CN118263149A - 基板加工装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种基板加工装置和方法。该基板加工装置包括第一干燥单元，该第一干燥单元配置为在其上形成有液膜的基板上使用干燥流体执行第一干燥工艺；第一流体供应单元，该第一流体供应单元配置为将干燥流体供应到第一干燥单元；第二干燥单元，该第二干燥单元配置为在其上执行第一干燥工艺的基板上使用干燥流体执行第二干燥工艺；第二流体供应单元，该第二流体供应单元配置为将干燥流体供应到第二干燥单元；第一门，该第一门配置为控制第一干燥单元的打开和关闭；以及第二门，该第二门配置为控制第二干燥单元的打开和关闭，其中当第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时打开第一门，并且当第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时打开第二门。

Description

基板加工装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并根据35U.S.C.§119要求2022年12月26日提交韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2022-0185008的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种基板加工装置，更具体地，涉及一种包括干燥加工单元的基板加工装置。
背景技术
为了制造半导体设备，所希望的图案通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入以及薄膜沉积的各种工艺形成在基板(诸如，晶圆)上。在各工艺中使用各种加工液体和加工气体，并且在工艺期间会产生颗粒和工艺副产物。为了从基板去除颗粒和工艺副产物，在各工艺之前和之后执行清洁工艺。
在一般的清洁工艺中，基板用化学品和冲洗液来加工，并且然后干燥。作为干燥工艺的实施例，存在用于通过在高速下旋转基板来去除残留在基板上的冲洗液的旋转干燥工艺。然而，如上所述的旋转干燥方法可能会破坏形成在基板上的图案。
因此，最近，超临界干燥工艺已经用于通过向基板上供应诸如异丙醇IPA的有机溶剂、用具有低表面张力的有机溶剂代替残留在基板上的冲洗液，并且然后通过在超临界状态下供应加工液体来去除残留在基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中，将干燥气体供应到具有密封内部的工艺腔室，并且加热和/或加压干燥气体。因此，干燥气体的温度和压力两者都上升至临界点以上，并且干燥气体经历相变到超临界状态。
发明内容
提供了一种具有改善的干燥性能的基板加工装置。
本公开的目的不限于上述描述，并且可以通过下面的描述来理解本公开未提及的其他目的和优点。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开所呈现的实施方案来学习。
根据本公开的一个方面，基板加工装置包括第一干燥单元，该第一干燥单元配置为在其上形成有液膜的基板上使用干燥流体执行第一干燥工艺；第一流体供应单元，该第一流体供应单元配置为将干燥流体供应到第一干燥单元；第二干燥单元，该第二干燥单元配置为在其上执行第一干燥工艺的基板上使用干燥流体执行第二干燥工艺；第二流体供应单元，该第二流体供应单元配置为将干燥流体供应到第二干燥单元；第一门，该第一门配置为控制第一干燥单元的打开和关闭，以及第二门，该第二门配置为控制第二干燥单元的打开和关闭，其中当第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时打开第一门，并且当第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时打开第二门。
根据本公开的另一方面，基板加工装置包括第一干燥单元，该第一干燥单元配置为在其上形成有液膜的基板上使用干燥流体执行第一干燥工艺，第二干燥单元，该第二干燥单元配置为在其上执行第一干燥工艺的基板上使用干燥流体执行第二干燥工艺，等待空间，该等待空间与第一干燥单元和第二干燥单元相邻，第一门，该第一门配置为控制第一干燥单元的打开和关闭，第二门，该第二门配置为控制第二干燥单元的打开和关闭，以及传送装置(transfer apparatus)，该传送装置配置为将在第一干燥单元中在其上执行第一干燥工艺的基板传送到第二干燥单元，其中，当第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时，打开第一门，当第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时，打开第二门，并且第一传送压力低于或等于第二传送压力。
根据本公开的另一方面，基板加工方法包括清洁基板的液体加工操作，将基板传输到干燥加工单元，该干燥加工单元包括第一干燥加工单元和第二干燥加工单元，以及基板上的干燥操作，其中，基板上的干燥操作包括：在第一干燥单元中将压力升压到第一加工压力的第一升压操作；通过使用干燥流体在第一加工压力下在基板上执行第一干燥工艺的第一干燥操作；在第一干燥单元中将压力降低到第一传送压力的第一降压操作；将在其上执行第一干燥工艺的基板从第一干燥单元传送到第二干燥单元的传送操作；在第二干燥单元中将压力升压到第二加工压力的第二升压操作；以及第二干燥操作，在第二干燥操作中在第二加工压力下通过使用干燥流体在其上执行第一干燥工艺的基板上执行第二干燥工艺。
附图说明
从以下结合附图的描述，本公开的某些实施方案的上述和其他方面、特征和优点将更明显，其中：
图1是示意性地示出了根据实施方案的基板加工装置的平面图；
图2是示意性示出了图1的液体加工单元的实施方案的视图；
图3是示意性示出了图1的干燥加工单元的实施方案的视图；
图4和5是示意性地示出了图3的干燥加工单元的一些组件的视图；
图6A至图6C是示出了根据实施方案的操作基板加工装置的一些组件的工艺的视图；
图7是示意性地示出了根据实施方案的基板加工装置执行基板加工工艺的工艺的流程图；
图8A和图8B是示意性地示出了根据实施方案的压力根据基板加工装置的一些组件内的工艺进度的变化的图；以及
图9至图11是示意性地示出了根据一些实施方案的干燥加工单元的一些组件的布置的图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方案，实施方案的实施例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面，本实施方案可以具有不同的形式，并且不应当被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施方案，以解释本说明书的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出项的任何和所有组合。当在元件列表之前时，诸如“至少一个”的表述修改整个元件列表，而不修改列表中的单个元件。
在下文，将参照附图对实施方案进行详细说明，以使本领域的普通技术人员可以容易地实施本发明。本公开可以以各种不同的形式来实施，并不限于本文中描述的实施方式。
