JPH04300674A - 回転式基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶パ
ネル用のガラス板といった基板に所要の処理液を供給し
、基板洗浄，薄膜形成等の回転処理を基板に施す回転式
基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の回転式基板処理装置は、例えば
、フォトレジストや現像液或いは超純水等の各種処理液
を、カセットから取り出した基板に吐出してこれを回転
処理すめために、基板を回転させる回転機器や回転する
基板に対して処理液を吐出する処理液吐出ノズルのほか
、基板回転数，使用する処理液種類，吐出量等の処理条
件のデータを含んだ基板処理手順を記憶する記憶機器等
を備える。

【０００３】そして、基板の回転処理を開始するに当た
って、記憶機器に記憶された基板処理手順が特定される
と、処理液吐出に際しては、特定された基板処理手順に
おける処理条件に基づいて、次のような制御対象機器を
駆動する。この処理条件に基づいて駆動制御される機器
としては、上記回転機器のほか、処理液吐出ノズルから
の処理液吐出に関与する種々の駆動機器がある。具体的
には、処理液吐出ノズルへの処理液供給管路を開閉する
開閉バルブや、基板処理に複数種類の処理液を使う場合
に処理液吐出ノズルに供給される処理液を切り替える切
替バルブ、処理液貯留タンクから処理液を圧送するポン
プ等である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、回転式基板処
理装置にて基板への回転処理を開始する場合には、例え
ば長期間の回転式基板処理装置の運転停止後に運転を再
開する時や、始業時における日常的な基板処理開始時、
基板処理手順変更後の基板処理開始時等においては、基
板処理開始当初から基板処理手順における処理条件に適
合した処理液吐出ができるよう、次のような擬似的な処
理液吐出操作を必要とする。つまり、この処理液擬似吐
出操作は、処理液の固化に起因したノズル閉塞や処理液
供給のためのバルブ，ポンプ等の作動不良等の発生有無
を事前に判別するために行なわれたり、また、運転停止
時に配管内に滞留していた純水を除去する等によって純
水の純度を向上するために行なわれたり、或いは、処理
液変更後における処理液吐出ノズル内及びその配管経路
内の処理液を変更前のものから変更後のものに事前に置
換させるために行なわれる。

【０００５】上記処理液擬似吐出操作を行なう際には、
まず、回転式基板処理装置の運転モードを、基板処理手
順における処理条件により上記各制御対象機器を自動的
に駆動して基板表面に処理液を供給する自動モードから
、各制御対象機器の動作を確認するために各機器を個別
に駆動する手動モードに切り替える。その後、各制御対
象機器を駆動するための処理条件を総て含んだ基板処理
手順を基板処理装置の記憶機器から読み出し、ディスプ
レイにこれを表示する。そして、動作を確認したい制御
対象機器の駆動制御を司る処理条件を、表示した基板処
理手順から選び出し、選び出した処理条件で動作を確認
したい制御対象機器を駆動させる。

【０００６】例えば、ノズルが閉塞していたりバルブや
ポンプ等が正常に駆動しているかを処理液吐出ノズルか
ら処理液を実際に吐出して判別するためには、表示した
基板処理手順に含まれている各種の処理条件のうちから
処理液吐出に関する処理条件を選び出す。また、純水の
純度向上を図るためには、純水を所定量（所定時間）流
出し続ける。更に、吐出する処理液の種類を変更して処
理液吐出ノズル内等における処理液置換を行なうために
は、表示した基板処理手順の処理条件から処理液吐出並
びに吐出処理液種類に関する処理条件選び出す。そして
、選び出した処理条件でバルブ等を手動モードにて駆動
し、処理液吐出ノズルから処理液を吐出させている。

【０００７】しかしながら、基板処理手順には多岐にわ
たる種々の処理条件が含まれているばかりか、通常この
基板処理手順は複数記憶されているので、処理液吐出に
関する処理条件を選び出すには、回転式基板処理装置に
対するかなりの熟練を必要とし、処理条件選び出しの作
業も煩雑である。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するためにな
され、ノズル閉塞等を回避し処理液吐出ノズルからの処
理液吐出状態を維持するための処理液擬似吐出操作の簡
略化を図ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の採用した手段は、基板を回転させる回転機
器と、該回転する基板に対して処理液を吐出する処理液
吐出ノズルと、予め定められた一種類の処理液又は複数
種類の処理液から選択した処理液を前記処理液吐出ノズ
ルへ供給する処理液供給手段と、基板の処理条件に基づ
いて前記処理液供給手段の処理液供給又は処理液の選択
供給を制御する制御手段とを有する回転式基板処理装置
であって、前記処理液供給手段が前記一種類の処理液を
前記処理液吐出ノズルへ供給するものであれば、処理液
吐出ノズルから吐出される処理液吐出量を、前記処理液
供給手段が選択した処理液を供給するものであれば、処
理液吐出ノズルから吐出される処理液種類と吐出量とを
、簡略吐出条件として入力する簡略吐出条件入力手段と
、前記制御手段による前記処理液供給手段の制御手順を
、前記基板の処理条件に基づく制御手順から前記入力さ
れた簡略吐出条件に基づく制御手順に切り替える処理液
吐出制御切り替え手段とを備えたことをその要旨とする
。

