JP2523412B2 - 回転式基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶パ
ネル用のガラス板といった基板に所要の処理液を供給
し、基板洗浄，薄膜形成等の回転処理を基板に施す回転
式基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の回転式基板処理装置は、例え
ば、フォトレジストや現像液或いは超純水等の各種処理
液を、カセットから取り出した基板に吐出してこれを回
転処理すめために、基板を回転させる回転機器や回転す
る基板に対して処理液を吐出する処理液吐出ノズルのほ
か、基板回転数，使用する処理液種類，吐出量等の処理
条件のデータを含んだ基板処理手順を記憶する記憶機器
等を備える。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板表面に
処理液を吐出して形成された処理液薄膜の品質（膜厚の
均一性，所望する膜厚等）には、処理液吐出量のみなら
ず基板回転数が重大な影響を与える。このため、例えば
長期間の回転式基板処理装置の運転停止後に運転を再開
する時や、始業時における日常的な基板処理開始時、基
板処理手順変更後の基板処理再開時等においては、基板
処理開始当初から基板処理手順における処理条件に適合
した回転で基板を回転させることができるよう、基板処
理に先立って基板を実際に回転させる予備的な回転確認
操作がなされている。

【０００４】この予備的な回転確認操作を行なう際に
は、まず、回転式基板処理装置の運転モードを、基板処
理手順における処理条件により上記各制御対象機器を自
動的に駆動して基板表面に処理液を供給する自動モード
から、各制御対象機器の動作を確認するために各機器を
個別に駆動する手動モードに切り替える。その後、各制
御対象機器を駆動するための処理条件を総て含んだ基板
処理手順を基板処理装置の記憶機器から読み出し、ディ
スプレイにこれを表示する。そして、動作を確認したい
制御対象機器の駆動制御を司る処理条件を、表示した基
板処理手順から選び出し、選び出した処理条件で動作を
確認したい制御対象機器を駆動させる。

【０００５】具体的に説明すると、表示した基板処理手
順に含まれている各種の処理条件のうちから基板回転及
び基板搬送に関する処理条件を選び出し、選び出した処
理条件で回転機器や搬送機器等を駆動して、基板を回転
機器にセットして基板を回転させる。

【０００６】しかしながら、基板処理手順には多岐にわ
たる種々の処理条件が含まれているばかりか、通常この
基板処理手順は複数記憶されているので、基板回転及び
基板搬送に関する処理条件を選び出すには、回転式基板
処理装置に対するかなりの熟練を必要とし、処理条件の
選び出しの作業も煩雑である。

【０００７】しかも、基板搬送に関する基板処理手順の
処理条件には、基板を回転機器に搬送するだけでなく回
転機器以外の熱処理機器等に基板を搬送する条件が含ま
れている。このため、ただ単に基板搬送に関する処理条
件を選び出すだけではなく、基板が回転機器にセットさ
れるよう、この処理条件を修正しなければならず、煩雑
である。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するためにな
され、基板処理に先立って行なう予備的な回転確認操作
の簡略化を図ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の採用した手段は、基板を回転させる回転機
器と、基板を該回転機器に搬送する搬送機器と、基板の
処理条件に基づいて前記回転機器及び前記搬送機器を制
御する制御手段とを有し、基板を回転させてこれを処理
する回転式基板処理装置であって、前記回転機器の回転
数を簡略回転条件として入力する簡略回転条件入力手段
と、前記制御手段による前記搬送機器の制御手順を、前
記基板の処理条件に基づく制御手順から、前記回転機器
に基板を直接搬送する制御手順に切り替える搬送制御切
り替え手段と、前記制御手段による前記回転機器の制御
手順を、前記基板の処理条件に基づく制御手順から、前
記入力された簡略回転条件に基づく制御手順に切り替え
る回転制御切り替え手段と、該切り替えられた制御手順
による前記回転機器の制御を、前記搬送制御切り替え手
段により切り替えられた制御手順に基づく前記搬送機器
の制御完了後に実施する回転制御遅延実行手段とを備え
たことをその要旨とする。

【００１０】

【作用】上記構成を有する本発明の回転式基板処理装置
は、基板の処理条件に基づいて制御手段が回転機器と搬
送機器とを制御して、基板を回転機器に搬送して回転さ
せる。

【００１１】しかし、新たに備えた搬送制御切り替え手
段と回転制御切り替え手段とによって、制御手段による
回転機器及び搬送機器の制御手順は、基板の処理条件に
基づいた制御手順から、それぞれ次のように切り替わ
る。即ち、搬送機器の制御手順は、基板を回転機器に直
接搬送する制御手順となる。また、回転機器の制御手順
は、簡略回転条件入力手段により入力された簡略回転条
件（回転数）に基づく制御手順となる。しかも、切り替
えられた制御手順に基づく回転機器の制御は、回転制御
遅延実行手段により、上記のように切り替えられた後の
制御手順による搬送機器の制御が完了するまで遅延さ
れ、その後実行される。