为了清楚地描述本公开，将省略与本说明书无关的部分，并且在整个说明书中用相同的附图标记表示相同或相似的组件。
此外，在各种实施方案中，将仅在代表性实施方案中通过使用相同的附图标记来描述具有相同结构的组件，并且在其他实施方案中将仅描述与代表性实施方案不同的组件。
如本文所使用的，当部件被称为与另一部件“连接”时，它可以“直接连接或耦合”到另一部件，或者可以经由中间元件“间接连接或耦合”到另一部件。此外，当部件“包括”组件时，除非另有特别说明，这意味着它可以包括更多的组件，而不是排除其他组件。
除非另有定义，否则本文中使用所有术语(包括技术和科学术语)具有与实施方案所属的技术领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。应进一步理解的是，术语(诸如在常用字典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关技术领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文明确说明，否则不会以理想化或过于正式的含义来解释。
图1是示意性地示出根据实施方案的基板加工装置的平面图。
参考图1，基板加工装置包括索引模块10、加工模块20和控制器30。当从上方观察时，索引模块10和加工模块20沿一个方向布置。下文中，布置索引模块10和加工模块20的方向被称为第一方向X，当从上方观察时，垂直于第一方向X的方向被称为第二方向Y，并且垂直于第一方向X和第二方向Y两者的方向被称为第三方向Z。
索引模块10将基板W从容纳基板W的容器C返回到加工模块20，并将由加工模块20完全加工的基板W容纳到容器C中。索引模块10的纵向方向设置在在第二方向Y中。索引模块10具有装载端口12和索引框架14。基于索引框架14，装载端口12位于加工模块20的相对侧上。将容纳基板W的容器C放置在装载端口12中。可以设置多个装载端口12，并且多个装载端口12可以布置在第二方向Y上。
密闭容器(诸如前开式晶圆盒(front open unified pod,FOUP))可以被用作容器C。可以通过传输单元(transport unit)(未示出)(诸如高架传送机、高架输送机或自动引导车辆)或由工人将容器C放置在装载端口12中。
索引机械手120设置在索引框架14中。具有设置在第二方向Y上的纵向方向的引导轨道140设置在索引框架14中，并且索引机械手120可以设置成在引导轨道140上移动。索引机械手120包括在其上放置基板W的手部122，并且手部122可以设置为向前和向后移动，在第三方向Z上的轴上枢轴以及在第三方向Z上移动。可以设置多个手部122以在竖直方向上彼此隔开，并且手部122可以彼此独立地向前和向后移动。
控制器30可以控制基板加工装置。控制器30可以包括工艺控制器、用户界面、显示器和存储单元，该工艺控制器包括控制基板加工装置的微处理器(计算机)，该用户界面包括供操作员执行命令输入操作等以便管理基板加工装置的键盘，该显示器用于可视化并显示基板加工装置的操作状况等，以及该存储单元存储用于执行在工艺控制器的控制下在基板加工装置中执行的加工的控制程序、或者存储用于根据各种类型的数据和加工条件即(工艺方案)在各组件中执行加工的程序。此外，用户界面和存储单元可以连接到工艺控制器。工艺方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如，CD-ROM或DVD)、或半导体存储器(诸如，闪存)。
加工模块20包括缓冲单元200、传输装置300、液体加工单元400和干燥加工单元500。缓冲单元200提供空间，载入加工模块20中的基板W和从加工模块20中载出的基板W暂时停留在该空间中。液体加工单元400通过将液体供应到基板W来执行液体加工基板W的液体加工工艺。干燥加工单元500执行用于去除残留在基板W上的液体的干燥加工工艺。传输装置300在缓冲单元200、液体加工单元400和干燥加工单元500之间传输基板W。
在一些实施方案中，在液体加工单元400中执行的液体加工工艺可以包括将清洁溶剂和有机溶剂施用到基板W的工艺，并且在干燥加工单元500中执行的干燥加工工艺可以包括去除有机溶剂的工艺。
传输装置300可以具有在第一方向X上设置的纵向方向。缓冲单元200可以布置在索引模块10和传输装置300之间。液体加工单元400和干燥加工单元500可以布置在传输装置300的一侧。液体加工单元400和传输装置300可以布置在第二方向Y上。干燥加工单元500和传输装置300可以布置在第二方向Y上。缓冲单元200可以位于传输装置300的一端。
根据实施例，液体加工单元400可以布置在传输装置300的两侧上，干燥加工单元500可以布置在传输装置300的两侧上，以及液体加工单元400可以布置在比干燥加工单元500更靠近缓冲单元200的位置。在传输装置300的一侧处，液体加工单元400可以分别在第一方向X和第三方向Z上以A×B(其中A和B各自为1或大于1的自然数)的阵列进行设置。另外，在传输装置300的一侧，可以分别在第一方向X和第三方向Z上设置C×D干燥加工单元500(其中C和D各自为1或大于1的自然数)。与上述描述不同，可以仅将液体加工单元400设置在传输装置300的一侧，并且可以仅将干燥加工单元500设置在传输装置300的另一侧。
传输装置300具有传输机械手320。具有设置在第一方向X上的纵向方向的引导轨道324设置在传输装置300中，并且传输机械手320可以设置成在引导轨道324上移动。传输机械手320包括在其上放置基板W的手部322，并且手部322可以设置为向前和向后移动，在第三方向Z上的轴上枢轴以及在第三方向Z上移动。可以设置多个手部322以在竖直方向上彼此隔开，并且手部322可以彼此独立地向前和向后移动。
缓冲单元200包括多个缓冲区220，基板W放置在该缓冲区上。缓冲区220可以布置为在第三方向Z上彼此隔开。缓冲单元200具有敞开的前面和后面。前面是面向索引模块10的面，以及后面是面向传输装置300的面。索引机械手120可以穿过前面接近缓冲单元200，并且传输机械手320可以穿过后面接近缓冲单元200。
图2是示意性示出了图1的液体加工单元400的实施方案的视图。
参照图2，液体加工单元400具有壳体410、杯420、支承单元440、液体供应单元460和升降单元480。
壳体410可以具有内部空间，在该内部空间中加工基板W。壳体410可以具有基本上六面体的形状。例如，壳体410可以具有矩形平行六面体形状。此外，壳体410可以具有形成在其中的开口(未示出)，基板W可通过该开口载入或取出。此外，壳体410可以具有安装在其中的门(未示出)，该门用于选择性地打开和关闭开口。
杯420可以具有带有敞开顶部的圆柱形形状。杯420可以具有加工空间，并且基板W可以在该加工空间中进行液体加工的。支承单元440在加工空间中支承基板W。液体供应单元460将加工液体供应到由支承单元440支承的基板W上。可以提供多种类型的加工液体并将该加工液体顺序地供应到基板W上。升降单元480调节杯420和支承单元440之间的相对高度。