【００１０】

【作用】上記構成を有する本発明の回転式基板処理装置
は、基板の処理条件に基づいて制御手段が処理液供給手
段の処理液供給又は処理液の選択供給を制御することに
より、処理液吐出ノズルに予め定められた一種類の処理
液又は複数種類の処理液から選択した処理液を供給し、
この供給された処理液を処理液吐出ノズルから回転機器
により回転している基板に吐出する。

【００１１】しかし、新たに備えた処理液吐出制御切り
替え手段によって、制御手段による処理液供給手段の制
御手順は、基板の処理条件に基づいた制御手順から、処
理液供給手段の機能に応じて簡略吐出条件入力手段によ
り入力された簡略吐出条件（処理液吐出量，吐出処理液
種類）に基づいた制御手順に切り替わる。

【００１２】この結果、処理液吐出ノズルからは、簡略
吐出条件に適った吐出量の処理液が吐出される。或は、
簡略吐出条件に適った種類の処理液が簡略吐出条件に適
った吐出量だけ吐出される。つまり、擬似的な処理液吐
出が行なわれる。よって、こうして処理液吐出ノズルか
ら処理液が吐出されたことを確認すれば、ノズル閉塞や
処理液供給のための機器（バルブ，モータ等）の作動不
良等の発生有無が判明したり、所要の流出を行なって配
管内に滞留していた純水が混じらず純度が回復した純水
を基板に供給できる状態になったり、処理液変更後にお
ける処理液吐出ノズル内及びその配管経路内の処理液置
換が完了する。

【００１３】

【実施例】次に、本発明に係る回転式基板処理装置の好
適な実施例について、図面に基づき説明する。まず、本
実施例の回転式基板処理装置の概要について、当該装置
の概略斜視図である図１を用いて簡単に説明する。

【００１４】回転式基板処理装置１は、半導体ウエハ等
の基板を回転させこの基板表面にフォトレジスト等を回
転塗布して熱処理するための装置であり、図１に示すよ
うに、基板供給部２と基板処理部３とに大別される。な
お、以下の説明に当たっては、この両者を呼称上明確に
区別するために、前者の基板供給部２を基板授受ユニッ
ト２と称し、基板処理部３をプロセス処理ユニット３と
称することとする。

【００１５】基板授受ユニット２は、基板Ｗを多段に収
納したカセットＣ１ないしＣ４から基板Ｗを取り出して
基板受け渡し位置である基板授受位置Ｐまで移送したり
、この基板授受位置Ｐから基板Ｗを移送して基板の収納
が可能ないずれかのカセット内へ基板Ｗを収納する。 プロセス処理ユニット３は、後述するように基板に所要
の処理液を供給して回転処理を施す回転処理機器を含む
複数の各種処理機器等を備え、これら各処理機器等を駆
動して基板を処理する。

【００１６】次に、上記各ユニットについて説明する。 基板授受ユニット２は、図１に示すように、カセット設
置台４の上面に、基板Ｗを多段に収納した２基のカセッ
トＣ１，Ｃ２と基板未収納の２基のカセットＣ３，Ｃ４
を備える。また、各カセットから基板Ｗを取り出してプ
ロセス処理ユニット３へ供給したり、各カセット内に基
板Ｗを収納したりするための基板移送機器６を、カセッ
トＣ１ないしＣ４の並びに沿った図中矢印Ｄ方向に水平
移動自在に備える。

【００１７】そして、カセット設置台４の前面には、こ
の基板授受ユニット２や後述するプロセス処理ユニット
３に種々の指示を与えるための主操作パネル５が組み込
まれている。この主操作パネル５は、種々の設定や数値
入力を行なうためのキーボード５ａ（図３参照）と、こ
のキーボード５ａからの指示に基づき種々の画面を表示
するディスプレイ５ｂ（図３参照）とを備える。

【００１８】基板移送機器６は、図１に示すように、基
板Ｗをその下面で吸引・吸着する基板吸着アーム７を、
カセットにおける基板Ｗの積み重ね方向に沿って昇降可
能で、且つ、図示するカセット手前の待機位置とカセッ
ト内に進入した取り出し位置との間に渡って図中矢印Ｅ
方向に前後動可能に備える。

【００１９】このため、基板移送機器６を図中矢印Ｄ方
向に水平移動させて所望のカセットの正面まで移動し、
その後、当該カセットにおける所望段の基板収納溝に対
応する高さまでの基板吸着アーム７の上昇，カセット内
への基板吸着アーム７の進入，基板吸着アーム７の僅か
な再上昇，基板吸着アーム７の後退，基板吸着アーム７
の降下を順次行なえば、カセットからの基板Ｗの取り出
しが完了する。また、この逆の手順で基板吸着アーム７
を移動させれば、カセット内への基板Ｗの収納が完了す
る。

