JP6824962B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents

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Description

本発明は、処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板液処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液等の処理液を用いてエッチング等の処理を施す。
たとえば、半導体装置の製造工程において、基板表面の絶縁膜にコンタクトホール（凹部）が形成され、凹部内および凹部外の絶縁膜上に被膜（たとえば、タングステンなどの金属層）を堆積した後に、エッチング液（たとえば、リン酸、硝酸、酢酸など混合したエッチング液）を金属層のエッチングレートが高い温度（７０℃以上）にして凹部外の金属層をエッチングする手法が知られている（特許文献１）。
特開２００９−２６６９８４号公報
このとき、凹部内の金属層を可能な限りエッチングされないようにし、かつ、凹部外の金属層の残膜を可能な限り薄く、もしくは、凹部外に金属層が残らないよう短時間に液処理することが望ましい。
ところが、従来のウェットエッチング手法では、エッチングレートの高い温度のエッチング液で処理すると、金属層を短時間で除去することができるが、凹部内の金属層もエッチングされてしまうおそれがある。
そこで、本発明では、エッチング液を貯留した処理槽に基板を浸漬させることで、凹部の内部および凹部の外部を覆う被膜が形成された基板の表面に前記被膜を除去するエッチング液を接触させてエッチング処理を行う基板液処理方法において、第１エッチングレートになるよう前記処理槽に貯留した前記エッチング液を第１の温度にし、第１処理時間で前記凹部外部の前記被膜を除去する第１の被膜除去工程と、次いで、前記第１エッチングレートより低い第２エッチングレートになるよう前記処理槽に貯留した前記エッチング液を第１の温度から第２の温度にし、第２処理時間で前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の前記被膜を除去する第２の被膜除去工程とを有することにした。
また、本発明では、エッチング液を貯留した処理槽に基板を浸漬させることで、凹部の内部および凹部の外部を覆う被膜が形成された基板の表面に前記被膜を除去するエッチング液を接触させてエッチング処理を行う基板液処理装置において、前記凹部外部を覆う前記被膜の一部を除去するために、前記基板の表面に前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、前記エッチング液供給部を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記エッチング液供給部から前記処理槽に貯留して前記基板の表面に供給される前記エッチング液の温度を第１エッチングレートになるよう第１の温度にして第１処理時間で前記凹部外部の前記被膜を除去するようにエッチング液供給部を制御し、次いで、前記処理槽に貯留した前記エッチング液の温度を前記第１エッチングレートより低い第２エッチングレートになるよう第１の温度から第２の温度にして第２処理時間で前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の前記被膜を除去するようにエッチング液供給部を制御することにした。
本発明では、基板の凹部内の被膜を残し、凹部外の被膜を精度よくエッチングすることができる。
基板液処理装置を示す平面説明図。 エッチング処理装置を示す説明図。 エッチング処理装置のエッチング処理時の動作を示す説明図。 エッチング処理装置の濃度計測時の動作を示す説明図。 エッチング処理時の時間および温度の変化を示す説明図。 エッチング処理時の時間および温度の変化に対する被膜の除去の変化を示す説明図。 エッチング処理時の別の形態における時間および温度の変化を示す説明図 エッチング処理装置の別の形態を示す説明図。
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１に示すように、基板液処理装置１は、キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、制御部７を有する。
キャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、25枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。
このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ10と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア９を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。
そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、50枚）の基板８からなるロットを形成する。
このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
そして、ロット形成部３は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９から基板搬送機構15を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置するまた、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置（待機）する。
このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板８を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。
そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。
乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構28には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30，31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36，37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
制御部７は、基板液処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。
この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体58を備える。記憶媒体58には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体58に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体58に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体58にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体58としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
このエッチング処理装置26では、所定濃度の各種薬剤と純水を混合した処理液（エッチング液）を用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。
エッチング処理装置26は、図２に示すように、処理液を貯留するとともに基板８を液処理するための液処理部38と、液処理部38に処理液を供給するためのエッチング液供給部39と、液処理部38から処理液を排出する処理液排出部40とを有する。エッチング液供給部39は、液処理部38に処理液を供給するための薬液供給部41と、液処理部38に貯留された処理液を循環させるための処理液循環部43とを有する。
液処理部38は、上部を開放させた処理槽34の上部周囲に上部を開放させた外槽44を形成し、処理槽34と外槽44に処理液を貯留する。処理槽34では、基板８を基板昇降機構36によって浸漬させることで液処理する処理液を貯留する。外槽44では、処理槽34からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環部43によって処理槽34に処理液を供給する。
薬液供給部41は、処理液を液処理部38に供給する。この薬液供給部41は、処理液を供給するための処理液供給源45を液処理部38の外槽44に流量調整器46を介して接続する。流量調整器46は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
処理液循環部43は、液処理部38の外槽44の底部と処理槽34の底部との間に循環流路49を形成する。循環流路49には、ポンプ50、フィルタ51、ヒータ52が順に設けられている。ポンプ50及びヒータ52は、制御部７に接続されており、制御部７で駆動制御される。そして、処理液循環部43は、ポンプ50を駆動させることで外槽44から処理槽34に処理液を循環させる。その際に、ヒータ52で処理液を加熱する。
また、処理液循環部43は、循環流路49の途中（ヒータ52よりも下流側）と外槽44との間に濃度計測流路53を形成する。濃度計測流路53には、開閉弁54、濃度センサ55が順に設けられている。開閉弁54は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。また、濃度センサ55は、制御部７に接続されており、制御部７からの指示で濃度計測流路53を流れる処理液の濃度を計測して制御部７に通知する。
処理液排出部40は、液処理部38の処理槽34の底部に外部の排液管と連通する排液流路56を接続し、排液流路56に開閉弁57を設けている。開閉弁57は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、記憶媒体58に記憶された基板液処理プログラム等に従って制御部７で各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御することで、基板８を処理する。
この基板液処理装置１で基板８をエッチング処理する場合には、エッチング処理装置26の液処理部38の処理液をエッチング液供給部39で所定の温度に加熱した処理液を生成して処理槽34に貯留する。具体的には、制御部７は、図３に示すように、ポンプ50を駆動させて処理液を循環流路49で循環させるとともに、ヒータ52を駆動させて処理液の温度を所定の温度に維持させる。そして、所定の濃度及び所定の温度の処理液が貯留された処理槽34に基板昇降機構36によって基板８を浸漬させることで、処理液で基板８をエッチング処理（液処理）する。
