JP2018006623A - 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 - Google Patents
基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018006623A JP2018006623A JP2016133560A JP2016133560A JP2018006623A JP 2018006623 A JP2018006623 A JP 2018006623A JP 2016133560 A JP2016133560 A JP 2016133560A JP 2016133560 A JP2016133560 A JP 2016133560A JP 2018006623 A JP2018006623 A JP 2018006623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- substrate
- unit
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 339
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 324
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 18
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 208
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 82
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 82
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 65
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 18
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 16
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1039—Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02079—Cleaning for reclaiming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板液処理装置1は基板8を処理液により処理する液処理部39と、制御部7とを有している。前記制御部7は前記液処理部39において前記基板8を処理し、前記基板8から溶出される溶出成分濃度に応じて、排出ライン82から排出される前記処理液を前記再生ライン90から、前記排出ライン82を経て外方へ廃棄する廃棄ライン87に切り替える。
【選択図】図2
Description
以下、本発明の実施の形態について、図1乃至図4により説明する。まず本発明による基板液処理装置1が組込まれた基板液処理システム1A全体について述べる。
制御部7は図4に示すように、濃度計43Aからの測定信号に基づいて、処理液中のシリコン濃度が一定となるよう冷却タンク85内の処理液を切換弁67,70を経て再生ユニット91へ送る。そしてこの再生ユニット91の再生部91Aにおいて処理液中のシリコンが除去される。そしてシリコンが除去された処理液は、貯留部91Bで貯えられた後、切換弁72および73を経て戻しライン80を通り、切換弁61を介してリン酸水溶液供給部40のリン酸水溶液供給ライン45Aへ送られた後、液処理部39の外槽44へ戻される。
次に図5により本発明の変形例について説明する。
図5に示す変形例は制御部7による制御方法が異なるのみであり、他の構成は図1乃至図4に示す実施の形態と略同一である。
制御部7は図5に示すように液処理開始直後は処理液中のシリコン濃度は大きく上昇しないものと判断する。この際、制御部7は冷却タンク85内の処理液を排出ライン82の切換弁67から切換弁71へ送る。次に制御部7は再生ユニット91を用いることなく、処理液を戻しライン80を通し、切換弁61を介してリン酸水溶液供給部40のリン酸水溶液供給ライン45Aへ送った後、液処理部39の外槽44内へ戻す。
1A 基板液処理システム
7 制御部
8 基板
34 処理槽
39 液処理部
40 リン酸水溶液供給部
41 純水供給部
42 処理液循環ライン
43 処理液排出部
43A 濃度計
45 水溶液供給源
45A リン酸水溶液供給ライン
44 外槽
51 供給ポンプ
52 ヒータ
53 フィルタ
55 濃度計
60 加熱タンク
80 戻しライン
82 排出ライン
85 冷却タンク
87 廃棄ライン
90 再生ライン
91 再生ユニット
Claims (13)
- リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納するとともに、当該処理液を用いて前記基板を処理する液処理部と、
前記液処理部に前記リン酸水溶液を供給するためのリン酸水溶液供給部と
前記液処理部に接続され、前記処理液を排出する排出ラインと、
前記排出ラインに切換自在に接続され、前記処理液を前記液処理部に戻す戻しラインと、
前記排出ラインに切換自在に接続され、前記処理液を再生する再生ユニットを含む再生ラインと、
制御部とを備え、
前記制御部は前記液処理部において前記基板を処理し、前記基板から溶出される溶出成分濃度に応じて、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインから、前記排出ラインを経て外方へ廃棄する廃棄ラインに切り替える、ことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記制御部は,前記排出ラインから排出される前記処理液を前記基板から溶出される溶出成分濃度に応じて、前記再生ラインに送ることなく前記排出ラインからの前記処理液を前記戻しラインに切り替える、ことを特徴とする請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記制御部は,前記液処理部において前記基板を処理し、前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定再生濃度に達した際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインに切り替え、
前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定廃棄濃度に達した際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記排出ラインから外方へ廃棄する廃棄ラインに切り替え、
前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定再生濃度に達しない際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインに送ることなく前記排出ラインからの前記処理液を前記戻しラインに切り替える、
ことを特徴とする請求項1記載の基板液処理装置。 - 前記処理液のリン酸濃度を測定するリン酸濃度測定部が設けられ、
前記戻りラインのうち液処理部近傍に、前記処理液を加熱する加熱タンクが設けられるとともに、前記液処理部に水供給部が接続され、
前記制御部は前記リン酸濃度測定部からの信号に基づいて、リン酸濃度が所定リン酸濃度より低い場合に前記加熱タンクにより前記処理液を加熱し、リン酸濃度が所定リン酸濃度より高い場合に前記水供給部から前記液処理部へ水を供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の基板液処理装置。 - 前記基板から溶出される溶出成分濃度は、前記排出ラインに設けられた溶出成分濃度測定部により得ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の基板液処理装置。
- 前記基板から溶出される溶出成分濃度は、予め行われた実験により所定時間経過後の処理液中の溶出成分濃度を得ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の基板液処理装置。
- リン酸水溶液からなる処理液により、液処理部において基板を処理する工程と、
前記液処理部にリン酸水溶液供給部から前記リン酸水溶液を供給する工程と、
前記液処理部内の前記処理液を排出ラインから排出する工程と、
前記排出ラインに切換自在に接続された戻しラインにより前記処理液を前記液処理部に戻す工程と、
前記排出ラインに切換自在に接続され、前記処理液を再生する再生ユニットを含む再生ラインにより前記処理液を再生する工程と、を備え、
制御部は前記液処理部において前記基板を処理し、前記基板から溶出される溶出成分濃度に応じて、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインから、前記排出ラインを経て外方へ廃棄する廃棄ラインに切り替える、ことを特徴とする基板液処理方法。 - 前記制御部は,前記排出ラインから排出される前記処理液を前記基板から溶出される溶出成分濃度に応じて、前記再生ラインに送ることなく前記排出ラインからの前記処理液を前記戻しラインに切り替える、ことを特徴とする請求項7記載の基板液処理方法。
- 前記制御部は,前記液処理部において前記基板を処理し、前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定再生濃度に達した際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインに切り替え、
前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定廃棄濃度に達した際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記排出ラインから外方へ廃棄する廃棄ラインに切り替え、
前記基板から溶出される溶出成分濃度が所定再生濃度に達しない際に、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインに送ることなく前記排出ラインからの前記処理液を前記戻しラインに切り替える、ことを特徴とする請求項7記載の基板液処理方法。 - 前記処理液のリン酸濃度を測定するリン酸濃度測定部が設けられ、
前記戻りラインのうち液処理部近傍に、前記処理液を加熱する加熱タンクが設けられるとともに、前記液処理部に水供給部が接続され、