【００２０】こうして、カセット内から取り出された基
板は、この基板移送機器６により基板授受位置Ｐに移送
された後、後述するプロセス処理ユニット３付属の基板
搬送機器３７に受け渡され、当該ユニットにおける回転
塗布機器等に、順次、搬送されて処理される。また、処
理が完了した処理済み基板は、基板搬送機器３７により
基板授受位置Ｐに返却された後、基板移送機器６により
所定のカセット内に収納される。

【００２１】基板移送機器６は、上記基板吸着アーム７
のほか、基板吸着アーム７でカセットから取り出した基
板Ｗを水平に支持するために、図示しない３本の支持ピ
ンをその基台９に昇降自在に備える。また、これら各支
持ピンに支持された基板Ｗの中心位置合わせを行なうた
めに、基板Ｗの外径と略同一の曲率となるような配列で
それぞれ突設させた４本の案内ピンを有する位置合わせ
板１０を、基台９の両側に水平往復動自在に備える。よ
って、基台９から上昇した各支持ピンにより基板Ｗが支
持された状態で、各位置合わせ板１０を水平往復動させ
ると、各案内ピンが基板Ｗの外周に当接・離間するため
、基板Ｗの中心位置合わせが完了する。

【００２２】また、カセット設置台４上面には、処理す
べき基板を収納したカセットであることや基板処理手順
を特定するのに必要な手順番号数値コードやカセット単
位の処理順序等を入力するためカセットコントロールパ
ネル１８（図３参照）が備え付けられている。更に、各
カセット内に収納されている基板Ｗの有無を検出するた
めの基板検出用の光センサ２４（図３参照）が備え付け
られている。この光センサ２４は、光センサ昇降機構２
５（図３参照）によりカセットに沿って上昇する間にお
いて、カセット内における基板有無をカセットにおける
基板収納溝の段数に対応付けて一括して検出する。なお
、基板収納溝の段数との対応付けは、カセットの基板収
納溝と同ピッチのスリットの移動状態に基づいてタイミ
ング検出センサ４２（図３参照）が生成するパルスを用
いて行なわれる。

【００２３】上記した基板授受ユニット２から基板を受
け取りこれを処理するプロセス処理ユニット３は、図１
に示すように、回転する基板表面に処理液（薬液）を滴
下して薄膜を形成する回転塗布機器３１，３２や、回転
塗布機器で処理を行なう前後に基板を熱処理（加熱・冷
却）する熱処理機器３３，３４，３５を備える。更に、
各回転塗布機器３１，３２及び熱処理機器３３，３４，
３５の並びに図中矢印Ａ方向に水平移動自在な基板搬送
機器３７を備える。なお、図示するように、各熱処理機
器は、それぞれ上段に加熱用熱処理機器を、下段に冷却
用熱処理機器をそれぞれ備える。

【００２４】回転塗布機器３１，３２は、３本の処理液
吐出ノズルを有するノズル機構４１，４２を図示する待
機位置から、図中矢印Ｆ方向に昇降自在に、且つ、回転
塗布機器中心に渡って図中矢印Ｇ方向に旋回自在に備え
る。そして、このノズル機構４１，４２を図示する待機
位置から一亘上昇させた後、基板表面近傍の所定の吐出
位置まで移動させていずれかの処理液吐出ノズルから処
理液を吐出する。また、各回転塗布機器３１，３２は、
その前面に、処理液吐出量や処理液種類，基板回転数等
を指定するための後述する各種スイッチと、種々の名称
や数値等を表示する表示器等を有する副操作パネル３１
Ａ，３２Ａを備える。

【００２５】この副操作パネルは、通常、プロセス処理
ユニット３の本体内に収納されている。また、前記主操
作パネル５の操作により、回転塗布機器の制御を所定の
基板処理手順に基づいた基板処理モードから、基板処理
の開始に先立ち処理液吐出状態などを事前に確認するメ
ンテナンスモードへモード設定変更が指示されることに
よって、入力可能状態となる。

【００２６】次に、回転塗布機器３１，３２におけるノ
ズル機構４１，４２のノズル先端部周辺の構成について
、図２を用いて説明する。なお、この両回転塗布機器は
、その構成がほぼ同一なので、回転塗布機器３１の説明
にとどめる。図２に示すように、載置された基板Ｗを吸
着保持しこれをモータ４３により回転させる回転体４４
の周囲には、基板Ｗを包囲するようチャンバー４５が設
けられている。このチャンバー４５底部には、チャンバ
ー４５内の空気を強制的に排気する排気管４６と、チャ
ンバー４５底部に溜まった余剰処理液又は使用済み処理
液を排出する排出管４７が連通されている。

【００２７】また、排出管４７下方に、使用済み処理液
を貯留する貯留容器４８を取り出し自在に備えた処理液
回収箱４９を備え、排出管４７から流出した排出処理液
５０を貯留容器４８内に貯留する。処理液回収箱４９に
は、貯留容器４８に貯留された排出処理液５０表面から
の処理液蒸気を排気する処理液蒸気排気管５１が立設さ
れている。なお、モータ４３下部には、その回転数を検
出する回転数センサ４３ａが設けられている。

