CN110349882A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,能够缩短装置的停机时间。基板处理装置(10)具备:处理单元(16),其对晶圆(W)进行处理;罐(102、202),其贮存处理液;处理液供给部(103、203),其将罐内的处理液供给至处理单元;排出部(110、210),其将罐内的处理液排出;补充部(112、212),其将处理液补充至罐;以及控制部(18),其中,控制部构成为执行以下控制:控制处理液供给部并且控制处理单元来实施处理工作;以及当在处理工作的实施期间规定的液更换实施条件成立时,控制排出部并且控制补充部,以使液更换处理与处理工作并行地实施。
Description
技术领域
本公开涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
在专利文献1中记载有一种对旋转的基板供给处理液来对基板进行清洗或蚀刻等处理的装置。在这样的装置中,使用泵等送液机构将罐中贮存的处理液供给至基板。
专利文献1:日本特开2006-269743号公报
发明内容
发明要解决的问题
定期地将罐中贮存的处理液更换为新的处理液(进行液交换)。在此,例如在正实施处理工作的情况下,即使到了液更换定时也不实施液更换处理,直到该处理工作结束为止。即,通常在处理工作完成之后实施液更换处理。在正实施液更换处理的期间不能实施处理工作,因此,由于在完成处理工作之后实施液更换处理而导致装置的停机时间(装置无法实施处理工作的时间)变长。
因此,本公开的目的在于缩短装置的停机时间。
用于解决问题的方案
本公开的一个观点所涉及的基板处理装置具备:基板处理部,其利用处理液对基板进行处理;贮存部,其贮存处理液;处理液供给部,其将贮存部内的处理液供给至基板处理部;排出部,其将贮存部内的处理液排出;补充部,其将处理液补充至贮存部;以及控制部,其中,控制部构成为执行以下控制:控制处理液供给部以向基板处理部供给处理液,并且控制基板处理部以利用处理液对基板进行处理,由此实施处理工作;以及当在处理工作的实施期间规定的液更换实施条件成立时,控制排出部以将贮存部内的处理液排出,并且控制补充部以向贮存部内补充新的处理液,使液更换处理与处理工作并行地实施。
本公开的其它观点所涉及的基板处理方法包括以下工序:第一工序,实施利用处理液对基板进行处理的处理工作;以及第二工序,当在处理工作中规定的液更换实施条件成立的情况下,与处理工作并行地实施液更换处理,该液更换处理是将用于贮存处理液的贮存部内的处理液排出并且向贮存部内补充新的处理液的处理。
发明的效果
根据本公开,能够缩短装置的停机时间。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理系统的俯视图。
图2是表示基板处理系统所包括的基板处理装置的概要结构的图。
图3是表示处理单元的概要结构的图。
图4是表示控制部的功能块的图。
图5是表示处理工作的时间图的一例的图。
图6是用于说明液更换处理过程的流程图。
图7是用于说明其它实施方式所涉及的液更换处理的图。
具体实施方式
以下说明的本公开所涉及的实施方式是用于说明本发明的例示,因此本发明不应限定于以下的内容。在以下的说明中,对相同要素或具有相同功能的要素使用相同标记,并且省略重复的说明。
[基板处理系统的结构]
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。在下文中,为了明确位置关系,规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴,将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示,基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3以邻接的方式设置。
搬入搬出站2具备载体载置部11和搬送部12。在载体载置部11载置有多个载体C,所述多个载体C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆W)以水平状态收纳。
