TWI623816B - 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的為：將塗布液塗布在基板上之際，無論塗布液的黏度而將塗布液的供給量抑制為少量、並在基板面內將塗布液均勻塗布。本發明係一種將塗布液塗布在晶圓上的方法，分別在晶圓的中央部由溶劑形成第一液膜、在晶圓的外周部由溶劑形成膜厚較該第一液膜更厚之環狀的第二液膜(步驟T1)。然後，一面使晶圓以第一旋轉速度旋轉，一面將塗布液供給至晶圓的中心部(步驟T2)。一面供給塗布液，一面使晶圓以較第一旋轉速度更快的第二旋轉速度旋轉，使塗布液在晶圓上擴散(步驟T3)。

Description

塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置
本發明係關於將塗布液塗布在基板之塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置。
例如半導體元件的製造過程中的光刻步驟之中，例如在作為基板的半導體晶圓(以下稱作「晶圓」)上，依次進行：塗布處理，塗布預定塗布液而形成反射防止膜或光阻膜之類的塗布膜；曝光處理，將光阻膜曝光成預定圖案；以及顯影處理，將經曝光的光阻膜顯影；而在晶圓上形成預定的光阻圖案。
上述塗布處理之中多使用所謂的旋轉塗布法，由噴嘴將塗布液供給至旋轉中之晶圓的中心部，且藉由離心力而在晶圓上將塗布液擴散，藉以將塗布膜形成在晶圓上。
然而，如同光阻液之昂貴塗布液的塗布處理之中，雖然須要盡力抑制供給量，但當使供給量減少時，則塗布膜的面內均勻性會惡化。於是，吾人為了塗布膜之面內均勻性與塗布液之使用量削減，進行所謂的預溼(Pre-Wet)處理，於供給塗布液之前將稀釋劑等溶劑塗布在晶圓上而使晶圓的可濕性改善(專利文獻1)。
進行預濕處理的情形下，於光阻液的供給之前將溶劑供給至晶圓的中心部並使晶圓旋轉，使溶劑擴散在晶圓整面。然後，使晶圓的旋轉速度加速至預定旋轉速度為止，且使光阻液供給至晶圓的中心部而擴散在晶圓整面。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2008－71960號公報
〔發明所欲解決之問題〕 然而，即使於進行預濕處理之情形下，當進一步削減光阻液的供給量時，則塗布膜的面內均勻性惡化，因此光阻液之供給量削減有極限。
尤其，本案發明人已確定以下現象：於使用黏度為數cP左右的低黏度光阻液之情形下，當減少供給量時，則在晶圓的外周部膜厚會降低，且會產生脈狀的塗布斑。
本發明係鑒於此點而成，其目的為：於將塗布液塗布在基板上之際，無論塗布液的黏度，而將塗布液的供給量抑制為少量、並在基板面內將塗布液均勻塗布。 〔解決問題之方式〕
為了達成前述目的，本發明係一種將塗布液塗布在基板上的方法，其特徵為包括：溶劑液膜形成步驟，分別在前述基板的中央部由溶劑形成第一液膜、在前述基板的外周部由前述溶劑形成膜厚較前述第一液膜更厚之環狀的第二液膜；塗布液供給步驟，一面使前述基板以第一旋轉速度旋轉，一面將前述塗布液供給至基板的中心部；以及塗布液擴散步驟，並一面供給前述塗布液，一面使前述基板以較前述第一旋轉速度更快的第二旋轉速度旋轉，使前述塗布液在基板上擴散。
本案發明人已確認：當藉由溶劑而對基板整面一樣進行預濕處理時，則如同上述，尤其於使用低黏度的塗布液之時，出現基板外周部之膜厚降低等不良狀況。吾人推測此係源於：因為利用溶劑進行預濕而例如作為塗布液之光阻液較預想更早擴散，於是自基板的外周部甩脫的光阻液增加。而且，光阻液的黏度愈低此傾向愈顯著。於是，本案發明人銳意研究此點而得到以下見解：使基板的外周部之溶劑液膜的膜厚厚於基板的中央部，藉以能抑制基板外周部之膜厚降低等不良狀況。吾人認為，此係因為在基板的外周部使溶劑液膜增厚，而供給至基板的中央部之光阻液於擴散至基板的外周部之際作為一種垣壁發揮功能，減低自基板的外周部甩脫之光阻液的量。
本發明係以如此見解為基礎，依據本發明，在基板的外周部由溶劑形成膜厚較基板的中央部所形成之第一液膜更厚之環狀的第二液膜，因此供給至基板中心部的塗布液於擴散至基板的外周部之際，第二液膜作為一種垣壁而發揮功能，減低自基板的外周部甩脫之塗布液的量。此結果，即使於塗布液係低黏度、兼塗布液的供給量甚至係少量之情形下，能將塗布液均勻塗布在基板面內。從而，依據本發明，能無論塗布液的黏度，而將塗布液的供給量抑制為少量、並將塗布液均勻塗布在基板面內。
前述溶劑液膜形成步驟亦可將前述溶劑供給至前述基板的中央部後，使前述基板以預定旋轉速度旋轉而甩脫該溶劑，藉以形成前述第一液膜，然後於使前述基板旋轉之狀態下，由位在前述基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給前述溶劑，藉以形成前述第二液膜。
於前述第一液膜的形成之中，亦可一面使前述基板以前述預定旋轉速度旋轉而甩脫前述溶劑，一面將乾燥氣體噴吹至前述基板的中央部。
前述乾燥氣體亦可加熱至前述溶劑的揮發溫度以上。
前述溶劑液膜形成步驟亦可將前述溶劑的蒸氣或霧氣之中至少任一者供給至前述基板的中央部，而形成前述第一液膜，且於使前述基板旋轉之狀態下，由位在前述基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給前述溶劑，藉以形成前述第二液膜。
前述溶劑液膜形成步驟亦可：使其表面以較前述第二液膜更薄的膜厚塗布有前述溶劑之模板接觸於前述基板的中央部的表面，藉以形成前述第一液膜，且於使前述基板旋轉的狀態下，由位在前述基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給前述溶劑，藉以形成前述第二液膜。
