JP2023007312A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルの増加を抑制する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、タンクと、循環ラインと、分岐ラインと、処理部と、排出部と、供給部と、制御部と、を備える。前記制御部は、第１判定部と、第１補充制御部と、算出部と、第２補充制御部と、を有する。前記第１判定部は、前記タンク内の前記処理液の貯留量が下限値未満であるか否かを判定する。前記第１補充制御部は、前記貯留量が前記下限値未満であると前記第１判定部が判定する場合、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する。前記算出部は、前記供給部によって設定時間当たりに前記タンクに前記処理液を補充する補充量を算出する。前記第２補充制御部は、前記算出部によって算出する前記補充量の算出値が設定値未満である場合、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らし、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する。
【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

特許文献１の基板処理システムは、１つ以上の処理ユニット、記憶部、液貯留部、取得部、設定部、検知部、認識部および検出部を備えている。１つ以上の処理ユニットは、処理液を用いて基板に処理を施す。記憶部は、１つ以上の処理ユニットにおける、複数の基板群に係る複数の連続処理についての実行タイミングを示す処理計画情報を記憶する。液貯留部は、処理液を貯留している。取得部は、処理液の状態に係る数値を取得する。設定部は、取得部で取得された数値と、処理液の寿命に係るルールと、に基づいて、液貯留部の処理液の交換時期を設定する。検知部は、交換時期に、１つ以上の処理ユニットで連続処理が実行されていない待機状態を検知する。認識部は、処理計画情報に基づいて、待機状態の継続時間を認識する。検出部は、継続時間が予め設定された基準時間以上である液交換可能状態を検出する。

特開２０１８－１８１８８１号公報

本開示の第１態様は、処理液の循環によるパーティクルの増加を抑制する、技術を提供する。また、本開示の第２態様は、処理液の交換によるパーティクルの増加を抑制する、技術を提供する。

本開示の第１態様に係る基板処理装置は、タンクと、循環ラインと、分岐ラインと、処理部と、排出部と、供給部と、制御部と、を備える。前記タンクは、処理液を貯留する。前記循環ラインは、前記タンクから前記処理液を取り出し前記タンクに戻す。前記分岐ラインは、前記循環ラインから分岐する。前記処理部は、前記分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給する。前記排出部は、前記タンク内に貯留されている前記処理液の貯留量を減らす。前記供給部は、前記タンクに新しい前記処理液を供給する。前記制御部は、前記処理部、前記排出部、及び前記供給部を制御する。前記制御部は、第１判定部と、第１補充制御部と、算出部と、第２補充制御部と、を有する。前記第１判定部は、前記タンク内の前記処理液の貯留量が下限値未満であるか否かを判定する。前記第１補充制御部は、前記貯留量が前記下限値未満であると前記第１判定部が判定する場合、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する。前記算出部は、前記供給部によって設定時間当たりに前記タンクに前記処理液を補充する補充量を算出する。前記第２補充制御部は、前記算出部によって算出する前記補充量の算出値が設定値未満である場合、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らし、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する。

本開示の第２態様に係る基板処理装置は、タンクと、循環ラインと、ポンプと、分岐ラインと、処理部と、排出部と、供給部と、制御部と、を備える。前記タンクは、処理液を貯留する。前記循環ラインは、前記タンクから前記処理液を取り出し前記タンクに戻す。前記ポンプは、前記循環ラインに設けられる。前記分岐ラインは、前記循環ラインから分岐する。前記処理部は、前記分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給する。前記排出部は、前記タンク内に貯留されている前記処理液の貯留量を減らす。前記供給部は、前記タンクに新しい前記処理液を供給する。前記制御部は、前記ポンプ、前記処理部、前記排出部、及び前記供給部を制御する。前記制御部は、第１液交換制御部を有する。前記第１液交換制御部は、循環中の前記処理液を交換する液交換指令を受信すると、前記ポンプによって前記処理液を循環させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを実施する。

本開示の第１態様によれば、処理液の循環によるパーティクルの増加を抑制できる。また、本開示の第２態様によれば、処理液の交換によるパーティクルの増加を抑制できる。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 図２は、処理部の一例を示す図である。 図３は、制御部の構成要素の一例を機能ブロックで示す図である。 図４は、基板処理部の処理の一例を示すフローチャートである。 図５は、第１判定部と第１補充制御部の処理の一例を示すフローチャートである。 図６は、基板に付着するパーティクルの数と、循環時間と、処理液の温度との関係の一例を示す図である。 図７（Ａ）は循環開始時の処理液の一例を示す図であり、図７（Ｂ）はフィルターからの溶出の一例を示す図であり、図７（Ｃ）は溶出成分のすり抜けの一例を示す図であり、図７（Ｄ）は処理液の補充と排出の一例を示す図である。 図８は、算出部と第２補充制御部の処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、図８の処理の結果の一例を示す図である。 図１０は、基板に付着するパーティクルの数と、循環時間と、補充量Ｒとの関係の一例を示す図である。 図１１は、第２液交換制御部の処理の一例を示すフローチャートである。 図１２は、第１液交換制御部の処理の一例を示すフローチャートである。 図１３は、液交換回数と新液割合の関係の一例を示す図である。 図１４は、液交換直後に基板に付着したパーティクルの数の一例を示す図である。 図１５は、変形例に係る基板処理装置を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。

図１を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、処理部１０を備える。処理部１０は、基板に処理液を供給することで、基板を処理する。処理部１０は、本実施形態では基板を一枚ずつ処理する枚葉式である。

なお、処理部１０は、基板を複数枚ずつ同時に処理するバッチ式でもよい。バッチ式の処理部１０は処理槽を有し、処理槽に貯留した処理液に基板が浸漬される。この場合、基板Ｗは鉛直に立てた状態で、処理液に浸漬されてもよい。

