場合、または第１液受部５５ａおよび第２液受部５５ｂの両方が上昇させられた位置にある場合、第２液受部５５ｂが当接する。これにより、上端内側の開口が閉じて第３排液溝５０１ｃへと通じる流路が閉塞される。

上記した第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃに対応する底部５３、正確には第１〜第３排液溝５０１ａ〜５０１ｃに対応する底部５３にはそれぞれ、排液口５１ａ〜５１ｃが、回収カップ５０の円周方向に沿って間隔をあけつつ形成される。

ここで、排液口５１ａから排出される処理液が酸系処理液、排液口５１ｂから排出される処理液がアルカリ系処理液、排液口５１ｃから排出される処理液が有機系処理液（成膜処理液、有機溶剤など）である場合を例にとって説明する。なお、上記した各排液口５１ａ〜５１ｃから排出される処理液の種類は、あくまでも例示であって限定されるものではない。

排液口５１ａは、排液管９１ａに接続される。排液管９１ａは、途中にバルブ６２ａが介挿され、かかるバルブ６２ａの位置で第１排液管９１ａ１と第２排液管９１ａ２とに分岐される。なお、バルブ６２ａとしては、例えば、閉弁位置と、排出経路を第１排液管９１ａ１側に開放する位置と、第２排液管９１ａ２側に開放する位置との間で切り替え可能な三方弁を用いることができる。

上記した酸系処理液が再利用可能である場合、第１排液管９１ａ１は、酸系処理液供給源４５ａ（例えば酸系処理液を貯留するタンク）に接続され、排液を酸系処理液供給源４５ａへ戻す。すなわち、第１排液管９１ａ１は、循環ラインとして機能する。なお、第２排液管９１ａ２については後述する。

排液口５１ｂは、排液管９１ｂに接続される。排液管９１ｂの途中には、バルブ６２ｂが介挿される。また、排液口５１ｃは、排液管９１ｃに接続される。排液管９１ｃの途中には、バルブ６２ｃが介挿される。なお、バルブ６２ｂ，６２ｃは、制御装置４によって制御される。

そして、基板洗浄装置１４は、基板処理を行う際、基板処理中の各処理にて使用する処理液の種類などに応じて、第１カップ５０ａの第１液受部５５ａや第２カップ５０ｂの第２液受部５５ｂを昇降させ、排液口５１ａ〜５１ｃの切り替えを実行する。

例えば、酸系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１カップ５０ａおよび第２カップ５０ｂを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ，５７ａを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置まで上昇させる。これにより、制御装置４は、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給された酸系処理液は、第１排液溝５０１ａに流れ込むこととなる。

また、制御装置４は、バルブ６２ａを制御して排出経路を第１排液管９１ａ１側に開放するようにしておく。これにより、第１排液溝５０１ａに流れ込んだ酸系処理液は、排液管９１ａおよび第１排液管９１ａ１を介して酸系処理液供給源４５ａへ戻される。そして、酸系処理液供給源４５ａへ戻された酸系処理液は、ウェハＷへ再び供給される。このように、第１カップ５０ａは、回収した酸系処理液を循環させてウェハＷへ再度供給する循環ラインに接続される。

また、例えばアルカリ系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第２カップ５０ｂのみを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第２昇降駆動部５７ｂを介して第２支持部材５７ａを上昇させ、第２液受部５５ｂを処理位置まで上昇させることで、第２液受部５５ｂの上端内側の開口から第２排液溝５０１ｂへと通じる流路を形成しておく。なお、ここで第１カップ５０ａは、下降しているものとする。これにより、ウェハＷへ供給されたアルカリ系処理液は、第２排液溝５０１ｂに流れ込むこととなる。

また、制御装置４は、バルブ６２ｂを開放しておく。これにより、第２排液溝５０１ｂのアルカリ系処理液は、排液管９１ｂを介して基板洗浄装置１４の外部へ排出される。このように、排液管９１ｂは、回収したアルカリ系処理液を基板洗浄装置１４外部へ排出する排液ラインとして機能する。

また、例えば有機系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１、第２カップ５０ａ，５０ｂを下降させておく（図３参照）。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ，５７ａを下降させ、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂを退避位置まで下降させる。このようにすることで、第３液受部５５ｃの上端内側の開口から第３排液溝５０１ｃへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給された有機系処理液は、第３排液溝５０１ｃに流れ込むこととなる。

また、制御装置４は、バルブ６２ｃを開放しておき、よって第３排液溝５０１ｃの有機系処理液は、排液管９１ｃを介して基板洗浄装置１４の外部へ排出される。

回収カップ５０の底部５３、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂにはそれぞれ、排気口５２ａ，５２ｂ，５２ｃが形成される。また、排気口５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、１本の排気管に接続され、かかる排気管は排気の下流側において第１〜第３排気管９３ａ〜９３ｃに分岐される。また、第１排気管９３ａにはバルブ６４ａが介挿され、第２排気管９３ｂにはバルブ６４ｂが、第３排気管９３ｃにはバルブ６４ｃが介挿される。

第１排気管９３ａは酸性の排気用の排気管であり、第２排気管９３ｂはアルカリ性の排気用、第３排気管９３ｃは有機系排気用の排気管である。これらは、基板処理の各処理に応じて制御装置４によって切り替えられる。

例えば、酸性の排気を生じる処理の実行に際しては、第１排気管９３ａへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ａを介して酸性の排気が排出される。同様に、アルカリ性の排気を生じる処理の場合、第２排気管９３ｂへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ｂを介してアルカリ性の排気が排出される。また、有機系排気を生じる処理の場合、第３排気管９３ｃへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ｃを介して有機系排気が排出される。

＜基板洗浄システムの具体的動作＞
次に、基板洗浄装置１４の具体的動作について図５を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る基板洗浄システム１が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。基板洗浄システム１が備える各装置は、制御部１５の制御に従って図５に示す各処理手順を実行する。

図５に示すように、基板洗浄装置１４では、まず、基板搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。かかる基板搬入処理では、基板搬送装置１３１（図２参照）によってチャンバ２０内に搬入されたウェハＷが基板保持機構３０の保持部材３１１により保持される。このときウェハＷは、パターン形成面が上方を向いた状態で保持部材３１１に保持される。その後、駆動部３３によって回転保持部３１が回転する。これにより、ウェハＷは、回転保持部３１に水平保持された状態で回転保持部３１とともに回転する。