【００１２】この結果、回転機器には直接基板が搬送さ
れ、その後基板は簡略回転条件として入力された回転数
で回転する。つまり、基板の処理に先立って予備的な基
板の回転が行なわれ、基板の回転状態を種々の計測器に
より測定することができる。

【００１３】

【実施例】次に、本発明に係る回転式基板処理装置の好
適な実施例について、図面に基づき説明する。まず、本
実施例の回転式基板処理装置の概要について、当該装置
の概略斜視図である図１を用いて簡単に説明する。

【００１４】回転式基板処理装置１は、半導体ウエハ等
の基板を回転させこの基板表面にフォトレジスト等を回
転塗布して熱処理するための装置であり、図１に示すよ
うに、基板供給部２と基板処理部３とに大別される。な
お、以下の説明に当たっては、この両者を呼称上明確に
区別するために、前者の基板供給部２を基板授受ユニッ
ト２と称し、基板処理部３をプロセス処理ユニット３と
称することとする。

【００１５】基板授受ユニット２は、基板Ｗを多段に収
納したカセットＣ１ないしＣ４から基板Ｗを取り出して
基板受け渡し位置である基板授受位置Ｐまで移送した
り、この基板授受位置Ｐから基板Ｗを移送して基板の収
納が可能ないずれかのカセット内へ基板Ｗを収納する。
プロセス処理ユニット３は、後述するように基板に所要
の処理液を供給して回転処理を施す回転処理機器を含む
複数の各種処理機器等を備え、これら各処理機器等を駆
動して基板を処理する。

【００１６】次に、上記各ユニットについて説明する。
基板授受ユニット２は、図１に示すように、カセット設
置台４の上面に、基板Ｗを多段に収納した２基のカセッ
トＣ１，Ｃ２と基板未収納の２基のカセットＣ３，Ｃ４
を備える。また、各カセットから基板Ｗを取り出してプ
ロセス処理ユニット３へ供給したり、各カセット内に基
板Ｗを収納したりするための基板移送機器６を、カセッ
トＣ１ないしＣ４の並びに沿った図中矢印Ｄ方向に水平
移動自在に備える。

【００１７】そして、カセット設置台４の前面には、こ
の基板授受ユニット２や後述するプロセス処理ユニット
３に種々の指示を与えるための主操作パネル５が組み込
まれている。この主操作パネル５は、種々の設定や数値
入力を行なうためのキーボード５ａ（図３参照）と、こ
のキーボード５ａからの指示に基づき種々の画面を表示
するディスプレイ５ｂ（図３参照）とを備える。

【００１８】基板移送機器６は、図１に示すように、基
板Ｗをその下面で吸引・吸着する基板吸着アーム７を、
カセットにおける基板Ｗの積み重ね方向に沿って昇降可
能で、且つ、図示するカセット手前の待機位置とカセッ
ト内に進入した取り出し位置との間に渡って図中矢印Ｅ
方向に前後動可能に備える。

【００１９】このため、基板移送機器６を図中矢印Ｄ方
向に水平移動させて所望のカセットの正面まで移動し、
その後、当該カセットにおける所望段の基板収納溝に対
応する高さまでの基板吸着アーム７の上昇，カセット内
への基板吸着アーム７の進入，基板吸着アーム７の僅か
な再上昇，基板吸着アーム７の後退，基板吸着アーム７
の降下を順次行なえば、カセットからの基板Ｗの取り出
しが完了する。また、この逆の手順で基板吸着アーム７
を移動させれば、カセット内への基板Ｗの収納が完了す
る。

【００２０】こうして、カセット内から取り出された基
板は、この基板移送機器６により基板授受位置Ｐに移送
された後、後述するプロセス処理ユニット３付属の基板
搬送機器３７に受け渡され、当該ユニットにおける回転
塗布機器等に、順次、搬送されて処理される。また、処
理が完了した処理済み基板は、基板搬送機器３７により
基板授受位置Ｐに返却された後、基板移送機器６により
所定のカセット内に収納される。

【００２１】基板移送機器６は、上記基板吸着アーム７
のほか、基板吸着アーム７でカセットから取り出した基
板Ｗを水平に支持するために、図示しない３本の支持ピ
ンをその基台９に昇降自在に備える。また、これら各支
持ピンに支持された基板Ｗの中心位置合わせを行なうた
めに、基板Ｗの外径と略同一の曲率となるような配列で
それぞれ突設させた４本の案内ピンを有する位置合わせ
板１０を、基台９の両側に水平往復動自在に備える。よ
って、基台９から上昇した各支持ピンにより基板Ｗが支
持された状態で、各位置合わせ板１０を水平往復動させ
ると、各案内ピンが基板Ｗの外周に当接・離間するた
め、基板Ｗの中心位置合わせが完了する。

