JP4108027B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置の動作を確認するための試運転（動作テスト）に関する。

基板に所定の処理を行う基板処理装置においては、実稼動に先立ってその動作を確認するための試験的な運転（動作テスト）が行われる。例えば下記特許文献１では、基板処理装置に設定する基板の処理条件を修正する目的で、動作テストとして基板に対し実際にフォトレジストを塗布形成し、露光処理および現像処理を行う。そして結果として得られたレジストパターンの形状を測定し、該測定結果に基づいて残りの基板に対する処理条件を修正する。

一方、主に装置の機械的な動作（例えば搬送機構の搬送動作や、スピンコータ、スピンデベロッパのターンテーブルの回転動作等）を確認するための動作テストもあり、メカニカルランニングテスト（以下「メカラン」と略すこともある」）と呼ばれている。メカランは、例えば基板処理装置のベンダーが製品装置を出荷する前や、出荷先の基板処理工場に搬入した際、基板処理装置を長期間可動停止させた後に再稼動する際、あるいは基板処理装置が行う基板処理の動作内容を大きく変更した際など、必要に応じて行われる。

メカランに手間隙を掛け過ぎると、基板処理装置の稼動（あるいは再稼動）までに要する時間（即ち立ち上げ時間）が長期化してしまい、基板の生産効率を大幅に下げてしまう。よって、メカランはできる限り短期間に行うことが望ましい。当然のことであるが、基板処理装置のメカランの最も簡単な手法は、特許文献１と同様に、当該基板処理装置を実稼動時と同じように動作させてみることである。

特開２００３−５９８１５号公報

ここで、従来の基板処理装置の問題について説明する。図６は、従来の基板処理装置の概略構成を示す図である。当該基板処理装置１０は大きく分けて３種類の区分（以下、この単位区分を「セル」と称す）に分けられる。即ち、基板処理装置１０は図６の如く、インデクサセル１１、基板処理セル１２、およびインターフェイスセル１３が並設して構成されている。基板処理装置１０には、別体の外部装置であり当該基板処理装置１０で処理された基板を受け取り、それに露光処理を行う露光装置２０（いわゆるステッパ）が並設される。

インデクサセル１１は、処理対象である基板を収納するカセット（不図示）からの基板の取り出し、該カセットへの基板の収納、および基板処理セル１２との基板の受け渡しを行う機構である。

基板処理セル１２は、基板に対して実際に所要の基板処理を行うセルであり、基板に対して薬液を使用した処理を行う薬液処理部１２１と、薬液処理部１２１で行われる薬液処理に関連して基板を熱処理する熱処理部１２２と、エッジ露光部１２３と、基板を搬送する主搬送機構ＴＲ１を含む。具体的には薬液処理部１２１は、基板上に反射防止膜やフォトレジスト膜を形成するための薬液を塗布する塗布処理ユニットＳＣ（スピンコータ）、露光装置２０で露光された基板に対し薬液としての現像液を用いて現像処理を行う現像処理ユニットＳＤ（スピンデベロッパ）等を含む。熱処理部１２２は、基板を所定の温度にまで加熱する加熱ユニットＨＰ（ホットプレート）、加熱された基板を常温にまで冷却する冷却ユニットＣＰ（クールプレート）を備えている。エッジ露光部１２３は、フォトレジストが形成された基板に対し、その周縁部の不要なフォトレジストを除去するするために該周辺部を露光するエッジ露光処理ユニットＥＥＷを備えている。また、主搬送機構ＴＲ１は、基板処理セル１２内の各処理ユニット間の基板の受け渡し、並びに、インデクサセル１１およびインターフェイスセル１３との基板の受け渡しを行う。

インターフェイスセル１３は、当該基板処理装置１０とは別体の外部装置である露光装置２０に対して基板の受け渡しをする機構であり、その役割を担うインターフェイス用搬送機構ＴＲ２を備えている。

なお、図６では基板処理セル１２内の塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＳＤ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰは、説明の簡単のため一個ずつ記しているが、通常は、反射防止膜処理用のものとフォトレジスト処理用とが別々に設けられる。また、基板処理装置１０のスループット向上するために、基板処理セル１２には同様の処理を行う処理ユニットが各々複数個備えられる。

