JP2010153473A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰの順番で基板Ｗを搬送し、複数種類の処理を基板Ｗに行う。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰをそれぞれ３台、２台、１台使用しているところ、１台の加熱冷却ユニットＰＨＰを使用処理部から外れた場合であっても、残っている使用処理部によって、所定の順番で基板Ｗに処理を行うことができる。
【選択図】図１６

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布セルや基板を現像するための現像セルなどが並べられて構成されている。各セルは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。塗布セルの処理ユニットとしては、基板にレジスト膜材料を塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットや、基板に熱処理を行う複数の熱処理ユニットなどを備えている。現像セルの処理ユニットとしては、基板に現像液を供給する複数の現像処理ユニットや複数の熱処理ユニットなどを備えている。各セルの主搬送機構は、そのセルに設けられる各種の処理ユニットに一定の搬送周期ごとに基板を順次搬送させる。これにより、複数種類の処理を所定の順番で基板に行わせる。主搬送機構はさらに、複数種類の処理が行われた基板を、隣接する他のセルの主搬送機構に受け渡す（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、例えば一の処理ユニットが故障すると、主搬送機構が当該処理ユニットに対して基板を搬送しようとしても搬送できない。また、この処理ユニットに搬入する予定であった基板はこの処理ユニット以外に適当な搬送先がないので、主搬送機構はその基板を保持したままの状態となる。この状態のまま、主搬送機構は次の搬送動作に移ることができず、停止してしまう。

また、次の搬送動作に移ることができたとしても、その後は、基板を処理可能な処理ユニットの数が変わるので、少なくともいずれかの種類の処理に要する時間が変わる。このため、そのままの搬送周期で主搬送機構が動作を継続しても、実際には基板を効率よく搬送することができないという不都合がある。

具体的には、レジスト膜用塗布処理ユニットを並列に複数台使用する場合を例にとって説明する。基板１枚当たり６０秒で処理可能なレジスト膜用塗布処理ユニットを３台使用しているときは、全体で２０秒毎に１枚の基板を処理可能である。よって、レジスト膜用塗布処理ユニットのみについてみれば、２０秒ごとにいずれかのレジスト膜用塗布処理ユニット内の基板Ｗを入れ替えれば、すなわち、搬送周期が２０秒であれば、主搬送機構は効率よく基板を搬送することができる。

しかし、レジスト膜用塗布処理ユニットが２台になると、全体では３０秒毎に１枚の基板を処理可能となる。このような場合では、２０秒の搬送周期ごとに主搬送機構がレジスト膜用塗布処理ユニットにアクセスしても、効率よく基板を搬送することができなくなる。

さらに、上述した不都合は処理ユニットの使用数の変動に起因しているが、これに限られない。たとえば、塗布セルを複数備え、各塗布セルでレジスト膜などの塗膜を形成する処理を並行して行う場合にあっては、塗布セルの使用数の変動に応じて同じ不都合が生じる。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に複数種類の処理を所定の順番で行う基板処理装置において、処理の種類ごとに設けられるとともに、少なくともいずれかの種類については複数設けられている処理部と、各処理部に基板を搬送可能な搬送部と、前記処理部のうち実際に基板を処理させる使用処理部と、実際に基板を処理させない待機処理部とに区別して、使用処理部の数に応じた搬送周期ごとに、各使用処理部のみを基板の搬送先として前記搬送部を動作させ、前記複数種類の処理を前記所定の順番通りに基板に行わせる制御部と、を備えている。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は各処理部を使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板を処理する処理部のみに絞ることができる。したがって、基板処理装置が備える処理部の全てが使用処理部である場合は勿論のこと、基板処理装置が備える処理部の一部が使用処理部である場合であっても、基板を効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板に行うことができる。

本発明において、前記制御部は、使用処理部を変更した場合であっても、前記所定の順番を変えることなく前記複数種類の処理を基板に行わせることが好ましい（請求項２）。使用処理部を変更した場合であっても、複数種類の処理を行う順番は所定の順番のまま変わらないので、基板を好適に処理することができる。なお、使用処理部を待機処理部に変えるとき、および、待機処理部を使用処理部に変えるときはいずれも、使用処理部の変更に該当する。

また、本発明において、前記制御部は、使用処理部を変更した場合は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて前記搬送部を制御することが好ましい（請求項３）。制御部は、使用処理部の変更に好適に対応することができる。

また、本発明において、任意の処理部を使用処理部に指定する命令をユーザーから受け付ける入力部を備え、前記制御部は、前記入力部が受け付けた命令に基づいて使用処理部を決定することが好ましい（請求項４）。使用処理部を任意に指定することができる。

また、本発明において、前記制御部は、使用処理部が異常状態である場合は、前記入力部が受け付けた命令に関わらず、その使用処理部を待機処理部に変更することが好ましい（請求項５）。使用処理部に指定されている処理部が異常状態である場合であっても、自動的に待機処理部に変更するので、基板処理を円滑に継続させることができる。

また、本発明において、前記制御部は、異常状態でない処理部を使用処理部に決定することが好ましい（請求項６）。処理部が異常状態である場合は自動的に待機処理部に決定するので、常に異常状態でない処理部のみが使用処理部となる。よって、高い効率性を維持しつつ、基板処理を行うことができる。

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替えることが好ましい（請求項７）。制御部は、更新した後に新しく始まる搬送周期から搬送部の搬送先を切り替える。言い換えれば、搬送部が動作しているときに搬送先を更新しても、制御部は搬送部の動作中に搬送部の搬送先を切り替えない。この結果、各搬送周期の搬送部の動作をそれぞれ搬送開始前に原則的に確定させることができ、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合であって更新の前後で搬送先から外れる処理部があるときは、搬送先から外れた処理部に基板を強制的に搬送可能か否かを判断し、搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に基板を搬送することを中止させることが好ましい（請求項８）。搬送先から外れた処理部に基板を強引に搬送することによって、搬送部が搬送不能に陥ることを回避することができる。なお、強制的に搬送可能であるとは、搬送部に障害が生じることなく搬送部が処理部に基板を搬入／搬出できることある。よって、その処理部が基板を一定の品質以上で処理できるか否かとは関係がない。

本発明において、基板を載置するバッファ部を備え、前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板を前記バッファ部に載置させることが好ましい（請求項９）。搬送部は、搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板をバッファ部に載置する。この結果、搬送部は他の基板を保持可能になり、次の搬送動作に移ることができる。よって、搬送部はその後の搬送動作を継続することができる。

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に対しても基板搬送を続行させることが好ましい（請求項１０）。搬送先から外れた処理部に対して強制的に搬送可能であれば、搬送部は当該処理部に対しても基板搬送を続行する。これにより、搬送動作の途中で搬送先を変更することを極力回避することができる。

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部からも基板を搬出させることが好ましい（請求項１１）。搬送先から外れた処理部に対して強制的に搬送可能であれば、搬送部は当該処理部から基板を搬出させる。これにより、搬送動作の途中で搬送部の動作を変更することを極力回避することができる。

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部にも基板を搬入させることが好ましい（請求項１２）。これにより、搬送動作の途中で搬送部の動作を変更することを極力回避することができる。

また、本発明において、基板を載置するバッファ部を備え、前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部から搬出した基板を前記バッファ部に載置させることが好ましい（請求項１３）。使用処理部から待機処理部に変更された時点でその処理部内にあった基板についてはバッファ部に載置する。これにより、その基板にさらに他の処理を行うことを中止することができる。