図２に示すように、枚葉式の処理部１０は、例えば、処理容器１１と、基板Ｗを水平に保持する保持部１２と、鉛直な回転軸１４を中心に保持部１２を回転させる回転部１３と、保持部１２に保持されている基板Ｗの上面に液体を吐出するノズル１６と、を有する。

処理容器１１は、基板Ｗを内部に収容する。処理容器１１は、不図示のゲートと、ゲートを開閉する不図示のゲートバルブとを有する。基板Ｗは、ゲートを介して処理容器１１の内部に搬入され、処理容器１１の内部にて処理液Ｌで処理され、その後、ゲートを介して処理容器１１の外部に搬出される。

保持部１２は、処理容器１１の内部に搬入された基板Ｗを水平に保持する。保持部１２は、基板Ｗのポリシリコン膜が形成された面を上に向けて、基板Ｗの中心が回転軸１４の回転中心線と一致するように、基板Ｗを水平に保持する。保持部１２は、図２ではメカニカルチャックであるが、真空チャックまたは静電チャックなどであってもよい。保持部１２は、回転可能なスピンチャックであればよい。

回転部１３は、例えば、鉛直な回転軸１４と、回転軸１４を回転させる回転モータ１５と、を含む。回転モータ１５の回転駆動力は、タイミングベルト又はギヤなどの回転伝達機構を介して、回転軸１４に伝達されてもよい。回転軸１４が回転させられると、保持部１２も回転させられる。

ノズル１６は、保持部１２に保持されている基板Ｗに対し、処理液Ｌを吐出する吐出口を有する。ノズル１６は、例えば、吐出口を下に向けて基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗの中心部に、処理液Ｌを供給する。処理液Ｌは、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、液膜を形成する。処理部１０は、ノズル１６を移動させる移動部１９を備えてもよい。移動部１９は、基板Ｗの径方向にノズル１６を移動させてもよいし、鉛直方向にノズル１６を移動させてもよい。

処理液Ｌは、例えば、薬液と、リンス液と、乾燥液と、を含む。一のノズル１６が複数の処理液Ｌを順番に吐出してもよいし、複数のノズル１６が異なる処理液Ｌを順番に吐出してもよい。複数の薬液が順番に基板Ｗに供給されてもよく、それらの間にリンス液が基板Ｗに供給されてもよい。

薬液は、特に限定されないが、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ－１（水酸化アンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液）、ＳＣ－２（塩化水素と過酸化水素とを含む水溶液）、又はＳＰＭ（硫酸と過酸化水素とを含む水溶液）などである。薬液は、基板Ｗをエッチングするエッチング液であってもよい。

リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。リンス液は、薬液を除去するのに用いられる。リンス液は、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残る薬液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、リンス液の液膜が形成される。一の薬液が基板Ｗに供給された後、別の薬液が基板Ｗに供給される前に、リンス液が基板Ｗに供給されてもよい。

乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤である。有機溶剤は、リンス液よりも低い表面張力を有する。それゆえ、表面張力による凹凸パターンの倒壊を抑制できる。乾燥液は、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残るリンス液を置換する。その結果、基板Ｗの上面に、乾燥液の液膜が形成される。

処理部１０は、基板Ｗに供給された処理液Ｌを回収するカップ１７を有する。カップ１７は、保持部１２に保持されている基板Ｗの周縁を囲み、基板Ｗの周縁から飛散する処理液Ｌを受ける。カップ１７は、本実施形態では回転軸１４と共に回転しないが、回転軸１４と共に回転してもよい。カップ１７の底壁には、カップ１７の内部に溜まった液体を排出する排液管１７ａと、カップ１７の内部に溜まった気体を排出する排気管１７ｂとが設けられる。

図１に示すように、基板処理装置１は、処理液Ｌを貯留するタンク２０と、タンク２０から処理液Ｌを取り出しタンク２０に戻す循環ライン２１と、循環ライン２１から分岐する分岐ライン２２と、を備える。処理部１０は、分岐ライン２２の先で、処理液Ｌを基板Ｗに供給する。処理液Ｌは、特に限定されないが、例えばＩＰＡである。

タンク２０は、処理液Ｌを貯留する。処理液Ｌは、タンク２０から循環ライン２１を経てタンク２０に循環される。循環ライン２１の途中には、例えば、ポンプ２３と、流量計２４と、ヒータ２５と、不図示の温度計と、フィルター２６と、が設けられる。なお、これらの機器２３～２６の配置は、図１の配置には限定されない。

ポンプ２３は、処理液Ｌを循環させる。流量計２４は、処理液Ｌの流量を計測する。流量計２４の計測値が設定値になるように、制御部９０がポンプ２３を制御する。ヒータ２５は、処理液Ｌを加熱する。温度計は、処理液Ｌの温度を計測する。温度計の計測値が設定値になるように制御部９０がヒータ２５を制御する。所望の温度の処理液Ｌを基板Ｗに供給できる。フィルター２６は、処理液Ｌ中の異物を捕集する。

分岐ライン２２は、循環ライン２１と処理部１０のノズル１６とを接続する。分岐ライン２２は、処理部１０毎に設けられる。なお、処理部１０がバッチ式の場合、分岐ライン２２は、循環ライン２１と処理部１０の処理槽とを接続する。分岐ライン２２の途中には、例えば、流量計２７と、流量制御器２８と、開閉弁２９と、が設けられる。なお、これらの機器２７～２９の配置は、図１の配置には限定されない。

開閉弁２９が分岐ライン２２を開くと、分岐ライン２２が処理液Ｌを処理部１０に供給する。流量計２７は、処理液Ｌの流量を計測する。流量計２７の計測値が設定値になるように、制御部９０が流量制御器２８を制御する。一方、開閉弁２９が分岐ライン２２を閉じると、分岐ライン２２が処理液Ｌを処理部１０に供給停止する。

