TW202214909A - 基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法 - Google Patents

基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202214909A
TW202214909A TW110127302A TW110127302A TW202214909A TW 202214909 A TW202214909 A TW 202214909A TW 110127302 A TW110127302 A TW 110127302A TW 110127302 A TW110127302 A TW 110127302A TW 202214909 A TW202214909 A TW 202214909A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate processing
processing element
actual operation
substrate
element group
Prior art date
Application number
TW110127302A
Other languages
English (en)
Inventor
出口和摩
緑川周吾
長澤暢亮
佐藤天星
若林秀樹
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW202214909A publication Critical patent/TW202214909A/zh

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0283Predictive maintenance, e.g. involving the monitoring of a system and, based on the monitoring results, taking decisions on the maintenance schedule of the monitored system; Estimating remaining useful life [RUL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Abstract

本發明揭示了一種在多次進行基板處理要素組的實際運轉的情況下,能夠在短時間內開始最初的實際運轉的技術。基板處理系統(10)具備基板處理裝置(11),上述基板處理裝置具有基板處理要素組(20)和控制裝置(40),基板處理要素組(20)構成為進行試行運轉和實際運轉,基板處理要素組(20)具有第一基板處理要素和第二基板處理要素,在多次進行實際運轉的情況下,控制裝置(40)使第一基板處理要素進行試行運轉,在完成第一基板處理要素的試行運轉後,使第一基板處理要素的實際運轉開始。

Description

基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法
本發明係提供一種基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法。
以往,有一種基板處理系統,該基板處理系統具備能夠對基板實施某些處理(稱為基板處理)的基板處理裝置。作為這樣的基板處理系統的基板處理裝置的一個例子,例如,在專利文獻1、專利文獻2中,公開了一種能夠對基板實施鍍覆處理的基板處理裝置。這樣的基板處理裝置具備:基板處理要素組,由在基板處理中使用的多個設備(輸送裝置、鍍覆槽等)構成;以及控制裝置,控制該基板處理要素組。
[專利文獻] 專利文獻1:日本特開2018-9215號公報 專利文獻2:日本特開2016-98399號公報
然而,在以往的基板處理系統中,存在在基板處理要素組的“實際運轉(使用基板進行基板處理的運轉)”之前,進行基板處理要素組的“試行運轉(不使用基板進行規定動作的運轉)”的情況。而且,在這樣的基板處理系統中,存在在多次進行基板處理要素組的實際運轉時,在完成基板處理要素組所包含的所有設備的試行運轉後,開始最初的實際運轉的情況。然而,在該情況下,到開始基板處理要素組的最初的實際運轉可能需要長時間。
本發明是鑑於上述情況而完成的,其目的之一在於提供一種在多次進行基板處理要素組的實際運轉的情況下,能夠在短時間內使最初的實際運轉開始的技術。 (方式1)
為了實現上述目的,本發明的一個方式的基板處理系統具備基板處理裝置,該基板處理裝置具有:基板處理要素組,由在基板處理中使用的多個設備構成;和控制裝置,控制上述基板處理要素組,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中,在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有:第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成,在多次進行上述實際運轉的情況下,上述控制裝置使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在上述第一基板處理要素的上述試行運轉完成後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。
根據該方式,在多次進行基板處理要素組的實際運轉的情況下,由於在完成基板處理要素組的第一基板處理要素的試行運轉後開始第一基板處理要素的實際運轉,因此例如與在完成基板處理要素組的所有設備的試行運轉後開始基板處理要素組的最初的實際運轉的情況相比,能夠在短時間內使最初的實際運轉開始。 (方式2)
在上述方式1的基礎上,也可以在執行上述第一基板處理要素的上述實際運轉期間、或在執行上述第一基板處理要素的上述試行運轉期間,上述控制裝置使上述第二基板處理要素的上述試行運轉開始,在完成上述第二基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第二基板處理要素的上述實際運轉開始。根據該方式,例如,與在完成第一基板處理要素的實際運轉後開始第二基板處理要素的試行運轉的情況相比,能夠提早地使第二基板處理要素的試行運轉開始。 (方式3)
在上述方式1或上述方式2的基礎上,也可以在至少第一次的上述實際運轉中,將兩片上述基板設為一組,使用該一組上述基板來進行上述實際運轉。根據該方式,例如,與在第一次的實際運轉中僅使用一片基板來進行實際運轉的情況相比,能夠實現基板處理裝置的停機時間的減少,並能夠提高基板處理裝置的每單位時間的基板處理能力。 (方式4)
在上述方式1~3中的任一方式的基礎上,也可以還具備故障檢測裝置,該故障檢測裝置在執行上述基板處理要素組的上述試行運轉期間,基於上述基板處理要素組的運轉狀態,來檢測上述基板處理要素組的故障。根據該方式,能夠在執行基板處理要素組的試行運轉期間,檢測基板處理要素組的故障。 (方式5)
在上述方式4的基礎上,也可以上述故障檢測裝置在檢測到上述基板處理要素組的故障的情況下,判定表示上述基板處理要素組的故障程度的指標亦即故障等級是低等級或者是故障程度比上述低等級高的高等級,並通知該判定的結果。根據該方式,接收到該通知的用戶能夠容易地掌握基板處理要素組的故障等級是低等級還是高等級。 (方式6)
