TWI625811B - 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI625811B
TWI625811B TW104102932A TW104102932A TWI625811B TW I625811 B TWI625811 B TW I625811B TW 104102932 A TW104102932 A TW 104102932A TW 104102932 A TW104102932 A TW 104102932A TW I625811 B TWI625811 B TW I625811B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
liquid
substrate
solution
storage section
Prior art date
Application number
TW104102932A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201543595A (zh
Inventor
原大海
佐藤秀明
河津貴裕
永井高志
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201543595A publication Critical patent/TW201543595A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI625811B publication Critical patent/TWI625811B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液以對基板進行液體處理的基板液體處理裝置，其可以處理液良好地處理基板。 本發明中，將處理液儲存於處理液儲存部，再將濃度與該處理液不同的該化學劑的水溶液供給至該處理液儲存部，同時將該處理液從該處理液儲存部排出，以更新儲存於該處理液儲存部的該處理液，此時，將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，同時將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑量」相同化學劑量的該處理液從該處理液儲存部排出。

Description

基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體
本發明係關於一種基板液體處理裝置，其使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液以對基板進行液體處理；並關於一種基板液體處理方法及記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體。
以往，在製造半導體零件或平板顯示器等時，係使用基板液體處理裝置，以使用蝕刻液或洗淨液等處理液，對半導體晶圓或液晶基板等基板實施蝕刻及洗淨等處理。
基板液體處理裝置中，使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液，並使基板浸漬於儲存有該處理液的處理槽，或者從儲存有該處理液的儲存槽朝向基板表面吐出處理液，藉此以處理液處理基板。
以往的基板液體處理裝置中，若反覆以處理液處理基板，則處理液所含有之雜質等的濃度，因基板的處理而增加，而變得無法良好地處理基板。例如，在以磷酸水溶液(蝕刻液)處理基板的情況下，處理液的能力(蝕刻速率)與處理液中的矽濃度相依，因此必須使處理液中的矽濃度保持在一定範圍內，但因反覆進行基板的處理，蝕刻液中的矽濃度增加，而使處理液的能力降低，進而變得無法良好地對基板進行蝕刻處理(例如，參照專利文獻1)。
因此，以往的基板液體處理裝置中，定期地將儲存之處理液全部廢棄並重新補充全部的處理液，以此方式進行處理液的交換。特別是在對基板進行蝕刻處理的情況下，因必須使處理液所含有之矽濃度保持在一定範圍內，故在交換處理液的總量後，使測試用基板浸漬於處理液，以調整處理液所含有的矽濃度。【先前技術文獻】【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2010-74060號公報
【發明所欲解決之課題】
然而，上述以往的基板液體處理裝置中，交換所有的處理液，並使測試用基板浸漬於處理液，以調整處理液所含有的矽濃度，故交換處理液所需要的時間變長，而可能導致基板液體處理裝置的處理量降低。
為了縮短交換該處理液所需要的時間，亦有人考量下述方法：廢棄一部分(既定量)的處理液，並重新補充與其等量的處理液，以此方式更新處理液。
然而，在如同用作蝕刻液的磷酸水溶液等一般調整濃度等的情況中，將既定濃度的化學劑之水溶液加熱至既定溫度，藉此產生與水溶液之濃度不同濃度的處理液。因此，若補充與被廢棄之處理液等量的水溶液，則處理液的濃度變化，而無法良好地處理基板。【用以解決課題之手段】
於是，本發明係使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液對基板進行液體處理的基板液體處理裝置，其包含：處理液儲存部，儲存該處理液；水溶液供給部，將濃度與該處理液不同的該化學劑的水溶液供給至該處理液儲存部；處理液排出部，從該處理液儲存部排出該處理液；及控制部，控制該水溶液供給部與處理液排出部；該控制部，係以藉由該水溶液供給部將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，同時藉由該處理液排出部將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑量」相同化學劑量的該處理液從該處理液儲存部排出的方式進行控制。
