JP2018139331A - 基板乾燥方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このリンス工程の後に、基板乾燥方法の一連の工程が実行される。
11 スピンチャック
22,22a,22b,22c リンス液供給手段
24,24a,24b,24c N2ガス供給手段
30,30a、30b、30c、31,32,34 昇華性物質溶液供給手段
15,62,71 加熱手段
100 パターン
101 パターンの凸状部
102 パターンの凹部
Claims (14)
- 表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法において、
前記基板に昇華性物質の溶液を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、
前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質で満たす溶媒乾燥工程と、
前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、
を備えた基板乾燥方法。 - 前記溶媒乾燥工程は、前記基板を回転させること、前記基板に乾燥促進流体を供給すること、のうち少なくともいずれか一つによって行われる、請求項1または2に記載の基板乾燥方法。
- 前記溶媒乾燥工程は、固体の状態の前記昇華性物質が前記パターンを覆うようにする、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記溶媒乾燥工程は、固体の状態の前記昇華性物質が前記基板上に均一な膜厚で形成されるようにする、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記溶媒乾燥工程は、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度よりも低い温度に加熱することによって行われる、請求項1に記載の基板乾燥方法。
- 前記基板乾燥方法は、一つの処理部内において行われる、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記基板乾燥方法は、一つの処理部内において、前記昇華性物質充填工程と、前記溶媒乾燥工程が行われ、前記一つの処理部とは異なる処理部において、前記昇華性物質除去工程が行われる、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記昇華性物質は、ケイフッ化アンモニウム、ショウノウまたはナフタレンである、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記溶液の溶媒は、水、アルコールまたはこれらの混合物である、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記昇華性物質充填工程の前に前記基板にリンス液を供給するリンス工程が行われ、前記昇華性物質充填工程により前記基板上のリンス液が前記昇華性物質の溶液で置換される、請求項1から9のうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 基板に液を供給する液供給手段と、
前記基板に昇華性物質の溶液を供給する昇華性物質溶液供給手段と、
前記基板に付着した前記昇華性物質の溶液中の溶媒を乾燥させる溶媒乾燥手段と、
前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱する加熱手段と
を備えた基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、昇華した前記昇華性物質を排出する排気手段をさらに有する請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、
前記液供給手段と、前記昇華性物質溶液供給手段と、前記溶媒乾燥手段とを備えた第1の処理ユニットと、
前記加熱手段を備えた第2の処理ユニットと、
前記第1の処理ユニットと前記第2の処理ユニットにおいて、前記基板を搬出入する基板搬送機構と、
を備えた、請求項11または12に記載の基板処理装置。 - 前記溶媒乾燥手段は、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より低い温度に加熱する請求項11から13のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
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