つづいて、基板洗浄装置１４では、前処理が行われる（ステップＳ１０２）。まず、第１液供給部４０＿１のノズル４１＿１がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ａが所定時間開放されることにより、レジストが形成されていないウェハＷのパターン形成面に対して酸系処理液が供給される。ウェハＷへ供給された酸系処理液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷのパターン形成面に広がる。これにより、ウェハＷのパターン形成面が酸系処理液によって処理される。その後、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿５がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｉが所定時間開放されることにより、ウェハＷのパターン形成面にＤＩＷが供給される。これにより、ウェハＷに残存する酸系処理液がＤＩＷによって洗い流される。

なお、酸系処理液の供給時においては、第１カップ５０ａおよび第２カップ５０ｂを上昇させることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給された酸系処理液は、第１排液溝５０１ａに流れ込むこととなる。

つづいて、第１液供給部４０＿１のノズル４１＿２がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｂが所定時間開放されることにより、ウェハＷのパターン形成面に対してアルカリ系処理液が供給される。ウェハＷへ供給されたアルカリ系処理液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷのパターン形成面に広がる。これにより、ウェハＷのパターン形成面がアルカリ系処理液によって処理される。その後、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿５がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｉが所定時間開放されることにより、ウェハＷのパターン形成面にＤＩＷが供給される。これにより、ウェハＷに残存するアルカリ系処理液がＤＩＷによって洗い流される。

なお、アルカリ系処理液の供給時においては、第２カップ５０ｂのみを上昇させることで、第２液受部５５ｂの上端内側の開口から第２排液溝５０１ｂへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給されたアルカリ系処理液は、第２排液溝５０１ｂに流れ込むこととなる。

つづいて、前処理としてプリウェット処理を行う場合、第１液供給部４０＿１のノズル４１＿３がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｃが所定時間開放されることにより、レジストが形成されていないウェハＷのパターン形成面に対して前処理液である［Ａ］溶媒が供給される。ウェハＷへ供給された［Ａ］溶媒は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷのパターン形成面に広がる。

このように、成膜処理液と親和性のある［Ａ］溶媒を事前にウェハＷに塗り広げておくことで、後述する成膜処理液供給処理（ステップＳ１０３）において、成膜処理液がウェハＷの上面に広がり易くなるとともに、パターンの隙間にも入り込み易くなる。したがって、成膜処理液の使用量を削減することができるとともに、パターンの隙間に入り込んだパーティクルＰをより確実に除去することが可能となる。また、成膜処理液供給処理の処理時間の短縮化を図ることもできる。

また、前処理として親水化処理を行う場合、第１液供給部４０＿１のノズル４１＿３がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｃが所定時間開放されることにより、レジストが形成されていないウェハＷのパターン形成面に対して前処理液であるオゾン水が供給される。ウェハＷへ供給されたオゾン水は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷのパターン形成面に広がる。これにより、ウェハＷのパターン形成面が親水化される。

このように、親水化処理を行うことで、親水化されたウェハＷの界面（パターン形成面）に剥離処理液が浸透し易くなるため、処理膜の除去性をさらに向上させることができる。なお、親水化処理を前処理として行う場合、オゾン水に代えて、例えば過酸化水素水を前処理液として使用してもよい。なお、ステップＳ１０２の前処理は、必ずしも行われることを要しない。

つづいて、基板洗浄装置１４では、成膜処理液供給処理が行われる（ステップＳ１０３）。かかる成膜処理液供給処理では、第１液供給部４０＿１のノズル４１＿３がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｄ，４４ｅが所定時間開放されることにより、ノズル４１＿３へ至る流路に、［Ａ］溶媒および［Ｂ］フェノール樹脂の混合液と［Ｃ］有機酸とがそれぞれ供給される。これらは、上記流路内で混合されて成膜処理液となり、レジストが形成されていないウェハＷのパターン形成面に供給される。このように、成膜処理液は、レジストを介することなくウェハＷ上に供給される。

ウェハＷへ供給された成膜処理液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に広がる。これにより、ウェハＷのパターン形成面に成膜処理液の液膜が形成される。形成される処理膜の膜厚は、１０ｎｍ〜５，０００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。上述したように、［Ｂ］フェノール樹脂を成分とする本実施形態に係る成膜処理液は、従来のアクリル樹脂を成分とする成膜処理液と比較して厚膜化が容易である。また、フェノール樹脂はアクリル樹脂と比較して安価である。したがって、本実施形態に係る基板洗浄方法によれば、ウェハＷに付着したパーティクルＰの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる。

つづいて、基板洗浄装置１４では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかる乾燥処理では、例えばウェハＷの回転速度を所定時間増加させることによって成膜処理液を乾燥させる。これにより、例えば成膜処理液に含まれる有機溶媒の一部または全部が気化して成膜処理液に含まれる固形分が固化または硬化し、ウェハＷのパターン形成面に処理膜が形成される。

なお、ステップＳ１０４の乾燥処理は、例えば、図示しない減圧装置によってチャンバ２０内を減圧状態にする処理であってもよいし、ＦＦＵ２１から供給されるダウンフローガスによってチャンバ２０内の湿度を低下させる処理であってもよい。これらの処理によっても、成膜処理液を固化または硬化させることができる。

また、基板洗浄装置１４は、成膜処理液が自然に固化または硬化するまでウェハＷを基板洗浄装置１４で待機させてもよい。また、ウェハＷの回転を停止させたり、成膜処理液が振り切られてウェハＷの表面が露出することがない程度の回転数でウェハＷを回転させたりすることによって成膜処理液を固化または硬化させてもよい。

つづいて、基板洗浄装置１４では、除去処理が行われる（ステップＳ１０５）。かかる除去処理では、ウェハＷ上に形成された処理膜が除去される。これにより、ウェハＷ上のパーティクルＰが処理膜とともに除去される。かかる除去処理の具体的な内容については、後述する。

つづいて、基板洗浄装置１４では、ステップＳ１０５でリンス処理まで行われたウェハＷに対して乾燥処理が行われる（ステップＳ１０６）。かかる乾燥処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿６がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｊが所定時間開放されることにより、ウェハＷ上に乾燥溶媒であるＩＰＡが供給される。これにより、ウェハＷ上のＤＩＷがＩＰＡに置換される。また、乾燥処理では、ウェハＷの回転速度を所定時間増加させることによって、ウェハＷの表面に残存するＩＰＡを振り切ってウェハＷを乾燥させる。その後、ウェハＷの回転が停止する。

つづいて、基板洗浄装置１４では、基板搬出処理が行われる（ステップＳ１０７）。かかる基板搬出処理では、基板搬送装置１３１（図２参照）によって、基板洗浄装置１４のチャンバ２０からウェハＷが取り出される。その後、ウェハＷは、受渡部１２２および基板搬送装置１２１を経由して、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣに収容される。かかる基板搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての基板洗浄処理が完了する。