根据实施例，杯420具有多个回收容器422、424和426。每个回收容器422、424和426都具有用于回收用于基板加工的液体的回收空间。每个回收容器422、424和426设置成围绕支承单元440的环形形状。当执行液体加工工艺时，由基板M的旋转而溅射出的加工液体通过回收容器422、424和426的入口422a、424a和426a流入到回收空间中。根据实施例，杯420具有第一回收容器422、第二回收容器424和第三回收容器426。第一回收容器422布置成围绕支承单元440，第二回收容器424布置成围绕第一回收容器422，以及第三回收容器426布置成围绕第二回收容器424。第二入口424a可以位于第一入口422a的上方，且第三入口426a可以位于第二入口424a的上方，液体通过第二入口流入第二回收容器424，液体通过第一入口流入第一回收容器422，且液体通过第三入口流入第三回收容器426。
支承单元440具有支承板442和驱动轴444。支承板442的顶表面可以设置为基本上圆形形状，并且可以具有比基板W更大的直径。用于支承基板W的后表面的支承销442a设置在支承板442的中央部分，并且支承销442a具有顶端，该顶端设置为从支承板442突出，使得基板W与支承板442间隔开一定距离。卡盘销442b设置在支承板442的边缘部分。卡盘销442b设置成从支承板442向上突出并且支承基板W的侧部，使得当基板W旋转时基板W不会从支承单元440分离。驱动轴444通过驱动器446驱动，连接至基板W的底表面的中心，且基于其自身的中心轴旋转支承板442。
根据实施例，液体供应单元460可以包括喷嘴462。喷嘴462可以将加工液体供应给基板W。加工液体可以是化学品、冲洗液或有机溶剂。化学品可以是具有强酸或强碱性质的化学品。而且，冲洗液可以是纯的。此外，该有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。此外，液体供应单元460可以包括多个喷嘴462，并且各个喷嘴462可以供应不同类型的加工液体。例如，一个喷嘴462可以供应化学品，另一个喷嘴462可以供应冲洗液体，以及另一个喷嘴462可以供应有机溶剂。此外，控制器30可以控制液体供应单元460以从另一个喷嘴462向基板W供应冲洗液，并且然后从另一个喷嘴462供应有机溶剂。因此，可以用具有低表面张力的有机溶剂来替代供应到基板W上的冲洗液。
升降单元480在竖直方向上移动杯420。杯420与基板W之间的相对高度通过杯420的竖直运动而改变。因此，由于用于回收加工液体的回收容器422、424和426根据供应至基板W的液体的类型而变化，并且因此可以分离和回收液体。与以上描述不同，杯420可以被固定地安装，并且升降单元480可以在竖直方向上移动支承单元440。
图3是示意性地示出图1的干燥加工单元的实施方案的图。根据实施方案，干燥加工单元500可以通过使用处于超临界状态的干燥流体去除残留在基板上的加工液体。例如，干燥加工单元500可以通过使用处于超临界状态的二氧化碳CO2来执行去除残留在基板上的有机溶剂的干燥加工工艺。
在一些实施方案中，干燥加工单元500可以包括沿第一方向X布置的第一干燥单元501和第二干燥单元502。尽管未示出，但是第一干燥单元501和第二干燥单元502可以布置在第一方向X上，并且可以在第一方向X上彼此相邻。
在一些实施方案中，干燥加工单元500可以包括邻近在第一干燥单元501和第二干燥单元502布置的等待空间590。在一些实施方案中，等待空间590可以布置在第一干燥单元501和第二干燥单元502之间。例如，等待空间590可以在第一干燥单元501和第二干燥单元502之间、沿第一方向X与第一干燥单元501和第二干燥单元502布置成一排。在一些实施方案中，干燥加工单元500可以包括布置在等待空间590中的传送装置580。传送装置580可以将在第一干燥单元501中在其上完成第一干燥工艺的基板传送到第二干燥单元502。下面将给出其详细的描述。
在一些实施方案中，干燥加工单元500可以包括布置在第一干燥单元501一侧上的第一门516和布置在第二干燥单元502一侧上的第二门517。在一些实施方案中，第一门516可以布置在第一干燥单元501的靠近等待空间590的一侧上，并且第一门516可以协调第一干燥单元501和等待空间590之间的基板的传送。在一些实施方案中，第二门517可以布置在第二干燥单元502的靠近等待空间590的一侧上，并且第二门517可以协调第二门517和等待空间590之间的基板的传送。下面将给出其详细的描述。
在一些实施方案中，可以包括用于控制干燥加工单元500的干燥加工控制器570。例如，干燥加工控制器570可以控制第一干燥单元501和第二干燥单元502。例如，干燥加工控制器570可以控制第一门516和第二门517。在一些实施方案中，干燥加工控制器570可以分别控制用于控制第一干燥单元501和第二干燥单元502的独立控制器。例如，干燥加工控制器570可以控制图4的用于控制第一干燥单元501的第一控制器571和/或图5的用于控制第二干燥单元502的第二控制器572。干燥加工控制器570可以包括用于控制第一干燥单元501的第一控制器571和/或用于控制第二干燥单元502的第二控制器572。
图4和图5是示意性地示出图3的干燥加工单元500的一些组件的视图。具体地说，图4是示意性地示出第一干燥单元501的组件的视图。具体地说，图5是示意性地示出第二干燥单元502的组件的视图。
参照图4，第一干燥单元501可以包括第一本体510、第一门516、第一加热单元520、第一流体供应单元530、第一流体排出单元550和第一提升单元560。第一本体510可以具有第一内部空间518，在该第一内部空间518中加工在其上形成有液膜的基板W1。第一本体510可以提供第一内部空间518，在该内部空间中在其上形成有液膜的基板W1通过处于超临界状态的第一干燥流体G1干燥来加工。
在一些实施方案中，第一本体510可以包括第一上本体512和第一下本体514。第一上本体512和第一下本体514可以彼此结合以形成第一内部空间518。基板W1可以支承在第一内部空间518中。例如，基板W1可以由支承单元(未示出)支承在第一内部空间518中。支承单元可以配置为支承基板W1的边缘区域的底表面。第一上本体512和第一下本体514中的任何一个可以联接到第一升降单元560并且可以在竖直方向上移动。例如，第一下本体514可以联接至第一升降单元560并且可以通过第一升降单元560在竖直方向上移动。因此，可以选择性地密封第一本体510的第一内部空间518。在上述实施例中，第一下本体514联接至第一升降单元560并且在竖直方向上移动，但不限于此。例如，第一上本体512也可以联接至第一升降单元560以在竖直方向上移动。
在一些实施方案中，第一门516可以布置在第一本体510的一侧壁上，以打开和关闭第一干燥单元501。具体地，第一门516可以布置在第一本体510的一侧壁上，以打开和关闭第一本体510。第一门516可以在第一干燥单元501中执行第一干燥工艺时关闭，并且然后在第一干燥工艺完成时打开。例如，第一门516可以在第一干燥单元501中执行第一干燥工艺时关闭，并且然后当第一本体510的第一内部空间518的压力达到一定压力时打开。例如，当第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一传送压力时可以打开第一门516。在一些实施方案中，第一门516可以包括滑动门。例如，第一门516可以包括竖直或水平打开和关闭的滑动门。在一些实施方案中，可以通过第一门516传送在其上执行第一干燥工艺的基板W2。例如，可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2通过第一门516传送到参照图3描述的等待空间590。