搬送部12与载体载置部11邻接地设置,在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外,基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,该基板搬送装置13使用晶圆保持机构在载体C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外,基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,该基板搬送装置17使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。
处理单元16根据后述的控制装置4的控制部18来对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外,基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机,具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外,所述程序可以是被存储到可由计算机读取的存储介质中并且从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质,例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中,首先,搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于载体载置部11的载体C取出,并将取出的晶圆W载置于交接部14。被载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出并搬入到处理单元16。
被搬入到处理单元16的晶圆W在由处理单元16进行处理之后,被基板搬送装置17从处理单元16搬出并载置于交接部14。然后,被载置于交接部14的处理完成后的晶圆W被基板搬送装置13送回到载体载置部11的载体C。
[基板处理装置的结构]
接着,参照图2~图5来说明基板处理系统1所包括的基板处理装置10的结构。如图2所示,基板处理装置10具有:多个处理单元16(基板处理部),其利用处理液对晶圆W进行处理(进行液处理);供给机构70,其向处理单元16供给处理液;以及控制装置4,其控制以上各部(参照图1和图4。在后文中详细地进行叙述)。
(供给机构)
供给机构70具有第一供给机构71和第二供给机构72。第一供给机构71具有处理液供给部103、排出部110、补充部112、以及贮存第一处理液的罐102(第一贮存部)。第一处理液为被用于晶圆W的液处理的处理液,例如为DHF(Diluted Hydrofluoric acid:稀氢氟酸)。处理液供给部103根据控制装置4的控制部18的控制来将罐102内的第一处理液供给至多个处理单元16。处理液供给部103具有从罐102出发且返回罐102的循环线路104、从循环线路104朝向各处理单元16延伸的分支线路105、以及设置于循环线路104的泵106和过滤器108。分支线路105将在循环线路104中流动的第一处理液供给至对应的处理单元16。在各分支线路105上,能够根据需要来设置流量控制阀等流量调整机构以及过滤器等。泵106形成从罐102出发后通过循环线路104且返回罐102的循环流。过滤器108设置在泵106的下游侧,用于去除处理液中包含的微粒等污染物质。根据需要,还可以在循环线路104上设置辅助设备(例如加热器等)。
排出部110和补充部112为用于进行罐102内的第一处理液的液更换的结构。排出部110根据控制部18的控制将罐102内的第一处理液排出(废弃)。排出部110例如构成为包括用于控制第一处理液向与罐102相连的排液配管的流通的导通和截止的阀(未图示)。补充部112根据控制部18的控制来向罐102补充新的第一处理液。补充部112例如构成为包括补充用处理液罐(未图示)、对来自补充用处理液罐的第一处理液进行加压输送的泵(未图示)、用于控制第一处理液向与罐102相连的供给用配管的流通的导通和截止的阀(未图示)。
第二供给机构72具有处理液供给部203、排出部210、补充部212、以及贮存第二处理液的罐202(第二贮存部)。第二处理液为被用于晶圆W的液处理的处理液,例如为SC1(Standard Clean 1:标准清洁1)。处理液供给部203根据控制部18的控制将罐202内的第二处理液供给至多个处理单元16。处理液供给部203具有从罐202出发且返回罐202的循环线路204、从循环线路204朝向各处理单元16延伸的分支线路205、以及设置于循环线路204的泵206和过滤器208。分支线路205将在循环线路204中流动的第二处理液供给至对应的处理单元16。能够根据需要在各分支线路205上设置流量控制阀等流量调整机构和过滤器等。泵206形成从罐202出发后通过循环线路204且返回罐202的循环流。过滤器208设置于泵206的下游侧,用于去除处理液中包含的微粒等污染物质。根据需要,还可以在循环线路204上设置辅助设备(例如加热器等)。
排出部210和补充部212为用于对罐202内的第二处理液进行液更换的结构。排出部210根据控制部18的控制将罐202内的第二处理液排出。排出部210例如构成为包括用于控制第二处理液向与罐202相连的排液配管的流通的导通和截止的阀(未图示)。补充部212根据控制部18的控制来向罐202补充新的第二处理液。补充部212例如构成为包括补充用处理液罐(未图示)、对来自补充用处理液罐的第二处理液进行加压输送的泵(未图示)、用于控制第二处理液向与罐202相连的供给用配管的流通的导通和截止的阀(未图示)。
此外,设是将DHF用作第一处理液并且将SC1用作第二处理液进行了说明,但不限定于此,关于处理液,能够使用SC2、SPM、BHF或TMAH等。
(处理单元)
如图3所示,处理单元16具有腔室20、基板保持机构30、处理液喷出部40、回收杯50以及供给路径开闭机构60。
在腔室20中收容基板保持机构30、处理液喷出部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit:风机过滤单元)21。FFU 21在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具有保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。支柱部32为沿铅垂方向延伸的构件,该支柱部32的基端部被驱动部33以能够旋转的方式支承,在该支柱部32的前端部将保持部31水平地支承。驱动部33根据控制部18的控制来使支柱部32绕铅垂轴旋转。所述基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使被支柱部32支承的保持部31旋转,由此使被保持部31保持的晶圆W旋转。
回收杯50以包围保持部31的方式配置,用于收集由于保持部31的旋转而从晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51,由回收杯50收集到的处理液从该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外,在回收杯50的底部形成用于将从FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部的排气口52。
处理液喷出部40将从供给机构70供给的处理液供给到晶圆W。处理液喷出部40经由供给路径开闭机构60而与供给机构70连接。处理液喷出部40具有对晶圆W喷出处理液的喷嘴41、支承该喷嘴41的臂42、以及在喷嘴41和臂42各自的内部延伸的供给管43。臂42以根据控制部18的控制例如能够绕铅垂轴旋转并且能够沿铅垂轴进行升降的方式设置。供给管43与供给路径开闭机构60的第二阀64(后述)连接,并且延伸至喷嘴41的喷出口。
供给路径开闭机构60设置于在从各循环线路104、204分支出来的分支线路105、205与处理液喷出部40的供给管43之间设置的供给管90,该供给路径开闭机构60是根据控制部18的控制来切换在供给管90中流动的处理液的机构。通过供给路径开闭机构60来切换在供给管90中流动的处理液,由此向处理液喷出部40供给第一处理液或第二处理液中的任一方。
在将供给管90中的靠分支线路105、205侧设为上游侧、将靠供给管43侧设为下游侧的情况下,供给路径开闭机构60从上游侧起依次具有第一阀61和第二阀64。第一阀61具有第一系统阀61a和第二系统阀61b。第一系统阀61a与从第一处理液的循环线路104分支出来的分支线路105连接。第二系统阀61b与从第二处理液的循环线路204分支出来的分支线路205连接。在供给路径开闭机构60中,根据控制部18的控制使第一系统阀61a和第二系统阀61b中的任一方与供给管90连接。第二阀64与处理液喷出部40的供给管43连接。通过控制部18的控制来使第二阀64打开和关闭,由此使供给管90相对于供给管43打开和关闭。
(控制部)
如图4所示,控制部18包括供给控制部81、基板处理控制部82、判定部83、排出控制部84以及补充控制部85来作为功能模块。
供给控制部81控制处理液供给部103以向多个处理单元16供给第一处理液,并且控制处理液供给部203以向多个处理单元16供给第二处理液。具体地说,供给控制部81控制泵106等,以使罐102的第一处理液经由循环线路104流向与各处理单元16对应的分支线路105。另外,供给控制部81控制泵206等,以使罐202的第一处理液经由循环线路104流向与各处理单元16对应的分支线路105。
基板处理控制部82控制处理单元16以利用第一处理液对晶圆W进行处理,并且控制处理单元16以利用第二处理液对晶圆W进行处理,由此实施处理工作。处理工作为对应被实施共同的处理的一张或多张晶圆W进行的处理。基板处理控制部82基于与基板处理有关的制程信息(未图示)来选择要用于晶圆W的基板处理的一个处理液(向处理液喷出部40供给的处理液)。基板处理控制部82控制供给路径开闭机构60,以向处理液喷出部40供给所选择的处理液。在选择第一处理液的情况下,基板处理控制部82将供给路径开闭机构60的第一系统阀61a打开,以使第一处理液流向与处理液喷出部40相连的供给管90。在选择第二处理液的情况下,基板处理控制部82将供给路径开闭机构60的第二系统阀61b打开,以使第二处理液流向与处理液喷出部40相连的供给管90。并且,基板处理控制部82将供给路径开闭机构60的第二阀64打开,以使在供给管90中流动的处理液流向处理液喷出部40的供给管43。由此,处理液从供给管90流向供给管43,从喷嘴41朝向晶圆W喷出。
基板处理控制部82在晶圆W被保持部31保持的状态(从喷嘴41向晶圆W喷出处理液的状态)下,控制驱动部33以使保持保持部31的支柱部32旋转。另外,基板处理控制部82控制臂42的驱动机构(未图示),以使臂42例如绕铅垂轴旋转并且沿铅垂轴进行升降。
判定部83在处理工作的实施期间判定规定的液更换实施条件是否成立。此处的液更换是指罐102中贮存的第一处理液(或罐202中贮存的第二处理液)的液更换。判定部83对于满足与罐102(或罐202)中贮存的处理液的劣化状态有关的第一条件并且满足与处理工作的实施状况有关的第二条件的处理液,判定为上述的液更换实施条件成立。与处理液的劣化状态有关的第一条件为与对于罐102(或罐202)中贮存的处理液假定的劣化程度有关的条件,例如为从前一次进行液更换起的时间经过、预先设定的指定时刻的经过、或者处理单元16中的处理张数的经过等条件。满足第一条件是指转变为处理液应进行液更换的状态(处理液劣化)。
与处理工作的实施状况有关的第二条件为表示是否为在考虑处理工作的实施状况的基础上能够进行液更换的状态的条件。判定部83例如对于在处理工作中已结束使用的处理液(在处理工作中以后不使用,因此即使进行液更换也没有问题的处理液)判定为满足第二条件。