次に、ステップＳ１０５の除去処理の具体例について説明する。以下では、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合の除去処理と、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合の除去処理とについてそれぞれ説明する。

まず、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合の除去処理の例について図６を参照して説明する。図６は、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の処理手順を示すフローチャートである。

図６に示すように、基板洗浄装置１４では、まず、ＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ２０１）。かかるＤＩＷ供給処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿４がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｆが所定時間開放されることにより、ウェハＷ上に形成された処理膜に対して剥離処理液であるＤＩＷが供給される。処理膜へ供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によって処理膜上に広がる。

ＤＩＷは、処理膜中に浸透し、処理膜とウェハＷとの界面に到達して、処理膜をウェハＷから剥離させる。これにより、ウェハＷのパターン形成面に付着したパーティクルＰが処理膜とともにウェハＷから剥離される。

つづいて、基板洗浄装置１４では、アルカリ水溶液供給処理が行われる（ステップＳ２０２）。かかるアルカリ水溶液供給処理では、バルブ４４ｇが所定時間開放されることにより、ウェハＷから剥離された処理膜に対して溶解処理液であるアルカリ水溶液が供給される。これにより、処理膜は溶解する。

溶解処理液としてアルカリ水溶液を用いた場合、ウェハＷおよびパーティクルＰに同一極性のゼータ電位を生じさせることができる。これにより、ウェハＷとパーティクルＰとが反発し合うようになるため、パーティクルＰのウェハＷへの再付着を防止することができる。

つづいて、基板洗浄装置１４では、リンス処理が行われる（ステップＳ２０３）。かかるリンス処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿５がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｉが所定時間開放されることにより、回転するウェハＷに対してＤＩＷがリンス液として供給される。これにより、溶解した処理膜やアルカリ水溶液中に浮遊するパーティクルＰが、ＤＩＷとともにウェハＷから除去される。これにより、除去処理が終了し、ステップＳ１０６の乾燥処理へ移行する。

このように、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合には、溶解処理液としてアルカリ水溶液を用いることで、処理膜を溶解させることができる。

次に、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合の除去処理の例について図７を参照して説明する。図７は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の処理手順を示すフローチャートである。

図７に示すように、基板洗浄装置１４では、まず、上述したステップＳ２０１と同様のＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ３０１）。

つづいて、基板洗浄装置１４では、有機溶剤供給処理が行われる（ステップＳ３０２）。かかる有機溶剤供給処理では、バルブ４４ｈが所定時間開放されることにより、ウェハＷから剥離された処理膜に対して溶解処理液である有機溶剤が供給される。これにより、処理膜は溶解する。

つづいて、基板洗浄装置１４では、ステップＳ２０３と同様のリンス処理が行われる（ステップＳ３０３）。これにより、除去処理が終了し、ステップＳ１０６の乾燥処理へ移行する。

このように、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合には、溶解処理液としてシンナーなどの有機溶剤を用いることで、処理膜を溶解させることができる。また、アルカリ水溶液を使用しないため、ウェハＷや下地膜へのダメージをさらに抑制することができる。

なお、ここでは、有機溶剤供給処理（ステップＳ３０２）の後に、リンス処理（ステップＳ３０３）を行うこととしたが、有機溶剤はウェハＷ上で揮発するため、リンス処理（ステップＳ３０３）は必ずしも行われることを要しない。

次に、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の変形例について図８を参照して説明する。図８は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の変形例（その１）を示すフローチャートである。

図８に示すように、基板洗浄装置１４では、まず、ＤＩＷ供給処理（ステップＳ４０１）を行い、つづいて、有機溶剤供給処理（ステップＳ４０２）を行う。これらの処理は、上述したステップＳ３０１およびステップＳ３０２の処理と同様である。

つづいて、基板洗浄装置１４では、アルカリ水溶液供給処理（ステップＳ４０３）が行われる。かかるアルカリ水溶液供給処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿４がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｇが所定時間開放されることにより、ウェハＷに対してアルカリ水溶液が供給される。その後、基板洗浄装置１４では、ステップＳ３０３と同様のリンス処理（ステップＳ４０４）が行われて、除去処理が終了する。

このように、有機溶剤供給処理後のウェハＷに対してアルカリ水溶液を供給してもよい。アルカリ水溶液を供給することで、ウェハＷおよびパーティクルＰに同一極性のゼータ電位を生じさせることができる。これにより、ウェハＷとパーティクルＰとが反発し合うようになるため、パーティクルＰのウェハＷへの再付着を防止することができる。

つづいて、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理のその他の変形例について図９を参照して説明する。図９は、アルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合における除去処理の変形例（その２）を示すフローチャートである。

図９に示すように、基板洗浄装置１４では、まず、ステップＳ３０１と同様のＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ５０１）。

つづいて、基板洗浄装置１４では、アルカリ水溶液供給処理が行われる（ステップＳ５０２）。かかるアルカリ水溶液供給処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿４がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｇが所定時間開放されることにより、ウェハＷに対してアルカリ水溶液が供給される。その後、基板洗浄装置１４では、ステップＳ３０２と同様の有機溶剤供給処理（ステップＳ５０３）およびステップＳ３０３と同様のリンス処理（ステップＳ５０４）が行われて、除去処理が終了する。なお、ステップＳ５０４のリンス処理は、省略してもよい。

このように、ＤＩＷ供給処理後のウェハＷに対してアルカリ水溶液を供給してもよい。ＤＩＷ供給処理後のウェハＷには、処理膜に含まれる特定の成分が部分的に残存する可能性がある。この特定の成分のなかには、アルカリ水溶液に可溶な成分も含まれる。これに対し、本変形例のように、ＤＩＷ供給処理後のウェハＷに対してアルカリ水溶液を供給することで、ウェハＷに残存する処理膜の成分のうちアルカリ水溶液に可溶な成分を溶解して除去することができる。したがって、本変形例によれば、処理膜の膜残りを抑えることができる。

なお、基板洗浄装置１４は、有機溶剤供給処理（ステップＳ５０３）の後に、ステップＳ４０３と同様のアルカリ水溶液供給処理を行ってもよい。

上述した各除去処理の例では、ＤＩＷ供給処理によってウェハＷ上の処理膜をウェハＷから剥離させ、その後、アルカリ水溶液供給処理または有機溶剤供給処理を行うことによって処理膜を溶解させることとした。しかし、これに限らず、処理膜をウェハＷから剥離する処理と、剥離した処理膜を溶解する処理とを１つの工程で並行して行ってもよい。かかる点について図１０を参照して説明する。