另外，其更包含加熱機構，使用濃度及溫度低於該處理液者作為該水溶液，並在將該水溶液供給至該處理液儲存部後進行加熱。
另外，其設有水供給部，將水供給至該處理液儲存部；該控制部，係以從該水供給部供給與下述水量相同量的水至該處理液儲存部的方式進行控制： 從「因加熱而從該處理液儲存部蒸發的水量」與「從該處理液儲存部排出之該處理液所含有的水量」相加的水量，減去「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的水量」的水量。
另外，該控制部，係以使該基板浸漬於該處理液儲存部所儲存之該處理液並以該處理液處理該基板，並在處理該基板時，同時使該水溶液供給部供給該水溶液並使該處理液排出部排出該處理液的方式進行控制。
另外，該控制部，記錄使該基板浸漬於該處理液儲存部後該處理液儲存部的水位，同時控制該處理液排出部所進行的該處理液從該處理液儲存部的排出量，以維持該水位。
另外，本發明係使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液，以對基板進行液體處理的基板液體處理方法，其將該處理液儲存於處理液儲存部，再將濃度與該處理液不同的該化學劑的水溶液供給至該處理液儲存部，同時將該處理液從該處理液儲存部排出，以更新儲存於該處理液儲存部的該處理液；此時，將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，同時將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑量」相同化學劑量的該處理液從該處理液儲存部排出。
另外，其使用濃度及溫度低於該處理液者作為該水溶液，並在將該水溶液供給至該處理液儲存部後進行加熱。
另外，其將與下述水量相同量的水供給至該處理液儲存部： 從「因加熱而從該處理液儲存部蒸發的水量」與「從該處理液儲存部排出之該處理液所含有的水量」相加的水量，減去「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的水量」的水量。
另外，其使該基板浸漬於該處理液儲存部所儲存之該處理液，而以該處理液處理該基板，並在處理該基板時，同時進行該水溶液的供給與該處理液的排出。
另外，其記錄使該基板浸漬於該處理液儲存部後該處理液儲存部的水位，同時將該處理液從該處理液儲存部排出，以維持該水位。
另外，本發明係用於控制包含下述單元之基板液體處理裝置的記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體：處理液儲存部，儲存既定濃度的化學劑之水溶液，作為用以對基板進行液體處理的處理液；水溶液供給部，將濃度與該處理液不同的該化學劑水溶液供給至該處理液儲存部；及處理液排出部，將該處理液從該處理液儲存部排出；藉由該水溶液供給部，將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，並藉由該處理液排出部，將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑量」相同化學劑量的該處理液從該處理液儲存部排出。【發明之效果】
本發明可在不改變處理液之濃度的情況下，迅速地更新處理液，故可不降低基板液體處理裝置的處理量，而良好地進行基板的液體處理。
以下，參照圖式說明本發明之基板液體處理裝置及基板液體處理方法與基板液體處理程式的具體構成。
如圖1所示，基板液體處理裝置1包含：載具搬入與搬出部2、批貨形成部3、批貨載置部4、批貨運送部5、批貨處理部6及控制部7。
載具搬入與搬出部2，進行載具9的搬入及搬出，該載具9以水平態樣上下並排收納有複數片(例如25片)基板8。
該載具搬入與搬出部2設有：載具載台10，其載置複數個載具9；載具運送機構11，進行載具9的運送；載具存放部12、13，暫時保管載具9；及載具載置台14，載置載具9。此處，載具存放部12，在批貨處理部6進行處理之前，暫時保管成為產品的基板8。另外，載具存放部13，在批貨處理部6進行處理之後，暫時保管成為產品的基板8。
接著，載具搬入與搬出部2，使用載具運送機構11，將從外部搬入載具載台10的載具9運送至載具存放部12或載具載置台14。另外，載具搬入與搬出部2，使用載具運送機構11，將載置於載具載置台14的載具9運送至載具存放部13或載具載台10。被運送至載具載台10的載具9，則被搬出至外部。
批貨形成部3，組合1個或複數個載具9所收納的基板8，以形成欲同時處理的複數片(例如50片)基板8所構成之批貨。
該批貨形成部3設有運送複數片基板8的基板運送機構15。此外，基板運送機構15，可在運送基板8的中途，使基板8的態樣從水平態樣變更為垂直態樣以及從垂直態樣變更為水平態樣。
接著，批貨形成部3，使用基板運送機構15將基板8從載置於載具載置台14的載具9運送至批貨載置部4，以於批貨載置部4形成批貨。另外，批貨形成部3，以基板運送機構15將載置於批貨載置部4的批貨運送至載置於載具載置台14的載具9。此外，基板運送機構15具有兩種用於支持複數片基板8的基板支持部：處理前基板支持部，支持處理前(以批貨運送部5運送之前)的基板8；及處理後基板支持部，支持處理後(以批貨運送部5運送之後)的基板8。藉此防止附著於處理前之基板8等的粒子等轉移而附著於處理後之基板8等。