前述溶劑液膜形成步驟亦可在自基板的中心沿半徑方向離開30mm～100mm的位置，由前述溶劑供給噴嘴供給前述溶劑。
另一觀點而成之本發明係將塗布液塗布在基板上的方法，其特徵為，包括：溶劑液膜形成步驟，於將溶劑供給至前述基板的中央部之後，使前述基板以預定旋轉速度旋轉而甩脫該溶劑，藉以形成前述溶劑的液膜，然後於使前述基板旋轉之狀態下，將乾燥氣體噴吹至偏離前述基板的中央部之位置，並將偏離該基板的中央部的位置之前述溶劑去除，藉以分別在前述基板的中央部形成溶劑的液膜、在前述基板的外周部形成環狀的其他液膜；塗布液供給步驟，一面使基板以第一旋轉速度旋轉，一面將前述塗布液供給至基板的中心部：以及塗布液擴散步驟，並一面供給前述塗布液，一面使前述基板以較前述第一旋轉速度更快的第二旋轉速度旋轉，使前述塗布液在基板上擴散。
前述第一液膜的膜厚亦可超過0mm且未滿2mm。
此外，另一觀點所成之本發明提供一種可讀取的電腦記錄媒體，儲存有程式，此程式係在將塗布處理裝置加以控制之控制部的電腦上動作，用以藉由該塗布處理裝置執行前述塗布處理方法。
再者，另一觀點所成之本發明係將塗布液塗布在基板上之塗布處理裝置，其特徵為，包括：基板固持部，將基板固持而使其旋轉；塗布液供給噴嘴，將前述塗布液供給至基板上；溶劑供給噴嘴，將溶劑供給至基板上；第一移動機構，使前述塗布液供給噴嘴移動；第二移動機構，使前述溶劑供給噴嘴移動；以及控制部，構成為控制前述基板固持部、前述塗布液供給噴嘴、前述溶劑供給噴嘴、前述第一移動機構、及前述第二移動機構，用以分別在前述基板的中央部由前述溶劑形成第一液膜、在前述基板的外周部由前述溶劑形成膜厚較前述第一液膜而更厚之環狀的第二液膜，且一面使前述基板以第一旋轉速度旋轉，一面將前述塗布液供給至基板的中心部，並一面供給前述塗布液，一面使前述基板以較前述第一旋轉速度更快的第二旋轉速度旋轉，而使前述塗布液在基板上擴散。
另一觀點所成之本發明亦可包括：乾燥氣體噴嘴，將乾燥氣體噴吹至前述基板上；以及第三移動機構，使前述乾燥氣體噴嘴移動。
另一觀點所成之本發明亦可包括：其他溶劑供給噴嘴，供給前述溶劑的蒸氣或霧氣；以及其他移動機構，使前述其他溶劑供給噴嘴移動。
另一觀點所成之本發明亦可包括：模板，其表面以較前述第二液膜更薄的膜厚塗布有前述溶劑，且於此狀態下接觸於前述基板的中央部的表面，藉以將前述第一液膜在該基板的中央部；以及模板移動機構，使前述模板移動。 〔發明之效果〕
依據本發明，能於將塗布液塗布在基板上之之際，無論塗布液的黏度而將塗布液的供給量抑制為少量、並在基板面內將塗布液均勻塗布。
〔實施發明之較佳形態〕 以下說明本發明的實施形態。圖1係顯示基板處理系統1之構成的概略之說明圖，此基板處理系統1包括：塗布處理裝置，實施本實施形態的塗布處理方法。圖2及圖3係示意性顯示各個基板處理系統1的內部構成的概略之前視圖與後視圖。另外，本實施形態以如下情形為例說明：塗布液係光阻液，且塗布處理裝置係將光阻液塗布至基板之光阻塗布裝置。
基板處理系統1如圖1所示，具有將下者一體連接之構成：匣盒站10，將收容有多數之晶圓W之匣盒C加以搬入搬出；處理站11，具備對晶圓W施行預定處理之多數的各種處理裝置；以及介面站13，在與處理站11鄰接之曝光裝置12之間進行晶圓W的傳遞。
匣盒站10設有匣盒載置台20。匣盒載置台20設有：多數匣盒載置板21，於對著基板處理系統1的外部而將匣盒C搬入搬出之際載置匣盒C。
匣盒站10如圖1所示，設有在沿X方向延伸之搬運道22上自由移動的晶圓搬運裝置23。晶圓搬運裝置23亦沿上下方向及繞鉛直軸(θ方向)自由移動，且能在各匣盒載置板21上的匣盒C與後述之處理站11的第三模塊G3的傳遞裝置之間搬運晶圓W。
處理站11設有具備各種裝置之多數模塊，例如四個模塊G1、G2、G3、G4。舉例而言，處理站11的正面側(圖1的X方向負向側)設有第一模塊G1，處理站11的背面側(圖1的X方向正向側)設有第二模塊G2。此外，處理站11的匣盒站10側(圖1的Y方向負向側)設有第三模塊G3，處理站11的介面站13側(圖1的Y方向正向側)設有第四模塊G4。
舉例而言，第一模塊G1如圖2所示，自下方而依以下順序配置有多數液體處理裝置，例如：顯影處理裝置30，將晶圓W顯影處理；下部反射防止膜形成裝置31，將反射防止膜(以下稱作「下部反射防止膜」)形成在晶圓W的光阻膜的下層；光阻塗布裝置32，將光阻液塗布在晶圓W而形成光阻膜；以及上部反射防止膜形成裝置33，將反射防止膜(以下稱作「上部反射防止膜」)形成在晶圓W的光阻膜的上層。
舉例而言，顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別沿水平方向排列三個而配置。另外，此等顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33的數量或配置可任意選擇。
此等顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33例如進行：旋轉塗布(spin coating)，將預定塗布液塗布在晶圓W上。旋轉塗布例如由塗布噴嘴將塗布液噴吐在晶圓W上，並一併使晶圓W旋轉而使塗布液擴散在晶圓W的表面。另外，光阻塗布裝置32的構成將後述。
舉例而言，第二模塊G2如圖3所示，沿上下方向與水平方向排列設有：熱處理裝置40，進行晶圓W之加熱或冷卻之類的熱處理；附著裝置41，用於提昇光阻液與晶圓W之固定性；以及周邊曝光裝置42，將晶圓W的外周部曝光。此等熱處理裝置40、附著裝置41、周邊曝光裝置42的數量或配置亦可任意選擇。