図１０は、除去処理の変形例を示すフローチャートである。なお、図１０に示す除去処理の処理手順は、アルカリに可溶な成膜処理液を用いる場合およびアルカリに難溶な成膜処理液を用いる場合の両方に適用することができる。

図１０に示すように、基板洗浄装置１４では、除去液供給処理を行う（ステップＳ６０１）。かかる除去液供給処理では、第２液供給部４０＿２のノズル４１＿４がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ４４ｇおよびバルブ４４ｈの一方とバルブ４４ｆとが所定時間開放されることにより、ウェハＷに対して希釈されたアルカリ水溶液または有機溶剤が供給される。

かかるアルカリ水溶液または有機溶剤は、低濃度であるため、処理膜をほとんど溶解させることなく、ウェハＷから剥離させることができる。このため、ＤＩＷを供給した場合と同様、パーティクルＰは、処理膜とともにウェハＷから剥離される。そして、その後、ウェハＷから剥離した処理膜は、低濃度のアルカリ水溶液または有機溶剤によって溶解される。その後、ステップＳ３０３と同様のリンス処理（ステップＳ６０２）が行われて、除去処理が終了する。なお、希釈した有機溶剤を除去液として用いる場合、ステップＳ６０２のリンス処理は、必ずしも行われることを要しない。

このように、ＤＩＷで希釈したアルカリ水溶液または有機溶剤を除去液として用いることにより、処理膜をウェハＷから剥離する処理と、剥離した処理膜を溶解する処理とを１つの工程で並行して行うことができる。これにより、基板洗浄処理に要する時間を短縮させることができる。

なお、基板洗浄装置１４では、流量調整器４６ｆ〜４６ｈの何れかを制御することにより、アルカリ水溶液または有機溶剤の濃度を徐々に高くしてもよい。例えば、基板洗浄装置１４は、第１濃度のアルカリ水溶液または有機溶剤を供給した後、第２濃度（＞第１濃度）のアルカリ水溶液または有機溶剤を供給してもよい。

上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム（例えば基板洗浄システム１に相当）は、保持部（例えば基板保持機構３０に相当）と、剥離処理液供給部（例えばノズル４１＿４、アーム４２＿２、旋回昇降機構４３＿２、バルブ４４ｆ、流量調整器４６ｆおよびＤＩＷ供給源４５ｆに相当）と、溶解処理液供給部（例えばノズル４１＿４、アーム４２＿２、旋回昇降機構４３＿２、バルブ４４ｇ，４４ｈ、アルカリ水溶液供給源４５ｇ、有機溶剤４５ｈおよび流量調整器４６ｇ，４６ｈに相当）とを備える。保持部は、有機溶媒（例えばＩＰＡ）に可溶なフェノール樹脂（例えばノボラック樹脂）を含有する処理膜が形成された基板（例えばウェハＷに相当）を保持する。剥離処理液供給部は、処理膜を基板から剥離させる剥離処理液を処理膜に対して供給する。溶解処理液供給部は、処理膜を溶解させる溶解処理液を処理膜に対して供給する。

したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、基板に付着したパーティクルＰの除去に用いられる処理膜の厚膜化を安価に実現することができる。

（その他の実施形態）
上述してきた実施形態では、「成膜処理液供給部」と「除去液供給部」とが１つのチャンバ２０内に設けられる場合の例を示したが、「成膜処理液供給部」と「除去液供給部」とは、それぞれ別々のチャンバ内に設けられてもよい。例えば、基板洗浄システム１は、図３に示す基板洗浄装置１４から第２液供給部４０＿２を取り除いたチャンバ（第１チャンバ）と、図３に示す基板洗浄装置１４から第１液供給部４０＿１を取り除いたチャンバ（第２チャンバ）とを備えてもよい。

また、基板洗浄システム１は、必ずしも「成膜処理液供給部」を備えることを要しない。すなわち、基板洗浄システム１は、処理膜が形成されたウェハＷを外部から搬入して図５に示すステップＳ１０５〜Ｓ１０７の処理を行うものであってもよい。

また、上述してきた実施形態では、液体状のＤＩＷを剥離処理液として用いる場合の例について説明したが、剥離処理液は、ミスト状のＤＩＷであってもよい。

また、上述してきた実施形態では、ノズルを用いることによって、ＤＩＷを処理膜に直接供給する場合の例について説明したが、例えば加湿装置などを用いてチャンバ内の湿度を高めることによって、処理膜に対してＤＩＷを間接的に供給するようにしてもよい。

また、上述してきた実施形態では、常温の純水であるＤＩＷを剥離処理液として用いる場合の例について説明したが、例えば加熱された純水を剥離処理液として用いてもよい。これにより、処理膜の除去性をさらに高めることができる。

また、上述してきた実施形態では、剥離処理液としてＤＩＷを用いる場合の例について説明した。しかし、ウェハＷ上に形成された処理膜を溶解させることなく（あるいは、溶解させる前に）剥離させるプロセスが実行可能な組合せであれば、剥離処理液の種類は問わない。例えば、剥離処理液は、ＣＯ２水（ＣＯ２ガスが混合されたＤＩＷ）、酸またはアルカリ性の水溶液、界面活性剤添加水溶液、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等のフッ素系溶剤、希釈ＩＰＡ（純水で希釈されたＩＰＡ：イソプロピルアルコール）、の少なくとも一つを含んでいればよい。

例えば、ウェハＷとの密着性が低く、剥離しやすい処理膜が形成されるように成膜処理液を組成したものとする。かかる場合、形成される処理膜は、剥離しやすくなる反面、撥水性が高まってＤＩＷのみでは浸透しにくくなる可能性がある。このため、このような場合、剥離処理液として、希釈ＩＰＡのような純水で希釈された有機溶剤（以下、「希釈有機溶剤」と言う）を用いることが好ましい。

かかる剥離処理液として希釈有機溶剤を用いる場合について図１１〜図１２Ｃを用いて説明する。図１１は、剥離処理液として希釈有機溶剤を用いる場合における除去処理の変形例を示すフローチャートである。図１２Ａ〜図１２Ｃは、希釈有機溶剤供給処理の説明図（その１）〜（その３）である。なお、図１１は、既に示した図７に対応している。また、図１２Ａ〜図１２Ｃでは、バルブの図示を省略している。

図１１に示すように、剥離処理液として希釈有機溶剤を用いる場合、基板洗浄装置１４では、まず、上述した図７のステップＳ３０１のＤＩＷ供給処理に代えて、希釈有機溶剤供給処理が行われる（ステップＳ７０１）。