在一些实施方式中，第一加热单元520可以加热供应到第一内部空间518的干燥流体G1。例如，第一加热单元520可以通过提高第一本体510的第一内部空间518的温度来将供应到第一内部空间518的第一干燥流体G1相变到超临界状态。或者，第一加热单元520可以通过提高第一本体510的第一内部空间518的温度来允许将供应到第一内部空间518的处于超临界状态的第一干燥流体G1保持超临界状态。
此外，第一加热单元520可以埋入第一本体510中。例如，第一加热单元520可以埋入第一上本体512和第一下本体514中的任何一者中。例如，第一加热单元520可以设置在第一下本体514内。然而，第一加热单元520不限于此，并且第一加热单元520可以设置在能够提高第一内部空间518的温度的各种位置。此外，第一加热单元520可以是加热器。然而，第一加热单元520不限于此，可以被不同地修改为能够提高第一内部空间518的温度的已知装置。
在一些实施方案中，第一流体供应单元530可以向第一本体510的第一内部空间518供应第一干燥流体G1。由第一流体供应单元530供应的第一干燥流体G1可以包括二氧化碳CO2。第一流体供应单元530可以包括第一流体供应源531、第一供应管线533以及第一供应阀535。
第一流体供应源531可以储存和/或供应供应至第一本体510的第一内部空间518的第一干燥流体G1。第一流体供应源531可以将第一干燥流体G1供应到第一供应管线533。例如，第一供应阀535可以安装在第一供应管线533上。第一供应阀535可以是开/闭阀。当第一供应阀535开启/关闭时，第一干燥流体G1可以选择性地流过第一供应管线533。
在上述实施例中，第一供应管线533连接到一个第一流体供应源531，但不限于此。例如，可以设置多个第一流体供应源531和多个第一供应管线533，第一供应管线533中的任一个可以连接到多个流体供应源531中的任一个，并且第一供应管线533中的另一个可以连接到多个流体供应源531中的另一个。
在一些实施方式中，第一供应管线533可以是用于从第一本体510的第一内部空间518的上方供应第一干燥流体G1的上供应管线。例如，第一供应管线533可以在从顶部至底部的方向上向第一本体510的第一内部空间518供应第一干燥流体G1。例如，第一供应管线533可以连接至第一上本体512。在一些实施方案中，第一供应管线533可以是用于在第一本体510的第一内部空间518的下方供应第一干燥流体G1的下供应管线。例如，第一供应管线533可以在从低部至顶部的方向上向第一本体510的第一内部空间518供应第一干燥流体G1。例如，第一供应管线533可以连接至第一下本体514。虽然未示出，但可以设置多个第一供应管线533，多个第一供应管线533中的任一个可以是上供应管线，并且另一个可以是下供应管线。
在一些实施方案中，第一流体供应单元530可以控制第一本体510的第一内部空间518的压力。例如，第一流体供应单元530可以通过将第一干燥流体G1供应到第一本体510的第一内部空间518来升高第一本体510的第一内部空间518的压力。例如，第一流体供应单元530可以通过控制第一干燥流体G1的供应来维持第一本体510的第一内部空间518的压力。
在一些实施方案中，第一流体排出单元550可以将干燥流体G1从第一本体510的第一内部空间518排出。第一流体排出单元550可以包括例如第一排出管线551、第一流动管线553和/或第一排气管线555。第一流体排出单元550的组件不限于此。
在一些实施方式中，第一排出管线551可以连接至第一本体510。第一排出管线551可以将供应至第一本体510的第一内部空间518的第一干燥流体G1排出至第一本体510的外部。例如，第一排出管线551的一端可以连接至第一本体510。第一排出管线551的一端可以连接至第一上本体512或第一下本体514中的任一个。例如，第一排出管线551的一端可以连接至第一下本体514。此外，第一排出管线551的另一端可以被分支。例如，从第一排出管线551分支的管线可以包括第一流送管线553和第一排气管线555。
在一些实施方式中，第一流动管线553可以从第一排出管线551的另一端分支。第一流动管线553可以具有安装在其上的第一排出阀553a和第一压力控制器553b。第一排出阀553a可以安装在第一压力控制器553b的上游。第一排出阀553a可以是开/关阀。第一排出阀553a可以允许第一干燥流体G1选择性地流动通过第一排出管线551。
此外，第一压力控制器553b可以将第一本体510的第一内部空间518的压力维持在恒定设定压力。例如，第一压力控制器553b可以测量流动通过第一排出管线551的第一干燥流体G1的压力。此外，第一压力控制器553b可以基于流动通过第一排出管线551的第一干燥流体G1的压力来测量第一本体510的第一内部空间518的压力。例如，第一压力控制器553b可以控制通过第一流动管线553排出的每单位时间的第一干燥流体G1的排出流量，以将第一本体510的第一内部空间518的压力维持在设定压力。
在一些实施方案中，第一排气管线555可以从第一排出管线551的另一端分支。第一排气管线555可以降低第一本体510的第一内部空间518的压力。第一排气管线555可以具有安装在其上的第二排出阀555a和第一排气管线孔555b。第二排出阀555a可以安装在第一排气管线孔555b的上游。第二排出阀555a可以是开/关阀。
如本实施方案所示，第一本体510的第一内部空间518的压力由第一流动管线553和第一排气管线555维持和降低，但不限于此，并且可以仅由第一排气管线555控制。换言之，第一本体510的第一内部空间518的压力可以仅通过第一排气管线555来维持和降低。
在一些实施方案中，还可以包括用于控制第一干燥单元501的第一控制器571。第一控制器571可以是参照图3描述的干燥加工控制器570的一部分。具体地，第一控制器571可以控制第一干燥单元501的第一本体510的第一内部空间518的压力。更详细地，第一控制器571可以将第一干燥单元501的第一本体510的第一内部空间518的压力升高、维持或降低到设定压力。例如，第一控制器571可以控制第一流体供应单元530和/或第一流体排出单元550，以将第一干燥单元501的第一本体510的第一内部空间518的压力升高、维持或降低到设定压力。具体地，当第一干燥单元501中的第一干燥工艺完成时，第一控制器571可以控制第一门516以打开第一门516。例如，当第一干燥单元501的第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一传送压力时，第一控制器571可以打开第一门516。
参照图5，第二干燥单元502可以包括与参照图4描述的第一干燥单元501的组件类似的组件。例如，第二干燥单元502可以包括第二本体511、第二门517、第二加热单元521、第二流体供应单元532、第二流体排出单元552和第二升降单元561。