基板処理装置１０には、各処理ユニットに基板を搬送する順序と各処理ユニットにおける処理条件とが記述されたデータであるフローレシピが設定され、基板処理装置１０はコントローラ（不図示）の制御により当該フローレシピに従って一連の基板処理動作を行う。

フローレシピに含まれる処理条件のデータ（処理データ）は、各処理ユニットごとに設定される。例えば、スピンコータ用の処理データとしては、回転数、処理時間、薬液の吐出量等が設定される。スピンデベロッパ用の処理データとしては、回転数、処理時間等が設定される。また、ホットプレートやクールプレート用の処理データとしては、処理温度、処理時間等が設定される。基板処理装置１０には、処理ユニットの種別ごとに予め作成された処理データ群（以下「ライブラリ」）が記憶されており、フローレシピ内では、当該ライブラリから基板処理のステップ毎に所定の処理データが割当てられる。

図７は、図６の基板処理装置１０に設定されるフローレシピの例を示す図である。フローレシピには、基板を搬送する順序であるステップ毎に、基板の搬送先を示す搬送先データ（処理ユニットの識別データ）が設定される。図７のフローレシピに示すＩＤ，ＨＰ，ＣＰ，・・・の各搬送先データは、図６で各処理ユニットに付した符号に対応している。また、ＨＰＬｎ、ＣＰＬｎ、ＳＣＬｎ、ＳＤＬｎ（ｎ＝１，２，３・・・）は、ライブラリ内の処理データの識別符号であり、それぞれホットプレート用、クールプレート用、スピンコータ用、スピンデベロッパ用の処理データを示している。即ち、このフローレシピによれば、基板はインデクサセルＩＤから、加熱ユニットＨＤ，冷却ユニットＣＰ，・・・の順に搬送され、当該基盤に対し各搬送先で処理データＨＰＬ１，ＣＰＬ１，・・・に応じた処理が施されることとなる。

また、基板処理装置１０のインターフェイスセル１３は、外部装置である露光装置２０に対して基板の受け渡し専門に行うセルであり、搬送データ「ＩＦ」に従ってインターフェイスセル１３に搬送された基板は、インターフェイス用搬送機構ＴＲ２によって無条件に露光装置へと送られ、露光処理終了後に基板処理セル１２へと戻される。

上記したように、基板処理装置のメカニカルランニングテストの最も簡単な手法は、当該基板処理装置１０を実稼動時と同じように動作させてみることである。つまり、メカラン時にも、基板処理装置１０に図７と同じフローレシピを設定し、それに従った動作を実行させればよい。

しかし、メカニカルランニングテストは、基本的に装置の機械的な動作を確認するための動作テストであるので、必ずしも基板に対し実際にフォトレジストの塗布形成や露光および現像といった処理を行う必要はない。つまり、メカラン時に常に実際の基板処理を行うと、レジスト膜や反射防止膜の溶液や現像液といった薬液が、当該メカランで無駄に使用されることになる。このことは基板処理のコスト上昇に繋がる。

従来はこの問題を回避するために、実際の基板処理とは異なるテスト用の基板処理を実行させてのメカニカルランニングテストを行っていた。例えば、上記基板処理装置１０のメカラン時には、図７に示した通常のフローレシピに代えて図８のテスト用フローレシピＡを実行させていた。当該テスト用フローレシピＡにおいて図７のフローレシピと異る点は、薬液処理部１２１の塗布処理ユニットＳＣおよび現像処理ユニットＳＤにおける処理データが、それぞれ薬液を使用しない（即ち「薬液吐出量＝０」の）処理データＳＣＬＴ１，ＳＤＬＴ２になっていることである。メカラン時にテスト用フローレシピＡを用いることにより、薬液が当該メカラン中に無駄に使用されることが防止される。しかし、通常のフローレシピとは別にテスト用のフローレシピを作成する必要があるという別の問題が生じ、基板処理装置１０の立ち上げ時間の長期化を招く原因となる。