舉例而言，第三模塊G3自下方依序設有多數傳遞裝置50、51、52、53、54、55、56。此外，第四模塊G4自下方依序設有多數傳遞裝置60、61、62。
如圖1所示，第一模塊G1～第四模塊G4所圍繞的區域形成有晶圓搬運區域D。晶圓搬運區域D配置有：多數晶圓搬運裝置70，例如具有沿Y方向、X方向、θ方向、及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置70移動在晶圓搬運區域D內，能將晶圓W搬運至周圍的第一模塊G1、第二模塊G2、第三模塊G3、及第四模塊G4內的預定裝置。
此外，晶圓搬運區域D設有在第三模塊G3與第四模塊G4之間直線搬運晶圓W之穿梭(shuttle)搬運裝置80。
穿梭搬運裝置80例如係沿圖3的Y方向直線自由移動。穿梭搬運裝置80能於支持晶圓W之狀態下沿Y方向移動，並在第三模塊G3的傳遞裝置52與第四模塊G4的傳遞裝置62之間搬運晶圓W。
如圖1所示，第三模塊G3的X方向正向側的旁鄰設有晶圓搬運裝置100。晶圓搬運裝置100例如具有沿X方向、θ方向、及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置100能於支持晶圓W的狀態下沿上下移動，並將晶圓W搬運至第三模塊G3內的各傳遞裝置。
介面站13設有晶圓搬運裝置110與傳遞裝置111。晶圓搬運裝置110例如具有沿Y方向、θ方向及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置110例如能將晶圓W支持在搬運臂，而在第四模塊G4內的各傳遞裝置、傳遞裝置111及曝光裝置12之間搬運晶圓W。
其次，說明上述光阻塗布裝置32的構成。光阻塗布裝置32如圖4所示，具有能密封內部的處理容器130。處理容器130的側面形成有晶圓W的搬入搬出口(未圖示)。
處理容器130內設有：旋轉夾盤140，作為將晶圓W固持而使其旋轉的基板固持部。旋轉夾盤140能藉由例如馬達等夾盤驅動部141而旋轉至預定速度。此外，夾盤驅動部141例如設有汽缸等昇降驅動機構，且旋轉夾盤140係自由昇降。
旋轉夾盤140的周圍設有將自晶圓W飛散或落下的液體加以接收、回收的杯體142。杯體142的下底面連接有：排出管143，將回收的液體加以排出；以及排氣管144，將杯體142內的環境氣體加以排氣。
如圖5所示，杯體142的X方向負向(圖5的下方向)側形成有沿著Y方向(圖5的左右方向)而延伸的軌道150。軌道150例如形成為自杯體142的Y方向負向(圖5的左方向)側的外方至Y方向正向(圖5的右方向)側的外方為止。軌道150安裝有三支臂151、152、153。
第一臂151支持有：光阻液供給噴嘴154，作為塗布液供給噴嘴，而供給光阻液作為塗布液。第一臂151藉由作為第一移動機構的噴嘴驅動部155而自由移動在軌道150上。藉此，光阻液供給噴嘴154能自杯體142的Y方向正向側的外方所設置之待機部156，通過杯體142內之晶圓W的中心部上方，而移動至杯體142的Y方向負向側的外側所設之待機部157為止。此外，藉由噴嘴驅動部155，而第一臂151係自由昇降，且能調節光阻液供給噴嘴154的高度。另外，就本實施形態中之光阻液而言，例如使用MUV光阻、KrF光阻、ArF光阻等，並係黏度大概為1～300cP之黏度較低的光阻。
第二臂152支持有供給溶劑之溶劑供給噴嘴158。第二臂152藉由作為第二移動機構的噴嘴驅動部159而自由移動在軌道150上。藉此，溶劑供給噴嘴158能自杯體142的Y方向正向側的外側所設之待機部160移動至杯體142內的晶圓W的中心部上方為止。待機部160設在待機部156的Y方向正向側。此外，第二臂152係藉由噴嘴驅動部159而自由昇降，能調節溶劑供給噴嘴158的高度。另外，就本實施形態中之溶劑而言，例如使用光阻液的溶劑即環己酮等。此外，就溶劑而言，並非必須係光阻液所含之溶劑，只要能藉由預濕而適當使光阻液擴散，則能任意選擇。
第三臂153支持有對著晶圓W噴吹乾燥氣體之乾燥氣體噴嘴161。第三臂153藉由作為氣體噴嘴移動機構之噴嘴驅動部162而自由移動在軌道150上。藉此，乾燥氣體噴嘴161能自杯體142的Y方向負向側的外側所設之待機部163移動至杯體142內的晶圓W的上方為止。待機部163設在待機部157的Y方向負向側。此外，第三臂153係藉由噴嘴驅動部162而自由昇降，能調節乾燥氣體噴嘴161的高度。另外，就乾燥氣體而言，例如能使用氮氣、經除溼裝置(未圖示)除濕的空氣等。
其他液體處理裝置即顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、上部反射防止膜形成裝置33的構成，於噴嘴的形狀、個數、自噴嘴供給的液體係不同，此點之外與上述光阻塗布裝置32的構成係同樣，因此省略說明。
以上之基板處理系統1如圖1所示，設有控制部200。控制部200例如係電腦，且具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有基板處理系統1之中將晶圓W的處理加以控制的程式。此外，程式儲存部控制上述各種處理裝置或搬運裝置等之驅動系統的動作，且亦儲存有用以實現基板處理系統1中的後述基板處理之程式。另外，前述程式例如亦可係記錄在電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可在電腦讀取之記錄媒體H，且係由此記錄媒體安裝至控制部200。