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送周期を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときは、更新した時に進行中の搬送周期の次から更新後の搬送周期に基づいて前記搬送部を制御することが好ましい（請求項１４）。更新した時に進行中の搬送周期は更新前の搬送周期である。たとえ、ある搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったとしても、制御部は、搬送部の制御において搬送周期の途中から更新後の搬送周期に変更しない。これにより、制御部による搬送部の確実な制御を実現することができる。

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の始期から更新後の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させることが好ましい（請求項１５）。搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったときでも、進行中の搬送周期の次から更新した搬送周期を好適に開始することができる。

また、本発明において、前記処理部として、基板に処理液を供給する処理ユニットと、基板に熱処理を行う処理ユニットとを少なくとも有し、前記搬送部は各処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構で構成されることが好ましい（請求項１６）。基板に処理液を供給する処理、および、基板に熱処理を行う処理をそれぞれ所定の順番で好適に行うことができる。

また、本発明において、基板に処理液を供給する処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニット、および、基板に現像液を供給する現像処理ユニットの少なくともいずれかであることが好ましい（請求項１７）。基板にレジスト膜を形成する処理、および、基板を現像する処理の少なくともいずれかを好適に行うことができる。

また、本発明において、前記処理ユニットと前記主搬送機構とで構成されるセルを複数備えており、前記制御部は各セルの前記主搬送機構を制御することが好ましい（請求項１８）。複数のセルのそれぞれにおいて、複数種類の処理を基板に行うことができる。

また、本発明において、前記処理部として、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板にレジスト膜を形成する処理を行う塗布セルと、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板を現像する処理を行う現像セルとを少なくとも有することが好ましい（請求項１９）。レジスト膜を形成する処理、および、現像する処理を基板に対して好適に行うことができる。

また、本発明において、単一の塗布セルと単一の現像セルとによって相互に基板を受け渡し可能に構成されるセルの列を複数有し、前記搬送部は、各塗布セルとの間で基板を搬送するインデクサ用搬送機構と、各現像セルとの間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構とを含んで構成されていることが好ましい（請求項２０）。単一の塗布セルと単一の現像セルとによって構成されるセルの列を複数備えているので、各セルの列において基板を並列的に処理することができる。また、搬送部は、塗布セルと現像セルとで別個の搬送機構（インデクサ用搬送機構およびインターフェイス用搬送機構）を備えているので、塗布セル及び現像セルのそれぞれに好適に基板を搬送することができる。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。

（１）請求項１から請求項２０のいずれかに基板処理装置において、前記搬送周期は、各種類の処理に要する基板１枚あたりの処理時間をそれぞれ種類別単位処理時間として、各種類別単位処理時間を対応する種類の処理を行う使用処理部の数でそれぞれ除した種類別処理時間のうち、最も長い種類別処理時間またはこれより若干長い時間とする基板処理装置。

前記（１）に記載の基板処理装置によれば、処理部の種類別の数を考慮した搬送周期とすることができる。このような搬送周期で搬送部を動作させることにより、基板に複数種類の処理を効率良く行わせることができる。

ここで、「種類別単位処理時間」は、各種類のプロセス処理の時間に、プロセス処理の前後に発生する準備時間および待ち時間や、搬送部が各処理部において基板を取り置きする時間などを実用に即して適宜に加えた時間である。

（２）請求項３に記載の基板処理装置において、前記制御部は、使用処理部の変更と同時に搬送周期および搬送先を更新する基板処理装置。

前記（２）に記載の基板処理装置によれば、制御部は、使用処理部の変更に好適かつ迅速に対応することができる。

（３）請求項６に記載の基板処理装置において、前記制御部は、使用処理部が異常状態となったとき、その使用処理部を待機処理部に変更する基板処理装置。

前記（３）に記載の基板処理装置によれば、使用処理部が異常状態の変化にしても、それによって基板に対する処理が滞ることを好適に回避することができる。

（４）請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、前記制御部は、待機処理部が異常状態でなくなったときは、その待機処理部を使用処理部に変更する基板処理装置。

前記（４）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に処理可能となった待機処理部を自動的に使用処理部に変更することで、常に装置の処理能力を最大まで引き出すことができる。

（５）請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、異常状態は、一定以上の品質で基板に処理を行うことができない状態である基板処理装置。

前記（５）に記載の基板処理装置によれば、基板に行う処理の品質を一定以上確保することができる。

（６）請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、前記異常状態は、基板に対する処理液の供給量、および、基板を熱処理する温度の少なくともいずれかである基板処理装置。

前記（６）に記載の基板処理装置によれば、基板に行う処理の品質を好適に確保することができる。

（７）請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、前記処理部が異常状態であることを検知する検知部を備え、前記制御部は前記検知部の検知結果に基づいて使用処理部を決定する基板処理装置。

前記（７）に記載の基板処理装置によれば、制御部は的確に使用処理部を変更することができる。

（８）請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替える基板処理装置。

前記（８）に記載の基板処理装置によれば、制御部は、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期から搬送部の制御を切り替える。言い換えれば、搬送部が動作しているときに搬送先を更新しても、制御部は搬送部の動作中に搬送部の制御を切り替えることはない。この結果、各搬送周期の搬送部の動作をそれぞれ搬送開始前に原則的に確定させることができ、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。また、搬送部の制御の切り替えは、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期で行うので、迅速に搬送部の動作を変更させることができる。

（９）請求項１から請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の期間の始期から更新前の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させる基板処理装置。

前記（９）に記載の基板処理装置によれば、搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったときでも、進行中の搬送周期の期間を変更しないので、更新した搬送周期に確実に切り替えることができる。

（１０）請求項１８に記載の基板処理装置において、２以上のセルで行われる処理は互いに異なっており、前記制御部は、異なる処理を行う複数のセルに同じ基板を順次搬送して処理させる基板処理装置。

前記（１０）に記載の基板処理装置によれば、同じ基板に対して、各セルにおいてそれぞれ複数種類の処理を行うことができる。

（１１）請求項１９に記載の基板処理装置において、前記塗布セルは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、前記現像セルは、基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有する基板処理装置。

前記（１１）に記載の基板処理装置によれば、塗布セルではレジスト膜を形成する処理を基板に好適に行うことができる。また、現像セルでは現像する処理を基板に好適に行うことができる。

（１２）請求項２０に記載の基板処理装置において、前記セルの列は、互いに上下方向に並ぶように配置されているとともに、各セルの列を構成する前記塗布セルと前記現像セルとは、横方向に並ぶように配置されている基板処理装置。

前記（１２）に記載の基板処理装置によれば、セルの列は上下方向に並ぶように配置されているので、設置面積を低減することができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、制御部は各処理部を使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板を処理する処理部のみに絞ることができる。したがって、基板処理装置が備える処理部の全てが使用処理部である場合は勿論のこと、基板処理装置が備える処理部の一部が使用処理部である場合であっても、基板を効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板に行うことができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４ないし図７は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。

実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置１０である。以下では、基板処理装置１０を「装置１０」と適宜に略記する。本装置１０は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と、処理ブロックＢａ、Ｂｂと、インターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備える。

ＩＤ部１、処理ブロックＢａ、処理ブロックＢｂおよびＩＦ部５は、この順番に１列で並ぶように設けられている。並び方向は横方向（水平方向）が好ましい。ＩＤ部１、処理ブロックＢａ、処理ブロックＢｂおよびＩＦ部５は、互いに隣接している。ＩＦ部５にはさらに本装置１０とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。