分岐ライン２２の途中には、還流ライン３０が設けられてもよい。還流ライン３０は、分岐ライン２２から分岐し、タンク２０に処理液Ｌを戻す。還流ライン３０は、処理部１０毎に設けられる。還流ライン３０の途中には、例えば、開閉弁３１が設けられる。

開閉弁２９が分岐ライン２２を閉じ、開閉弁３１が還流ライン３０を開くと、処理液Ｌは処理部１０に供給されることなくタンク２０に戻される。処理部１０が処理液Ｌを消費しない間も、ヒータ２５で加熱された処理液Ｌを分岐ライン２２の一部に流し続けることができ、分岐ライン２２で処理液Ｌの温度が低下するのを抑制できる。

一方、開閉弁２９が分岐ライン２２を開き、開閉弁３１が還流ライン３０を閉じると、処理液Ｌはタンク２０に戻されることなく処理部１０に供給される。処理部１０に供給された処理液Ｌは、処理部１０で消費される。つまり、処理部１０に供給された処理液Ｌは、基板処理装置１の外部に排出され、タンク２０に戻されない。その結果、タンク２０内に貯留されている処理液Ｌの貯留量Ｈが減る。

基板処理装置１は、処理部１０とは別に処理液Ｌの貯留量Ｈを減らす排出部４０を備える。排出部４０は、例えば、処理液Ｌの劣化を抑制すべく処理液Ｌを交換する時に、処理液Ｌの貯留量Ｈを減らす。排出部４０は、例えば、第１排出部４１と、第２排出部４２と、を含む。なお、排出部４０は、第１排出部４１のみを含んでもよいし、第２排出部４２のみを含んでもよい。

第１排出部４１は、タンク２０に接続される第１排出ライン４３と、第１排出ライン４３を開閉する第１開閉弁４４と、を含む。第１開閉弁４４が第１排出ライン４３を開くと、第１排出ライン４３がタンク２０から処理液Ｌを排出し、処理液Ｌの貯留量Ｈを減らす。一方、第１開閉弁４４が第１排出ライン４３を閉塞すると、第１排出ライン４３がタンク２０から処理液Ｌを排出停止する。

第２排出部４２は、循環ライン２１に接続される第２排出ライン４５と、第２排出ライン４５を開閉する第２開閉弁４６と、を含む。第２開閉弁４６が第２排出ライン４５を開くと、第２排出ライン４５が循環ライン２１から処理液Ｌを排出し、処理液Ｌの貯留量Ｈを減らす。一方、第２開閉弁４６が第２排出ライン４５を閉塞すると、第２排出ライン４５が循環ライン２１から処理液Ｌを排出停止する。

基板処理装置１は、タンク２０に新しい処理液Ｌを供給する供給部５０を備える。供給部５０は、タンク２０に接続される供給ライン５１を含む。新しい処理液Ｌは、供給ライン５１を通り、タンク２０に補充される。供給ライン５１の途中には、例えば、流量計５２と、流量制御器５３と、開閉弁５４と、が設けられる。なお、これらの機器５２～５４の配置は、図１の配置には限定されない。

開閉弁５４が供給ライン５１を開くと、供給ライン５１が新しい処理液Ｌをタンク２０に供給する。流量計５２は、処理液Ｌの流量を計測する。流量計５２の計測値が設定値になるように、制御部９０が流量制御器５３を制御する。一方、開閉弁５４が供給ライン５１を閉じると、供給ライン５１が新しい処理液Ｌをタンク２０に供給停止する。

基板処理装置１は、タンク２０内の処理液Ｌの貯留量Ｈを検出する複数の検出器６１～６４を備える。複数の検出器６１～６４は、異なる高さに設置され、それぞれの設置位置に処理液Ｌが有るか否かを検出する。なお、図示しないが、基板処理装置１はフロート式の検出器を備えてもよく、検出器の数は１つでもよい。

基板処理装置１は、制御部９０を備える。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２と、を備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。

図３に示すように、制御部９０は、例えば、基板処理部１０１と、第１判定部１０２と、第１補充制御部１０３と、算出部１０４と、第２補充制御部１０５と、第２判定部１０６と、強制停止部１０７と、第１液交換制御部１０８と、第２液交換制御部１０９と、を有する。なお、図３に図示される各機能ブロックは概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。

図３に図示される各機能ブロックの全部または一部を、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。各機能ブロックにて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵにて実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されうる。

次に、図４を参照して、基板処理部１０１の処理の一例について説明する。図４に示す各ステップＳ１０１～Ｓ１０６は、基板処理部１０１による制御下で実施される。基板処理部１０１は、基板Ｗに対して処理液Ｌを供給することで、基板Ｗを処理する。

先ず、不図示の搬送装置が、基板Ｗを処理容器１１の内部に搬入する（ステップＳ１０１）。搬送装置は、保持部１２に基板Ｗを載置した後、処理容器１１の内部から退出する。保持部１２は、基板Ｗを保持する。その後、回転部１３が保持部１２と共に基板Ｗを回転させる。

次に、ノズル１６が、回転している基板Ｗの中心部に薬液を供給する（ステップＳ１０２）。薬液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、液膜を形成する。

次に、ノズル１６が、回転している基板Ｗの中心部にリンス液を供給する（ステップＳ１０３）。リンス液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残る薬液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、リンス液の液膜が形成される。

次に、ノズル１６が、回転している基板Ｗの中心部に乾燥液を供給する（ステップＳ１０４）。乾燥液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残るリンス液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、乾燥液の液膜が形成される。

次に、回転部１３が、基板Ｗを回転させ、基板Ｗの上面に残る乾燥液を振り切り、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１０５）。基板Ｗの乾燥後、回転部１３が基板Ｗの回転を停止する。

最後に、保持部１２が基板Ｗの保持を解除し、続いて不図示の搬送装置が保持部１２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを処理容器１１の外部に搬出する（ステップＳ１０６）。