【００２８】ノズル機構４１の処理液吐出ノズル５２は
、エアーシリンダや旋回モータ等からなるノズル駆動機
器４０（図４参照）によって、処理液蒸気排気管５１先
端開口部にノズル先端が位置する待機位置から図中矢印
Ｆ方向に上昇し、所定の吐出位置（例えば基板中央）の
上方まで図中矢印Ｇ方向に旋回し、その後基板表面近傍
の吐出位置まで降下する。そして、処理液吐出ノズル５
２へ供給される処理液を切り替える切替バルブ５３（図
４参照）の開閉動作により、処理液吐出ノズル５２に異
なった処理液が供給され、基板Ｗに処理液が吐出される
。なお、処理液吐出ノズル５２が待機位置に位置する場
合には、処理液蒸気排気管５１の内部を上昇する処理液
蒸気がノズル先端部を湿潤するので、ノズル先端部にお
ける処理液変質や処理液固化は生じない。また、処理液
蒸気排気管５１及び切替バルブ５３は、各処理液吐出ノ
ズル毎に設けられている。

【００２９】これら各回転塗布機器及び熱処理機器は、
後述するメインコントローラ６０から基板処理手順にお
ける処理条件（回転数，温度，使用処理液種類，吐出量
等）のロードを受ける個別の後述するコントローラと、
回転数センサ，温度センサ等を備える。そして、各回転
塗布機器及び熱処理機器は、これらセンサの検出信号と
ロードを受けた後述する基板処理手順における制御指令
値（処理条件）とに基づき、各処理機器付属のコントロ
ーラにより、フィードバック制御されている。

【００３０】図１に示すように、基板搬送機器３７は、
図示しない駆動系により図中矢印Ａ方向に水平移動自在
なステージ３８上面に図中矢印Ｂ方向に旋回自在なヘッ
ド３９を備え、このヘッド３９には、Ｕの字状の基板支
持アーム３７ａ，３７ｂを上下２段に備えて構成される
。また、この各基板支持アーム３７ａ，３７ｂは、ヘッ
ド３９から出入り自在に構成されている。

【００３１】上記構成のプロセス処理ユニット３は、所
定の基板処理手順における搬送プロセスに基づいて、基
板搬送機器３７を駆動制御して、基板授受ユニット２に
おける基板授受位置Ｐから、上記回転塗布機器といった
複数の処理機器のうちの必要な処理機器に、順次、基板
を搬送する。そして、基板が搬送された回転塗布機器等
にて、当該基板処理手順における処理条件に基づいて基
板を処理し、搬送された各処理機器における処理が完了
した処理済み基板を基板授受位置Ｐに返却する。

【００３２】次に、上記した回転式基板処理装置１にお
ける制御系について、図３，図４に示すブロック図を用
いて説明する。本実施例におけるこの制御系は、回転式
基板処理装置１の全体を統括制御するメインコントロー
ラ６０のほか、そのサブコントローラとして、基板授受
ユニット２を制御する基板授受ユニットコントローラ７
０と、プロセス処理ユニット３を構成する各処理機器ご
とのコントローラである基板搬送機器コントローラ３７
Ａと、各回転塗布機器用の回転塗布機器コントローラ３
１Ｂ，３２Ｂと、各熱処理機器用の熱処理機器コントロ
ーラ３３Ａ，３４Ａ，３５Ａとを備える。

【００３３】メインコントローラ６０は、論理演算を実
行する周知のＣＰＵ６１，ＣＰＵを制御する種々のプロ
グラム等を予め記憶するＲＯＭ６２，種々のデータを一
時的に記憶するＲＡＭ６３等を中心に論理演算回路とし
て構成され、データの書き込み及びデータの保持が随時
可能で後述する多量のデータを予め記憶する記憶ディス
ク６４を内蔵している。

【００３４】そして、このメインコントローラ６０は、
上記ＣＰＵ等とコモンバス６５を介して相互に接続され
た入出力ポート６６により、外部との入出力、例えば、
既述した主操作パネル５や、前記基板授受ユニットコン
トローラ７０，基板搬送機器コントローラ３７Ａ，各処
理機器ごとの各コントローラ３１Ｂ等との間でデータの
転送を行なう。

【００３５】基板授受ユニットコントローラ７０は、光
センサ２４及びタイミング検出センサ４２のほか、基板
移送機器６，カセットコントロールパネル１８，光セン
サ昇降機構２５等と接続されている。そして、これら各
センサやカセットコントロールパネル１８からの信号を
始め、当該コントローラで求めた算術演算データをメイ
ンコントローラ６０に出力する。なお、カセットコント
ロールパネル１８，光センサ２４，タイミング検出セン
サ４２，光センサ昇降機構２５等は、カセット設置台４
の上面における４基のカセットＣ１ないしＣ４のそれぞ
れに備えられており、各々基板授受ユニットコントロー
ラ７０に接続されている。