処理ブロックＢａは、上下方向に複数（２つ）の塗布セルＣ１、Ｃ３を備えている。処理ブロックＢｂは、上下方向に複数（２つ）の現像セルＣ２、Ｃ４を備えている。図１では、処理ブロックＢａの上側の塗布セルＣ１と、処理ブロックＢｂの上側の現像セルＣ２を示す。塗布セルＣ３と現像セルＣ４の平面視におけるレイアウトは、図示を省略するが、それぞれ塗布セルＣ１と現像セルＣ２と略同様である。

塗布セルＣ１は、塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１等を有し、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行う。現像セルＣ２は、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニット４２等を有し、基板Ｗを現像する処理を行う。

塗布セルＣ１と現像セルＣ２は互いに横方向に隣接しており、相互に基板Ｗを受け渡し可能である。このように、塗布セルＣ１と現像セルＣ２とによって「セルの列」が構成されている。同様に、塗布セルＣ３と現像セルＣ４も互いに横方向に隣接しており、相互に基板Ｗを受け渡し可能であり、塗布セルＣ３と現像セルＣ４とによって「セルの列」が構成されている。これら複数（２つ）のセルの列は、上下方向に並んでいる。以下では、塗布セルＣ１、Ｃ３、および、現像セルＣ２、Ｃ４を特に区別しない場合は、単に「セルＣ」と略記する。

ＩＤ部１は、各塗布セルＣ１、Ｃ３との間で基板Ｗを搬送するＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤを備えている。各セルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４はそれぞれ、単一の主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４を備えている。ＩＦ部５は、各現像セルＣ２、Ｃ４との間で基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを備えている。

ＩＤ部１、各セルＣおよびＩＦ部５の各動作の概略を説明する。ＩＤ部１は、各塗布セルＣ１、Ｃ３に基板Ｗを搬送する。塗布セルＣ１は、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行い、現像セルＣ２に搬送する。同様に、塗布セルＣ３は、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行い、現像セルＣ４に搬送する。現像セルＣ２、Ｃ４はそれぞれ、基板ＷをＩＦ５に搬送する。ＩＦ部５は露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光し、再びＩＦ部５に基板Ｗを搬送する。ＩＦ部５は基板Ｗを現像セルＣ２、Ｃ４に搬送する。現像セルＣ２は、基板Ｗを現像する処理を行い、塗布セルＣ１に搬送する。同様に、現像セルＣ４は、基板Ｗを現像する処理を行い、塗布セルＣ３に搬送する。塗布セルＣ１、Ｃ３は、基板ＷをＩＤ部１に搬送する。以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。

［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣａから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣａに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣａを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣａを１列に並べて載置可能に構成される。

ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、各カセットＣａに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ_１及び載置部ＰＡＳＳ_３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣａの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。

［処理ブロックＢａ］
ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各塗布セルＣ１、Ｃ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ_１には、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_１との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ_３には、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_３との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ_１は塗布セルＣ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ_３は塗布セルＣ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３との間を移動することができる。

処理ブロックＢａ、Ｂｂの間にも、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４が設けられている。載置部ＰＡＳＳ_２は塗布セルＣ１と現像セルＣ２との間に、載置部ＰＡＳＳ_４は塗布セルＣ３と現像セルＣ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構Ｔ_１と主搬送機構Ｔ_２は載置部ＰＡＳＳ_２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ_３と主搬送機構Ｔ_４は載置部ＰＡＳＳ_４を介して基板Ｗを受け渡す。

各載置部ＰＡＳＳ_１は複数（本実施例では２台）であり、これら複数の載置部ＰＡＳＳ_１は互いに上下方向に近接して配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ_１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ_１Ａには、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤから主搬送機構Ｔ_１へ渡す基板Ｗが載置され、他方の載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには主搬送機構Ｔ_１からＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤへ渡す基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ_２〜ＰＡＳＳ_４および後述する載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６もそれぞれ複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。また、載置部ＰＡＳＳ_１Ａ、ＰＡＳＳ_１Ｂには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤおよび主搬送機構Ｔ_１による基板Ｗの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部ＰＡＳＳ_２〜ＰＡＳＳ_６にもそれぞれ付設されている。

また、処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、基板Ｗを載置するバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４が設けられている。バッファ部ＢＦ２は、塗布セルＣ１と現像セルＣ２との間に設けられている。バッファ部ＢＦ４は、塗布セルＣ３と現像セルＣ４との間に設けられている。

バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、それぞれ載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４に近接する位置に配置されている。本実施例では、バッファ部ＢＦ２は載置部ＰＡＳＳ_２の下方に、バッファ部ＢＦ４は載置部ＰＡＳＳ_４の下方に積層配置されている。

各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、複数の基板Ｗを載置可能である。バッファ部ＢＦ２は、基板Ｗを多段に収納できる棚を備えて、主搬送機構Ｔ_１および主搬送機構Ｔ_２に対向する両側が開放されている。主搬送機構Ｔ_１および主搬送機構Ｔ_２はいずれも、当該棚に基板Ｗを載置すること、および、当該棚に載置された基板Ｗを取り出すことが許容されている。バッファ部ＢＦ４もバッファ部ＢＦ２と同様に構成されており、主搬送機構Ｔ_３および主搬送機構Ｔ_４はいずれも、バッファ部ＢＦ４に対して基板を搬送可能に構成されている。

なお、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、上述した構成に限られない。すなわち、基板Ｗを一時的に載置できれば、基板Ｗの周縁部や下面などいずれの位置で保持してもよい。たとえば、載置部ＰＡＳＳと同様に、突出形成された複数の支持ピンを備えて、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成してもよい。

塗布セルＣ１について説明する。主搬送機構Ｔ_１は、平面視で塗布セルＣ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ_１を移動可能に設けられている。上述した塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ_１の一方側に配置されており、上述した熱処理ユニット４１は搬送スペースＡ_１の一方側に配置されている。塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに処理液を塗布する。熱処理ユニット４１は、基板Ｗに熱処理を行う。

塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ_１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。

塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜用材料を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。本明細書では、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで行われる処理を適宜に反射防止膜材料塗布処理と記載し、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴで行われる処理を適宜にレジスト膜材料塗布処理と記載する。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。

図８（ａ）、（ｂ）を参照する。図８（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。

供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。

ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。

熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ_１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能であり、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却処理する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。なお、本明細書では、加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる処理を適宜に加熱／冷却処理と記載する。

主搬送機構Ｔ_１を具体的に説明する。図９を参照する。図９は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ_１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ_１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ_１の略中央まで横方向に張り出している。主搬送機構Ｔ_１は、さらに第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。

ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１、各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。

塗布セルＣ３について説明する。なお、塗布セルＣ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。塗布セルＣ３の主搬送機構Ｔ_３および処理ユニットの平面視でのレイアウト（配置）は塗布セルＣ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ_３から見た塗布セルＣ３の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ_１から見た塗布セルＣ１の各種処理ユニットの配置と略同じである。塗布セルＣ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ塗布セルＣ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。

以下において、塗布セルＣ１、Ｃ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、塗布セルＣ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１」と記載する）。

処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。図４、図５に示すように、搬送スペースＡ_１、Ａ_３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ_１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆ（図９参照）で第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の下部に配置されている。搬送スペースＡ_１の雰囲気と搬送スペースＡ_３の雰囲気とは、搬送スペースＡ_１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ_３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各塗布セルＣ１、Ｃ３は互いに雰囲気が遮断されている。

搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に、搬送スペースＡ_１の上部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ_１の下部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ_１、Ａ_３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ_１、Ａ_３は個別に清浄な状態に保たれる。

図１、図６、および、図８（ａ）に示すように、塗布セルＣ１、Ｃ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、塗布セルＣ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、塗布セルＣ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。

また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに塗布セルＣ１、Ｃ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。

処理ブロックＢａは、上述した主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３と塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とを収容する一の筐体７５を備えている。後述する処理ブロックＢｂも主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４と処理ブロックＢｂが有する各処理ユニットとを収容する筐体７５を備えている。処理ブロックＢａの筐体７５と処理ブロックＢｂの筐体７５は別体である。このように処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔと各処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えているので、処理ブロックＢａ、Ｂｂを並べて処理部３を簡易に製造し、組み立てることができる。

［処理ブロックＢｂ］
現像セルＣ２について説明する。なお、塗布セルＣ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。現像セルＣ２の搬送スペースＡ_２は搬送スペースＡ_１の延長上となるように形成されている。

現像セルＣ２には、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷが設けられている。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ_２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ_２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。なお、本明細書では、現像処理ユニットＤＥＶで行われる処理を適宜に現像処理と記載し、エッジ露光ユニットＥＥＷで行われる処理を適宜にエッジ露光と記載する。

現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。図１、図６に示すように、各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。

熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱処理する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却処理する冷却ユニットＣＰと、加熱／冷却処理を行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。

加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。現像セルＣ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら現像セルＣ２に配置される加熱冷却ユニットＰＨＰでは露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。したがって、現像セルＣ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。同様に現像セルＣ４に加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。

エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。

さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ_５が積層されている。主搬送機構Ｔ_２と後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、載置部ＰＡＳＳ_５を介して基板Ｗを受け渡す。

主搬送機構Ｔ_２は平面視で搬送スペースＡ_２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ_２は主搬送機構Ｔ_１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ_２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ_５との間で主搬送機構Ｔ_２が基板Ｗを搬送する。

現像セルＣ４について簡略に説明する。現像セルＣ２と現像セルＣ４の各構成の関係は、塗布セルＣ１、Ｃ３間の関係と同様である。現像セルＣ４の処理ユニットは、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像セルＣ４の熱処理ユニット４２は加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰと加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。現像セルＣ４の加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ_６が積層されている。主搬送機構Ｔ_４と後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、載置部ＰＡＳＳ_６を介して基板Ｗを受け渡す。現像セルＣ４に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰも、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。

以下において、現像セルＣ２、Ｃ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、現像セルＣ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ_２」と記載する）。

現像セルＣ２、Ｃ４の搬送スペースＡ_２、Ａ_４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、現像セルＣ２、Ｃ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。

［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は処理ブロックＢｂの各現像セルＣ２、Ｃ４と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢを有する。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、各現像セルＣ２、Ｃ４に対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例では第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、現像セルＣ２、Ｃ４の載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６と、現像セルＣ３、Ｃ４の各加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。

図１に示すように、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとは、処理ブロックＢａ、処理ブロックＢｂの搬送方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは現像セルＣ２、Ｃ４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは現像セルＣ２、Ｃ４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファ部ＢＦＩＦが設けられている。バッファ部ＢＦＩＦは複数枚の基板Ｗを載置または収容可能である。第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ_７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファ部ＢＦＩＦには、専ら第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡのみがアクセスする。

図７に示すように、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。

次に本装置１０の制御系について説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置１０は、制御部９０と入力部１０１を備えている。

入力部１０１は、任意の処理ユニットを実際に基板Ｗに処理させる処理ユニットに指定する命令をユーザーから受け付ける。ここで、処理ユニットは、上述した各セルＣに設けられている全ての処理ユニット（具体的には、塗布処理ユニット３１、熱処理ユニット４１、現像処理ユニットＤＥＶ、熱処理ユニット４２、および、エッジ露光ユニットＥＥＷ）である。また、以下では、制御部９０等によって各処理ユニットを、実際に基板Ｗに処理させる処理ユニットと実際に基板Ｗに処理させない処理ユニットとに区別する場合、前者を「使用処理部」と記載し、後者を「待機処理部」と記載する。入力部１０１は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。

制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。メインコントローラ９１には、入力部１０１が受け付けた命令が入力される。メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。

第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ_１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１と冷却ユニットＣＰ_１と加熱冷却ユニットＰＨＰ_１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ_１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ_２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２と現像処理ユニットＤＥＶ_２と加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２、ＰＨＰ_４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。

また、本装置１０は、第１ないし第７コントローラ９３〜９９ごとに、それらが制御する搬送機構および処理ユニットが異常状態であることを検知する検知部ＥＲ１、ＥＲ２、…、ＥＲ７を備えている。各検知部ＥＲ１〜ＥＲ７はそれぞれ、搬送機構ごとに、または、処理ユニットごとに別個に設けられていてもよい。各検知部ＥＲ１〜ＥＲ７が異常状態を検知すると、その検知結果は、対応する第１ないし第７コントローラ９３〜９９を介してメインコントローラ９１に与えられる。

ここで、異常状態とは、処理ユニットであれば、一定以上の品質で基板に処理を行うことができない状態をいう。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴであれば、処理液の供給量の異常などが例示される。また、加熱冷却ユニットＰＨＰや冷却ユニットＣＰであれば、基板Ｗを熱処理する温度の異常などが例示される。そのほか、各処理ユニットの基板搬送口が開閉できない場合や、基板Ｗを回転保持できない場合など、処理ユニットの機械的な異常も含まれる。また、搬送機構の場合、物理的に基板Ｗを搬送できない場合のほか、保持アームの汚損等により基板を清浄に搬送できない場合などが例示される。

メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。処理レシピには、本装置１０が搭載する処理ユニットの種類別の数、および、各種の処理ユニットが１枚の基板Ｗを処理するのに要する処理時間（「種類別単位処理時間」）が予め記憶されている。

［１．本装置の基本的な動作］
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。まず、図１１、図１２を参照して、本装置１０の基本的な動作を説明し、その後で、本装置１０の特徴的な動作を説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。

［ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤ］
ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置する（図１１におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ_３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは上述した動作を繰り返し行う。

このようなＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを塗布セルＣ１に送るとともに、塗布セルＣ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを塗布セルＣ３へ送るとともに、塗布セルＣ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。

［主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３］
主搬送機構Ｔ_３の動作は主搬送機構Ｔ_１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_１は直前に載置部ＰＡＳＳ_２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ_１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。

主搬送機構Ｔ_１は冷却ユニットＣＰ_１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_１には既に冷却処理が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ_１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ_１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ_１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１に移動する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗに対して冷却処理を開始する（ステップＳ２）。この熱処理（冷却）は、当該冷却処理ユニットＣＰ_１に主搬送機構Ｔ_１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ_１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して反射防止膜材料塗布処理を開始する（ステップＳ３ａ）。

具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。

主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４ａ）。

主搬送機構Ｔ_１は冷却ユニットＣＰ_１に移動すると、冷却ユニットＣＰ_１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５ａ）。

続いて、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ６ａ）。

主搬送機構Ｔ_１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ_１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ_１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ７ａ、ステップＳ８ａ）。

主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置し（ステップＳ９ａ）、載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１ａ）。