次に、図５を参照して、第１判定部１０２と第１補充制御部１０３の処理の一例について説明する。図５に示すステップＳ２０１以降の処理は、処理液Ｌを循環させる間、定期的に行われる。

先ず、第１判定部１０２が、タンク２０内の処理液Ｌの貯留量Ｈが、下限値Ｈｍｉｎ未満であるか否かを判定する（ステップＳ２０１）。この判定には、例えば、図１に示す検出器６３が用いられる。

検出器６３が処理液Ｌの存在を検知しない場合、貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ未満であると第１判定部１０２が判定する。一方、検出器６３が処理液Ｌの存在を検知する場合、貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ以上であると第１判定部１０２が判定する。

貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ未満であると第１判定部１０２が判定する場合（ステップＳ２０１、ＹＥＳ）、第１補充制御部１０３が供給部５０によってタンク２０に新しい処理液Ｌを補充する（ステップＳ２０２）。これにより、貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ以上になる。

第１補充制御部１０３は、貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ以上、上限値Ｈｍａｘ以下になるように、新しい処理液Ｌを補充してもよい。貯留量Ｈが上限値Ｈｍａｘに達したことは、図１に示す検出器６４によって検出する。

一方、貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ以上であると第１判定部１０２が判定する場合（ステップＳ２０１、ＮＯ）、第１補充制御部１０３は新しい処理液Ｌを補充しない。その後、今回の処理が終了する。

処理部１０が処理液Ｌを消費しても、第１補充制御部１０３が処理液Ｌを補充することで、タンク２０の貯留量Ｈが一定以上に保たれる。タンク２０の貯留量Ｈは、下限値Ｈｍｉｎと上限値Ｈｍａｘで規定される許容範囲に維持される。

次に、図６を参照して、基板Ｗに付着するパーティクルの数と、循環時間と、処理液の温度との関係の一例について説明する。循環時間は、後述する図１１のステップＳ４０４からの経過時間であり、液交換処理の完了からの経過時間である。液交換処理の詳細は後述する。図６において、処理液はＩＰＡである。

図６に示すように、液交換処理の直後には、循環時間が長くなるほど、フィルトレーションが進み、基板Ｗに付着するパーティクルの数が減る。フィルトレーションとは、図７（Ａ）に示すように、フィルター２６によって処理液Ｌに含まれるパーティクルＰを捕集することである。

図６に示すように、処理液Ｌの温度が室温又は６０℃である場合、基板Ｗに付着するパーティクルの数は徐々に減った後に横ばいになる。一方、処理液Ｌの温度が７０℃である場合、基板Ｗに付着するパーティクルの数が徐々に減った後に増えることがある。処理液Ｌの温度が高くなると、図７（Ｂ）に示すように、フィルター２６から処理液Ｌに溶出物Ｅが溶出し、溶出物Ｅがパーティクルとして基板Ｗに付着すると考えられる。処理液Ｌの温度が高いほど、溶出物Ｅが溶出しやすく、基板Ｗに付着するパーティクルの数が増える。

溶出物Ｅは、例えば、処理液Ｌに溶解しており、フィルター２６をすり抜けた後、基板Ｗ上でパーティクルとして析出する。あるいは、溶出物Ｅは、処理液Ｌに溶解していないが、フィルター２６をすり抜ける程度の粒径を有する。いずれにしろ、溶出物Ｅは、図７（Ｃ）に示すように、フィルター２６をすり抜けてしまう。循環時間が長くなるほど、溶出物Ｅが蓄積し、基板Ｗに付着するパーティクルの数が増えると考えられる。

なお、溶出物Ｅを生じる機器は、フィルター２６には限定されない。循環ライン２１に設けられる機器であれば、処理液Ｌに溶出物Ｅを生じる恐れがある。基板Ｗに付着するパーティクルの数と、循環時間と、処理液Ｌの温度との関係は、処理液Ｌの組成、及び機器の材質で変わる。

本実施形態では、図７（Ｄ）に示すように、溶出物Ｅで汚染された処理液Ｌを排出し、その代わりに、新しい処理液Ｌをタンク２０に補充する。これにより、溶出物Ｅがパーティクルとして基板Ｗに付着するのを抑制し、処理液Ｌの循環によるパーティクルの増加を抑制する。

次に、図８を参照して、算出部１０４と第２補充制御部１０５の処理の一例について説明する。図８に示すステップＳ３０１以降の処理は、図５に示すステップＳ２０１以降の処理と並列で行われ、処理液Ｌを循環させる間に行われる。

先ず、算出部１０４が、供給部５０によって設定時間ｔ０当たりにタンク２０に処理液Ｌを補充する補充量Ｒを算出する（ステップＳ３０１）。設定時間ｔ０は、例えば１時間であるが、１０分でもよい。設定時間ｔ０は、適宜変更される。設定時間ｔ０当たりの補充量Ｒを、以下、単に補充量Ｒとも呼ぶ。

処理液Ｌの補充は、例えば、図５に示すように貯留量Ｈが下限値Ｈｍｉｎ未満であると第１判定部１０２が判定する場合（ステップＳ２０１、ＹＥＳ）に行われる。処理部１０で消費される処理液Ｌの消費量が多いほど、貯留量Ｈが減りやすく、補充量Ｒが多い。補充量Ｒと消費量とは同等である。

処理部１０は、基板Ｗを処理する際に、処理液Ｌを消費する。なお、基板Ｗの処理が中断される間も、処理液Ｌがノズル１６の周辺で長時間停滞しないように、ノズル１６が定期的に処理液Ｌを吐出する。それゆえ、基板Ｗの処理が中断される間も、処理部１０は処理液Ｌを消費する。