【００３６】回転塗布機器３１付属の回転塗布機器コン
トローラ３１Ｂは、図４に示すように、上記メインコン
トローラ６０と同様、周知のＣＰＵ３１Ｂ１　，ＲＯＭ
３１Ｂ２　，ＲＡＭ３１Ｂ３　等を中心に論理演算回路
として構成されている。そして、入出力ポート３１Ｂ６
　には、既述したメインコントローラ６０，モータ４３
，回転数センサ４３ａ，ノズル駆動機器４０，副操作パ
ネル３１Ａ，処理液吐出ノズル毎の切替バルブ５３ａ，
５３ｂ，５３ｃのほか、各処理液吐出ノズルに処理液を
圧送・供給するノズル毎の処理液圧送ポンプ５４ａ，５
４ｂ，５４ｃが接続されている。なお、回転塗布機器３
２付属の回転塗布機器コントローラ３２Ｂと、熱処理部
付属の熱処理機器コントローラ３３Ａ，３４Ａ，３５Ａ
については、その構成が同様なのでその説明を省略する
。

【００３７】次に、上記各処理機器を駆動制御するため
の基板処理手順について説明する。基板処理手順は複数
種類存在し、図５に示すように、その各々が、各基板処
理手順を特定するための手順番号数値コードと各処理機
器における制御指令値等とを対応付けて、予め記憶ディ
スク６４に書き込み記憶されている。

【００３８】より詳細に説明すると、図５に示すように
、各手順番号数値コードのそれぞれに関して、必要な処
理ステップごとに、各処理ステップにおける工程を表す
工程記号と、その工程を行なう処理機器と、その工程に
おける処理条件とに関するデータが書き込まれている。

【００３９】つまり、各処理ステップにおける工程記号
の欄の記号は、それぞれの工程名称に相当し、工程記号
ＡＤは処理液塗布前の加熱工程を、ＡＣは処理液塗布前
の冷却工程を、ＳＣは処理液塗布工程を、ＳＢは処理液
塗布後の加熱工程をそれぞれ表す。また、同一の処理ス
テップにおいて複数の処理機器（処理機器１，２…）が
書き込まれている場合（手順番号数値コード０１におけ
る処理ステップ１の加熱用熱処理機器３３ａ，３４ａ）
は、いずれかの処理機器で処理すれば良いことを示す。 ただし、処理機器の数値が小さいほど優先的に使用され
る。例えば、手順番号数値コード０１の場合には、処理
機器１の欄の加熱用熱処理機器３３ａが優先して使用さ
れ、この加熱用熱処理機器３３ａが処理中であるとして
使用できなければ、処理機器２の欄の加熱用熱処理機器
３４ａが使用される。

【００４０】処理ステップ３以外の処理ステップは、工
程記号ＡＤ，ＡＣ，ＳＢ等から判るように処理液塗布前
後の熱処理工程であり、その処理条件欄に記載されてい
るように、該当する処理機器を制御する際の処理温度や
処理時間等の制御指令値を表す数値データを備える。

【００４１】各処理ステップのうち処理ステップ３は、
工程記号ＳＣから判るように回転処理機器を用いた処理
液塗布工程であり、処理液塗布を繰り返し行なうことか
ら、当該処理ステップを更に第１ステップ部分，第２ス
テップ部分…第ｉステップ部分等に区分したデータを有
する。

【００４２】つまり、処理液塗布工程である処理ステッ
プ３は、基板を回転させつつ処理液（薬液）を塗布する
ため、使用する複数種類の処理液の指定，処理回転数，
回転加速度，処理液吐出時間（吐出量）といった数多く
の処理条件（制御指令値）に基づき実行される上に、異
なった処理液を使用する回転処理を繰り返し行なう。こ
のため、条件データが、他の処理より格段に多く、以下
に説明するようなデータ構成を備えことによって、処理
条件のデータが、幾種類か記憶できるように配慮されて
いる。

【００４３】即ち、図６に示すように、処理ステップ３
における第１ステップ部分から第ｉステップ部分（同図
の左端欄に示す）ごとに、回転数ａ１　〜ａｉ　と、プ
ロセス時間と、処理液（薬液）の種類であるケミカルデ
ータ等の処理条件を示すデータがそれぞれ記憶されてい
る。 なお、プロセス時間の欄におけるプロセス１ないしプロ
セス４の数値（ｂ１　，ｃ１　，ｄ１　，ｅ１　等）は
、該当する第１ないし第ｉステップの実行に要する時間
や処理液吐出時間（吐出量）などを表し、ケミカルデー
タの欄におけるＣ１　ないしＣ８　は、使用することの
できる処理液（薬液）の種類を表す。また、Ｃ１　ない
しＣ８　における１６，１５，１０等の数値は、処理液
を特定する記号であり、数値０は、処理液の指定がなさ
れていないことを意味する。