在上述方式5的基礎上,也可以在上述故障等級為上述高等級的情況下,在構成上述基板處理要素組的多個設備中存在能夠執行與被判定為上述故障等級為上述高等級的設備相同的處理的替代設備的情況下,上述控制裝置在上述試行運轉以及上述實際運轉時,使用上述替代設備來代替被判定為上述故障等級為上述高等級的設備。根據該方式,能夠使用替代設備繼續基板處理要素組的試行運轉以及實際運轉,並且能夠抑制由於使用了故障等級為高等級的設備的實際運轉而對基板產生損傷、或基板處理的品質在允許範圍外的情況。 (方式7)
為了實現上述目的,本發明的一個方式的基板處理系統的控制裝置應用於基板處理系統,上述基板處理系統具有基板處理要素組,該基板處理要素組由在基板處理中使用的多個設備構成,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中,在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有:第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成,上述控制裝置在多次進行上述實際運轉的情況下,使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在完成上述第一基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。根據該方式,在多次進行基板處理要素組的實際運轉的情況下,能夠在短時間內使最初的實際運轉開始。 (方式8)
為了實現上述目的,本發明的一個方式的基板處理系統的運轉方法是具有由在基板處理中使用的多個設備構成的基板處理要素組的基板處理系統的運轉方法,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中,在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有:第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成,上述運轉方法包括如下步驟:在多次進行上述實際運轉的情況下,使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在完成上述第一基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。根據該方式,在多次進行基板處理要素組的實際運轉的情況下,能夠在短時間內使最初的實際運轉開始。
以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。此外,在以下的各實施方式中,存在對於相同或者對應的結構,標註相同的附圖標記並適當地省略說明的情況。另外,在以下的各實施方式中,附圖是為了容易理解實施方式的特徵而示意性地圖示的,各構成要素的尺寸比率等未比與實際的尺寸比率相同。另外,在幾個附圖中,作為參考用,圖示了X-Y-Z的正交坐標。在該正交坐標中,Z方向相當於上方,-Z方向相當於下方(重力作用的方向)。 (實施方式1)
圖1是示意性地表示本發明的實施方式1的基板處理系統10的主要結構的結構圖。本實施方式的基板處理系統10具備基板處理裝置11。基板處理裝置11是能夠對基板Wf實施規定的處理(稱為基板處理)的裝置。在本實施方式中,作為該基板處理的一個例子,使用鍍覆處理(具體而言,電鍍處理)。即,本實施方式的基板處理裝置11是鍍覆處理裝置。
本實施方式的基板處理裝置11具備:基板處理要素組20、控制裝置40、操作用計算機50。
基板處理要素組20由在基板處理中使用的多個設備構成。具體而言,基板處理要素組20具備:輸送機器人(輸送機器人21a以及輸送機器人21b)、對準器(對準器22a以及對準器22b)、緊固台23、傳送帶24、儲料器27、預濕模塊28、預浸模塊29、預浸漂洗槽30、鍍覆槽31、漂洗模塊32、交接槽33、旋轉漂洗乾燥機(旋轉漂洗乾燥機34a以及旋轉漂洗乾燥機34b),作為多個設備的一個例子。
在這裡,進行多次本實施方式的基板處理的實際運轉(有關該實際運轉的詳細內容後述)。在本實施方式中,在該多次實際運轉中的至少第一次實際運轉中,將兩片基板Wf設為一組,使用該一組的基板Wf進行第一次實際運轉。作為該具體例,在本實施方式中,在多次實際運轉的所有次數的實際運轉中,以兩片基板Wf為一組進行實際運轉。
但是,多次的實際運轉並不限定於上述結構。若列舉另一個例子,例如,對於各次的實際運轉而言,也可以僅使用一個基板Wf來進行實際運轉。
輸送機器人21a是用於在對準器22a、緊固台23以及旋轉漂洗乾燥機34a之間輸送基板Wf的設備。輸送機器人21b是用於在對準器22b、緊固台23以及旋轉漂洗乾燥機34b之間輸送基板Wf的設備。
對準器22a以及對準器22b是用於使基板Wf的取向面、凹口等位置對準規定方向的設備(即,進行基板Wf的對位的設備)。
緊固台23是用於通過基板支架13a和基板支架13b保持被輸送到緊固台23的一組基板Wf(兩個基板Wf)的設備。具體而言,本實施方式的基板支架13a、13b分別具備第一保持構件和第二保持構件,通過在第一保持構件與第二保持構件之間夾持一個基板Wf,來保持基板Wf。本實施方式的緊固台23主要是進行使該第一保持構件和第二保持構件夾持基板Wf的動作的設備。
傳送帶24是用於輸送基板Wf(具體而言,保持基板Wf的基板支架13a、13b)的設備。本實施方式的傳送帶24具備第一輸送裝置25a、第二輸送裝置25b以及輸送軸26。第一輸送裝置25a和第二輸送裝置25b能夠沿著在Y軸的方向(Y方向以及-Y方向)上延伸的輸送軸26移動,並且也能夠在Z軸的方向(Z方向以及-Z方向)上移動。即,在圖1中,Y軸的方向相當於傳送帶24的“輸送軸方向(沿著輸送軸26的方向)”。
在本實施方式中,第一輸送裝置25a基本上在輸送軸方向上從緊固台23到交接槽33的範圍內,輸送基板Wf。第二輸送裝置25b基本上在輸送軸方向上從預浸漂洗槽30到鍍覆槽31的範圍內,輸送基板Wf。但是,第一輸送裝置25a和第二輸送裝置25b的輸送範圍(移動範圍)並不限定於此,可以根據基板處理裝置11的結構設備的種類適當地設定。
儲料器27是用於收容基板支架13a、13b的設備。在輸送軸方向上配置有多個本實施方式的儲料器27。在各個儲料器27中,分別收容一組基板支架(基板支架13a以及基板支架13b)。
預濕模塊28是用於利用清洗液(在本實施方式中,作為一個例子,使用純水)清洗基板Wf的設備。具體而言,本實施方式的預濕模塊28能夠選擇性地進行使基板Wf浸漬於清洗液、以及對基板Wf噴灑清洗液(對基板Wf噴淋清洗液)。
預浸模塊29是用於通過蝕刻除去形成於基板Wf的表面的導電層的氧化膜的設備。在該預浸模塊29中存積有蝕刻液。另外,在預浸模塊29中配置有用於調整蝕刻液的溫度的加熱器、用於使蝕刻液循環的泵等。
預浸漂洗槽30是用於利用清洗液(在本實施方式中,作為一個例子,使用純水)清洗附著於基板Wf的蝕刻液的設備。在該預浸漂洗槽30中存積有純水。