但し、基板Ｗの処理が中断される期間は、基板Ｗの処理が実行される期間に比べて、処理液Ｌの消費量が少なく、補充量Ｒも少ない。また、設定時間ｔ０当たりの基板Ｗの処理枚数が少ないほど、処理液Ｌの消費量が少なく、補充量Ｒも少ない。補充量Ｒと消費量は、基板処理装置１の稼働状況に応じて変動する。

算出部１０４は、例えば、供給ライン５１に設けられる流量計５２の計測値から、補充量Ｒを算出する。この場合、算出部１０４は、流量計５２の計測値を設定時間ｔ０の間積分することにより、補充量Ｒを算出する。

算出部１０４は、ホストコンピュータ２００から基板Ｗの処理タイミングを含む処理計画を受信し、処理計画から補充量Ｒを算出してもよい。算出部１０４は、基板Ｗの処理タイミングから設定時間ｔ０当たりの基板Ｗの処理枚数を算出し、処理液Ｌの消費量を算出することで、補充量Ｒを算出する。

ホストコンピュータ２００は、基板処理装置１の外部に設けられ、基板処理装置１に処理計画を送信する。処理計画は、基板Ｗの処理タイミングの他、基板Ｗに対する処理液Ｌの供給時間、及び基板Ｗに対する処理液Ｌの供給流量を含んでもよい。なお、供給時間、及び供給流量は、制御部９０に予め記憶されたものを読み出して用いてもよい。

次に、第２補充制御部１０５は、算出部１０４によって算出する補充量Ｒの算出値が設定値Ｒ０未満であるか否かをチェックする（ステップＳ３０２）。設定値Ｒ０は、処理液Ｌに占める溶出物Ｅの割合が少なく、基板Ｗに付着するパーティクルの数が閾値以下になるように設定される。

設定値Ｒ０がある程度大きくなると、設定値Ｒ０を大きくしても、基板Ｗに付着するパーティクルの数がほとんど減らず、処理液Ｌの廃棄量が無駄に多くなる。そこで、設定値Ｒ０は、ステップＳ３０４における排出量も考慮して設定される。

補充量Ｒの算出値が設定値Ｒ０以上である場合（ステップＳ３０２、ＮＯ）、補充量Ｒ及び消費量が多く、処理液Ｌに占める溶出物Ｅの割合が少ない。この場合、第２補充制御部１０５は、今回の処理を終了する。

一方、補充量Ｒの算出値が設定値Ｒ０未満である場合（ステップＳ３０２、ＹＥＳ）、補充量Ｒ及び消費量が少なく、処理液Ｌに占める溶出物Ｅの割合が多い。この場合、第２補充制御部１０５は、タンク２０の貯留量Ｈを減らすための排出量を決める（ステップＳ３０３）。排出量は、例えば、設定値Ｒ０と算出値の差分と同量である。

次に、第２補充制御部１０５は、排出部４０又は処理部１０によってタンク２０の貯留量Ｈを減らす（ステップＳ３０４）。第２補充制御部１０５は、短時間で貯留量Ｈを減らすべく、第１排出部４１を用いるが、第２排出部４２又は処理部１０を用いてもよい。

第２補充制御部１０５は、タンク２０の貯留量Ｈを下限値Ｈｍｉｎ未満に減らす場合、第１補充制御部１０３による制御を禁止してもよい。溶出物Ｅで汚染された処理液Ｌを排出してから新しい処理液Ｌを補充するので、排出と補充を同時に実施する場合に比べ、排出量と補充量を低減できる。

次に、第２補充制御部１０５は、供給部５０によってタンク２０に新しい処理液Ｌを補充する（ステップＳ３０５）。補充量は、例えば、排出量と同量であり、設定値Ｒ０と算出値の差分と同量である。この補充によって、処理液Ｌに占める溶出物Ｅの割合が少なくなり、基板Ｗに付着するパーティクルの数が減る。

次に、図９を参照して、図８の処理の結果の一例について説明する。図９において、横軸は時間を示し、縦軸は供給部５０からタンク２０に補充される新しい処理液Ｌの流量の積分値である。積分値は、設定時間ｔ０毎に算出される。積分値は、流量計５２を用いて算出してもよいし、ホストコンピュータ２００から送信される処理計画を用いて算出してもよい。

設定時間ｔ０当たりの補充量Ｒが設定値Ｒ０未満である場合、図８に示すステップＳ３０３～Ｓ３０５が実施され、図９に破線で示すように供給部５０からタンク２０に新しい処理液Ｌが補充される。一方、設定時間ｔ０当たりの補充量Ｒが設定値Ｒ０以上である場合、図８に示すステップＳ３０３～Ｓ３０５は実施されない。

次に、図１０を参照して、基板Ｗに付着するパーティクルの数と、循環時間と、補充量Ｒとの関係の一例について説明する。循環時間は、後述する図１１のステップＳ４０４からの経過時間であり、液交換処理の完了からの経過時間である。液交換処理の詳細は後述する。

図１０に示すように、補充量Ｒの実績値が設定値Ｒ０に等しい間は、循環時間が長くなるほど、フィルトレーションが進み、基板Ｗに付着するパーティクルの数が減った。その後、補充量Ｒの実績値がゼロになると、循環時間が長くなるほど、処理液Ｌに占める溶出物Ｅの割合が多くなり、基板Ｗに付着するパーティクルの数が増えてしまった。このことから、補充量Ｒを設定値Ｒ０以上に管理することで、処理液Ｌの循環によるパーティクルの増加を抑制できることがわかる。

次に、図１１を参照して、第２液交換制御部１０９の処理の一例について説明する。図１１に示すＳ４０１以降の処理は、第２液交換制御部１０９が循環中の処理液Ｌを交換する液交換指令を受信すると、開始される。液交換指令は、例えばホストコンピュータ２００から送信される。

