KR20180005110A - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 사용이 끝난 인산 수용액 중의 실리콘 농도에 따라 재생 유닛을 사용하는 것을 목적으로 한다.
기판 액처리 장치(1)는 기판(8)을 처리액에 의해 처리하는 액처리부(39)와, 제어부(7)를 갖고 있다. 상기 제어부(7)는 상기 액처리부(39)에 있어서 상기 기판(8)을 처리하고, 상기 기판(8)으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 배출 라인(82)으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인(90)으로부터, 상기 배출 라인(82)을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인(87)으로 전환한다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 처리액을 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 때에는, 기판 액처리 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판에 대해 에칭액 등의 처리액을 이용하여 액처리를 실시한다.
예컨대, 특허문헌 1에 개시된 기판 액처리 장치에서는, 처리조에 저류한 처리액(에칭액: 인산 수용액)에 기판을 침지시켜, 기판의 표면에 형성한 실리콘 질화막을 에칭하는 처리를 행한다.
그런데, 종래부터, 처리액으로서 사용된 인산 수용액 중에는 에칭 처리에 의해 용출된 실리콘이 포함되어 있고, 사용이 끝난 인산 수용액은 재생 유닛으로 보내져 함유하는 실리콘이 제거된다. 이와 같이 하여 사용이 끝난 인산 수용액은 재생 유닛에 있어서 실리콘이 제거되어 재생되고, 다시 처리조로 복귀되어 재차 사용된다.
그러나 종래부터 사용이 끝난 인산 수용액은, 실리콘 농도에 상관없이 재생 유닛으로 보내진다.
실리콘 제거가 불가능한 인산 수용액, 또는, 실리콘 제거에 시간을 필요로 하는 인산 수용액을 재생 유닛으로 보낸 경우, 재생 유닛 내 혹은 배관 라인에 결정이 생성되거나, 재생 유닛의 내부 구조에 지장이 발생한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-93478호 공보
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 사용이 끝난 인산 수용액의 실리콘 농도에 따라 재생 유닛을 사용함으로써, 재생 유닛을 효율적으로 사용할 수 있는 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 인산 수용액으로 이루어지는 처리액 및 기판을 수납하고, 상기 처리액을 이용하여 상기 기판을 처리하는 액처리부와, 상기 액처리부에 상기 인산 수용액을 공급하기 위한 인산 수용액 공급부와, 상기 액처리부에 접속되고, 상기 처리액을 배출하는 배출 라인과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 복귀 라인과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인과, 제어부를 구비하며, 상기 제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치이다.
본 발명은 인산 수용액으로 이루어지는 처리액에 의해, 액처리부에 있어서 기판을 처리하는 공정과, 상기 액처리부에 인산 수용액 공급부로부터 상기 인산 수용액을 공급하는 공정과, 상기 액처리부 내의 상기 처리액을 배출 라인으로부터 배출하는 공정과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속된 복귀 라인에 의해 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 공정과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인에 의해 상기 처리액을 재생하는 공정을 포함하며, 제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법이다.
본 발명은 컴퓨터에 기판 액처리 방법을 실행시키기 위한 기억 매체에 있어서, 상기 기판 액처리 방법은, 인산 수용액으로 이루어지는 처리액에 의해, 액처리부에 있어서 기판을 처리하는 공정과, 상기 액처리부에 인산 수용액 공급부로부터 상기 인산 수용액을 공급하는 공정과, 상기 액처리부 내의 상기 처리액을 배출 라인으로부터 배출하는 공정과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속된 복귀 라인에 의해 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 공정과, 상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인에 의해 상기 처리액을 재생하는 공정을 포함하며, 제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명에 의하면, 사용이 끝난 인산 수용액의 실리콘 농도에 따라 재생 유닛을 사용함으로써, 재생 유닛을 효율적으로 사용할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 시스템 전체를 도시한 평면도이다.
도 2는 기판 액처리 장치를 도시한 측면도이다.
도 3은 기판 액처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 4는 기판 액처리 방법을 도시한 작용도이다.
도 5는 기판 액처리 방법을 도시한 작용도이다.
<본 발명의 실시형태>
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도 1 내지 도 4에 의해 설명한다. 먼저 본 발명에 의한 기판 액처리 장치(1)가 편입된 기판 액처리 시스템(1A) 전체에 대해 서술한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 시스템(1A)은, 캐리어 반입 반출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 갖는다.
이 중 캐리어 반입 반출부(2)는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입 반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입 반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입 반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 장(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 한편, 로트를 형성할 때에는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성해도 좋고, 또한, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 모두 한쪽을 향하도록 로트를 형성해도 좋다.
이 로트 형성부(3)에는, 복수 장의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용해서 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하여, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착(轉着)되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수 장의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성된다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 본 발명에 의한 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)가 나란히 설치되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 설치된 기판 승강 기구(28)를 갖는다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)를 갖고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있으며, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 갖고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(1)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 갖고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는, 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. 전술한 바와 같이, 에칭 처리 장치(1)는 본 발명에 의한 기판 액처리 장치로 되어 있다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(1)는 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)에 대해 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는, 1로트분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(1)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(1)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
제어부(7)는, 기판 액처리 시스템(1A)의 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어한다.
이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 구비한다. 기억 매체(38)에는, 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 한편, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것이며, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
전술한 바와 같이 에칭 처리 장치(1)의 처리조(34)에서는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다.
에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 농도의 인산 수용액으로 이루어지는 처리액을 저류하고 기판(8)을 처리하기 위한 액처리부(39)와, 액처리부(39)에 인산 수용액을 공급하기 위한 인산 수용액 공급부(40)와, 인산 수용액을 희석하는 순수를 공급하기 위한 순수 공급부(41)와, 액처리부(39)에 저류된 처리액을 순환시키기 위한 처리액 순환 라인(42)과, 액처리부(39)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(43)를 갖는다.
액처리부(39)는, 에칭용의 상부를 개방시킨 처리조(34)와, 이 처리조(34)의 상부 주위에 설치되고 상부를 개방시킨 외부조(44)를 갖고, 처리조(34)와 외부조(44)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)에서는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액처리하기 위한 처리액을 저류한다. 외부조(44)는, 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류하고, 처리액 순환 라인(42)에 의해 처리조(34)에 처리액을 공급한다. 한편, 기판 승강 기구(36)에 있어서, 복수의 기판(8)이 수직으로 기립한 자세로 수평 방향으로 간격을 두고 배열시킨 상태로 유지된다.
인산 수용액 공급부(40)는, 액처리부(39)에 처리액보다 낮은 농도의 약제(인산)의 수용액(인산 수용액)을 공급한다. 이 인산 수용액 공급부(40)는, 미리 정해진 농도 및 미리 정해진 온도의 인산 수용액을 공급하기 위한 수용액 공급원(45)을 포함하고, 이 수용액 공급원(45)은 액처리부(39)의 외부조(44)에 전환 밸브(62, 64)를 갖는 인산 수용액 공급 라인(45A)을 통해 접속되어 있다. 전환 밸브(62, 64)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
순수 공급부(41)는, 처리액의 가열(비등)에 의해 증발한 수분을 보급하기 위한 순수를 공급한다. 이 순수 공급부(41)는, 미리 정해진 온도의 순수를 공급하기 위한 순수 공급원(47)을 포함하고, 이 순수 공급원(47)은 액처리부(39)의 외부조(44)에 유량 조절기(48)를 통해 접속되어 있다. 유량 조절기(48)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환 라인(42)은, 처리조(34)의 내부에 있어서 기판 승강 기구(36)에 의해 유지된 기판(8)보다 하방에 배치된 처리액 공급 노즐(49)과, 액처리부(39)의 외부조(44)의 바닥부와 처리액 공급 노즐(49) 사이에 형성된 순환 유로(50)를 포함한다. 순환 유로(50)에는, 공급 펌프(51)와, 히터(52)와, 필터(53)와, 농도계(농도 측정부)(55)가 순차적으로 설치되어 있다. 공급 펌프(51) 및 히터(52)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 그리고, 처리액 순환 라인(42)은, 공급 펌프(51)를 구동시킴으로써 외부조(44)로부터 처리조(34)에 처리액을 순환시킨다. 그때에, 히터(52)에 의해 처리액을 미리 정해진 온도로 가열한다. 한편, 공급 펌프(51)와, 히터(52)와, 필터(53)를 갖는 처리액 순환 라인(42)은, 처리액을 액처리부(39)에 공급하는 처리액 공급부로서 기능한다. 또한 농도계(55)는 처리액 중의 인산 농도를 측정하는 인산 농도 측정부로서 기능하고, 처리액 중의 기판(8)으로부터 용출되는 실리콘의 농도(용출 성분 농도)를 측정하는 용출 성분 농도 측정부로서도 기능한다. 그리고 이 농도계(55)에 의해 측정한 측정 결과는 제어부(7)로 보내진다.
도 3에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 노즐(49)은, 복수 장의 기판(8)의 배열 방향으로 연장되는 통 형상을 갖고 있다. 그리고, 그 둘레면에 뚫려 형성된 복수의 토출구(49a)로부터, 기판 승강 기구(36)에 유지된 기판(8)을 향해 처리액을 토출하도록 구성되어 있다.
처리액 배출부(43)는, 액처리부(39)의 처리조(34)의 바닥부에 접속된 배출 라인(82)을 갖고, 배출 라인(82)에는 농도계(43A) 및 전환 밸브(66)가 설치되어 있다. 이 중 전환 밸브(66)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 그리고 전환 밸브(66)가 설치된 배출 라인(82)에는 냉각 탱크(85)가 접속되어 있다.
또한 배출 라인(82)에 설치된 농도계(43A)는, 처리액 중의 인산 농도를 측정하는 인산 농도 측정부로서 기능하고, 처리액 중의 기판(8)으로부터 용출되는 실리콘의 농도(용출 성분 농도)를 측정하는 용출 성분 농도 측정부로서도 기능한다. 또한 배출 라인(82)에는, 냉각 탱크(85)를 우회하는 바이패스 라인(83)(배출 라인)이 접속되고, 이 바이패스 라인(83)에는 전환 밸브(68)가 설치되며, 바이패스 라인(83)은 후술하는 배출 라인(82)에 접속되어 있다.
배출 라인(82)에는 전환 밸브(67)의 하류측에 전환 밸브(69)를 통해 처리액을 외측으로 폐기하는 폐기 라인(87)이 접속되어 있다. 또한 배출 라인(82)에는, 전환 밸브(67)의 하류측에 전환 밸브(70)를 통해, 처리액 중의 실리콘을 제거하여 처리액을 재생하는 재생 유닛(91)을 포함하는 재생 라인(90)이 접속되어 있다.
이 중 재생 유닛(91)은, 처리액 중의 실리콘을 제거하는 재생부(91A)와, 실리콘이 제거된 처리액을 저류하는 저류부(91B)를 갖는다.
또한 배출 라인(82)에는 전환 밸브(67)의 하류측에 전환 밸브(71)가 설치되어 있다. 또한 재생 유닛(91)의 출구측은 전환 밸브(72)를 통해 전환 밸브(71)가 설치된 복귀 라인(80)과 합류점(80a)에서 합류한다. 또한 복귀 라인(80) 중 합류점(80a)의 하류측에 전환 밸브(73)가 설치되고, 복귀 라인(80)은 또한 인산 수용액 공급부(40)측까지 연장되며, 이 복귀 라인(80)에는, 전환 밸브(61)를 통해 인산 수용액 공급부(40)의 인산 수용액 공급 라인(45A)이 합류점(80b)에서 합류하고 있다. 한편, 재생 유닛(91)의 출구측은 전환 밸브(72)를 통해 전환 밸브(71)가 설치된 복귀 라인(80)과 합류점(80a)에서 합류하지 않고, 전환 밸브(72)를 통해 복귀 라인(80)과 상이한 도시하지 않은 복귀 라인을 이용하여, 이 복귀 라인(80)을 인산 수용액 공급부(40)측까지 연장시키며, 전환 밸브(61)를 통해 인산 수용액 공급부(40)의 인산 수용액 공급 라인(45A)이 합류점(80b)에서 합류하도록 해도 좋다.
인산 수용액 공급 라인(45A)의 합류점(80b)의 하류측은, 전환 밸브(64)가 설치되어 있다. 또한 인산 수용액 공급 라인(45A)의 합류점(80b)의 하류측에는, 전환 밸브(63)를 갖는 분기 라인(45B)이 형성되고, 이 분기 라인(45B)에는 가열 탱크(60)가 접속되어 있다.
또한 가열 탱크(60)의 바닥부에는, 전환 밸브(65)를 갖는 도입 라인(60A)이 접속되고, 이 도입 라인(60A)은 인산 수용액 공급 라인(45A)과 전환 밸브(64)의 하류에 있어서 합류하여, 액처리부(39)의 외부조(44)까지 연장되어 있다.
한편, 상기 구성 요소 중, 가열 탱크(60), 냉각 탱크(85), 재생 유닛(91), 및 전환 밸브(61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73)는 모두 제어부(7)에 의해 구동 제어된다.
기판 액처리 장치(1)는, 이상에 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 기억 매체(38)에 기억된 기판 액처리 프로그램 등에 따라 제어부(7)에 의해 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다.
다음으로 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시형태의 작용, 즉 기판 액처리 방법에 대해 설명한다. 먼저 에칭 처리 장치(1)의 인산 수용액 공급부(40)에 의해 미리 정해진 인산 농도 및 미리 정해진 온도의 인산 수용액(처리액)을 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급한다. 다음으로 처리액 순환 라인(42)의 히터(52)에 의해 외부조(44)로부터의 처리액을 미리 정해진 인산 농도(예컨대 87.4 wt%) 및 미리 정해진 온도(예컨대 160℃)가 되도록 가열하고, 처리액을 액처리부(39)의 처리조(34)에 저류한다. 그때에, 히터(52)의 가열에 의해 수분이 증발해서 기포가 되어 처리액 중을 상승하여, 처리액은 비등 상태가 된다. 이 경우, 처리액의 농도가 증가하기 때문에, 가열에 의해 증발하는 수분의 양에 상응하는 양의 순수를 순수 공급부(41)에 의해 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급하여, 처리액을 순수로 희석한다. 그리고, 미리 정해진 농도 및 미리 정해진 온도의 처리액이 저류된 처리조(34)에 기판 승강 기구(36)에 의해 기판(8)을 침지시킴으로써, 처리액으로 기판(8)을 에칭 처리(액처리)한다. 이때, 수분이 증발해서 발생한 기포가 처리액 중을 상승하고, 상승하는 기포에 의해 처리액이 순환하기 때문에, 처리액에 의한 에칭 처리가 촉진된다.
이 액처리 중에 있어서, 인산 수용액 공급부(40), 순수 공급부(41), 처리액 순환 라인(42)의 공급 펌프(51) 및 히터(52)를 제어부(7)에 의해 제어함으로써, 처리액을 미리 정해진 농도 및 미리 정해진 온도로 유지한다.
이 경우, 제어부(7)는, 공급 펌프(51)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(50)에서 순환시키고, 히터(52)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도로 유지시키며, 기판(8)의 액처리를 개시한다.
액처리 개시 후의 미리 정해진 타이밍에서 제어부(7)는, 처리액의 인산 농도를 농도계(55)로 계측한다. 액처리 개시 시와 마찬가지로 공급 펌프(51)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(50)에서 순환시키고, 히터(52)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도로 유지시킨다.
그런데 액처리 중에 미리 정해진 시간마다 인산 수용액 공급부(40)에 의해 새로운 처리액(인산 수용액)이 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급된다. 동시에 액처리부(39)의 처리조(34)로부터 처리액이 배출 라인(82)으로부터 배출되고, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액은, 냉각 탱크(85)로 유도된다.
이와 같이, 일정량의 새로운 처리액을 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급하고, 액처리부(39)의 처리조(34)로부터 새로운 처리액의 공급량과 대략 동일한 양의 처리액을 배출 라인(82)으로부터 배출함으로써, 액처리부(39)의 처리조(34) 내에서의 인산 농도를 일정하게 유지할 수 있다.
이 동안, 액처리부(39)의 처리조(34)에서는, 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 기판(8)에 대해 액처리를 실시함으로써, 기판(8)으로부터 실리콘이 처리액 중에 용출된다.
또한, 배출 라인(82)의 농도계(43A)에 의해, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액 중의 인산 농도 및 실리콘 농도가 측정된다.
다음으로 농도계(43A)로부터의 측정 신호는 제어부(7)로 보내진다.
제어부(7)는 도 4에 도시된 바와 같이, 농도계(43A)로부터의 측정 신호에 기초하여, 처리액 중의 실리콘 농도가 일정해지도록 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 전환 밸브(67, 70)를 거쳐 재생 유닛(91)으로 보낸다. 그리고 이 재생 유닛(91)의 재생부(91A)에 있어서 처리액 중의 실리콘이 제거된다. 그리고 실리콘이 제거된 처리액은, 저류부(91B)에서 축적된 후, 전환 밸브(72 및 73)를 거쳐 복귀 라인(80)을 통과하고, 전환 밸브(61)를 통해 인산 수용액 공급부(40)의 인산 수용액 공급 라인(45A)으로 보내진 후, 액처리부(39)의 외부조(44)로 복귀된다.
이와 같이 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 냉각 탱크(85)를 거쳐 재생 유닛(91)까지 유도하고, 이 재생 유닛(91)에서 실리콘을 제거한 후, 실리콘이 제거된 처리액을 액처리부(39)의 처리조(34) 내로 복귀시킴으로써, 처리액 중의 실리콘 농도를 액처리, 재생 농도 근방에 있어서, 대략 일정하게 유지할 수 있다(도 4 참조).
이러한 액처리를 계속해 가면, 처리액 중의 실리콘 농도가, 액처리, 재생 농도로부터 급격히 증가하여, 폐기 농도까지 도달하는 경우가 있다.
실리콘 농도가 폐기 농도까지 도달한 후, 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내어 이 재생 유닛(91)에 의해 처리액을 재생시키는 경우, 실리콘 농도가 지나치게 높아지기 때문에 재생 유닛(91) 내 혹은 배관 라인에 결정이 발생하여 재생 유닛(91)의 내부 구조에 지장을 초래해 버린다.
본 실시형태에 의하면 제어부(7)는, 처리액 중의 실리콘 농도가 폐기 농도에 도달한 경우, 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 배출 라인(82)으로부터 전환 밸브(69)를 통해 폐기 라인(87)까지 보내고, 또한 이 폐기 라인(87)으로부터 외측으로 폐기한다. 이 때문에 실리콘 농도가 높은 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내어, 재생 유닛(91)의 내부 구조를 파손시키거나, 열화시키는 일은 없고, 재생 유닛(91)을 장기간에 걸쳐 유효하게 이용할 수 있다.
한편, 본 실시형태에 있어서, 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 냉각 탱크(85)를 거쳐 재생 유닛(91)으로 유도하는 예를 나타내었으나, 이것에 한하지 않고 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 바이패스 라인(83)을 이용하여 냉각 탱크(85)를 우회하여 재생 유닛(91)측으로 유도해도 좋다.
한편, 제어부(7)는 배출 라인(82)의 농도계(43A)에 의해, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액 중의 인산 농도에 기초하여, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 낮은 경우, 복귀 라인(80)에 의해 합류점(80b)을 통해 인산 수용액 공급 라인(45A)까지 복귀된 처리액을 가열 탱크(60)로 보낸다. 그리고 제어부(7)는 처리액을 가열 탱크(60)에 의해 가열하여, 인산 농도를 상승시킨 후, 도입 라인(60A)을 거쳐 액처리부(39)의 외부조(44)로 복귀시킨다.
한편, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 높은 경우, 제어부(7)는 순수 공급부(41)에 의해 순수를 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급하여, 처리액의 인산 농도를 저하시킨다.
이와 같이 하여 액처리부(39)의 처리조(34) 내에서의 처리액 중의 인산 농도를 대략 일정하게 유지할 수 있다.