また、エッジ露光部１２３のエッジ露光ユニットＥＥＷが備える露光用のランプの寿命は比較的短いため、メカラン時に不要に点灯させることは望ましくない。しかしエッジ露光ユニットＥＥＷは実稼動時には必ずランプは点灯して動作するものであるため、当該ランプの使用／不使用の切り替えはフローレシピの変更では対応できなかった。そのため、メカラン時にエッジ露光ユニットＥＥＷのランプが全く点灯しない仕様の基板処理装置もあったが、逆にランプを点灯した実稼動時に近いメカランを行いたい場合などに対応できなかった。実際に、基板処理装置のユーザからは、実稼動状態に近いメカランも行いたいという要望が多い。

また、基板処理装置には露光装置などの外部装置が接続され、基板処理の際に基板処理装置と外部装置との間で基板の受け渡しを伴う場合もある。その場合、実か同時と同様のメカランを行おうとすると、当該メカランも外部装置との基板の受け渡しを伴うので基板処理装置単独でのテストは不可能である。よって、外部装置の稼動ができない場合や、外部装置が基板処理装置に接続されていない場合に、基板処理装置のテストを行うことができない。

従来はその場合、実際の基板処理とはさらに異なるテスト用の基板処理を実行させてのメカランを行っていた。例えば図９のテスト用フローレシピＢを実行させていた。当該テスト用フローレシピＢにおいて図８のテスト用フローレシピＡと異る点は、搬送先からインターフェイスセル１３（ＩＦ）が省略されていることである。それによって、メカランにおける露光装置２０と基板の受け渡し動作が省略されるので、当該基板処理装置１０単独でのテストが可能になる。しかしこの場合も、テスト用のフローレシピを用意する必要生じる。さらに、メカラン時にインターフェイスセル１３に基板が搬送されないため、当該インターフェイスセル１３の動作の確認を行うことができないという問題もあった。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、基板処理装置の立ち上げ時間の短縮を図ると共に、メカニカルランニングテスト時の薬液やランプといった消耗品の消耗を抑え、且つ、実稼動状態に近いメカニカルランニングテストが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、基板に対し所定の処理を行う処理ユニットを複数含み、各処理ユニットに基板を搬送する順序および各処理ユニットでの基板の処理条件が記述されたフローレシピに従って基板処理を行う基板処理装置において、少なくとも１つの処理ユニットについて前記基板処理の動作テストにおける基板の処理条件であるテスト用処理条件を設定可能であり、前記動作テストとして、前記フローレシピに従って基板を各処理ユニットへ搬送すると共に、前記テスト用処理条件が設定された処理ユニットでは前記フローレシピの処理条件よりも優先して前記テスト用処理条件に従った処理を行い、その他の処理ユニットでは前記フローレシピの処理条件に従った処理を行う。

請求項２記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記テスト用処理条件は、前記フローレシピでは設定不可能な処理条件も含む。

請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記テスト用処理条件は、基板処理に係る消耗品を前記動作テスト時に実際に使用するか否かの設定を含む。

請求項４記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記消耗品は、基板処理に係る薬液を含む。

請求項５記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記消耗品は、基板のエッジ露光処理に係るランプを含む。

請求項６記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板処理装置は、その外部に、前記基板処理装置から基板を受け取り、所定の処理を行う他の装置を接続可能であり、前記テスト用処理条件は、前記他の装置との間で基板の受け渡しを実際に行うか否かの設定を含む。

請求項７記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記他の装置は、基板に対し露光処理を行う露光装置を含む。

請求項１に記載の基板処理装置によれば、動作テストにおいて、テスト用処理条件が設定された処理ユニットではフローレシピの処理条件に代えてテスト用処理条件に従った処理が行われるので、必要に応じて、例えば薬液やエッジ露光ユニットのランプといった消耗品を使用しないようにテスト用処理条件を設定すれば、それら消耗品の節約ができ、基板処理のコスト削減を図ることができる。また、そのためにフローレシピを書き換えたり、テスト用のフローレシピを別途作成する必要はないので、基板処理装置の立ち上げ時間の短縮にも寄与できる。

請求項２に記載の基板処理装置によれば、テスト用処理条件は、フローレシピでは設定不可能な処理条件も含むので、実稼動時に近い動作テスト（例えばエッジ露光ユニットＥＥＷランプを使用しての動作テスト）を行いたい場合などに対応できるようになる。