循環中の処理液Ｌは、例えば、タンク２０、循環ライン２１、循環ライン２１に設けられる機器２３～２６、分岐ライン２２、分岐ライン２２に設けられる機器２７～２８、還流ライン３０、及び還流ライン３０に設けられる機器３１に存在する。循環中の処理液Ｌの全体積に対する、タンク２０内の処理液Ｌの体積の割合は、特に限定されないが、例えば３０％～５０％である。

処理液Ｌを定期的に交換することで、処理液Ｌの劣化を抑制できる。タンク２０の上部空間には、窒素ガスなどの不活性ガスが供給されるが、大気が侵入しうる。大気中の水分が処理液Ｌに徐々に溶け込むことで、処理液Ｌが劣化する。新しい処理液Ｌの水分濃度は、タンク２０に貯留された処理液Ｌの水分濃度よりも低く、実質的にゼロであってもよい。

先ず、第２液交換制御部１０９は、液交換指令を受信すると、ポンプ２３を停止させ、処理液Ｌの循環を停止させる（ステップＳ４０１）。ポンプ２３を停止させることで、タンク２０を空にする過程でポンプ２３の空運転を防止できる。第２液交換制御部１０９は、ポンプ２３を停止させると共に、ヒータ２５をも停止させてもよい。処理液Ｌの循環が止まることで、処理液Ｌの一部が集中的に過熱されるのを防止できる。

なお、第２液交換制御部１０９による処理と、後述する第１液交換制御部１０８による処理とは、選択的に実行される。第２液交換制御部１０９は、液交換指令を受信すると共に、第１液交換制御部１０８による処理を禁止する指令を受信すると、ステップＳ４０１以降の処理を開始してもよい。

次に、第２液交換制御部１０９は、ポンプ２３を停止させた状態で、排出部４０によってタンク２０の貯留量Ｈを減らす（ステップＳ４０２）。処理液Ｌの循環は停止されているので、第２液交換制御部１０９は第２排出部４２ではなく第１排出部４１を用いて、貯留量Ｈを減らす。その結果、タンク２０が空になる。

次に、第２液交換制御部１０９は、供給部５０によってタンク２０に処理液Ｌを供給する（ステップＳ４０３）。

最後に、第２液交換制御部１０９は、ポンプ２３を再始動させ、処理液Ｌの循環を再開させる（ステップＳ４０４）。第２液交換制御部１０９は、ポンプ２３を再始動させると共に、ヒータ２５をも再始動させてもよい。

なお、ポンプ２３を再始動させるタイミングは、本実施形態ではステップＳ４０３の後であるが、タンク２０の貯留量Ｈが後述する第１閾値Ｈ１を超えた後であればよく、ステップＳ４０３の途中であってもよい。ヒータ２５を再始動させるタイミングは、ポンプ２３を再始動させるタイミング以降であればよく、同時でもよい。

第１閾値Ｈ１は、下限値Ｈｍｉｎよりも小さい（Ｈ１＜Ｈｍｉｎ）。第１閾値Ｈ１は、第２判定部１０６の判定に用いられる。第２判定部１０６は、処理液Ｌの循環中に、タンク２０の貯留量Ｈが第１閾値Ｈ１未満であるか否かを判定する。この判定には、例えば、図１に示す検出器６１が用いられる。

貯留量Ｈが第１閾値Ｈ１未満であると第２判定部１０６が判定する場合、強制停止部１０７がポンプ２３を停止させる。処理液Ｌの循環中に異常が生じ、貯留量Ｈが低下した場合に、ポンプ２３の空運転を防止でき、ポンプ２３の故障を防止できる。

ところで、ポンプ２３を再始動させると、処理液Ｌに含まれるパーティクルＰの数が増加する。パーティクルＰは、例えばポンプ２３を構成する部品同士の摩擦によって生じる。パーティクルＰは、循環ライン２１又は機器２３～２６から振動で剥がれることでも生じる。また、ヒータ２５を再始動させると、フィルター２６が熱膨張し、フィルター２６からパーティクルＰが脱離する。従って、液交換処理の直後に、パーティクルＰの数が増加する。

一方、後述する第１液交換制御部１０８は、第２液交換制御部１０９とは異なり、ポンプ２３によって処理液Ｌを循環させた状態で、排出部４０によってタンク２０の貯留量Ｈを減らすこと、及び供給部５０によってタンク２０に新しい処理液Ｌを供給することを実施する。ポンプ２３を停止させないので、ポンプ２３を再始動させることは無い。また、ポンプ２３を停止させないので、ヒータ２５を停止させることも無い。従って、液交換処理の直後に、パーティクルＰの数が増加するのを抑制できる。

次に、図１２を参照して、第１液交換制御部１０８の処理の一例について説明する。図１２に示すＳ５０１以降の処理は、第１液交換制御部１０８が液交換指令を受信すると、開始される。なお、第１液交換制御部１０８による処理と、第２液交換制御部１０９による処理とは、選択的に実行される。第１液交換制御部１０８は、液交換指令を受信すると共に、第２液交換制御部１０９による処理を禁止する指令を受信すると、ステップＳ５０１以降の処理を開始してもよい。

第１液交換制御部１０８は、液交換指令を受信すると、ポンプ２３によって処理液Ｌを循環させた状態で、排出部４０によってタンク２０の貯留量Ｈを減らす（ステップＳ５０１）。第１液交換制御部１０８は、処理液Ｌを循環させ続けるので、ヒータ２５によって処理液Ｌを加熱させ続けてもよい。

第１液交換制御部１０８は、液交換指令を受信すると、ポンプ２３によって処理液Ｌを循環させた状態で、排出部４０によってタンク２０の貯留量Ｈを第２閾値Ｈ２まで減らしてもよい。第２閾値Ｈ２は、第１閾値Ｈ１よりも大きく、下限値Ｈｍｉｎよりも小さい（Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈｍｉｎ）。貯留量Ｈが第２閾値Ｈ２に達したことは、図１に示す検出器６２によって検出する。貯留量Ｈが第１閾値Ｈ１以上に保たれるので、強制停止部１０７によってポンプ２３が停止されてしまうのを防止できる。