かかる希釈有機溶剤供給処理では、ウェハＷ上に形成された処理膜を溶解させることなく処理膜へ浸透する程度の濃度、例えば希釈ＩＰＡであれば１０％以下の濃度である希釈有機溶剤が、ウェハＷへ供給される。

これにより、ウェハＷ上に形成されたパターンの深部にまで到達した処理膜に対しても剥離処理液を浸透させることが可能となるので、パターンが形成されたウェハＷであっても高いパーティクル除去性能を得ることができる。

つづいて、基板洗浄装置１４では、ステップＳ３０２と同様の有機溶剤供給処理が行われる（ステップＳ７０２）。

そして、基板洗浄装置１４では、ステップＳ３０３と同様のリンス処理が行われる（ステップＳ７０３）。これにより、除去処理が終了し、ステップＳ１０６の乾燥処理へ移行する。

なお、希釈有機溶剤の具体的な供給方法としては、例えば図１２Ａに示すように、希釈有機溶剤供給源４５ｋを設けることとしたうえで、かかる希釈有機溶剤供給源４５ｋからノズル４１＿４を介して直接にウェハＷへ希釈有機溶剤を供給することができる。

また、例えば図１２Ｂに示すように、ＤＩＷ供給源４５ｆからＤＩＷを、有機溶剤供給源４５ｈから有機溶剤を供給することで、内部混合した希釈有機溶剤をノズル４１＿４からウェハＷへ供給してもよい。

また、例えば図１２Ｃに示すように、ＤＩＷ供給源４５ｆからＤＩＷをウェハＷへ供給した後に、有機溶剤供給源４５ｈから有機溶剤をウェハＷへ供給し、ウェハＷ上で混合することで、希釈有機溶剤を生成することとしてもよい。また、この場合、ＤＩＷと有機溶剤とが同時にウェハＷへ供給されてもよい。

このように、浸透性が低い成膜処理液を用いる場合には、剥離処理液として希釈有機溶剤を用いることで、処理膜へ剥離処理液をより浸透させることができる。また、これにより、パターンが形成されたウェハＷであっても高いパーティクル除去性能を得ることができる。

また、上述してきた実施形態では、成膜処理液供給処理から乾燥処理が行われた後、除去処理が行われる場合の例について説明した（図５のステップＳ１０３〜ステップＳ１０５参照）。しかし、これに限らず、除去処理が行われる前に、成膜処理液の固化または硬化を促進させる「成膜促進処理」を行うこととしてもよい。

かかるその他の実施形態について、図１３〜図１６Ｂを用いて説明する。まず、図１３は、その他の実施形態に係る基板洗浄システム１’が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１３は、既に示した図５に対応している。

図１３に示すように、基板洗浄システム１’の基板洗浄装置１４では、まず、上述した図５のステップＳ１０１〜ステップＳ１０４と同様の、基板搬入処理、前処理、成膜処理液供給処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ８０１〜ステップＳ８０４）。

つづいて、基板洗浄装置１４では、成膜促進処理が行われる（ステップＳ８０５）。かかる成膜促進処理では、ウェハＷの表面へ供給された成膜処理液の固化または硬化を促進させる処理、一例としてウェハＷの加熱等の処理が行われる。かかる処理の具体的な態様については、図１４Ａ以降を用いて後述する。

かかる成膜促進処理を経ることにより、例えばウェハＷに形成されたパターンの深部にまで到達した成膜処理液を確実に固化または硬化させ、処理膜とパーティクルとの付着力を向上させることができる。すなわち、パターンが形成されたウェハＷであっても、かかるパターンの深部にあるパーティクルまでも確実に処理膜へ付着させ、高いパーティクル除去性能を得ることができる。

そして、基板洗浄装置１４では、ステップＳ１０５〜ステップＳ１０７と同様の、除去処理、乾燥処理および基板搬出処理が行われ（ステップＳ８０６〜ステップＳ８０８）、１枚のウェハＷについての基板洗浄処理が完了する。

次に、成膜促進処理の具体的な態様について説明する。まず、第１の態様としての成膜促進処理について説明する。図１４Ａは、第１の成膜促進処理の説明図である。また、図１４Ｂは、第１の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システム１’の構成を示す模式図である。なお、以下では、基板洗浄装置１４を「＿番号」の形式で付番して、複数の基板洗浄装置１４のそれぞれを区別する場合がある。

図１４Ａに示すように、第１の成膜促進処理では、例えばベイク装置６０を設けることとしたうえで、かかるベイク装置６０によりウェハＷをベイクすることでウェハＷへ供給された成膜処理液を加熱し、成膜処理液の固化または硬化を促進させる。なお、第１の成膜促進処理は、上述したステップＳ８０４の乾燥処理の前に行ってもよい。また、ウェハＷをベイクする条件は、温度を７０°〜１２０°、時間を６０秒以下程度とすることが好ましい。

第１の態様として、かかる第１の成膜促進処理を行う場合、ベイク装置６０を含む「成膜促進部」は、少なくとも成膜処理液供給処理が行われるチャンバ２０とは別のチャンバ２０に設けられる。これにより、ベイク処理を高性能化することができ、また、ベイク処理と成膜処理液供給処理とを別々のチャンバで並行処理することができるようになる。

具体的には、図１４Ｂに示すように、例えば成膜処理液供給処理を基板洗浄装置１４＿３〜１４＿６にて行い、除去処理を基板洗浄装置１４＿９〜１４＿１２にて行う配置とする。この場合、これらとは別のチャンバ２０を有する基板洗浄装置１４＿１、１４＿２、１４＿７および１４＿８へベイク装置６０を収容し、かかる基板洗浄装置１４＿１、１４＿２、１４＿７および１４＿８にて第１の成膜促進処理を行うとよい。

次に、第２の態様としての成膜促進処理について説明する。図１５Ａ〜図１５Ｃは、第２の成膜促進処理の説明図（その１）〜（その３）である。また、図１５Ｄ〜図１５Ｆは、第２の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システム１’の構成を示す模式図（その１）〜（その３）である。

図１５Ａに示すように、第２の成膜促進処理では、例えば基板保持機構３０において、支柱部３２を介してノズル４１＿７を設けることとした。そして、そのうえで、保持部材３１１によって回転保持部３１の上面から離間した状態で水平保持されたウェハＷの裏面側へ、ノズル４１＿７から高温のＤＩＷを供給することによってウェハＷの表面側の成膜処理液を加熱する。