【００２２】また、カセット設置台４上面には、処理す
べき基板を収納したカセットであることや基板処理手順
を特定するのに必要な手順番号数値コードやカセット単
位の処理順序等を入力するためカセットコントロールパ
ネル１８（図３参照）が備え付けられている。更に、各
カセット内に収納されている基板Ｗの有無を検出するた
めの基板検出用の光センサ２４（図３参照）が備え付け
られている。この光センサ２４は、光センサ昇降機構２
５（図３参照）によりカセットに沿って上昇する間にお
いて、カセット内における基板有無をカセットにおける
基板収納溝の段数に対応付けて一括して検出する。な
お、基板収納溝の段数との対応付けは、カセットの基板
収納溝と同ピッチのスリットの移動状態に基づいてタイ
ミング検出センサ４２（図３参照）が生成するパルスを
用いて行なわれる。

【００２３】上記した基板授受ユニット２から基板を受
け取りこれを処理するプロセス処理ユニット３は、図１
に示すように、回転する基板表面に処理液（薬液）を滴
下して薄膜を形成する回転塗布機器３１，３２や、回転
塗布機器で処理を行なう前後に基板を熱処理（加熱・冷
却）する熱処理機器３３，３４，３５を備える。更に、
各回転塗布機器３１，３２及び熱処理機器３３，３４，
３５の並びに沿った図中矢印Ａ方向に水平移動自在な基
板搬送機器３７を備える。なお、図示するように、各熱
処理機器は、それぞれ上段に加熱用熱処理機器を、下段
に冷却用熱処理機器をそれぞれ備える。

【００２４】回転塗布機器３１，３２は、３本の処理液
吐出ノズルを有するノズル機構４１，４２を図示する待
機位置から、図中矢印Ｆ方向に昇降自在に、且つ、回転
塗布機器中心に渡って図中矢印Ｇ方向に旋回自在に備え
る。そして、このノズル機構４１，４２を図示する待機
位置から一亘上昇させた後、基板表面近傍の所定の吐出
位置まで移動させていずれかの処理液吐出ノズルから処
理液を吐出する。また、各回転塗布機器３１，３２は、
その前面に、処理液吐出量や処理液種類，基板回転数等
を指定するための後述する各種押しボタンと、種々の文
字列や数値等を表示する表示器等を有する副操作パネル
３１Ａ，３２Ａを備える。

【００２５】この副操作パネルは、通常、プロセス処理
ユニット３の本体内に収納されている。また、主操作パ
ネル５の操作により、回転塗布機器の制御を所定の基板
処理手順に基づいた基板処理モードから、基板処理の開
始に先立ち回転状態などを事前に確認するメンテナンス
モードへモード設定変更が指示されることによって、入
力可能な状態となる。

【００２６】次に、回転塗布機器３１，３２におけるノ
ズル機構４１，４２のノズル先端部周辺の構成につい
て、図２を用いて説明する。なお、この両回転塗布機器
は、その構成がほぼ同一なので、回転塗布機器３１の説
明にとどめる。図２に示すように、載置された基板Ｗを
吸着保持しこれをモータ４３により回転させる回転体４
４の周囲には、基板Ｗを包囲するようチャンバー４５が
設けられている。このチャンバー４５底部には、チャン
バー４５内の空気を強制的に排気する排気管４６と、チ
ャンバー４５底部に溜まった余剰処理液又は使用済み処
理液を排出する排出管４７が連通されている。

【００２７】また、排出管４７下方に、使用済み処理液
を貯留する貯留容器４８を取り出し自在に備えた処理液
回収箱４９を備え、排出管４７から流出した排出処理液
５０を貯留容器４８内に貯留する。処理液回収箱４９に
は、貯留容器４８に貯留された排出処理液５０表面から
の処理液蒸気を排気する処理液蒸気排気管５１が立設さ
れている。なお、モータ４３下部には、その回転数を検
出する回転数センサ４３ａが設けられている。