第１液交換制御部１０８は、第２液交換制御部１０９とは異なり、第２排出部４２を用いてタンク２０の貯留量Ｈを減らしてもよい。処理液Ｌの循環が停止されないので、第２排出部４２が使用可能である。また、第２排出部４２を用いる場合、第１排出部４１を用いる場合に比べ、循環ライン２１に確実に処理液Ｌを流すことができる。

次に、第１液交換制御部１０８は、ポンプ２３によって処理液Ｌを循環させた状態で、供給部５０によってタンク２０に処理液Ｌを供給する（ステップＳ５０２）。タンク２０内に貯留されている処理液Ｌの貯留量Ｈは、下限値Ｈｍｉｎ以上に戻される。

次に、第１液交換制御部１０８は、ステップＳ５０１及びＳ５０２をｍ回実施したか否かをチェックする（ステップＳ５０３）。ｍは、１以上の自然数であり、循環中の処理液Ｌの全体積に対する、新しい処理液Ｌの割合が所望の値以上になるように、予め設定される。ｍは、適宜変更可能である。ｍは、好ましくは２以上の自然数である。新しい処理液Ｌの割合は、ステップＳ５０１の開始以降に供給された新しい処理液Ｌの割合である。

ステップＳ５０１及びＳ５０２の実施回数がｍ回に達していない場合（ステップＳ５０３、ＮＯ）、第１液交換制御部１０８はステップＳ５０１及びＳ５０２を再び実施する。一方、ステップＳ５０１及びＳ５０２の実施回数がｍ回に達している場合（ステップＳ５０３、ＹＥＳ）、第１液交換制御部１０８は今回の処理を終了する。

次に、図１３を参照して、液交換回数と新液割合の関係の一例について説明する。新液割合とは、循環中の処理液Ｌの全体積に対する、新しい処理液Ｌの割合である。液交換回数とは、図１１のステップＳ４０１～Ｓ４０４の実施回数、又は図１２のステップＳ５０１～Ｓ５０２の実施回数である。新しい処理液Ｌの割合は、ステップＳ４０１又はステップＳ５０１の開始以降に供給された新しい処理液Ｌの割合である。

液交換回数が増えるほど、新液割合が増える。図１２の処理を行う場合、処理液Ｌの循環を停止することなく、古い処理液Ｌの排出と、新しい処理液Ｌの供給とを実施するので、古い処理液Ｌと新しい処理液Ｌとが混じり合う。それゆえ、図１２の処理を行う場合、図１１の処理を行う場合に比べて、新液割合の増加速度が遅い。新液割合が十分に高くなるように、図１２のｍは２以上の自然数であることが好ましく、３以上の自然数であることがより好ましい。

次に、図１４を参照して、液交換直後に基板Ｗに付着するパーティクルの数の一例について説明する。新液割合が略同じになるように、液交換回数は設定した。図１４から明らかなように、図１２の液交換を行った場合には、処理液の循環を止めないので、図１１の液交換を行った場合に比べて、基板Ｗに付着するパーティクルの数を１／４程度に抑えることができた。

次に、図１５を参照して、変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、相違点について主に説明する。本変形例の基板処理装置１は、循環ライン２１のポンプ２３よりも下流側に設けられるフィルター２６と、循環ライン２１のフィルター２６よりも下流側に設けられる開閉弁７１と、循環ライン２１におけるフィルター２６と開閉弁７１との途中から処理液Ｌを排出する処理液排出部７２と、を備える。

処理液排出部７２は、フィルター２６と開閉弁７１の間にて循環ライン２１に接続される排出ライン７３と、排出ライン７３を開閉する開閉弁７４と、を含む。開閉弁７４が排出ライン７３を開くと、排出ライン７３が循環ライン２１から処理液Ｌを排出する。一方、開閉弁７４が排出ライン７３を閉じると、排出ライン７３が循環ライン２１から処理液Ｌを排出停止する。

第２液交換制御部１０９（図３参照）は、図１１のステップＳ４０１でポンプ２３を停止させた後、ステップＳ４０４でポンプ２３を始動させる。ポンプ２３の始動には、高い駆動力が求められる。高い駆動力は、フィルター２６などからパーティクルを発生させてしまう。パーティクルは、循環ライン２１を汚染してしまう。一旦、循環ライン２１がパーティクルで汚染されると、その清浄化には長い時間と大量の処理液Ｌを要する。

そこで、第２液交換制御部１０９は、ポンプ２３を停止させた後、ポンプ２３を始動させる際に、開閉弁７１によって循環ライン２１を閉塞すると共に処理液排出部７２によって循環ライン２１から処理液Ｌを排出することを実施する。ポンプ２３の始動時に発生するパーティクルを排出ライン７３に排出でき、循環ライン２１の汚染を抑制できる。よって、基板Ｗの処理を再開するまでのフィルトレーションに要する時間を短縮でき、処理液Ｌの使用量を低減できる。

第２液交換制御部１０９は、例えばポンプ２３の始動からの経過時間が設定時間に達すると、開閉弁７１によって循環ライン２１を開放すると共に処理液排出部７２による処理液Ｌの排出を停止させ、処理液Ｌの循環再開（図１１のステップＳ４０４）を実施する。なお、設定時間は、ポンプ２３の始動時に発生したパーティクルが排出ライン７３に到達するまでの時間を考慮して設定される。

開閉弁７１と処理液排出部７２は、少なくとも１つの分岐ライン２２と循環ライン２１の接続点よりも上流側に設けられることが好ましい。これにより、循環ライン２１だけではなく分岐ライン２２の汚染をも抑制できる。開閉弁７１と処理液排出部７２は、全ての分岐ライン２２と循環ライン２１の接続点よりも上流側に設けられることがより好ましい。