前記制御部は前記リン酸濃度測定部からの信号に基づいて、リン酸濃度が所定リン酸濃度より低い場合に前記加熱タンクにより前記処理液を加熱し、リン酸濃度が所定リン酸濃度より高い場合に前記水供給部から前記液処理部へ水を供給することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか記載の基板液処理方法。 - 前記基板から溶出される溶出成分濃度は、前記排出ラインに設けられた溶出成分濃度測定部により得ることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか記載の基板液処理方法。
- 前記基板から溶出される溶出成分濃度は、予め行われた実験により所定時間経過後の処理液中の溶出成分濃度を得ることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか記載の基板液処理方法。
- コンピュータに基板液処理方法を実行させるための記憶媒体において、
前記基板液処理方法は、
リン酸水溶液からなる処理液により、液処理部において基板を処理する工程と、
前記液処理部にリン酸水溶液供給部から前記リン酸水溶液を供給する工程と、
前記液処理部内の前記処理液を排出ラインから排出する工程と、
前記排出ラインに切換自在に接続された戻しラインにより前記処理液を前記液処理部に戻す工程と、
前記排出ラインに切換自在に接続され、前記処理液を再生する再生ユニットを含む再生ラインにより前記処理液を再生する工程と、を備え、
制御部は前記液処理部において前記基板を処理し、前記基板から溶出される溶出成分濃度に応じて、前記排出ラインから排出される前記処理液を前記再生ラインから、前記排出ラインを経て外方へ廃棄する廃棄ラインに切り替える、ことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016133560A JP6698446B2 (ja) | 2016-07-05 | 2016-07-05 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
KR1020170080572A KR102376870B1 (ko) | 2016-07-05 | 2017-06-26 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 |
US15/636,069 US10096497B2 (en) | 2016-07-05 | 2017-06-28 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium |
CN201710532046.1A CN107579020B (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-03 | 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质 |
US16/120,884 US10679872B2 (en) | 2016-07-05 | 2018-09-04 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium |
US16/865,452 US11189505B2 (en) | 2016-07-05 | 2020-05-04 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016133560A JP6698446B2 (ja) | 2016-07-05 | 2016-07-05 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006623A true JP2018006623A (ja) | 2018-01-11 |
JP6698446B2 JP6698446B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=60911023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016133560A Active JP6698446B2 (ja) | 2016-07-05 | 2016-07-05 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10096497B2 (ja) |
JP (1) | JP6698446B2 (ja) |
KR (1) | KR102376870B1 (ja) |
CN (1) | CN107579020B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019142435A1 (ja) | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 株式会社Ihi | ライニング材剥離方法 |
US10910236B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-02-02 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2021064746A (ja) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP7224117B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2023-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理液再利用方法 |
JP7433135B2 (ja) * | 2020-05-25 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 貯留装置および貯留方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003338488A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003338486A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008103678A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013021232A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びその液交換方法 |
JP2013093478A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2013165217A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013232593A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP2016519424A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-30 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5235995A (en) * | 1989-03-27 | 1993-08-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization |
US5357991A (en) * | 1989-03-27 | 1994-10-25 | Semitool, Inc. | Gas phase semiconductor processor with liquid phase mixing |
US5232511A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous mixed acid vapors |
JPH10144650A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体材料の洗浄装置 |
US6582580B1 (en) * | 1998-03-02 | 2003-06-24 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
US7198753B1 (en) * | 1999-08-03 | 2007-04-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for monitoring and/or controlling attributes of multiple chemical mixtures with a single sensor |
US6708702B2 (en) * | 1999-12-06 | 2004-03-23 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with storage tank having an internal and external tank |
US6848457B2 (en) * | 2000-05-08 | 2005-02-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment equipment, liquid treatment method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing equipment |
TWI313894B (en) * | 2002-11-15 | 2009-08-21 | Ebara Corp | Apparatus and method for substrate processing |
EP1717344A4 (en) * | 2004-01-23 | 2008-08-20 | Ebara Corp | PROCESS FOR PROCESSING A SUBSTRATE, CATALYST PROCESS LIQUID, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE |
KR101140770B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2012-05-03 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판처리유닛 및 기판처리장치와 기판 유지장치 및 기판 유지방법 |
JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
US7140393B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
US7789971B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
JP4839101B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 |
US7985699B2 (en) * | 2006-03-22 | 2011-07-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
JP4644170B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN100511602C (zh) * | 2006-09-20 | 2009-07-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
JP4744426B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2011-08-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9050634B2 (en) * | 2007-02-15 | 2015-06-09 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
WO2009069090A2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Improved reclaim function for semiconductor processing systems |
US8725667B2 (en) * | 2008-03-08 | 2014-05-13 | Tokyo Electron Limited | Method and system for detection of tool performance degradation and mismatch |
JP5361847B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP5795983B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-10-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6009832B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-10-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6025250B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-11-16 | ヒューグルエレクトロニクス株式会社 | 基板ケース洗浄装置 |
JP5959381B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-08-02 | ヒューグルエレクトロニクス株式会社 | 基板ケース洗浄装置 |
JP6244277B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2017-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US9960062B2 (en) * | 2015-06-15 | 2018-05-01 | Peek Process Insights, Inc. | Effluent control system |
JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
-
2016
- 2016-07-05 JP JP2016133560A patent/JP6698446B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-26 KR KR1020170080572A patent/KR102376870B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-28 US US15/636,069 patent/US10096497B2/en active Active
- 2017-07-03 CN CN201710532046.1A patent/CN107579020B/zh active Active
-
2018
- 2018-09-04 US US16/120,884 patent/US10679872B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-04 US US16/865,452 patent/US11189505B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003338488A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003338486A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008103678A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013021232A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びその液交換方法 |
JP2013093478A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2013165217A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013232593A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP2016519424A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-30 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019142435A1 (ja) | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 株式会社Ihi | ライニング材剥離方法 |
US10910236B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-02-02 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2021064746A (ja) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
JP7349876B2 (ja) | 2019-10-17 | 2023-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107579020B (zh) | 2023-05-16 |
US20190006201A1 (en) | 2019-01-03 |
US10096497B2 (en) | 2018-10-09 |
KR102376870B1 (ko) | 2022-03-18 |
JP6698446B2 (ja) | 2020-05-27 |
US11189505B2 (en) | 2021-11-30 |
KR20180005110A (ko) | 2018-01-15 |
US20180012777A1 (en) | 2018-01-11 |
US10679872B2 (en) | 2020-06-09 |
CN107579020A (zh) | 2018-01-12 |
US20200266079A1 (en) | 2020-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6370233B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6698446B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 | |
JP6118739B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR102549290B1 (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
CN107895702B (zh) | 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质 | |
JP6118689B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
KR102480692B1 (ko) | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
JP6824962B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6441198B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP7224117B2 (ja) | 基板処理装置および処理液再利用方法 | |
JP6552687B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP7289649B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6516908B2 (ja) | リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6548787B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2021064748A (ja) | 基板処理装置および装置洗浄方法 | |
JP2019012856A (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6698446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |