JPH09199468A - 処理方法と装置 - Google Patents

処理方法と装置

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JPH09199468A
JPH09199468A JP2207396A JP2207396A JPH09199468A JP H09199468 A JPH09199468 A JP H09199468A JP 2207396 A JP2207396 A JP 2207396A JP 2207396 A JP2207396 A JP 2207396A JP H09199468 A JPH09199468 A JP H09199468A
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JP
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processing
concentration
liquid
cleaning
treatment
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JP2207396A
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Yuji Kamikawa
裕二 上川
Katsutoshi Mokuo
勝利 杢尾
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理槽内の各処理液の濃度と量を常に所定の
範囲に維持でき、最大の処理効果が得られる処理方法と
装置を提供する。 【解決手段】 処理液を充填した処理槽42内において
処理液中に被処理体Wを浸漬して処理する処理方法にお
いて、処理槽42内の処理液の濃度と量を測定し、それ
ら測定した処理液の濃度と量に基づいて処理槽42に補
充すべき処理液の濃度と量を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL
CD基板などの被処理体を処理液に浸漬して処理する方
法と装置に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえばLSI等の半導体デバイスの製
造工程における洗浄処理を例にとって説明すると、従来
から半導体ウェハ表面のパーティクル、有機汚染物、金
属不純物等のコンタミネーションを除去するために、半
導体ウェハの洗浄処理装置が使用されており、その中で
もとりわけ、ウェット型の洗浄処理装置は、パーティク
ルを効果的に除去でき、しかもバッチ処理が可能なた
め、広く普及している。
【0003】この種の洗浄処理装置においては、所定枚
数、たとえば25枚の半導体ウェハを収納した、キャリ
アと称される収納体が、搬送ロボットにより、処理装置
のローダ部に搬入され、オリフラ合わせを行った後、ウ
ェハ保持部において、収納された半導体ウェハが保持具
により前記キャリアから取り出され、搬送待機状態に置
かれる。そして、搬送待機状態にある半導体ウェハは、
ウェハチャックと称される把持装置を有する搬送装置に
よって、各種の洗浄処理が行われる洗浄処理部へと搬送
され、この洗浄処理部内にて所定の洗浄処理に付され
る。
【0004】洗浄処理部には、例えばアンモニア水溶液
と過酸化水素水の混合液による洗浄を行うSC1洗浄、
塩酸と過酸化水素水の混合液による洗浄を行うSC2洗
浄、フッ酸による洗浄を行うHF洗浄などの各種薬液洗
浄を行うための1または2以上の洗浄ユニットが順次配
列されており、それぞれの洗浄ユニットは、薬液洗浄を
行うための各種薬液が充填されている処理槽と、純水洗
浄を行うために純水のみが充填されている処理槽などか
ら構成されている。そして、上記のSC1洗浄を例にし
て具体的に説明すると、この洗浄ユニットにはアンモニ
ア溶液と過酸化水素水と、純水を適当な割合で混合した
洗浄液が充填された処理槽と純水のみ或いは温純水のみ
が充填された処理槽が設けられている。そして、前記搬
送装置により、この洗浄ユニットに移送された被処理体
は、まずアンモニア溶液と過酸化水素水と純水の混合液
からなる洗浄液が充填された処理槽において薬液洗浄さ
れた後、その下流に配された純水のみの処理槽に移送さ
れる。そして、その処理槽において水洗され、半導体ウ
ェハの表面に付着した薬液を純水により洗い流してか
ら、別種の薬液による洗浄ユニットに搬送される。この
ようにして、一連の洗浄処理が終了した半導体ウェハ
は、さらに純水により最終洗浄され、乾燥処理され、ア
ンローダ部を介して処理装置外に搬出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な洗浄処理装置で半導体ウェハを洗浄する場合、薬液洗
浄を行う処理槽には、各種の薬液が所定の割合で、か
つ、所定量充填されていることが重要である。しかし、
各種の薬液の中には例えばアンモニアの如き蒸発の早い
ものもあって、時間の経過に従って濃度が低くなるもの
もある。また、処理槽からウェハを引き上げたときに、
相当の量の洗浄液がウェハの表面に付着して一緒に持ち
去られるため、処理槽内の洗浄液は次第に減っていく傾
向にある。
【0006】このため、洗浄液が充填されている各処理
槽には、適当な時期に洗浄液を補充して、洗浄液の濃度
と充填量を一定に保持する操作が必要になる。そこで従
来は、一定の回数の洗浄処理を行った場合や一定の時間
が経過した場合に、通常よりも薬液濃度の濃い洗浄液を
処理槽に補充して、洗浄液の量と濃度を一定に保持する
ようにしている。この場合、補充する洗浄液の濃度と補
充量は経験に基づいて決定しており、経験的に定めた濃
度の洗浄液を所定の処理回数や時間の経過ごとに所定量
補充していた。
【0007】しかしこの方法は、例えばウェハの枚数や
大きさが変わって洗浄液の持ち去る量が変化した場合や
特に蒸発の早い薬液を含んだ洗浄液を用いた場合などに
は十分な対応ができにくかった。このため従来は、洗浄
液中において特定の薬液濃度が次第に足りなくなったり
濃くなり過ぎたりする問題があった。また、洗浄液の量
が安定せず、ともすれば処理槽内に充分な量の洗浄液が
入っていない事態を引き起こす心配があった。このよう
に、従来は長期間にわたって処理を継続した場合に、薬
液の割合が変化するのは否めず、特定の薬液が無駄に使
用されるばかりでなく、洗浄効果が低下する虞があっ
た。
【0008】本発明は、従来の処理装置が有する上記の
ような問題点に鑑みてなされたものであり、処理槽内の
各処理液の濃度と量を常に所定の範囲に維持でき、最大
の処理効果が得られる処理方法と装置を提供することを
目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明は、処理液を充填した処理槽内にお
いて前記処理液中に被処理体を浸漬して処理する処理方
法において、前記処理槽内の前記処理液の濃度と量を測
定し、それら測定した前記処理液の濃度と量に基づいて
前記処理槽に補充すべき前記処理液の濃度と量を決定す
ることを特徴とする。
【0010】請求項2の発明は、処理液を充填した処理
槽内において前記処理液中に被処理体を浸漬して処理す
る処理方法において、前記処理液の濃度と量を測定し、
それら測定した前記処理液の濃度と量に基づいて前記処
理槽に補充すべき処理液の濃度と量を決定し、該決定し
た濃度と量の処理液を補充する操作を複数回行い、それ
ら補充された前記処理液の濃度と量に基づいて次回に補
充すべき処理液の濃度と量を決定することを特徴とす
る。
【0011】これら請求項1または2の処理方法におい
て、前記決定される前記処理槽に補充する処理液の濃度
と量は、請求項3に記載したように、例えば前記処理槽
内に充填されている前記処理液の濃度と量を所定の目標
値にさせるものとすることができる。
【0012】また、請求項4の発明は、処理液を充填し
た処理槽内において前記処理液中に被処理体を浸漬して
処理する装置であって、前記処理槽から取り出した前記
処理液を再び前記処理槽に戻す循環回路と、前記処理槽
に前記処理液を補充する補充回路を備えた処理装置にお
いて、前記循環回路を流れる前記処理液の濃度を測定す
る濃度センサを設けると共に、前記処理槽内の前記処理
液の量を測定する液量センサを設け、それら濃度センサ
と液量センサで測定した前記処理液の濃度と量に基づい
て前記処理槽に補充する処理液の濃度と量を決定する制
御部を設けたことを特徴とする。
【0013】この請求項4の処理装置において、請求項
5に記載したように、前記循環回路を流れる前記処理液
を取り出して再び前記処理槽または前記循環回路に戻す
バイパス回路を設け、前記バイパス回路に前記濃度セン
サを設けるようにしても良い。また、請求項6に記載し
たように、前記濃度センサによって濃度を測定される前
記処理液の温度を温調する温調手段を設けるようにして
も良い。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照にして本発
明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。図1は、本
発明の実施の形態にかかる洗浄処理装置1の斜視図であ
る。
【0015】図示の如く、洗浄処理装置1全体は、洗浄
処理前の被処理体としてのウェハWをキャリアC単位で
投入するための搬入部2と、複数枚数のウェハW、例え
ば50枚のウェハWを一括して洗浄する洗浄処理部3
と、洗浄処理後のウェハWをキャリアC単位で取り出す
ための搬出部4の、三つのゾーンによって構成されてい
る。
【0016】前記搬入部2には、これから洗浄処理を行
うためのウェハWを所定枚数収納したキャリアCを搬
入、載置させる載置部5と、載置部5に載置されたキャ
リアCを整列部6へ移送するための移送装置7が設けら
れている。また前記洗浄処理部3には、その前面側(図
1における手前側)に3つの搬送装置15、16、17
が配置されており、これら各搬送装置15、16、17
には夫々対応するウェハチャック18、19、20が設
けられている。さらに前記搬出部4においても、前記載
置部5とほぼ同様な構成を有する載置部8、前記整列部
6と同一構成の整列部9、前記移送装置7と同一構成の
移送装置(図示せず)が夫々設けられている。
【0017】各搬送装置15、16、17は、洗浄装置
の洗浄処理部3において搬入部2側から搬出部4側に向
かって並べて配置された各処理槽41〜49に沿って配
置されており、搬送ベース25を移動させることによ
り、搬入部2に搬入されたウェハWを、例えばキャリア
C2つ分の50枚まとめて整列部6から取り出し、これ
ら搬送装置15、16、17で中継しながら、洗浄処理
部3の各処理槽を経て整列部9まで一括して順次搬送し
ていくように構成されている。
【0018】各処理槽41〜49は、載置部5側から順
に、前記搬送装置15のウェハチャック18を洗浄、乾
燥するチャック洗浄・乾燥処理槽41、ウェハW表面W
aの有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不純物
質を薬液によって洗浄処理する薬液処理槽42、前記薬
液処理槽42で洗浄されたウェハWを例えば純水によっ
て洗浄する二つの水洗処理槽43、44、前記薬液処理
槽42における薬液とは異なった薬液で洗浄処理する薬
液処理槽45、前記薬液処理槽45で洗浄されたウェハ
Wを例えば純水によって洗浄する二つの水洗処理槽4
6、47、前記搬送装置17のウェハチャック20を洗
浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽48、及び前記
不純物質が除去されたウェハWを、例えばIPA(イソ
プロピルアルコール)等で蒸気乾燥させるための乾燥処
理槽49などによって構成されている。
【0019】そして、各処理槽41〜49では、ウェハ
Wの表面に付着した汚染の種類、たとえば有機物不純
物、金属不純物などに応じて、所定の薬液が導入され、
薬液洗浄処理が施される。たとえば、有機物汚染に対し
ては、アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合液に
より、いわゆるSC1洗浄を行うことが可能である。ま
たHF液により、いわゆるHF洗浄により自然酸化膜お
よび金属不純物を除去することが可能である。さらに塩
酸と過酸化水素水と純水との混合液によりいわゆるSC
2洗浄を行うことにより、ベアなシリコンに付着した金
属不純物を除去しながら、クリーンな自然酸化膜を成長
させることが可能である。そして、過酸化水素をベース
にした典型的な洗浄法、いわゆるRCA洗浄に関して言
えば、SC1洗浄→HF洗浄→SC2洗浄を順次対応す
る洗浄ユニットにより行うことにより、ウェハの洗浄を
行うことが可能である。
【0020】ここで、ウェハWを一括して把持し、これ
を上記洗浄処理部3において搬送する上記搬送装置1
5、16、17は何れも同様の構成を備えているので、
例えばチャック洗浄・乾燥処理槽41、薬液処理槽4
2、水洗処理槽43相互間でウェハWを搬送させる搬送
装置15を例にして説明すると、搬送装置15のウェハ
チャック18は、図2に示すように、例えばキャリアC
二つ分としての50枚のウェハWを一括して把持する左
右一対の把持部材21a、21bを備えている。
【0021】前記把持部材21a、21bは左右対称形
であり、これら各把持部材21a、21bは各々対応す
る回動軸26a、26bによって、搬送装置15におけ
る支持部23に支持され、開脚、閉脚自在に構成されて
いる。この支持部23は、駆動機構24によって上下方
向(Z方向)に移動し、また前出ウェハチャック18自
体は支持部23に内蔵された駆動機構(図示せず)によ
って前後方向(Y方向)に移動自在となるように構成さ
れ、さらに前記駆動機構24自体は、搬入部2、洗浄処
理部3、および搬出部4の長手方向(X方向)に沿って
移動自在な搬送ベース25(図1において図示される)
の上部に設けられている。そして、前記支持部23内に
設けられたモータなどの駆動体(図示せず)によって、
前記回動軸26a、26bは、図2中の往復回動矢印θ
に示されたように、往復回動自在となるように構成され
ている。また支持部23自体も水平面内においてその角
度を微調整できるように構成されている。
【0022】上記回動軸26a、26bには把持部材2
1a、21bの各上端部が固着され、またこれら各把持
部材21a、21bの下端部間には、上下2段に石英製
の把持棒27a、27b、28a、28bが平行に渡さ
れている。上記各把持棒27a、27b、28a、28
bの表面には、ウェハWの周縁部が挿入される把持溝2
9が例えば50本形成されている。それら把持溝29同
士の間隔(溝ピッチ)は何れも前後方向(Y方向)に等
しくなるように所定の距離に配置されている。そして、
各把持部材21a、21bは、回転軸26a、26bを
回転させることにより、その把持棒27a、27b、2
8a、28bにてウェハWを把持し、上下方向(Z方
向)および長手方向(X方向)の所望の位置に移載する
ことが可能なように構成されている。
【0023】なお、その他の搬送装置16、17及びそ
のウエハチャック19、20も前記した搬送装置15、
ウエハチャック18と同一の構成を有しており、上記と
同様に、例えば50枚のウェハWを一括して把持し、搬
送できるように構成されている。
【0024】前述の各処理槽42〜47の底部には、各
処理槽内でウエハWを保持するための保持具となるボー
ト51がそれぞれ設置されている。ここで、図2を基に
して処理槽42に設置されているボート51について代
表して説明すると、このボート51は、処理槽42内に
垂設された支持体52、52’の下端に渡って水平に取
り付けられた三本の平行な保持棒53、54、55を備
えている。これら保持棒53、54、55の内、中央の
保持棒54の高さが最も低く、左右の保持棒53、55
は保持棒54を中心に対称の位置に、かつ、保持棒54
よりも高い位置に配置されている。これら保持棒53、
保持棒54、および保持棒55の上面には、保持溝が例
えばそれぞれ50本ずつ形成されている。これらの保持
溝同士の間隔(溝ピッチ)も何れも前後方向(Y方向)
に等しくなるように所定の距離に配置されている。
【0025】そして、前述のウエハチャック18によっ
て一括して把持された50枚のウエハWは、搬送装置1
5の駆動機構24による支持部23の下降に伴って処理
槽42内に挿入され、50枚のウエハWの下端がボート
51の保持棒53、54、55の保持溝にそれぞれ嵌入
すると、搬送装置15の駆動機構24による支持部23
の下降が停止するように構成されている。こうして、5
0枚のウエハWはボート51の保持棒53、54、55
の保持溝によって一括して保持された状態となり、その
後、ウエハチャック18は回動軸21a、21bの回動
により把持部材21a、21bによるウエハWの把持状
態を開放し、搬送装置15の駆動機構24による支持部
23の上昇に伴ってウエハチャック18は処理槽42の
上方に退避するようになっている。
【0026】そして、後述するように処理槽42におけ
る所定の処理が終了すると、再び搬送装置15の駆動機
構24による支持部23の下降に伴ってウエハチャック
18が処理槽42内に挿入され、回動軸26a、26b
の回動により把持部材21a、21bが閉じられてボー
ト51の保持棒53、54、55上に保持された50枚
のウエハWを一括して把持するようになっている。その
後、支持部23が上昇することによってウエハチャック
18が処理槽42内から上方に退避し、それに伴って5
0枚のウエハWは一括して処理槽42から取り出され、
次の処理槽43に搬送される。
【0027】なお、処理槽42以外の各処理槽43〜4
7にも、以上に説明したボート51と同じものが設置さ
れており、上記と同様に、各処理槽43〜47において
も、50枚のウェハWを一括して保持できるように構成
されている。
【0028】次に、図3乃至図6を参照しながら、本発
明の実施の形態にかかる洗浄処理装置1の処理槽42〜
47の構造について、SC1洗浄を行う処理槽42を例
に挙げて説明する。
【0029】図3〜5に示すように、この処理槽42
は、高温に加熱されたアンモニア水と過酸化水素水と純
水の混合液から成るSC1洗浄用処理液を収容する箱形
の処理槽本体61と、この処理槽本体61内に配設され
てウェハWをたとえば50枚垂直に保持する前述のボー
ト51とを備えている。さらに、処理槽本体61の底部
62には洗浄処理液の供給口63が開口しており、この
供給口63より槽内に導入された洗浄処理液は、上記ボ
ート51と上記底部62との間に介装された整流手段6
4を介して、乱流を生じることなく均等にウェハWの周
囲に供給される。
【0030】すなわち、この整流手段64は、処理槽本
体61を上下に区画するように水平に配設される整流板
65と、供給口63の上方に配置される拡散板66とか
ら構成されている。この整流板65には複数のスリット
67とそれらスリット67の両側に位置する複数の小孔
67’が穿設されており、供給口63より導入された洗
浄処理液は、まず拡散板66の裏面に衝突し、その拡散
板66の周縁部より整流板65の裏面全体に拡散され、
その後整流板65のスリット67と小孔67’を通過し
て、上記ボート51により保持されたウェハWの周囲に
供給されるので、乱流を生じることなく均等な流速でウ
ェハWを包み込み、ウェハW全体をむら無く均等に洗浄
することが可能なように構成されている。
【0031】また、図4、5に示すように、上記処理槽
本体61は、ボート51が収納されてウェハWを洗浄処
理液中に浸漬することが可能な内槽70と、この内槽7
0の上端からオーバーフローする洗浄処理液を受けとめ
る外槽71とから構成されている。上記内槽70の底部
62に設けられた供給口63と外槽71の底部に設けら
れた排出口73との間には、次に説明する処理液循環回
路74が接続されている。
【0032】即ち、図6に示すように、処理液循環回路
74には上記外槽71の排出口73から上記内槽70の
供給口63の間において、ポンプ80、ダンパ81、ヒ
ータ82、フィルタ83がこの順に介装されている。そ
して、上記外槽71の排出口73より排出された洗浄処
理液は、ポンプ80によって上記内槽70へ循環供給さ
れ、その間にヒータ82で適温に昇温されてフィルタ8
3で浄化された後、再び上記内槽70に戻される。な
お、過酸化水素水を洗浄処理液中に含む場合は、上記フ
ィルタ83内にエアが溜まることにより、濾過面積の減
少に伴って濾過効率が低下する心配があるので、上記フ
ィルタ83の上部には、フィルタ83内部に溜まったエ
アを抜き取るためのエア抜き回路84が接続してある。
また、このエア抜き回路84には、上記フィルタ83内
からエアと一緒に濾過前の洗浄処理液が入り込む可能性
があるので、そのような洗浄処理液を上記外槽71に再
び戻すようにエア抜き回路84を構成している。
【0033】そして、処理液循環回路74において、上
記ダンパ81と上記ヒータ82の間には濃度測定用のバ
イパス回路85が分岐している。このバイパス回路85
は、上記ダンパ81とヒータ82との間において上記処
理液循環回路74から取り出した洗浄処理液を再び上記
外槽71に戻すように配管されている。また、バイパス
85には、弁86、熱交換器87、赤外吸光濃度計8
8、弁89がこの順に介装されている。従って、上記弁
86、89を開放することにより、上記処理液循環回路
74からバイパス85中に取り出した洗浄処理液を、上
記熱交換器87において計測に適した温度に温調してか
ら上記赤外吸光濃度計88にてその濃度を測定し、その
後、再び洗浄処理液を上記外槽71に戻すことが可能で
ある。なお、このバイパス回路85の途中には、上記開
閉弁86と上記熱交換器87の間において、弁90を備
える純水供給回路91が設けられると共に、上記赤外吸
光濃度計88と上記弁89の間において、弁92を備え
るドレイン回路93が設けられている。従って、上記バ
イパス回路85に設けられた弁86、89を閉じ、純水
供給回路91の弁90とドレイン回路93の弁92を開
放することによって、上記バイパス回路85内に純水
(DIW)を流して洗浄を行うことが可能である。
【0034】また、上記処理槽本体61の上方には、例
えばSC1洗浄を行うのに必要な薬液としての、アンモ
ニア水溶液と過酸化水素と純水の混合液からなる洗浄処
理液を供給するための薬液補充ユニット100が配設さ
れている。この薬液補充ユニット100において所望の
濃度(比率)に調整されたアンモニア水溶液と過酸化水
素と純水の混合液からなる洗浄処理液が、ノズル99を
介して処理槽本体61の外槽71に補充されるように構
成されている。代表例として図示した処理槽42の薬液
補充ユニット100は、アンモニア水溶液(NH4
H)を蓄えているタンク101とポンプ102で構成さ
れるアンモニア補充系103、過酸化水素水(H22
を蓄えているタンク104とポンプ105で構成される
過酸化水素水補充系106、および純水供給回路107
に弁108を介在させた純水補充系109を備えてい
る。また、この薬液補充ユニット100には、次に説明
する制御部120の薬液補充コントローラ121から操
作指令が出力され、その出力指令に基づいて薬液補充ユ
ニット100に設けられた上記ポンプ102、105の
稼働率と上記弁108の開度が適宜制御されることによ
って、所望の比率に調整されたアンモニア水溶液と過酸
化水素と純水の混合液からなる洗浄処理液がノズル99
から処理槽本体61の外槽71に補充されるように構成
されている。
【0035】上記薬液補充ユニット100に操作指令を
出力する制御部120は、上記薬液補充コントローラ1
21の他に、先に説明したバイパス85に設けられた赤
外吸光濃度計88を司る濃度計コントローラ122と、
薬液補充ユニット100から処理槽本体61の外槽71
に補充する洗浄処理液の濃度、供給量、供給タイミング
等を決定する中央コントローラ123を備えている。上
記濃度計コントローラ122によって制御される赤外吸
光濃度計88の計測タイミングは上記中央コントローラ
123によって決定される。そして、該タイミングに従
って赤外吸光濃度計88で測定した洗浄処理液の濃度が
濃度計コントローラ122を経て上記中央コントローラ
123に入力される。
【0036】また、上記処理槽本体61の外槽71内に
充填されている洗浄処理液の液面高さを測定するための
液面測定器124が設けられている。この液面測定器1
24は、例えばN2センサ、光センサ等の公知の手段が
適宜使用される。そして、この液面測定器124によっ
て外槽71内の洗浄処理液の液面高さを測定することに
より、上記内槽70、上記外槽71、および処理液循環
回路74にて循環している処理液全体の量を検知する構
成になっている。また、この液面測定器124の計測タ
イミングも、上記中央コントローラ123によって決定
されるようになっており、該タイミングに従って液面測
定器124で測定した外槽71内の洗浄処理液の液面高
さが上記中央コントローラ123に入力されて、系全体
の洗浄処理液量の変動が検知される。
【0037】上記中央コントローラ123では、こうし
て入力された洗浄処理液の濃度と洗浄処理液量の変動に
基づいて演算が行われ、前記薬液補充ユニット100に
よって処理槽42の外槽71に補充すべき洗浄処理液の
濃度と量を決定する。ここで、上記中央コントローラ1
23においては、例えば前記処理槽42において循環し
ている洗浄処理液の濃度と量を所定の目標値にさせるべ
く次の式(1)および式(2)に従って演算が行われ、
補充すべき洗浄処理液の量と補充する洗浄処理液中のア
ンモニア水溶液、過酸化水素、および純水の各濃度(混
合比率)が決定される。
【0038】
【数1】
【0039】
【数2】
【0040】但し、式(1)において、ΔVB NH4OH(T
1)は、ある時刻T1におけるアンモニア水溶液の補充す
べき体積を表している。また、0.89、0.28はア
ンモニア水溶液の比重、濃度を表し、βNH4OHは、処理
槽42における洗浄処理液中のアンモニア水溶液の目標
混合比から式(2)に従って求められる係数、V
(T0)は処理槽42における洗浄運転を開始した初期
での系全体の洗浄処理液の体積(即ち、最初に処理槽4
2に充填される洗浄処理液の体積)であり、これは予め
決められている。また、C100 NH4OH(T1)は、100
%アンモニア水溶液としたときのある時刻T1における
アンモニア水溶液の質量濃度(wt%)で、この値は上
記赤外吸光濃度計88から得ることができる。また、α
(T1)は、ある時刻T1におけるアンモニア水溶液の濃
度と過酸化水素水の濃度から式(2)に従って求められ
る値であり、またV(T1)は、ある時刻T1における系
全体の洗浄処理液の体積で、この体積は上記液面測定器
124によって得ることができる。
【0041】また、ΔVB H2O2(T1)は、ある時刻T1
における過酸化水素水の補充すべき体積を表している。
また、1.11、0.31は過酸化水素水の比重、濃度
を表し、βH2O2は処理槽42における洗浄処理液中の過
酸化水素水の目標混合比から式(2)に従って求められ
る係数であり、これは予め決められている。また、C
100 H2O2(T1)は、100%過酸化水素水としたときの
ある時刻T1における過酸化水素水の質量濃度(wt
%)で、この値は上記赤外吸光濃度計88から得ること
ができる。
【0042】また、ΔVB H2O(T1)は、ある時刻T1
おける純水の補充すべき体積を表している。また、β
H2Oは処理槽42における洗浄処理液中の純水の目標混
合比から式(2)に従って求められる係数であり、これ
は予め決められている。
【0043】そして、式(2)において記号Hは比率を
表し、HB NH4OHは1、HB H2O2は1、HB H2Oは5であ
る。
【0044】このようにして上記中央コントローラ12
3では、洗浄処理液の濃度と洗浄処理液量の変動に基づ
いて演算が行われ、前記薬液補充ユニット100によっ
て処理槽42の外槽71に補充すべき洗浄処理液の濃度
と量が決定されると、中央コントローラ123は上記薬
液補充コントローラ121に補充すべきアンモニア水溶
液と過酸化水素と純水の濃度(混合比)と洗浄処理液の
補充量を、適宜の補充タイミングで出力する。それに従
って薬液補充コントローラ121は薬液補充ユニット1
00に操作指令を出力し、その出力指令に基づいて薬液
補充ユニット100に設けられた上記ポンプ102、1
05の稼働率と上記弁108の開度が適宜制御されるこ
とによって、所望の比率に調整されたアンモニア水溶液
と過酸化水素と純水の混合液からなる洗浄処理液が、所
定の量だけノズル99から処理槽本体61の外槽71に
補充される。
【0045】また上記薬液補充コントローラ121は、
こうして薬液補充ユニット100に出力した操作指令を
上記中央コントローラ123にフィードバックするよう
に構成されている。そして、上記中央コントローラ12
3は以上のようにして薬液補充ユニット100から処理
槽本体61の外槽71に補充すべき洗浄処理液の濃度と
量を決定して洗浄処理液を補充する操作を複数回行った
後においては、それら補充された洗浄処理液の濃度と量
に基づいて次回に補充すべき洗浄処理液の濃度と量を決
定することも可能である。この場合、先ず、上記式
(1)(2)に従って処理槽本体61の外槽71に補充
すべき洗浄処理液の濃度と量を決定する操作を適当回数
行い、次に、処理槽本体61内に流通している洗浄処理
液の濃度の経時的な変動を例えば最小二乗方や平均法な
どによって関数として求め、次に、その求めた関数に従
って次に補充すべき洗浄処理液の濃度と量を予想する、
などといった方法に従うことができる。
【0046】本発明の実施の形態にかかる洗浄処理装置
1は以上のように構成されており、次にその作用につい
て説明すると、まず、搬送ロボット(図示せず)によっ
て未処理のウェハWを25枚ずつ収納したキャリアCが
搬入部2の載置部5に載置される。そして、載置部5に
載置されたキャリアCは移送装置7によって整列部6へ
移送され、例えばキャリアC二個分の50枚のウェハW
がオリフラ合わせされた状態で整列部6に整列して、後
続の洗浄処理を待機する。
【0047】続いて、図1、2で説明した搬送装置15
が、上記整列部6に整列している待機状態のウェハW上
方に移動し、その整列されたウェハWをウェハチャック
18により50枚単位で把持して、それらを先ず処理槽
42〜43に順次搬送し、SC1洗浄を行う。ここで、
例えば処理槽42を例にして洗浄工程を説明すると、処
理槽42の内槽70には、高温に加熱されたアンモニア
水と過酸化水素水と純水の混合液から成る洗浄処理液が
予め充填されており、搬送装置15のウェハチャック1
8によって処理槽42の内槽70に搬入された50枚の
ウェハWは内槽70底部のボート51上に整列した状態
で洗浄される。なお、洗浄処理中は、処理液循環回路7
4に設けられたポンプ80が連続的に稼働することによ
り、処理槽本体61底部62の供給口63から洗浄処理
液が整流手段64を介して槽内に常時循環導入され、洗
浄処理液を乱流を生じることなく均等にウェハWの周囲
に供給することが可能である。こうして、例えば所定の
時間が経過することによってSC1洗浄が終了すると、
搬送装置15のウエハチャック18が処理槽42の内槽
70内に下降し、ボート51上に保持された50枚のウ
エハWを一括して把持して上昇し、50枚のウエハWを
一括して処理槽42の内槽70内から取り出し、次の処
理槽43に搬送する。
【0048】ここで、以上のようなSC1洗浄を良好に
行うためには、処理槽42の内槽70には、アンモニア
水溶液と過酸化水素と純水が予め目標値として定めた所
定の割合で、かつ、所定量充填されていることが重要で
ある。しかし、アンモニア水溶液と過酸化水素は洗浄の
進行に伴って濃度が減少する。特にアンモニア水溶液は
蒸発が早いので時間の経過に従って濃度が徐々に低くな
ってしまう。また、洗浄処理が終了して搬送装置15の
ウエハチャック18が処理槽42の内槽70内から50
枚のウエハWを一括して取り出したときに、相当の量の
洗浄処理液がウェハWの表面に付着して一緒に持ち去ら
れ、処理槽42の洗浄処理液は減ってします。
【0049】そこで、本発明の実施の形態にかかる洗浄
処理装置1においては、先に図6で説明したバイパス8
5の赤外吸光濃度計88にて測定した洗浄処理液の濃度
を濃度計コントローラ122を経て中央コントローラ1
23に入力し、また一方では、液面測定器124にて測
定した処理槽本体61の外槽71内の洗浄処理液の液面
高さを中央コントローラ123に入力し、その測定値に
基づいて処理槽42の内槽70、外槽71、および処理
液循環回路74を循環している処理液全体の量をが検知
される。そして、中央コントローラ123では、こうし
て入力された洗浄処理液の濃度と洗浄処理液量の変動に
基づいて例えば先に示した式(1)(2)に従う演算が
行われ、薬液補充ユニット100によって処理槽42の
外槽71に補充すべき洗浄処理液の濃度と量を決定す
る。そして、中央コントローラ123は薬液補充コント
ローラ121に補充すべきアンモニア水溶液と過酸化水
素と純水の濃度(混合比)と洗浄処理液の補充量を、適
宜の補充タイミングで出力する。それに従って薬液補充
コントローラ121から薬液補充ユニット100に操作
指令が出力されて、所望の比率に調整されたアンモニア
水溶液と過酸化水素と純水の混合液からなる洗浄処理液
が、所定の量だけノズル99から処理槽本体61の外槽
71に補充される。こうして、処理槽42において循環
している洗浄処理液の濃度と量を、常に所定の目標値に
維持することが可能となる。
【0050】なお、中央コントローラ123は以上のよ
うにして薬液補充ユニット100から処理槽本体61の
外槽71に補充すべき洗浄処理液の濃度と量を決定して
洗浄処理液を補充する操作を複数回行った後において
は、それら補充された洗浄処理液の濃度と量に基づいて
次回に補充すべき洗浄処理液のより目標値に近い濃度と
量を決定することも可能である。
【0051】かくして、所定のSC1洗浄を終了した5
0枚のウェハWは、次に処理槽43にて同様に槽底部よ
り循環供給される純水によって洗浄される。こうしてS
C1洗浄が行われたウェハWは、処理槽43底部のボー
ト上にて後続の処理槽44〜46における例えばHF洗
浄を待機する。そして、次のウェハ搬送装置16が処理
槽43底部のボート上にて待機しているウェハWを取り
出して、HF洗浄用の各処理槽44〜47に搬送する。
そして、先と同様の工程に従う所定の洗浄処理後に、ウ
ェハWは、処理槽47底部のボート上にて後続の乾燥処
理槽49における乾燥処理を待機する。以下、乾燥処理
槽49にてIPAによる蒸気乾燥処理を行った後、搬出
部4を介してウェハWが装置外に搬出される。
【0052】以上、SC1洗浄を行う処理槽42につい
て主たる説明を行ったが、本発明は、例えば他の洗浄処
理等を行うHF洗浄、SC2洗浄、その他の各種処理液
を混合して処理を行う方法や装置に適応させることが可
能である。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、処理槽内の各処理液の
濃度と量を常に最適な状態に保つことができ、薬液の無
駄な消費や洗浄効果の低下を防止できる。本発明は、処
理液中の薬液の濃度を自由に変更することが可能であ
る。また、本発明は各処理液の濃度と量を常に最適に保
てるので、長時間の運転も行うことが可能であり、メン
テナンス性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる洗浄処理装置1の
斜視図である。
【図2】搬送装置の一例を拡大して示す斜視図である。
【図3】処理槽の一例を概略的に示す斜視図である。
【図4】処理槽の断面図である。
【図5】図4と異なる方向から見た処理槽の断面図であ
る。
【図6】処理液循環回路の配管図である。
【符号の説明】
W 被処理体 42 処理槽 74 処理液循環回路 85 バイパス回路 87 熱交換器 88 赤外吸光濃度計 100 補充ユニット 120 制御部 123 中央コントローラ 124 液面測定器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液を充填した処理槽内において前記
    処理液中に被処理体を浸漬して処理する処理方法におい
    て、 前記処理槽内の前記処理液の濃度と量を測定し、 それら測定した前記処理液の濃度と量に基づいて前記処
    理槽に補充すべき前記処理液の濃度と量を決定すること
    を特徴とする処理方法。
  2. 【請求項2】 処理液を充填した処理槽内において前記
    処理液中に被処理体を浸漬して処理する処理方法におい
    て、 前記処理液の濃度と量を測定し、それら測定した前記処
    理液の濃度と量に基づいて前記処理槽に補充すべき処理
    液の濃度と量を決定し、該決定した濃度と量の処理液を
    補充する操作を複数回行い、 それら補充された前記処理液の濃度と量に基づいて次回
    に補充すべき処理液の濃度と量を決定することを特徴と
    する処理方法。
  3. 【請求項3】 前記決定される前記処理槽に補充する処
    理液の濃度と量は、前記処理槽内に充填されている前記
    処理液の濃度と量を所定の目標値にさせるものである請
    求項1または2に記載の処理方法。
  4. 【請求項4】 処理液を充填した処理槽内において前記
    処理液中に被処理体を浸漬して処理する装置であって、 前記処理槽から取り出した前記処理液を再び前記処理槽
    に戻す循環回路と、前記処理槽に前記処理液を補充する
    補充回路を備えた装置において、 前記循環回路を流れる前記処理液の濃度を測定する濃度
    センサを設けると共に、前記処理槽内の前記処理液の量
    を測定する液量センサを設け、 それら濃度センサと液量センサで測定した前記処理液の
    濃度と量に基づいて前記処理槽に補充する処理液の濃度
    と量を決定する制御部を設けたことを特徴とする処理装
    置。
  5. 【請求項5】 前記循環回路を流れる前記処理液を取り
    出して再び前記処理槽または前記循環回路に戻すバイパ
    ス回路を設け、前記バイパス回路に前記濃度センサを設
    けた請求項4に記載の処理装置。
  6. 【請求項6】 前記濃度センサによって濃度を測定され
    る前記処理液の温度を温調する温調手段を設けた請求項
    4または5に記載の処理装置。
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