請求項３に記載の基板処理装置によれば、テスト用処理条件は、基板処理に係る消耗品を実際に使用するか否かの設定を含むので、動作テスト時に当該消耗品の節約ができ、基板処理のコスト削減を図ることができる。

請求項４に記載の基板処理装置によれば、消耗品は、基板処理に係る薬液を含むので、動作テスト時に当該薬液の節約ができ、基板処理のコスト削減を図ることができる。

請求項５に記載の基板処理装置によれば、消耗品は、基板のエッジ露光処理に係るランプを含むので、動作テスト時に当該消耗品のランプの寿命短縮を抑制することができ、基板処理のコスト削減を図ることができる。

請求項６に記載の基板処理装置によれば、テスト用処理条件は、他の装置との基板の受け渡しを実際に行うか否かの設定を含むので、当該基板処理装置単独での動作テストを実行することが可能になる。よって、外部装置を稼動できない場合や外部装置が基板処理装置に接続されていない場合でも、フローレシピを書き換えたりテスト用のフローレシピを別途用意したりすることなく、動作テストを行うことができる。また、外部装置との基板の受け渡し専門に行う機構の動作テストも実施可能になる。

請求項７に記載の基板処理装置によれば、他の装置は、基板に対し露光処理を行う露光装置を含むので、露光装置を稼動できない場合や露光装置が基板処理装置に接続されていない場合でも、フローレシピを書き換えたりテスト用のフローレシピを別途用意したりすることなく、基板処理装置の動作テストを行うことができる。

＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を含む概略構成を示すブロック図である。同図において基板処理装置１０の基板処理系（インデクサセル１１、基板処理セル１２、インターフェイスセル１３）は、図６で説明したものと同様の構成を有しているので、ここでの詳細な説明は省略する。また、図示は省略するが、当該基板処理装置１０には、図６と同様に別体の外部装置である露光装置２０が接続可能である。

基板処理装置１０は、当該基板処理装置１０全体の動作を統括するメインコントローラ１００と、各セル１１〜１３毎に設けられたセルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３を備えている。メインコントローラ１００は各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３を制御し、さらにセルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３はそれぞれのセルに属する各処理ユニットの動作を制御している。即ち、セルコントローラＣＣ１はインデクサセル１１における基板搬送動作を制御し、セルコントローラＣＣ２は基板処理セル１２における基板処理動作を制御し、セルコントローラＣＣ３はインターフェイスセル１３における基板搬送動作を制御する。各処理ユニットにおける基板の処理状況および搬送状況は、セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３を介してメインコントローラ１００に集められる。メインコントローラ１００は、それらの状況を考慮しながらセルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３を統括的に制御する。

このように基板処理装置１０の動作制御をセルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３に分散することによって、メインコントローラ１００の負担が軽減される。且つ、メインコントローラ１００がセルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３を統括的に制御するので、各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３は他のセル内における基板の処理状況および搬送状況を考慮することなく自己のセルの動作のみを対象にして制御を行えばよく、各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３の制御の負担を少なくできる。それにより基板処理装置のスループットを向上させることができる。

なお、本実施の形態では説明の簡単のため、基板に対して実際に所要の基板処理を行うセルは、基板処理セル１２の１つのみとして説明しているが、例えば反射防止膜処理用のセル、レジスト膜処理用のセル、現像処理用のセルといった複数個のセルにさらに区分し、それらのセルを各々個別のセルコントローラが制御するように構成してもよい。その場合は、各セルコントローラの制御の負担をさらに少なくでき、基板処理装置のスループットもさらに向上させることができる。

メインコントローラ１００のハードウェアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様の構成である。即ち、メインコントローラ１００は、各種演算処理を行う中央演算装置（ＣＰＵ）１０１と、各種情報を記憶する記憶部１０２と、各種情報の表示を行う表示部１０３と、操作者（オペレータ）からの入力を受け付ける操作部１０４とを有している。メインコントローラ１００は、ＣＰＵ１０１が記憶部１０２から読み出したプログラム１０２ａに従って演算処理を実行することにより、各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ２の制御を行うようになっている。なお、表示部１０３と操作部１０４とは、それぞれ個別に設けられる構成でなくてもよく、例えば表示画面が操作パネルの機能をも有するいわゆるタッチパネルのように、両者が互いに一体となった構成のものであってもよい。以下、本実施の形態では、表示部１０３と操作部１０４とは一体のタッチパネル１２０を構成しているものとして説明を行う。