【００４４】例えば、第１ステップでは、回転数ａ１　
で基板を回転させ、この基板に薬液記号１６，１５，１
０等の薬液を吐出する処理を行ない、第２ステップでは
、回転数ａ２　で基板を回転させて、薬液記号３の薬液
のみを用いた処理を行なうことになる。つまり、これら
条件に基づいて薬液記号１６，１５，１０等の薬液選択
並びに吐出量等が決定されて、各処理液吐出ノズルへの
処理液の圧送・供給が行なわれ、選択された薬液が基板
に向けて吐出されるのである。このほか、第１ないし第
ｉステップ部分には、処理液吐出ノズルの移動位置を決
定するための図示しないデータ（ノズル位置データ）も
含まれている。

【００４５】このように記憶ディスク６４には、複数種
類の基板処理手順が、膨大な処理条件のデータを含んで
記録されている。そして、ある手順番号数値コード、例
えば「００」の数値コードが指定されると、この時の基
板処理手順は、まず処理液塗布前に加熱用熱処理機器３
３ａにて加熱処理を行ない（処理ステップ１）、次に冷
却用熱処理機器３３ｂにて冷却処理を行ない（処理ステ
ップ２）、引続いて回転塗布機器３２にて処理液塗布処
理を行ない（処理ステップ３）、処理液塗布後の加熱処
理を加熱用熱処理機器３５ａにて行なう（処理ステップ
４）ことになる。処理ステップ５以下についてもデータ
が作成・記憶されていればそれに従って処理されること
は勿論である。

【００４６】このような記憶ディスク６４へのデータの
書き込みは、例えば、主操作パネル５のキーボード５ａ
からのデータ入力や、磁気テープ，フレキシブルディス
ク等の記憶媒体にデータの書き込み・記憶を行なう外部
記憶装置６７（図３参照）からの入出力ポート６６を介
したデータ転送等により行なわれる。

【００４７】また、このように記憶された複数の基板処
理手順のうちからの所望の基板処理手順の選択指示は、
カセットコントロールパネル１８や主操作パネル５のキ
ーボード５ａ等におけるキー操作により実行される。な
お、所望の基板処理手順を選択指示するための上記キー
操作は、手順番号数値コードの数値をキー入力する操作
である。

【００４８】そして、基板処理を開始するに当たって手
順番号数値コードが指定されると、該当する基板処理手
順の各処理ステップにおける処理条件は、メインコント
ローラ６０から該当する処理機器付属のコントローラに
ロードされる。例えば「００」の数値コードが指定され
ると、処理ステップ１及び処理ステップ２における処理
条件は加熱用熱処理機器３３ａ，冷却用熱処理機器３３
ｂを有する熱処理機器３３付属の熱処理機器コントロー
ラ３３Ａにロードされる。同様に、処理ステップ３にお
ける処理条件は回転塗布機器３１付属の回転塗布機器コ
ントローラ３１Ｂにロードされ、処理ステップ４におけ
る処理条件は加熱用熱処理機器３５ａを有する熱処理機
器３５付属の熱処理機器コントローラ３５Ａにロードさ
れる。

【００４９】こうして処理条件のロードを受けた各コン
トローラ３１Ｂ等は、ロードを受けた処理条件である制
御指令値とセンサからの検出信号とに基づき、各処理機
器をフィードバック制御しつつ基板処理を行なう。

【００５０】次に、上記した構成を備える本実施例の回
転式基板処理装置１が行なう処理液擬似吐出制御（ルー
チン）について、図７のフローチャートに基づき説明す
る。図７に示すフローチャートは、主操作パネル５にお
けるモード切替スイッチの操作によりメンテナンスモー
ドが選択される度に、回転塗布機器３１，３２付属の回
転塗布機器コントローラにおいて割り込み実行される。

【００５１】まず、このメンテナンスモードが選択され
ると、種々のメンテナンスモードのうち基板処理の開始
に先立って擬似的に処理液吐出を行なう処理液擬似吐出
モードが選択されたか否かを、主操作パネル５において
所定キー操作がなされたか否かによって判断する（ステ
ップ１００，以下単にステップをＳと表記する）。例え
ば、所定数値キー入力が有ったかによって上記判断を行
ない、処理液擬似吐出モード以外のメンテナンスの為の
モードが選択されれば、選択されたメンテナンスの処理
を実施し後述のＳ１５５に移行する（Ｓ１０２）。一方
、処理液擬似吐出モードが選択されると、処理液吐出ノ
ズル５２からの処理液吐出の様子、即ち処理液吐出手順
は、基板処理を行なうための基板処理手順における制御
手順から後述するように切り替わる。

【００５２】なお、メインコントローラ６０は、図示し
ないメインルーチンにおいて、電源投入後に種々のメン
テナンスに関連する前回の制御パラメータ（後述する処
理液吐出時間や処理液擬似吐出モード以外のメンテナン
スモードにおける基板回転数等）をメンテナンスモード
に関与する回転塗布機器等の各処理機器付属のコントロ
ーラにロードする。そして、これを受けた各処理機器付
属のコントローラは、種々のメンテナンスモードの実行
以前に、この制御パラメータをＲＡＭの所定領域に記憶
する。