その後、主搬送機構Ｔ_１は再び載置部ＰＡＳＳ_１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ_１に搬送された基板Ｗは全て、塗布セルＣ１において各種処理ユニット間を上述した搬送経路で搬送され、搬送された各処理ユニットで所定の処理が順次行われる。

また、主搬送機構Ｔ_１は、載置部ＰＡＳＳ_１に搬送された基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ_１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを次の処理ユニット（本実施例で反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１）に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ_１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ_２に載置して、現像セルＣ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ_２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ_１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。

［主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４］
主搬送機構Ｔ_４の動作は主搬送機構Ｔ_２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_２は載置部ＰＡＳＳ_２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ_２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ_２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１ａ）、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９ａ）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ_２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ_２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０ａ）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置し（ステップＳ１１ａ）、載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６ａ）。

主搬送機構Ｔ_２は冷却ユニットＣＰ_２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ_２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ_２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７ａ）。

主搬送機構Ｔ_２は現像処理ユニットＤＥＶ_２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ_２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ_２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８ａ）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。

主搬送機構Ｔ_２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ_２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ_２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ_２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ_２は加熱ユニットＨＰ_２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ_２において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９ａ、ステップＳ２０ａ）。

その後、主搬送機構Ｔ_２は再び載置部ＰＡＳＳ_２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに払い出される。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ］
第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ_７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに搬送する（ステップＳ１６ａ）。続いて、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、Ｓ１２）。次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から加熱冷却ユニットＰＨＰ_４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ_４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ_４Ｂに載置する（ステップＳ１４、Ｓ１５ｂ、Ｓ１６ｂ）。

その後、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢ］
第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。露光機ＥＸＰでは基板Ｗを露光する（ステップＳ１３）。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ_７に搬送する。

その後、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。

［２．本装置の特徴的な動作］
次に、本実施例の特徴的な動作を説明する。ここでは、塗布セルＣ１における主搬送機構Ｔ_１の搬送動作を例にとって説明する。また、説明を簡略にするため、主搬送機構Ｔ_１の搬送動作を、図１１におけるステップＳ６ａからステップＳ８ａまでとして説明する。

さらに前提として、塗布セルＣ１は、ステップＳ６ａで使用するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを３台、ステップＳ７ａで使用する加熱冷却ユニットＰＨＰを２台、ステップＳ８ａで使用する冷却ユニットＣＰを１台、を備えているものとする。以下では、これらを各処理ユニットを区別するために、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴａ、「ＲＥＳＩＳＴｂ、ＲＥＳＩＳＴｃ、と記載する。同様に、加熱冷却ユニットＰＨＰａ、ＰＨＰｂと記載する。

また、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが基板Ｗを１枚処理するのに要する処理時間、すなわち、種類別単位時間を６０秒とする。同様に、各加熱冷却ユニットＰＨＰの種類別単位時間を４０秒、各冷却ユニットＣＰの種類別単位時間を２０秒とする。

この前提では、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、各加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰが、この発明における処理部に相当する。また、主搬送機構Ｔ_１が搬送部に相当する。また、バッファ部ＢＦ２が、この発明におけるバッファ部に相当する。ただし、この発明における処理部、搬送部、および、バッファ部は、これら各構成のみに限定されない。

図１３を参照する。図１３は制御部９０の処理手順を示すフローチャートである。

＜ステップＶ１＞ 使用処理部の設定
ユーザーは、入力部１０１を操作して使用処理部を指定する。制御部９０は、入力部１０１が受け付けた命令に基づいて、指定された処理ユニットを使用処理部と決定する。また、使用処理部に指定されなかった処理ユニットを待機処理部に決定する。

＜ステップＶ２＞ 搬送周期と搬送先の設定
レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの種類別処理時間を、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの数で除して、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの種類別処理時間を算出する。同様な手法で、加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各種類別処理時間を算出する。そして、最も長い種類別処理時間を、搬送周期に設定する。また、使用処理部と決定した各種の処理ユニットを搬送先と設定する。

たとえば、全ての処理ユニットが使用処理部と決定された場合は次のようになる。すなわち、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは３台であるので、その種類別処理時間は２０秒である。加熱冷却ユニットＰＨＰは２台であるので、その種類別処理時間は２０秒である。冷却ユニットＣＰは１台であるので、その種類別処理時間は２０秒である。よって、制御部９０は、これらの中で最も長い種類別処理時間である２０秒を搬送周期と設定する。また、全ての処理ユニットＲＥＳＩＳＴａ、ＲＥＳＩＳＴｂ、ＲＥＳＩＳＴｃ、ＰＨＰａ、ＰＨＰｂ、ＣＰを搬送先と設定する。

＜ステップＶ３＞ 搬送制御
制御部９０は設定した搬送周期ごとに、使用処理部のみを搬送先として、主搬送機構Ｔ_１を動作させる。

＜ステップＶ４＞ 異常状態の使用処理部があるか？
制御部９０は、各検知部ＥＲ１〜ＥＲ７の検知結果に基づいて使用処理部が異常状態であるか否かを監視する。そして、異常状態の使用処理部がない場合はステップＶ３に戻り、上述した搬送動作を繰り返す。

ここで、図１４を参照する。図１４は、処理の工程を例示するタイミングチャートである。図１４において、符号ｕ１、ｕ２、ｕ３、……を付記した黒三角は、各搬送周期ｔ１、ｔ２、ｔ３、…における主搬送機構Ｔ_１の搬送動作を模式的に示している。図１５は、図１４に示す搬送動作ｕ１、ｕ２、ｕ３、…における主搬送機構Ｔ_１の具体的な動作を示す図である。図１４、図１５は、全ての処理ユニットが使用処理部と決定された場合であって、異常状態の使用処理部がないときの動作を例示している。

図１４に示すように、全ての処理ユニットＲＥＳＩＳＴａ、ＲＥＳＩＳＴｂ、ＲＥＳＩＳＴｃ、ＰＨＰａ、ＰＨＰｂ、ＣＰに基板Ｗが搬送されている。また、各搬送動作ｕは、搬送周期（２０秒）ごとに行われている。

搬送周期ｔ４における搬送動作ｕ４に注目すると、搬送動作ｕ４は、主搬送機構Ｔ_１による以下の一連に動作に相当する。まず、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴａに対して基板Ｗ６を搬出するとともに、基板Ｗ９を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットＰＨＰａに対して基板Ｗ４を搬出するとともに、基板Ｗ６は搬入する。最後に、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗ３を搬出するともに、基板Ｗ４を搬入する。

ふたたび、ステップＶ４の説明をする。異常状態の使用処理部がある場合はステップＶ５に進む。

＜ステップＶ５＞ 使用処理部の変更
制御部９０は、異常状態となった使用処理部を待機処理部に変更する。

＜ステップＶ６＞ 搬送周期と搬送先の更新
制御部９０は、それまでの搬送周期を、変更された使用処理部の数に基づいて得られる搬送周期に更新する。また、制御部９０は、搬送先についても変更された使用処理部のみを搬送先とするように更新する。これにより、ステップＶ４で異常状態であると検知された処理ユニットは、搬送先から外れる。

＜ステップＶ７＞ 強制的に搬送可能か？
続いて、制御部９０は、搬送先から外れた処理ユニットに強制的に搬送可能か否かを判断する。「強制的に搬送可能」とは、主搬送機構Ｔ_１に障害、損傷、機能低下が生じることなく搬送部が処理部に基板を搬入／搬出できることである。したがって、その処理部が基板を一定の品質以上で処理できるか否かとは関係がない。また、この搬送可能か否かの判断の際、ステップＶ６で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔにおける搬送動作ｕにおいては搬送先から外れた処理ユニットに基板Ｗを搬送しない場合は一律に、搬送可能と判断する（後述する「動作例２」に対応する）。