在一些实施方案中，第二本体511可以具有第二内部空间519，在该第二内部空间中加工在其上执行第一干燥工艺的基板W2。第二本体511可以提供第二内部空间519，在该第二内部空间中，通过处于超临界状态的第二干燥流体G2干燥加工在其上执行第一干燥工艺的基板W2。
在一些实施方案中，第二本体511可以包括第二上本体513和第二下本体515。第二上本体513和第二下本体515可以彼此结合以形成第二内部空间519。第二上本体513和第二下本体515中的任何一个可以联接到第二升降单元561并且可以在竖直方向上移动。
在一些实施方案中，第二门517可以布置在第二本体511的一个侧壁上，以打开和关闭第二干燥单元502。具体地，第二门517可以布置在第二本体511的一个侧壁上，以打开和关闭第二本体511。第二门517可以在第一干燥单元501中执行第一干燥工艺时关闭，并且然后在第一干燥工艺完成时打开。例如，当在第一干燥单元501内执行第一干燥工艺时，可以关闭第二门517，并且当第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二传送压力时，可以打开第二门517。在一些实施方案中，第二门517可以包括滑动门。例如，第二门517可以包括竖直或水平打开和关闭的滑动门。在一些实施方案中，可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2传送通过第二门517。例如，在其上执行第一干燥工艺的基板W2可以从等待空间590通过第二门517传送到第二干燥单元502。
在一些实施方案中，第二加热单元521可以加热供应到第二内部空间519的第二干燥流体G2。
在一些实施方式中，第二流体供应单元532可以向第二本体511的第二内部空间519供应第二干燥流体G2。由第二流体供应单元532供应的第二干燥流体G2可以包括二氧化碳(CO2)。第二流体供应单元532可以包括第二流体供应源534、第二供应管线536和第二供应阀538。
在一些实施方案中，第二流体供应单元532可以控制第二本体511的第二内部空间519的压力。例如，第二流体供应单元532可以通过将第二干燥流体G2供应到第二本体511的第二内部空间519来升高第二本体511的第二内部空间519的压力。例如，第二流体供应单元532可以通过调节第二干燥流体G2的供应来维持第二本体511的第二内部空间519的压力。
在一些实施方案中，第二流体排出单元552可以从第二本体511的第二内部空间519排出第二干燥流体G2。第二流体排出单元552可以包括例如第二排出管线554、第二流动管线556和/或第二排气管线558。第二流体排出单元552的组件不限于此。
在一些实施方案中，第二流体排出单元552可以控制第二本体511的第二内部空间519的压力。例如，第二流体供应单元532可以通过从第二本体511的第二内部空间519排出第二干燥流体G2来降低第二本体511的第二内部空间519的压力。例如，第二流体排出单元552可以通过控制第二干燥流体G2的排出来维持第二本体511的第二内部空间519的压力。
在一些实施方案中，还可以包括用于控制第二干燥单元502的第二控制器572。第二控制器572可以是参照图3描述的干燥加工控制器570的一部分。具体地，第二控制器572可以控制第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力。更详细地，第二控制器572可以将第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力升高、维持或降低到设定压力。例如，第二控制器572可以控制第二流体供应单元532和/或第二流体排出单元552，以将第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力升高、维持或降低到设定压力。具体地，当第二干燥单元502中的第二干燥工艺完成时，第二控制器572可以控制第二门517以打开第二门517。例如，当第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二传送压力时，第二控制器572可以打开第二门517。
如这里所示，第一控制器571控制第一干燥单元501，并且第二控制器572控制第二干燥单元502，但是一个控制器可以控制第一干燥单元501和第二干燥单元502两者。
根据实施方案，图6A至图6C是示出了根据实施方案的操作基板加工装置的工艺的视图。
参照图6A至图6C的情况下，干燥加工单元500可以在基板上执行干燥工艺。具体地，干燥工艺可以包括在第一干燥单元501中执行的第一干燥工艺和在第二干燥单元502中执行的第二干燥工艺。
在一些实施方案中，第一干燥单元501可以在基板W1上执行第一干燥工艺。具体地，第一干燥单元501可以在在其上形成有液膜的基板W1上执行第一干燥工艺。第一干燥工艺可以使用第一干燥流体G1。在一些实施方案中，第一干燥流体G1可以是处于超临界状态的干燥流体。例如，第一干燥流体G1可以是处于超临界状态的二氧化碳(CO2)。
在一些实施方案中，传送装置580可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2传送到第二干燥单元502。具体地，传送装置580可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2传送到等待空间590，并且然后可以将基板W2传送到第二干燥单元502。
具体地，当第一干燥工艺完成时，可以打开第一干燥单元501的第一门516。例如，当第一干燥工艺完成时，第一控制器571可以打开第一门516。例如，在第一干燥工艺完成后，当第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一传送压力时，第一控制器571可以打开第一门516。在一些实施方案中，当打开第一门516时，传送装置580可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2传送到等待空间590。
随后，可以打开第二干燥单元502的第二门517。具体地，当第一干燥工艺完成时，第二控制器572可以打开第二门517。例如，在第一干燥工艺完成后，当第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二传送压力时，第二控制器572可以打开第二门517。在一些实施方案中，当打开第二门517时，传送装置580可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2从等待空间590传送到第二干燥单元502。
在一些实施方案中，第二干燥单元502可以在其上执行第一干燥工艺的基板W2上执行第二干燥工艺。具体地，第二干燥工艺可以使用第二干燥流体G2。在一些实施方案中，第二干燥流体G2可以是处于超临界状态的干燥流体。例如，第二干燥流体G2可以是处于超临界状态的二氧化碳CO2。换言之，第一干燥流体G1和第二干燥流体G2可以包括相同的干燥流体。