然後，說明使用如上構成的基板處理系統1而進行之晶圓處理。圖6係顯示本實施形態之晶圓處理的主要步驟之範例之流程圖。此外，圖7係顯示利用光阻塗布裝置32進行之光阻塗布中之晶圓W的旋轉速度、各機器的動作之時序圖。
首先，將收納有多數晶圓W的匣盒C搬入至基板處理系統1的匣盒站10，且藉由晶圓搬運裝置23而將匣盒C內的各晶圓W依序搬運至處理站11的傳遞裝置53。
其次，將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40並進行溫度調節處理。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70而搬運至例如第一模塊G1的下部反射防止膜形成裝置31，將下部反射防止膜形成在晶圓W上(圖6的步驟S1)。其後，將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40，進行加熱處理、溫度調節。
其次，將晶圓W搬運至附著裝置41，進行附著處理。其後，將晶圓W搬運至第一模塊G1的光阻塗布裝置32，在晶圓W上形成光阻膜(圖6的步驟S2)。
於此，詳述光阻塗布裝置32中之光阻塗布處理。於光阻的塗布處理之際，首先在旋轉夾盤140的頂面將晶圓W吸附固持。然後，使溶劑供給噴嘴158移動至晶圓W的中心部的上方，且如圖8所示，將溶劑Q供給至晶圓W上(圖7的時間t0 )。而且，一面將溶劑供給至晶圓W上，一面使晶圓W以預定旋轉速度旋轉而將溶劑Q的液膜形成在晶圓W的整面、或於將溶劑Q供給至晶圓W上之後，使晶圓W以預定旋轉速度旋轉而將溶劑Q的液膜形成在晶圓W的整面。另外，本實施形態之中，例如一面使晶圓W以30rpm旋轉，一面以50～90mL/min的流量由溶劑供給噴嘴158將溶劑Q供給二秒的期間之後(圖7的時間t1 )，例如使晶圓W的旋轉速度以10000rpm/秒的加速度加速至2000rpm為止而使溶劑Q擴散至晶圓W的整面。藉此，在晶圓W的整面，形成膜厚大概超過0mm且未滿2mm，於本實施形態下大概為4×10－ 5 mm的膜厚之液膜(第一液膜)。另外，第一液膜的膜厚係藉由例如將以2000rpm維持的時間加以變化而調整，於本實施形態下係以2000rpm例如維持二秒的期間。
另外，為了將第一液膜成為預期厚度所須要的時間縮短，亦可因應需要而例如圖9所示，藉由乾燥氣體噴嘴161而將乾燥氣體噴吹至晶圓W的中央部，調整第一液膜M1的膜厚，尤其是中央部的膜厚。
然後，例如圖10所示，使溶劑供給噴嘴158移動至晶圓W的外周部的上方，例如以超過0rpm且係後述第一旋轉速度以下的旋轉速度旋轉，於本實施形態之中係一面以與第一旋轉速度相同之60rpm旋轉，一面由溶劑供給噴嘴158將溶劑Q供給至第一液膜M1上(圖7的時間t2 )。藉此，如圖11所示，分在別晶圓W的中央部形成溶劑Q所成之第一液膜M1、在晶圓W的外周部形成膜厚較第一液膜M1更厚之圓環狀的第二液膜M2(溶劑液膜形成步驟。圖6的步驟T1)。於此，例如於晶圓W的直徑係300mm之情形下，晶圓W的外周部係意指自晶圓W的中心沿半徑方向離開大概30mm～100mm左右之位置。
其次，如圖12所示，使光阻液供給噴嘴154移動至晶圓W的中心部上方，由該光阻液供給噴嘴154將光阻液R供給至晶圓W上(塗布液供給步驟。圖6的步驟T2及圖7的時間t3 )。此際，晶圓W的旋轉速度係第一旋轉速度，於本實施形態之中係如同上述之60rpm。
然後，持續由光阻液供給噴嘴154供給光阻液R，且於光阻液R的供給量達到例如0.1mL的時間點，使晶圓W的旋轉速度自第一旋轉速度加速至第二旋轉速度(圖7的時間t4 )。就第二旋轉速度而言，宜為1500rpm～4000rpm，於本實施形態之中例如係2500rpm。此外，此際之晶圓W的加速度約係10000rpm/秒。到達第二旋轉速度之晶圓W的旋轉速度，係以第二旋轉速度維持預定時間(圖7的時間t5 ～t6 )，於本實施形態之中例如約一秒。此外，此期間持續由光阻液供給噴嘴154供給光阻液R。如上所述，使晶圓W加速至第二旋轉速度，藉以使供給至晶圓W的中心部之光阻液R朝向晶圓W的外周部擴散(塗布液擴散步驟。圖6的步驟T3)。
此際，藉由第一液膜M1而將晶圓W進行預濕處理，因此供給至晶圓W上之光阻液R朝向晶圓W的外周部迅速擴散，但如圖12所示，當接觸於環狀的第二液膜M2的內周端部時，則此第二液膜M2能針對光阻液R而作為一種垣壁發揮功能，抑制光阻液R之擴散。藉此，能將自晶圓W的外周部甩脫之光阻液R抑制為最低限度，且在晶圓W外周部抑制光阻膜的膜厚降低、或產生脈狀的塗布斑。此結果，能使光阻液R均勻擴散在晶圓W的面內，而形成面內均勻之光阻膜。
另外，本實施形態之中，於將光阻液R供給至晶圓W的中心部之前，停止朝向晶圓W外周部之溶劑Q的供給，但朝向晶圓W外周部之溶劑Q的供給只要於光阻液R與第二液膜M2接觸前停止即可，能任意設定供給停止之時機。當於光阻液R擴散之際持續由溶劑供給噴嘴158將溶劑Q供給向晶圓W的外周部，則朝往晶圓W的外周方向擴散之光阻液R與溶劑Q會混合而光阻液R將會受到稀釋。如此一來，經稀釋的光阻液R之大部分不固定在晶圓W上而會自晶圓W的外周部甩脫，將會造成浪費。從而，宜於光阻液R與第二液膜M2接觸之前停止溶劑Q之供給。
使晶圓W以第二旋轉速度旋轉預定時間(圖7的時間t5 ～t6 )之後，停止來自光阻液供給噴嘴154的光阻液R之供給，且與光阻液R之供給停止同時使晶圓W的旋轉速度減速至較第二旋轉速度更慢、較第一旋轉速度更快之第三旋轉速度。就第三旋轉速度而言，宜為大概100rpm～800rpm，於本實施形態之中例如係100rpm。另外，與光阻液R之供給停止同時係指包含停止光阻液R之供給之時(圖7的時間t6 )晶圓W的旋轉速度已開始減速，且到達第三旋轉速度之時間點前後。此外，自第二旋轉速度減速至第三旋轉速度之際的加速度係30000rpm/秒。
其後，使晶圓W以第三旋轉速度旋轉預定時間之後，例如旋轉0.2秒左右之後，使晶圓W加速至較第三旋轉速度更快、且較第二旋轉速度更慢之第四旋轉速度(圖7的時間t7 )為止。就第四旋轉速度而言，宜為大概1000rpm～2000rpm，於本實施形態之中例如係1700rpm。而且，以第四旋轉速度旋轉預定時間，例如旋轉約20秒而使光阻膜乾燥(圖6的步驟T4)。
其後，由未圖示之清洗噴嘴對晶圓W的底面噴吐溶劑作為清洗液，洗淨晶圓W的背面(圖6的步驟T5)。藉此，結束光阻塗布裝置32中之一連串的塗布處理。
當光阻膜形成在晶圓W時，其次則將晶圓W搬運至第一模塊G1的上部反射防止膜形成裝置33，將上部反射防止膜形成在晶圓W上(圖7的步驟S3)。其後，將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40，進行加熱處理。其後，將晶圓W搬運至周邊曝光裝置42，進行周邊曝光處理(圖7的步驟S4)。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置100搬運至傳遞裝置52，且藉由穿梭搬運裝置80而搬運至第四模塊G4的傳遞裝置62。其後，將晶圓W藉由介面站13的晶圓搬運裝置110搬運至曝光裝置12，以預定圖案進行曝光處理(圖7的步驟S5)。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70搬運至熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。藉此，藉由在光阻膜的曝光部產生的酸而使光阻進行去保護反應。此後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70搬運至顯影處理裝置30，進行顯影處理(圖7的步驟S6)。
顯影處理結束後，將晶圓W搬運至熱處理裝置40，進行後烘烤處理(圖7的步驟S7)。然後，晶圓W藉由熱處理裝置40進行溫度調整。其後，晶圓W經由晶圓搬運裝置70、晶圓搬運裝置23而搬運至預定的匣盒載置板21的匣盒C，結束一連串的光刻步驟。
依據以上實施形態，因為藉由溶劑Q而在晶圓W的外周部形成膜厚較晶圓W的中央部所形成之第一液膜M1更厚之環狀的第二液膜M2，所以其後，於使供給至晶圓W的中心部之光阻液R擴散在晶圓W上之際，第二液膜M2能針對光阻液R而作為一種垣壁發揮功能，抑制光阻液R的擴散。因此，即使光阻液R的黏度為數cP左右的低黏度，亦能將自晶圓W的外周部甩脫之光阻液R抑制為最低限度，且在晶圓W的外周部抑制光阻膜的膜厚之降低、產生脈狀的塗布斑。此結果，能使光阻液R均勻擴散在晶圓W的面內，形成面內均勻的光阻膜。
另外，以上實施形態之中，於形成第一液膜M1之際，使晶圓W的旋轉速度例如加速至2000rpm左右為止，但第一液膜M1的形成方法不限於本實施形態的內容，只要能在晶圓W的中央部形成預期厚度之溶劑Q的液膜，此方法可任意選擇。舉例而言，將溶劑Q供給至晶圓W的中心部之後，亦能將晶圓W的旋轉速度以將溶劑Q供給至晶圓W的中心部之時的旋轉速度維持，在本實施形態之中係大概30rpm，且調整使晶圓W旋轉的時間，藉以調整第一液膜M1的膜厚。此外，如同前述，亦可藉由乾燥氣體噴嘴161將乾燥氣體噴吹至晶圓W的中央部，而調整第一液膜M1的膜厚。
於藉由乾燥氣體調整第一液膜M1的膜厚之情形下，供給乾燥氣體之乾燥氣體噴嘴161的形狀不限定於本實施形態的內容，只要能藉由溶劑Q而以預期膜厚將液膜形成在晶圓W的中央部，其方法能任意選擇。舉例而言，亦可如圖13所示，將沿著晶圓W的直徑方向延伸之修長的乾燥氣體噴嘴170設在光阻塗布裝置32內，一面使晶圓W旋轉，一面由該乾燥氣體噴嘴170朝往晶圓W供給乾燥氣體，藉以調整第一液膜M1之尤其中央部的膜厚。於此情形下，乾燥氣體噴嘴170的長邊方向的長度亦可設定為60～200mm左右。此外，亦可將乾燥氣體噴嘴170之長邊方向的長度設為一半程度之30～100mm左右，且如圖14所示，將該乾燥氣體噴嘴170配置在覆蓋晶圓W的中心部並偏離晶圓W的中心之位置，而將乾燥氣體供給至晶圓W的中央部。
此外，亦可將乾燥氣體噴嘴161的直徑例如設定為60～200mm左右，用以覆蓋晶圓W的中央部上方，且藉由此大口徑之乾燥氣體噴嘴161而對著晶圓W的中央部供給乾燥氣體。再者，吾人亦可提案：如圖15所示，藉由具有60～200mm左右的直徑、且下底面形成有多數氣體供給孔(未圖示)之略圓盤狀的乾燥氣體噴嘴171，對著晶圓W的中央部供給乾燥氣體。
此外，於調整第一液膜M1的膜厚之際，對著晶圓W噴吹的不一定須要是乾燥氣體，例如圖16所示，亦可在光阻塗布裝置32的處理容器130內兼旋轉夾盤140的上方設置加熱器180，並藉由杯體142所設之排氣管144將形成在處理容器130內的沉降流加熱至例如溶劑Q的揮發溫度以上。因為沉降流受到加熱，藉由該沉降流而使晶圓W上的溶劑Q揮發，能調整第一液膜M1的膜厚。此外，由乾燥氣體噴嘴161、170、171供給之乾燥氣體也亦可已加熱至溶劑Q的揮發溫度以上。
另外，以上實施形態之中，首先將第一液膜M1形成在晶圓W的整面，且其後將溶劑Q供給至晶圓W的外周部而形成第二液膜M2，但只要能在晶圓W的外周部形成膜厚較第一液膜M1更厚的第二液膜M2，第一液膜M1及第二液膜M2之形成順序可任意選擇。舉例而言，亦可如圖17所示，於使晶圓W旋轉之狀態下先將溶劑Q供給至晶圓W的外周部而形成環狀的第二液膜M2，然後如圖18所示，由溶劑供給噴嘴158將少量的溶劑Q供給至晶圓W的中心部，藉以在晶圓W的中央部形成第一液膜M1。此外，亦可將多數溶劑供給噴嘴158設在光阻塗布裝置32，且如圖19所示，同時將溶劑Q供給至晶圓W的中心部與外周部而形成第一液膜M1及第二液膜M2。
另外，於圖18或圖19之中描繪有第一液膜M1與第二液膜M2未接觸之狀態，且依據本案發明人，第一液膜M1與第二液膜M2不一定須要接觸。如同上述，吾人已確認：只要在晶圓W的外周部形成有膜厚較第一液膜M1更厚之第二液膜M2，則於供給至第一液膜M1上之光阻液R朝向晶圓W的外周部擴散時，第二液膜M2能作為垣壁發揮功能，形成面內均勻的光阻膜。
另外，以上實施形態係由溶劑供給噴嘴158供給液體狀的溶劑Q，但溶劑Q不一定須要以液體的方式供給，例如亦可供給溶劑Q的蒸氣或霧氣。舉例而言，如圖20所示，亦可將與上述具有略圓盤形狀之乾燥氣體噴嘴171同樣的構成之溶劑供給噴嘴190配置在晶圓W的中央部上方，並由該溶劑供給噴嘴190供給溶劑Q的蒸氣或霧氣，藉以將第一液膜M1形成在晶圓W的中央部。溶劑供給噴嘴190係藉由未圖示之其他移動機構而移動。另外，供給溶劑Q的蒸氣之情形下，宜由溶劑供給噴嘴190供給已加熱至高於光阻塗布裝置32的處理容器130內的環境氣體溫度之蒸氣。藉由上述，溶劑Q的蒸氣的溫度降低而凝結在晶圓W的表面，能將預期膜厚的第一液膜M1形成在晶圓W的中央部。而且，形成第一液膜M1之後，由溶劑供給噴嘴158將溶劑Q供給至晶圓W的外周部，形成第二液膜M2。另外，藉由溶劑供給噴嘴190而形成第一液膜M1之情形下，亦可先形成第二液膜M2，而於其後形成第一液膜M1。
此外，於形成第一液膜M1之際，例如圖21所示，亦可將其下底面平坦之略圓盤狀的模板191配置在晶圓W的中央部上方，且如圖22所示，於模板191的下底面以較第二液膜M2更薄之膜厚塗布有溶劑Q之狀態下，接觸於晶圓W的頂面。接觸於晶圓W後，將模板191向上方拉起，藉以能如圖23所示，將第一液膜形成在晶圓W的中央部。模板191構成為藉由未圖示之模板移動機構而自由移動。藉由模板191形成第一液膜M1之後，由溶劑供給噴嘴158將溶劑Q供給至晶圓W的外周部，形成第二液膜M2。
另外，圖21、圖22、圖23之中描繪有使用直徑小於晶圓W之模板191的樣子，但模板191的直徑或塗布在模板191之溶劑Q的直徑只要大於形成在晶圓W上之第一液膜M1的直徑即可，可任意設定。
以上實施形態之中，將形成在晶圓W的外周部之第二液膜M2的膜厚設為厚於形成在晶圓W的中央部之第二液膜的膜厚，藉以抑制光阻液R之擴散，但自光阻液R之抑制的觀點出發，亦可例如圖24、圖25所示，將具有大概同一膜厚之多數同心圓狀的其他液膜M3形成在晶圓W上。本案發明人已確認：將例如未形成有其他液膜M3之區域例如形成為同心圓狀，換言之，將未藉由溶劑Q進行預濕處理之區域例如形成為同心圓狀，藉以抑制光阻液R之過度擴散，能獲得與形成有第一液膜M1及第二液膜M2之情形下同樣的效果。
如此其他液膜M3例如圖24所示，能利用下者實現：將具備多數噴吐口192之乾燥氣體噴嘴193配置在形成有預定膜厚的液膜之狀態下之晶圓W的上方，且例如於使晶圓W旋轉狀態下由各噴吐口192供給乾燥氣體。另外，於藉由乾燥氣體噴嘴193形成其他液膜M3之際，亦可於使晶圓W停止之狀態下，例如使乾燥氣體噴嘴193以晶圓W的中心部為支點旋轉。
以上實施形態之中，於將圓環狀的第二液膜M2形成在晶圓W上之際，一面使晶圓W以預定旋轉速度旋轉，一面將溶劑Q供給至晶圓W的外周部，但將溶劑Q的液膜形成為環狀的方法不限於本實施形態的內容。舉例而言，亦可如圖26所示，由支持臂211支持溶劑供給噴嘴158，並於使晶圓W靜止之狀態下，使溶劑供給噴嘴158沿著晶圓W的外周部移動，其中，此支持臂211係作為支持部，能藉由旋轉驅動機構210而使溶劑供給噴嘴158將通過晶圓W的中心軸之鉛直軸作為旋轉軸而旋轉。如上所述，於使晶圓W停止之狀態下供給溶劑Q，離心力不作用於溶劑Q，藉以能將第二液膜M2的形狀保持為良好的圓環狀。此結果，能使晶圓W的外周部中之光阻液R的擴散更均勻。如上所述，於使晶圓W停止之狀態下形成溶劑Q之環狀的液膜之方法，尤其對如同450mm晶圓地，晶圓W的直徑變大、圓周速度在晶圓W的外周部變快之情形有效。
另外，圖26之中描繪有將二支溶劑供給噴嘴158設置在固持臂211之狀態，但可利用設置多數如此溶劑供給噴嘴158，而於將溶劑Q的液膜形成為環狀之際，使固持臂211的旋轉角變小、提昇晶圓W處理的產出量(Throughput)。亦即，於將溶劑供給噴嘴158相向設置兩支之情形下，只要使固持臂211旋轉180度即能將溶劑Q供給至晶圓W的整周，此外於將溶劑供給噴嘴158設置n支(n為3以上的整數)之情形下，只要對應於溶劑供給噴嘴158的設置數量而使固持臂211旋轉(360/n)度即足夠。
此外，於藉由固持臂211而使溶劑供給噴嘴158旋轉之情形下，亦可使晶圓W往與固持臂211的旋轉方向係相反的方向旋轉。藉由上述，溶劑供給噴嘴158之相對於晶圓W的相對旋轉速度上昇，因此能更迅速形成第二液膜M2。 〔實施例〕
就實施例而言，分別就光阻液R而言使用黏度1.0cP的ArF光阻、就溶劑Q而言使用環己酮，而進行藉由本實施形態之塗布處理方法而將光阻液塗布在晶圓W上之實驗。此際，使光阻液R的供給量於0.20mL～0.30Ml之間以0.05mL刻度變化，並且將為了形成第一液膜M1而於圖7的時間t1 ～t2 之間使晶圓W以2000rpm的旋轉速度旋轉的時間變化為二秒、五秒、八秒，而使第一液膜M1的膜厚變化。