制御部９０が強制的に搬送可能と判断したときは、ステップＶ８に進む。また、制御部９０が強制的に搬送可能でないと判断したときはステップＶ９に進む。

＜ステップＶ８＞ 強制搬送
制御部９０は、ステップＶ６で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔにおける搬送動作ｕにおいてはそのまま続行させる。具体的には、搬送先からはずれた処理ユニットに対しても基板Ｗを搬出するとともに、基板Ｗを搬入する。

＜ステップＶ９＞ バッファ部に搬送
制御部９０は、ステップＶ６で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔにおける搬送動作ｕにおいて、搬送先から外れた処理ユニットに対する基板搬送を中止させる。そして、搬送先からはずれた処理ユニットに搬入する予定であった基板Ｗをバッファ部に載置する。

＜ステップＶ１０＞ 搬送制御の切り替え
ステップＶ６で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔにおける搬送動作ｕが終了すると、制御部９０は主搬送機構Ｔ_１の搬送制御を切り替えて、ステップＶ３に進む。ステップＶ３では、更新された搬送周期および搬送先に基づいて主搬送機構Ｔ_１を制御する。

ここで、ステップＶ４〜Ｖ８、Ｖ３の動作例１、２、および、ステップＶ４〜Ｖ７、Ｖ９、Ｖ３の動作例３をそれぞれ例示する。

前提として、加熱冷却ユニットＰＨＰａが異常状態であると判断し（ステップＶ４）、加熱冷却ユニットＰＨＰａを使用処理部から待機処理部に変更した（ステップＶ５）場合を例にとる。この場合、加熱冷却ユニットＰＨＰは１台となるので、その種類別処理時間は４０秒である。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの種類別処理時間は２０秒、冷却ユニットＣＰの種類別処理時間は２０秒のままであるので、搬送周期は４０秒に更新される（ステップＶ６）。また、搬送先は、処理ユニットＲＥＳＩＳＴａ、ＲＥＳＩＳＴｂ、ＲＥＳＩＳＴｃ、ＰＨＰｂ、ＣＰに更新され、搬送先から外れるのは加熱冷却ユニットＰＨＰａである（ステップＶ６）。

〈動作例１：ステップＶ４〜Ｖ８、Ｖ１０、Ｖ３〉
制御部９０は、この搬送先の更新を搬送周期ｔ４の進行中に行い（ステップＶ６）、加熱冷却ユニットＰＨＰａに強制的に基板Ｗを搬送可能と判断した（ステップＶ７）場合で説明する。

この場合、主搬送機構Ｔ_１による基板搬送は図１６、図１７に示す通りとなる。図１６は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図１６（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。図１７は、図１６（ｂ）に示す搬送動作ｕ４以降を模式的に示す図である。

図１６（ｂ）と図１７に示すように、更新した時点で進行中の搬送周期ｔ４における搬送動作ｕ４自体は、図１４、図１５と同じである。すなわち、まず、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴａに対して基板Ｗ６を搬出するとともに、基板Ｗ９を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットＰＨＰａに対して基板Ｗ４を搬出するとともに、基板Ｗ６は搬入する。最後に、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗ３を搬出するともに、基板Ｗ４を搬入する。このように、制御部９０は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔ４における搬送動作ｕ４については、そのまま続行させる。

続く搬送周期ｔ５から、更新後の搬送先および搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる（ステップＶ１０、Ｖ３）。具体的には、搬送動作ｕ５以降、搬送先から加熱冷却ユニットＰＨＰａを外す。この結果、基板Ｗ６は加熱冷却ユニットＰＨＰａ内に搬入されたままとなる。また、搬送先の更新時に進行中である搬送周期ｔ４の次に新たに始まる最初の搬送周期ｔ５以降では、搬送周期ｔを４０秒に変更している。また、図１６（ｂ）に明示するように、更新された搬送周期に切り替わる最初の搬送周期ｔ５は、直前の搬送周期ｔ４の開始から２０秒経過した時点で開始されている。すなわち、搬送周期ｔ４の進行中に搬送期間を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときでも、制御部９０は搬送周期ｔ４については更新前の搬送周期（２０秒）のまま、維持する。

〈動作例２：ステップＶ４〜Ｖ８、Ｖ１０、Ｖ３〉
強制的に搬送可能と判断したときの動作例をもう一つ例示する。上述の前提において、制御部９０は、搬送先の更新を搬送周期ｔ５の進行中に行い（ステップＶ６）場合で説明する。この場合、加熱冷却ユニットＰＨＰａには搬送周期ｔ５における搬送動作ｕ５では基板Ｗを搬送しないので、強制的に搬送可能と判断する（ステップＶ７）。

この場合、主搬送機構Ｔ_１による基板搬送は図１８、図１９に示す通りとなる。図１８は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図１８（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。図１９は、図１８（ｂ）に示す搬送動作ｕ５以降を模式的に示す図である。

図１８（ｂ）と図１９に示すように、更新した時点で進行中の搬送周期ｔ５における搬送動作ｕ５自体は、図１４、図１５と同じである。すなわち、まず、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴｂに対して基板Ｗ７を搬出するとともに、基板Ｗ１０を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットＰＨＰｂに対して基板Ｗ５を搬出するとともに、基板Ｗ７は搬入する。最後に、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗ４を搬出するともに、基板Ｗ５を搬入する。このように、制御部９０は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔ５における搬送動作ｕ５については、そのまま続行させる。

続く搬送周期ｔ６から、更新後の搬送先および更新後の搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる（ステップＶ１０、Ｖ３）。具体的には、搬送動作ｕ６以降、搬送先から加熱冷却ユニットＰＨＰａを外す。この結果、基板Ｗ６は加熱冷却ユニットＰＨＰａ内に搬入されたままとなる。また、搬送周期ｔ６以降では、搬送周期ｔを４０秒に変更している。また、図１８（ｂ）に明示するように、更新された搬送周期に切り替わる最初の搬送周期ｔ６は、直前の搬送周期ｔ５の開始から４０秒経過した時点で開始されている。すなわち、搬送周期ｔ５の進行中に搬送期間を更新した場合であって更新の前後で搬送周期ｔの期間が変わったときに、更新後の最初の搬送周期ｔ６を、直前の搬送周期ｔ５の始期から更新後の搬送周期ｔ（４０秒）に相当する時間が経過したときに、開始させる。

〈動作例３：ステップＶ４〜Ｖ７、Ｖ９、Ｖ１０、Ｖ３〉
次に、強制的に搬送可能でないと判断したときの動作例を例示する。ここでは、制御部９０は、上述した搬送先の更新を搬送周期ｔ４の進行中に行い（ステップＶ６）、加熱冷却ユニットＰＨＰａに強制的に基板Ｗを搬送可能ではないと判断した（ステップＶ７）場合で説明する。

この場合、主搬送機構Ｔ_１による基板搬送は図２０、図２１に示す通りとなる。図２０は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図２０（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。図２１は、図２０（ｂ）に示す搬送動作ｕ４以降を模式的に示す図である。

図１８（ｂ）と図１９に示すように、まず、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴａに対して基板Ｗ６を搬出するとともに、基板Ｗ９を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットＰＨＰａに基板Ｗ６を搬送することを中止する。そして、基板Ｗ６をバッファ部ＢＦ２に載置する。最後に、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗ３を搬出する。このように、制御部９０は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期ｔ４における搬送動作ｕ４において、加熱冷却ユニットＰＨＰａに基板Ｗ６を搬入することを中止し、加熱冷却ユニットＰＨＰａに搬入する予定であった基板Ｗ６をバッファ部ＢＦ２に載置させる。

続く搬送周期ｔ５から、更新後の搬送先および搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる（ステップＶ１０、Ｖ３）。具体的には、搬送動作ｕ５以降、搬送先から加熱冷却ユニットＰＨＰａを外す。この結果、基板Ｗ６はバッファ部ＢＦ２に載置されたままとなる。また、搬送周期ｔ５、ｔ６、…を４０秒に変更している。

このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、制御部９０は各処理ユニットを使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板Ｗを搬送する処理ユニットのみに絞ることができる。したがって、塗布セルＣ１が備える処理ユニットの全てが使用処理部である場合は勿論のこと、塗布セルＣ１が備える処理ユニットの一部が使用処理部である場合であっても、基板Ｗを効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板Ｗに行うことができる。

また、上述した実施例では、説明の便宜上、塗布セルＣ１のみに着目して行ったが、他のセルＣ２ないしＣ４についても同様である。したがって、本装置１０によれば、本装置１０が備える処理ユニットの全てが使用処理部である場合は勿論のこと、本装置１０が備える処理ユニットの一部が使用処理部である場合であっても、基板Ｗを効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板Ｗに行うことができる。

また、制御部９０が使用処理部を変更した場合、制御部９０は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて主搬送機構Ｔ_１ないしＴ_４を制御する。これにより、使用処理部を変更した場合であっても、複数種類の処理を行う順番を所定の順番のまま変えないので、基板Ｗを好適に処理することができる。

また、制御部９０は、使用処理部に指定されている処理部が異常状態であると判断すると自動的に待機処理部に変更する（ステップＶ４、Ｖ５）ので、基板処理を円滑に継続することができる。

また、制御部９０は、主搬送機構Ｔ_１の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期ｔから更新後の搬送先のみに基板Ｗを搬送させるように、主搬送機構Ｔ_１の制御を切り替える。これにより、主搬送機構Ｔ_１が動作しているときに搬送先を更新しても、制御部９０は主搬送機構Ｔ_１の動作中に主搬送機構Ｔ_１の搬送先を原則として切り替えない。この結果、各搬送周期ｔにおける搬送動作ｕを、動作開始前に原則的に確定させることができる。よって、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。

ただし、主搬送機構Ｔ_１の動作中に搬送先を更新し、更新の前後で搬送先から外れる処理ユニットがある場合に、搬送先から外れた処理ユニットに基板を強制的に搬送可能でないと判断したときは、その処理ユニットに基板Ｗを搬送することを中止させる。これにより主搬送機構Ｔ_１が搬送不能に陥ることを回避することができる。この場合、本装置１０はバッファ部ＢＦ２を備えているので、搬送先から外れた処理ユニットに搬送する予定であった基板Ｗをバッファ部に載置させる。これにより、主搬送機構Ｔ_１のその後の搬送動作ｕを好適に継続することができる。

他方、搬送可能であると判断したときは、主搬送機構Ｔ_１は当該処理ユニットに対しても基板搬送を続行する。これにより、主搬送機構Ｔ_１の搬送動作の途中で搬送先を変更することを極力回避することができる。

また、入力部１０１を備えているので、ユーザーは使用処理部を任意に指定することができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、入力部１０１を備え、ユーザーから任意の処理ユニットを使用処理部に指定する命令を受け付けていたが、これに限られない。たとえば、制御部９０は、異常状態でない処理ユニットを使用処理部に設定するように構成してもよい。この場合、ステップＶ１において、制御部９０は各検知部ＥＲ１〜ＥＲ７の検知結果に基づいて各処理ユニットを使用処理部または待機処理部に自動的に決定することができ、ユーザーによる設定作業を省略することができる。

（２）上述した実施例では、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各種類別処理時間のうち、最も長い種類別処理時間を、搬送周期に設定する（ステップＶ２）と説明したが、搬送周期の算出方法はこれに限られない。たとえば、最も長い種類別処理時間に所定時間を加えた時間を搬送周期としてもよい。

（３）上述した実施例では、制御部９０は、異常状態の使用処理部があると判断したときは（ステップＶ４）、その使用処理部に設定されている処理ユニットを待機処理部に変更するように構成されていた（ステップＶ５）が、これに限られない。たとえば、ユーザーが使用処理部から待機処理部に変更する命令を入力部１０１が受け付けるように構成して、制御部９０は、入力部１０１が受け付けた命令に基づいて使用処理部の変更を行うように構成してもよい。この変形例によれば、装置１０が基板Ｗに処理を行っているときでも、ユーザーが任意に使用処理部を変更することができる。

また、制御部９０は、待機処理部の処理ユニットが異常状態でなくなったか否かの判断をし、異常状態でなくなった待機処理部を使用処理部に変更するように構成してもよい。あるいは、ユーザーが待機処理部から使用処理部に変更する命令を入力部１０１が受け付けるように構成して、制御部９０は、ユーザーの命令に基づいて待機処理部から使用処理部への変更を行うように構成してもよい。この変形例によれば、正常な処理ユニットを自動的に全て稼動させることができ、本装置１０の処理能力を高く保つことができる。

（４）上述した実施例において、ステップＶ４〜Ｖ８、Ｖ１０、Ｖ３の動作例として動作例１を具体的に例示した。ここで、動作例１では、搬送先から外れた加熱冷却ユニットＰＨＰａから搬出した基板Ｗ４を冷却ユニットＣＰに搬入すると説明したが、これに限られない。たとえば、加熱冷却ユニットＰＨＰａから搬出した基板Ｗ４を、バッファ部ＢＦ２に搬送し、基板Ｗ４に冷却処理を行うことを中止するように変更してもよい。これにより、基板Ｗの処理品質がばらつくことを未然に回避することができる。

（５）上述した実施例では、動作例１において、搬送先から外れた加熱冷却ユニットＰＨＰａに、基板Ｗ６を搬入すると説明したが、これに限られない。たとえば、加熱冷却ユニットＰＨＰａに強制的に基板Ｗを搬送可能と判断しても、当該加熱冷却ユニットＰＨＰａに搬入する予定の基板Ｗ６を、バッファ部ＢＦ２に搬送するように変更してもよい。

（６）上述した実施例において、動作例１および動作例３では、搬送周期の更新時に進行中である搬送周期ｔ４の次に新たに始まる最初の搬送周期ｔ５から、更新後の搬送周期ｔ（４０秒）に変更すると説明した。同様に、動作例２では、搬送周期の更新時に進行中である搬送周期ｔ５の次に新たに始まる最初の搬送周期ｔ６から、更新後の搬送周期ｔ（４０秒）に変更すると説明した。しかしながら、更新後の搬送周期ｔ（４０秒）に切り替わるのは、搬送周期の更新時に進行中の搬送周期ｔの次に新たに始まる最初の搬送周期からでなくてもよい。たとえば、搬送周期ｔ４の進行中に搬送周期ｔが変わった場合には、搬送周期ｔ６、あるいは、それ以降の搬送周期ｔから更新後の搬送周期ｔ（４０秒）に切り替えるように変更してもよい。