批貨載置部4，暫時載置(待機)藉由批貨運送部5在批貨形成部3與批貨處理部6之間進行運送的批貨。
該批貨載置部4設有：搬入側批貨載置台17，載置處理前(以批貨運送部5運送之前)的批貨；及搬出側批貨載置台18，載置處理後(以批貨運送部5運送之後)的批貨。1批次量的複數片基板8，以垂直態樣前後並排地載置於搬入側批貨載置台17及搬出側批貨載置台18上。
接著，批貨載置部4中，將以批貨形成部3所形成之批貨載置於搬入側批貨載置台17，並透過批貨運送部5將該批貨搬入批貨處理部6。另外，批貨載置部4中，將透過批貨運送部5從批貨處理部6搬出之批貨載置於搬出側批貨載置台18，並將該批貨運送至批貨形成部3。
批貨運送部5，在批貨載置部4與批貨處理部6之間以及在批貨處理部6的內部間進行批貨的運送。
該批貨運送部5設有進行批貨運送的批貨運送機構19。批貨運送機構19，係由載置台20及移動體21所構成，該載置台20係沿著批貨載置部4與批貨處理部6而配置，該移動體21保持複數片基板8並沿著載置台20移動。移動體21設有可自由進退的基板保持體22，其保持以垂直態樣前後並排的複數片基板8。
接著，批貨運送部5，以批貨運送機構19的基板保持體22接收載置於搬入側批貨載置台17的批貨，並將該批貨傳遞至批貨處理部6。另外，批貨運送部5，以批貨運送機構19的基板保持體22接收經批貨處理部6進行處理的批貨，並將該批貨傳遞至搬出側批貨載置台18。更進一步，批貨運送部5，使用批貨運送機構19在批貨處理部6的內部進行批貨的運送。
批貨處理部6，將以垂直態樣前後並排的複數片基板8作為1批，而進行蝕刻、洗淨及乾燥等的處理。
該批貨處理部6中並排設有：乾燥處理裝置23，進行基板8的乾燥處理；基板保持體洗淨處理裝置24，進行基板保持體22的洗淨處理；洗淨處理裝置25，進行基板8的洗淨處理；及2台蝕刻處理裝置26，進行基板8的蝕刻處理。
乾燥處理裝置23，於處理槽27設有可自由升降的基板升降機構28。將進行基板8之乾燥的IPA(異丙醇)等的乾燥用處理氣體供給至處理槽27。基板升降機構28，以垂直態樣前後並排保持1批次量的複數片基板8。乾燥處理裝置23，以基板升降機構28從批貨運送機構19的基板保持體22接收批貨，並以基板升降機構28使該批貨升降，藉此對批貨供給處理槽27的乾燥用處理氣體，以進行基板8的乾燥處理。另外，乾燥處理裝置23，將批貨從基板升降機構28傳遞至批貨運送機構19的基板保持體22。
基板保持體洗淨處理裝置24，形成可對處理槽29供給洗淨用處理液及乾燥氣體的態樣，其在將洗淨用處理液供給至批貨運送機構19的基板保持體22之後，供給乾燥氣體，藉此進行基板保持體22的洗淨處理。
洗淨處理裝置25包含洗淨用處理槽30與沖洗用處理槽31，各處理槽30、31設有可自由升降的基板升降機構32、33。洗淨用處理槽30儲存有進行基板8之洗淨的SC-1等洗淨用處理液。沖洗用處理槽31儲存有進行基板8之沖洗的純水等沖洗用處理液。
蝕刻處理裝置26包含蝕刻用處理槽34與沖洗用處理槽35，各處理槽34、35設有可自由升降的基板升降機構36、37。蝕刻用處理槽34儲存有進行基板8之蝕刻的磷酸水溶液等蝕刻用處理液。沖洗用處理槽35儲存有進行基板8之沖洗的純水等沖洗用處理液。
該等洗淨處理裝置25與蝕刻處理裝置26的構成相同。若對蝕刻處理裝置26進行說明，則係於基板升降機構36、37，以垂直態樣前後並排保持1批次量的複數片基板8。蝕刻處理裝置26，以基板升降機構36從批貨運送機構19的基板保持體22接收批貨，並以基板升降機構36使該批貨升降，藉此使批貨浸漬於處理槽34的蝕刻用處理液，以進行基板8的蝕刻處理。之後，蝕刻處理裝置26，將批貨從基板升降機構36傳遞至批貨運送機構19的基板保持體22。另外，蝕刻處理裝置26，以基板升降機構37從批貨運送機構19的基板保持體22接收批貨，並以基板升降機構37該批貨升降，藉此使批貨浸漬於處理槽35的沖洗用處理液，以進行基板8的沖洗處理。之後，蝕刻處理裝置26，將批貨從基板升降機構37傳遞至批貨運送機構19的基板保持體22。
該蝕刻處理裝置26中，係使用既定濃度的化學劑(磷酸)之水溶液(88.3重量%的磷酸水溶液)作為處理液(蝕刻液)，以對基板8進行液體處理(蝕刻處理)。
如圖2所示，蝕刻處理裝置26包含：處理液儲存部38，用於儲存由既定濃度的磷酸水溶液(88.3重量%的磷酸水溶液)所構成的處理液，並對基板8進行處理；水溶液供給部39，用以將濃度與處理液不同的化學劑(磷酸)水溶液(85重量%的磷酸水溶液)供給至處理液儲存部38；水供給部40，用以將水(純水)供給至處理液儲存部38；處理液循環部41，用以使儲存於處理液儲存部38的處理液循環；及處理液排出部42，從處理液儲存部38排出處理液。
處理液儲存部38，於上部開放之處理槽34的上部周圍，形成上部開放之外槽43，以將處理液儲存於處理槽34與外槽43。處理槽34中儲存處理液，藉由基板升降機構36使基板8浸漬於處理槽34，藉此對基板8進行液體處理。外槽43，儲存從處理槽34溢流之處理液、從水溶液供給部39供給之水溶液及從水供給部40供給之水，並藉由處理液循環部41將處理液供給至處理槽34。外槽43設有檢測處理液之水位的水位感測器44。水位感測器44與控制部7連接。水溶液供給部39，使水溶液供給源45透過流量調整器46與處理液儲存部38的外槽43連接，該水溶液供給源45用以供給既定濃度(85重量%)及既定溫度(25℃)的磷酸水溶液。流量調整器46與控制部7連接，而以控制部7進行開閉控制及流量控制。
水供給部40，使水供給源47透過流量調整器48與處理液儲存部38的外槽43連接，該水供給源47用以供給既定溫度(25℃)的純水。流量調整器48與控制部7連接，而以控制部7進行開閉控制及流量控制。
處理液循環部41，於處理液儲存部38的外槽43的底部與處理槽34的底部之間形成循環流路49。循環流路49中依序設有泵50、加熱器(加熱機構)51、過濾器52、檢測磷酸水溶液之濃度的濃度感測器53。該等泵50、加熱器51、過濾器52及濃度感測器53與控制部7連接。接著，處理液循環部41，驅動泵50，藉此使處理液從外槽43循環至處理槽34。此時，以加熱器51將處理液加熱至既定溫度(165℃)。
處理液排出部42，透過開閉閥55，使處理液儲存部38的處理槽34的底部與外部排水口54連接。開閉閥55與控制部7連接，而以控制部7進行開閉控制。
在蝕刻處理裝置26中，藉由水溶液供給部39，將既定濃度(85重量%)及既定溫度(25℃)的磷酸水溶液供給至處理液儲存部38，並藉由處理液循環部41，將該水溶液加熱至既定濃度(88.3重量%)及既定溫度(165℃)以產生處理液，進而將處理液儲存於處理液儲存部38。另外，蝕刻處理裝置26，藉由水供給部40，將與因加熱而蒸發之水量相對應的純水量供給至處理液儲存部38。藉此，蝕刻處理裝置26，將既定濃度(88.3重量%)及既定溫度(165℃)的處理液儲存於處理液儲存部38的處理槽34，並藉由基板升降機構36使基板8浸漬於該處理液，藉此對基板8進行蝕刻處理。
另外，蝕刻處理裝置26，藉由處理液排出部42排出處理液儲存部38的部分(或全部)處理液，並藉由水溶液供給部39重新供給水溶液，以適當更新(交換)儲存於處理液儲存部38的處理液。
控制部7，控制基板液體處理裝置1之各部(載具搬入與搬出部2、批貨形成部3、批貨載置部4、批貨運送部5、批貨處理部6等)的動作。
該控制部7，例如為電腦，其具備電腦可讀取的記錄媒體56。記錄媒體56，儲存有在基板液體處理裝置1中控制執行之各種處理的程式。控制部7，讀取並執行記錄於記錄媒體56的程式，藉此控制基板液體處理裝置1的動作。此外，程式被記錄於電腦可讀取的記錄媒體56，其亦可從其他記錄媒體安裝至控制部7的記錄媒體56。作為電腦可讀取的記錄媒體56，例如具有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
基板液體處理裝置1，構成如以上所說明的態樣，其以控制部7控制各部(載具搬入與搬出部2、批貨形成部3、批貨載置部4、批貨運送部5、批貨處理部6等)的動作，藉此對基板8進行處理。
在以該基板液體處理裝置1對基板8進行蝕刻處理的情況下，依照記錄於記錄媒體56的基板液體處理程式，以下述說明之方式，以控制部7控制蝕刻處理裝置26等(參照圖3及圖4)。
首先，基板液體處理裝置1，進行用以對基板8進行蝕刻處理的準備(準備步驟)。
在該準備步驟中，控制部7，一邊藉由處理液循環部41使儲存於處理液儲存部38的處理液循環，一邊將其加熱。藉此，產生既定濃度(88.3重量%)及既定溫度(165℃)的處理液。將處理液儲存於處理液儲存部38的處理槽34，同時使其從處理槽34往外槽43溢流，並藉由處理液循環部41以保持既定溫度(165℃)的方式進行加熱。若以此方式將處理液(磷酸水溶液)的溫度加熱至水的沸點以上，則處理液所含有之水分蒸發，而處理液所含有之磷酸的濃度增加。於是，控制部7，藉由水供給部40將與因加熱而蒸發之水量相對應的純水量供給至處理液儲存部38。藉此，使儲存於處理液儲存部38之處理槽34的處理液保持既定濃度(88.3重量%)及既定溫度(165℃)。例如，在加熱引起的水分蒸發量為100ml/min的情況下，從水供給部40供給等量的純水至處理液儲存部38。此外，亦可在之後的步驟(搬入步驟、處理步驟、搬出步驟)繼續進行處理液的加熱。
接著，基板液體處理裝置1，將欲進行蝕刻處理的基板8搬入(搬入步驟)。
在該搬入步驟中，控制部7，使基板升降機構36從處理槽34的內部上升。之後使同時處理之1批次量的基板8從批貨運送機構19運送至基板升降機構36。之後使保持有基板8之基板升降機構36往處理槽34的內部下降。藉此，使基板8浸漬到儲存於處理槽34之處理液。此外，儲存於處理液儲存部38之處理液的水位，在隨著基板升降機構36的上升而暫時下降後，隨著保持有基板8之基板升降機構36的下降而上升。
將基板8浸漬於處理液，藉此開始基板8的蝕刻處理(處理步驟)。若以處理液對基板8進行蝕刻處理，則處理液所含有之矽的濃度增加。處理液的能力(蝕刻速率)與處理液中的矽濃度相依，因此必須使處理液中的矽濃度保持在一定濃度範圍內。於是，基板液體處理裝置1中，如以下所說明，在處理基板8時排出一部分處理液，同時供給新的處理液，藉此進行處理液的更新。
開始進行蝕刻處理時，控制部7，以水位感測器44檢測儲存於處理液儲存部38之處理液的液面高度(水位)並進行記錄(水位記錄)。之後，控制部7，藉由水溶液供給部39重新將既定濃度(85重量%)及既定溫度(25℃)的磷酸水溶液供給至處理液儲存部38，同時藉由處理液排出部42使既定量的處理液從處理液儲存部38排出(處理液更新)。此外，可在從開始蝕刻處理經過既定時間時，開始進行處理液的更新，亦可在處理液中的矽濃度到達既定值以上時，開始進行處理液的更新。
此處，基板液體處理裝置1中，從水溶液供給部39重新供給500ml/min的處理液。重新供給之水溶液，變成85重量%的磷酸水溶液。因此，在等量排出與水溶液濃度不同濃度之處理液的情況下，儲存於處理液儲存部38之處理液的濃度發生變化。上述基板液體處理裝置1中，供給之水溶液的濃度(85重量%)低於排出之處理液的濃度(88.3重量%)，因此若使排出量與供給量相同，則處理液的濃度降低。
於是，控制部7，藉由水溶液供給部39使既定量的磷酸水溶液供給至處理液儲存部38，同時藉由處理液排出部42使含有與「供給至處理液儲存部38之磷酸水溶液所含有的化學劑(磷酸)量」相同化學劑量的處理液從處理液儲存部38排出。例如，在從水溶液供給部39重新供給500ml/min的85重量%磷酸水溶液至處理液儲存部38情況下，供給之磷酸水溶液500ml/min中含有384.6ml/min的磷酸。從處理液儲存部38排出436.6ml/min的處理液，作為含有與其相同量之磷酸的88.3重量%的處理液。藉此，可使儲存於處理液儲存部38之處理液所含有的化學劑量經常保持定值。
另外，基板液體處理裝置1中，供給至處理液儲存部38之水溶液的溫度(25℃)，低於儲存於處理液儲存部38之處理液的溫度(165℃)，藉由處理液循環部41將處理液的溫度加熱至水的沸點以上。因此，上述基板液體處理裝置1中，從處理液儲存部38蒸發一定量的水分。在加熱引起的水分蒸發量為100ml/min的情況下，若在更新處理液時從水供給部40供給等量的純水至處理液儲存部38，則供給之水溶液的濃度(85重量%)低於排出之處理液的濃度(88.3重量%)，故處理液的濃度降低。
於是，控制部7，從水供給部40供給與下述水量相同量的純水至處理液儲存部38：「因加熱而從處理液儲存部38蒸發的水量」與「從處理液儲存部38排出之處理液所含有的水量」相加的水量，減去「供給至處理液儲存部38之磷酸水溶液所含有的水量」的水量。例如，如上所述，在從水溶液供給部39重新供給500ml/min的85重量%磷酸水溶液至處理液儲存部38，並將436.6ml/min的88.3重量%的處理液(其含有與供給之磷酸水溶液相同量的磷酸)從處理液儲存部38排出的情況下，若使因加熱而從處理液儲存部38蒸發的水量為100ml/min，則從處理液儲存部38排出之88.3重量%的處理液所含有的水量為52ml/min，且供給至處理液儲存部38之磷酸水溶液所含有的水量為115.4ml/min。因此，「因加熱而從處理液儲存部38蒸發的水量100ml/min」與「從處理液儲存部38排出之處理液所含有的水量52ml/min」相加的水量為152ml/min。該水量(152ml/min)減去「供給至處理液儲存部38之磷酸水溶液所含有的水量115.4ml/min」的水量為36.6ml/min。從水供給部40供給與該36.6ml/min相同量的純水至處理液儲存部38。藉此，可使儲存於處理液儲存部38之處理液所含有的純水量經常保持定值。
如此，基板液體處理裝置1中，可使儲存於處理液儲存部38之處理液所含有的化學劑(磷酸)量與純水量經常保持定值，並可使處理液的濃度及量保持定值。藉此，可良好地進行基板8的蝕刻處理。
接著，上述基板液體處理裝置1中，使儲存於處理液儲存部38之處理液的量保持定值，因此無需使用流量調整器等準確地控制從處理液排出部42排出之處理液的量，只要以維持在開始進行蝕刻處理時所記錄之處理液的液面高度(水位)的方式控制處理液排出部42即可。藉此，可謀求基板液體處理裝置1的成本降低。
在上述蝕刻處理進行既定時間後，基板液體處理裝置1，將經蝕刻處理之基板8搬出(搬出步驟)。
在該搬出步驟中，控制部7，使保持有基板8之基板升降機構36從處理槽34的內部上升。藉此，基板8的蝕刻處理結束。之後使同時處理之1批次量的基板8從基板升降機構36運送至批貨運送機構19。之後使基板升降機構36往處理槽34的內部下降。
如以上所說明，上述基板液體處理裝置1中，將與既定量的處理液不同濃度的水溶液供給至處理液儲存部38，同時將含有與「供給至處理液儲存部38之水溶液所含有的化學劑量」相同化學劑量的處理液從處理液儲存部38排出，藉此進行處理液的更新，因此可不改變處理液的濃度而迅速地更新處理液，進而可不降低基板液體處理裝置1的處理量，而良好地進行基板8的液體處理。
此外，上述基板液體處理裝置1，係說明在處理液儲存部38對基板8進行液體處理的情況下使用本發明的例子，但如圖5所示，本發明亦可使用於下述情況：將處理液從作為處理液儲存部38的儲存槽供給至另一個基板處理部57，並在基板處理部57對基板8進行液體處理。另外，本發明並不限於使用磷酸水溶液作為處理液的情況，亦適用於使用其他的一種水溶液或多種水溶液之混合液體等的情況，另外，其並不限於蝕刻處理，亦適用於洗淨處理等。
1‧‧‧基板液體處理裝置
2‧‧‧載具搬入與搬出部
3‧‧‧批貨形成部
4‧‧‧批貨載置部
5‧‧‧批貨運送部
6‧‧‧批貨處理部
7‧‧‧控制部
8‧‧‧基板
9‧‧‧載具
10‧‧‧載具載台
11‧‧‧載具運送機構
12‧‧‧載具存放部
13‧‧‧載具存放部
14‧‧‧載具載置台
15‧‧‧基板運送機構
17‧‧‧搬入側批貨載置台
18‧‧‧搬出側批貨載置台
19‧‧‧批貨運送機構
20‧‧‧載置台
21‧‧‧移動體
22‧‧‧基板保持體
23‧‧‧乾燥處理裝置
24‧‧‧基板保持體洗淨處理裝置
25‧‧‧洗淨處理裝置
26‧‧‧蝕刻處理裝置
27‧‧‧處理槽
28‧‧‧基板升降機構
29‧‧‧處理槽
30‧‧‧洗淨用處理槽
31‧‧‧沖洗用處理槽
32‧‧‧基板升降機構
33‧‧‧基板升降機構
34‧‧‧蝕刻用處理槽
35‧‧‧沖洗用處理槽
36‧‧‧基板升降機構
37‧‧‧基板升降機構
38‧‧‧處理液儲存部
39‧‧‧水溶液供給部
40‧‧‧水供給部
41‧‧‧處理液循環部
42‧‧‧處理液排出部
43‧‧‧外槽
44‧‧‧水位感測器
45‧‧‧水溶液供給源
46‧‧‧流量調整器
47‧‧‧水供給源
48‧‧‧流量調整器
49‧‧‧循環流路
50‧‧‧泵
51‧‧‧加熱器
52‧‧‧過濾器
53‧‧‧濃度感測器
54‧‧‧外部排水口
55‧‧‧開閉閥
56‧‧‧記錄媒體
57‧‧‧基板處理部
圖1係顯示基板液體處理裝置的俯視說明圖。圖2係顯示蝕刻處理裝置的說明圖。圖3係顯示基板液體處理程式的流程圖。圖4係其時序圖。圖5係顯示其他蝕刻處理裝置的說明圖。

Claims (11)

  1. 一種基板液體處理裝置，使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液以對基板進行液體處理，包含： 處理液儲存部，儲存該處理液；水溶液供給部，將濃度與該處理液不同的該化學劑的水溶液供給至該處理液儲存部；處理液排出部，從該處理液儲存部排出該處理液；及控制部，控制該水溶液供給部與處理液排出部；該控制部進行控制，以藉由該水溶液供給部將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，同時藉由該處理液排出部將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑之量」相同量之化學劑的該處理液從該處理液儲存部排出。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液體處理裝置，其中更包含：加熱機構，使用濃度及溫度低於該處理液者作為該水溶液，並在將該水溶液供給至該處理液儲存部後進行加熱。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板液體處理裝置，其中，更設有水供給部，其將水供給至該處理液儲存部；該控制部進行控制，以將從「因加熱而從該處理液儲存部蒸發的水量」與「從該處理液儲存部排出之該處理液中所含有的水量」相加而得的水量，減去「供給至該處理液儲存部之該水溶液中所含有的水量」後所得的水量相同量的水，從該水供給部供給至該處理液儲存部。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，該控制部進行控制，以使該基板浸漬於該處理液儲存部所儲存之該處理液而以該處理液處理該基板，且在處理該基板時，同時使該水溶液供給部供給該水溶液並使該處理液排出部排出該處理液。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板液體處理裝置，其中，該控制部，記錄使該基板浸漬於該處理液儲存部後該處理液儲存部的水位，同時控制該處理液排出部所進行的從該處理液儲存部的該處理液之排出量，以維持該水位。
  6. 一種基板液體處理方法，使用既定濃度的化學劑之水溶液作為處理液，以對基板進行液體處理，其特徵為：將該處理液儲存於處理液儲存部，再將濃度與該處理液不同的該化學劑的水溶液供給至該處理液儲存部，同時將該處理液從該處理液儲存部排出，以更新儲存於該處理液儲存部的該處理液；此時，將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，同時將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液中所含有的該化學劑之量」相同量之化學劑的該處理液從該處理液儲存部排出。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板液體處理方法，其中，使用濃度及溫度低於該處理液者作為該水溶液，並在將該水溶液供給至該處理液儲存部後進行加熱。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板液體處理方法，其中，將從「因加熱而從該處理液儲存部蒸發的水量」與「從該處理液儲存部排出之該處理液中所含有的水量」相加而得的水量，減去「供給至該處理液儲存部之該水溶液中所含有的水量」後所得的水量相同量的水，供給至該處理液儲存部。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板液體處理方法，其中，使該基板浸漬於該處理液儲存部所儲存之該處理液，而以該處理液處理該基板，並在處理該基板時同時進行該水溶液的供給與該處理液的排出。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板液體處理方法，其中，記錄使該基板浸漬於該處理液儲存部後該處理液儲存部的水位，同時將該處理液從該處理液儲存部排出，以維持該水位。
  11. 一種記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體，其係用於控制包含下述單元之基板液體處理裝置：處理液儲存部，儲存既定濃度的化學劑之水溶液，作為用以對基板進行液體處理的處理液；水溶液供給部，將與該處理液不同濃度的該化學劑水溶液供給至該處理液儲存部；及處理液排出部，將該處理液從該處理液儲存部排出； 該記錄媒體的特徵為： 藉由該水溶液供給部，將既定量的該水溶液供給至該處理液儲存部，並藉由該處理液排出部，將含有與「供給至該處理液儲存部之該水溶液所含有的該化學劑之量」相同量之化學劑的該處理液從該處理液儲存部排出。
TW104102932A 2014-01-31 2015-01-29 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 TWI625811B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-017524 2014-01-31
JP2014017524A JP6118739B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201543595A TW201543595A (zh) 2015-11-16
TWI625811B true TWI625811B (zh) 2018-06-01

Family

ID=53731544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104102932A TWI625811B (zh) 2014-01-31 2015-01-29 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10985035B2 (zh)
JP (1) JP6118739B2 (zh)
KR (1) KR102280703B1 (zh)
CN (2) CN110010528B (zh)
TW (1) TWI625811B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
CN107644822B (zh) * 2016-07-21 2020-12-15 弘塑科技股份有限公司 半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体循环与过滤方法
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
JP6940232B2 (ja) * 2016-09-23 2021-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN107919299B (zh) * 2016-10-11 2021-01-26 盟立自动化股份有限公司 液位控制系统及方法
CN108511368B (zh) * 2017-02-28 2023-09-01 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置
US11869780B2 (en) * 2017-09-11 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus
KR102264002B1 (ko) * 2017-10-20 2021-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6976166B2 (ja) * 2017-12-28 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7198595B2 (ja) 2018-05-31 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置及び記憶媒体
JP7224117B2 (ja) * 2018-06-15 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液再利用方法
JP7072453B2 (ja) 2018-06-29 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7101083B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP7289639B2 (ja) * 2018-11-30 2023-06-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理方法
TWI685879B (zh) * 2019-06-11 2020-02-21 力晶積成電子製造股份有限公司 工作溶液的更新方法
JP7413113B2 (ja) * 2020-03-24 2024-01-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム
DE102021104076B3 (de) * 2021-02-22 2022-06-30 Mühlbauer Technology Gmbh Vorrichtung zur Reinigung von gedruckten 3D-Objekten

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699400B1 (en) * 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
TW200723381A (en) * 2005-10-11 2007-06-16 Tokyo Electron Ltd Processing system, treatment liquid supply method and computer-readable recording medium having treatment liquid supply program
JP2013232593A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04115530A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04188728A (ja) * 1990-11-22 1992-07-07 Hitachi Ltd 湿式エッチング装置
US5308400A (en) * 1992-09-02 1994-05-03 United Microelectronics Corporation Room temperature wafer cleaning process