【００５３】ここで、処理液擬似吐出モードが選択され
ると、吐出する処理液種類が指定されたか否かを、副操
作パネルのシフトスイッチ（押し続けることによって表
示される数値が増減したりメニューが入れ替わり、所望
の数値やメニューを指示するスイッチ）からの入力の有
無によって判断する（Ｓ１０５）。つまり、ＲＯＭ３１
Ｂ２　には、予め、処理液名が記憶されているので、処
理液種類を特定する。なお、この処理液種類指定の際に
は、指定した種類の処理液を吐出する処理液吐出ノズル
の指定を併せて行なうよう構成してもよい。

【００５４】そして、処理液種類の指定がなされるまで
待機し、処理液種類の指定があれば指定された処理液種
類をＲＡＭ３１Ｂ３　に記憶する（Ｓ１１０）。その後
、Ｓ１０５にて指定された種類の処理液の吐出時間（処
理液吐出量）を、メインコントローラ６０から事前にロ
ードされて記憶した前回の処理液吐出時間又は後述する
ステップにて記憶した前回の処理液吐出時間から変更す
る必要があるか否かを判断する（Ｓ１１５）。

【００５５】この処理液吐出時間の変更要否の判断は、
副操作パネルの選択スイッチから吐出時間数に相当する
数値の入力がなされたか否かによって行ない、当該数値
の入力が有れば処理液吐出時間の変更を要すると判断し
、入力された数値を設定処理液吐出時間としてＲＡＭ３
１Ｂ３　の所定領域に更新して記憶する（Ｓ１２０）。 一方、数値の入力が無ければ、処理液吐出時間の変更は
不要であるとしてＳ１２５に移行する。その後、処理液
の擬似吐出を開始する指示がなされたか否かを、副操作
パネルの開始スイッチが押圧操作されたか否かによって
判断し（Ｓ１２５）、開始指示がなされるまで待機する
。つまり、処理液吐出時間の変更が不要な場合は、数値
の入力が省略され処理液種類の指定に引き続いて開始ス
イッチが押圧操作される。

【００５６】Ｓ１２５で処理液擬似吐出の開始指示がな
されたと判断すれば、リミットスイッチ等の図示しない
ノズル位置検出センサからの検出信号に基づいて、処理
液吐出ノズル５２が処理液蒸気排気管５１先端開口部上
部の待機位置に位置するか否かを判断する（Ｓ１３５）
。そして、処理液吐出ノズル５２が待機位置に位置しな
ければ、ノズル駆動機器４０に制御信号を出力して処理
液吐出ノズル５２を待機位置に移動し（Ｓ１４０）、Ｓ
１５０に移行する。一方、Ｓ１３５にて処理液吐出ノズ
ル５２が待機位置に位置していると判断すれば、即座に
Ｓ１５０に移行する。

【００５７】このＳ１５０では、Ｓ１１０で記憶した種
類の処理液を処理液吐出ノズルに供給する制御信号を切
替バルブ５３（５３ａ，５３ｂ，５３ｃのいずれか）に
出力し、次のようにして処理液圧送ポンプ５４（５４ａ
，５４ｂ，５４ｃのいずれか）に制御信号を出力して、
処理液吐出ノズル５２から処理液を吐出する（Ｓ１５０
）。つまり、処理液吐出時間を前回の処理液吐出時間か
ら変更すると判断した場合には、Ｓ１２０で更新・記憶
した吐出時間だけポンプを駆動する制御信号を処理液圧
送ポンプ５４に出力し、Ｓ１１０で記憶した種類の処理
液をＳ１２０で更新・記憶した吐出量だけ処理液吐出ノ
ズル５２から吐出する。一方、処理液吐出時間を変更し
ないと判断した場合には、既に記憶している前回の処理
液吐出時間だけポンプを駆動する制御信号を処理液圧送
ポンプ５４に出力し、Ｓ１１０で記憶した種類の処理液
を前回と同一の吐出量だけ処理液吐出ノズル５２から吐
出する。

【００５８】その後、基板処理に先立つ処理液擬似吐出
モードやこれ以外の種々のメンテナンスモードにおける
制御パラメータ（処理液吐出時間，基板回転数等）をメ
インコントローラ６０に出力し（Ｓ１５５）、本ルーチ
ンを終了する。なお、メインコントローラ６０は、Ｓ１
５５にて出力を受けた制御パラメータをその都度記憶し
ておき、メンテナンスモードに関与する回転塗布機器等
の各処理機器付属のコントローラに改めてロードする。

【００５９】以上説明したように本実施例の回転式基板
処理装置１は、主操作パネル５から種々のメンテナンス
モードのうち処理液擬似吐出モードが選択されると、吐
出する処理液種類の指定及びこの指定種類処理液の吐出
時間（処理液吐出量）の設定を待ち、指定された種類の
処理液を設定された吐出量だけ処理液吐出ノズル５２か
ら吐出する。

【００６０】この結果、処理液吐出に関する僅かな条件
を副操作パネルから入力するだけで、基板処理の開始に
先立って上記のように処理液吐出がなされ、ノズル閉塞
や切替バルブ，処理液圧送ポンプ等の作動不良等の発生
有無等を確認できる。また、処理液を変更して基板を処
理する際には、上記副操作パネルの操作により、処理液
変更後における処理液吐出ノズル内及びその配管経路内
の処理液置換が完了する。つまり、処理液吐出ノズルの
処理液吐出状態を維持するための処理液擬似吐出操作が
簡略化され容易となる。

【００６１】しかも、基板処理の開始に先立つ擬似的な
処理液吐出に必要な操作を主操作パネル５から独立した
副操作パネル３１Ａ，３２Ａのみで行なうことができる
ので、より簡単である。

【００６２】なお、上記実施例では、処理液吐出ノズル
から異なった種類の処理液を選択して吐出する回転塗布
機器について説明したが、予め定められた一種類の処理
液を吐出するものについても適用できることは勿論であ
る。この場合には、上記実施例におけるＳ１０５，１１
０の処理が不要となる。また、処理液擬似吐出ルーチン
において、回転体４４に基板Ｗが載置されているか否か
の判断処理を加えることもできる。この場合、基板Ｗが
載置されている判断すれば回転体４４を回転させ、載置
されていなければ回転させないよう構成すればよい。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の回転式基板
処理装置によれば、基板の処理条件に基づいて実行して
いた処理液供給を簡略吐出条件（処理液吐出量，吐出処
理液種類）に基づいた制御に切り替えるので、簡略吐出
条件に適った吐出量の処理液吐出ノズルからの処理液吐
出、或は、簡略吐出条件に適った処理液種類と吐出量の
処理液吐出ノズルからの処理液吐出が可能となる。この
結果、例えば、ノズル閉塞や処理液供給のための種々の
機器（バルブ，ポンプ等）の作動不良等の発生有無の確
認や、配管中に滞留していた処理液を流出させたり、処
理液変更後における処理液吐出ノズル内及びその配管経
路内の処理液置換が、簡略吐出条件の僅かな入力操作だ
けで完了する。つまり、処理液吐出ノズルの処理液吐出
状態を維持するための処理液擬似吐出操作が簡略化され
容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の回転式基板処理装置１の概略斜視図。

【図２】回転塗布機器における処理液吐出ノズル先端部
周辺の概略構成図。

【図３】回転式基板処理装置１におけるメインコントロ
ーラ６０を中心とした制御系のブロック図。

【図４】本実施例の回転塗布機器における回転塗布機器
コントローラを中心とした制御系のブロック図。

【図５】プロセス処理ユニット３にて基板を回転処理す
る際の基板処理手順を説明するための説明図。

【図６】図５における処理ステップ３の詳細を説明する
ための説明図。

【図７】本実施例の回転塗布機器における回転塗布機器
コントローラが行なう処理液擬似吐出ルーチンを示すフ
ローチャート。

【符号の説明】

１　　回転式基板処理装置 ２　　基板授受ユニット ３　　プロセス処理ユニット ５　　主操作パネル ３１　　回転塗布機器 ３１Ａ　　副操作パネル ３１Ｂ　　回転塗布機器コントローラ ３２　　回転塗布機器 ３２Ａ　　副操作パネル ３２Ｂ　　回転塗布機器コントローラ ４０　　ノズル駆動機器 ４１　　ノズル機構 ４３　　モータ ４４　　回転体 ５２　　処理液吐出ノズル ５３（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ）　　切替バルブ５４（
５４ａ，５４ｂ，５４ｃ）　　処理液圧送ポンプ６０　
　メインコントローラ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４　　カセット Ｗ　　基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板を回転させる回転機器と、該回転
   する基板に対して処理液を吐出する処理液吐出ノズルと
   、予め定められた一種類の処理液又は複数種類の処理液
   から選択した処理液を前記処理液吐出ノズルへ供給する
   処理液供給手段と、基板の処理条件に基づいて前記処理
   液供給手段の処理液供給又は処理液の選択供給を制御す
   る制御手段とを有する回転式基板処理装置であって、前
   記処理液供給手段が前記一種類の処理液を前記処理液吐
   出ノズルへ供給するものであれば、処理液吐出ノズルか
   ら吐出される処理液吐出量を、前記処理液供給手段が選
   択した処理液を供給するものであれば、処理液吐出ノズ
   ルから吐出される処理液種類と吐出量とを、簡略吐出条
   件として入力する簡略吐出条件入力手段と、前記制御手
   段による前記処理液供給手段の制御手順を、前記基板の
   処理条件に基づく制御手順から前記入力された簡略吐出
   条件に基づく制御手順に切り替える処理液吐出制御切り
   替え手段とを備えたことを特徴とする回転式基板処理装
   置。