同様に、動作例１および動作例３では、搬送先が更新された時点で進行中の搬送周期ｔ４の次の搬送周期ｔ５以降、更新後の搬送先に切り替わったが、これに限られない。すなわち、搬送周期ｔ４の進行中に搬送先が変わった場合には、搬送周期ｔ６、あるいは、それ以降の搬送周期ｔから更新後の搬送先に切り替えるように変更してもよい。

（７）上述した実施例では、制御部９０は各処理ユニットを使用処理部と待機処理部に区別して制御していたが、これに限られない。たとえば、塗布セルＣ１、Ｃ３、現像セルＣ２、Ｃ４を使用処理部と待機処理部に区別して制御してもよい。この場合、塗布セルＣ１、Ｃ３がそれぞれ使用処理部か否かによって、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤの基板搬送を制御し、現像セルＣ２、Ｃ４がそれぞれ使用処理部か否かによって、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦの基板搬送を制御するように変更する。これにより、制御部９０は、使用処理部に変更があっても、各塗布セルＣ１、Ｃ３による基板Ｗにレジスト膜を形成する処理と、各現像セルＣ２、Ｃ４による基板Ｗを現像する処理と、この順番で行うように制御する。なお、この変形例の場合、各セルＣ１ないしｃ４は、この発明における処理部に相当する。また、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤとＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、この発明における搬送部に相当する。

（８）上述した実施例では、各セルＣ１ないしＣ４において、それぞれ複数種類の処理の順番を例示したが、これに限られることなく、適宜に変更してもよい。

（９）上述した実施例では、各処理ユニットの種類別の数、および、各処理ユニットユニットの種類別単位処理時間を例示したが、これに限られるものではない。いずれかの種類の処理ユニットが複数であれば、他の種類の処理ユニットは単一であってもよい。また、全ての種類の処理ユニットを複数としてもよい。

（１０）上述した実施例では、複数のセルＣ１ないしＣ４を備える構成であったが、これに限られない。単一のセルＣのみを備える装置であってもよい。

（１１）上述した実施例では、塗布セルＣ１と現像セルＣ２の列、および、塗布セルＣ３と現像セルＣ４の列を備えるものであったが、これに限られない。セルＣの列は単一であってもよいし、３以上であってもよい。

（１２）上述した実施例では、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理や、露光後加熱（ＰＥＢ）処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。たとえば、洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行う装置に変更してもよい。

（１３）上述した実施例および上記（１）から（１２）の各変形例で説明した各構成を適宜に組み合わせて構成してもよい。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。 主搬送機構の斜視図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 制御部の処理手順を示すフローチャートである。 処理の工程を例示するタイミングチャートである。 図１４に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。 図１６（ｂ）に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。 図１８（ｂ）に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、（ａ）は搬送先の更新前の期間のみを示し、（ｂ）は搬送先の更新の前後の期間を示す。 図２０（ｂ）に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。

符号の説明

１ … インデクサ部（ＩＤ部）
５ … インターフェイス部（ＩＦ部）
３１ … 塗布処理ユニット
４１、４２ … 熱処理ユニット
９０ … 制御部
１０１ … 入力部
Ｃ１、ｃ３ … 塗布セル
Ｃ２、Ｃ４ … 現像セル
Ｂａ、Ｂｂ … 処理ブロック
ＲＥＳＩＳＴ … レジスト膜用塗布処理ユニット
ＨＰ … 加熱ユニット
ＣＰ、ＣＰａ、ＣＰｂ … 冷却ユニット
ＤＥＶ … 現像処理ユニット
ＥＥＷ … エッジ露光ユニット
Ｔ_ＩＤ… ＩＤ用搬送機構
Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４ … 主搬送機構
Ｔ_ＩＦ … ＩＦ用搬送機構
Ｔ_ＩＦＡ … 第１搬送機構
Ｔ_ＩＦＢ … 第２搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ … 載置部
ＢＦ２、ＢＦ４、ＢＦＩＦ … バッファ部
ＥＲ１〜ＥＲ７ … 検知部
Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４ … 搬送スペース
ＥＸＰ … 露光機
Ｃ … カセット
Ｗ … 基板
ｔ … 搬送周期
ｕ … 搬送動作

Claims (20)

1. 基板に複数種類の処理を所定の順番で行う基板処理装置において、
   処理の種類ごとに設けられるとともに、少なくともいずれかの種類については複数設けられている処理部と、
   各処理部に基板を搬送可能な搬送部と、
   前記処理部のうち実際に基板を処理させる使用処理部と、実際に基板を処理させない待機処理部とに区別して、使用処理部の数に応じた搬送周期ごとに、各使用処理部のみを基板の搬送先として前記搬送部を動作させ、前記複数種類の処理を前記所定の順番通りに基板に行わせる制御部と、
   を備えている基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、使用処理部を変更した場合であっても、前記所定の順番を変えることなく前記複数種類の処理を基板に行わせる基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、使用処理部を変更した場合は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて前記搬送部を制御する基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   任意の処理部を使用処理部に指定する命令をユーザーから受け付ける入力部を備え、
   前記制御部は、前記入力部が受け付けた命令に基づいて使用処理部を決定する基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、使用処理部が異常状態である場合は、前記入力部が受け付けた命令に関わらず、その使用処理部を待機処理部に変更する基板処理装置。
6. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、異常状態でない処理部を使用処理部に決定する基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替える基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合であって更新の前後で搬送先から外れる処理部があるときは、
   搬送先から外れた処理部に基板を強制的に搬送可能か否かを判断し、
   搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に基板を搬送することを中止させる基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
   基板を載置するバッファ部を備え、
   前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、
   前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板を前記バッファ部に載置させる基板処理装置。
10. 請求項８または請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に対しても基板搬送を続行させる基板処理装置。
11. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部からも基板を搬出させる基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部にも基板を搬入させる基板処理装置。
13. 請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置において、
    基板を載置するバッファ部を備え、
    前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、
    前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部から搬出した基板を前記バッファ部に載置させる基板処理装置。
14. 請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送周期を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときは、更新した時に進行中の搬送周期の次から更新後の搬送周期に基づいて前記搬送部を制御する基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の始期から更新後の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させる基板処理装置。
16. 請求項１から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部として、基板に処理液を供給する処理ユニットと、基板に熱処理を行う処理ユニットとを少なくとも有し、
    前記搬送部は各処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構で構成される基板処理装置。
17. 請求項１６に記載の基板処理装置において、
    基板に処理液を供給する処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニット、および、基板に現像液を供給する現像処理ユニットの少なくともいずれかである基板処理装置。
18. 請求項１６または請求項１７に記載の基板処理装置において、
    前記処理ユニットと前記主搬送機構とで構成されるセルを複数備えており、
    前記制御部は各セルの前記主搬送機構を制御する基板処理装置。
19. 請求項１から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部として、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板にレジスト膜を形成する処理を行う塗布セルと、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板を現像する処理を行う現像セルとを少なくとも有する基板処理装置。
20. 請求項１９に記載の基板処理装置において、
    単一の塗布セルと単一の現像セルとによって相互に基板を受け渡し可能に構成されるセルの列を複数有し、
    前記搬送部は、各塗布セルとの間で基板を搬送するインデクサ用搬送機構と、各現像セルとの間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構とを含んで構成されている基板処理装置。

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