これにより、ウェハＷの表面側の成膜処理液の固化または硬化を間接的に促進させることができる。なお、ノズル４１＿７から供給するのはＤＩＷに限らず高温の流体であればよく、例えば高温の窒素ガスであったり、水蒸気であったりしてもよい。

また、ウェハＷの裏面からに限らず、ウェハＷの表面側へ供給された成膜処理液に対し、図１５Ｂに示すように、ノズル４１を介してウェハＷの表面側から高温の流体を供給することによって、成膜処理液を直接的に加熱することとしてもよい。

また、図１５Ａおよび図１５Ｂに示す第２の成膜促進処理は、成膜処理液の供給中に、すなわち成膜処理液供給処理と並行して行われてもよい。

また、図１５Ａおよび図１５Ｂでは、成膜処理液が供給された後あるいは供給中に第２の成膜促進処理を行う場合の例を示した。これに限らず、図１５Ｃに示すように、成膜処理液がウェハＷへ供給される前に、ウェハＷへノズル４１あるいはノズル４１＿７から高温の流体を供給することによってウェハＷを予め加熱し、間接的に成膜処理液を加熱することとしてもよい。

このような第２の成膜促進処理を行う場合、例えばノズル４１＿７やノズル４１を含む「成膜促進部」は、成膜処理液供給処理や除去処理が行われるチャンバ２０と同一のチャンバ２０に設けることができる。

具体的には、図１５Ｄに示すように、例えば成膜処理液供給処理、第２の成膜促進処理および除去処理をあわせて、基板洗浄装置１４＿１〜１４＿１２のそれぞれにて行う配置とすることができる。

また、図１５Ｅに示すように、例えば成膜処理液供給処理を基板洗浄装置１４＿１〜１４＿６にて行う配置とした場合、これとは別のチャンバ２０を有する基板洗浄装置１４＿７〜１４＿１２にて第２の成膜促進処理および除去処理を行う配置とすることができる。

また、図１５Ｆに示すように、例えば成膜処理液供給処理および第２の成膜促進処理をあわせて基板洗浄装置１４＿１〜１４＿６にて行い、除去処理を基板洗浄装置１４＿７〜１４＿１２にて行う配置としたものとする。この場合、基板洗浄装置１４＿１〜１４＿６の基板保持機構３０がウェハＷをバキュームチャック等で保持する場合には、少なくともウェハＷの表面側からの第２の成膜促進処理（図１５Ｂ，１５Ｃ）を各基板洗浄装置１４＿１〜１４＿６にて行うことができる。

次に、第３の態様としての成膜促進処理について説明する。図１６Ａは、第３の成膜促進処理の説明図である。また、図１６Ｂは、第３の成膜促進処理を実行する場合における基板洗浄システム１’の構成を示す模式図である。

図１６Ａに示すように、第３の成膜促進処理では、例えば搬送部１２，１３のいずれかの位置に「成膜促進部」としての熱源７０を設けることとした。そのうえで、第３の成膜促進処理では、表面へ成膜処理液が供給されたウェハＷが熱源７０の近傍を通過する際に、かかる熱源７０の熱により成膜処理液を加熱する。これにより、ウェハＷの表面側の成膜処理液の固化または硬化を促進させることができる。なお、成膜処理液は、ウェハＷの表面側および裏面側のいずれから加熱されてもよい。

図１６Ｂに示す熱源７０は、例えばハロゲンランプ等である。基板洗浄装置１４＿１〜１４＿６にて成膜処理液供給処理を行い、基板洗浄装置１４＿７〜１４＿１２にて除去処理を行う配置とした場合、熱源７０は、たとえば、搬送部１３における搬送経路や基板搬送装置１３１のウェハ保持機構に設けることができる。また、熱源７０は、搬送部１２の受渡部１２２等に設けることができる。熱源７０は、基板搬送装置１３１のウェハ保持機構に設けられた場合、成膜処理液が供給されたウェハＷがこのウェハ保持機構により保持される間に、成膜処理液を加熱する。

なお、かかる第３の成膜促進処理では、熱源７０に限らず、熱源７０に代えて例えばＵＶ（Ultraviolet）光源を設けることとしたうえで、かかるＵＶ光源による紫外光の照射により、成膜処理液の固化または硬化を促進させることとしてもよい。

また、上述してきた各実施形態では、溶解処理液としてアルカリ現像液を用いる場合の例について説明してきたが、溶解処理液は、アルカリ現像液に過酸化水素水を加えたものであってもよい。このように、アルカリ現像液に過酸化水素水を加えることによって、アルカリ現像液によるウェハＷ表面の面荒れを抑制することができる。また、溶解処理液は、酢酸、蟻酸、ヒドロキシ酢酸等の酸性現像液であってもよい。

さらに、溶解処理液は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤には表面張力を弱める働きがあるため、パーティクルＰのウェハＷ等への再付着を抑制することができる。また、除去対象の不要物としてはパーティクルＰに限らず、例えばドライエッチング後またはアッシング後に基板上に残存するポリマー等の他の物質でも良い。

ところで、成膜処理液供給処理および除去処理が行われる基板洗浄装置１４においては、ウェハＷから飛散した成膜処理液が処理膜となってチャンバ２０内の各場所に付着することによってチャンバ２０内が汚染されるおそれがある。

このため、例えば定期的にチャンバ２０の内部を洗浄することが望ましい。しかし、本実施形態に係る成膜処理液はＤＩＷに難溶であるため、洗浄液としてＤＩＷを供給しただけではチャンバ２０内から処理膜を除去することは困難である。

そこで、以下では、チャンバ２０の内部に付着した処理膜を適切に除去するためのチャンバ洗浄処理について説明する。図１７は、チャンバ洗浄処理の手順を示すフローチャートである。

図１７に示すように、チャンバ洗浄処理においては、まず、希釈有機溶剤供給処理が行われる（ステップＳ９０１）。希釈有機溶剤供給処理は、チャンバ２０内におけるウェハＷ以外の場所に対して希釈有機溶剤を供給する処理である。希釈有機溶剤は、剥離処理液と溶解処理液との混合液の一例であり、例えば、ＤＩＷとＩＰＡとの混合液である。

希釈有機溶剤は、ＤＩＷと比べて表面張力が低く、処理膜への浸透性が高い。このため、チャンバ２０における処理膜の付着面と処理膜との界面部分にＤＩＷを容易に浸透させることができる。つまり、処理膜がチャンバ２０内の付着面から剥離し易い状態とすることができる。

つづいて、ＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ９０２）。ＤＩＷ供給処理は、チャンバ２０内におけるウェハＷ以外の場所に対し、ＤＩＷを供給する処理である。ＤＩＷは、剥離処理液の一例である。