<변형예>
다음으로 도 5에 의해 본 발명의 변형예에 대해 설명한다.
도 5에 도시된 변형예는 제어부(7)에 의한 제어 방법이 상이할 뿐이며, 다른 구성은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시형태와 대략 동일하다.
도 5에 도시된 변형예에 있어서, 도 1 내지 도 4에 도시된 실시형태와 동일 부분에 대해서는 동일 부호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.
액처리 중에 미리 정해진 시간마다 인산 수용액 공급부(40)에 의해 새로운 처리액(인산 수용액)이 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급된다. 동시에 액처리부(39)의 처리조(34)로부터 처리액이 배출 라인(82)으로부터 배출되고, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액은, 냉각 탱크(85)로 유도된다.
이와 같이, 일정량의 새로운 처리액을 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급하고, 액처리부(39)의 처리조(34)로부터 새로운 처리액의 공급량과 대략 동일한 양의 처리액을 배출 라인(82)으로부터 배출함으로써, 액처리부(39)의 처리조(34) 내에서의 인산 농도를 일정하게 유지할 수 있다.
이 동안, 액처리부(39)의 처리조(34)에서는, 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 기판(8)에 대해 액처리를 실시함으로써, 기판(8)으로부터 실리콘이 처리액 중에 용출된다.
또한, 배출 라인(82)의 농도계(43A)에 의해, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액 중의 인산 농도 및 실리콘 농도가 측정된다.
다음으로 농도계(43A)로부터의 측정 신호는 제어부(7)로 보내진다.
제어부(7)는 도 5에 도시된 바와 같이 액처리 개시 직후에는 처리액 중의 실리콘 농도는 크게 상승하지 않는 것으로 판단한다. 이때, 제어부(7)는 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 배출 라인(82)의 전환 밸브(67)로부터 전환 밸브(71)로 보낸다. 다음으로 제어부(7)는 재생 유닛(91)을 이용하지 않고, 처리액을 복귀 라인(80)을 통과시키며, 전환 밸브(61)를 통해 인산 수용액 공급부(40)의 인산 수용액 공급 라인(45A)으로 보낸 후, 액처리부(39)의 외부조(44) 내로 복귀시킨다.
이 동안, 처리액은 재생 유닛(91)을 통과하지 않기 때문에, 처리조(34) 내의 처리액 중의 실리콘 농도는 서서히 상승한다(도 5의 실선).
다음으로 제어부(7)는, 미리 행해진 실험에 의해 얻어진 미리 정해진 시간(t1) 경과 후에 처리액 중의 실리콘 농도가 재생 농도에 도달한 것으로 판단하여, 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내고, 이 재생 유닛(91)에 있어서, 처리액 중의 실리콘을 제거한다. 한편, 미리 정해진 시간(t1) 경과 후에 처리액 중의 실리콘 농도가 재생 농도에 도달한다고 판단하는 대신에, 농도계(43A)로부터의 측정 신호에 기초하여 실리콘 농도가 재생 농도에 도달한 것을 확인해도 좋다.
구체적으로는 제어부(7)는 도 5에 도시된 바와 같이, 농도계(43A)로부터의 측정 신호에 기초하여, 처리액 중의 실리콘 농도가 실선의 상태로부터 파선의 상태까지 내려가도록 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 전환 밸브(67, 70)를 거쳐 재생 유닛(91)으로 보낸다. 그리고 이 재생 유닛(91)의 재생부(91A)에 있어서 처리액 중의 실리콘이 제거된다. 그리고 실리콘이 제거된 처리액은, 저류부(91B)에서 축적된 후, 전환 밸브(72 및 73)를 거쳐 복귀 라인(80)을 통과하고, 전환 밸브(61)를 통해 인산 수용액 공급부(40)의 인산 수용액 공급 라인(45A)으로 보내진 후, 액처리부(39)의 외부조(44)로 복귀된다.
이와 같이 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 냉각 탱크(85)를 거쳐 재생 유닛(91)까지 유도하고, 이 재생 유닛(91)에서 실리콘을 제거한 후, 실리콘이 제거된 처리액을 액처리부(39)의 처리조(34) 내로 복귀시킴으로써, 처리액 중의 실리콘 농도를 실선의 상태로부터 파선의 상태까지 저하시킬 수 있다(도 5 참조).