【００２８】ノズル機構４１の処理液吐出ノズル５２
は、エアーシリンダや旋回モータ等からなるノズル駆動
機器４０（図４参照）によって、処理液蒸気排気管５１
先端開口部にノズル先端が位置する待機位置から図中矢
印Ｆ方向に上昇し、所定の吐出位置（例えば基板中央）
の上方まで図中矢印Ｇ方向に旋回し、その後基板表面近
傍の吐出位置まで降下する。そして、処理液吐出ノズル
５２へ供給される処理液を切り替える切替バルブ５３
（図４参照）の開閉動作により、処理液吐出ノズル５２
に異なった処理液が供給され、基板Ｗに処理液が吐出さ
れる。なお、処理液吐出ノズル５２が待機位置に位置す
る場合には、処理液蒸気排気管５１の内部を上昇する処
理液蒸気がノズル先端部を湿潤するので、ノズル先端部
における処理液変質や処理液固化は生じない。また、処
理液蒸気排気管５１及び切替バルブ５３は、各処理液吐
出ノズル毎に設けられている。

【００２９】これら各回転塗布機器及び熱処理機器は、
後述するメインコントローラ６０から基板処理手順にお
ける処理条件（回転数，温度，使用処理液種類，吐出量
等）のロードを受ける個別の後述するコントローラと、
回転数センサ，温度センサ等を備える。そして、各回転
塗布機器及び熱処理機器は、これらセンサの検出信号と
ロードを受けた後述する基板処理手順における制御指令
値（処理条件）とに基づき、各処理機器付属のコントロ
ーラにより、フィードバック制御されている。

【００３０】図１に示すように、基板搬送機器３７は、
図示しない駆動系により図中矢印Ａ方向に水平移動自在
なステージ３８上面に図中矢印Ｂ方向に旋回自在なヘッ
ド３９を備え、このヘッド３９には、Ｕの字状の基板支
持アーム３７ａ，３７ｂを上下２段に備えて構成され
る。また、この各基板支持アーム３７ａ，３７ｂは、ヘ
ッド３９から出入り自在に構成されている。

【００３１】上記構成のプロセス処理ユニット３は、所
定の基板処理手順における搬送プロセスに基づいて、基
板搬送機器３７を駆動制御して、基板授受ユニット２に
おける基板授受位置Ｐから、上記回転塗布機器といった
複数の処理機器のうちの必要な処理機器に、順次、基板
を搬送する。そして、基板が搬送された回転塗布機器等
にて、当該基板処理手順における処理条件に基づいて基
板を処理し、搬送された各処理機器における処理が完了
した処理済み基板を基板授受位置Ｐに返却する。

【００３２】次に、上記した回転式基板処理装置１にお
ける制御系について、図３，図４に示すブロック図を用
いて説明する。本実施例におけるこの制御系は、回転式
基板処理装置１の全体を統括制御するメインコントロー
ラ６０のほか、そのサブコントローラとして、基板授受
ユニット２を制御する基板授受ユニットコントローラ７
０と、プロセス処理ユニット３を構成する各処理機器ご
とのコントローラである基板搬送機器コントローラ３７
Ａと、各回転塗布機器用の回転塗布機器コントローラ３
１Ｂ，３２Ｂと、各熱処理機器用の熱処理機器コントロ
ーラ３３Ａ，３４Ａ，３５Ａとを備える。

【００３３】メインコントローラ６０は、論理演算を実
行する周知のＣＰＵ６１，ＣＰＵを制御する種々のプロ
グラム等を予め記憶するＲＯＭ６２，種々のデータを一
時的に記憶するＲＡＭ６３等を中心に論理演算回路とし
て構成され、データの書き込み及びデータの保持が随時
可能で後述する多量のデータを予め記憶する記憶ディス
ク６４を内蔵している。

【００３４】そして、このメインコントローラ６０は、
上記ＣＰＵ等とコモンバス６５を介して相互に接続され
た入出力ポート６６により、外部との入出力、例えば、
既述した主操作パネル５や、前記基板授受ユニットコン
トローラ７０，基板搬送機器コントローラ３７Ａ，各処
理機器ごとの各コントローラ３１Ｂ等との間でデータの
転送を行なう。

【００３５】基板授受ユニットコントローラ７０は、光
センサ２４及びタイミング検出センサ４２のほか、基板
移送機器６，カセットコントロールパネル１８，光セン
サ昇降機構２５等と接続されている。そして、これら各
センサやカセットコントロールパネル１８からの信号を
始め、当該コントローラで求めた算術演算データをメイ
ンコントローラ６０に出力する。なお、カセットコント
ロールパネル１８，光センサ２４，タイミング検出セン
サ４２，光センサ昇降機構２５等は、カセット設置台４
の上面における４基のカセットＣ１ないしＣ４のそれぞ
れに備えられており、各々基板授受ユニットコントロー
ラ７０に接続されている。

【００３６】回転塗布機器３１付属の回転塗布機器コン
トローラ３１Ｂは、図４に示すように、上記メインコン
トローラ６０と同様、周知のＣＰＵ３１Ｂ1 ，ＲＯＭ３
１Ｂ2 ，ＲＡＭ３１Ｂ3 等を中心に論理演算回路として
構成されている。そして、入出力ポート３１Ｂ6 には、
既述したメインコントローラ６０，モータ４３，回転数
センサ４３ａ，ノズル駆動機器４０，副操作パネル３１
Ａ，処理液吐出ノズル毎の切替バルブ５３ａ，５３ｂ，
５３ｃのほか、各処理液吐出ノズルに処理液を圧送・供
給するノズル毎の処理液圧送ポンプ５４ａ，５４ｂ，５
４ｃが接続されている。なお、回転塗布機器３２付属の
回転塗布機器コントローラ３２Ｂと、熱処理部付属の熱
処理機器コントローラ３３Ａ，３４Ａ，３５Ａについて
は、その構成が同様なのでその説明を省略する。

【００３７】次に、上記各処理機器を駆動制御するため
の基板処理手順について説明する。基板処理手順は複数
種類存在し、図５に示すように、その各々が、各基板処
理手順を特定するための手順番号数値コードと各処理機
器における制御指令値等とを対応付けて、予め記憶ディ
スク６４に書き込み記憶されている。

【００３８】より詳細に説明すると、図５に示すよう
に、各手順番号数値コードのそれぞれに関して、必要な
処理ステップごとに、各処理ステップにおける工程を表
す工程記号と、その工程を行なう処理機器と、その工程
における処理条件とに関するデータが書き込まれてい
る。

【００３９】つまり、各処理ステップにおける工程記号
の欄の記号は、それぞれの工程名称に相当し、工程記号
ＡＤは処理液塗布前の加熱工程を、ＡＣは処理液塗布前
の冷却工程を、ＳＣは処理液塗布工程を、ＳＢは処理液
塗布後の加熱工程をそれぞれ表す。また、同一の処理ス
テップにおいて複数の処理機器（処理機器１，２…）が
書き込まれている場合（手順番号数値コード０１におけ
る処理ステップ１の加熱用熱処理機器３３ａ，３４ａ）
は、いずれかの処理機器で処理すれば良いことを示す。
ただし、処理機器の数値が小さいほど優先的に使用され
る。例えば、手順番号数値コード０１の場合には、処理
機器１の欄の加熱用熱処理機器３３ａが優先して使用さ
れ、この加熱用熱処理機器３３ａが処理中であるとして
使用できなければ、処理機器２の欄の加熱用熱処理機器
３４ａが使用される。

【００４０】処理ステップ３以外の処理ステップは、工
程記号ＡＤ，ＡＣ，ＳＢ等から判るように処理液塗布前
後の熱処理工程であり、その処理条件欄に記載されてい
るように、該当する処理機器を制御する際の処理温度や
処理時間等の制御指令値を表す数値データを備える。

【００４１】各処理ステップのうち処理ステップ３は、
工程記号ＳＣから判るように回転処理機器を用いた処理
液塗布工程であり、処理液塗布を繰り返し行なうことか
ら、当該処理ステップを更に第１ステップ部分，第２ス
テップ部分…第ｉステップ部分等に区分したデータを有
する。

【００４２】つまり、処理液塗布工程である処理ステッ
プ３は、基板を回転させつつ処理液（薬液）を塗布する
ため、使用する複数種類の処理液の指定，処理回転数，
回転加速度，処理液吐出時間（吐出量）といった数多く
の処理条件（制御指令値）に基づき実行される上に、異
なった処理液を使用する回転処理を繰り返し行なう。こ
のため、条件データが、他の処理より格段に多く、以下
に説明するようなデータ構成を備えことによって、処理
条件のデータが、幾種類か記憶できるように配慮されて
いる。

【００４３】即ち、図６に示すように、処理ステップ３
における第１ステップ部分から第ｉステップ部分（同図
の左端欄に示す）ごとに、回転数ａ1 〜ａi と、プロセ
ス時間と、処理液（薬液）の種類であるケミカルデータ
等の処理条件を示すデータがそれぞれ記憶されている。
なお、プロセス時間の欄におけるプロセス１ないしプロ
セス４の数値（ｂ1 ，ｃ1 ，ｄ1 ，ｅ1 等）は、該当す
る第１ないし第ｉステップの実行に要する時間や処理液
吐出時間（吐出量）などを表し、ケミカルデータの欄に
おけるＣ1 ないしＣ8 は、使用することのできる処理液
（薬液）の種類を表す。また、Ｃ1 ないしＣ8 における
１６，１５，１０等の数値は、処理液を特定する記号で
あり、数値０は、処理液の指定がなされていないことを
意味する。

【００４４】例えば、第１ステップでは、回転数ａ1 で
基板を回転させ、この基板に薬液記号１６，１５，１０
等の薬液を吐出する処理を行ない、第２ステップでは、
回転数ａ2 で基板を回転させて、薬液記号３の薬液のみ
を用いた処理を行なうことになる。つまり、これら条件
に基づいて薬液記号１６，１５，１０等の薬液選択並び
に吐出量等が決定されて、各処理液吐出ノズルへの処理
液の圧送・供給が行なわれ、選択された薬液が基板に向
けて吐出されるのである。このほか、第１ないし第ｉス
テップ部分には、処理液吐出ノズルの移動位置を決定す
るための図示しないデータ（ノズル位置データ）も含ま
れている。

【００４５】このように記憶ディスク６４には、複数種
類の基板処理手順が、膨大な処理条件のデータを含んで
記録されている。そして、ある手順番号数値コード、例
えば「００」の数値コードが指定されると、この時の基
板処理手順は、まず処理液塗布前に加熱用熱処理機器３
３ａにて加熱処理を行ない（処理ステップ１）、次に冷
却用熱処理機器３３ｂにて冷却処理を行ない（処理ステ
ップ２）、引続いて回転塗布機器３２にて処理液塗布処
理を行ない（処理ステップ３）、処理液塗布後の加熱処
理を加熱用熱処理機器３５ａにて行なう（処理ステップ
４）ことになる。処理ステップ５以下についてもデータ
が作成・記憶されていればそれに従って処理されること
は勿論である。

【００４６】このような記憶ディスク６４へのデータの
書き込みは、例えば、主操作パネル５のキーボード５ａ
からのデータ入力や、磁気テープ，フレキシブルディス
ク等の記憶媒体にデータの書き込み・記憶を行なう外部
記憶装置６７（図３参照）からの入出力ポート６６を介
したデータ転送等により行なわれる。

【００４７】また、このように記憶された複数の基板処
理手順のうちからの所望の基板処理手順の選択指示は、
カセットコントロールパネル１８や主操作パネル５のキ
ーボード５ａ等におけるキー操作により実行される。な
お、所望の基板処理手順を選択指示するための上記キー
操作は、手順番号数値コードの数値をキー入力する操作
である。

【００４８】そして、基板処理を開始するに当たって手
順番号数値コードが指定されると、該当する基板処理手
順の各処理ステップにおける処理条件は、メインコント
ローラ６０から該当する処理機器付属のコントローラに
ロードされる。例えば「００」の数値コードが指定され
ると、処理ステップ１及び処理ステップ２における処理
条件は加熱用熱処理機器３３ａ，冷却用熱処理機器３３
ｂを有する熱処理機器３３付属の熱処理機器コントロー
ラ３３Ａにロードされる。同様に、処理ステップ３にお
ける処理条件は回転塗布機器３１付属の回転塗布機器コ
ントローラ３１Ｂにロードされ、処理ステップ４におけ
る処理条件は加熱用熱処理機器３５ａを有する熱処理機
器３５付属の熱処理機器コントローラ３５Ａにロードさ
れる。

【００４９】こうして処理条件のロードを受けた各コン
トローラ３１Ｂ等は、ロードを受けた処理条件である制
御指令値とセンサからの検出信号とに基づき、各処理機
器をフィードバック制御しつつ基板処理を行なう。

【００５０】次に、上記した構成を備える本実施例の回
転式基板処理装置１が行なう回転確認制御（ルーチン）
について、図７のフローチャートに基づき説明する。

【００５１】図７に示すフローチャートは、主操作パネ
ル５におけるモード切替スイッチの操作によりメンテナ
ンスモードが選択される度に、回転塗布機器３１，３２
付属の回転塗布機器コントローラにおいて割り込み実行
される。

【００５２】まず、このメンテナンスモードが選択され
ると、種々のメンテナンスモードのうち基板処理の開始
に先立って基板Ｗを予備的に回転させ基板自体の回転数
を測定する回転数測定モードが選択されたか否かを、主
操作パネル５において所定の押しボタン操作がなされた
か否かによって判断する（ステップ１００，以下単にス
テップをＳと表記する）。例えば、所定の入力が有った
かによって上記判断を行ない、回転数測定モード以外の
メンテナンスの為のモードが選択されれば、選択された
メンテナンスの処理を実施し後述のＳ１４５に移行する
（Ｓ１０２）。一方、回転数測定モードが選択される
と、基板搬送機器３７の移動の様子と回転体４４の回転
の様子とは、即ち基板を搬送する基板搬送機器３７の制
御手順と基板を回転させる回転体４４（モータ４３）の
制御手順とは、基板処理を行なうための基板処理手順に
おける制御手順から後述するように切り替わる。

【００５３】なお、メインコントローラ６０は、図示し
ないメインルーチンにおいて、電源投入後に種々のメン
テナンスに関連する前回の制御パラメータ（後述する基
板回転数や回転数測定モード以外のメンテナンスモード
における処理液吐出時間等）をメンテナンスモードに関
与する回転塗布機器等の各処理機器付属のコントローラ
にロードする。そして、これを受けた各処理機器付属の
コントローラは、種々のメンテナンスモードの実行以前
に、この制御パラメータをＲＡＭの所定領域に記憶す
る。

【００５４】Ｓ１００で、回転数測定モードが選択され
ると、メインコントローラ６０を介して基板搬送機器３
７付属の基板搬送機器コントローラ３７Ａに制御信号を
出力し、基板授受ユニット２の基板授受位置Ｐから基板
Ｗを搬送し回転塗布機器の回転体４４に直接セットする
（Ｓ１１０）。つまり、基板処理手順における制御手順
では基板Ｗは、通常、回転塗布機器３１，３２に搬送さ
れる前に熱処理を行なうよう熱処理機器３３，３４等に
搬送されるが、これら熱処理機器に搬送されることなく
回転塗布機器３１，３２に直接搬送される。なお、基板
授受位置Ｐまで基板Ｗがカセットから移送されていない
場合には、メインコントローラ６０を介して基板授受ユ
ニットコントローラ７０に制御信号を出力し、基板移送
機器６により基板Ｗを基板授受位置Ｐまで移送した後、
上記基板の搬送・セットを行なう。

【００５５】こうして基板の搬送並びにセットが完了す
ると、基板Ｗを予備的に回転させる際の回転数を、メイ
ンコントローラ６０から事前にロードされて記憶した前
回の回転数又は後述するステップにて記憶した前回の回
転数から変更する必要があるか否かを判断する（Ｓ１１
５）。

【００５６】この基板回転数の変更要否の判断は、副操
作パネルの選択スイッチから回転数に相当する数値の入
力がなされたか否かによって行ない、当該数値を指定す
る入力が有れば基板回転数の変更を要すると判断し、入
力された数値を設定回転数としてＲＡＭ３１Ｂ3 の所定
領域に更新して記憶する（Ｓ１２０）。一方、数値の入
力が無ければ、基板回転数の変更は不要であるとしてＳ
１２５に移行する。その後、基板回転を開始する指示が
なされたか否かを、副操作パネルの開始スイッチが押圧
操作されたか否かによって判断し（Ｓ１２５）、開始指
示がなされるまで待機する。つまり、基板回転数の変更
が不要な場合は、数値を指定する入力が省略されて開始
スイッチが押圧操作される。

【００５７】Ｓ１２５で基板回転の開始指示がなされた
と判断すれば、次のようにしてモータ４３に制御信号を
出力して、基板を回転する（Ｓ１３０）。つまり、基板
回転数を前回の基板回転数から変更すると判断した場合
には、Ｓ１２０で更新・記憶した基板回転数で回転体４
４を回転させる制御信号をモータ４３に出力し、一方、
基板回転数を変更しないと判断した場合には、既に記憶
していた前回の基板回転数で回転体４４を回転させる制
御信号をモータ４３に出力し、基板を回転する。

【００５８】なお、この際、Ｓ１１５で入力されＳ１２
０で記憶した設定回転数を副操作パネル付属の数値表示
器に表示する。その後、回転停止の指示がなされたか否
かを、副操作パネルにおいて所定の停止キー操作がなさ
れたか否かによって判断し（Ｓ１３５）、停止キー操作
がなされるまでＳ１３０の処理を繰り返し行なう。つま
り、停止キー操作がなされるまで基板の回転を継続して
実施し、この間にモータ４３付属の回転数センサ４３ａ
とは別個の回転数センサにより基板自体の回転数測定を
可能とする。

【００５９】そして、この別個の回転数センサによる回
転数測定が完了すれば、オペレータにより停止キー操作
がなされるので、これをもってモータ４３の回転を停止
する（Ｓ１４０）。

【００６０】その後、基板処理に先立つ回転数測定モー
ドやこれ以外の種々のメンテナンスモードにおける制御
パラメータ（処理液吐出時間，基板回転数等）をメイン
コントローラ６０に出力し（Ｓ１４５）、本ルーチンを
終了する。なお、メインコントローラ６０は、Ｓ１４５
にて出力を受けた制御パラメータをその都度記憶してお
き、メンテナンスモードに関与する回転塗布機器等の各
処理機器付属のコントローラに改めてロードする。ま
た、モータ停止後に基板Ｗは、基板授受ユニット２の基
板授受位置Ｐに搬送される。

【００６１】以上説明したように本実施例の回転式基板
処理装置１は、主操作パネル５から種々のメンテナンス
モードのうち回転数測定モードが選択されると、基板回
転数の設定を待ち、基板搬送機器３７による回転体４４
への基板搬送並びに基板セットを経て、設定された回転
数で基板を回転させ、基板自体の回転数測定を可能とす
る。