在一些实施方案中，在其中执行第二干燥工艺的第二干燥单元502内的第二干燥流体G2的浓度可以高于在其中执行第一干燥工艺的第一干燥单元501内的第一干燥流体G1的浓度。第一干燥流体G1和第二干燥单元G2的浓度之间的差异可能是以下原因引起的，即，在其上执行第一干燥工艺的基板W2经受在第二干燥单元502中执行的第二干燥工艺，并且因此去除了施加在基板W2上的有机溶剂的一部分，而不是施加在基板W1上的、经历了在第一干燥单元501中执行的第一干燥工艺的有机溶剂。因此，可以在第一干燥单元501内执行第一干燥工艺，并且可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2传送到第二干燥单元502，该第二干燥单元包括更高浓度的干燥流体，并且可以在第二干燥单元中执行第二干燥工艺以提高干燥加工单元500的干燥性能。此外，可以通过使用高浓度的干燥流体来执行第二干燥工艺，并且因此可以减少执行整个干燥工艺所花费的时间。换言之，根据实施方案，可以提供包括具有改善的干燥性能的干燥加工单元500的基板加工装置。
图7是示意性地示出了根据实施方案的基板加工装置执行基板加工工艺的工艺的流程图。图8A和8B是示意性地示出了根据实施方案的压力根据基板加工装置的一些组件内的工艺进度的变化的图。具体地说，图8A是示出了压力根据基板加工装置的干燥加工单元500的第一干燥单元501内的工艺进度的变化的图，以及图8B是示出了压力根据基板加工装置的干燥加工单元500的第二干燥单元502内的工艺进度的变化的图。在下文中，将一起参照图1至5给出描述。
参照图7，液体加工操作S10可以在液体加工单元400中执行。液体加工操作S10可以包括清洁基板W的工艺。例如，液体加工操作S10可以包括将清洁溶剂和有机溶剂施用到基板W的工艺。清洁溶剂可以包括化学品和冲洗液。有机溶剂可以包括具有低表面张力的有机溶剂。有机溶剂可以用于执行去除清洁溶剂的工艺。例如，有机溶剂可以包括异丙醇(IPA)。
在液体加工单元400中，可以在在其上执行液体加工操作的基板W1上形成液膜。换言之，有机溶剂可以在基板W1上形成液膜。
连续参照图7，传输装置300可以执行将基板W1传输到干燥加工单元500的传输操作S20。具体地，传输装置300可以执行将在其上形成有液膜的基板W1传输到干燥加工单元500的操作。例如，传输装置300可以将施加了有机溶剂的基板W1传输到干燥加工单元500。
连续参照图7，干燥加工单元500可以在基板W1上执行干燥操作S30。例如，干燥加工单元500可以在施加了有机溶剂的基板W1上执行干燥加工工艺。例如，如参照图3至5所述，可以在基板W1上执行第一干燥单元501和第二干燥单元502中的干燥加工工艺。
一起参照图7、图8A和图8B，干燥操作S30可以包括在第一干燥单元501中将压力升高到第一加工压力PP1的第一升压操作S31。具体地，可以执行将第一本体510的第一内部空间518的压力升高到第一加工压力PP1的第一升压操作S31。在一些实施方案中，可以在将基板W1传输到第一干燥单元501之后执行第一升压操作S31。换言之，可以在将在其上形成有液膜的基板W1布置在第一干燥单元501中的情况下执行第一升压操作S31。第一加工压力PP1可以是例如约120巴至约150巴。
在一些实施方案中，可以由第一流体供应单元530执行第一升压操作S31。具体地，可以由第一流体供应单元530供应第一干燥流体G1，以增加第一本体510的第一内部空间518的压力。更具体地，可以由第一流体供应单元530供应第一干燥流体G1，直到第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一加工压力PP1。
在一些实施方案中，可以由第一控制器571控制第一升压操作S31。具体地，第一控制器571可以控制第一流体供应单元530以将第一干燥流体G1供应到第一本体510的第一内部空间518。
连续参照图7、图8A和图8B，当第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一加工压力PP1时，可以执行第一干燥操作S32。第一干燥操作S32可以包括第一干燥操作。在一些实施方案中，当第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一加工压力PP1时，可以维持第一本体510的第一内部空间518的压力。在一些实施方案中，第一流体供应单元530和/或第一流体排出单元550可以将第一本体510的第一内部空间518的压力维持在第一加工压力PP1。
连续参照图7、图8A和图8B，可以在第一干燥单元501内执行将压力降低到第一传送压力Ptr1的降压操作S33。在一些实施方案中，可以在第一干燥工艺完成之后执行第一干燥单元501内的降压操作S33。
在一些实施方案中，可以由第一流体排出单元550执行第一干燥单元501内的降压操作S33。具体地，第一干燥流体G1可以通过第一流体排出单元550排出，并且因此降低第一本体510的第一内部空间518的压力。具体地，可以由第一流体排出单元550排出第一干燥流体G1，直到第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一传送压力Ptr1。
在一些实施方案中，可以通过第一控制器571控制第一干燥单元501内的降压操作S33。具体地，第一控制器571可以控制第一流体排出单元550以排出第一干燥流体G1。
连续参照图7、图8A和图8B，可以在传送时间Ttr对基板W2执行传送操作。具体地，当第一本体510的第一内部空间518的压力达到第一传送压力Ptr1时，可以打开第一干燥单元501的第一门516。当打开第一门516时，传送装置580可以将基板W2传送到等待空间590。当第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二传送压力Ptr2时，可以打开第二门517。当打开第二门517时，传送装置580可以将基板W2传送到第二干燥单元502。
在一些实施方案中，可以由时间来确定传送时间Ttr。在一些实施方案中，可以根据第一干燥单元501的第一本体510的第一内部空间518的压力是否达到第一传送压力Ptr1来确定传送时间Ttr。在一些实施方案中，可以根据第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力是否达到第二传送压力Ptr2来确定传送时间Ttr。
在一些实施方案中，可以将第二干燥单元502的第二本体511的第二内部空间519的压力升高到第二传送压力Ptr2。例如，可以在第一干燥单元501内的基板W1上执行第一干燥工艺的情况下执行升压操作。例如，当第一干燥工艺完成时，可以执行升压操作。
在一些实施方案中，当打开第一干燥单元501的第一门516时，第一干燥单元501内的压力可以是第一传送压力Ptr1。在一些实施方案中，当打开第一干燥单元501的第一门516时，等待空间590的压力可以大于或等于第一传送压力Ptr1。因此，由于压力差，杂质(诸如在第一干燥单元501内干燥和移除的有机溶剂)可能不会移动到等待空间590。
在一些实施方案中，当打开第二干燥单元502的第二门517时，第二干燥单元502内的压力可以是第二传送压力Ptr2。在一些实施方案中，当打开第二干燥单元502的第二门517时，等待空间590的压力可以小于或等于第二传送压力Ptr2。因此，由于压力差，可能存在于等待空间590中的杂质可能不会移动到第二干燥单元502中。
