JP5009207B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る基板処理装置の全体概略構成を示す図である。この基板処理装置1は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Wをリン酸水溶液中に浸漬させてシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理を行うウエットエッチング処理装置である。基板処理装置1は、リン酸水溶液を貯留してエッチング処理を進行させる浸漬処理槽10と、リン酸水溶液を浸漬処理槽10に循環させる循環ライン20と、浸漬処理槽10のリン酸水溶液中に添加剤を投入する添加剤投入機構30と、浸漬処理槽10のリン酸水溶液中にトラップ剤を投入するトラップ剤投入機構40と、を備える。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置の構成は第1実施形態の基板処理装置1と全く同じである。第2実施形態が第1実施形態と異なるのは、トラップ剤を投入するタイミングである。第1実施形態においては、所定枚数の基板Wからなるロットのエッチング処理を行う毎にトラップ剤を投入していたが、第2実施形態では濃度計24によって測定されたシロキサンの濃度に基づいてトラップ剤を投入するようにしている。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、添加剤およびトラップ剤の投入タイミングは、第1および第2実施形態の例に限定されるものではなく、エッチング処理の内容や必要なエッチングレートに応じて適宜に変更することが可能である。
10 浸漬処理槽
11 内槽
12 外槽
20 循環ライン
21 循環ポンプ
22 フィルター
30 添加剤投入機構
40 トラップ剤投入機構
60 制御部
W 基板
Claims (4)
- シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板をリン酸水溶液中に浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を行う基板処理装置であって、
リン酸水溶液を貯留し、リン酸水溶液中に前記基板を浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を進行させる浸漬処理槽と、
前記浸漬処理槽のリン酸水溶液中にヘキサフルオロケイ酸を含む添加剤を投入する添加剤投入手段と、
前記浸漬処理槽のリン酸水溶液中にホウフッ化水素酸を含むトラップ剤を投入するトラップ剤投入手段と、
前記添加剤を一定間隔で逐次投入するように前記添加剤投入手段を制御する投入制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
前記投入制御手段は、前記浸漬処理槽中にて所定枚数の基板からなるロットのエッチング処理を行う毎に前記トラップ剤を投入するように前記トラップ剤投入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
前記浸漬処理槽のリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度を測定する濃度計をさらに備え、
前記投入制御手段は、前記濃度計によって測定されたシロキサンの濃度が所定の閾値以上のときに前記トラップ剤を投入するように前記トラップ剤投入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置において、
前記閾値は、80ppm以上120ppm以下に設定されることを特徴とする基板処理装置。
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