メインコントローラ１００に制御される各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ３も、図示は省略するが、各種演算処理を行うＣＰＵ並びにプログラムなどの各種情報を記憶する記憶部を有している。セルコントローラ１１０は、メインコントローラ１００の指示に基づき、該ＣＰＵが該記憶部から読み出したプログラムに従って演算処理を実行することにより、制御対象のセルの動作を制御するようになっている。

メインコントローラ１００には、図７で説明したようなフローレシピが、処理レシピ１０２ｂとして記憶部１０２に記憶されている。また、処理レシピ１０２ｂ内で指定される処理データのライブラリも、ライブラリ１０２ｄとして記憶部１０２に記憶されている。

オペレータは、処理レシピ１０２ｃのうちから特定のフローレシピを操作部１０４の操作によって指定することができ、基板処理装置１０はオペレータが指定したフローレシピに従って、セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ２を制御する。特に、基板処理セル１２を制御するセルコントローラＣＣ２には、フローレシピに基づきライブラリ１０２ｄ中から読み出された処理データも出力される。セルコントローラＣＣ２は受け取った処理データに基づいて基板処理セル１２内での基板処理を実行する。その結果、基板処理装置１０は、オペレータが指定したフローレシピの処理手順に応じた基板搬送および基板処理動作を行うこととなる。

また本実施の形態では、基板処理装置１０に対しメカニカルランニングテスト用の所定の処理条件（テスト用処理条件）を設定することが可能であり、そのテスト用処理条件の設定内容は、記憶部１０２にテスト条件情報１０２ｄとして記憶される。基板処理装置１０は、基本的にはメカラン時も実稼動時と同様に、指定されたフローレシピに従った動作を行うこととなるが、その動作が設定されたテスト用処理条件と異なる場合は、当該テスト用処理条件の方を優先させて動作する。以下、その動作の具体的な説明を行う。

＜２．基板処理装置の機能＞
図２は、本実施の形態に係る基板処理装置の動作を示すフロー図である。基板処理装置１０の稼動の際に、オペレータはメインコントローラ１００の操作部１０４（タッチパネル１２０）を操作して、フローレシピの指定など基板処理装置１０の各種の動作設定を行う（Ｓ１）。この設定の中でオペレータは、基板処理装置１０に対しメカニカルランニングテストの実行を指示ことが可能である。

上記動作設定が完了すると、ＣＰＵ１０１においてメカランの実行が指示されたか否かの確認が行われる（Ｓ２）。メカランではなく通常の稼動（実稼動）が指示されていれば、基板処理装置１０は、ステップ１で指定されたフローレシピを記憶部１０２の処理レシピ１０２ｂから読み込み（Ｓ３）、それに従った通常の基板処理を実行する（Ｓ４）。

一方、ステップＳ１においてメカランの実行が指示されていた場合は、続いてオペレータに対しテスト用処理条件の設定を促す（Ｓ５）。本実施の形態では、このときオペレータはテスト用処理条件として、
（ａ）基板処理に係る各種薬液を実際に使用するか否か
（ｂ）エッジ露光ユニットにおけるランプを実際に点灯するか否か
（ｃ）露光装置２０との基板の受け渡しを実際に行うか否か
の設定を行うことが可能である。オペレータは操作部１０４（タッチパネル１２０）を操作して、上記（ａ）〜（ｃ）に係る設定を行う。設定されたテスト用処理条件は、テスト条件情報１０２ｄとして記憶部１０２に格納される。

図３は、ステップＳ５におけるテスト用処理条件を設定の際に、表示部１０３（タッチパネル１２０）に表示される操作画面の一例を示す図である。オペレータは、タッチパネル１２０に表示されたＧＵＩ（Graphical User Interface）上を指で触れることで各種情報を入力することができる。 例えば上記テスト用処理条件（ａ）の設定に際しては、オペレータはパネルの「薬液の使用」枠内に表示されているＧＵＩ「使用する」あるいは「使用しない」を触れることにより、当該テスト用処理条件を切り替えることができる。同様に、テスト用処理条件（ｂ）の設定はＧＵＩ「点灯させる」および「点灯させない」によって切り替え可能であり、テスト用処理条件（ｃ）の設定はＧＵＩ「通す」および「通さない」によって切り替え可能である。