在一些实施方案中，第二传送压力Ptr2可以大于或等于第一传送压力Ptr1。在一些实施方案中，等待空间590的压力可以保持恒定。在一些实施方案中，等待空间590的压力可以在大于或等于第一传送压力Ptr1且小于或等于第二传送压力Ptr2的压力下维持恒定。在一些实施方案中，等待空间590的压力可以维持在大于或等于第一传送压力Ptr1且小于或等于第二传送压力Ptr2的压力。第一传送压力Ptr1和第二传送压力Ptr2中的每个可以是例如大于或等于约80巴或/和小于约120巴。
连续参照图7、图8A和图8B，可以执行在第二干燥单元502中将压力升高到第二加工压力PP2的第二升压操作S35。具体地，可以执行将第二本体511的第二内部空间519的压力升高到第二加工压力PP2的第二升压操作S35。在一些实施方案中，可以在将基板W2传送到第二干燥单元502之后执行第二升压操作S35。换言之，可以在将在其上执行第一干燥工艺的基板W2布置在第二干燥单元502中的情况下执行第二升压操作S35。第二加工压力PP2可以是例如，约120巴至约150巴。
在一些实施方案中，可以由第二流体供应单元522执行第二升压操作S35。具体地，当由第二流体供应单元532供应第二干燥流体G2时，第二本体511的第二内部空间519的压力可能增加。更具体地，可以由第二流体供应单元532供应第二干燥流体G2，直到第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二加工压力PP2。
在一些实施方案中，可以由第二控制器572控制第二升压操作S35。具体地，第二控制器572可以控制第二流体供应单元532以将第二干燥流体G2供应到第二本体511的第二内部空间519。
连续参照图7和图8，当第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二加工压力PP2时，可以执行第二干燥操作S36。第二干燥操作S36可以包括第二干燥工艺。在一些实施方案中，当第二本体511的第二内部空间519的压力达到第二加工压力PP2时，可以维持第二本体511的第二内部空间519的压力。在一些实施方案中，第二流体供应单元532和/或第二流体排出单元552可以将第二本体511的第二内部空间519的压力维持在第二加工压力PP2。
随后，可以降低第二本体511的第二内部空间519的压力，并且可以从干燥加工单元500取出基板。
图9至图11是示意性地示出了根据一些实施方案的干燥加工单元的一些组件的布置的视图。
参照图9，干燥加工单元500A可以包括沿第二方向Y布置的第一干燥单元501和第二干燥单元502。干燥加工单元500A进一步可以包括等待空间590，该等待空间在与第一干燥单元501和第二干燥单元502相同的方向的第一方向X上与各第一干燥单元和第二干燥单元502相邻。换言之，等待空间590可以不布置在第一干燥单元501和第二干燥单元502之间。
参照图10，干燥加工单元500B可以包括在第二方向Y上布置的多个干燥单元。具体地，干燥加工单元500B可以包括沿第二方向Y布置的第一干燥单元501至第四干燥单元504。第三干燥单元503和第四干燥单元504可以包括与参照图4描述的第一干燥单元501类似的组件。等待空间590可以布置在第一干燥单元501到第四干燥单元504的一侧，并且可以在与第一干燥单元501到第四干燥单元504相同的方向上的第一方向X上与第一干燥单元501到第四干燥单元504中的每个相邻。
在一些实施方案中，第三干燥单元503可以在第二干燥工艺之后执行第三干燥工艺。具体地，第三干燥单元503可以通过接收在第二干燥单元502中在其上执行第二干燥工艺的基板来执行第三干燥工艺。第三干燥工艺可以使用第三干燥流体。第三干燥流体可以包括二氧化碳(CO2)。
在一些实施方案中，第四干燥单元504可以在第三干燥工艺之后执行第四干燥工艺。具体地，第四干燥单元504可以通过接收在第三干燥单元503中在其上执行第三干燥工艺的基板来执行第四干燥工艺。第四干燥工艺可以使用第四干燥流体。第四干燥流体可以包括二氧化碳(CO2)。
在一些实施方案中，传送装置580可以在第一干燥单元501至第四干燥单元504之间传送基板。具体地，传送装置580可以将在其上执行第一干燥工艺的基板W2从第一干燥单元501传送到第二干燥单元502。更详细地，传送装置580可以将在第二干燥单元502中在其上执行第二干燥工艺的基板传送到第三干燥单元503。更详细地，传送装置580可以将在第三干燥单元503中在其上执行第三干燥工艺的基板传送到第四干燥单元504。
参照图11，干燥加工单元500C可以包括沿第三方向Z布置的第一干燥单元501和第二干燥单元502。换言之，第一干燥单元501和第二干燥单元502可以竖直堆叠，并且传送装置580可以在上下移动的情况下传送基板。
应当理解，本文描述的实施方案应当仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。在每个实施方案中的特征或方面的描述通常应当被认为可以用于其他实施方案中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方案，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的各种改变。

Claims (20)

1.一种基板加工装置，所述基板加工装置包括：
第一干燥单元，所述第一干燥单元配置为在其上形成有液膜的基板上使用干燥流体执行第一干燥工艺；
第一流体供应单元，所述第一流体供应单元配置为将所述干燥流体供应到所述第一干燥单元中；
第二干燥单元，所述第二干燥单元配置为在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板上使用所述干燥流体执行第二干燥工艺；
第二流体供应单元，所述第二流体供应单元配置为将所述干燥流体供应到所述第二干燥单元中；
第一门，所述第一门配置为控制所述第一干燥单元的打开和关闭；以及
第二门，所述第二门配置为控制所述第二干燥单元的打开和关闭，其中当所述第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时打开所述第一门，并且当所述第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时打开所述第二门。
2.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，将在其上执行所述第一干燥工艺的基板传送通过所述第一门和所述第二门。
3.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括与所述第一干燥单元和所述第二干燥单元相邻的等待空间，其中所述第一传送压力低于或等于所述等待空间内的等待压力。
4.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括与所述第一干燥单元和所述第二干燥单元相邻的等待空间，其中所述第二传送压力高于或等于所述等待空间内的等待压力。