以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１ 基板処理装置
１０ 処理部
２０ タンク
２１ 循環ライン
２２ 分岐ライン
４０ 排出部
５０ 供給部
９０ 制御部

Claims (16)

1. 処理液を貯留するタンクと、前記タンクから前記処理液を取り出し前記タンクに戻す循環ラインと、前記循環ラインから分岐する分岐ラインと、前記分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給する処理部と、前記タンク内に貯留されている前記処理液の貯留量を減らす排出部と、前記タンクに新しい前記処理液を供給する供給部と、前記処理部、前記排出部、及び前記供給部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記タンク内の前記処理液の貯留量が下限値未満であるか否かを判定する第１判定部と、
   前記貯留量が前記下限値未満であると前記第１判定部が判定する場合、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する第１補充制御部と、
   前記供給部によって設定時間当たりに前記タンクに前記処理液を補充する補充量を算出する算出部と、
   前記算出部によって算出する前記補充量の算出値が設定値未満である場合、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らし、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充する第２補充制御部と、
   を有する、基板処理装置。
2. 前記供給部は、前記タンクに接続される供給ラインと、前記供給ラインを通る前記処理液の流量を計測する流量計と、を含み、
   前記算出部は、前記流量計の計測値から、前記補充量を算出する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記算出部は、外部のホストコンピュータから前記基板の処理タイミングを含む処理計画を受信し、前記処理計画と、前記流量計の計測値とから、前記補充量を算出する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記算出部は、外部のホストコンピュータから前記基板の処理タイミングを含む処理計画を受信し、前記処理計画から前記補充量を算出する、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記第２補充制御部は、前記タンクの前記貯留量を前記下限値未満に減らす場合、前記第１補充制御部による処理を禁止する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記第２補充制御部は、前記補充量の前記算出値と前記設定値の差分に基づき、前記タンクの前記貯留量を減らす量を決める、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記第２補充制御部は、前記補充量の前記算出値が前記設定値以上である場合、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らすことも、前記供給部によって前記タンクに前記処理液を補充することも実施しない、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記排出部は、
   前記タンクに接続される第１排出ライン、及び前記第１排出ラインを開閉する第１開閉弁を含む第１排出部と、
   前記循環ラインに接続される第２排出ライン、及び前記第２排出ラインを開閉する第２開閉弁を含む第２排出部と、
   のうちの少なくとも１つを含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 処理液を貯留するタンクと、前記タンクから前記処理液を取り出し前記タンクに戻す循環ラインと、前記循環ラインに設けられるポンプと、前記循環ラインから分岐する分岐ラインと、前記分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給する処理部と、前記タンク内に貯留されている前記処理液の貯留量を減らす排出部と、前記タンクに新しい前記処理液を供給する供給部と、前記ポンプ、前記処理部、前記排出部、及び前記供給部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、循環中の前記処理液を交換する液交換指令を受信すると、前記ポンプによって前記処理液を循環させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを実施する第１液交換制御部を有する、基板処理装置。
10. 前記循環ラインに設けられるヒータを備え、
    前記第１液交換制御部は、前記液交換指令を受信すると、前記ヒータによって前記処理液を加熱させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを実施する、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記制御部は、前記タンクの前記貯留量が第１閾値未満であるか否かを判定する第２判定部と、前記貯留量が前記第１閾値未満であると前記第２判定部が判定する場合、前記ポンプを停止させる強制停止部と、を有し、
    前記第１液交換制御部は、前記液交換指令を受信すると、前記ポンプによって前記処理液を循環させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を前記第１閾値よりも大きい第２閾値まで減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを実施する、請求項９又は１０に記載の基板処理装置。
12. 前記第１液交換制御部は、前記ポンプによって前記処理液を循環させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を前記第２閾値まで減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを複数回繰り返す、請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記制御部は、前記液交換指令を受信し、且つ前記第１液交換制御部による処理を禁止する指令を受信すると、前記ポンプを停止させた状態で、前記排出部によって前記タンクの前記貯留量を減らすこと及び前記供給部によって前記タンクに前記処理液を供給することを実施する第２液交換制御部を有する、請求項９～１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
14. 前記循環ラインの前記ポンプよりも下流側に設けられるフィルターと、前記循環ラインの前記フィルターよりも下流側に設けられる開閉弁と、前記循環ラインにおける前記フィルターと前記開閉弁の途中から前記処理液を排出する処理液排出部と、を備え、
    前記第２液交換制御部は、前記ポンプを停止させた後、前記ポンプを始動させる際に、前記開閉弁によって前記循環ラインを閉塞すると共に前記処理液排出部によって前記循環ラインから前記処理液を排出することを実施する、請求項１３に記載の基板処理装置。
15. タンクから循環ラインを経て前記タンクに処理液を循環させることと、前記循環ラインから分岐する分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給することと、を有する、基板処理方法であって、
    前記タンク内の前記処理液の貯留量が下限値未満であるか否かを判定することと、
    前記貯留量が前記下限値未満であると判定する場合、前記タンクに新しい前記処理液を補充することと、
    設定時間当たりに前記タンクに新しい前記処理液を補充する補充量を算出することと、
    前記補充量の算出値が設定値未満である場合、前記タンクの前記貯留量を減らし、前記タンクに新しい前記処理液を補充することと、
    を有する、基板処理方法。
16. タンクから循環ラインを経て前記タンクに処理液を循環させることと、前記循環ラインから分岐する分岐ラインの先で前記処理液を基板に供給することと、を有する、基板処理方法であって、
    循環中の前記処理液を交換する液交換指令を受信すると、前記処理液を循環させた状態で、前記タンク内の前記処理液の貯留量を減らし、前記タンクに新しい前記処理液を供給することを有する、基板処理方法。

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