そしてテスト用処理条件を設定が完了すると、基板処理装置１０は、ＣＰＵ１０１はステップ１で指定されたフローレシピを記憶部１０２の処理レシピ１０２ｂから読み込み（Ｓ６）、それに従ったメカランを行う（Ｓ７）。但し、当該メカランでは、フローレシピに従った動作が、設定されたテスト用処理条件と相反する場合は、当該テスト用処理条件に従った動作を優先させて実行する。図４は、上記ステップＳ７のメカランおける具体的な動作を示すフロー図である。以下、同図に基づいて本実施の形態に係るメカランについて説明する。

まず、基板処理装置１０はメカランを開始すると、実稼動時と同様にステップＳ６で読み込んだフローレシピから、基板の搬送先およびそれに応じた処理データを抽出し（Ｓ１１）、基板の搬送先を確認する（Ｓ１２）。このとき、搬送先が塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＳＤ、エッジ露光ユニットＥＥＷ、インターフェイスセルＩＦの何れでもなければ、当該搬送先で通常の稼動（実稼動）と同様の基板処理動作を行う（Ｓ１３）。

一方、搬送先が、薬液を使用する処理ユニットである塗布処理ユニットＳＣまたは現像処理ユニットＳＤの場合は、一旦記憶部１０２のテスト条件情報１０２ｄを参照し、テスト用処理条件（ａ）で薬液の使用の設定が「使用する」／「使用しない」の何れに設定されているかを確認する（Ｓ１４）。そして「使用する」であれば当該搬送先で実稼動時と同様に処理データに従った基板処理動作を行い（Ｓ１３）、反対に「使用しない」であれば処理データの内容に関わらず薬液を使用せずに（即ち「薬液吐出量＝０」で）当該搬送先での基板処理を行う（Ｓ１５）。ステップＳ１５においては、薬液吐出量以外の処理条件はフローレシピに記述された処理データに従う。

また、搬送先がエッジ露光ユニットＥＥＷである場合も一旦テスト条件情報１０２ｄを参照し、テスト用処理条件（ｂ）でランプ点灯の設定が「点灯する」／「点灯しない」の何れに設定されているかを確認する（Ｓ１６）。「点灯する」であれば実稼動時と同様のエッジ露光を行い（Ｓ１３）、反対に「点灯しない」であればランプを点灯せずに機械的な動作のみを行う（Ｓ１７）。ステップＳ１７では、ランプを点灯しないことを除いては実稼動時と同様の処理が行われる。

さらに、搬送先がインターフェイスセルＩＦである場合も一旦テスト条件情報１０２ｄを参照し、テスト用処理条件（ｃ）で外部に接続する露光装置を「通す」／「通さない」の何れかに設定されているかを確認する（Ｓ１８）。そして「通す」であれば、インターフェイスセルＩＦのインターフェイス用搬送機構ＴＲ２は実稼動時とと同様に露光装置２０への基板の受け渡しを行う（Ｓ１３）。一方、「通さない」であればインターフェイス用搬送機構ＴＲ２は基板の搬送動作を行うものの、露光装置２０に対する基板の受け渡しは行わない。

そして、フローレシピに記述された全てのフローが終了したかを確認し（Ｓ２０）、全てのフローが終了するまで上記ステップＳ１１〜Ｓ２０を繰り返すことで、一連のメカランが実行される。

以上のように、本実施の形態によれば、基板処理装置１０に対してテスト用処理条件を設定することができ、メカラン時には、基板処理装置１０はフローレシピよりもテスト用処理条件を優先させて動作する。よって、必要に応じて、例えば薬液やエッジ露光ユニットのランプといった消耗品を使用しないようにテスト用処理条件を設定すれば、それら消耗品の節約ができ、基板処理のコスト削減を図ることができる。また、そのためにフローレシピを書き換えたり、テスト用のフローレシピを別途作成する必要はないので、基板処理装置の立ち上げ時間の短縮にも寄与できる。