【００６２】この結果、基板回転に関する僅かな条件を
副操作パネルから入力するだけで上記のように基板搬送
・基板回転がなされることになり、基板処理に先立って
行なう予備的な回転確認操作が簡略化され容易となる。

【００６３】しかも、予備的な回転確認に必要な操作を
主操作パネル５から独立した副操作パネル３１Ａ，３２
Ａのみで行なうことができるので、より簡単である。

【００６４】以上本発明の一実施例について説明した
が、本発明はこの様な実施例になんら限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々な
る態様で実施し得ることは勿論である。例えば、上記実
施例では、基板自体の回転数測定をモータ４３付属の回
転数センサ４３ａとは別個の回転数センサにより行なう
よう構成したが、この回転数センサ４３ａにより行なっ
てもよいことは勿論である。

【００６５】また、設定回転数と回転数センサによる検
出回転数との差（誤差）が所定の許容回転数誤差範囲に
あるか否かの判断を付加するよう構成してもよい。この
場合には、上記誤差が許容回転数誤差範囲にあれば制御
指令値どおりの回転数で基板が回転しているとし、許容
回転数誤差範囲外であれば、基板の回転が不良であると
して次のような回転数補正を行なうようにする。つま
り、設定回転数に検出回転数が近づくよう、この両回転
数の誤差を基板処理の際の補正値としてメインコントロ
ーラ６０に出力し、メインコントローラ６０にてこの補
正値を実際の基板処理における回転数に相当する制御信
号を出力する際の学習値として用い、基板処理時の基板
回転制御をいわゆる学習制御により実行する。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の回転式基板
処理装置は、簡略回転条件の僅かな入力操作だけで、基
板を回転機器に直接搬送し、この基板搬送の完了後に、
基板を回転させる回転機器を簡略回転条件の回転数で回
転させる。この結果、本発明の回転式基板処理装置によ
れば、簡単な条件入力操作だけで、従来煩雑であった基
板処理に先立つ予備的な回転確認操作を簡略化すること
ができ、基板の回転状態を事前に種々の計測器により測
定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の回転式基板処理装置１の概略斜視図。

【図２】回転塗布機器における処理液吐出ノズル先端部
周辺の概略構成図。

【図３】回転式基板処理装置１におけるメインコントロ
ーラ６０を中心とした制御系のブロック図。

【図４】本実施例の回転塗布機器における回転塗布機器
コントローラを中心とした制御系のブロック図。

【図５】プロセス処理ユニット３にて基板を回転処理す
る際の基板処理手順を説明するための説明図。

【図６】図５における処理ステップ３の詳細を説明する
ための説明図。

【図７】本実施例の回転塗布機器における回転塗布機器
コントローラが行なう回転確認ルーチンのフローチャー
ト。

【符号の説明】

１ 回転式基板処理装置 ２ 基板授受ユニット ３ プロセス処理ユニット ５ 主操作パネル ３１ 回転塗布機器 ３１Ａ 副操作パネル ３１Ｂ 回転塗布機器コントローラ ３２ 回転塗布機器 ３２Ａ 副操作パネル ３２Ｂ 回転塗布機器コントローラ ４０ ノズル駆動機器 ４１ ノズル機構 ４３ モータ ４４ 回転体 ５２ 処理液吐出ノズル ５３（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ） 切替バルブ ５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ） 処理液圧送ポンプ ６０ メインコントローラ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ カセット Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 憲司 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (72)発明者 森戸 敏之 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (56)参考文献 特開 平２−142113（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を回転させる回転機器と、基板を該
   回転機器に搬送する搬送機器と、基板の処理条件に基づ
   いて前記回転機器及び前記搬送機器を制御する制御手段
   とを有し、基板を回転させてこれを処理する回転式基板
   処理装置であって、前記回転機器の回転数を簡略回転条
   件として入力する簡略回転条件入力手段と、前記制御手
   段による前記搬送機器の制御手順を、前記基板の処理条
   件に基づく制御手順から、前記回転機器に基板を直接搬
   送する制御手順に切り替える搬送制御切り替え手段と、
   前記制御手段による前記回転機器の制御手順を、前記基
   板の処理条件に基づく制御手順から、前記入力された簡
   略回転条件に基づく制御手順に切り替える回転制御切り
   替え手段と、該切り替えられた制御手順による前記回転
   機器の制御を、前記搬送制御切り替え手段により切り替
   えられた制御手順に基づく前記搬送機器の制御完了後に
   実施する回転制御遅延実行手段とを備えたことを特徴と
   する回転式基板処理装置。