JP2014123704A - 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 - Google Patents
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る基板洗浄システムは、第1処理部と、第2処理部とを備える。第1処理部は、基板を保持する第1保持部と、揮発成分を含み基板の主面全面に膜を形成するための処理液を基板へ供給する第1供給部とを含む。第2処理部は、基板を保持する第2保持部と、第1供給部によって基板に供給された処理液から揮発成分が揮発することによって基板上で固化または硬化して形成された膜の全てを溶解させる除去液を基板へ供給する第2供給部とを含む。
【選択図】図1
Description
<基板洗浄システムの概略構成>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成について図1を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、以下では、X軸負方向側を基板洗浄システムの前方、X軸正方向側を基板洗浄システムの後方と規定する。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄装置7が行う基板洗浄方法の内容について図2A〜図2Cを参照して説明する。図2A〜図2Cは、基板洗浄方法の説明図である。なお、以下においては、ウェハWの回路形成面を「主面」とし、主面と反対側の面を「裏面」とする。
次に、基板洗浄装置7の構成および動作について具体的に説明する。まず、第1処理部5の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1処理部5の構成を示す模式図である。なお、図3では、第1処理部5の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
ここで、物理力を用いた洗浄方法である2流体洗浄と、第1の実施形態に係る基板洗浄方法(以下、「本洗浄方法」と記載する)との比較結果について説明する。まず、比較条件について図15Aおよび図15Bを参照して説明する。図15Aおよび図15Bは、本洗浄方法と2流体洗浄との比較条件の説明図である。
次に、化学的作用を用いた洗浄方法であるSC1(アンモニア過水)による薬液洗浄と、本洗浄方法との比較について説明する。図14および図15は、本洗浄方法と薬液洗浄との比較結果を示す図である。図14にはパーティクル除去率の比較結果を、図15にはフィルムロスの比較結果をそれぞれ示している。フィルムロスとは、ウェハ上に形成された下地膜である熱酸化膜の侵食深さのことである。
基板洗浄装置の構成は、第1の実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、基板洗浄装置の他の構成について図9を参照して説明する。図9は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係る基板洗浄装置について説明する。図10Aおよび図10Bは、第2処理部が備える回転保持機構の変形例を示す模式図である。
上述してきた各実施形態では、成膜用処理液供給処理を第1処理部において行い、揮発促進処理および除去液供給処理を第2処理部において行う場合の例について説明した。しかし、揮発促進処理は、第1処理部において行なってもよい。そこで、以下では、第1処理部に揮発促進機能を設ける場合の変形例について図12Aおよび図12Bを参照して説明する。図12Aおよび図12Bは、第1処理部に揮発促進機能を設ける場合の変形例を示す図である。
また、上述してきた各実施形態では、揮発促進処理を第1処理部および第2処理部のいずれかにおいて行うこととしたが、基板洗浄装置は、揮発促進処理用の処理ユニットをさらに備えてもよい。かかる場合の例について図13を参照して説明する。図13は、第5の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す模式図である。
上述してきた各実施形態では、成膜用処理液としてトップコート液を用いる場合の例について説明したが、成膜用処理液は、トップコート液に限定されない。
5 第1処理部
6 第2処理部
7 基板洗浄装置
8 制御装置
9 第3処理部
52 第1基板保持部
521 吸着保持部
53,54,55 液供給部
62 第2基板保持部
621 回転保持機構
621a 把持部
622 流体供給部
63 液供給部
100 基板洗浄システム
Claims (21)
- 基板を保持する第1保持部と、揮発成分を含み前記基板の主面全面に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1供給部とを含む第1処理部と、
前記基板を保持する第2保持部と、前記第1供給部によって前記基板に供給された前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化して形成された膜の全てを溶解させる除去液を前記基板へ供給する第2供給部とを含む第2処理部と
を備えることを特徴とする基板洗浄システム。 - 前記第2保持部に保持された前記基板の裏面中心に洗浄液を供給する裏面洗浄部
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄システム。 - 前記第1保持部は、前記基板を吸着保持する吸着保持部を備え、
前記第2保持部は、前記基板の周縁部を把持する把持部を備えること
を特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄システム。 - 前記膜によって前記基板の主面全面が覆われた状態で、前記基板の裏面が前記裏面洗浄部によって洗浄されること
を特徴とする請求項2に記載の基板洗浄システム。 - 前記第2処理部は、
前記第2保持部が備える前記把持部に対して前記除去液を供給する第3供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項3または4に記載の基板洗浄システム。 - 前記第1処理部または前記第2処理部は、
前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部を含む第3処理部
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記処理液は、
合成樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記処理液は、トップコート液、レジスト液または反射防止膜液のいずれかであること
を特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記除去液は、アルカリ性の液体であること
を特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記第1処理部と前記第2処理部とがそれぞれ異なるチャンバに収容されること
を特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記第1処理部は、
前記基板へ所定の薬液を供給する薬液供給部と
前記基板へ純水を供給する純水供給部と
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記第1処理部は、
前記第1供給部によって前記基板に供給される処理液と親和性のある溶剤を前記基板へ供給する溶剤供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。 - 前記第2保持部は、
前記基板の周縁部を把持する第1の把持部と、前記第1の把持部と独立して動作可能な第2の把持部とを備えることを特徴とする請求項3に記載の基板洗浄システム。 - 基板を保持する第1保持部を用いて、前記基板を保持する第1保持工程と、
前記第1保持部に保持された前記基板に対して、揮発成分を含み前記基板の主面全面に膜を形成するための処理液を供給する第1供給工程と、
前記基板を保持する第2保持部を用いて、前記第1供給工程後の前記基板を保持する第2保持工程と、
前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化して形成された膜の全てを溶解させる除去液を前記基板へ供給する第2供給工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記第2保持部に保持された前記基板の裏面中心に洗浄液を供給する裏面洗浄工程
をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の基板洗浄方法。 - 前記第1保持工程において、前記第1保持部を用いて前記基板を吸着保持し、
前記第2保持工程において、前記第2保持部を用いて前記基板の周縁部を把持すること
を特徴とする請求項15または16に記載の基板洗浄方法。 - 前記裏面洗浄工程は、前記膜によって前記基板の主面全面が覆われた状態で行われること
を特徴とする請求項16に記載の基板洗浄方法。 - 前記第1供給工程前に、前記第1供給工程において前記基板に供給される処理液と親和性のある溶剤を前記基板へ供給する溶剤供給工程
をさらに含むことを特徴とする請求項15〜18のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記第1供給工程前に、前記基板上に構成される材料または前記基板上に付着する異物を溶解する所定の薬液を前記基板へ供給する薬液工程と、
前記薬液工程後の前記基板に対して純水を供給するリンス工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項15〜19のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - コンピュータ上で動作し、基板洗浄装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項15〜20のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄装置を制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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