なお、制御部７は、所定のタイミングで処理液の濃度を濃度センサ55で計測する。その際には、図４に示すように、液処理時と同様にポンプ50を駆動させて処理液を循環流路49で循環させるとともに、ヒータ52を駆動させて処理液の温度を所定の温度に維持させる。さらに、開閉弁54を開放した状態にして、循環流路49を流れる処理液の一部を濃度計測流路53に流し、濃度センサ55で処理液の濃度を計測する。なお、濃度計測後には、開閉弁54を閉塞した状態に戻して、全ての処理液を循環流路49で循環させる。
従来においては、たとえば、図５（ａ）に示すように、エッチングレートが高い温度（たとえば、70℃）に加熱した処理液（たとえば、リン酸、硝酸、酢酸、純水など混合したエッチング液）の中に、絶縁膜60（たとえば、シリコン酸化膜）に形成された凹部61内および凹部61外を覆う金属層62（たとえば、タングステン）が形成された基板８を、予め設定した処理時間（tn）だけ浸漬させることで、凹部内61の金属層62を可能な限りエッチングされないようにし、かつ、凹部61外の金属層62の残膜を限りなく薄くエッチングしていた。
エッチング処理時においては、凹部内61の金属層62を可能な限りエッチングされないようにし、かつ、凹部61外の金属層62の残膜を限りなく薄く、もしくは、凹部61外の金属層62のみをエッチングすることは難しく、凹部61内の金属層62もエッチングされてしまうおそれがある。
そこで、基板液処理装置１では、まず、金属層62に対するエッチングレートが高い状態（第１エッチングレート）の処理液で基板８の表面をエッチング処理し（第１の被膜除去工程step1）、その後、金属層62に対するエッチングレートが低い状態（第２エッチングレート）の処理液で基板８の表面をエッチング処理する（第２の被膜除去工程step2）ことにした。エッチングレートは、エッチング液の種類を変えたり、エッチング液の濃度を変えることでも変更することができる。しかし、エッチング処理の途中でエッチング液の種類や濃度を変更するには時間や別の機構等が必要となり、スループットの減少や処理コストの増大を招くおそれがある。そのため、ここでは、エッチング液の温度を変えることでエッチングレートを変更することにした。基板液処理装置１では、エッチング液を所定の温度にするためにヒータ52が既に設けられているため、このヒータ52を調温手段として用いてエッチング液の温度を変えることができる。これにより、エッチングレートを変更するために別の機構等が必要とならず短時間でエッチングレートを円滑に変更することができる。
具体的には、図５（ｂ）に示すように、第１の被膜除去工程step１において、制御部７は、エッチング液供給部39においてヒータ52を制御し、エッチングレートが高い第１の温度（たとえば、70℃）で処理液を加熱することで、エッチングレートの高い状態の処理液を生成する。その処理液をエッチング液供給部39から液処理部38に供給し、液処理部38で基板８をエッチング処理する。その際に、エッチング処理する時間を第１処理時間t1とし、金属層62のエッチング量を第１エッチング量V1とする（図６（ａ）参照）。
その後、第２の被膜除去工程step2において、制御部７は、エッチング液供給部39において第１の温度よりも低い第２の温度（たとえば、60℃）で処理液を加熱（温調）させることで、金属層62に対するエッチングレートの低い状態の処理液を生成する。その処理液をエッチング液供給部39から液処理部38に供給し、液処理部38で基板８をエッチング処理する。その際に、エッチング処理する時間を第２処理時間t2とし、凹部61外に残っている金属層62のエッチング量を第２エッチング量V2とする（図６（ｂ）参照）。ここで、第２の被膜除去工程step2における第２エッチング量V2よりも第１の被膜除去工程step１における第１エッチング量V1の方が多くなるように第１及び第２エッチングレート（エッチング液の温度）や第１及び２処理時間t1,t2を設定するのが好ましい。
これにより、基板８を第１処理時間t1ではエッチングレートの高い処理液で多量（第１エッチング量V1）の金属層を短時間に除去することができる。なお、このとき、凹部61外には凹部61内の金属層62が露出しない程度の薄い金属層62（第２エッチング量V2）を残す。その後、第２処理時間t2ではエッチングレートの低い処理液で凹部61外に残っている金属層62（第２エッチング量V2）を徐々に精度よく除去することで、凹部61内の金属層62が可能な限りエッチングされないようにすることができる（図６（ｃ））。
上記実施の形態において、第２処理時間における処理液の温度（第２の温度）を６０℃にして処理を行うようにしたが、これに限ることはなく、第２処理時間における処理液の温度をたとえば、６５℃、６０℃と段階的に温度を下げるようにしてもよい（図７（ａ））。また、第２処理時間の開始時に処理液を加熱するヒータ52の電源をオフし、処理液の温度が６０℃になるまで連続的に下げ、その後、ヒータ52の電源をオンして処理液を６０℃にするようにしてもよい（図７（ｂ））。また、第２処理時間の開始時に処理液を加熱するヒータ52の電源をオフし、ヒータ52の下流側に設けられた熱源52a（たとえば冷却器）により処理液を60℃まで急速に下げて、その後、熱源52aの電源をオフし、かつ、ヒータ52の電源をオンし、処理液の温度を60℃にするようにしてもよい（図７（ｃ）、図８）。