鍍覆槽31是用於對基板Wf的表面實施鍍覆處理(即,基板處理)的設備。在輸送軸方向上配置有多個本實施方式的鍍覆槽31。在各個鍍覆槽31中輸送一組基板支架(即,基板支架13a和基板支架13b)。各個鍍覆槽31的結構與上述的專利文獻2中公開的公知的鍍覆槽相同,因此省略詳細的說明,其概要如以下所示。
在鍍覆槽31中存積有鍍覆液。在該鍍覆液的內部配置有由陽極支架保持的陽極。保持於基板支架13a、13b的基板Wf以與該陽極對置的方式配置在鍍覆液的內部。另外,在鍍覆槽31中配置有加熱器,通過該加熱器,在規定的溫度範圍內調整鍍覆液。在鍍覆槽31中配置有泵,通過該泵,使鍍覆液循環。在鍍覆槽31中配置有攪棒,該攪棒被攪棒驅動裝置驅動,來攪拌鍍覆液。通過在陽極與基板Wf之間施加鍍覆電壓,而對基板Wf的表面實施鍍覆(例如鍍銅等)。即,在基板Wf的表面形成鍍覆層。
此外,與專利文獻2相同,在本實施方式的陽極支架上安裝有可變開口式的陽極遮罩。該陽極遮罩的開口部(陽極開口部)位於陽極與基板Wf之間,為以照相機的光圈機構那樣的開口方式可變更其開口面積(開口部的大小)的結構。越減小該陽極開口部的開口面積,越能夠增大基板Wf的中央部的鍍覆層的厚度。
漂洗模塊32是用於利用清洗液(在本實施方式中,作為一個例子,使用純水)清洗附著於基板Wf的鍍覆液的設備。在該漂洗模塊32中存積有清洗液。
交接槽33是在第一輸送裝置25a與第二輸送裝置25b之間交接基板Wf時所使用的設備。此外,本實施方式的交接槽33是容器的一種,在後述的試行運轉以及實際運轉時不進行動作(也就是說,是不動的設備)。
但是,交接槽33的結構並不限定於此,也可以是進行某些動作的結構。舉個例子,交接槽33例如也可以進行如下動作:通過對基板Wf鼓風(通過吹起),吹掉附著於基板Wf的水滴。
旋轉漂洗乾燥機34a和旋轉漂洗乾燥機34b是用於進行基板Wf的清洗以及乾燥的設備。具體而言,旋轉漂洗乾燥機34a和旋轉漂洗乾燥機34b一邊通過馬達驅動使基板Wf旋轉,一邊對基板Wf噴灑純水清洗基板Wf,之後使基板Wf高速旋轉利用離心力除去附著於基板Wf的水分。
控制裝置40是用於控制基板處理要素組20的裝置。作為一個例子,本實施方式的控制裝置40配置在基板處理裝置11的殼體的內部。控制裝置40與構成基板處理要素組20的各個設備中的進行動作的設備電連接。另外,本實施方式的控制裝置40具備微型計算機。該微型計算機具備作為處理器的CPU(Central Processing Unit:中央處理器)41、存儲程序的存儲裝置42等。存儲裝置42具備ROM(Read Only Memory:唯讀存儲器)等非暫時(non-transitory)的存儲介質。控制裝置40通過作為處理器的CPU41基於存儲於存儲裝置42的程序動作來控制基板處理要素組20的各設備的動作。
此外,在圖1中,圖示為基板處理裝置11具備一個控制裝置40,但並不限定於該結構。基板處理裝置11也可以具備多個控制裝置40,通過該多個控制裝置40分散地控制基板處理要素組20的各設備。
操作用計算機50是基板處理系統10的用於用戶操作的計算機。具體而言,操作用計算機50具備由用戶操作的鍵盤、顯示各種信息的顯示器、作為處理器的CPU51、存儲程序的存儲裝置52等。存儲裝置52具備非暫時的存儲介質(例如,ROM等)。操作用計算機50和控制裝置40電連接,相互交換信息。具體而言,操作用計算機50將來自用戶的操作內容傳遞至控制裝置40。由此,用戶通過操作操作用計算機50,能夠對控制裝置40給予指示。另外,控制裝置40通過使操作用計算機50的顯示器顯示規定的信息,也能夠對用戶通知規定的信息。
接著,對基板處理要素組20的動作的概要進行說明。首先,基板處理要素組20構成為接受控制裝置40的指示,進行“試行運轉”和“實際運轉”,其中,“試行運轉”不使用基板Wf進行規定動作,“實際運轉”使用基板Wf進行基板處理。
“實際運轉時”的基板處理要素組20的動作的概要如下。首先,輸送機器人21a將基板Wf輸送到對準器22a,輸送機器人21b將基板Wf輸送到對準器22b。對準器22a和對準器22b分別使基板Wf的位置(取向面、凹口等的位置)對準規定方向。接下來,第一輸送裝置25a把持收容於儲料器27的一組基板支架(基板支架13a和基板支架13b),並設置於緊固台23。
接下來,輸送機器人21a將通過對準器22a進行對位後的基板Wf輸送到緊固台23,並設置於基板支架13a,該基板支架13a設置於緊固台23。同樣地,輸送機器人21b將通過對準器22b進行對位後的基板Wf輸送到緊固台23,並設置於基板支架13b,該基板支架13b設置於緊固台23。緊固台23使這些基板Wf分別保持於基板支架13a和基板支架13b。
接下來,第一輸送裝置25a把持保持基板Wf的基板支架13a和保持基板Wf的基板支架13b(即,把持保持一組基板Wf的一組基板支架),並輸送到預濕模塊28。在預濕模塊28中,用清洗液(純水)清洗基板Wf。具體而言,在本實施方式中,基於用戶的選擇,選擇性地進行使基板Wf浸漬於清洗液、或者對基板Wf噴灑清洗液。
接下來,第一輸送裝置25a將在預濕模塊28中處理後的基板支架13a和基板支架13b輸送到預浸模塊29。在預浸模塊29中,通過蝕刻除去基板Wf的導電層的氧化膜。
接下來,第一輸送裝置25a將在預浸模塊29中處理後的基板支架13a和基板支架13b輸送到預浸漂洗槽30。在預浸漂洗槽30中,用清洗液(純水)清洗附著於基板Wf的蝕刻液。
此外,假設在實際運轉時,不進行由預浸模塊29進行的蝕刻的情況下,第一輸送裝置25a將在預濕模塊28中處理後的基板支架13a和基板支架13b輸送到預浸漂洗槽30,而不是輸送到預浸模塊29。
接下來,第二輸送裝置25b把持收容於預浸漂洗槽30的基板支架13a和基板支架13b,並輸送到鍍覆槽31。在鍍覆槽31中,將基板Wf浸漬於鍍覆液,在基板Wf的表面形成鍍覆層。
接下來,第二輸送裝置25b把持在鍍覆槽31中處理後的基板支架13a和基板支架13b,並輸送到漂洗模塊32。在漂洗模塊32中,用清洗液(純水)清洗基板Wf。
接下來,第二輸送裝置25b把持在漂洗模塊32中處理後的基板支架13a和基板支架13b,並輸送到交接槽33。
接下來,第一輸送裝置25a把持交接槽33的基板支架13a和基板支架13b,並輸送到緊固台23。在緊固台23中,解除由基板支架13a和基板支架13b進行的基板Wf的保持。由此,能夠從基板支架13a、13b取出基板Wf。
接下來,輸送機器人21a從基板支架13a取出基板Wf,並輸送到旋轉漂洗乾燥機34a。同樣地,輸送機器人21b從基板支架13b取出基板Wf,並輸送到旋轉漂洗乾燥機34b。在旋轉漂洗乾燥機34a、旋轉漂洗乾燥機34b中,對基板Wf進行清洗以及乾燥。
通過以上那樣的一系列的動作,進行每次的實際運轉。另外,通過反復進行以上那樣的一系列的動作,來多次進行實際運轉。
接下來,對“試行運轉時”的基板處理要素組20的動作的概要進行說明。本實施方式的基板處理要素組20在試行運轉時,不使用基板Wf,進行在基板處理要素組20的實際運轉時進行的動作的至少一部分。對於在該試行運轉時進行的動作的具體內容並不特別限定,作為一個例子,本實施方式的基板處理要素組20進行以下的動作。
在試行運轉時,例如輸送機器人21a和輸送機器人21b在規定範圍內移動。例如,對準器22a和對準器22b使基板Wf對位時所使用的規定部位動作。例如,緊固台23使保持基板支架13a、13b時所使用的規定部位動作。例如,第一輸送裝置25a和第二輸送裝置25b在輸送軸方向以及Z軸方向(上下方向)上分別移動規定距離。例如,儲料器27使交接基板支架13a、13b時所使用的規定部位動作。