また、設定可能なテスト用処理条件として、エッジ露光ユニットのランプの使用／不使用（点灯する／しない）といった、フローレシピの変更では対応できない条件をも含ませることで、上記効果が得られると共に、実稼動時に近いメカラン（ランプを使用してのテスト）を行いたい場合などに対応できるようになる。

さらに、設定可能なテスト用処理条件として、外部に接続される外部装置への基板の受け渡し行う／行わないの設定（本実施の形態では、露光装置２０を通す／通さないの設定）を含ませることで、外部装置の状態に依存しない基板処理装置単独でのテストが可能になる。よって、外部装置を稼動できない場合や外部装置が基板処理装置に接続されていない場合でも、フローレシピを書き換えたりテスト用のフローレシピを別途用意したりすることなく、メカランを行うことができる。また、本実施の形態に示したインターフェイスセル１３のように、外部装置との基板の受け渡し専門に行う機構のメカランも実施可能になる。

なお、図３に示した操作画面は単なる一例を示したに過ぎず、本発明におけるテスト用処理条件設定の際の操作画面の構成はこれに限定されるものではない。また、例えば図５のように、２つ以上のテスト設定項目を１つのＧＵＩにまとめてもよい。この例では、薬液の使用／不使用の設定と、エッジ露光ユニットのランプの使用／不使用の設定とを同一のＧＵＩで行えるように構成してある。それにより、テスト用処理条件の設定のための操作が容易になるという利点がある。

実施の形態に係る基板処理装置の制御系を含む概略構成を示すブロック図である。 実施の形態に係る基板処理装置の動作を示すフロー図である。 テスト用処理条件を設定の際の操作画面の一例を示す図である。 実施の形態に係る基板処理装置におけるメカニカルランニングテストを説明するためのフロー図である。 テスト用処理条件を設定の際の操作画面の一例を示す図である。 従来の基板処理装置の概略構成を示す図である。 基板処理装置に設定されるフローレシピの一例を示す図である。 テスト用フローレシピの一例を示す図である。 テスト用フローレシピの一例を示す図である。

符号の説明

１０ 基板処理装置
１１ インデクサセル
１２ 基板処理セル
１３ インターフェイスセル
２０ 露光装置
１００ メインコントローラ
１０１ ＣＰＵ
１０２ 記憶部
１０３ 表示部
１０４ 操作部
１２０ タッチパネル
１２１ 薬液処理部
１２２ 熱処理部
１２３ エッジ露光部
ＳＣ 塗布処理ユニット
ＳＤ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光ユニット
ＣＣ１〜ＣＣ３ セルコントローラ
ＴＲ１ 主搬送機構
ＴＲ２ インターフェイス用搬送機構

Claims (7)

1. 基板に対し所定の処理を行う処理ユニットを複数含み、
   各処理ユニットに基板を搬送する順序および各処理ユニットでの基板の処理条件が記述されたフローレシピに従って基板処理を行う基板処理装置であって、
   少なくとも１つの処理ユニットについて前記基板処理の動作テストにおける基板の処理条件であるテスト用処理条件を設定可能であり、
   前記動作テストとして、
   前記フローレシピに従って基板を各処理ユニットへ搬送すると共に、
   前記テスト用処理条件が設定された処理ユニットでは前記フローレシピの処理条件よりも優先して前記テスト用処理条件に従った処理を行い、
   その他の処理ユニットでは前記フローレシピの処理条件に従った処理を行う
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記テスト用処理条件は、前記フローレシピでは設定不可能な処理条件も含む
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記テスト用処理条件は、基板処理に係る消耗品を前記動作テスト時に実際に使用するか否かの設定を含む
   ことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記消耗品は、基板処理に係る薬液を含む
   ことを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記消耗品は、基板のエッジ露光処理に係るランプを含む
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記基板処理装置は、その外部に、前記基板処理装置から基板を受け取り、所定の処理を行う他の装置を接続可能であり、
   前記テスト用処理条件は、前記他の装置との間で基板の受け渡しを実際に行うか否かの設定を含む
   ことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記他の装置は、基板に対し露光処理を行う露光装置を含む
   ことを特徴とする基板処理装置。

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