此外，就比較例而言，對於如同以往將晶圓W的整面以溶劑Q均勻預濕，然後將光阻液R供給至晶圓W的中心部之情形亦同樣進行實驗。另外，比較例之中，光阻液R及溶劑Q亦使用相同者。
實驗的結果，比較例之中，於將光阻液R的供給量設為0.20mL之情形下，晶圓W面內中之光阻膜的膜厚均勻性成為預期値，但在晶圓W的外周部已確認出現應源於光阻液R的供給量不足之塗布斑。
另一方面，使用本實施形態之塗布處理方法，而將晶圓W以2000rpm的旋轉速度旋轉之時間設為二秒、五秒之情形下，即使於將光阻液R的供給量設為0.20mL～0.30mL之情形下，亦確保晶圓W的面內中之膜厚均勻性，並一併確認未出現如比較例之際所觀察到之晶圓W的外周部中的塗布斑。此外，已確認於旋轉時間設為五秒之情形下，晶圓W面內中之膜厚均勻性較將旋轉時間設為二秒之情形更為提昇。吾人認為此係因為將第一液膜M1的膜厚減薄，而抑制晶圓W的中央部中之光阻液R的過度擴散、且抑制晶圓W的外周部中之光阻膜的膜厚降低。
另外，將以2000rpm的旋轉速度使晶圓W旋轉之時間設為八秒之情形下，晶圓W面內中之光阻膜的膜厚均勻性係成為預期値，但已確認在晶圓W的外周部出現應源於光阻液R的供給量不足之塗布斑。吾人認為此係因為晶圓W的旋轉時間變長，大半的溶劑Q自晶圓W的外周部甩脫，於是第一液膜M1未適當形成。亦即，吾人認為未成為本實施形態之塗布處理方法。從而，由此結果已確認藉由本實施形態之塗布處理方法能將面內均勻的塗布膜形成在晶圓W。另外，依據本案發明人，第一液膜M1只要形成為不使晶圓W的表面乾燥即可，就第一液膜M1的膜厚的下限値而言，只要如前既述超過0mm即可。此外，就第一液膜M1的膜厚的上限値而言，由抑制晶圓W的中央部中之光阻液R的過度擴散之觀點來看，宜如同前述，設為未滿2mm。
以上，已參照添加圖面說明本發明適宜的實施形態，但本發明不限定於該例。本發明所屬技術領域中具有通常知識者顯然能在申請專利範圍所記載之思想範疇內思及各種變更例或修正例，此等當然亦屬於本發明的技術性範圍。本發明不限於此例而能採用各種態樣。本發明亦可適用於基板係晶圓以外之FPD(平板顯示器)、光罩用遮罩/倍縮遮罩等其他基板之情形。 〔産業利用性〕
本發明於將塗布液塗布在基板上之際有用。
1‧‧‧基板處理系統
10‧‧‧匣盒站
11‧‧‧處理站
12‧‧‧曝光裝置
13‧‧‧介面站
20‧‧‧匣盒載置台
21‧‧‧匣盒載置板
22‧‧‧搬運道
23‧‧‧晶圓搬運裝置
30‧‧‧顯影處理裝置
31‧‧‧下部反射防止膜形成裝置
32‧‧‧光阻塗布裝置
33‧‧‧上部反射防止膜形成裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧附著裝置
42‧‧‧周邊曝光裝置
50～56‧‧‧傳遞裝置
60～62‧‧‧傳遞裝置
70‧‧‧晶圓搬運裝置
80‧‧‧穿梭搬運裝置
110‧‧‧晶圓搬運裝置
111‧‧‧傳遞裝置
130‧‧‧處理容器
140‧‧‧旋轉夾盤
141‧‧‧夾盤驅動部
142‧‧‧杯體
143‧‧‧排出管
144‧‧‧排氣管
150‧‧‧軌道
151～153‧‧‧臂
154‧‧‧光阻液供給噴嘴
155‧‧‧噴嘴驅動部
156、157‧‧‧待機部
158‧‧‧溶劑供給噴嘴
159‧‧‧噴嘴驅動部
160‧‧‧待機部
161‧‧‧乾燥氣體噴嘴
162‧‧‧噴嘴驅動部
163‧‧‧待機部
170、171‧‧‧乾燥氣體噴嘴
180‧‧‧加熱器
190‧‧‧溶劑供給噴嘴
191‧‧‧模板
192‧‧‧噴吐口
193‧‧‧乾燥氣體噴嘴
200‧‧‧控制部
210‧‧‧旋轉驅動機構
211‧‧‧支持臂
C‧‧‧匣盒
D‧‧‧晶圓搬運區欲
G1～G2‧‧‧第一～第四模塊
Q‧‧‧溶劑
M1‧‧‧第一液膜
M2‧‧‧第二液膜
M3‧‧‧其他液膜
R‧‧‧光阻膜
S1～S7‧‧‧步驟
T1～T5‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
【圖1】係顯示本實施形態之基板處理系統之構成的概略之平面圖。 【圖2】係顯示本實施形態之基板處理系統之構成的概略之前視圖。 【圖3】係顯示本實施形態之基板處理系統之構成的概略之後視圖。 【圖4】係顯示光阻塗布裝置之構成的概略之縱剖面圖。 【圖5】係顯示光阻塗布裝置之構成的概略之橫剖面圖。 【圖6】係說明晶圓處理的主要步驟之流程圖。 【圖7】係顯示光阻塗布處理中之晶圓的旋轉速度與各機器的動作之時序圖。 【圖8】係顯示溶劑的液膜形成在晶圓上的樣子之縱剖面之說明圖。 【圖9】係顯示由乾燥氣體噴嘴將乾燥氣體噴吹至晶圓上的樣子之縱剖面之說明圖。 【圖10】係顯示將溶劑供給至晶圓的外周部而形成第二液膜之狀態之立體說明圖。 【圖11】係顯示將第一液膜與第二液膜形成在晶圓上之狀態之縱剖面說明圖。 【圖12】係顯示使光阻液供給至晶圓的中心部而擴散的樣子之縱剖面說明圖。 【圖13】係顯示由其他實施形態之乾燥氣體噴嘴將乾燥氣體噴吹至晶圓上的樣子之立體說明圖。 【圖14】係顯示由其他實施形態之乾燥氣體噴嘴將乾燥氣體噴吹至晶圓上的樣子之平面說明圖。 【圖15】係顯示由其他實施形態之乾燥氣體噴嘴將乾燥氣體噴吹至晶圓上的樣子之立體說明圖。 【圖16】係顯示其他實施形態之光阻塗布裝置之構成的概略之縱剖面圖。 【圖17】係顯示將溶劑供給至晶圓的外周部而形成第二液膜之狀態之縱剖面說明圖。 【圖18】係顯示將溶劑供給至晶圓的中心部而將第一液膜及第二液膜形成在晶圓上之狀態之縱剖面說明圖。 【圖19】係顯示由多數溶劑供給噴嘴將第一液膜及第二液膜平行形成在晶圓上之樣子之立體說明圖。 【圖20】係顯示由其他實施形態之溶劑供給噴嘴將第一液膜形成在晶圓的中央部之立體說明圖。 【圖21】係顯示使形成有液膜之模板相向於晶圓而配置之狀態之縱剖面說明圖。 【圖22】係顯示使形成有液膜之模板接觸於晶圓之狀態之縱剖面說明圖。 【圖23】係顯示由形成有液膜之模板將第一液膜形成在晶圓上之狀態之縱剖面說明圖。 【圖24】係顯示將其他液膜形成在晶圓W上之狀態之縱剖面說明圖。 【圖25】係顯示將其他液膜形成在晶圓W上之狀態之立體說明圖。 【圖26】係顯示使用其他實施形態之溶劑供給噴嘴而將溶劑供給至晶圓上的樣子之立體圖。