在試行運轉時,例如,預濕模塊28使清洗液存積於預濕模塊28後排出。具體而言,本實施方式的預濕模塊28使泵動作,使清洗液在預濕模塊28中存積到規定水平(水平H)。此外,此時,檢測清洗液達到規定水平所需的時間、泵的排放壓力、泵的排放流量等,基於該檢測結果,能夠確認在與泵連通的配管(用於向預濕模塊28供給清洗液的配管)中是否存在堵塞等故障。接下來,預濕模塊28通過使泵停止,並且使清洗液用的排出閥打開,使存積的清洗液從預濕模塊28排出。此外,此時,基於排出清洗液所需的時間,能夠確認在排出清洗液時供清洗液通過的配管中是否存在堵塞等故障。
另外,本實施方式的預濕模塊28具備使用於噴灑清洗液的噴淋升降的機構(噴淋升降機構)。因此,在試行運轉時,預濕模塊28控制該噴淋升降機構,使噴淋升降。
在試行運轉時,例如預浸模塊29使加熱器動作、或使泵動作。在試行運轉時,例如,預浸漂洗槽30使清洗液存積於預浸漂洗槽30,之後使清洗液排出。具體而言,預浸漂洗槽30進行與上述的預濕模塊28相同的動作。
在試行運轉時,例如鍍覆槽31使加熱器動作、或使泵動作、或使攪棒動作。另外,如本實施方式,當在鍍覆槽31配置有可變開口式的陽極遮罩的情況下,也可以變更該陽極遮罩的陽極開口部的開口面積。
在試行運轉時,例如漂洗模塊32使清洗液存積於漂洗模塊32後排出。具體而言,漂洗模塊32進行與上述的預濕模塊28相同的動作。但是,本實施方式的漂洗模塊32與預濕模塊28不同,不具備噴淋升降機構,因此在試行運轉時,不進行使噴灑清洗液的噴淋升降的動作。
在試行運轉時,例如旋轉漂洗乾燥機34a、34b使基板Wf的清洗以及乾燥時所使用的馬達旋轉。此外,如上所述,由於本實施方式的交接槽33在實際運轉時不進行動作,因此在試行運轉時也不進行動作。假設在交接槽33在實際運轉時進行上述那樣的鼓風的情況下,在試行運轉時,可以使鼓風時所使用的鼓風裝置工作。試行運轉時的基板處理要素組20的動作的概要如以上所示。
在這裡,本實施方式的基板處理要素組20包括:“第一基板處理要素100”,在多次進行基板處理要素組20的實際運轉的情況下,由在第一次的實際運轉中使用的多個設備構成;以及“第二基板處理要素110”,由在第一次的實際運轉中未使用而在第二次以後的實際運轉中使用的多個設備構成。
圖2是用於說明第一基板處理要素100的示意圖。在圖2中,對第一基板處理要素100所包含的設備標註陰影線。圖3是用於說明第二基板處理要素110的示意圖。在圖3中,對第二基板處理要素110所包含的設備上標註陰影線。此外,在圖2以及圖3中,省略控制裝置40以及操作用計算機50的圖示。
如圖2所示,本實施方式的第一基板處理要素100包括:輸送機器人21a、輸送機器人21b、對準器22a、對準器22b、緊固台23、傳送帶24、多個儲料器27中的配置於-Y方向側的一個儲料器27、預濕模塊28、預浸模塊29、預浸漂洗槽30、多個鍍覆槽31中的配置於-Y方向側的一個鍍覆槽31、漂洗模塊32、交接槽33、旋轉漂洗乾燥機34a、旋轉漂洗乾燥機34b。
如圖3所示,本實施方式的第二基板處理要素110包括:多個儲料器27中的第一基板處理要素100所包含的儲料器27以外的儲料器27、以及多個鍍覆槽31中的第一基板處理要素100所包含的鍍覆槽31以外的鍍覆槽31。
在多次進行實際運轉的情況下,控制裝置40在第一次的實際運轉中,使用第一基板處理要素100所包含的設備,對一組基板Wf進行基板處理(在該情況下,不使用第二基板處理要素110)。接下來,控制裝置40在第二次以後的實際運轉中,使用從第一基板處理要素100所包含的設備以及第二基板處理要素110所包含的設備中選擇的規定設備,對一組基板Wf進行基板處理。
接著,對控制裝置40的控制處理進行說明。控制裝置40在多次進行基板處理要素組20的實際運轉的情況下,執行以下說明的“試行運轉、實際運轉控制”。圖4是表示試行運轉、實際運轉控制的一個例子的流程圖。該圖4的流程圖的各步驟由控制裝置40的具體而言CPU41基於存儲裝置42的程序來執行。另外,控制裝置40在接收到使基板處理要素組20的多次實際運轉開始的意思的“運轉開始指令”的情況下,開始該試行運轉/實際運轉控制的執行。具體而言,本實施方式的控制裝置40在接收到使基板處理要素組20的多次實際運轉自動開始的意思的“自動運轉開始指令”的情況下,開始該試行運轉/實際運轉控制的執行。
首先,控制裝置40確定基板處理要素組20中的基板Wf的輸送路線(步驟S10a)。具體而言,在該步驟S10a中,本實施方式的控制裝置40從基板處理要素組20中選擇在各次的實際運轉中使用的設備,確定該選擇結果。該步驟S10a的結果是,在本實施方式中,選擇了上述的第一基板處理要素100(圖2)和第二基板處理要素110(圖3)。
接下來,控制裝置40使基板Wf的輸送開始(步驟S10b)。接下來,控制裝置40使第一基板處理要素100的試行運轉開始(步驟S10c)。在該試行運轉時,開始試行運轉的設備的順序沒有特別限定。例如,構成第一基板處理要素100的多個設備可以同時開始試行運轉、或者也可以按規定的順序開始試行運轉。
接下來,控制裝置40完成第一基板處理要素100的試行運轉(步驟S10d)。接下來,控制裝置40使第一基板處理要素100的實際運轉開始(步驟S10e)。
接下來,控制裝置40在執行第一基板處理要素100的實際運轉期間,使第二基板處理要素110的試行運轉開始(步驟S10f)。具體而言,作為一個例子,本實施方式的控制裝置40當在開始第一基板處理要素100的實際運轉後,開始由輸送機器人21a進行的輸送(實際輸送)的情況下,在利用該輸送機器人21a進行的輸送中,使第二基板處理要素110的試行運轉開始。
此外,在該步驟S10f所涉及的試行運轉時,對於開始試行運轉的設備的順序沒有特別限定。例如,構成第二基板處理要素110的多個設備可以同時開始試行運轉、或者也可以按規定的順序開始試行運轉。
接下來,控制裝置40完成第一基板處理要素100的實際運轉(步驟S10g)。另外,控制裝置40完成第二基板處理要素110的試行運轉(步驟S10h)。接下來,控制裝置40在完成該第二基板處理要素110的試行運轉後,使第二基板處理要素110的實際運轉開始(步驟S10i)。接下來,控制裝置40完成第二基板處理要素110的實際運轉(步驟S10j)。
如以上所示,在多次進行基板處理要素組20的實際運轉的情況下,本實施方式的控制裝置40進行第一基板處理要素100的試行運轉,在完成該第一基板處理要素100的試行運轉後,使第一基板處理要素100的實際運轉開始。另外,控制裝置40在執行該第一基板處理要素100的實際運轉期間,使第二基板處理要素110的試行運轉開始,在完成該第二基板處理要素110的試行運轉後,使第二基板處理要素110的實際運轉開始。
此外,本實施方式的基板處理系統10的運轉方法通過由上述的控制裝置40進行的控制來實現。因此,由於該運轉方法的詳細的說明與上述的說明重複,因此省略。
根據以上說明的本實施方式,在多次進行基板處理要素組20的實際運轉的情況下,由於在完成基板處理要素組20的第一基板處理要素100的試行運轉後開始第一基板處理要素100的實際運轉,因此與例如在完成基板處理要素組20的所有設備的試行運轉後,開始基板處理要素組20的最初的實際運轉的情況相比,能夠在短時間內使最初的實際運轉開始。