上述した希釈有機溶剤供給処理によって、処理膜はチャンバ２０内の付着面から剥離し易い状態となっているため、ＤＩＷを供給することによってかかる処理膜をチャンバ２０内の付着面から容易に除去することができる。

このように、チャンバ洗浄処理においては、チャンバ２０内におけるウェハＷ以外の場所に対し、剥離処理液と溶解処理液との混合液である希釈有機溶剤を供給した後で剥離処理液であるＤＩＷを供給する。これにより、チャンバ２０の内部に付着した処理膜を適切に除去することができる。

次に、上述したチャンバ洗浄処理の具体的な動作例について図１８Ａ〜図１８Ｈを参照して説明する。図１８Ａ〜図１８Ｈは、チャンバ洗浄処理の動作例を示す図である。

例えば、図１８Ａに示すように、チャンバ洗浄処理は、回転保持部３１、保持部材３１１、第１回転カップ１０１および第２回転カップ１０２を洗浄する処理であってもよい。この場合、例えば、回転保持部３１を回転させた状態で、ノズル４１＿４を回転保持部３１の中心部と外周部との間で往復させながら、ノズル４１＿４から希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、回転保持部３１および回転保持部３１の外周部に配置される保持部材３１１、第１回転カップ１０１および第２回転カップ１０２に付着した処理膜を除去することができる。

なお、図１８Ａに示す例において、ノズル４１＿４は、チャンバ２０内に配置され、チャンバ２０内におけるウェハＷ以外の場所に対して洗浄液（希釈有機溶剤およびＤＩＷ）を供給する洗浄液供給部の一例である。

また、図１８Ｂに示すように、チャンバ洗浄処理は、第１〜第３排液溝５０１ａ〜５０１ｃを洗浄する処理であってもよい。この場合、基板洗浄装置１４は、第１排液溝５０１ａに洗浄液（希釈有機溶剤およびＤＩＷ）を供給する洗浄液供給部８０＿１を備える。

洗浄液供給部８０＿１は、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂと、バルブ８２ａ，８２ｂと、流量調整器８４ａ，８４ｂとを備える。洗浄液供給管８１ａは、一端がＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、他端が第１カップ５０ａの排液口５１ａに接続される。洗浄液供給管８１ｂは、一端が洗浄液供給管８１ａに接続され、他端が有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

バルブ８２ａおよび流量調整器８４ａは、洗浄液供給管８１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。また、バルブ８２ｂおよび流量調整器８４ｂは、洗浄液供給管８１ｂに設けられ、制御装置４によって制御される。

図１８Ｂに示すチャンバ洗浄処理では、バルブ８２ａおよびバルブ８２ｂを所定時間開放することにより、第１排液溝５０１ａに希釈有機溶剤を供給する。これにより、第１排液溝５０１ａに希釈有機溶剤が貯留され、第１排液溝５０１ａに貯留された希釈有機溶剤が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越えて、第２排液溝５０１ｂへオーバーフローすることにより、第２排液溝５０１ｂに希釈有機溶剤が貯留される。さらに、第２排液溝５０１ｂに貯留された希釈有機溶剤が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越えて、第３排液溝５０１ｃへオーバーフローすることにより、第３排液溝５０１ｃにも希釈有機溶剤が貯留される。

つづいて、各排液口５１ａ〜５１ｃから希釈有機溶剤を排出した後、バルブ８２ａのみを所定時間開放することにより、第１排液溝５０１ａにＤＩＷを供給する。これにより、第１〜第３排液溝５０１ａ〜５０１ｃにＤＩＷが貯留される。その後、各排液口５１ａ〜５１ｃからＤＩＷを排出する。これにより、第１〜第３排液溝５０１ａ〜５０１ｃに付着した処理膜を除去することができる。

また、図１８Ｃに示すように、チャンバ２０の内部には、第３カップ５０ｃのさらに外周に排気カップ５０ｄが配置され、排気カップ５０ｄのさらに外周にミストガード５０ｅが配置される場合がある。排気カップ５０ｄは、外周筒部５０ｄ１と、外周筒部５０ｄ１の上端部から外周筒部５０ｄ１の径方向内側に張り出す張出部５０ｄ２とを備える。同様に、ミストガード５０ｅも、外周筒部５０ｅ１と、外周筒部５０ｅ１の上端部から外周筒部５０ｅ１の径方向内側に張り出す張出部５０ｅ２とを備える。なお、排気カップ５０ｄは不動であり、ミストガード５０ｅは図示しない昇降機構によって昇降可能である。

このような場合、チャンバ洗浄処理は、例えば、第３カップ５０ｃと排気カップ５０ｄとの間に形成される排気経路５０５を洗浄する処理であってもよい。例えば、ノズル４１＿４を第１回転カップ１０１のさらに外周側に配置させ、第１回転カップ１０１と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間に形成される空間（すなわち、排気経路５０５の入り口）に対して希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、排気経路５０５に付着した処理膜を除去することができる。また、第１回転カップ１０１と第３カップ５０ｃとの隙間から希釈有機溶剤およびＤＩＷが漏れ出ることで、かかる隙間に付着した処理膜や延設部５４ｄ１等に付着した処理膜も除去することができる。

また、図１８Ｄに示すように、チャンバ洗浄処理は、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面とを洗浄する処理であってもよい。この場合、基板洗浄装置１４は、例えば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部８０＿２を備える。

洗浄液供給部８０＿２は、ノズル４１＿８を備える。ノズル４１＿８は、例えば、排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に設けられる。ノズル４１＿８は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

図１８Ｄに示すチャンバ洗浄処理では、ノズル４１＿８から希釈有機溶剤を供給することにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間に希釈有機溶剤を貯留する。その後、図示しない排液経路から希釈有機溶剤を排出した後、ノズル４１＿８からＤＩＷを供給することにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間にＤＩＷを貯留する。その後、図示しない排液経路からＤＩＷを排出する。これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面および排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に付着した処理膜を除去することができる。

また、図１８Ｅに示すように、チャンバ洗浄処理は、基板保持機構３０の回転保持部３１の下面を洗浄する処理であってもよい。この場合、基板洗浄装置１４は、回転保持部３１の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部８０＿３を備える。

洗浄液供給部８０＿３は、ノズル４１＿９を備える。ノズル４１＿９は、例えば、内壁部５４ｄの上端部に設けられる。ノズル４１＿９は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

図１８Ｅに示すチャンバ洗浄処理では、回転する回転保持部３１の下面に対してノズル４１＿９から希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、回転保持部３１の下面に付着した処理膜を除去することができる。