이러한 액처리를 계속해 가면, 처리액 중의 실리콘 농도가, 재생 농도로부터 서서히 증가하고, 미리 행해진 실험에 의해 얻어진 미리 정해진 시간(t2) 경과 후에 폐기 농도까지 도달한다.
실리콘 농도가 폐기 농도까지 도달한 후, 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내어 이 재생 유닛(91)에 의해 처리액을 재생시키는 경우, 실리콘 농도가 지나치게 높아지기 때문에 재생 유닛(91) 내 혹은 배관 라인에 결정이 발생하여 재생 유닛(91)의 내부 구조에 지장을 초래해 버린다.
본 실시형태에 의하면 제어부(7)는, 처리액 중의 실리콘 농도가 폐기 농도에 도달한 경우, 미리 행해진 실험에 의해 얻어진 미리 정해진 시간(t3) 동안, 냉각 탱크(85) 내의 처리액을 배출 라인(82)으로부터 전환 밸브(69)를 통해 폐기 라인(87)까지 보내고, 또한 이 폐기 라인(87)으로부터 외측으로 폐기한다. 이 때문에 실리콘 농도가 높은 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내어, 재생 유닛(91)의 내부 구조를 파손시키거나, 열화시키는 일은 없고, 재생 유닛(91)을 장기간에 걸쳐 유효하게 이용할 수 있다.
한편, 액처리 개시 후, 처리액 중의 실리콘 농도가 재생 농도보다 낮은 경우, 처리액을 재생 유닛(91)으로 보내지 않고, 액처리부(39)측으로 복귀시키기 때문에, 재생 유닛(91)을 불필요하게 작동시키는 일은 없다. 이 때문에 재생 유닛(91)의 재생 효율을 유지할 수 있다.
한편, 본 실시형태에 있어서, 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 냉각 탱크(85)를 거쳐 재생 유닛(91)으로 유도하는 예를 나타내었으나, 이것에 한하지 않고 액처리부(39)의 처리조(34) 내의 처리액을 바이패스 라인(83)을 이용하여 냉각 탱크(85)를 우회시켜도 좋다.
또한, 제어부(7)는 배출 라인(82)의 농도계(43A)에 의해, 처리조(34)로부터 배출 라인(82)에 배출된 처리액 중의 인산 농도에 기초하여, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 낮은 경우, 복귀 라인(80)에 의해 합류점(80b)을 통해 인산 수용액 공급 라인(45A)까지 복귀된 처리액을 가열 탱크(60)로 보낸다. 그리고 제어부(7)는 처리액을 가열 탱크(60)에 의해 가열하여, 인산 농도를 상승시킨 후, 도입 라인(60A)을 거쳐 액처리부(39)의 외부조(44)로 복귀시킨다.
한편, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 높은 경우, 제어부(7)는 순수 공급부(41)에 의해 순수를 액처리부(39)의 외부조(44)에 공급하여, 처리액의 인산 농도를 저하시킨다.