由此,根據本實施方式,能夠實現基板處理裝置11的停機時間的減少,並能夠提高基板處理裝置11的每單位時間的基板處理能力(生產率)。
另外,根據本實施方式,由於在執行第一基板處理要素100的實際運轉期間,開始第二基板處理要素110的試行運轉,因此與例如在完成第一基板處理要素100的實際運轉後開始第二基板處理要素110的試行運轉的情況相比,能夠提早地使第二基板處理要素110的試行運轉開始。由此,能夠實現基板處理裝置11的停機時間的減少,並能夠提高基板處理裝置11的每單位時間的基板處理能力。
另外,根據本實施方式,由於在至少第一次的實際運轉中,將兩片基板Wf設為一組,使用該一組基板Wf來進行實際運轉,因此與例如在第一次的實際運轉中,僅使用一片基板Wf來進行實際運轉的情況相比,能夠實現基板處理裝置11的停機時間的減少,並能夠提高基板處理裝置11的每單位時間的基板處理能力。 (實施方式1的變形例)
在上述的實施方式1中,控制裝置40在執行第一基板處理要素100的實際運轉期間使第二基板處理要素110的試行運轉開始,但並不限定於該結構。控制裝置40也可以在執行第一基板處理要素100的“試行運轉”期間使第二基板處理要素110的試行運轉開始。
根據本變形例,除了上述的實施方式1的作用效果之外,還能夠起到以下的作用效果。即,根據本變形例,基板處理要素組20的第二基板處理要素110的試行運轉在執行第一基板處理要素100的試行運轉期間開始,因此,例如,與在完成第一基板處理要素100的實際運轉後開始第二基板處理要素110的試行運轉的情況、在執行第一基板處理要素100的實際運轉期間開始第二基板處理要素110的試行運轉的情況相比,能夠提早地使第二基板處理要素110的試行運轉開始。由此,能夠實現基板處理裝置11的停機時間的減少,並能夠提高基板處理裝置11的每單位時間的基板處理能力。 (實施方式2)
接著,對本發明的實施方式2進行說明。圖5是表示本實施方式的基板處理系統10A的結構的功能框圖。本實施方式的基板處理系統10A主要在還具備故障檢測裝置70的點與上述的實施方式1(包括變形例)的基板處理系統10不同。
故障檢測裝置70是在執行基板處理要素組20的試行運轉期間,基於基板處理要素組20的運轉狀態來檢測基板處理要素組20的故障的裝置。具體而言,本實施方式的故障檢測裝置70在執行第一基板處理要素100的試行運轉期間,基於第一基板處理要素100的試行運轉時的運轉狀態來檢測第一基板處理要素100的故障,在執行第二基板處理要素110的試行運轉期間,基於第二基板處理要素110的試行運轉時的運轉狀態來檢測第二基板處理要素110的故障。
作為一個例子,本實施方式的故障檢測裝置70由與基板處理裝置11分體的終端設備(即,故障檢測用的終端設備)構成。但是,並不限定於該結構,故障檢測裝置70也可以與基板處理裝置11一體化。舉個該具體例,例如,故障檢測裝置70也可以固定於基板處理裝置11的殼體。另外,在該情況下,基板處理系統10A也可以具備故障檢測裝置70和控制裝置40一體化而成為一個控制裝置的結構。在該情況下,該一個控制裝置具有作為控制裝置40的功能和作為故障檢測裝置70的功能。
本實施方式的故障檢測裝置70具備:由用戶操作的操作部71(操作面板等)、顯示各種信息的顯示器72、作為處理器的CPU73、具有非暫時的存儲介質(例如ROM等)的存儲裝置74等。本實施方式的顯示器72是具有作為通知信息的“通知部”的功能的構件的一個例子。存儲裝置74存儲程序等。故障檢測裝置70通過作為處理器的CPU73基於存儲於存儲裝置74的程序動作來進行故障檢測。另外,在使用故障檢測裝置70時,故障檢測裝置70和控制裝置40通過有線或者無線電連接。由此,故障檢測裝置70和控制裝置40能夠相互交換信息。
在本實施方式中,在構成基板處理要素組20的各個設備中,配置有檢測各個設備的運轉狀態的檢測器60。此外,在圖5中,為了簡化圖示,僅圖示了一個檢測器60,但實際的基板處理裝置11具備多個檢測器60。各個檢測器60將檢測到的值(檢測值)傳遞至控制裝置40。控制裝置40將檢測器60的檢測值傳遞給故障檢測裝置70。
故障檢測裝置70基於檢測器60的檢測值,獲取構成基板處理要素組20的各個設備運轉時發生變化的物理量(伴隨運轉而變化的物理量)。接下來,故障檢測裝置70通過對該獲取到的物理量和預先設定的基準值進行比較,來檢測各個設備的故障。此外,該基準值通過預先進行實驗、模擬等求出適當的值,並存儲於存儲裝置74。故障檢測裝置70將檢測到的結果傳遞至控制裝置40。
另外,本實施方式的故障檢測裝置70基於基板處理要素組20的運轉狀態,來計算表示基板處理要素組20的故障程度的指標亦即“故障等級”,判定該計算出的故障等級為“低等級”或者是故障程度比低等級高的“高等級”。
具體而言,故障檢測裝置70使用“第一基準值”和故障程度比該第一基準值高的“第二基準值”作為上述基準值(檢測故障時的判定基準值)。第一基準值是正常時的上限值。在基於檢測器60的檢測值獲取的物理量小於第一基準值的情況下,故障檢測裝置70判定為沒有故障。在基於檢測器60的檢測值獲取的物理量為第一基準值以上且小於第二基準值的情況下,故障檢測裝置70判定為故障等級為低等級。在基於檢測器60的檢測值獲取的物理量為第二基準值以上的情況下,故障檢測裝置70判定為故障等級為高等級。
此外,該第一基準值以及第二基準值可以通過預先進行實驗、模擬等求出適當的值,並存儲於存儲裝置74。故障檢測裝置70將該判定結果通知給用戶。具體而言,本實施方式的故障檢測裝置70將該判定結果例如顯示在顯示器72(通知部)上。另外,故障檢測裝置70也將判定結果傳遞至控制裝置40。
此外,在本實施方式中,所謂的故障等級為高等級的情況相當於認為停止這樣的高等級的設備的使用較好的情況。具體而言,故障等級為高等級的情況相當於如下情況:認為若繼續使用這樣的高等級的設備,則對基板Wf產生損傷(例如,晶片廢料等)、或基板處理的品質(在本實施方式中,為鍍覆處理的品質)降低而超出允許範圍。
另一方面,在本實施方式中,所謂的故障等級為低等級的情況相當於如下情況:認為即使使用故障等級為該等級的設備,也不會對基板Wf產生損傷、或基板處理的品質降低而不會超出允許範圍因此無需停止該設備的使用,但應將臨近設備的更換時期的情況通知給用戶。
作為故障檢測時所使用的物理量的具體例,舉出以下的情況。例如,在基板處理要素組20中存在具有氣缸的設備的情況下,能夠使用該氣缸的動作時間(sec)、氣缸的電磁閥的工作音量(dB)等物理量。例如,在基板處理要素組20中存在具有伺服馬達的設備的情況下,能夠使用該伺服馬達的發熱量(J)、伺服馬達的工作音量(dB)、伺服馬達的振動等級(dB)、伺服馬達的負載率(%)等物理量。
例如,在基板處理要素組20中存在具有整流器的設備的情況下,能夠使用該整流器的電流值(A)、整流器的電壓值(V)、整流器的電阻值(Ω)等物理量。例如,在基板處理要素組20中存在具有泵的設備的情況下,能夠使用該泵的排放流量(m3/sec)、泵的排放壓力(Pa)、泵的排放時間(sec)等物理量。例如,在基板處理要素組20中存在具有開閉閥、流量調整閥等閥的設備的情況下,能夠使用該閥的排放流量(m3/sec)、閥的排放壓力(Pa)、閥的排放時間(sec)等物理量。
