JP2010186901A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板表面WfにDIWの液膜11を形成し、パターンFPの間隙内部にDIWを入り込ませた後、HFE液が基板表面Wfに供給されてパターンFPの間隙内部にDIWを孤立して残留させながらパターンFP上面を含む基板表面Wf全体にHFE液の液膜12を形成している。このため、パターンFP上面に付着するパーティクルPはHFE液の液膜12中に存在し、パターンFPの間隙内部のDIWを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。
【選択図】図3
Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、微細パターンが形成された基板表面Wfに対して後述するように一連の洗浄処理(液膜形成工程+置換工程+凝固体形成工程+物理洗浄工程+リンス工程+本乾燥工程)を施す装置である。
図4はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。また、図5は図4の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、パターンFPの間隙内部のみにDIWを孤立して残留させるために有機溶剤の蒸気を用いている点であり、その他の構成および動作は第1実施形態と同様である。したがって、以下の説明においては、相違点を中心に説明する。
5…二流体ノズル(物理洗浄手段)
8…IPAベーパー吐出ノズル(液体除去手段)
9…ノズル(物理洗浄手段)
13…凝固体
65…HFE液供給部(液体除去手段)
66…IPAベーパー供給部(液体除去手段)
77…ノズル(液体除去手段)
91…外管
92…内管
FP…パターン
P…パーティクル
Wf...基板表面
W…基板
Claims (6)
- 所定のパターンが形成された基板表面に対して洗浄処理を施す基板処理方法において、
液体が付着した前記基板表面に対して有機溶剤の蒸気または前記液体よりも凝固点が低い溶液を供給して前記パターンの間隙内部を除く前記基板表面から前記液体を除去して前記液体を前記パターンの間隙内部に孤立させる液体孤立工程と、
前記パターンの間隙内部で孤立する前記液体を選択的に凝固させて該パターンの間隙内部に凝固体を形成する凝固体形成工程と、
前記パターンの間隙内部に前記凝固体を形成した状態を保ちながら前記基板表面に対して物理的な洗浄作用を有する物理洗浄を施す物理洗浄工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記液体孤立工程は、前記パターンの間隙内部を除く前記基板表面上の前記液体を前記溶液で置換する工程であり、
前記凝固体形成工程は、前記液体の凝固点よりも低く、しかも前記溶液の凝固点よりも高い温度に前記基板を冷却して前記溶液を液相に保ちながら前記液体を凝固させる工程である請求項1記載の基板処理方法。 - 前記液体は純水であり、前記溶液はハイドロフルオロエーテルを主成分とする溶液である請求項2記載の基板処理方法。
- 前記液体孤立工程は、前記パターンの間隙内部を除く前記基板表面上の前記液体を前記蒸気供給により前記基板表面から蒸発乾燥する工程であり、
前記凝固体形成工程は、前記液体の凝固点よりも低い温度に前記基板を冷却して前記液体を凝固させる工程である請求項1記載の基板処理方法。 - 前記液体は純水であり、前記蒸気はイソプロピルアルコールの蒸気である請求項4記載の基板処理方法。
- 所定のパターンが形成された基板表面に対して洗浄処理を施す基板処理装置において、
液体が付着した前記基板表面に対して有機溶剤の蒸気または前記液体よりも凝固点が低い溶液を供給して前記パターンの間隙内部を除く前記基板表面から前記液体を除去する液体除去手段と、
前記液体除去手段による液体除去後に前記パターンの間隙の残留する前記液体を選択的に凝固させて該パターンの間隙内部に凝固体を形成する凝固体形成手段と、
前記パターンの間隙内部に前記凝固体を形成した状態を保ちながら前記基板表面に対して物理的な洗浄作用を有する物理洗浄を施す物理洗浄手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
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