1: 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치) 1A: 기판 액처리 시스템
7: 제어부 8: 기판
34: 처리조 39: 액처리부
40: 인산 수용액 공급부 41: 순수 공급부
42: 처리액 순환 라인 43: 처리액 배출부
43A: 농도계 45: 수용액 공급원
45A: 인산 수용액 공급 라인 44: 외부조
51: 공급 펌프 52: 히터
53: 필터 55: 농도계
60: 가열 탱크 80: 복귀 라인
82: 배출 라인 85: 냉각 탱크
87: 폐기 라인 90: 재생 라인
91: 재생 유닛

Claims (13)

  1. 인산 수용액으로 이루어지는 처리액 및 기판을 수납하고, 상기 처리액을 이용하여 상기 기판을 처리하는 액처리부와,
    상기 액처리부에 상기 인산 수용액을 공급하기 위한 인산 수용액 공급부와,
    상기 액처리부에 접속되고, 상기 처리액을 배출하는 배출 라인과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 복귀 라인과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인과,
    제어부를 구비하며,
    상기 제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 재생 라인으로 보내지 않고 상기 배출 라인으로부터의 상기 처리액을 상기 복귀 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 재생 농도에 도달했을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로 전환하고,
    상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 폐기 농도에 도달했을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 배출 라인으로부터 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하며,
    상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 재생 농도에 도달하지 않을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로 보내지 않고 상기 배출 라인으로부터의 상기 처리액을 상기 복귀 라인으로 전환하는
    것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액의 인산 농도를 측정하는 인산 농도 측정부가 설치되고,
    상기 복귀 라인 중 액처리부 근방에, 상기 처리액을 가열하는 가열 탱크가 설치되며, 상기 액처리부에 물 공급부가 접속되고,
    상기 제어부는 상기 인산 농도 측정부로부터의 신호에 기초하여, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 낮은 경우에 상기 가열 탱크에 의해 상기 처리액을 가열하고, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 높은 경우에 상기 물 공급부로부터 상기 액처리부에 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도는, 상기 배출 라인에 설치된 용출 성분 농도 측정부에 의해 얻는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도는, 미리 행해진 실험에 의해 미리 정해진 시간 경과 후의 처리액 중의 용출 성분 농도를 얻는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  7. 인산 수용액으로 이루어지는 처리액에 의해, 액처리부에 있어서 기판을 처리하는 공정과,
    상기 액처리부에 인산 수용액 공급부로부터 상기 인산 수용액을 공급하는 공정과,
    상기 액처리부 내의 상기 처리액을 배출 라인으로부터 배출하는 공정과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속된 복귀 라인에 의해 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 공정과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인에 의해 상기 처리액을 재생하는 공정을 포함하며,
    제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 재생 라인으로 보내지 않고 상기 배출 라인으로부터의 상기 처리액을 상기 복귀 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 재생 농도에 도달했을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로 전환하고,
    상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 폐기 농도에 도달했을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 배출 라인으로부터 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하며,
    상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도가 미리 정해진 재생 농도에 도달하지 않을 때에, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로 보내지 않고 상기 배출 라인으로부터의 상기 처리액을 상기 복귀 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액의 인산 농도를 측정하는 인산 농도 측정부가 설치되고,
    상기 복귀 라인 중 액처리부 근방에, 상기 처리액을 가열하는 가열 탱크가 설치되며, 상기 액처리부에 물 공급부가 접속되고,
    상기 제어부는 상기 인산 농도 측정부로부터의 신호에 기초하여, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 낮은 경우에 상기 가열 탱크에 의해 상기 처리액을 가열하고, 인산 농도가 미리 정해진 인산 농도보다 높은 경우에 상기 물 공급부로부터 상기 액처리부에 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도는, 상기 배출 라인에 설치된 용출 성분 농도 측정부에 의해 얻는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  12. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도는, 미리 행해진 실험에 의해 미리 정해진 시간 경과 후의 처리액 중의 용출 성분 농도를 얻는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  13. 컴퓨터에 기판 액처리 방법을 실행시키기 위한 기억 매체에 있어서,
    상기 기판 액처리 방법은,
    인산 수용액으로 이루어지는 처리액에 의해, 액처리부에 있어서 기판을 처리하는 공정과,
    상기 액처리부에 인산 수용액 공급부로부터 상기 인산 수용액을 공급하는 공정과,
    상기 액처리부 내의 상기 처리액을 배출 라인으로부터 배출하는 공정과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속된 복귀 라인에 의해 상기 처리액을 상기 액처리부로 복귀시키는 공정과,
    상기 배출 라인에 전환 가능하게 접속되고, 상기 처리액을 재생하는 재생 유닛을 포함하는 재생 라인에 의해 상기 처리액을 재생하는 공정을 포함하며,
    제어부는 상기 액처리부에 있어서 상기 기판을 처리하고, 상기 기판으로부터 용출되는 용출 성분 농도에 따라, 상기 배출 라인으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 재생 라인으로부터, 상기 배출 라인을 거쳐 외측으로 폐기하는 폐기 라인으로 전환하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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