例如,在基板處理要素組20中存在存積液體的槽(容器)的情況下,能夠使用該槽中存積的液體的存積量(m3)、液體的存積量達到規定量所需的時間(sec)、液體的存積量變成零所需的時間(sec)(即,排出液體所需的時間)等物理量。另外,在基板處理要素組20中,特別是對於傳送帶24,能夠使用動作時的負載(%)、振動等級(dB)、工作音量(dB)等物理量。
若以上述的預濕模塊28為例,對上述的故障等級的判定的具體例進行說明,則如下。例如,如上述那樣,在預濕模塊28的試行運轉時,使泵動作,在使清洗液在預濕模塊28中存積到規定水平(水平H)的情況下,故障檢測裝置70基於檢測與預濕模塊28中的清洗液的存積量相關的物理量的檢測器60、檢測與泵相關的物理量的檢測器60的檢測結果,來獲取清洗液達到規定水平所需的時間、泵的排放壓力、泵的排放流量。而且,故障檢測裝置70通過對這些檢測值與第一基準值以及第二基準值進行比較,來判定故障等級為低等級還是高等級,並通知該判定結果。由此,用戶能夠掌握例如在與泵連通的配管(用於向預濕模塊28供給清洗液的配管)中產生堵塞等故障,該故障等級為低等級還是高等級。
另外,例如,如上述那樣,在預濕模塊28的試行運轉時,在使泵停止,使清洗液用的排出閥(即,開閉閥)打開,使清洗液從預濕模塊28中排出的情況下,故障檢測裝置70基於檢測與預濕模塊28中的清洗液的存積量相關的物理量的檢測器60的檢測結果,來獲取排出清洗液所需的時間。而且,故障檢測裝置70通過對該檢測值與第一基準值以及第二基準值進行比較,來判定故障等級為低等級還是高等級,並通知該判定結果。由此,用戶能夠掌握例如在用於從預濕模塊28排出清洗液的配管中產生堵塞等故障,該故障等級為低等級還是高等級。
接著,對檢測到故障的情況下進行的一系列控制處理進行說明。圖6是表示檢測到故障的情況下進行的一系列控制處理的一個例子的流程圖。圖6的流程圖的各步驟由故障檢測裝置70的具體而言CPU73基於存儲於存儲裝置74的程序來執行。
在步驟S20中,在通過故障檢測裝置70檢測到在基板處理要素組20中存在故障的意思的情況下(即,基於檢測器60的檢測值獲取的物理量為第一基準值以上的情況),故障檢測裝置70判定基板處理要素組20的故障等級為低等級還是高等級(步驟S21)。
在步驟S21中,在判定為故障等級為低等級的情況下,故障檢測裝置70通知故障等級為低等級的意思(步驟S22)。對於該步驟S22的具體的內容並不特別限定,但作為一個例子,本實施方式的故障檢測裝置70將被判定為故障等級為低等級的設備的名稱、以及故障等級為低等級的意思顯示在故障檢測裝置70的顯示器72上。另外,在該情況下,故障檢測裝置70也可以通知被判定為故障等級為低等級的設備的更換時期(應更換時期)。
在步驟S22之後,故障檢測裝置70判斷繼續使用檢測出故障的設備(步驟S23)。即,在該情況下,由於設備的故障等級為低等級,因此認為即使繼續使用該設備的使用,也不會對基板Wf產生損傷或基板處理的品質超出允許範圍,因此故障檢測裝置70判斷為繼續使用該設備。接收到該判斷結果的控制裝置40實際上繼續使用該設備。
另一方面,在步驟S21中,在判定為故障等級為高等級的情況下,故障檢測裝置70通知故障等級為高等級的意思(步驟S24)。具體而言,本實施方式的故障檢測裝置70將被判定為故障等級為高等級的設備的名稱、以及故障等級為高等級的意思顯示於故障檢測裝置70的顯示器72。
在步驟S24之後,故障檢測裝置70執行步驟S25。在步驟S25中,故障檢測裝置70判定是否存在“替代設備”,該“替代設備”是能夠執行與被判定為故障等級為高等級的設備相同的處理的其它設備。
參照圖1,在本實施方式中,例如,儲料器27、鍍覆槽31存在能夠執行相同的處理的多個設備(即,同種設備)。因此,故障檢測裝置70在判定為在這些設備中任意的設備的故障等級為高等級的情況下,判定為存在能夠執行相同的處理的替代設備(是)。
在圖6的步驟S25中,在判定為存在替代設備的情況下(是),故障檢測裝置70判斷使用該替代設備,來代替被判定為故障等級為高等級的設備(步驟S26)。接收到該判斷結果的控制裝置40實際上在試行運轉以及實際運轉中,使用該替代設備,來代替被判定為故障等級為高等級的設備。即,在該情況下,使用該替代設備,繼續進行試行運轉,也進行之後的實際運轉。
若舉出上述的步驟S25以及步驟S26的具體例,則如下。例如,在步驟S25中,在判定為多個鍍覆槽31中的一個鍍覆槽31(將該鍍覆槽稱為特定鍍覆槽)的故障等級為高等級的情況下,在步驟S26中,故障檢測裝置70判斷使用從特定鍍覆槽以外的鍍覆槽31中選擇的一個鍍覆槽31作為替代設備。而且,接收到該判斷結果的控制裝置40在試行運轉時以及實際運轉時,使用作為該替代設備的鍍覆槽31,來代替特定鍍覆槽。
在步驟S25中,在判定為沒有替代設備的情況下(否),故障檢測裝置70通知“沒有替代設備、以及是否繼續基板處理要素組20的運轉”(步驟S27)。對於該步驟S27的具體的內容並不特別限定,作為一個例子,本實施方式的故障檢測裝置70將上述意思顯示於故障檢測裝置70的顯示器72。
接收到該步驟S27的通知的用戶能夠選擇是否使用被判定為故障等級為高等級的設備,來繼續基板處理要素組20的試行運轉。然後,用戶對故障檢測裝置70給予是否繼續試行運轉的指令。具體而言,用戶通過操作故障檢測裝置70的操作部71,將繼續試行運轉的意思的指令(繼續運轉指令)、或中止試行運轉的意思的指令(中止運轉指令)傳遞至故障檢測裝置70的CPU73。
接下來,故障檢測裝置70判定是否存在繼續運轉指令(步驟S28)。在步驟S28中,在判定為存在繼續運轉指令的情況下(是),故障檢測裝置70判斷為繼續基板處理要素組20的試行運轉,並將該判斷結果傳遞至控制裝置40(步驟S29)。接收到該判斷結果的控制裝置40在使用被判定為故障等級為高等級的設備的狀態下,繼續進行基板處理要素組20的試行運轉,也進行之後的實際運轉。
另一方面,在步驟S28中,在判定為沒有繼續運轉指令的情況下(否),即,在存在中止運轉指令的情況下,故障檢測裝置70判斷為中止基板處理要素組20的試行運轉,並將該判斷結果傳遞至控制裝置40(步驟S30)。接收到該判斷結果的控制裝置40中止基板處理要素組20的試行運轉。其結果是,也中止基板處理要素組20的實際運轉。
根據以上說明的本實施方式,除了上述的實施方式1(包括變形例)的作用效果之外,還能夠起到以下的作用效果。即,根據本實施方式,由於基板處理系統10A具備故障檢測裝置70,因此能夠在執行基板處理要素組20的試行運轉期間,檢測基板處理要素組20的故障(步驟S20)。
另外,根據本實施方式,故障檢測裝置70判定基板處理要素組20的故障等級為低等級或者是高等級,並通知該判定結果(步驟S22、步驟S24),因此接收到該通知的用戶能夠容易地掌握故障等級為低等級還是高等級。其結果是,用戶能夠根據故障等級,提早採取適當的應對措施。另外,例如,能夠抑制儘管故障等級為高等級,也使用這樣的故障等級為高等級的設備來進行基板處理,其結果是,對基板Wf產生損傷、或基板處理的品質降低而超出允許範圍的情況。
另外,根據本實施方式,在故障等級為高等級的情況下,在構成基板處理要素組20的多個設備中存在替代設備的情況下,能夠使用該替代設備,來進行基板處理要素組20的試行運轉以及實際運轉(步驟S26)。由此,能夠使用替代設備繼續基板處理要素組20的試行運轉以及實際運轉,並且能夠抑制由於使用故障等級為高等級的設備的實際運轉而對基板Wf產生損傷、或基板處理的品質超出允許範圍的情況。