また、図１８Ｆに示すように、チャンバ洗浄処理は、排気経路を洗浄する処理であってもよい。この場合、基板洗浄装置１４は、各排気口５２ａ〜５２ｃから排出された排気が合流する合流部６０１の内部および合流部６０１に接続されるダクト６０２に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部８０＿４を備える。なお、合流部６０１およびダクト６０２は、図３に示すＨ部に設けられる。

洗浄液供給部８０＿４は、ノズル４１＿１０およびノズル４１＿１１を備える。ノズル４１＿１０は、例えば、合流部６０１の天井部に設けられる。また、ノズル４１＿１１は、例えば、ダクト６０２の上昇部分の壁面に設けられる。ノズル４１＿１０およびノズル４１＿１１は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

図１８Ｆに示すチャンバ洗浄処理では、ノズル４１＿１０およびノズル４１＿１１から回転する回転保持部３１の下面に対して希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、合流部６０１およびダクト６０２に付着した処理膜を除去することができる。

また、図１８Ｇに示すように、チャンバ２０の内部には、ノズル４１＿４〜４１＿６を洗浄するノズル洗浄部６０３が配置される場合がある。ノズル洗浄部６０３は、洗浄液の貯留槽を備え、貯留槽に貯留された洗浄液にノズル４１＿４〜４１＿６を浸漬させることにより、ノズル４１＿４〜４１＿６を洗浄する。

このようにチャンバ２０の内部にノズル洗浄部６０３が配置される場合、かかるノズル洗浄部６０３を洗浄液供給部８０＿５として用いてもよい。洗浄液供給部８０＿５としてのノズル洗浄部６０３は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続される。また、洗浄液供給部８０＿５としてのノズル洗浄部６０３は、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

図１８Ｇに示すチャンバ洗浄処理では、ノズル洗浄部６０３の貯留槽に希釈有機溶剤を貯留し、貯留槽に貯留された希釈有機溶剤にノズル４１＿４〜４１＿６を所定時間浸漬させた後、貯留槽から希釈有機溶剤を排出する。つづいて、ノズル洗浄部６０３の貯留槽にＤＩＷを貯留し、貯留槽に貯留されたＤＩＷにノズル４１＿４〜４１＿６を所定時間浸漬させる。これにより、ノズル４１＿４〜４１＿６に付着した処理膜を除去することができる。

また、洗浄液供給部８０＿５は、ノズル洗浄部６０３の上方に位置するチャンバ２０の天井部にノズル４１＿１２を備えていてもよい。ノズル４１＿１２は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

この場合、ノズル４１＿４〜４１＿６をノズル洗浄部６０３において浸漬洗浄させている間に、ノズル４１＿１２からアーム４２＿２に対して希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、ノズル４１＿４〜４１＿６に付着した処理膜だけでなくアーム４２＿２に付着した処理膜も除去することができる。

また、図１８Ｈに示すように、チャンバ洗浄処理は、チャンバ２０内の空間を全体的に洗浄する処理であってもよい。この場合、基板洗浄装置１４は、チャンバ２０内の空間に対して洗浄液を全体的に供給する洗浄液供給部８０＿６を備える。

洗浄液供給部８０＿６は、ノズル４１＿１３を備える。ノズル４１＿１３は、例えば、チャンバ２０の天井部近傍の内壁部に対して複数設けられる。ノズル４１＿１３は、洗浄液供給管８１ａ、流量調整器８４ａおよびバルブ８２ａを介してＤＩＷ供給源４５ｆに接続され、洗浄液供給管８１ａ，８１ｂ、流量調整器８４ｂおよびバルブ８２ｂを介して有機溶剤供給源４５ｈに接続される。

図１８Ｈに示すチャンバ洗浄処理では、ノズル４１＿１３から希釈有機溶剤およびＤＩＷを順次供給する。これにより、チャンバ２０の内部を全体的に洗浄することができる。

このように、希釈有機溶剤供給処理およびＤＩＷ供給処理を含むチャンバ洗浄処理を行うことで、チャンバ２０内の各場所に付着した処理膜を適切に除去することができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ
Ｐ パーティクル
１，１’ 基板洗浄システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
４ 制御装置
１４ 基板洗浄装置
２０ チャンバ
２１ ＦＦＵ
３０ 基板保持機構
４０＿１，４０＿２ 液供給部
４５ａ 酸系処理液供給源
４５ｂ アルカリ径処理液供給源
４５ｃ 前処理液供給源
４５ｄ Ａ＋Ｂ供給源
４５ｅ Ｃ供給源
４５ｆ ＤＩＷ供給源
４５ｇ アルカリ水溶液供給源
４５ｈ 有機溶剤供給源
４５ｉ ＤＩＷ供給源
４５ｊ ＩＰＡ供給源

Claims (10)

1. 有機溶媒に可溶なフェノール樹脂を含有する処理膜が形成された基板を保持する保持部と、
   前記処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を前記処理膜に対して供給する剥離処理液供給部と、
   前記処理膜を溶解させる溶解処理液を前記処理膜に対して供給する溶解処理液供給部と
   を備える、基板処理システム。
2. 前記処理膜は、前記フェノール樹脂としてノボラック樹脂を含有する、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記基板に対して前記フェノール樹脂と前記有機溶媒とを含有する成膜処理液を供給する成膜処理液供給部
   を備え、
   前記基板上に、前記供給された成膜処理液が固化または硬化することにより前記処理膜が形成される、請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記成膜処理液は、低分子有機酸をさらに含有する、請求項３に記載の基板処理システム。
5. 前記成膜処理液における前記低分子有機酸の濃度は、
   ０．１質量％以上５質量％以下である、請求項４に記載の基板処理システム。
6. 前記保持部、前記成膜処理液供給部、前記剥離処理液供給部および前記溶解処理液供給部を収容するチャンバと、
   前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内における前記基板以外の場所に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部と
   を備え、
   前記洗浄液供給部は、
   前記チャンバ内における前記基板以外の場所に対し、前記剥離処理液と前記溶解処理液との混合液を供給した後で前記剥離処理液を供給する、請求項３〜５のいずれか一つに記載の基板処理システム。
7. 前記剥離処理液は、純水である、請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理システム。
8. 前記溶解処理液は、有機溶剤である、請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理システム。
9. 有機溶媒に可溶なフェノール樹脂を含有する処理膜を基板上に形成する処理膜形成工程と、
   前記基板上の処理膜に対して前記処理膜を除去する除去液を供給する除去液供給工程と
   を含む、基板洗浄方法。
10. コンピュータ上で動作し、基板処理システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、請求項９に記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させる、記憶媒体。

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