上記実施の形態において、制御部７には、大気圧を検出するための大気圧センサ70（大気圧検出部）が接続されている。大気圧センサ70で検出した大気圧（検出大気圧）と予め設定された大気圧（設定大気圧：基準となる大気圧として1013hPa）とが相違する場合は、検出大気圧に応じて設定温度（第１の温度、第２の温度）を補正（変更）することができる。これにより、大気圧が変動した場合、処理液の温度が変動し、除去される金属層62の量が変化してしまい精度よく金属層62を除去することができなかったが、大気圧が変動した場合であっても、大気圧（設定大気圧）時に除去される金属層62の量と同じ量だけ金属層62を除去することができる。なお、設定温度の補正は、予め大気圧と補正する温度とを対応させた対応表を作成しておき、対応表に沿って設定温度を補正することができる。これにより、検出した大気圧が予め設定された大気圧（設定大気圧）時に除去される前記被膜の量と同じになるように前記エッチング液供給部39から供給される前記エッチング液の温度を検出した大気圧に応じて補正する。
上記実施の形態において、エッチング液はリン酸、硝酸、酢酸、純水などの混合液としたが、これに限ることはなく、リン酸、純水の混合液などであってもよく、またその他薬液の混合液であってもよい。
１ 基板液処理装置
７ 制御部
８ 基板
38 液処理部
39 エッチング液供給部

Claims (11)

  1. エッチング液を貯留した処理槽に基板を浸漬させることで、凹部の内部および凹部の外部を覆う被膜が形成された基板の表面に前記被膜を除去するエッチング液を接触させてエッチング処理を行う基板液処理方法において、
    第１エッチングレートになるよう前記処理槽に貯留した前記エッチング液を第１の温度にし、第１処理時間で前記凹部外部の前記被膜を除去する第１の被膜除去工程と、
    次いで、前記第１エッチングレートより低い第２エッチングレートになるよう前記処理槽に貯留した前記エッチング液を第１の温度から第２の温度にし、第２処理時間で前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の前記被膜を除去する第２の被膜除去工程と、
    を有することを特徴とする基板液処理方法。
  2. 前記第１の被膜除去工程と前記第２の被膜除去工程で除去される前記被膜の量は、前記第１の被膜除去工程で除去される量の方が多いことを特徴とする請求項１に記載の基板液処理方法。
  3. 前記第２の温度は、第２処理時間の経過の間、連続的にまたは段階的に低くすることを特徴とする請求項１および請求項２に記載の基板液処理方法。
  4. 前記第２の被膜除去工程は、前記凹部外部の被膜を全て除去することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
  5. 前記基板をエッチング処理中の大気圧を検出し、
    予め設定された大気圧時に除去される前記被膜の量と同じになるように前記エッチング液の温度を検出した大気圧に応じて補正することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
  6. エッチング液を貯留した処理槽に基板を浸漬させることで、凹部の内部および凹部の外部を覆う被膜が形成された基板の表面に前記被膜を除去するエッチング液を接触させてエッチング処理を行う基板液処理装置において、
    前記凹部外部を覆う前記被膜の一部を除去するために、前記基板の表面に前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、
    前記エッチング液供給部を制御する制御部と、
    を具備し、
    前記制御部は、前記エッチング液供給部から前記処理槽に貯留して前記基板の表面に供給される前記エッチング液の温度を第１エッチングレートになるよう第１の温度にして第１処理時間で前記凹部外部の前記被膜を除去するようにエッチング液供給部を制御し、次いで、前記処理槽に貯留した前記エッチング液の温度を前記第１エッチングレートより低い第２エッチングレートになるよう第１の温度から第２の温度にして第２処理時間で前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の前記被膜を除去するようにエッチング液供給部を制御することを特徴とする基板液処理装置。
  7. 前記制御部は、前記第１処理時間で除去される前記被膜の量が、前記第２処理時間で除去される前記被膜の量よりも多く除去するよう制御することを特徴とする請求項６に記載の基板液処理装置。
  8. 前記制御部は、前記エッチング液供給部の前記第２の温度が第２処理時間の経過の間、連続的にまたは段階的に低くなるように制御することを特徴とする請求項６および請求項７に記載の基板液処理装置。
  9. 前記制御部は、前記第２処理時間に前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の被膜を全て除去するように制御することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  10. 前記制御部は、前記エッチング液の温度検出部と大気圧検出部からの信号とを取得検出可能とし、取得検出した大気圧が予め設定された大気圧（設定大気圧）時に除去される前記被膜の量と同じになるように前記エッチング液供給部から供給される前記エッチング液の温度を検出した大気圧に応じて補正することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  11. 基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板液処理装置を制御して請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板液処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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