以上,對本發明的實施方式等進行了詳細描述,但本發明並不限定於這樣的特定的實施方式等,能夠在申請專利範圍所記載的本發明的主旨範圍內進行各種變形、變更。
例如,基板處理要素組20的結構並不限定於圖1等所例示的結構,可以根據基板處理裝置11所進行的基板處理的內容適當地設定。另外,基板處理的具體例並不限定於鍍覆處理,能夠使用鍍覆處理以外的公知的基板處理。
10、10A:基板處理系統 11:基板處理裝置 13a、13b:基板支架 20:基板處理要素組 21a、21b:輸送機器人 22a、22b:對準器 23:緊固台 24:傳送帶 25a:第一輸送裝置 25b:第二輸送裝置 26:輸送軸 27:儲料器 28:預濕模塊 29:預浸模塊 30:預浸漂洗槽 31:鍍覆槽 32:漂洗模塊 33:交接槽 34a、34b:旋轉漂洗乾燥機 40:控制裝置 41:CPU 42:存儲裝置 50:操作用計算機 51:CPU 52:存儲裝置 60:檢測器 70:故障檢測裝置 71:操作部 72:顯示器 73:CPU 74:存儲裝置 100:第一基板處理要素 110:第二基板處理要素 Wf:基板 S10a~S10j:步驟 S20~S30:步驟
圖1係示意性地表示實施方式1的基板處理系統的主要結構的結構圖。 圖2係用於說明實施方式1的第一基板處理要素的示意圖。 圖3係用於說明實施方式1的第二基板處理要素的示意圖 圖4係表示實施方式1的試行運轉/實際運轉控制的一個例子的流程圖。 圖5係表示實施方式2的基板處理系統的結構的功能框圖。 圖6係表示在實施方式2中在檢測到故障的情況下所進行的一系列的控制處理的一個例子的流程圖。
10:基板處理系統
11:基板處理裝置
13a、13b:基板支架
21a:輸送機器人
22a:輸送機器人
22b:對準器
24:傳送帶
25a:第一輸送裝置
25b:第二輸送裝置
26:輸送軸
27:儲料器
28:預濕模塊
29:預浸模塊
30:預浸漂洗槽
31:鍍覆槽
34a:旋轉漂洗乾燥機
40:控制裝置
41:CPU
42:存儲裝置
50:計算機
51:CPU
52:存儲裝置
Wf:基板

Claims (8)

  1. 一種基板處理系統,具備基板處理裝置,上述基板處理裝置具有: 基板處理要素組,由在基板處理中使用的多個設備構成;以及 控制裝置,控制上述基板處理要素組,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中, 在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有: 第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及 第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成, 在多次進行上述實際運轉的情況下,上述控制裝置使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在完成上述第一基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。
  2. 如請求項1所述的基板處理系統,其中, 在執行上述第一基板處理要素的上述實際運轉期間、或在執行上述第一基板處理要素的上述試行運轉期間,上述控制裝置使上述第二基板處理要素的上述試行運轉開始,在完成上述第二基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第二基板處理要素的上述實際運轉開始。
  3. 如請求項1所述的基板處理系統,其中, 在至少第一次的上述實際運轉中,將兩片上述基板設為一組,使用該一組上述基板來進行上述實際運轉。
  4. 如請求項1所述的基板處理系統,其中, 還具備故障檢測裝置,上述故障檢測裝置在執行上述基板處理要素組的上述試行運轉期間,基於上述基板處理要素組的運轉狀態,來檢測上述基板處理要素組的故障。
  5. 如請求項4所述的基板處理系統,其中, 上述故障檢測裝置在檢測到上述基板處理要素組的故障的情況下,判定表示上述基板處理要素組的故障程度的指標亦即故障等級是低等級或者是故障程度比上述低等級高的高等級,並通知該判定的結果。
  6. 如請求項5所述的基板處理系統,其中, 在上述故障等級為上述高等級的情況下,當在構成上述基板處理要素組的多個設備中,存在能夠執行與被判定為上述故障等級為上述高等級的設備相同的處理的替代設備的情況下,上述控制裝置在上述試行運轉以及上述實際運轉時使用上述替代設備,來代替被判定為上述故障等級為上述高等級的設備。
  7. 一種基板處理系統的控制裝置,上述控制裝置應用於具有由在基板處理中使用的多個設備構成的基板處理要素組的基板處理系統,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中, 在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有: 第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及 第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成, 在多次進行上述實際運轉的情況下,上述控制裝置使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在完成上述第一基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。
  8. 一種基板處理系統的運轉方法,是具有由在基板處理中使用的多個設備構成的基板處理要素組的上述基板處理系統的運轉方法,上述基板處理要素組構成為進行試行運轉和實際運轉,其中, 在上述試行運轉中不使用基板進行規定動作,在上述實際運轉中使用上述基板進行上述基板處理,上述基板處理要素組具有: 第一基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中使用的多個設備構成;以及 第二基板處理要素,在多次進行上述實際運轉的情況下,由在第一次的上述實際運轉中未使用而在第二次以後的上述實際運轉中使用的多個設備構成,上述運轉方法包括如下步驟: 在多次進行上述實際運轉的情況下,使上述第一基板處理要素進行上述試行運轉,在完成上述第一基板處理要素的上述試行運轉後,使上述第一基板處理要素的上述實際運轉開始。
TW110127302A 2020-08-03 2021-07-26 基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法 TW202214909A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020131408A JP7454467B2 (ja) 2020-08-03 2020-08-03 基板処理システム、基板処理システムの制御装置及び基板処理システムの運転方法