JP3074366B2 (ja) * 1993-02-22 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0786231A (ja) * 1993-09-09 1995-03-31 Toray Ind Inc 薄膜のエッチング方法
JP3430611B2 (ja) * 1994-02-16 2003-07-28 富士通株式会社 エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
JP2005079212A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
US7976718B2 (en) * 2003-12-30 2011-07-12 Akrion Systems Llc System and method for selective etching of silicon nitride during substrate processing
US20060157197A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Tadashi Maegawa Substrate processing apparatus
US8211810B2 (en) * 2007-09-21 2012-07-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution
JP5009207B2 (ja) * 2007-09-21 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5035913B2 (ja) 2008-09-22 2012-09-26 アプリシアテクノロジー株式会社 エッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置
JP5231920B2 (ja) * 2008-09-29 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及びその処理液交換方法
JP5323661B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699400B1 (en) * 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
TW200723381A (en) * 2005-10-11 2007-06-16 Tokyo Electron Ltd Processing system, treatment liquid supply method and computer-readable recording medium having treatment liquid supply program
JP2013232593A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN104821285B (zh) 2019-05-07
CN104821285A (zh) 2015-08-05
US20150221530A1 (en) 2015-08-06
JP6118739B2 (ja) 2017-04-19
KR102280703B1 (ko) 2021-07-21
JP2015144221A (ja) 2015-08-06
US10985035B2 (en) 2021-04-20
CN110010528A (zh) 2019-07-12
KR20150091245A (ko) 2015-08-10
TW201543595A (zh) 2015-11-16
CN110010528B (zh) 2023-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI625811B (zh) 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN106158703B (zh) 基板液处理装置以及基板液处理方法
JP6732546B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6118689B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6294256B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2018060896A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6441198B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6824962B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2016178151A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2019029417A (ja) 基板液処理方法、基板液処理装置及び記憶媒体
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TW201935555A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置