5.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括布置在所述第一干燥单元和所述第二干燥单元之间的等待空间。
6.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，在所述第一干燥工艺和所述第二干燥工艺分别在所述第一干燥单元和所述第二干燥单元中执行的情况下，所述干燥流体处于超临界状态。
7.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述第一传送压力低于或等于所述第二传送压力。
8.一种基板加工装置，所述基板加工装置包括：
第一干燥单元，所述第一干燥单元配置为在其上形成有液膜的基板上使用干燥流体执行第一干燥工艺；
第二干燥单元，所述第二干燥单元配置为在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板上使用所述干燥流体执行第二干燥工艺；
等待空间，所述等待空间与所述第一干燥单元和所述第二干燥单元相邻；
第一门，所述第一门配置为控制所述第一干燥单元的打开和关闭；
第二门，所述第二门配置为控制所述第二干燥单元的打开和关闭；
传送装置，所述传送装置配置为将在所述第一干燥单元中在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板传送到所述第二干燥单元，其中当所述第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时打开所述第一门，当所述第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时打开所述第二门，并且所述第一传送压力低于或等于所述第二传送压力。
9.根据权利要求8所述的基板加工装置，其中，所述传送装置配置为：当打开所述第一门时，将在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板传送到所述等待空间；以及当打开所述第二门时，将在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板从所述等待空间传送到所述第二干燥单元。
10.根据权利要求8所述的基板加工装置，其中，所述的基板加工装置进一步包括：
第一流体供应单元，所述第一流体供应单元配置为在所述基板上执行所述第一干燥工艺的情况下将所述干燥流体供应到所述第一干燥单元；以及
第二流体供应单元，所述第二流体供应单元配置为在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板上执行所述第二干燥工艺的情况下，将所述干燥流体供应到所述第二干燥单元。
11.根据权利要求8所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括控制器，所述控制器配置为控制所述第一门和所述第二门的打开和关闭，其中所述控制器进一步配置为当所述第一干燥单元中的压力达到第一传送压力时控制所述第一门以打开所述第一门，以及当所述第二干燥单元中的压力达到第二传送压力时控制所述第二门以打开所述第二门。
12.根据权利要求8所述的基板加工装置，其中，所述等待空间的压力大于或等于所述第一传送压力，并且低于或等于所述第二传送压力。
13.根据权利要求8所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括：
第一流体供应单元，所述第一流体供应单元配置为将所述干燥流体供应到所述第一干燥单元中；
第一流体排出单元，所述第一流体排出单元配置为将所述干燥流体排出到所述第一干燥单元的外部；以及
控制器，其中所述控制器配置为控制所述第一流体供应单元和所述第一流体排出单元以：将所述第一干燥单元中的压力增加到第一加工压力，在所述第一加工压力下执行所述第一干燥工艺；以及将所述第一干燥单元中的压力降低到第一传送压力，在所述第一传送压力下，传送在其上执行所述第一干燥工艺的基板。
14.根据权利要求13所述的基板加工装置，其中，所述基板加工装置进一步包括：
第二流体供应单元，所述第二流体供应单元配置为将所述干燥流体供应到所述第二干燥单元中；以及
第二流体排出单元，所述第二流体排出单元配置为将所述干燥流体排出到所述第二干燥单元的外部，其中所述控制器配置为控制所述第二流体供应单元和所述第二流体排出单元以：将所述第二干燥单元中的压力增加到第二传送压力，在所述第二传送压力下，传送在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板；以及将所述第二干燥单元中的压力增加到第二加工压力，在所述第二加工压力下执行所述第二干燥工艺。
15.一种基板加工方法，所述基板加工方法包括：
清洁基板的液体加工操作，
将所述基板传输到干燥加工单元，所述干燥加工单元包括第一干燥加工单元和第二干燥加工单元；以及
在所述基板上的干燥操作，其中，所述基板上的所述干燥操作包括：在所述第一干燥单元中将压力升压到第一加工压力的第一升压操作；通过使用干燥流体在所述第一加工压力下在所述基板上执行第一干燥工艺的第一干燥操作；在所述第一干燥单元中将压力降低到第一传送压力的第一降压操作；将在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板从所述第一干燥单元传送到所述第二干燥单元的传送操作；在所述第二干燥单元中将压力升压到第二加工压力的第二升压操作；以及第二干燥操作，在所述第二干燥操作中在所述第二加工压力下通过使用所述干燥流体在其上进行执行所述第一干燥工艺的所述基板上执行第二干燥工艺。
16.根据权利要求15所述的基板加工方法，其中，当所述第一干燥单元中的压力达到所述第一传送压力时，打开所述第一干燥单元的第一门。
17.根据权利要求15所述的基板加工方法，其中，所述基板加工方法进一步包括第三升压操作，在所述第三升压操作中将压力升压到第二传送压力，在所述第二传送压力下，在所述第二干燥单元内执行所述传送操作，其中，当所述第二干燥单元中的压力达到所述第二传送压力时，打开所述第二干燥单元的第二门。
18.根据权利要求17所述的基板加工方法，其中，所述第一干燥单元中的所述第一传送压力低于或等于所述第二干燥单元中的所述第二传送压力。
19.根据权利要求15所述的基板加工方法，其中，所述基板加工方法进一步包括与所述第一干燥单元和所述第二干燥单元相邻的等待空间，其中所述传送操作包括：将在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板从所述第一干燥单元传送到所述等待空间；以及将在其上执行所述第一干燥工艺的所述基板从所述等待空间传送到所述第二干燥单元。
20.根据权利要求15所述的基板加工方法，其中，所述液体加工操作包括在所述基板上施用有机溶剂，其中所述有机溶剂包括异丙醇IPA，所述干燥流体包括二氧化碳CO2，并且所述第一干燥单元中的所述第一传送压力和所述第二干燥单元中的所述第二传送压力各自为约80巴至约100巴。
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