图5表示处理工作的时间图的一例。在图5中,Spin 1~Spin 10表示十个处理单元16,Wafer 1~Wafer 10表示十个晶圆W,Chemi 1表示利用第一处理液进行的基板处理,Chemi 2表示利用第二处理液进行的基板处理,DIW表示冲洗处理,SpinDry表示旋转干燥处理。此外,也可以在将晶圆W上的DIW置换为IPA之后进行旋转干燥处理。图5表示对十张晶圆W(Wafer 1~Wafer 10)进行的处理工作的时间图。分别在Spin 1~Spin 10中对Wafer 1~Wafer 10进行基板处理。各处理单元16中的处理是相同的,按照利用第一处理液进行的基板处理、冲洗处理、利用第二处理液进行的基板处理、冲洗处理、旋转干燥处理的顺序进行处理。在图5所示的例子中,在时刻t1,开始利用第一处理液对Wafer 1进行基板处理。之后,利用第一处理液依次对Wafer 2~Wafer 10进行基板处理。然后,在时刻t2,结束利用第一处理液对Wafer 10进行的基板处理。在图5所示的处理工作中,Wafer 10为最后利用第一处理液进行了基板处理的晶圆W。因此,判定部83例如通过参照制程信息(未图示),在时刻t2以后对于第一处理液判定为是在处理工作中已结束使用的处理液,满足第二条件。
另外,也可以是,在如上述那样将多个晶圆W设为处理单位来实施处理工作的情况下,当在处理工作的实施期间发生了在对多个晶圆W中的利用处理液最后进行处理的晶圆W进行处理时无法恰当地进行该处理的故障的情况下,判定部83对于该处理液判定为满足第二条件。即,如果为上述的图5的例子,则可以是,例如在利用第一处理液对Wafer 10(最后进行处理的晶圆W)进行基板处理时发生了故障的情况下,即使利用第一处理液对Wafer 10进行的基板处理没有完成,对于第一处理液也判定为满足第二条件。此外,故障包括在处理工作中无法对晶圆W恰当地进行处理的全部的故障,例如存在由于配管堵塞等而无法从喷嘴41恰当地喷出处理液的情况、或者构成模块的设备的一部分未恰当地运转的情况等。在发生了这样的故障的情况下,发出警报,对于与故障有关的晶圆W使冲洗处理干燥。
在由判定部83判定为液更换实施条件成立的情况下,排出控制部84控制排出部110(或排出部210),以将罐102(或罐202)内的第一处理液(或第二处理液)排出。即,在第一处理液的液更换实施条件成立的情况下,排出控制部84控制排出部110的阀(未图示)等,以使罐102内的第一处理液向排液配管排出。另外,在第二处理液的液更换实施条件成立的情况下,排出控制部84控制排出部210的阀(未图示)等,以将罐202内的第二处理液排出到排液配管。
在由排出控制部84对处理液进行排出处理之后,补充控制部85控制补充部112(或补充部212),以向罐102(或罐202)补充新的第一处理液(或第二处理液)。即,补充控制部85控制补充部112的泵和阀(未图示)等,以向罐102补充新的第一处理液。另外,补充控制部85控制补充部212的泵和阀(未图示)等,以向罐202补充新的第二处理液。像这样,在规定的液更换实施条件成立的情况下,控制部18使液更换处理与处理工作并行地实施。
[液更换处理方法]
接着,参照图6来说明与处理工作并行地实施的液更换处理的一例。设是以进行图6的处理为前提在各处理单元16中实施处理工作。在存在多种处理液的情况下,使图6的处理分别单独地进行。在此,对第一处理液的液更换处理进行说明。
首先,控制部18对于作为判定对象的第一处理液判定是否满足第一条件(步骤S1)。第一条件例如是从前一次进行液更换起的时间经过、预先设定的指定时刻的经过、或处理单元16中的处理张数的经过等条件。在步骤S1中判定为不满足第一条件的情况下,在经过规定的时间后再次进行步骤S1的处理(判定)。
另一方面,在步骤S1中判定为满足第一条件的情况下,控制部18对于第一处理液判定是否满足第二条件(步骤S2)。第二条件例如为是否在处理工作中已结束使用等条件。此外,在将多个晶圆W设为处理单位来实施处理工作的情况下,当在处理工作的实施期间发生了在对多个晶圆W中的最后利用第一处理液进行处理的晶圆W进行处理时无法恰当地进行该处理的故障的情况下,对于第一处理液判定为满足第二条件。在步骤S2中判定为不满足第二条件的情况下,在经过规定的时间后再次进行步骤S2的处理(判定)。
另一方面,在步骤S2中判定为满足第二条件的情况下,控制部18判定为规定的液更换实施条件成立,对第一处理液实施液更换处理。具体地说,控制部18通过控制排出部110来将罐102内的第一处理液排出到排液配管,并且通过控制补充部112来向罐102补充第一处理液。
[作用]
如上述的那样,本实施方式所涉及的基板处理装置10具备利用处理液对晶圆W进行处理的处理单元16、贮存处理液的罐102、202、将罐102、202内的处理液供给至处理单元16的处理液供给部103、203、将罐102、202内的处理液排出的排出部110、210、向罐102、202补充处理液的补充部112、212、以及控制部18,控制部18构成为执行以下控制:控制处理液供给部103、203以向处理单元16供给处理液,并且控制处理单元16以利用处理液对晶圆W进行处理,由此实施处理工作;以及当在处理工作的实施期间规定的液更换实施条件成立时,控制排出部110、210以将罐102、202内的处理液排出,并且控制补充部112、212以向罐102、202内补充新的处理液,使液更换处理与处理工作并行地实施。
一般来说,在需要进行液更换的情况下,在处理工作结束之后实施液更换处理。在实施液更换处理的期间无法实施处理工作,因此由于液更换处理的影响导致装置的停机时间(装置无法实施处理工作的时间)变长。关于该点,在本实施方式所涉及的基板处理装置10中,在规定的液更换实施条件成立的情况下,与处理工作并行地实施液更换处理。由此,相比于在处理工作结束之后实施液更换处理的情况,能够缩短装置的停机时间。
另外,在基板处理装置10中,控制部18对于满足与罐102、202中贮存的处理液的劣化状态有关的第一条件并且满足与处理工作的实施状况有关的第二条件的处理液,判定为上述的液更换实施条件成立。关于处理液,例如在从被贮存起经过了规定时间等而劣化的情况下,需要进行更换。因此,通过将满足与处理液的劣化状态有关的条件(第一条件)设为液更换实施条件,能够在应进行液更换的恰当的定时实施液更换处理。另外,通过将满足与处理工作的实施状况有关的条件(第二条件)设为液更换实施条件,能够在考虑处理工作的状况的基础上以不对处理工作(利用处理液进行的基板处理)产生影响的方式实施液更换处理。即,通过将上述的第一条件和第二条件设为液更换实施条件,能够恰当地进行处理工作并且缩短装置的停机时间。
另外,在基板处理装置10中,控制部18对于在处理工作中已结束使用的处理液判定为满足第二条件。由此,对于在处理工作中以后不使用并且即使进行液更换处理也不会对处理工作产生影响的处理液,能够以恰当的定时实施液更换处理。
另外,在基板处理装置10中,控制部18将多个晶圆W设为处理单位来实施处理工作,在当处理工作的实施期间发生了在对多个晶圆W中的最后利用处理液处理进行的晶圆W进行处理时无法恰当地进行该处理的故障的情况下,对于该处理液判定为满足第二条件。通常,在当处理工作的实施期间发生某些故障的情况下,在解决了该故障之后(处理工作中止并恢复之后)实施液更换处理。关于该点,在本实施方式所涉及的基板处理装置10中,在最后进行处理液处理的晶圆W的处理期间发生了故障的情况下,判定为满足第二条件,并且以满足第一条件为条件,即使在处理工作的实施期间也实施液更换处理。最后对晶圆W进行处理所使用的处理液为如下处理液:无论是否发生故障,只要满足第一条件的情况下就应进行更换的处理液。因此,在最后对晶圆W进行的处理中发生了故障的情况下,判定为满足第二条件,不等待恢复,实施液更换处理(详细地说,将满足第一条件设为条件来实施液更换处理),由此能够缩短停机时间。
[其它实施方式]
以上对本公开所涉及的实施方式进行了说明,但可以在本发明的主旨的范围内对上述的实施方式施加各种变更。例如,也可以是,在基板处理装置10中,处理单元16将第一处理液以及与该第一处理液不同的第二处理液作为处理液来对晶圆W进行处理,贮存部具有贮存第一处理液的罐102和贮存第二处理液的罐202,在关于第一处理液的液更换实施条件的成立预定时间与关于第二处理液的液更换实施条件的成立预定时间的差处于为规定时间内的情况下,控制部18控制排出部110、210和补充部112、212,以使罐102中的第一处理液的液更换处理和罐202中的第二处理液的液更换处理并行地实施。
图7是用于说明上述的其它实施方式所涉及的液更换处理的图。在使用两种处理液(第一处理液和第二处理液)的情况下,在至少进行任一方的液更换处理的时间段无法实施处理工作,该时间段成为空闲时间。因此,如图7的(a)所示,在首先开始第一处理液的液更换处理之后例如在第一处理液的液更换处理快要完成之前开始第二处理液的液更换处理的情况下,从第一处理液的液更换处理的开始起至第二处理液的液更换处理的结束为止持续为空闲时间,无法实施处理工作的时间即停机时间变长。关于该点,在上述的其它实施方式所涉及的液更换处理中,如图7的(b)所示那样并行地实施第一处理液的液更换处理和第二处理液的液更换处理。在该情况下,控制部18判定关于第一处理液的液更换实施条件的成立预定时间与关于第二处理液的液更换实施条件的成立预定时间的差是否处于规定时间内,在处于规定时间内的情况下,控制部18控制排出部110、210和补充部112、212以使第一处理液的液更换处理和第二处理液的液更换处理并行地实施。像这样,在第一处理液的液更换实施条件的成立预定时间与第二处理液的液更换实施条件的成立预定时间的差处于规定时间内的情况下,并行地实施双方的液更换处理(将预定为后之实施的液更换处理提前实施),由此能够缩短无法进行处理工作的时间(停机时间)。此外,也可以是,并行地实施双方的液更换处理也可以不是以实施时间完全一致的方式进行双方的液更换处理,只要使任一方的液更换处理的开始时间提早(提前)来使双方的液更换处理的实施时间的至少一部分一致即可。
此外,控制部18也可以在考虑第一处理液和第二处理液中的至少任一方的液更换处理时间(进行液更换处理所需的时间)的基础上来决定是否并行地实施双方的液更换处理(是否提前进行处理)。另外,控制部18也可以在考虑第一处理液和第二处理液中的至少任一方的液更换处理时间的基础上来决定要提前进行的液更换处理的开始时间。
Claims (7)
1.一种基板处理装置,具备:
基板处理部,其利用处理液对基板进行处理;
贮存部,其贮存所述处理液;
处理液供给部,其将所述贮存部内的所述处理液供给至所述基板处理部;
排出部,其将所述贮存部内的所述处理液排出;
补充部,其将所述处理液补充至所述贮存部;以及
控制部,
其中,所述控制部构成为执行以下控制:
控制所述处理液供给部以向所述基板处理部供给所述处理液,并且控制所述基板处理部以利用所述处理液对所述基板进行处理,由此实施处理工作;以及
当在所述处理工作的实施期间规定的液更换实施条件成立时,控制所述排出部以将所述贮存部内的处理液排出,并且控制所述补充部以向所述贮存部内补充新的所述处理液,使液更换处理与所述处理工作并行地实施。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部对于满足与所述贮存部中贮存的所述处理液的劣化状态有关的第一条件并且满足与所述处理工作的实施状况有关的第二条件的所述处理液,判定为所述规定的液更换实施条件成立。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部对于在所述处理工作中已结束使用的所述处理液,判定为满足所述第二条件。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部以多个基板为处理单位来实施所述处理工作,
在所述处理工作的实施期间,在发生了在对所述多个基板中的利用所述处理液最后进行处理的基板的处理中无法恰当地进行该处理的故障的情况下,所述控制部对于该处理液判定为满足所述第二条件。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理部将第一处理液以及与该第一处理液不同的第二处理液作为所述处理液来对所述基板进行处理,
所述贮存部具有贮存所述第一处理液的第一贮存部和贮存所述第二处理液的第二贮存部,
在关于所述第一处理液的所述液更换实施条件的预定成立时间与关于所述第二处理液的所述液更换实施条件的预定成立时间的差异处于规定时间内的情况下,所述控制部控制所述排出部和所述补充部,以使所述第一贮存部中的所述第一处理液的所述液更换处理和所述第二贮存部中的所述第二处理液的所述液更换处理并行地实施。
6.一种基板处理方法,包括以下工序:
第一工序,实施利用处理液对基板进行处理的处理工作;以及
第二工序,当在处理工作中规定的液更换实施条件成立的情况下,与所述处理工作并行地实施液更换处理,该液更换处理是将用于贮存所述处理液的贮存部内的所述处理液排出并且向所述贮存部内补充新的所述处理液的处理。
7.一种计算机可读取的存储介质,存储有用于使装置执行根据权利要求6所述的基板处理方法的程序。
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