Claims (14)

  1. 一種塗布處理方法，將塗布液塗布在基板上，其特徵為包括： 溶劑液膜形成步驟，分別在該基板的中央部由溶劑形成第一液膜、在該基板的外周部由該溶劑形成膜厚較該第一液膜更厚之環狀的第二液膜； 塗布液供給步驟，一面使該基板以第一旋轉速度旋轉，一面將該塗布液供給至基板的中心部；以及 塗布液擴散步驟，一面供給該塗布液，一面使該基板以較該第一旋轉速度更快之第二旋轉速度旋轉，而令該塗布液在基板上擴散。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗布處理方法，其中， 該溶劑液膜形成步驟之中， 於將該溶劑供給至該基板的中央部後，使該基板以預定旋轉速度旋轉而甩脫該溶劑，藉以形成該第一液膜， 然後於使該基板旋轉之狀態下，由位在該基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給該溶劑，藉以形成該第二液膜。
  3. 如申請專利範圍第2項之塗布處理方法，其中， 於該第一液膜的形成之中，一面使該基板以該預定旋轉速度旋轉而甩脫該溶劑，一面將乾燥氣體噴吹至該基板的中央部。
  4. 如申請專利範圍第3項之塗布處理方法，其中， 該乾燥氣體係被加熱至該溶劑的揮發溫度以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之塗布處理方法，其中， 該溶劑液膜形成步驟之中， 將該溶劑的蒸氣或霧氣之中至少任一者供給至該基板的中央部，而形成該第一液膜， 且於使該基板旋轉之狀態下，由位在該基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給該溶劑，藉以形成該第二液膜。
  6. 如申請專利範圍第1項之塗布處理方法，其中， 該溶劑液膜形成步驟之中， 使其表面以較該第二液膜更薄的膜厚塗布有該溶劑之模板，接觸於該基板的中央部的表面，藉以形成該第一液膜， 且於使該基板旋轉之狀態下，由位在該基板的外周部之溶劑供給噴嘴供給該溶劑，藉以形成該第二液膜。
  7. 如申請專利範圍第2至6項中任一項之塗布處理方法，其中， 該溶劑液膜形成步驟之中，在自基板的中心沿半徑方向離開30mm～100mm的位置，由該溶劑供給噴嘴供給該溶劑。
  8. 一種塗布處理方法，將塗布液塗布在基板上，其特徵為包括： 溶劑液膜形成步驟，於將溶劑供給至該基板的中央部之後，使該基板以預定旋轉速度旋轉而甩脫該溶劑，藉以形成該溶劑的液膜，然後於使該基板旋轉之狀態下，將乾燥氣體噴吹至偏離該基板的中央部之位置，並將偏離該基板的中央部的位置之該溶劑去除，藉以分別在該基板的中央部形成溶劑的液膜、在該基板的外周部形成環狀的其他液膜； 塗布液供給步驟，一面使基板以第一旋轉速度旋轉，一面將該塗布液供給至基板的中心部；以及 塗布液擴散步驟，一面供給該塗布液，一面使該基板以較該第一旋轉速度更快之第二旋轉速度旋轉，而令該塗布液在基板上擴散。
  9. 如申請專利範圍第1至6、8項中任一項之塗布處理方法，其中， 該第一液膜的膜厚超過0mm且未滿2mm。
  10. 一種可讀取的電腦記錄媒體，其儲存有程式，該程式係在控制塗布處理裝置之控制部的電腦上動作，俾藉由該塗布處理裝置而執行如申請專利範圍1至9中任一項之塗布處理方法。
  11. 一種塗布處理裝置，將塗布液塗布在基板上，其特徵為包括： 基板固持部，將基板固持而使其旋轉； 塗布液供給噴嘴，將該塗布液供給至基板上； 溶劑供給噴嘴，將溶劑供給至基板上； 第一移動機構，使該塗布液供給噴嘴移動； 第二移動機構，使該溶劑供給噴嘴移動；以及 控制部，控制該基板固持部、該塗布液供給噴嘴、該溶劑供給噴嘴、該第一移動機構、及該第二移動機構， 用以分別在該基板的中央部由該溶劑形成第一液膜、且在該基板的外周部由該溶劑形成膜厚較該第一液膜更厚之環狀的第二液膜， 且一面使該基板以第一旋轉速度旋轉一面將該塗布液供給至基板的中心部，並 一面供給該塗布液一面使該基板以較該第一旋轉速度更快之第二旋轉速度旋轉，而使該塗布液在基板上擴散。
  12. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中，更包括： 乾燥氣體噴嘴，將乾燥氣體噴吹至該基板上；以及 第三移動機構，使該乾燥氣體噴嘴移動。
  13. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中，更包括： 其他溶劑供給噴嘴，供給該溶劑的蒸氣或霧氣；以及 其他移動機構，使該其他溶劑供給噴嘴移動。
  14. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中，更包括： 模板，在其表面以較該第二液膜更薄的膜厚塗布有該溶劑，且於此狀態下令該模板接觸於該基板的中央部的表面，藉以將該第一液膜形成在該基板的中央部；以及 模板移動機構，使該模板移動。
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