JP2020-131408 2020-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202214909A true TW202214909A (zh) 2022-04-16

Family

ID=80004166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110127302A TW202214909A (zh) 2020-08-03 2021-07-26 基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11661669B2 (zh)
JP (1) JP7454467B2 (zh)
KR (1) KR20220016770A (zh)
CN (1) CN114068350A (zh)
TW (1) TW202214909A (zh)

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3654684B2 (ja) * 1995-05-01 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US6274058B1 (en) * 1997-07-11 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning method for processing chambers
JP4274747B2 (ja) 2002-06-25 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
JP4108027B2 (ja) 2003-09-22 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
US8999847B2 (en) * 2010-08-16 2015-04-07 Applied Materials, Inc. a-Si seasoning effect to improve SiN run-to-run uniformity
JP5821689B2 (ja) 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6255335B2 (ja) * 2012-03-22 2017-12-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP5954108B2 (ja) * 2012-10-23 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6335763B2 (ja) 2014-11-20 2018-05-30 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP6713863B2 (ja) 2016-07-13 2020-06-24 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置
KR20190088079A (ko) * 2016-12-16 2019-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 챔버 드리프팅 없이 고온 프로세싱을 가능하게 하는 방법
JP2018206847A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
JP7214417B2 (ja) 2018-09-20 2023-01-30 株式会社Screenホールディングス データ処理方法およびデータ処理プログラム
US11249455B2 (en) * 2019-07-08 2022-02-15 Ford Global Technologies, Llc Automation system and wear detection controller

Also Published As

Publication number Publication date
US20220033989A1 (en) 2022-02-03
US11661669B2 (en) 2023-05-30
JP7454467B2 (ja) 2024-03-22
JP2022028176A (ja) 2022-02-16
CN114068350A (zh) 2022-02-18
KR20220016770A (ko) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8888387B2 (en) Coating and developing apparatus and method
US9460947B2 (en) Coating and developing apparatus and method, and storage medium
CN104966685B (zh) 涂布、显影装置
JP2005230807A (ja) 基板処理装置
US11433420B2 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
US10185220B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable medium
JP4941570B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2010186974A (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6118689B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN107785288B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN108735626B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JP7059424B2 (ja) めっき装置
JP6888393B2 (ja) エッチング装置、エッチング方法及び記憶媒体
TW202214909A (zh) 基板處理系統、基板處理系統的控制裝置以及基板處理系統的運轉方法
JP6393661B2 (ja) 基板液処理装置
JP2010153473A (ja) 基板処理装置
JP4172553B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220130663A (ko) 도금 장치 및 도금 장치의 콘택트 부재 세정 방법
JP3592077B2 (ja) 基板処理装置
JP7122140B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
TW202303176A (zh) 鍍覆裝置之短路檢測方法、鍍覆裝置之控制方法、及鍍覆裝置
JP2000021703A (ja) 処理液送給方法および装置
JP2023069447A (ja) めっき装置及びめっき方法